包装材料及制造方法

技术领域

本公开内容的实施方式涉及包装材料，具体而言涉及包括膜涂层的包装材料，及制造方法。

背景技术

许多医药产品(尤其是肠胃外药物)需要玻璃/塑料容器及/或弹性密封件(seal)及密闭件(closure)。此些医药包装材料由于多种原因而不太理想，这些原因会导致药物损失或其功效丧失、导致免疫原性问题的污染/颗粒，且有时会导致药物召回。玻璃容器最常见的问题为破裂、脱层、蛋白质凝聚(尤其对于大分子/生物制剂而言)及金属浸出(leaching)。另外，塑料容器具有不良的阻挡效能，其会导致药物稀释或功效丧失或保质期问题。

弹性体存在一系列单独的问题，且被视为水分/氧气进入药物内部的最薄弱环节。作为与玻璃/塑料非常不同的材料，弹性体导致对药物调配物中不期望的可萃取物及可浸出物的强烈担忧。弹性部件中的一些需要硅油进行润滑，此会引起颗粒问题并导致诸如预填充注射器及自动注入器的装置的设计控制问题。

因此，需要一种医药包装材料，其表现出高惰性、降低可萃取性、降低可浸出性或高润滑性中的一者或多者。

发明内容

本公开内容的一个或多个实施方式是针对一种包装材料。在一些实施方式中，该包装材料包括包含基板表面的基板，该基板表面包括选自由弹性体、聚合物、无机材料及多个其组合所组成的群组的材料；及膜涂层，其包括在基板表面上的第一层及在第一层上的第二层，其中第一层包括具有为SiO

本公开内容的另一方面是针对一种在包括基板表面的包装材料上沉积膜涂层的方法。在一些实施方式中，该方法包括将基板表面暴露于第一前驱物以在基板表面上沉积第一层，视情况净化第一前驱物，及将第一层暴露于第二前驱物以在第一层上沉积第二层。在一些实施方式中，第一层具有为SiO

附图说明

因此，可详细理解本公开内容的上述特征的方式，可借由参考实施方式来获得以上简要概述的本公开内容的更特定描述，实施方式中的一些在附图中加以绘示。然而，应注意，附图仅绘示本公开内容的典型实施方式，且因此不应将其视为对本公开内容的范畴的限制，因为本公开内容可允许其他同等有效的实施方式。

图1A至图1C示出根据本公开内容的一个或多个实施方式的包装材料的示意图；和

图2为根据本公开内容的实施方式的示出一种方法的流程图。

具体实施方式

在描述本公开内容的若干例示性实施方式之前，应理解，实施方式并不限于以下描述中所阐述的构造或工艺步骤的细节。在不脱离本公开内容的范畴的情况下，可预期额外实施方式。

本文中公开针对包装材料及制作包装材料的工艺的实施方式。根据一个或多个实施方式，词组“包装材料”包括但不限于小瓶(vial)、注射器(syringe)、瓶子(bottle)、药筒(cartridge)、安瓿(ampoule)、注入笔、贴片、吸塑包装及静脉输液袋。在一些实施方式中，包装材料包括基板，该基板包括基板表面及在基板表面上的膜涂层。膜涂层有利地改良了包装材料的一个或多个性质。该一个或多个性质包括但不限于与不具有膜涂层的包装材料相比较而言的高惰性、降低可萃取性、降低可浸出性或高润滑性。在一个或多个实施方式中，包装材料用于药品及治疗应用中。

如本文中所使用，术语“基板”或“基板表面”代表在其上执行膜处理的基板的任何部分或形成于基板上的材料表面的部分。举例而言，可在其上执行处理的基板表面包括诸如金属、金属合金、金属氮化物、无机材料、塑料、聚合物、弹性体、多个其组合的材料，及适合于包装的任何其他材料。在一些实施方式中，塑料材料包括但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)。在一些实施方式中，聚合物材料包括具有为C

在一些实施方式中，膜涂层为可挠性的。如本文中所使用，术语“可挠性”可互换地使用，以意谓具有能够弯曲或扭曲而不会断裂的物种的基板。

在一个或多个实施方式中，膜涂层包括至少一个层。图1A绘示包装材料100的横截面图，该包装材料100包括具有基板表面110s及膜涂层120的基板110。在一些实施方式中，膜涂层120包括多个层。在一些实施方式中，该多个层堆叠在基板110上。在一些实施方式中，该多个层包括至少两个层。在一些实施方式中，该至少两个层进一步包括第三层。在一些实施方式中，所有该多个层皆包括相同材料。在一些实施方式中，所有该多个层并非为相同材料。在一些实施方式中，多个层中的至少一者为与其余(若干)层材料不同的材料。

在一个或多个实施方式中，多个层包括第一层及第二层。在一些实施方式中，第一层及第二层并非为相同材料。在其他实施方式中，第一层及第二层包括不同材料。在一些实施方式中，第一层夹在第二层与基板110之间。在一些实施方式中，第一层及第二层堆叠在基板110上。图1B绘示包括基板110、第一层130及第二层140的包装材料100的横截面图，其中第一层130夹在基板110与第二层140之间。在一些实施方式中，第一层130与第二层140不同。在一些实施方式中，第一层130增进粘附。在一些实施方式中，第二层140充当阻挡层。在一些实施方式中，第二层140为惰性的。在一些实施方式中，第二层充当润滑剂。

图1C绘示包括基板110、第一层130、第二层140及第三层150的包装材料100的横截面图，其中第一层130夹在基板110与第二层140之间，第二层140夹在第一层130与第三层150之间，且第一层130及第二层140夹在基板110与第三层150之间。在一些实施方式中，第一层130、第二层140及第三层150中的至少一者堆叠在基板110上，且每一层与其余层不同。在其他实施方式中，第一层130、第二层140及第三层150中的每一者包括相同材料。在一些实施方式中，第一层130增进粘附。在一些实施方式中，第二层140充当阻挡层。在一些实施方式中，第二层140为惰性的。在一些实施方式中，第三层150充当润滑剂。

本公开内容的一个方面是针对在基板110上沉积膜涂层120的方法。图2绘示在包装材料100上沉积膜涂层120的方法200的例示性实施方式。在一些实施方式中，方法200包括可选预处理操作205。在一个或多个实施方式中，在包装材料100上沉积膜涂层120之前视情况将基板110暴露于预处理工艺。在一些实施方式中，预处理工艺包括但不限于预热、清洁、浸泡、去除原生氧化物、研磨、蚀刻、还原、氧化、羟基化、退火、UV固化、电子束固化、烘烤及/或沉积粘附层。除了直接在基板100自身(或基板表面110s)上沉积及/或处理膜涂层120以外，在本公开内容中，如以下更详细地公开，亦可在形成于基板100(或基板表面110s)上的底层上执行本文所公开的膜涂层处理步骤中的任一者，且如上下文中所指示，术语“基板表面”旨在包括此些底层。因此，例如，在膜涂层/层或部分膜涂层/层已沉积在基板表面上的情况下，最新沉积的膜涂层/层的已暴露表面变成为基板110(或基板表面110s)。

根据一个或多个实施方式，关于膜涂层或膜涂层的层的术语“在……上(on)”包括该层直接沉积在表面(例如，基板表面)上，以及在该层与表面(例如，基板表面)之间存在一个或多个底层。因此，在一个或多个实施方式中，词组“在基板表面上(on the substratesurface)”旨在包括一个或多个底层。在其他实施方式中，词组“直接在……上(directlyon)”代表与表面(例如，基板表面)接触的层或膜，其中无介入层。因此，词组“层直接在基板表面上(a layer directly on the substrate surface)”代表层与基板表面直接接触，其中无层在其间。

在工艺操作210处，方法200包括两个子工艺。应了解，工艺操作210中可包括多于两个或少于两个子工艺，且本公开内容并不限于所绘示的工艺。在一些实施方式中，执行工艺操作210以在基板110(或基板表面110s)上沉积膜涂层。在一些实施方式中，工艺操作210包括将基板110暴露于前驱物并视情况净化前驱物。

如在本说明书及附加权利要求书中所使用，可互换地使用术语“反应性化合物”、“反应性气体”、“反应性物种”、“前驱物”、“工艺气体”、“沉积前驱物”及其类似术语，以意谓具有能够在表面反应(例如，化学吸附、氧化、还原、环加成)中与基板或基板上的材料反应的物种的物质。将基板或基板的部分依序暴露于被引入处理区域中的两种或更多种反应性化合物。

在一些实施方式中，前驱物包括含硅前驱物、含氮前驱物、含氢前驱物、含氧前驱物、含碳前驱物或多个其组合。本段落中所述的各种含硅前驱物、含氮前驱物、含氢前驱物、含氧前驱物、含碳前驱物及多个组合可用于形成本文所述的各种层(例如，第一层、第二层、第三层、第四层、第五层)中的任一者。在一些实施方式中，含硅前驱物包括硅烷(SiH

在一些实施方式中，如在工艺操作212中所绘示，将基板110(或基板表面)暴露于前驱物中，用于沉积膜涂层的各种层。在一些实施方式中，膜涂层120包括具有为SiH

在一些实施方式中，膜涂层120包括具有为SiO

在一些实施方式中，膜涂层120包括具有为SiH

在一些实施方式中，第一层130包括具有为SiO

在一些实施方式中，第二层140包括具有为SiO

在一些实施方式中，第三层150包括具有为SiH

在一些实施方式中，膜涂层120包括在第二层140与第三层150之间的一个或多个额外层(例如，第四层及第五层)。在一些实施方式中，该一个或多个额外层独立地具有在自1nm至约100nm的范围中的厚度。在一个或多个实施方式中，该一个或多个额外层独立地包括为SiO

在一些实施方式中，前驱物包括第一前驱物、第二前驱物及第三前驱物中的一者或多者。在一些实施方式中，第一前驱物包括本文所述的含硅前驱物、含氮前驱物、含氢前驱物、含氧前驱物及含碳前驱物中的一者或多者。

在一些实施方式中，第二前驱物包括本文所述的含硅前驱物、含氮前驱物、含氢前驱物、含氧前驱物及含碳前驱物中的一者或多者。在一些实施方式中，第一前驱物及第二前驱物独立地选自由本文所述的含硅前驱物、含氮前驱物、含氢前驱物、含氧前驱物及含碳前驱物所组成的群组。在一些实施方式中，第一前驱物及第二前驱物为相同的。在一些实施方式中，第一前驱物及第二前驱物为不同的。

在一些实施方式中，第三前驱物包括本文所述的含硅前驱物、含氮前驱物、含氢前驱物、含氧前驱物及含碳前驱物中的一者或多者。在一些实施方式中，第一前驱物、第二前驱物及第三前驱物中的一者或多者独立地选自由本文所述的含硅前驱物、含氮前驱物、含氢前驱物、含氧前驱物及含碳前驱物中的任何者所组成的群组。在一些实施方式中，第一前驱物、第二前驱物及第三前驱物中的至少两者为相同的。在一些实施方式中，第一前驱物、第二前驱物及第三前驱物中的至少一者与其余前驱物不同。

在一些实施方式中，前驱物或其衍生物为挥发性且热稳定的。在一些实施方式中，前驱物或其衍生物适合于气相沉积。

在一些实施方式中，前驱物包括载气。在一些实施方式中，载气包括惰性气体。在一些实施方式中，载气包括氦、氩、氮或多个其组合。

在一些实施方式中，前驱物包括反应物。在一些实施方式中，反应物包括还原剂、氧化剂或多个其组合。在一些实施方式中，氧化剂包括氧气(O

在一些实施方式中，前驱物为固体或液体。在一些实施方式中，前驱物被保持在安瓿中。在一些实施方式中，载体的流通过安瓿并将前驱物带至工艺区域。

在工艺操作214处，工艺操作210包括视情况净化基板表面110s。净化可为自与基板表面相邻的工艺区域移除未反应前驱物、反应产物及副产物的任何适当净化工艺。适当净化工艺包括经由气幕将基板110移动至处理区域的不含或实质上不含反应物的部分或扇区。在一个或多个实施方式中，净化处理区域包括施加真空。在一些实施方式中，净化处理区域包括使净化气体在基板110(或基板表面110s)之上流动。在一些实施方式中，净化工艺包括使被用作前驱物的载气的同一惰性气体流动。在一个或多个实施方式中，净化气体选自氮(N

在一些实施方式中，在存在等离子体的情况下执行工艺操作210。在一些实施方式中，等离子体包括高密度等离子体。在一些实施方式中，等离子体包括电容耦合等离子体(capacitively coupled plasma；CCP)。在一些实施方式中，CCP是在13.56MHz的射频下形成。在一些实施方式中，等离子体包括定向等离子体。在一些实施方式中，在不向基板110施加偏置电压的情况下产生定向等离子体。在一些实施方式中，使用基板110产生定向等离子体，且基板110为自偏置基板。

在工艺操作220处，考虑膜涂层120的厚度或工艺循环210的数目。若膜涂层120已达到预定厚度或已执行了预定数目个工艺循环，则方法200移至工艺操作230。若膜涂层120的厚度或空循环的数目尚未达到预定厚度阈值，则方法200返回至工艺操作212，并继续，直至实现预定厚度为止。

在一个或多个实施方式中，预定厚度在自1nm至1000nm、自1nm至800nm、自1nm至600nm、自1nm至400nm、自1nm至200nm、自1nm至100nm、自1nm至50nm、自50nm至1000nm、自50nm至800nm、自50nm至600nm、自50nm至400nm、自50nm至200nm、自50nm至100nm、自100nm至1000nm、自100nm至800nm、自100nm至600nm、自100nm至400nm、自100nm至200nm、自200nm至1000nm、自200nm至800nm、自200nm至600nm、自200nm至400nm、自400nm至1000nm、自400nm至800nm、自400nm至600nm、自600nm至1000nm、自600nm至800nm或自800nm至1000nm的范围中。

在一个或多个实施方式中，空循环的数目在自1至1000、自10至1000、自100至1000、自200至1000、自400至1000、自600至1000、自800至1000、自1至800、自10至800、自100至800、自200至800、自400至800、自600至800、自1至600、自10至600、自100至600、自200至600、自400至600、自1至400、自10至400、自100至400、自200至400、自1至200、自10至200、自100至200、自1至100、自10至100或自1至10的范围中。

在一个或多个实施方式中，膜涂层120具有在自0.9g/cm

在一个或多个实施方式中，膜涂层120具有在自1.35至2.2、自1.35至2.0、自1.35至1.80、自1.35至1.65、自1.35至1.5、自1.5至2.2、自1.5至2.0、自1.5至1.8、自1.5至1.65、自1.65至2.2、自1.65至2.0、自1.65至1.8、自1.8至2.2、自1.8至2.0或自2.0至2.2的范围中的折射率。在一些实施方式中，膜涂层120具有在自1.35至1.5的范围中的折射率。在一些实施方式中，膜涂层120具有在自1.8至2.2的范围中的折射率。

在一个或多个实施方式中，膜涂层120具有小于0.04g/m

在一些实施方式中，膜涂层120具有在自0.00001至0.04g/m

在一些实施方式中，膜涂层120具有在自0.00001至0.04g/m

在一些实施方式中，膜涂层120具有在自0至0.04g/m

在一个或多个实施方式中，膜涂层120具有小于30cc/m

在一些实施方式中，膜涂层120具有在自0.01至30cc/m

在一些实施方式中，膜涂层120具有在自0.01至30cc/m

在一些实施方式中，膜涂层120具有在自0.01至30cc/m

可借由本领域技术人员所已知的已知技术中的任一者来测量膜的润滑性/表面粗糙度。在一些实施方式中，借由动态摩擦系数测试来测量润滑性/表面粗糙度。在一些实施方式中，第二层具有小于0.4、小于0.3、小于0.2或小于0.1的摩擦系数。在一些实施方式中，第二层具有在大于0至小于0.4、自大于0至小于0.3、自大于0至小于0.2、自大于0至小于0.1、自大于0.1至小于0.4、自大于0.1至小于0.3、自大于0.1至小于0.2、自大于0.2至小于0.4、自大于0.2至小于0.3或自大于0.3至小于0.4的范围中的摩擦系数。

在一些实施方式中，第三层具有小于0.4、小于0.3、小于0.2或小于0.1的摩擦系数。在一些实施方式中，第三层具有在大于0至小于0.4、自大于0至小于0.3、自大于0至小于0.2、自大于0至小于0.1、自大于0.1至小于0.4、自大于0.1至小于0.3、自大于0.1至小于0.2、自大于0.2至小于0.4、自大于0.2至小于0.3或自大于0.3至小于0.4的范围中的摩擦系数。

可借由本领域技术人员所已知的已知技术中的任一者来测量膜涂层的可萃取性/可浸出性。在一些实施方式中，借由决定跨膜涂层120的污染物释放来测量膜涂层120的可萃取性/可浸出性。在一些实施方式中，借由使用气相/液相层析(GCMS/LCMS)来决定污染物释放。在一些实施方式中，与不包括膜涂层的包装材料相比较而言，膜涂层120使污染物释放减少了20％以上、40％以上、60％以上或80％以上。在一些实施方式中，与不包括膜涂层的包装材料相比较而言，膜涂层120使污染物释放减少的范围为自20％至小于100％、自20％至小于80％、自20％至小于60％、自20％至小于40％、自40％至小于100％、自40％至小于80％、自40％至小于60％、自60％至小于100％、自60％至小于80％或自80％至小于100％。在一些实施方式中，例如，当基板包括丁基橡胶时，与不包括膜涂层的包装材料相比较而言，膜涂层120使污染物释放减少了20％以上、40％以上、60％以上或80％以上。类似地，在其他实施方式中，当基板包括丁基橡胶时，与不包括膜涂层的包装材料相比较而言，膜涂层120使污染物释放减少的范围为自20％至小于100％、自20％至小于80％、自20％至小于60％、自20％至小于40％、自40％至小于100％、自40％至小于80％、自40％至小于60％、自60％至小于100％、自60％至小于80％或自80％至小于100％。

在一个或多个实施方式中，前驱物包括多种前驱物。在一些实施方式中，该多种前驱物包括至少两种前驱物。在一些实施方式中，该至少两种前驱物进一步包括第三前驱物。在一些实施方式中，所有多种前驱物皆相同。在其他实施方式中，所有多种前驱物彼此不同。在另外实施方式中，多种前驱物中的至少一者与其余(若干)前驱物不同。

在一个或多个实施方式中，将操作210重复至少一次以上以沉积多个层。在一个或多个实施方式中，将基板110(或基板表面)依序暴露于多种前驱物以沉积多个层。

在一些实施方式中，膜涂层120具有在自大于0至小于0.4的范围中的摩擦系数。在一些实施方式中，第二层140具有在自大于0至小于0.4的范围中的摩擦系数。在一些实施方式中，第三层150具有在自大于0至小于0.4的范围中的摩擦系数。

在操作230处，考虑层数。若膜涂层120具有预定层数，则方法200移动至可选后处理操作250。若膜涂层120不具有该预定层数，则方法200返回至操作210，且继续进行至操作220。在一些实施方式中，该预定数目大于一、大于二或大于三。在一些实施方式中，该预定数目至少为二或至少为三。在一些实施方式中，该预定数目为正整数。在一些实施方式中，该预定层数为二。在一些实施方式中，该预定数目为三。

在一些实施方式中，膜涂层120使污染物释放减少了20％以上或等于20％。在一些实施方式中，膜涂层120使污染物释放减少的范围为自20％至小于100％。

可选后处理操作250可为(例如)用以修改膜性质的工艺(例如，退火)或用以生长额外膜的另一膜沉积工艺(例如，额外ALD或CVD工艺)。在一些实施方式中，可选后处理操作230可为修改已沉积膜的性质的工艺。在一些实施方式中，可选后处理操作230包括退火刚沉积的膜涂层。在一些实施方式中，退火是在自约250℃至约300℃、至约400℃、至约500℃、至约600℃、至约700℃、至约800℃、至约900℃或至约1000℃的范围中的温度下进行。一些实施方式的退火环境包括惰性气体(例如，分子氮(N

在一个或多个实施方式中，本公开内容提供在基板上的两层膜涂层，该基板包括小瓶/注射器，其中膜涂层提供药物惰性、润滑性及优异的阻挡效能中的一者或多者。在一些实施方式中，该两层膜涂层包括六甲基二硅氧烷层及硅烷层。在一些实施方式中，硅烷层将六甲基二硅氧烷层夹在基板与硅烷层之间。在一些实施方式中，该两层膜涂层包括六甲基二硅氧烷层及硅烷层。在一些实施方式中，六甲基二硅氧烷层及硅烷层是根据本公开内容中所述实施方式中的任一者沉积在小瓶/注射器上。在一些实施方式中，涂布有该两层的小瓶/注射器具有与硅油的润滑性等同或比其更佳的润滑性。

在一个或多个实施方式中，本公开内容提供在基板上的两层膜涂层，且基板包括弹性塞及注射器柱塞，其中膜涂层提供得以提高的阻挡性、减少的可萃取物与可浸出物中的一者或多者并具有更润滑的表面(例如，用于柱塞)。在一些实施方式中，该两层膜涂层包括六甲基二硅氧烷层及硅烷层。在一些实施方式中，六甲基二硅氧烷层夹在硅烷层与基板之间。在一些实施方式中，六甲基二硅氧烷层及硅烷层是根据本公开内容中所述实施方式中的任一者沉积在弹性塞及/或注射器柱塞上。在一些实施方式中，根据氦(He)泄漏测试规范，涂布有两层的弹性塞符合密闭容器密封完整性。在一些实施方式中，涂布有两层的注射器柱塞具有与硅油的润滑性等同或比其更佳的润滑性。

在一个或多个实施方式中，本公开内容提供在基板上的三层膜涂层，该基板包括小瓶/注射器，其中膜涂层提供药物惰性、润滑性及优异的阻挡效能中的一者或多者。在一些实施方式中，该三层膜涂层包括粘附层、六甲基二硅氧烷层及硅烷层。在一些实施方式中，粘附层、六甲基二硅氧烷层及硅烷层堆叠在基板上。在一些实施方式中，硅烷层及基板夹住粘附层及六甲基二硅氧烷层。在一些实施方式中，基板及六甲基二硅氧烷层夹住粘附层。在一些实施方式中，硅烷层及六甲基二硅氧烷层夹住粘附层。在一些实施方式中，粘附层、六甲基二硅氧烷层及硅烷层是根据本公开内容中所述实施方式中的任一者沉积在小瓶/注射器上。在一些实施方式中，涂布有该三层的小瓶/注射器具有与硅油的润滑性等同或比其更佳的润滑性。

在一个或多个实施方式中，本公开内容提供在基板上涂覆三层膜涂层，且基板包括弹性塞及注射器柱塞，其中膜涂层提供提高的阻挡性、减少的可萃取物与可浸出物中的一者或多者并具有更润滑的表面(例如，用于柱塞)。在一些实施方式中，该三层膜涂层包括粘附层、六甲基二硅氧烷层及硅烷层。在一些实施方式中，硅烷层及基板夹住粘附层及六甲基二硅氧烷层。在一些实施方式中，基板及六甲基二硅氧烷层夹住粘附层。在一些实施方式中，硅烷层及六甲基二硅氧烷层夹住粘附层。在一些实施方式中，粘附层、六甲基二硅氧烷层及硅烷层是根据本公开内容中所述实施方式中的任一者沉积在弹性塞及/或注射器柱塞上。在一些实施方式中，根据氦(He)泄漏测试规范，涂布有三层的弹性塞符合密闭容器密封完整性。在一些实施方式中，涂布有三层的注射器柱塞具有与硅油的润滑性等同或比其更佳的润滑性。

在一个或多个实施方式中，六甲基二硅氧烷前驱物及硅烷前驱物中的一者或多者为挥发性的且热稳定，且因此适合于气相沉积。在一些实施方式中，借由气相沉积技术来沉积六甲基二硅氧烷前驱物及硅烷前驱物中的一者或多者。在一些实施方式中，气相沉积技术包括化学气相沉积(CVD)。

在一个或多个实施方式中，方法200包括化学气相沉积(CVD)方法、等离子体增强化学气相沉积(plasma-enhanced chemical vapor deposition；PE-CVD)方法、高密度等离子体化学气相沉积(high density plasma chemical vapor deposition；HDPCVD)方法、微波化学气相沉积(微波CVD)方法、原子层沉积(atomic layer deposition；ALD)方法、等离子体增强原子层沉积(plasma-enhanced atomic layer deposition；PE-ALD)方法或其组合。

该方法可进一步经调适以沉积一个或多个额外功能性涂层。在一些实施方式中，该额外功能性涂层包括粘附层。在一些实施方式中，粘附层有利地提高了膜涂层对基板110的粘附性。在一些实施方式中，粘附层被构造为充当氧阻挡层及/或水阻挡层。在一些实施方式中，该额外功能性涂层被构造为符合对医药包装的未来要求。这些未来要求包括但不限于增加细胞/基因治疗药物的采用。

在一些实施方式中，包装材料100在无菌化工艺期间为稳定的。无菌化工艺包括但不限于高压灭菌、等离子体处理、电子束辐照、伽马辐照、二氧化乙烯处理或多个其组合。在一些实施方式中，高压灭菌包括湿式无菌化循环及干式无菌化循环。湿式无菌化工艺包括在121℃的温度下无菌化历时30分钟的时间周期。干式无菌化工艺包括在150℃的温度下无菌化历时150分钟的时间周期、在160℃的温度下历时120分钟的时间周期或在170℃的温度下历时60分钟的时间周期。

在一个或多个实施方式中，在真空下执行方法200，例如，在基板处理腔室中。可在任何基于真空平台的系统中执行方法200。在一个或多个实施方式中，基板在真空腔室内部呈个别单元的阵列或呈组或面板的形式放置。在一个或多个实施方式中，在基板处理腔室中执行方法，诸如，化学气相沉积(CVD)基板处理腔室、等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)基板处理腔室、高密度等离子体化学气相沉积(HDPCVD)基板处理腔室、微波化学气相沉积(微波CVD)基板处理腔室、原子层沉积(ALD)基板处理腔室及等离子体增强原子层沉积(PE-ALD)基板处理腔室。

在一个或多个实施方式中，方法200有利地为医药包装操作提供更清洁及/或更无菌的环境。在一些实施方式中，方法200有利地消除了对无菌化处理的需要，在下游工艺流程中需要该无菌化处理。在一些实施方式中，在存在高密度等离子体的情况下执行方法200。根据一个或多个实施方式，高密度等离子体可用以无菌化部分涂层。使用高密度等离子体的无菌化工艺符合并用以缩短药包包装制造流程。

除非本文中另有指示或明显上下文相矛盾，否则在描述本文所论述的材料及方法的上下文中(尤其是在以下权利要求书的上下文中)，术语“一(a)”及“一个(an)”以及“该/所述(the)”及类似代表词的使用应解释为涵盖单数形式以及多数形式。除非本文中另外指定，否则本文中值范围的列举仅旨在用作单独代表在该范围内的每个单独值的简写方法，且每个单独值皆被并入本说明书中，就如同其在本文中被单独叙述一样。本文所述的各种参数的实例范围表示基于当前实验及/或建模的例示性范围。与此些例示性范围不同的范围可涵盖在本公开内容的范畴内。除非本文中另外指出或明显与上下文矛盾，否则本文所述的所有方法可以任何适当次序执行。除非另有要求，否则本文所提供的任何及所有实例或例示性语言(例如，“诸如”)的使用仅旨在更佳地阐明材料及方法，且不对范畴构成限制。说明书中的语言皆不应被解释为指示任何未要求的元素对于所公开材料及方法的实践是必不可少的。

贯穿本说明书对“一个实施方式”、“某些实施方式”、“一个或多个实施方式”或“一实施方式”的引用意谓结合实施方式描述的特定特征、结构、材料或特性被包括在本公开内容的至少一个实施方式中。因此，贯穿本说明书各处出现的诸如“在一个或多个实施方式中”、“在某些实施方式中”、“在一个实施方式中”或“在一实施方式中”的词组未必代表本公开内容的同一实施方式。另外，可在一个或多个实施方式中以任何适当方式组合特定特征、结构、材料或特性。

尽管已参考特定实施方式描述了本文中的公开内容，但应理解，这些实施方式仅说明本公开内容的原理及应用。对本领域技术人员将显而易见是，可在不脱离本公开内容的精神及范畴的情况下对本公开内容的方法及设备作出各种修改及变化。因此，预期本公开内容包括在附加权利要求书及其等效物的范畴内的修改及变化。