用于细间距异构应用的第一级互连凸块下金属化部

技术领域

本公开内容的实施例涉及电子封装，并且更具体而言，涉及具有显著减少金属间化合物(IMC)生长的细间距第一级互连(FLI)凸块下金属化部(under bump metallization(UBM))的电子封装。

背景技术

互连堆叠体通常包括铜焊盘，其中在铜焊盘之上具有阻挡层。阻挡层有时可被称为凸块下金属化部(UBM)，因为阻挡层在焊料凸块下方。通常，阻挡层是防止铜与焊料(其通常包括锡)相互扩散的材料。在没有阻挡层的情况下，铜和焊料之间的快速反应动力学导致铜和焊料的相互扩散。铜和焊料的反应导致金属间化合物(IMC)的形成。IMC通常比焊料更脆并且具有不太理想的电特性。当IMC的百分比变得太大时，出现电气和机械完整性的问题。

目前，阻挡层可以包括镍。然而，由于凸块间距缩放和金属堆叠体的厚度减小，镍可能不再是合适的材料。特别地，在细间距第一级互连(FLI)架构(例如，具有25μm及以下的凸块间距)中，阻挡层的厚度可能减小到镍阻挡层被完全消耗的程度，并且焊料被完全转换为IMC。另外，快速IMC形成对封装的电迁移性能是有害的。因此，较慢的IMC形成动力学有益于任何凸块间距。

附图说明

图1A是根据实施例的具有镍阻挡层的互连的截面图。

图1B是根据实施例的互连的微结构的截面图，其中镍和焊料已经形成厚金属间化合物(IMC)层。

图2A是根据实施例的具有包括铁的阻挡层的互连的截面图。

图2B是根据实施例的其中阻挡层和焊料形成薄IMC层的互连的微结构的截面图。

图3A是根据实施例的在导致焊料处于液相的回流温度下IMC厚度对回流时间的曲线图。

图3B是根据实施例的在导致焊料处于固相的温度下IMC厚度对烘烤时间的曲线图。

图3C是根据实施例的在各种烘烤/回流温度下阻挡层消耗对时间的曲线图。

图4A是根据实施例的在封装衬底或管芯上的多个焊盘的截面图。

图4B是根据实施例的在焊盘之上设置阻焊剂层之后的结构的截面图。

图4C是根据实施例的在形成阻焊剂开口以暴露焊盘之后的结构的截面图。

图4D是根据实施例的在焊盘之上设置阻挡层之后的结构的截面图。

图4E是根据实施例的在阻挡层之上设置焊料之后的结构的截面图。

图5A是根据实施例的具有包括包含铁的阻挡层的第一级互连(FLI)的电子封装的截面图。

图5B是根据实施例的具有将第一管芯电耦合到第二管芯的桥接器的电子封装的截面图，其中FLI包括包含铁的阻挡层。

图6是根据实施例的具有包括包含铁的阻挡层的FLI的电子系统的截面图。

图7是根据实施例构建的计算设备的示意图。

具体实施方式

本文描述了根据各种实施例的具有显著减少金属间化合物(IMC)生长的细间距第一级互连(FLI)凸块下金属化部(UBM)的电子封装。在以下描述中，将使用本领域技术人员通常采用的术语来描述说明性实施方式的各个方面，以将其工作的实质传达给本领域其他技术人员。然而，对于本领域技术人员显而易见的是，可以仅利用所描述的方面中的一些来实践本发明。出于解释的目的，阐述了具体的数量、材料和配置，以便提供对说明性实施方式的透彻理解。然而，对于本领域技术人员显而易见的是，可以在没有具体细节的情况下实践本发明。在其他情况下，省略或简化了公知的特征，以免使说明性实施方式难以理解。

将各种操作以最有助于理解本发明的方式依次描述为多个分立的操作，然而，描述的顺序不应被解释为暗示这些操作必须是顺序相关的。特别地，这些操作不需要以呈现的顺序来执行。

如上所述，第一级互连(FLI)可以包括包含镍的凸块下金属化部(UBM)或阻挡层。镍阻挡层位于焊盘(例如，包括铜的焊盘)和焊料(例如，包括锡的焊料)之间。图1A中示出了这种结构的示例。

现在参考图1A，示出了互连100的截面图。互连100可以包括焊盘110。焊盘110是导电材料，例如但不限于包括铜的材料。阻焊剂112或其他电介质或抗蚀剂层可以设置在焊盘110之上。穿过阻焊剂112的开口暴露焊盘110的一部分。在一些情况下，阻挡层120被镀覆在焊盘110的暴露部分之上。通常，阻挡层120可以包括镍。焊料130(例如，含有锡的焊料)设置在阻挡层120之上。

随着焊盘110相对于其他焊盘(未示出)的间距减小，阻挡层120的厚度也减小。在焊盘110具有细间距(例如，大约25μm或更小)的情况下，阻挡层120可以具有大约2μm或更小的厚度。在这样小的厚度下，阻挡层120可以在回流和/或烘烤工艺期间被完全消耗。如本文所使用的，“大约”可以指在所述值的10％内的值。例如，“大约2μm”可以指1.8μm和2.2μm之间的范围。

现在参考图1B，示出了互连的微结构的截面图。所示的互连可能已经经历了一次或多次回流。如此，可能由于扩散而发生焊料130与阻挡层120之间的反应。如图所示，金属间化合物(IMC)125已经形成在焊料130与阻挡层120之间的界面处。在镍阻挡层120和锡基焊料130的情况下，IMC 125可以包括Ni和Sn。例如，IMC 125可以包括Ni

因此，本文公开的实施例包括阻挡层，该阻挡层包括减少焊料和阻挡层之间的界面处的IMC形成的材料。IMC生长的减少使阻挡层的消耗减到最小，并且保护焊盘。另外，较慢的反应速率减少了转化为IMC材料的焊料量。因此，改善了互连件的电气和机械特性。

在具体实施例中，阻挡层包括铁。铁可以与另一种元素形成合金。例如，阻挡层可以包括铁和钴(FeCo)、或者铁和镍(FeNi)。如下面将更详细描述的，与镍和焊料的反应动力学相比，诸如FeCo或Fini的材料和焊料的反应动力学大大降低。因此，IMC的生长是最小的，阻挡层和焊料的消耗也是如此。

现在参考图2A，示出了根据实施例的互连200的截面图。互连200可以包括焊盘210。焊盘210是导电材料，诸如但不限于包括铜的材料。阻焊剂212或其他电介质或抗蚀剂层可以设置在焊盘210之上。穿过阻焊剂212的开口暴露焊盘210的一部分。在一些情况下，阻挡层250被镀覆在焊盘210的暴露部分之上。在实施例中，阻挡层250可以包括铁。例如，阻挡层250可以包括铁和钴(例如，FeCo)，或者阻挡层250可以包括铁和镍(例如，FeNi)。焊料230(例如，含有锡的焊料)设置在阻挡层250之上。

随着焊盘210相对于其他焊盘(未示出)的间距减小，阻挡层250的厚度也减小。在焊盘210具有细间距(例如，大约25μm或更小)的情况下，阻挡层250可以具有大约2μm或更小的厚度。尽管如此小的厚度，阻挡层250仍可以经过回流和/或烘烤工艺而持续存在。即，阻挡层250可以存在于市场上可获得的产品的互连的截面中。

现在参考图2B，示出了根据实施例的互连的微结构的截面图。应当理解，图2B中的微结构和图1B中的微结构都经受相同的回流方案，并且微结构以相同的比例示出。因此，可以进行两个图之间的直接比较。

如图所示，可能由于扩散而发生焊料230和阻挡层250之间的反应。如图所示，IMC225已经形成在焊料230与阻挡层250之间的界面处。在铁和钴阻挡层250和锡基焊料320的情况下，IMC 225可以包括Fe和Sn。例如，IMC 225可以包括FeSn

另外，由于较慢的反应速率，阻挡层250的消耗也降低。例如，在图2B中，阻挡层250最初可以是大约2μm厚，并且在多次回流之后仍然保持基本相同的厚度。如此，阻挡层250保留在焊盘210之上并防止铜焊盘210与焊料230之间的扩散和反应。

应当理解，包括焊盘210(例如，铜焊盘)、阻挡层250(例如，含铁阻挡层)和焊料230(例如，锡基焊料)的原始堆叠体可以导致形成包括IMC 225的堆叠体。即，在一些实施例中，在市场上可获得的生产设备中，该结构可以包括IMC 225。IMC 225可以包括阻挡层和焊料的成分。例如，IMC 225可以具有FeSn

现在参考图3A，示出了根据实施例的FeCo阻挡层和Ni阻挡层的IMC厚度对时间的曲线图。虽然在图3A和以下曲线图中具体示出了FeCo，但是应当理解，包括铁的其他合金(例如，FeNi)也可以具有类似的趋势。在图3A中，纵轴是归一化的IMC厚度，并且横轴是归一化的回流时间的立方根。图3A中的回流温度可足以提供处于液相的焊料。如图所示，Ni阻挡层的IMC生长速率的趋势线381比FeCo阻挡层的IMC生长速率的趋势线382明显更陡。在实施例中，趋势线381的斜率比FeCo阻挡层的趋势线382的斜率大约大十倍。因此，在以液体焊料扩散的情况下，IMC在FeCo阻挡层上的生长速率比IMC在Ni阻挡层上的生长速率慢十倍。

现在参考图3B，示出了根据附加实施例的FeCo阻挡层和Ni阻挡层的IMC厚度对时间的曲线图。在图3B中，纵轴是归一化的IMC厚度，并且横轴是归一化的烘烤时间的平方根。图3B中的烘烤温度可以低到足以使焊料不会回流。即，在图3B所示的实施例中，焊料保持固态。如图所示，Ni阻挡层的IMC生长速率的趋势线381比FeCo阻挡层的IMC生长速率的趋势线382更陡。在实施例中，趋势线381的斜率比FeCo阻挡层的趋势线382的斜率大约大三倍。因此，在固态扩散的情况下，IMC在FeCo阻挡层上的生长速率比IMC在Ni阻挡层上的生长速率慢三倍。

现在参考图3C，示出了说明在各种温度烘烤期间消耗的阻挡层(UBM)的量的附加曲线图。例如，示出了在120℃、150℃和180℃下的烘烤。纵轴是归一化的阻挡层消耗量，并且横轴是归一化的烘烤时间。在所有温度下，与Ni阻挡层相比，FeCo阻挡层的阻挡层消耗量较低。随着烘烤温度升高，Ni阻挡层和FeCo阻挡层的阻挡层消耗之间的差距也增大。即，对于较高的温度，FeCo阻挡层提供更显著的益处。另外，对于给定的温度，FeCo阻挡层在更长的烘烤持续时间下提供更大的益处(即，更低的阻挡层消耗)。

现在参考图4A-4D，示出了根据实施例的描绘用于组装具有含铁阻挡层(例如FeCo或FeNi)的互连的工艺的一系列视图。图4A-4D中所示的工艺本质上是示例性的。应当理解，可以使用许多不同的工艺流程来提供具有焊盘、焊盘之上的阻挡层和阻挡层之上的焊料的结构。

现在参考图4A，示出了根据实施例的电子封装400的截面图。在实施例中，电子封装400包括封装衬底401。封装衬底401可以是有机封装衬底。即，封装衬底401可以包括其中嵌入有导电布线(未示出)的多个层压电介质层。封装衬底401还可以包括芯、玻璃层、或电子封装架构的典型的任何其他材料。

在实施例中，在封装衬底401的表面之上提供多个焊盘410。焊盘410可以是导电材料。例如，焊盘410可以包括铜等。在实施例中，焊盘410是FLI焊盘。即，焊盘410可被用于将封装衬底401连接到管芯(未示出)。在实施例中，焊盘410具有细间距P。例如，间距P可以是大约25μm或更小。

现在参考图4B，示出了根据实施例的在焊盘410之上设置阻焊剂417之后的电子封装400的截面图。在实施例中，阻焊剂417可以是电介质层。阻焊剂417可被层压在封装衬底401和焊盘410的表面之上。在一些实施例中，阻焊剂417覆盖焊盘410中的每一个的侧壁和顶表面。

现在参考图4C，示出了根据实施例的在阻焊剂417中形成阻焊剂开口418之后的电子封装400的截面图。在实施例中，可以利用激光或其他图案化工艺来图案化阻焊剂417。例如，在一些实施例中，开口418的侧壁可以是锥形的。在实施例中，阻焊剂开口418可以暴露焊盘410的顶表面的一部分。即，在一些实施例中，可以不暴露焊盘410的整个顶表面。然而，在其他实施例中，可以暴露焊盘410的整个顶表面。

现在参考图4D，示出了根据实施例的在沉积阻挡层450之后的电子封装400的截面图。在实施例中，阻挡层450可以具有大约1μm厚或更大的厚度。在实施例中，阻挡层450可以包括铁。在特定实施例中，阻挡层450包括铁和钴(例如FeCo)、或者铁和镍(例如FeNi)。如上所述，可以选择含铁阻挡层450，以便使阻挡层450和焊料(在后续处理操作中添加)之间的界面处的IMC的生长减到最小。

在实施例中，阻挡层450可以用镀覆工艺等沉积。即，阻挡层450可以从焊盘410的表面向上沉积。在焊盘410的整个顶表面未被阻焊剂开口418暴露的实施例中，阻挡层450可以仅覆盖焊盘410的暴露部分而不覆盖焊盘410的整个顶表面。另外，阻挡层450可以与阻焊剂开口418的侧壁共形。因此，在一些实施例中，阻挡层450的侧壁可以是锥形的。

现在参考图4E，示出了根据实施例的在将焊料430施加到阻挡层450之上之后的电子封装400的截面图。在实施例中，焊料430可以包括锡。焊料430可以最小程度地与阻挡层450反应以便形成IMC。虽然未在图4E中示出，但是应当理解，在一次或多次回流或烘烤操作之后，IMC可能在阻挡层450与焊料430之间的界面处逐渐形成。IMC可以基本上类似于上面关于图2B更详细描述的IMC 225。即，可以在阻挡层450和焊料430之间提供具有大约1μm或更小或者大约0.5μm或更小的厚度的IMC。应当理解，IMC的厚度很大程度上取决于封装经历的热循环。然而，应当理解，对于给定的一组热循环，铁和钴阻挡层或铁和镍阻挡层的IMC厚度将小于镍阻挡层的IMC厚度。在实施例中，IMC可以包括铁和锡，但是取决于阻挡层450和焊料430的组成，IMC中也可以存在其他成分。

虽然被称为封装衬底401，但是应当理解，对于管芯侧上的焊盘也可以产生类似的益处。即，阻挡层也可以设置在管芯侧焊盘之上。例如，管芯上的焊盘可以具有阻挡层450，以便减轻从管芯侧形成IMC。

现在参考图5A，示出了根据实施例的电子封装560的截面图。在实施例中，电子封装560包括封装衬底501。封装衬底501可以是有机封装衬底。即，封装衬底501可以包括其中嵌入有导电布线(未示出)的多个层压电介质层。封装衬底501还可以包括芯、玻璃层、或电子封装架构的典型的任何其他材料。

在实施例中，在封装衬底501的表面之上提供多个焊盘510。焊盘510可以是导电材料。例如，焊盘510可以包括铜等。在实施例中，焊盘510是FLI焊盘。即，焊盘510可被用于将封装衬底501连接到管芯561。在实施例中，焊盘510具有细间距P。例如，间距P可以是大约25μm或更小。

在实施例中，在焊盘510的顶表面之上提供阻挡层550。在实施例中，阻挡层550可以具有大约1μm厚或更大的厚度。在实施例中，阻挡层550可以包括铁。在特定实施例中，阻挡层550包括铁和钴(例如FeCo)、或者铁和镍(例如FeNi)。如上所述，可以选择含铁阻挡层550，以便使阻挡层550和焊料530之间的界面处的IMC的生长减到最小。在实施例中，焊料530将阻挡层550和焊盘510耦合到管芯焊盘562。

虽然未在图5A中示出，但是应当理解，在一次或多次回流或烘烤操作之后，IMC可能在阻挡层550和焊料530之间的界面处逐渐形成。IMC可以基本上类似于上面关于图2B更详细描述的IMC 225。即，可以在阻挡层550和焊料530之间提供具有大约1μm或更小或者大约0.5μm或更小的厚度的IMC。在实施例中，IMC可以包括铁和锡，但是取决于阻挡层550和焊料530的组成，IMC中也可以存在其他成分。

现在参考图5B，示出了根据附加实施例的电子封装560的截面图。在实施例中，电子封装560可以包括封装衬底501。在实施例中，桥接管芯570可以嵌入在封装衬底501中。桥接管芯570可以将第一管芯561

在实施例中，第一管芯561

现在参考图6，示出了根据实施例的电子系统690的截面图。在实施例中，电子系统690包括板691，诸如印刷电路板(PCB)。在实施例中，板691通过第二级互连(SLI)692耦合到封装衬底601。在所示实施例中，SLI 692被示出为焊球。然而，应当理解，SLI 692可以是任何合适的互连架构，诸如插座等。

在实施例中，封装衬底601可以是有机封装衬底。即，封装衬底601可以包括其中嵌入有导电布线(未示出)的多个层压电介质层。封装衬底601还可以包括芯、玻璃层、或电子封装架构的典型的任何其他材料。

在实施例中，在封装衬底601的表面之上提供多个焊盘610。焊盘610可以是导电材料。例如，焊盘610可以包括铜等。在实施例中，焊盘610是FLI焊盘。即，焊盘610可以用于将封装衬底601连接到管芯661。在实施例中，焊盘610具有细间距P。例如，间距P可以是大约25μm或更小。

在实施例中，在焊盘610的顶表面之上提供阻挡层650。在实施例中，阻挡层650可以具有大约1μm厚或更大的厚度。在实施例中，阻挡层650可以包括铁。在特定实施例中，阻挡层650包括铁和钴(例如FeCo)、或者铁和镍(例如FeNi)。如上所述，可以选择含铁阻挡层650以便使在阻挡层650和焊料630之间的界面处的IMC的生长减到最小。在实施例中，焊料630将阻挡层650和焊盘610耦合到管芯焊盘662。

虽然未在图6中示出，但是应当理解，在一次或多次回流或烘烤操作之后，IMC可能在阻挡层650和焊料630之间的界面处逐渐形成。IMC可以基本上类似于上面关于图2B更详细描述的IMC 225。即，可以在阻挡层650和焊料630之间提供具有大约1μm或更小或者大约0.5μm或更小的厚度的IMC。在实施例中，IMC可以包括铁和锡，但是取决于阻挡层650和焊料630的组成，IMC中也可以存在其他成分。

图7示出根据本发明的一个实施方式的计算设备700。计算设备700容纳板702。板702可以包括多个部件，包括但不限于处理器704和至少一个通信芯片706。处理器704物理和电地耦合到板702。在一些实施方式中，至少一个通信芯片706也物理和电地耦合到板702。在另外的实施方式中，通信芯片706是处理器704的一部分。

这些其他部件包括但不限于易失性存储器(例如DRAM)、非易失性存储器(例如ROM)、闪存、图形处理器、数字信号处理器、密码处理器、芯片组、天线、显示器、触摸屏显示器、触摸屏控制器、电池、音频编解码器、视频编解码器、功率放大器、全球定位系统(GPS)设备、罗盘、加速度计、陀螺仪、扬声器、相机、和大容量存储设备(诸如硬盘驱动器、光盘(CD)、数字多功能盘(DVD)等)。

通信芯片706实现用于向计算设备700和从计算设备700传输数据的无线通信。术语“无线”及其派生词可用于描述可通过使用调制电磁辐射经由非固态介质来通信数据的电路、设备、系统、方法、技术、通信信道等。该术语并不意味着相关联的设备不包含任何导线，尽管在一些实施例中它们可以不包含。通信芯片706可以实现多种无线标准或协议中的任何一种，包括但不限于Wi-Fi(IEEE 802.11系列)、WiMAX(IEEE802.16系列)、IEEE802.20、长期演进(LTE)、Ev-DO、HSPA+、HSDPA+、HSUPA+、EDGE、GSM、GPRS、CDMA、TDMA、DECT、蓝牙、其派生物、以及被指定为3G、4G、5G以及更高的任何其他无线协议。计算设备700可以包括多个通信芯片706。例如，第一通信芯片706可以专用于诸如Wi-Fi和蓝牙的较短范围无线通信，并且第二通信芯片706可以专用于诸如GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE、Ev-DO等的较长范围无线通信。

计算设备700的处理器704包括封装在处理器704内的集成电路管芯。在本发明的一些实施方式中，根据本文描述的实施例，处理器的集成电路管芯可以是电子封装的一部分，该电子封装包括第一级互连，该第一级互连包括焊盘和在焊盘之上的阻挡层，该阻挡层包括铁和钴、或者铁和镍。术语“处理器”可以指处理来自寄存器和/或存储器的电子数据以将该电子数据转换成可以存储在寄存器和/或存储器中的其他电子数据的任何设备或设备的一部分。

通信芯片706也包括封装在通信芯片706内的集成电路管芯。根据本发明的另一实施方式，根据本文所述的实施例，通信芯片的集成电路管芯可以是电子封装的包括第一级互连的部分，该第一级互连包括焊盘和在焊盘之上的阻挡层，该阻挡层包括铁和钴、或者铁和镍。

以上对本发明的所示实施方式的描述(包括摘要中所描述的)不是旨在是详尽无遗的或将本发明限制为所公开的精确形式。虽然为了说明的目的，在本文中描述了本发明的具体实施方式和示例，但是如相关领域的技术人员将认识到的，在本发明的范围内各种等同修改是可能的。

根据以上详细描述，可以对本发明进行这些修改。在所附权利要求中使用的术语不应被解释为将本发明限制于在说明书和权利要求中公开的具体实施方式。相反，本发明的范围完全由所附权利要求来确定，所附权利要求将根据权利要求解释的既定原则来解释。

示例1：一种电子封装，包括：封装衬底；在所述封装衬底上的焊盘，其中，所述焊盘包括铜；在所述焊盘之上的第一层，其中，所述第一层包括铁；在所述第一层之上的焊料；以及通过所述焊料耦合到所述封装衬底的管芯。

示例2：示例1的电子封装，其中，所述第一层还包括钴，并且其中，所述第一层是阻挡层。

示例3：示例1的电子封装，其中，所述第一层还包括镍，并且其中，所述第一层是阻挡层。

示例4：示例1-3的电子封装，还包括：在所述第一层和所述焊料之间的金属间化合物。

示例5：示例4的电子封装，其中，所述金属间化合物的厚度小于约1μm。

示例6：示例5的电子封装，其中，所述金属间化合物的厚度小于约0.5μm。

示例7：示例4或示例5的电子封装，其中，所述金属间化合物包括铁和锡。

示例8：示例1-7的电子封装，还包括：在所述管芯上的焊盘之上的第二层，其中，所述第二层包括铁和钴、或者铁和镍。

示例9：示例1-8的电子封装，还包括：在所述封装衬底之上的第二焊盘，其中，所述第二焊盘与所述第一焊盘间隔开一间距，其中，所述间距为约25μm或更小。

示例10：示例1-9的电子封装，其中，所述第一层的厚度为约1μm或更厚。

示例11：一种第一级互连，包括：焊盘，其中，所述焊盘包括铜；在所述焊盘之上的第一层，其中，所述第一层包括铁，并且其中，所述第一层的厚度为约1μm或更厚；以及在所述第一层之上的焊料。

示例12：示例11的第一级互连，其中，所述焊料包括锡。

示例13：示例11或示例12的第一级互连，其中，所述第一层还包括钴。

示例14：示例11-13的第一级互连，其中，所述第一层还包括镍。

示例15：示例11-14的第一级互连，还包括：在所述第一层和所述焊料之间的层，其中，所述层包括金属间化合物。

示例16：示例15的第一级互连，其中，所述金属间化合物包括铁和锡。

示例17：示例16的第一级互连，其中，所述金属间化合物包括FeSn

示例18：示例15-17的第一级互连，其中，所述层的厚度小于约1μm。

示例19：示例11-18的第一级互连，其中，所述第一级互连将封装衬底耦合到管芯。

示例20：一种电子系统，包括：板；封装衬底，所述封装衬底利用第二级互连耦合到所述板；以及管芯，所述管芯利用第一级互连耦合到所述封装衬底，其中，所述第一级互连中的单个第一级互连包括：焊盘；在所述焊盘之上的第一层，其中，所述第一层包括铁；以及在所述第一层之上的焊料。

示例21：示例20的电子系统，其中，所述第一层还包括钴或镍。

示例22：示例20或示例21的电子系统，其中，所述第一层具有约2μm或更小的厚度。

示例23：示例20-22的电子系统，其中，所述第一级互连包括约25μm或更小的间距。

示例24：示例20-23的电子系统，还包括在所述第一层和所述焊料之间的层，其中，所述层包括金属间化合物。

示例25：示例24的电子系统，其中，所述层具有约1μm或更小的厚度。