一种液晶书写装置、局部擦除方法及显示方法

技术领域

本发明涉及液晶书写板结构技术领域，特别是涉及一种液晶书写装置、局部擦除方法及显示方法。

背景技术

目前市面上的液晶书写膜，其工作原理是利用液晶的双稳态特性实现显示和/或擦除液晶写字板上的书写内容。例如,以胆甾相液晶作为书写膜,通过作用在液晶写字板上的压力改变笔头处液晶状态来记录书写笔的书写压力轨迹，进而显示对应的书写内容；通过施加电场使胆甾相液晶结构发生变化，使液晶写字板上的书写压力轨迹消失以实现擦除。

现有技术公开的能够实现局部擦除的液晶书写膜结构，基本上都是软膜结构，即依次设置第一层PET导电层、液晶层、第二层PET导电层，实现局部擦除的方式基本上都是通过蚀刻技术将两层PET导电层分别分割，形成不同的导电区域，通过为每一个导电区域施加不同的电压，在欲擦除区域形成擦除电场，来达到局部擦除的目的。

但是，这种方式很难做到极小像素点的分割，如果像素点过小(如小于5mm*5mm)，其产生断线的几率会大大升高；像素点越小，随着书写次数的增多，出现断线的风险就越大，不利于产品性能的长期稳定。

其次，由于受到电压加载方式的限制，在欲擦除区域形成擦除电场时，其临近区域的电场并不能够实现全部为零，因此可能会导致在实现局部擦除的同时，其他导电区域也会受到擦除电压的影响而变浅或消失。

另外，目前的双稳态液晶书写装置均不具备电路主动显示功能，所有内容均需要通过书写的方式呈现在液晶书写装置上，对于老师来说，有一些复杂的公式或者视图，书写起来十分不便，不利于提高教学效率和质量。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提出了一种液晶书写装置、局部擦除方法及显示方法，利用TFT工艺对每个像素点进行单独控制，能够在实现极小像素点分割的前提下，避免由于不断书写导致的断线情况的发生。

为了实现上述目的，在一些实施方式中，采用如下技术方案：

一种液晶书写装置，包括：依次设置的导电层、双稳态液晶层和基底层；所述基底层上集成有阵列状排布的若干像素单元，每个像素单元内设有像素电极以及与所述像素电极连接的开关元件；所述开关元件开通能够为所述像素电极提供电压。

进一步地，在所述基底层上，根据像素单元的排布方式，对应像素单元的每一纵列和每一横列，分别集成若干第一导线和若干第二导线；所述第一导线用于提供使得开关元件导通或关断的控制电压；所述第二导线用于提供给开关元件的输入电压。

更进一步地，所述开关元件包括：TFT，所述TFT的栅极连接第一导线，所述TFT的源极连接第二导线；所述TFT的漏极连接相对应的像素电极；

所述TFT的漏极还可连接储能电容，每一个所述储能电容的引出电极线均与所述导电层的引出电极线连接。

在另一些实施方式中，采用如下技术方案：

一种液晶书写装置的局部擦除方法，包括：控制开关元件的开通和输入电压，能够为覆盖局部擦除区域的像素单元施加第一电压；为所述导电层施加第二电压；所述第一电压和第二电压在所述像素单元与导电层空间重叠的位置形成擦除电场，实现局部擦除。

具体的电压施加过程包括：

通过第一导线使得所有开关元件导通，通过第二导线为基底层所有像素单元以及导电层分别施加第二电压；

保持为导电层施加第二电压，通过与覆盖局部擦除区域的像素单元连接的第一导线，使得所述像素单元的开关元件导通；通过与覆盖局部擦除区域的像素单元连接的第二导线，为所述像素单元施加第一电压；

对于与所述第一导线连接的其余像素单元，其开关元件也导通，通过与这些像素单元连接的第二导线，为这些像素单元施加第二电压；

控制其余像素单元的开关元件处于关闭状态，能够实现对局部擦除区域的擦除。

进一步地，在施加电压的前半周期，所述第二电压为擦除电压Vcom，所述第一电压V满足：2.5Vcom≥V≥1.5Vcom；

在施加电压的后半周期，所述第二电压为擦除电压Vcom，所述第一电压V满足：0.5Vcom≥V≥-0.5Vcom。

上述前半周期和后半周期可以互换，也可以任任意半个周期实现擦除。

在另一些实施方式中，采用如下技术方案：

一种液晶书写装置的显示方法，包括：

接收控制终端对设定内容的显示指令，获取所述内容的显示位置；

基于所述显示位置控制开关元件的开通和输入电压，为覆盖所述显示位置的像素单元施加第一电压；为所述导电层施加第二电压；所述第一电压和第二电压在所述像素单元与导电层空间重叠的位置形成的电场，能够实现对设定内容的显示。

具体的电压施加过程包括：

通过第一导线使得所有开关元件导通，通过第二导线为基底层所有像素单元施加第二电压，为所述导电层施加第二电压；

保持为导电层施加第二电压，通过与覆盖显示位置的像素单元连接的第一导线，使得所述像素单元的开关元件导通；通过与覆盖显示位置的像素单元连接的第二导线，为所述像素单元施加第一电压；

对于与所述第一导线连接的其余像素单元，其开关元件也导通，通过与这些像素单元连接的第二导线，为这些像素单元施加第二电压；

控制其余像素单元的开关元件处于关闭状态，能够实现对设定内容的擦除。

进一步地，所述第一电压和第二电压在所述像素单元与导电层空间重叠的位置形成的电场大小，根据双稳态液晶层中的液晶特性确定。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

(1)本发明充分利用TFT式液晶显示器的结构原理，采用半导体工艺在底层的TFT玻璃层上集成阵列式开关单元，可以把像素点缩小至1mm*1mm以内，其工艺可以保证在极小像素点工艺情况下，也不会出现由于不断书写导致的断线的情况，减少工艺流程和控制复杂度，提高了控制精度。

(2)本发明无需对顶层导电层进行分割，对TFT玻璃层上的每一个像素单元单独控制，仅需要为覆盖局部擦除区域的像素单元施加电压，其余区域不再施加辅助电压(类似于为单独每个像素单元执行一键擦除功能)，能够避免局部擦除区域之外的区域因为受到擦除电场的影响而出现变浅或者消失。

(3)本发明液晶书写装置还可以具备显示功能，即能够对电脑终端上指定的内容进行显示，这样，老师在教学时，可以将一些诸如公式或者图示的内容直接在液晶黑板上进行显示，无需再自己书写，节省了大量的板书时间，同时能够将一些复杂的内容呈现在液晶黑板上，达到更好的教学目的。

(4)本发明TFT玻璃层上集成书写及局部擦除定位电路，能够实现对书写件或者擦除件的定位，在此基础上，可以增加手势投屏功能，实现液晶书写装置与其他终端的协同互动。

附图说明

构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。

图1为本发明实施例中公开的液晶书写装置结构示意图；

图2为本发明实施例中公开的开关元件电路结构图；

图3为本发明实施例中公开的基底层上集成的电路结构示意图；

图4为本发明实施例中公开的TFT的导通特性曲线；

图5(a)-(b)为实施例二中初始时TFT玻璃层上各像素单元的电压施加示意图以及导电层和TFT玻璃层之间的电压差；

图6(a)-(b)为实施例二中电压施加的前半周期，TFT玻璃层上各像素单元的电压施加示意图以及导电层和TFT玻璃层之间的电压差；

图7(a)-(b)为实施例二中电压施加的后半周期，TFT玻璃层上各像素单元的电压施加示意图以及导电层和TFT玻璃层之间的电压差；

图8(a)-(b)为实施例三中初始时TFT玻璃层上各像素单元的电压施加示意图以及导电层和TFT玻璃层之间的电压差；

图9(a)-(b)为实施例三中电压施加的前半周期，TFT玻璃层上各像素单元的电压施加示意图以及导电层和TFT玻璃层之间的电压差；

图10(a)-(b)为实施例三中电压施加的后半周期，TFT玻璃层上各像素单元的电压施加示意图以及导电层和TFT玻璃层之间的电压差。

具体实施方式

应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。

需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。

实施例一

根据本发明实施例，公开了一种液晶书写装置的实施例，参照图1，包括：自上往下依次设置的导电层、双稳态液晶层和基底层。其中，导电层不分割，基底层上集成有若干像素单元，这些像素单元呈阵列式排布，每个像素单元内设有像素电极以及与像素电极连接的开关元件；开关元件开通能够为与其连接的像素电极提供电压。

在基底层上，对应像素单元的每一纵列和每一横列，分别集成若干第一导线和若干第二导线；第一导线和第二导线的布设方向相互垂直；每个像素单元内的开关元件分别连接与其邻近的第一导线和第二导线，第一导线用于提供使得开关元件导通或关断的电压；第二导线用于提供开关元件的输入电压。

作为一种可选的实施方式，开关元件还连接储能元件，储能元件的引出线与导电层的电极引出线连接；开关元件开通能够为储能元件充电。

具体地，开关元件包括：薄膜晶体管(以下简称TFT)，TFT的栅极连接第一导线，TFT的源极连接第二导线，TFT的漏极连接对应的像素电极。

TFT的漏极还连接储能电容C1的一端，该储能电容C1的另一端引出线与导电层的电极引出线连接。

本实施例中，储能电容C1的作用是为了实现储能，当然也可以利用导电层和基底层之间自身形成的电容来实现储能电容C1的作用，此时便可以省略储能电容C1；下面的实施方式中均是以带有储能电容C1为例来进行的说明，本领域技术人员应当理解的是，这不能构成本专利保护范围的限制，在其他一写实施方式中，也可以不设置储能电容C1，而利用导电层和基底层之间自身形成的电容来达到储能的目的。

图2给出了开关元件模块的电路结构，其中，第一极板代表基底层上每个或者某几个相邻的像素单元对应的像素电极区域；第二极板代表导电层。

本实施例中，基底层为TFT玻璃层，其上可以以半导体工艺集成不同的电路结构。图3给出了本实施例基底层上集成的电路结构示意图，其上的开关元件模块电路图为根据图2的等效电路图。

在一些实施方式中，在TFT玻璃层和导电层分别引出电极线；用以连接能够提供所需电压的电压驱动电路。

作为一种可选的实施方式，通过在框胶里加入些导电粒子，将一整面的导电层的电极连接到TFT玻璃层的FPC金手指上，这样整个模组的电极引出就都从TFT玻璃层上引出，比原来在导电层和TFT玻璃层上分别引出电极的方式简单且稳定。

实施例二

根据本发明实施例，公开了一种液晶书写装置局部擦除方法的实施例，该方法基于实施例一中公开的液晶书写装置的结构，实现过程如下：控制开关元件的开通和输入电压，能够为覆盖局部擦除区域的像素单元施加第一电压；为导电层施加第二电压；第一电压和第二电压在所述像素单元与导电层空间重叠的位置形成擦除电场，实现局部擦除。

具体地，通过第一导线为TFT的栅极G提供导通电压，通过第二导线为TFT的源极S提供局部擦除所需要的电压，以实现液晶书写装置的局部擦除功能。

TFT的导通特性曲线如图4所示，图4中，横坐标为电压，纵坐标为电流；为栅极G施加电压V

参照图3，实现局部擦除的电压控制方法如下：

(1)为TFT玻璃层的各像素单元和导电层分别施加第一电压，此时，导电层和TFT玻璃层各像素单元之间的电压差为零。

具体地，通过第一导线为TFT玻璃层每一个像素单元的TFT栅极G提供导通电压V

(2)在电压施加的前半周期，为TFT玻璃层中，覆盖局部擦除区域的像素单元施加第二电压，其余像素单元仍保持第一电压，导电层上施加的电压也保持为第一电压；此时，仅覆盖局部擦除区域的像素单元与导电层之间的电压差为第二电压-第一电压，该差值达到了擦除电场，其余区域的电压差仍为零，能够实现对于局部擦除区域的擦除。

具体地，为与覆盖局部擦除区域的像素单元连接的第一导线提供导通电压V

为与覆盖局部擦除区域像素单元的TFT源极S连接的第二导线提供第二电压，为与其余导通像素单元的TFT源极S连接的第二导线提供第一电压。

此时，对于覆盖局部擦除区域的像素单元来说，其TFT的导通电压为第二电压，该区域与导电层相应区域之间形成的电场为第二电压-第一电压，该差值达到了擦除电场；对于其余导通的像素单元来说，其TFT的导通电压为第一电压，这些区域与导电层相应区域之间形成的电场均为零；对于不导通的像素单元来说，由于TFT不导通，之前预充电的储能电容C1的电压无法得到泄放，从而这些像素单元对应的电压等于储能电容的电压，均为第一电压，这些区域与导电层相应区域之间形成的电场也均为零。

因此，只有局部擦除区域的字迹被擦除，其余区域的字迹不会受到影响。

作为一种可选的实施方式，第二电压选取为擦除电压Vcom，第一电压V满足：2.5Vcom≥V≥1.5Vcom；

(3)在电压施加的后半周期，为TFT玻璃层中，覆盖局部擦除区域的像素单元施加第三电压，其余像素单元仍保持第一电压，导电层上施加的电压也保持为第一电压；此时，仅覆盖局部擦除区域的像素单元与导电层之间的电压差为第三电压-第一电压＝—(第二电压-第一电压)，该差值达到了擦除电场，其余区域的电压差仍为零，能够实现对于局部擦除区域的擦除。

具体的电压控制实现方式与前半周期相同，不再赘述。

作为一种可选的实施方式，第二电压为擦除电压Vcom，第三电压V满足：0.5Vcom≥V≥-0.5Vcom。

当然，上述的前半周期和后半周期是可以互换的，也可以取任意半个周期实现擦除。

作为一种更为具体的实施方式，以擦除图3中VG1和VS1对应的像素单元K中的字迹为例，选取第一电压的值为擦除电压Vcom，第二电压的值选取2Vcom，第三电压的值选取零；下面各图中仅示出与该像素单元相邻的4个像素单元的电压施加情况，以及与导电层的电压差。

初始时，为TFT玻璃层的各像素单元和导电层分别施加电压Vcom，此时，导电层和TFT玻璃层各像素单元之间的电压差为零；TFT玻璃层上各像素单元的电压施加示意图以及导电层和TFT玻璃层之间的电压差参见图5(a)-(b)所示。

在电压施加的前半周期，TFT玻璃层中，通过第一导线VG1为与其连接的TFT施加导通电压，通过第二导线VS1为像素单元K施加电压2Vcom，通过第二导线VS2-VS6为与第一导线VG1连接的其余像素单元施加电压Vcom；通过第一导线VG2-VG4为与其连接的TFT施加关断电压，以使这些TFT均不导通。

这样，像素单元K上施加的电压为2Vcom，其余像素单元仍保持电压Vcom，导电层上施加的电压也保持为电压Vcom；此时，仅像素单元K与导电层之间的电压差为擦除电压Vcom，其余区域的电压差仍为零，能够实现对于局部擦除区域的擦除；TFT玻璃层上各像素单元的电压施加示意图以及导电层和TFT玻璃层之间的电压差参见图6(a)-(b)所示。

在电压施加的后半周期，TFT玻璃层中，通过第一导线VG1为与其连接的TFT施加导通电压，通过第二导线VS1为像素单元K施加电压0，通过第二导线VS2-VS6为与第一导线VG1连接的其余像素单元施加电压Vcom；通过第一导线VG2-VG4为与其连接的TFT施加关断电压，以使这些TFT均不导通。

这样，像素单元K上施加的电压为0，其余像素单元仍保持电压Vcom，导电层上施加的电压也保持为电压Vcom；此时，仅像素单元K与导电层之间的电压差为擦除电压-Vcom，其余区域的电压差仍为零，能够实现对于局部擦除区域的擦除；TFT玻璃层上各像素单元的电压施加示意图以及导电层和TFT玻璃层之间的电压差参见图7(a)-(b)所示。

图5(a)-图7(b)可以看出，仅覆盖局部擦除区域的像素单元与导电层之间形成的电压差(电场)达到了擦除电场，其余位置的电场均为零，不会受到任何影响。

需要说明的是，本实施例中，擦除电压是指能够将书写笔迹完全擦除所需要的电压，擦除电场指的是擦除电压在两个导电层相应的区域之间所形成的电场。

本实施例采用TFT玻璃层的液晶书写装置，相比于目前市场上普遍使用的膜材结构，实现局部擦除的控制过程更加简单和精准，控制灵活度增加，擦除效果更好，不会对其他区域产生影响。

同时，本实施例的采用TFT玻璃层的液晶书写装置，不仅能够实现书写和局部擦除功能，还保留着液晶书写装置的节能、环保、护眼、无蓝光、无粉尘、无耗材、最大限度的还原教学板书绘画涂鸦等优点。

实施例三

根据本发明实施例，公开了一种液晶书写装置显示方法的实施例，该方法基于实施例一中公开的液晶书写装置的结构，实现过程如下：

接收控制终端对设定内容的显示指令，获取所述内容的显示位置；

基于所述显示位置控制开关元件的开通和输入电压，为覆盖所述显示位置的像素单元施加第一电压；为所述导电层施加第二电压；第一电压和第二电压在所述像素单元与导电层空间重叠的位置形成的电场，能够实现对设定内容的显示。

具体地，通过第一导线为TFT的栅极G提供导通电压，通过第二导线为TFT的源极S提供显示所需要的电压，以实现液晶书写装置的显示功能。

参照图3，实现显示功能的电压控制方法如下：

(1)为TFT玻璃层的各像素单元和导电层分别施加第一电压，此时，导电层和TFT玻璃层各像素单元之间的电压差为零。

具体地，通过第一导线为TFT玻璃层每一个像素单元的TFT栅极G提供导通电压V

(2)在电压施加的前半周期，为TFT玻璃层中，覆盖显示位置的像素单元施加第二电压，其余像素单元仍保持第一电压，导电层上施加的电压也保持为第一电压；此时，仅覆盖显示位置的像素单元与导电层之间的电压差为第二电压-第一电压，该差值达到了液晶显示所需要的电场，其余区域的电压差仍为零，能够实现对于设定内容的显示。

具体地，为与覆盖显示位置的像素单元连接的第一导线提供导通电压V

为与覆盖显示位置像素单元的TFT源极S连接的第二导线提供第二电压，为与其余导通像素单元的TFT源极S连接的第二导线提供第一电压。

此时，对于覆盖显示位置的像素单元来说，其TFT的导通电压为第二电压，该区域与导电层相应区域之间形成的电场为第二电压-第一电压，该差值达到了液晶显示所需要的电场；对于其余导通的像素单元来说，其TFT的导通电压为第一电压，这些区域与导电层相应区域之间形成的电场均为零；对于不导通的像素单元来说，由于TFT不导通，之前预充电的储能电容C1的电压无法得到泄放，从而这些像素单元对应的电压等于储能电容的电压，均为第一电压，这些区域与导电层相应区域之间形成的电场也均为零。

因此，设定内容在显示位置得到显示，而其余区域不会受到影响。

(3)在电压施加的后半周期，为TFT玻璃层中，覆盖显示位置的像素单元施加第三电压，其余像素单元仍保持第一电压，导电层上施加的电压也保持为第一电压；此时，仅覆盖显示位置的像素单元与导电层之间的电压差为第三电压-第一电压＝—(第二电压-第一电压)，该差值达到了液晶显示所需要的电场，其余区域的电压差仍为零。

具体的电压控制实现方式与前半周期相同，不再赘述。

上述前半周期和后半周期可以互换，也可以取任意半个周期实现显示。

可以理解的，第二电压与第一电压的取值以及两者的差值大小，根据双稳态液晶层液晶的特性确定，本领域技术人员通过有限次实现能够获得。

作为一种更为具体的实施方式，以在图3中VG1和VS1对应的像素单元K中显示设定内容为例，选取第一电压的值为擦除电压Vcom，第二电压的值选取6Vcom，第三电压的值选取零；下面各图中仅示出与该像素单元相邻的4个像素单元的电压施加情况，以及与导电层的电压差。

初始时，为TFT玻璃层的各像素单元和导电层分别施加电压Vcom，此时，导电层和TFT玻璃层各像素单元之间的电压差为零；TFT玻璃层上各像素单元的电压施加示意图以及导电层和TFT玻璃层之间的电压差参见图8(a)-(b)所示。

在电压施加的前半周期，TFT玻璃层中，通过第一导线VG1为与其连接的TFT施加导通电压，通过第二导线VS1为像素单元K施加电压6Vcom，通过第二导线VS2-VS6为与第一导线VG1连接的其余像素单元施加电压Vcom；通过第一导线VG2-VG4为与其连接的TFT施加关断电压，以使这些TFT均不导通。

这样，像素单元K上施加的电压为6Vcom，其余像素单元仍保持电压Vcom，导电层上施加的电压也保持为电压Vcom；此时，仅像素单元K与导电层之间的电压差为擦除电压5Vcom，其余区域的电压差仍为零，能够实现对于设定内容的显示；TFT玻璃层上各像素单元的电压施加示意图以及导电层和TFT玻璃层之间的电压差参见图9(a)-(b)所示。

在电压施加的后半周期，TFT玻璃层中，通过第一导线VG1为与其连接的TFT施加导通电压，通过第二导线VS1为像素单元K施加电压-4Vcom，通过第二导线VS2-VS6为与第一导线VG1连接的其余像素单元施加电压Vcom；通过第一导线VG2-VG4为与其连接的TFT施加关断电压，以使这些TFT均不导通。

这样，像素单元K上施加的电压为-4Vcom，其余像素单元仍保持电压Vcom，导电层上施加的电压也保持为电压Vcom；此时，仅像素单元K与导电层之间的电压差为擦除电压-5Vcom，其余区域的电压差仍为零，能够实现对于设定内容的显示；TFT玻璃层上各像素单元的电压施加示意图以及导电层和TFT玻璃层之间的电压差参见图10(a)-(b)所示。

图8(a)-图10(b)可以看出，仅显示位置的像素单元与导电层之间形成的电压差(电场)达到了液晶显示所需要的电场，其余位置的电场均为零，不会受到任何影响。

需要说明的是，液晶书写装置的显示功能可以单独存在，也可以与实施例二中的局部擦除功能同时存在，在使用的时候根据需要进行功能切换即可。

本实施例的液晶书写装置能够实现对设定内容的显示，方便老师在教学过程中对一些复杂内容的显示，避免板书的限制。

实施例四

在实施例一或者实施例二或者实施例三公开的液晶书写装置的基础上，在TFT玻璃层上还集成有定位电路，用于对书写笔或者板擦的定位，以实现局部擦除时的位置定位或者书写笔迹的位置定位或者其他定位功能。

定位电路可以采用电磁定位、电容定位、红外定位、超声定位或者影像定位的方式实现，这些定位方式均是现有技术中已经公开的定位方式，具体实现过程不再详述。

其中，采用电容定位或者红外定位方式时，由于此种定位方式能够对手势进行识别，以使得与液晶书写装置通信的显示终端，根据识别出的手势类型，响应出设定的执行动作，实现手势投屏功能。

比如：在学校或面积较大的教室环境中，整个液晶黑板的左右宽度较宽的环境下，由于显示大屏的显示内容需要在同步显示液晶黑板内容和显示其他内容之间来回切换，老师需要来回走动去触控显示大屏的同步显示软件的最大化和最小化；操作过程较为繁琐。

通过本实施例的手势投屏功能，可以实现液晶书写装置与其他终端，比如液晶显示大屏的协同互动。具体地，可以通过识别特定的手势，来触发显示大屏端同步显示软件的最大化和最小化操作，这样老师在液晶黑板端书写时，仅需要做出设定的手势，就可以控制显示大屏端对显示的内容进行切换，操作过程简单快捷。

在另外一些实施方式中，也可以通过设定的手势，将液晶书写装置上显示的内容传输至显示终端进行显示。

当然，为了防止手势误触发，可以采用手势识别和移动距离条件同时满足的条件下进行动作响应。

需要说明的是，采用半导体工艺在TFT玻璃层上集成上述的电路结构，半导体工艺是比较成熟的技术，本领域技术人员完全可以实现，不再详述。

实施例五

在实施例一或者实施例二或者实施例三或者实施例四公开的液晶书写装置的基础上，公开了液晶书写装置的具体应用产品，比如：

将本发明的液晶书写装置应用于写字板、画板或者黑板上，实现局部擦除功能或者显示功能或者上述公开的其他功能。

具体地，可以将本发明实施例的液晶书写装置应用于光能写字板、光能液晶手写板、光能大液晶写字黑板、光能无尘写字板、光能便携黑板、电子画板、lcd电子写字板、电子手写板、电子记事笔记本、涂鸦板、儿童手写板、儿童涂鸦画板、橡皮擦功能速写板、液晶电子绘画板或者彩色液晶手写板或者本领域技术人员能够获知的其他相关产品中。

上述虽然结合附图对本发明的具体实施方式进行了描述，但并非对本发明保护范围的限制，所属领域技术人员应该明白，在本发明的技术方案的基础上，本领域技术人员不需要付出创造性劳动即可做出的各种修改或变形仍在本发明的保护范围以内。