通孔样品的制备方法及检查通孔结构的方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种通孔样品的制备方法及检查通孔结构的方法。

背景技术

在半导体技术中，通孔结构可用于实现上下导电件之间的电性互连，因此通孔结构的参数特征即会对其电性传输性能造成一定的影响。例如，通孔结构的宽度需要满足要求，以使该通孔结构能够与上下导电件之间具备较大的接触面积；又例如，为了保证电性传导性能符合预期，则通常希望导电件在覆盖通孔结构的端部的同时，还进一步横向延伸出通孔结构的端部，以确保通孔结构和导电件之间的充分接触。

目前，为了更直观的检查通孔结构，则可利用切片的方式获取切过通孔圆心的通孔样品(例如，TEM样品或者FIB样品)，从而可根据该通孔样品而得知该通孔结构其通孔的尺寸、通孔结构与上下导电件之间的连接状态等。现有技术中，在制备通孔结构的样品时，通常是对样品进行逐次切割，并基于肉眼识别的方式来判断切割后的通孔截面的宽度，直至得到通孔截面的最大宽度位置时停止切割，通孔结构的最大宽度位置即对应于切过通孔结构的圆心的截面位置。

然而，采用上述方法制备样品时，由于是根据肉眼识别的方式来判断通孔结构的圆心位置，存在较大的误差，常常会导致对圆心的定位不精准，并且需要对样品执行不定次数的切割过程，增加样品的制备难度。

发明内容

本发明的目的在于提供一种通孔样品的制备方法，以解决现有的制备方法中对通孔圆心的定位不精准的问题，并可降低样品的制备难度。

为此，本发明提供了一种通孔样品的制备方法，包括：提供一样品，所述样品内形成有通孔结构；对所述样品执行第一切割过程，以得到样品的第一纵向截面，并获得第一纵向截面内通孔结构的第一横向宽度；对所述样品执行第二切割过程，以得到样品的第二纵向截面，并获得第二纵向截面内通孔结构的第二横向宽度；根据第一横向宽度、第二横向宽度与通孔半径的关系式，得到所述第二切割过程的切割终点与通孔圆心之间的横向距离，以定位出所述通孔结构的圆心位置；以及，根据定位出的圆心位置对所述样品执行第三切割过程，以得到具有切过通孔圆心的第三纵向截面的通孔样品。

可选的，利用切割设备对所述样品进行切割，所述切割设备的切割件以步进方式执行切割过程；在执行所述第一切割过程中，切割件由所述样品的一个边缘起始向内移动并进行切割；在执行所述第二切割过程中，切割件由第一切割过程的切割终点至第二切割过程的切割终点推进并切割。

可选的，所述第二切割过程中由第一切割过程的切割终点至第二切割过程的切割终点的推进距离小于通孔半径的1/2。

可选的，所述第一切割过程的切割终点至所述第二切割过程的切割终点之间具有第一横向距离，所述第二切割过程的切割终点至通孔圆心之间具有第二横向距离，根据所述第二横向距离相对于所述第一横向距离的倍数，控制切割设备执行所述第三切割过程的切割参数。

可选的，所述第一横向距离等于切割设备的一个步进距离，根据所述第二横向距离相对于所述第一横向距离的倍数，控制切割设备的切割件以相应倍数的步进距离由所述第二切割过程的切割终点至通孔圆心移动并切割。

可选的，在所述通孔结构的同一高度位置上，量取所述第一横向宽度和所述第二横向宽度。

可选的，根据第一横向宽度、第二横向宽度与通孔半径的关系式，还用于计算出通孔结构的通孔半径；以及，在执行所述第三切割过程以得到第三纵向截面后，还量测出所述通孔结构的通孔半径，以利用计算出的通孔半径和量测出的通孔半径相互验证。

可选的，所述样品内还形成有导电层，所述通孔结构的顶部和/或底部形成有所述导电层。

本发明还提供了一种检查通孔结构的方法，包括：根据如上任一项所述的方法获取通孔样品，所述通孔样品具有切过通孔圆心的第三纵向截面；以及，根据所述第三纵向截面对通孔结构进行检查。

可选的，对所述通孔结构进行检查包括：根据所述第三纵向截面量测所述通孔结构的半径。

可选的，所述通孔样品中还形成有导电层，所述通孔结构的顶部和/或底部形成有所述导电层；以及，对所述通孔结构进行检查包括：根据所述第三纵向截面，判断所述通孔结构与所述导电层的连接状态。

本发明还提供了一种通孔半径的获取方法，包括：提供一样品，所述样品内形成有通孔结构；对所述样品执行第一切割过程，以得到样品的第一纵向截面，并获得所述第一纵向截面内通孔结构的第一横向宽度；对所述样品执行第二切割过程，以得到样品的第二纵向截面，并获得所述第二纵向截面内通孔结构的第二横向宽度；以及，根据第一横向宽度、第二横向宽度与通孔半径的关系式，计算出所述通孔结构的通孔半径。

可选的，根据第一横向宽度、第二横向宽度与通孔半径的关系式，还用于得到所述第二切割过程的切割终点与通孔圆心之间的横向距离，以定位出所述通孔结构的圆心位置；根据定位出的圆心位置对所述样品执行第三切割过程，以得到具有切过通孔圆心的第三纵向截面；以及，根据所述第三纵向截面量测出所述通孔结构的通孔半径，以利用量测出的通孔半径对计算出的通孔半径进行验证。

可选的，在所述通孔结构的同一高度位置上，量取所述第一横向宽度、所述第二横向宽度和所述通孔结构的通孔半径。

本发明提供的通孔样品的制备方法中，通过对样品执行第一切割过程和第二切割过程，以获得该两次切割时所对应的纵向截面，从而可得到通孔结构在各个纵向截面内的横向宽度尺寸，之后即可根据所获得横向宽度尺寸与通孔半径的关系式而定位出通孔结构的圆心位置，使得第三切割过程可基于定位出的圆心位置进行切割，精确的切割至通孔结构的圆心位置，进而制备出满足要求的通孔样品。本发明提供的制备方法，可以在较少切割次数下即能够得到切过圆心位置的通孔样品，例如在实际应用中可仅通过三次切割过程即能够得到切过圆心位置的通孔样品，降低了样品的制备难度，改善了通孔圆心定位不准确的问题，同时本发明提供的方法不限于特定类似的通孔结构，其适用范围更广。

附图说明

图1为本发明一实施例中的通孔样品的制备方法的流程示意图。

图2为本发明一实施例中的样品其第一切割过程和第二切割过程的切割位置的示意图。

图3-图5为本发明一实施例中的样品在经过第一切割过程、第二切割过程和第三切割过程后所得到的各个纵向截面的示意图。

图6为本发明一实施例中的通孔半径的获取方法的流程示意图。

具体实施方式

承如背景技术所述，目前在制备通孔结构的样品时，是利用肉眼识别的方式来判断通孔结构的最大宽度位置，进而确定出通孔结构的圆心位置，因此该方法对圆心的定位并不精准，同时还需要对样品执行不定次数的切割过程，增加样品的制备难度。

现有技术中，还可根据通孔结构的特征而辅助判断通孔结构的圆心位置。具体来说，针对填充有钨材料的通孔结构而言，由于钨材料无法填满整个通孔，导致通孔的中心位置产生有空洞，因此可以在切割至空洞位置时即认为达到通孔的圆心位置。然而，这一辅助方法仅针对钨材料填充的通孔结构，而针对其他材料的通孔结构而言，例如铜材料填充的通孔结构，铜材料将填满整个通孔而不会产生有空洞，此时即难以借此进行中心定位。

对此，本发明提供了一种通孔样品的制备方法，该制备方法中可优先定位出通孔结构的圆心位置，从而可精确的切割至通孔结构的圆心位置，有利于快速的获取通孔结构在圆心位置的纵向截面。

具体可参考图1所示，本发明一实施例中的通孔样品的制备方法包括如下步骤。

步骤S110，提供一样品，所述样品内形成有通孔结构。

步骤S120，对所述样品执行第一切割过程，以得到样品的第一纵向截面，并获得第一纵向截面内通孔结构的第一横向宽度。

步骤S130，对所述样品执行第二切割过程，以得到样品的第二纵向截面，并获得第二纵向截面内通孔结构的第二横向宽度。

步骤S140，根据第一横向宽度、第二横向宽度与通孔半径的关系式，得到所述第二切割过程的切割终点与通孔圆心之间的横向距离，以定位出所述通孔结构的圆心位置。

步骤S150，根据定位出的圆心位置对所述样品执行第三切割过程，以得到具有切过通孔圆心的第三纵向截面的通孔样品。

即，本发明提供的通孔样品的制备方法中，可以在切割样品至少两次之后，根据所获得的至少两个纵向截面而定位出通孔结构的圆心位置，进而可根据定位出的圆心位置对样品执行第三切割过程，以精确的切割至通孔结构的圆心位置。相对于传统的制备方法，本发明提供的制备方法大大提高了圆心位置的定位精度，在实际应用中可仅通过三次切割过程即能够得到切过圆心位置的通孔样品，降低了样品的制备难度；同时，本发明提供的方法不限于特定类似的通孔结构，其适用范围更广。

进一步的方案中，利用切割设备对样品进行切割，该切割设备的切割件例如以步进方式执行切割过程。基于此，在执行第一切割过程中，可使切割件由样品的一个边缘起始向内移动并进行切割；同样的，在执行第二切割过程中，切割件由第一切割过程的切割终点至第二切割过程的切割终点推进并切割；以及，在执行第三切割过程中，切割件则是由第二切割过程的切割终点至通孔圆心推进，以切割至通孔结构的圆心位置。

更进一步的，可使第二切割过程的推进距离小于通孔半径的1/2。即，第二切割过程中由第一切割过程的切割终点至第二切割过程的切割终点的距离小于通孔半径的1/2，如此以确保第二切割过程的切割终点未超出通孔结构的圆心位置。

为更明晰本发明提供的通孔样品的制备方法、检查通孔结构的方法，以下结合附图和具体实施例作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需要说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。应当认识到，附图中所示的诸如“上方”，“下方”，“顶部”，“底部”，“上方”和“下方”之类的相对术语可用于描述彼此之间的各种元件的关系。这些相对术语旨在涵盖除附图中描绘的取向之外的元件的不同取向。例如，如果装置相对于附图中的视图是倒置的，则例如描述为在另一元件“上方”的元件现在将在该元件下方。

在步骤S110中，具体参考图2所示，提供样品100，该样品100内形成有通孔结构110。

具体来说，该样品100例如是从半导体基板上切割得到，其可以呈方块状。以及，该通孔结构110例如为圆柱状结构或者圆锥状结构，应当认识到，不论通孔结构110为圆柱状结构或者圆锥状结构，其在水平方向上的横截面均呈现为圆形。

进一步的方案中，该样品100内还可形成有导电层(图中未示出)，在通孔结构110的上方和/或下方可形成有该导电层。在制备出通孔样品后，还可根据该通孔样品而进一步检查出通孔结构和导电层之间的连接状态。

在步骤S120中，继续参考图2所示，对样品100执行第一切割过程，以得到通孔结构110的第一纵向截面，并获得第一纵向截面内通孔结构的第一横向宽度L

需要说明的是，图2例如是俯视样品100时的简易示意图，或者也可以认为图2是样品100沿着水平方向的横向截面图，因此图2中垂直于纸面的方向具体为样品的高度方向(即，Z方向)，而平行于纸面的方向即对应于垂直于高度方向的水平面(即，XY平面)。此处提及的第一纵向截面、以及下文中提及的第二纵向截面和第三纵向截面均为沿着样品100的高度方向(Z方向)进行切割而得到的平行于高度方向的截面，图2中以切割件的长度平行于X方向为例，由此得到的纵向截面即平行于XZ平面。以及，此处提及的第一横向宽度、以及下文提及的第二横向宽度尺寸和第三横向宽度尺寸均为在获取对应的纵向截面后，对纵向截面暴露出的图案进行水平方向(垂直于样品的高度方向)上的宽度测量而得到的宽度尺寸，因此横向宽度尺寸即为在垂直于高度方向且平行于纵向截面的方向上测量得到的宽度尺寸(即，X方向上的宽度尺寸)。

其中，第一切割过程的切割终点例如为图2中所示的第一切割位置210，第一纵向截面即为第一切割位置210的纵向截面。

在一示例中，可结合图3所示的一种样品的第一纵向截面，在该第一纵向截面中示出了第一切割位置210的通孔截面和导电层截面，通过该第一纵向截面即可量测出通孔结构的第一横向宽度L

进一步的，用于切割样品100的切割设备其切割件例如是以步进方式执行切割过程，因此在进行第一切割过程时，切割件具体可以由样品100的一个边缘起始至第一切割位置210移动并进行切割。其中，切割设备的切割件的步进距离S可以根据需求设定，此处所述的步进距离S具体为切割件每次推进的速度，其单位例如为nm/s。应当认识到，切割件的步进距离S设置的越小，其切割精度也越高，在实际应用中可根据样品的具体状况而设置合适的步进距离S。

在步骤S130中，继续参考图2所示，对样品100执行第二切割过程，以得到通孔结构110的第二纵向截面，并获得第二纵向截面内通孔结构的第二横向宽度L

图4为基于图3的样品在执行第二切割过程后的截面示意图，如图4所示，在经过第二切割过程后暴露出通孔结构110的第二纵向截面，通过第二纵向截面即可量测出通孔结构的第二横向宽度L

如上所述，用于切割样品100的切割设备其切割件例如是以步进方式执行切割过程，此时在进行第二切割过程时，切割件具体由第一切割位置210至第二切割位置220移动并进行切割。其中，第二切割过程的切割距离可预先设定，即，第二切割过程由第一切割位置210起始推进一个或多个步进距离S以到达第二切割位置220，因此第一切割位置210至第二切割位置220的距离具体为n*S，其中n为大于等于1的正整数。

在步骤S140中，根据第一横向宽度L

需要说明的是，此处提及的横向距离P具体是垂直于纵向截面的水平距离。以图2为例，在执行第二切割过程而得到第二纵向截面之后，该第二纵向截面垂直于纸面且平行于XZ平面，因此垂直于纵向截面的水平方向即为Y方向，因此横向距离P即为Y方向上的距离。同样的，在下文中提及的第一横向距离和第二横向距离均为垂直于纵向截面的方向(即Y方向)。应当认识到，在执行切割过程时，其切割件的步进方向也为垂直于纵向截面的方向(即Y方向)。以及，如上所述，该通孔结构110例如为圆柱状结构或者圆锥状结构，因此其在水平方向上的横截面(即，XY平面)可均呈现为圆形，此处所述的通孔半径即为通孔结构110其圆形横截面上的半径尺寸，以及下文中提及的通孔圆心即为通孔结构110其圆形横截面上的圆心。

结合图2所示，第一横向宽度L

R

R

应当认识到，第一横向宽度L

此外，通过上述关系式还可以计算出通孔结构110的半径R。因此，根据样品100在至少两个切割位置的纵向截面，即可计算出通孔结构110的半径R。在后续根据定位出的通孔圆心位置进行切割，以得到切过通孔圆心的第三纵向截面之后，即可将计算出的通孔半径R与第三纵向截面内测量出的半径进行相互验证，确保所制备的通孔样品的准确性。

具体来说，在图3-图4所示的示例中，第一横向宽度L

步骤S150，根据定位出的圆心位置对样品110执行第三切割过程，以得到具有通孔结构110在圆心位置的第三纵向截面的通孔样品。具体来说，通过步骤S200-S400即可计算出第二切割过程的切割终点至通孔圆心的横向距离P，因此第三切割过程中即消减对应的横向距离P，以得到切过通孔圆心的通孔样品。

本实施例中的切割设备例如以步进的方式对样品进行切割，因此第三切割过程即是由第二切割位置220朝向通孔圆心依次推进并切割。具体示例中，第一切割过程的切割终点(即，第一切割位置210)和第二切割过程的切割终点(即，第二切割位置220)之间具有第一横向距离，第二切割过程的切割终点(即，第二切割位置220)与通孔圆心之间具有第二横向距离，此时可根据第二横向距离相对于第一横向距离的倍数，控制切割设备执行第三切割过程的切割参数。

本实施例中，以第一切割位置210至第二切割位置220之间的第一横向距离等于一个步进距离S为例，此时根据第二横向距离相对于第一横向距离的倍数，在第三切割过程中可控制切割设备的切割件以相应倍数的步进距离由第二切割位置220至通孔圆心进行移动并切割。在一示例中，可根据第二横向距离相对于第一横向距离的倍数，控制切割设备执行第三切割过程的切割时间，即，第三切割过程的切割时间即为对应倍数的第二切割过程的切割时间，因此第三切割过程的切割时间t可满足如下公式：t＝P/S。

图5为基于图4的样品在执行第三切割过程后的截面示意图，如图5所示，在经过第三切割过程后暴露出通孔结构110切过通孔圆心的第三纵向截面，因此通过第三纵向截面即可量测出通孔结构110的半径R，图5的这一示例中量测出通孔半径R为137.6nm。在上述步骤中计算出通孔结构110的半径R＝138.37nm，通过比对可以发现，计算出的半径值138.37nm与量测出的半径值137.6nm差异较小，可以相互验证，确保了制备得到的通孔样品的精确度。

进一步的方案中，该通孔样品的纵向截面还可暴露有导电层。例如图5所示，在通孔结构的上方和下方均形成有导电层，通过该通孔样品的纵向截面即可获悉通孔结构和导电层之间的连接状况是否满足要求。

需要说明的是，针对各个纵向截面进行横向宽度的量测时，其量测位置可对应在通孔结构110的同一高度位置。即，在通孔结构110同一高度位置(例如，通孔结构110在高度方向上的中间位置)量取第一纵向截面内的第一横向宽度、第二纵向截面内的第二横向宽度和第三纵向截面内的半径值。

此外，在上述示例中，是以第二切割过程的切割距离等于一个步进距离S为例进行说明。然而其他示例中，第二切割过程的切割距离可设定为若干个步进距离S，即，第一切割位置210至第二切割位置220的第一横向距离P1＝n*S，通过上述关系式(1)和(2)计算出第二切割位置220至通孔圆心的第二横向距离P2。进一步的，在执行第三切割过程时，可根据第二横向距离P2相对于第一横向距离P1的倍数，而设置第三切割过程的切割参数，例如可设置第三切割过程的切割时间t＝P2/P1。

在实际应用中，可根据样品的具体状况而对切割设备的步进距离S进行设定，具体来说，为了提高切割设备的切割精度，则可减小切割设备的步进距离S。

基于如上所述的通孔样品的制备方法，本实施例中还提供了一种检查通孔结构的方法，其具体包括：利用如上方法得到通孔样品，该通孔样品具有切过通孔圆心的第三纵向截面(例如图5所述的纵向截面图)，进而可通过该第三纵向截面对通孔结构110进行检查。例如，可以获悉通孔结构110的半径尺寸、通孔结构110与导电层之间的连接状态等。

具体示例中，可结合图5所示，在得到切过通孔圆心的纵向截面后，根据该纵向截面判断导电层在覆盖通孔结构的端部的同时，是否还延伸出通孔结构的端部。通常来说，为了确保通孔结构110和导电层之间的电连接性能，一般要求导电层覆盖通孔结构的端部，并且还延伸出通孔结构的端部，以确保和通孔结构充分接触。

此外，基于同一技术构思，本实施例中还提供一种通孔半径的获取方法，例如参考图6所示，本发明一实施例中的通孔半径的获取方法包括如下步骤。

步骤S210，提供一样品，所述样品内形成有通孔结构。

步骤S220，对所述样品执行第一切割过程，以得到样品的第一纵向截面，并获得所述第一纵向截面内通孔结构的第一横向宽度。

步骤S230，对所述样品执行第二切割过程，以得到样品的第二纵向截面，并获得所述第二纵向截面内通孔结构的第二横向宽度。

步骤S240，根据第一横向宽度、第二横向宽度与通孔半径的关系式，计算出所述通孔结构的通孔半径。

需要说明的是，本实施例中的步骤S210-步骤S230与上述实施例中的步骤S110-S130的过程类似，此处不再赘述。即，该样品100例如是从半导体基板上切割得到，其可以呈方块状。以及，用于切割该样品的切割设备其切割件例如是以步进方式执行切割过程，因此在进行第一切割过程时，切割件具体可以由样品的一个边缘起始向内步进切割至第一切割位置，以得到第一纵向截面；以及，在进行第二切割过程时，切割件具体由第一切割位置继续向内步进切割至第二切割位置，以得到第二纵向截面。其中，切割设备的切割件的步进距离S可以根据需求设定，切割件的步进距离S设置的越小，其切割精度也越高，在实际应用中可根据样品的具体状况而设置合适的步进距离S。

以及，在步骤S230中，即可根据上方所示的公式(1)和公式(2)而计算出通孔结构的通孔半径R。本实施例中，根据第一纵向截面得到的第一横向宽度和根据第二纵向截面得到的第二横向宽度均是在样品的同一高度位置上的测量得到的(例如，均是在样品高度的中间位置测量得到、或者均在样品高度的底部位置测量得到、又或者是均在样品高度的顶部位置测量得到)，由此得到的通孔半径R为通孔结构在对应高度位置的圆形横截面的半径。

即，该实施例中可根据对样品的任意两个切割过程，而精确、快速的计算出通孔结构的通孔半径R。

进一步的方案中，通孔半径的获取方法还可包括对样品进行第三切割过程，以得到切过通孔圆心的第三纵向截面，并基于第三纵向截面量测出的通孔半径，用于对计算出的通孔半径进行验证。具体参考图6所示，该通孔半径的获取方法还可包括如下步骤。

步骤S250，根据第一横向宽度、第二横向宽度与通孔半径的关系式，还用于得到第二切割过程的切割终点与通孔圆心之间的横向距离，以定位出通孔结构的圆心位置。

步骤S260，根据定位出的圆心位置对样品执行第三切割过程，以得到具有切过通孔圆心的第三纵向截面。

步骤S270，根据第三纵向截面量测出通孔结构的通孔半径，以利用量测出的通孔半径对计算出的通孔半径进行验证。

需要说明的是，本实施例中的步骤S250-步骤S260与上述实施例中的步骤S140-步骤S150的过程类似，此处不再赘述。即，根据公式(1)和公式(2)即可计算出第二切割位置至通孔圆心的横向距离，进而定位出通孔结构的圆心位置。以及，第三切割过程具体由第二切割位置朝向通孔圆心的方向依次推进并切割，根据计算出的第二切割位置至通孔圆心的横向距离，控制第三切割过程的切割距离。

以及，在步骤S270中，例如参考图3-图5的示例，根据第一纵向截面量测出通孔结构的第一横向宽度L

具体示例中，可以在通孔结构的同一高度位置上，量取第一横向宽度、第二横向宽度和通孔结构的通孔半径，以确保所获得的通孔半径的精确度。

综上所述，在上述实施例提供的通孔样品的制备方法中，通过对样品执行第一切割过程和第二切割过程，以获得该两次切割时所对应的纵向截面，从而可得到通孔结构在各个纵向截面内的横向宽度尺寸，之后即可根据所获得横向宽度尺寸与通孔半径的关系式而定位出通孔结构的圆心位置，使得第三切割过程可基于定位出的圆心位置进行切割，精确的切割至通孔结构的圆心位置，进而制备出满足要求的通孔样品。该制备方法，可以在较少切割次数下即能够得到切过圆心位置的通孔样品，例如在实际应用中可仅通过三次切割过程即能够得到切过圆心位置的通孔样品，降低了样品的制备难度，改善了通孔圆心定位不准确的问题。

此外，基于类似的构思下还能够用于精准预算通孔的半径，此时即使采用传统的方法难以精确的得到切过通孔圆心的通孔样品时，也能够预算出通孔的半径。

需要说明的是，本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围。

还应当理解的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。此外还应该认识到，此处的以及所附权利要求中使用的单数形式“一个”和“一种”包括复数基准，除非上下文明确表示相反意思。例如，对“一个步骤”或“一个装置”的引述意味着对一个或多个步骤或装置的引述，并且可能包括次级步骤以及次级装置。