复合物、复合物的制备方法及发光器件

技术领域

本申请涉及光电技术领域，具体涉及一种复合物、复合物的制备方法及发光器件。

背景技术

量子点(Quantum Dot,QD)是新一代电致发光材料，量子点的发光光谱随量子点的尺寸变化而变化，例如CdSe量子点的发光波长调谐范围可以从蓝光直至红光，量子点因具有发光光谱半峰宽较窄、色纯度高、光稳定性好、激发光谱宽、发射光谱可控等特点而在光伏发电、光电显示等技术领域应用前景广阔。量子点发光二极管(Quantum Dot LightEmitting Diodes,QLED)是基于量子点作为发光材料的光电器件，QLED包括依次设置的阳极、空穴功能层、量子点发光层、电子功能层和阴极，电子经由阴极和电子功能层注入，空穴经由阳极和空穴功能层注入，注入的电子和空穴在量子点发光层复合形成光子以激发量子点发光。

在现有的QLED中，空穴功能层通常包括空穴传输层(Hole Transport Layer,HTL)，空穴传输层设置于阳极与量子点发光层之间，而阳极的材料通常为透明金属氧化物，例如铟锡氧化物(Indium Tin Oxides,ITO)，ITO的功函数较高，使得大多数空穴传输材料的能级与ITO不匹配。基于此，可以在空穴传输层与阳极之间增设空穴注入层，以降低空穴由阳极注入空穴传输层的势垒。聚(3,4-乙烯二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸盐)，即PEDOT:PSS是常见的空穴注入材料之一，具有高透明、高导电性、稳定性佳的优点。但是，由于PEDOT:PSS存在大量的磺酸根，所以PEDOT:PSS的酸性较强，并且PEDOT:PSS具有功函数相对单一的特定，此外，因PSS的绝缘性造成PEDOT:PSS具有导电不均匀性的问题。

因此，有必要研发一种空穴注入材料以改善空穴注入层的导电能力与稳定性，从而提高QLED的工作性能。

发明内容

本申请提供了一种复合物、复合物的制备方法及发光器件，以改善发光器件的工作性能。

本申请的技术方案如下：

第一方面，本申请提供了一种复合物，所述复合物包括作为电子供体的基质材料和作为电子受体的掺杂材料，所述基质材料包括聚(3,4-乙烯二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸盐)，所述掺杂材料包括化合物A，所述化合物A具有如下通式(Ⅰ)所示的结构：

在通式(Ⅰ)中，R

(1)R

(2)R

进一步地，所述共轭基团选自芳基和/或杂芳基。

进一步地，所述共轭基团选自苯基、萘基、吡咯基以及吡啶基中的一种或多种。

进一步地，所述吸电子基团选自羟基、硝基、氰基、羧基、酰基、磺酸基、羰基、卤素原子以及芳基中的一种或多种。

可选地，R

其中，R

进一步地，R

可选地，R

其中，Y选自卤素原子或羟基。

进一步地，R

进一步地，所述化合物A为邻氯苯胺、4-甲酰苯胺、邻羟基苯胺或苯甲脒。

进一步地，在所述复合物中，所述基质材料：所述掺杂材料的摩尔比为1：(0.1～0.5)。

第二方面，本申请提供了一种复合物的制备方法，所述复合物的制备方法包括如下步骤：

提供包含掺杂材料的溶液和包含基质材料的溶液，将所述包含掺杂材料的溶液与所述包含基质材料的溶液相混合，混合获得混合液；

提供基板，将所述混合液施加于所述基板的一侧，获得湿膜；

对所述湿膜进行干燥处理，获得复合物；

其中，所述基质材料包括聚(3,4-乙烯二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸盐)，所述掺杂材料包括化合物A，所述化合物A具有如下通式(Ⅰ)所示的结构：

在通式(Ⅰ)中，R

(1)R

(2)R

进一步地，所述包含掺杂材料的溶液的制备方法包括步骤：将所述掺杂材料溶于有机溶剂，获得包含掺杂材料的溶液。

进一步地，所述有机溶剂为甲醇、乙醇、丁醇、乙二醇以及N,N-二甲基甲酰胺中的一种或多种。

进一步地，在所述混合液中，所述基质材料：所述掺杂材料的摩尔比为1：(0.1～0.5)。

第三方面，本申请提供了一种发光器件，所述发光器件包括：

阳极；

阴极，与所述阳极相对设置；

发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；以及

空穴注入层，设置于所述阳极与所述发光层之间；

其中，所述空穴注入层的材料包括如第一方面中任意一种所述的复合物或如第二方面中任意一种所述的制备方法制得的复合物。

进一步地，所述发光层的材料为量子点，所述量子点选自II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种；所述II-VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe以及CdZnSTe中的至少一种；所述III-V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP以及InAlNP；所述I-III-VI族化合物选自CuInS

有益效果：

本申请提供了一种复合物、复合物的制备方法及发光器件，所述复合物包括作为电子供体的基质材料和作为电子受体的掺杂材料，基质材料包括聚(3,4-乙烯二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸盐)，掺杂材料包括如通式(Ⅰ)所示结构的化合物A，化合物A含有共轭基团，而聚(3,4-乙烯二氧噻吩)主链和共轭基团之间的分子内电荷转移和分子间聚集作用有利于提高空穴注入层的导电率，另外，化合物A与聚(苯乙烯磺酸盐)结合形成的片段的分子间堆积作用力较强，能够促进聚(3,4-乙烯二氧噻吩)与聚(苯乙烯磺酸盐)的部分解离和线型排列，提高了聚(3,4-乙烯二氧噻吩)链的聚集规整程度，有效提升了复合物的功函数与电导率，赋予复合物良好的稳定性。所述复合物的制备方法具有工序简单、适用于工业化生产的优点。所述复合物能够用于制备发光器件的空穴注入层，有效提高发光器件的发光效率和降低发光器件的开启电压，从而改善发光器件的工作性能。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为本申请实施例中提供的空穴注入层的制备方法的流程示意图。

图2为本申请实施例中提供的正置型量子点发光二极管的结构示意图。

图3为本申请实施例中提供的倒置型量子点发光二极管的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

除非另行定义，文中所使用的所有专业与科学用语与本领域技术人员所熟悉的意义相同。此外，任何与所记载内容相似或均等的方法及材料皆可应用于本发明中。文中所述的较佳实施方法与材料仅作示范之用，但不能限制本申请的内容。

需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。本申请的各个实施例可以以一个范围的型式存在；应当理解，以一范围型式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本发明范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。例如，应当认为从1到6的范围描述已经具体公开子范围，例如从1到3，从1到4，从1到5，从2到4，从2到6，从3到6等，以及所数范围内的单一数字，例如1、2、3、4、5及6，此不管范围为何皆适用。另外，每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。

本申请实施例提供了一种复合物，所述复合物包括基质材料和掺杂材料，其中，基质材料作为电子供体，掺杂材料作为电子受体。基质材料包括聚(3,4-乙烯二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸盐)，聚(3,4-乙烯二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸盐)即为PEDOT:PSS；掺杂材料包括化合物A，所述化合物A具有如下通式(Ⅰ)所示的结构：

在通式(Ⅰ)中，R

(1)R

(2)R

如本申请所用，“吸电子基团”是指对外表现正电场的基团。

如本申请所用，“共轭基团”是指具有共轭结构的基团，共轭结构例如可以是共轭π键，共轭基团可以是线性结构，也可以是非线性结构，例如共轭基团为环状结构。

如本申请所用，“烷基”可以是未发生取代的烷基，也可以是一个位置或多个位置的氢原子经由取代基取代的烷基，并允许多重取代，取代基包括但不限于是卤素原子，取代基不能是烷氧基、酯基或烷酰胺基等表现为供电子特性的基团。

需要说明的是，基质材料包括但不限于是PEDOT:PSS，但基质材料为PEDOT:PSS即可实现本申请的发明目的。同理，掺杂材料包括但不限于是化合物A，但掺杂材料为化合物A即可实现本申请的发明目的。

PEDOT:PSS与化合物A会结合形成化合物PEDOT:PSS-A，PEDOT:PSS-A具有如下通式(Ⅱ)所示的结构：

相较于PEDOT:PSS，PEDOT:PSS-A的导电性能更佳，原因在于：一方面，化合物A含有共轭基团，而聚(3,4-乙烯二氧噻吩)主链和共轭基团之间的分子内电荷转移和分子间聚集作用有利于提高复合物的导电率；另一方面，化合物A与PSS相结合，形成的PSS-A片段的分子间堆积作用力较强，从而促进PEDOT与PSS的部分解离和线型排列，提高了PEDOT链的聚集规整程度，进而提升了PEDOT:PSS的功函数与电导率。

在本申请的一些实施例中，共轭基团选自芳基和/或杂芳基。由于芳基和杂芳基均具有较大的空间位阻，所以有利于进一步地分离PEDOT与PSS，从而进一步地提高了复合物的导电率。

如本申请所用，“芳基”是指芳族碳环基，芳基可以具有单个环或多个稠环，例如芳基具有6至20个碳原子，又如芳基具有6至14个碳原子，又如芳基具有6至10个碳原子。在本申请的一些实施例中，芳基可以是未取代的。在本申请的另一些实施例中，芳基上的一个氢原子或多个氢原子任选地被其他基团取代，其他基团例如可以是烷基、卤素等，允许存在多重取代度。芳基例如可以是苯基、萘基等。

如本申请所用，“杂芳基”是指芳族碳环基中一个或多个碳原子独立地被一个或多个杂原子(例如N、O、P和/或S)替代。例如杂芳基具有3至20个碳原子，又如杂芳基具有5至15个碳原子，又如杂芳基具有5至9个碳原子。在本申请的一些实施例中，杂芳基可以是未取代的。在本申请的另一些实施例中，杂芳基上的一个氢原子或多个氢原子任选地被其他基团取代，其他基团例如可以是烷基、卤素等，允许存在多重取代度。杂芳基例如可以是吡咯基、吡啶基等。

在本申请的一些实施例中，共轭基团选自苯基、萘基、吡咯基以及吡啶基中的一种或多种。

在本申请的一些实施例中，吸电子基团选自羟基、硝基、氰基、羧基、酰基、磺酸基、羰基、卤素原子以及芳基中的一种或多种。

在本申请的一些实施例中，R

其中，R

在本申请的一些实施例中，R

其中，Y选自卤素原子或羟基。进一步地，R

在本申请的一些实施例中，化合物A为邻氯苯胺、4-甲酰苯胺、邻羟基苯胺或苯甲脒。

在本申请的一些实施例中，在复合物中，基质材料：掺杂材料的摩尔比为1：(0.1～0.5)。复合物中掺杂材料的含量过高或过低，均对复合物的导电性能改善效果有限。

本申请实施例还提供了一种复合物的制备方法，如图1所示，所述复合物的制备方法包括如下步骤：

S1、提供包含掺杂材料的溶液和包含基质材料的溶液，将包含掺杂材料的溶液与包含基质材料的溶液相混合，混合获得混合液；

S2、提供基板，将步骤S1的混合液施加于基板的一侧，获得湿膜；

S3、对步骤S2的湿膜进行干燥处理，获得复合物。

需要说明的是，在步骤S1中，基质材料包括PEDOT:PSS，掺杂材料包括化合物A，化合物A具有如通式(Ⅰ)所示的结构。

在本申请的一些实施例中，步骤S1中所述包含掺杂材料的溶液的制备方法包括步骤：将掺杂材料溶于有机溶剂，获得包含掺杂材料的溶液。

在本申请的一些实施例中，所述包含掺杂材料的溶液的溶剂为甲醇、乙醇、丁醇、乙二醇以及N,N-二甲基甲酰胺中的一种或多种。

在本申请的一些实施例中，在混合液中，基质材料：掺杂材料的摩尔比为1：(0.1～0.5)。

需要说明的是，在步骤S1中，包含掺杂材料的溶液与包含基质材料的溶液互溶性良好。包含基质材料的溶液可以是商购产品，也可以自行制备，例如：包含基质材料的溶液为商购的PEDOT:PSS水溶液。

在步骤S2中，采用溶液法将步骤S1的混合液施加于基板的一侧，溶液法包括但不限于是旋涂、涂布、喷墨打印、刮涂、浸渍提拉、浸泡、喷涂、滚涂或浇铸。“基板”可以是单层结构，也可以是多层结构，例如：基板包括衬底以及设置于衬底一侧的电极，空穴注入层形成于电极远离衬底的一侧。

在步骤S3中，“干燥处理”例如可以是退火处理，“退火处理”包括所有能使湿膜获得更高能量，从而由湿膜状态转变为干膜状态的处理工序，例如“退火处理”可以仅指热处理工艺，即将湿膜加热至特定温度，然后保持特定时间以使湿膜中的溶剂充分挥发，从而形成干膜状态的复合物；又如“退火处理”还可以包括依序进行的热处理工艺和冷却工艺，即将湿膜加热至特定温度，然后保持特定时间以使湿膜中的溶剂充分挥发，再以适宜的速度冷却以消除残余应力，从而减少复合物变形与裂纹的风险。

本申请实施例还提供了一种发光器件，发光器件包括阳极、阴极、发光层以及空穴注入层，阴极与阳极相对设置，发光层设置于阳极与阴极之间，空穴注入层设置于阳极与发光层之间，空穴注入层的材料包括本申请实施例中所述的复合物或本申请实施例中所述复合物的制备方法制得复合物。

在本申请的一些实施例中，发光器件为量子点发光二极管。量子点发光二极管可以是正置型结构，也可以是倒置型结构。

作为示例，发光器件为正置型量子点发光二极管，如图2所示，在由下至上的方向上，正置型量子点发光二极管1包括依次层叠设置的衬底11、阳极12、空穴注入层13、空穴传输层14、量子点发光层15、电子传输层16以及阴极17，其中，空穴注入层13的材料包括本申请实施例中任意一种所述的复合物，复合物包括作为电子供体的基质材料和作为电子受体的掺杂材料，基质材料包括PEDOT:PSS，掺杂材料包括具有通式(Ⅰ)所示结构的化合物A。

作为示例，发光器件为倒置型量子点发光二极管，如图3所示，在由下至上的方向上，倒置型量子点发光二极管1包括依次层叠设置的衬底11、阴极17、电子传输层16、量子点发光层15、空穴传输层14、空穴注入层13和阳极12，其中，空穴注入层13的材料包括本申请实施例中任意一种所述的复合物，复合物包括作为电子供体的基质材料和作为电子受体的掺杂材料，基质材料包括PEDOT:PSS，掺杂材料包括具有通式(Ⅰ)所示结构的化合物A。

除了空穴注入层，量子点发光二极管中其他层的材料可以是本领域常见的材料，例如：

衬底11例如可以是刚性衬底，材料为玻璃；衬底例如还可以是柔性衬底，材料为聚酰亚胺。

空穴传输层14的材料例如可以是聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、3-己基取代聚噻吩)、聚(9-乙烯咔唑)、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、4,4',4'-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、聚(N,N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、石墨烯以及C60中的一种或多种。空穴传输层14的厚度例如可以是20nm至50nm。

量子点发光层15的材料为量子点，量子点可以是红色量子点、绿色量子点以及蓝色量子点中的至少一种，量子点可以选自但不限于是单一结构量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点以及有机-无机杂化钙钛矿量子点的至少一种。对于单一结构量子点，量子点包括但不限于是II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物的至少一种，II-VI族化合物例如可以是CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe以及CdZnSTe中的至少一种，III-V族化合物例如可以是InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP以及InAlNP中的至少一种，I-III-VI族化合物例如可以是自CuInS

电子传输层16的材料例如可以纳米金属氧化物或掺杂的纳米金属氧化物，纳米金属氧化物包括但不限于是ZnO、TiO

阳极12和阴极17的材料包括但不限于是金属、碳材料以及金属氧化物中的一种或多种，金属例如可以是Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca以及Mg中的一种或多种；碳材料例如可以是石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的一种或多种；金属氧化物可以是掺杂或非掺杂金属氧化物，包括ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的一种或多种，也包括掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，复合电极包括但不限于是AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO

可以理解的是，量子点发光二极管还可以包括其他功能层，如电子传输层和阴极之间还可以设置电子注入层，又如空穴传输层和量子点发光层之间还可以设置电子阻挡层，又如电子传输层和量子点发光层之间还可以设置空穴阻挡层。

本申请实施例还提供了一种光电器件的制备方法，包括制备空穴注入层的步骤，采用步骤S1至步骤S3所示的制备方法制备空穴注入层。

作为示例，一种正置型量子点发光二极管的制备方法包括如下步骤：

S10、提供衬底，在衬底的一侧制备形成阳极；

S20、将包含掺杂材料的溶液与包含基质材料的溶液相混合以获得混合液，然后将混合液施加于步骤S10的阳极远离衬底的一侧，形成空穴注入湿膜，再对空穴注入湿膜进行干燥处理，获得空穴注入层；

S30、在步骤S20的空穴注入层远离阳极的一侧制备形成空穴传输层；

S40、在步骤S30的空穴传输层远离空穴注入层的一侧制备形成量子点发光层；

S50、在步骤S40的量子点发光层远离空穴传输层的一侧制备形成电子传输层；

S60、在步骤S50的电子传输层远离量子点发光层的一侧制备形成阴极。

作为示例，一种倒置型量子点发光二极管的制备方法包括如下步骤：

S100、提供衬底，在衬底的一侧制备形成阴极；

S200、在步骤S100的阴极远离衬底的一侧制备形成电子传输层；

S300、在步骤S200的电子传输层远离阴极的一侧制备形成量子点发光层；

S400、在步骤S300的量子点发光层远离电子传输层的一侧制备形成空穴传输层；

S500、将包含掺杂材料的溶液与包含基质材料的溶液相混合以获得混合液，然后将混合液施加于步骤S400的空穴传输层远离量子点发光层的一侧，形成空穴注入湿膜，再对空穴注入湿膜进行干燥处理，获得空穴注入层；

S600、在步骤S500的空穴注入层远离空穴传输层的一侧制备形成阳极。

需要说明的是，阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极的制备方法包括但不限于是溶液法和沉积法，其中，溶液法包括但不限于是旋涂、涂布、喷墨打印、刮涂、浸渍提拉、浸泡、喷涂、滚涂或浇铸；沉积法包括化学法和物理法，化学法包括但不限于是化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法或共沉淀法，物理法包括但不限于是热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法或脉冲激光沉积法。当采用溶液法制备阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极时，需增设干燥处理工序。

可以理解的是，量子点发光二极管的制备方法还可以包括封装步骤，封装材料可以是丙烯酸树脂或环氧树脂，封装可以是机器封装或手动封装，进行封装步骤的环境中氧气和水的浓度均低于0.1ppm。

下面通过具体实施例、对比例和实验例对本申请的技术方案及技术效果进行详细说明，以下实施例仅仅是本申请的部分实施例，并非对本申请作出具体限定。

实施例1

本实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管为正置型结构，结构组成如图2所示，在由下至上的方向上，本实施例的量子点发光二极管1包括依次层叠设置的衬底11、阳极12、空穴注入层13、空穴传输层14、量子点发光层15、电子传输层16以及阴极17，量子点发光二极管中各个层结构的材料与厚度分别为：

衬底11的材料为玻璃，衬底11的厚度为2mm。

阳极12的材料为ITO，阳极12的厚度为50nm。

空穴注入层13的材料由基质材料和掺杂材料组成，其中，基质材料为PEDOT:PSS，掺杂材料为邻氯苯胺，在空穴注入层13中，基质材料：掺杂材料的摩尔比为1：0.3，空穴注入层13的厚度为50nm。

空穴传输层14的材料为TFB，空穴传输层14的厚度为30nm。

量子点发光层15的材料为蓝色量子点CdZnSe，量子点发光层15的厚度为30nm。

电子传输层16的材料为粒径为10nm的纳米氧化锌，电子传输层16的厚度为30nm。

阴极17的材料为铝，阴极17的厚度为100nm。

本实施例中量子点发光二极管的制备方法包括如下步骤：

S1.1、提供衬底，在衬底的一侧溅射ITO以获得ITO层，然后用清洁剂清洗ITO层和衬底，随后将包含ITO层的衬底依次采用去离子水超声清洗20min、丙酮超声清洗20min、无水乙醇超声清洗20min以及去离子水超声清洗20min，高纯氮气吹干获得阳极；

S1.2、将邻氯苯胺溶于乙二醇中以制得浓度为0.5mol/L的邻氯苯胺-乙二醇溶液，然后将邻氯苯胺-乙二醇溶液与PEDOT:PSS水溶液相混合以制得混合液，混合液中PEDOT:PSS与邻氯苯胺的摩尔比为1：0.3，再将混合液旋涂于步骤S1.1的阳极远离衬底的一侧，随后置于150℃下热处理30min，获得空穴注入层；

S1.3、在步骤S1.2的空穴注入层远离阳极的一侧旋涂浓度为10mg/mL的TFB-氯苯溶液，然后置于150℃下热处理30min，获得空穴传输层；

S1.4、在步骤S1.3的空穴传输层远离空穴注入层的一侧旋涂浓度为20mg/mL的CdZnSe-正辛烷溶液，然后置于80℃下热处理30min，获得量子点发光层；

S1.5、在步骤S1.4的量子点发光层远离空穴传输层一侧旋涂浓度为30mg/mL的纳米氧化锌-乙醇溶液，然后置于80℃下热处理30min，获得电子传输层；

S1.6、在步骤S1.5的电子传输层远离量子点发光层的一侧蒸镀铝，获得阴极。

实施例2

本实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，相较于实施例1的量子点发光二极管，本实施例的量子点发光二极管的区别之处仅在于：在空穴注入层中，基质材料：掺杂材料的摩尔比为1：0.1。

相较于实施例1中量子点发光二极管的制备方法，本实施例中量子点发光二极管的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.2替换为“将邻氯苯胺溶于乙二醇中以制得浓度为1mol/L的邻氯苯胺-乙二醇溶液，然后将邻氯苯胺-乙二醇溶液与PEDOT:PSS水溶液相混合以制得混合液，混合液中PEDOT:PSS与邻氯苯胺的摩尔比为1：0.1，再将混合液旋涂于步骤S1.1的阳极远离衬底的一侧，随后置于150℃下热处理30min，获得空穴注入层”。

实施例3

本实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，相较于实施例1的量子点发光二极管，本实施例的量子点发光二极管的区别之处仅在于：在空穴注入层中，基质材料：掺杂材料的摩尔比为1：0.5。

相较于实施例1中量子点发光二极管的制备方法，本实施例中量子点发光二极管的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.2替换为“将邻氯苯胺溶于乙二醇中以制得浓度为1mol/L的邻氯苯胺-乙二醇溶液，然后将邻氯苯胺-乙二醇溶液与PEDOT:PSS水溶液相混合以制得混合液，混合液中PEDOT:PSS与邻氯苯胺的摩尔比为1：0.5，再将混合液旋涂于步骤S1.1的阳极远离衬底的一侧，随后置于150℃下热处理30min，获得空穴注入层”。

实施例4

本实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，相较于实施例1的量子点发光二极管，本实施例的量子点发光二极管的区别之处仅在于：在空穴注入层中，基质材料：掺杂材料的摩尔比为1：0.05。

相较于实施例1中量子点发光二极管的制备方法，本实施例中量子点发光二极管的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.2替换为“将邻氯苯胺溶于乙二醇中以制得浓度为1mol/L的邻氯苯胺-乙二醇溶液，然后将邻氯苯胺-乙二醇溶液与PEDOT:PSS水溶液相混合以制得混合液，混合液中PEDOT:PSS与邻氯苯胺的摩尔比为1：0.05，再将混合液旋涂于步骤S1.1的阳极远离衬底的一侧，随后置于150℃下热处理30min，获得空穴注入层”。

实施例5

本实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，相较于实施例1的量子点发光二极管，本实施例的量子点发光二极管的区别之处仅在于：在空穴注入层中，基质材料：掺杂材料的摩尔比为1：1。

相较于实施例1中量子点发光二极管的制备方法，本实施例中量子点发光二极管的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.2替换为“将邻氯苯胺溶于乙二醇中以制得浓度为1mol/L的邻氯苯胺-乙二醇溶液，然后将邻氯苯胺-乙二醇溶液与PEDOT:PSS水溶液相混合以制得混合液，混合液中PEDOT:PSS与邻氯苯胺的摩尔比为1：1，再将混合液旋涂于步骤S1.1的阳极远离衬底的一侧，随后置于150℃下热处理30min，获得空穴注入层”。

实施例6

本实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，相较于实施例1的量子点发光二极管，本实施例的量子点发光二极管的区别之处仅在于：将空穴注入层中的掺杂材料替换为“4-甲酰苯胺”，且基质材料：掺杂材料的摩尔比为1：0.3。

相较于实施例1中量子点发光二极管的制备方法，本实施例中量子点发光二极管的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.2替换为“将4-甲酰苯胺溶于乙二醇中以制得浓度为1mol/L的4-甲酰苯胺-乙二醇溶液，然后将4-甲酰苯胺-乙二醇溶液与PEDOT:PSS水溶液相混合以制得混合液，混合液中PEDOT:PSS与4-甲酰苯胺的摩尔比为1：0.3，再将混合液旋涂于步骤S1.1的阳极远离衬底的一侧，随后置于150℃下热处理30min，获得空穴注入层”。

实施例7

本实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，相较于实施例1的量子点发光二极管，本实施例的量子点发光二极管的区别之处仅在于：将空穴注入层中的掺杂材料替换为“4-甲酰苯胺”，且基质材料：掺杂材料的摩尔比为1：0.1。

相较于实施例1中量子点发光二极管的制备方法，本实施例中量子点发光二极管的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.2替换为“将4-甲酰苯胺溶于乙二醇中以制得浓度为1mol/L的4-甲酰苯胺-乙二醇溶液，然后将4-甲酰苯胺-乙二醇溶液与PEDOT:PSS水溶液相混合以制得混合液，混合液中PEDOT:PSS与4-甲酰苯胺的摩尔比为1：0.1，再将混合液旋涂于步骤S1.1的阳极远离衬底的一侧，随后置于150℃下热处理30min，获得空穴注入层”。

实施例8

本实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，相较于实施例1的量子点发光二极管，本实施例的量子点发光二极管的区别之处仅在于：将空穴注入层中的掺杂材料替换为“4-甲酰苯胺”，且基质材料：掺杂材料的摩尔比为1：0.5。

相较于实施例1中量子点发光二极管的制备方法，本实施例中量子点发光二极管的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.2替换为“将4-甲酰苯胺溶于乙二醇中以制得浓度为1mol/L的4-甲酰苯胺-乙二醇溶液，然后将4-甲酰苯胺-乙二醇溶液与PEDOT:PSS水溶液相混合以制得混合液，混合液中PEDOT:PSS与4-甲酰苯胺的摩尔比为1：0.5，再将混合液旋涂于步骤S1.1的阳极远离衬底的一侧，随后置于150℃下热处理30min，获得空穴注入层”。

实施例9

本实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，相较于实施例1的量子点发光二极管，本实施例的量子点发光二极管的区别之处仅在于：将空穴注入层中的掺杂材料替换为“4-甲酰苯胺”，且基质材料：掺杂材料的摩尔比为1：0.05。

相较于实施例1中量子点发光二极管的制备方法，本实施例中量子点发光二极管的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.2替换为“将4-甲酰苯胺溶于乙二醇中以制得浓度为1mol/L的4-甲酰苯胺-乙二醇溶液，然后将4-甲酰苯胺-乙二醇溶液与PEDOT:PSS水溶液相混合以制得混合液，混合液中PEDOT:PSS与4-甲酰苯胺的摩尔比为1：0.05，再将混合液旋涂于步骤S1.1的阳极远离衬底的一侧，随后置于150℃下热处理30min，获得空穴注入层”。

实施例10

本实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，相较于实施例1的量子点发光二极管，本实施例的量子点发光二极管的区别之处仅在于：将空穴注入层中的掺杂材料替换为“4-甲酰苯胺”，且基质材料：掺杂材料的摩尔比为1：1。

相较于实施例1中量子点发光二极管的制备方法，本实施例中量子点发光二极管的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.2替换为“将4-甲酰苯胺溶于乙二醇中以制得浓度为1mol/L的4-甲酰苯胺-乙二醇溶液，然后将4-甲酰苯胺-乙二醇溶液与PEDOT:PSS水溶液相混合以制得混合液，混合液中PEDOT:PSS与4-甲酰苯胺的摩尔比为1：1，再将混合液旋涂于步骤S1.1的阳极远离衬底的一侧，随后置于150℃下热处理30min，获得空穴注入层”。

实施例11

本实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，相较于实施例1的量子点发光二极管，本实施例的量子点发光二极管的区别之处仅在于：将空穴注入层中的掺杂材料替换为“苯甲脒”，且基质材料：掺杂材料的摩尔比为1：0.3。

相较于实施例1中量子点发光二极管的制备方法，本实施例中量子点发光二极管的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.2替换为“将苯甲脒溶于N,N-二甲基甲酰胺(DMF)中以制得浓度为1mol/L的苯甲脒-DMF溶液，然后将苯甲脒-DMF溶液与PEDOT:PSS水溶液相混合以制得混合液，混合液中PEDOT:PSS与苯甲脒的摩尔比为1：0.3，再将混合液旋涂于步骤S1.1的阳极远离衬底的一侧，随后置于150℃下热处理30min，获得空穴注入层”。

实施例12

本实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，相较于实施例1的量子点发光二极管，本实施例的量子点发光二极管的区别之处仅在于：将空穴注入层中的掺杂材料替换为“苯甲脒”，且基质材料：掺杂材料的摩尔比为1：0.1。

相较于实施例1中量子点发光二极管的制备方法，本实施例中量子点发光二极管的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.2替换为“将苯甲脒溶于N,N-二甲基甲酰胺(DMF)中以制得浓度为1mol/L的苯甲脒-DMF溶液，然后将苯甲脒-DMF溶液与PEDOT:PSS水溶液相混合以制得混合液，混合液中PEDOT:PSS与苯甲脒的摩尔比为1：0.1，再将混合液旋涂于步骤S1.1的阳极远离衬底的一侧，随后置于150℃下热处理30min，获得空穴注入层”。

实施例13

本实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，相较于实施例1的量子点发光二极管，本实施例的量子点发光二极管的区别之处仅在于：将空穴注入层中的掺杂材料替换为“苯甲脒”，且基质材料：掺杂材料的摩尔比为1：0.5。

相较于实施例1中量子点发光二极管的制备方法，本实施例中量子点发光二极管的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.2替换为“将苯甲脒溶于N,N-二甲基甲酰胺(DMF)中以制得浓度为1mol/L的苯甲脒-DMF溶液，然后将苯甲脒-DMF溶液与PEDOT:PSS水溶液相混合以制得混合液，混合液中PEDOT:PSS与苯甲脒的摩尔比为1：0.5，再将混合液旋涂于步骤S1.1的阳极远离衬底的一侧，随后置于150℃下热处理30min，获得空穴注入层”。

实施例14

本实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，相较于实施例1的量子点发光二极管，本实施例的量子点发光二极管的区别之处仅在于：将空穴注入层中的掺杂材料替换为“苯甲脒”，且基质材料：掺杂材料的摩尔比为1：0.05。

相较于实施例1中量子点发光二极管的制备方法，本实施例中量子点发光二极管的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.2替换为“将苯甲脒溶于N,N-二甲基甲酰胺(DMF)中以制得浓度为1mol/L的苯甲脒-DMF溶液，然后将苯甲脒-DMF溶液与PEDOT:PSS水溶液相混合以制得混合液，混合液中PEDOT:PSS与苯甲脒的摩尔比为1：0.05，再将混合液旋涂于步骤S1.1的阳极远离衬底的一侧，随后置于150℃下热处理30min，获得空穴注入层”。

实施例15

本实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，相较于实施例1的量子点发光二极管，本实施例的量子点发光二极管的区别之处仅在于：将空穴注入层中的掺杂材料替换为“苯甲脒”，且基质材料：掺杂材料的摩尔比为1：1。

相较于实施例1中量子点发光二极管的制备方法，本实施例中量子点发光二极管的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.2替换为“将苯甲脒溶于N,N-二甲基甲酰胺(DMF)中以制得浓度为1mol/L的苯甲脒-DMF溶液，然后将苯甲脒-DMF溶液与PEDOT:PSS水溶液相混合以制得混合液，混合液中PEDOT:PSS与苯甲脒的摩尔比为1：1，再将混合液旋涂于步骤S1.1的阳极远离衬底的一侧，随后置于150℃下热处理30min，获得空穴注入层”。

对比例1

本对比例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，相较于实施例1的量子点发光二极管，本对比例的量子点发光二极管的区别之处仅在于：空穴注入层的材料为未掺杂的PEDOT:PSS。

相较于实施例1中量子点发光二极管的制备方法，本实施例中量子点发光二极管的制备方法的区别之处仅在于：将步骤S1.2替换为“将PEDOT:PSS水溶液旋涂于步骤S1.1的阳极远离衬底的一侧，随后置于150℃下热处理30min，获得空穴注入层”。

实验例

采用外部量子效率光学测试仪器对实施例1至实施例15以及对比例1的量子点发光二极管进行性能检测，性能测试的项目为：最大外量子效率(EQEmax,％)和开启电压(VT,V)，性能测试结果详见下表1：

表1实施例1至实施例15以及对比例1的量子点发光二极管的性能检测结果

由表1可知，相较于对比例1的量子点发光二极管，实施例1至实施例15的量子点发光二极管的综合性能具有明显的优势，以实施例1的量子点发光二极管为例，实施例1的量子点发光二极管的EQEmax是对比例的量子点发光二极管的2.35倍，且实施例1的量子点发光二极管的开启电压仅为对比例的量子点发光二极管的36％，充分说明本申请实施例的空穴注入层有利于改善量子点发光二极管的工作性能。

由实施例1至实施例5、实施例6至实施例10以及实施例11至实施例15可知，在空穴注入层中，当基质材料：掺杂材料的摩尔比为1：(0.1～0.5)时，对量子点发光二极管的工作性能改善效果显著。空穴注入层中掺杂材料的含量过高或过低，均对量子点发光二极管的工作性能改善效果有限。

以上对本申请实施例所提供的一种复合物、复合物的制备方法及发光器件，进行了详细介绍。本文中使用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的脱离本申请各实施例的技术方案的范围。