显示装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2022年10月7日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0128576号韩国专利申请以及于2023年2月27日在韩国知识产权局提交的第10-2023-0026025号韩国专利申请的优先权和权益，上述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

本公开涉及一种显示装置。

背景技术

随着信息社会的发展，对用于显示图像的显示装置的需求正以各种形式增加。例如，显示装置被应用于诸如智能电话、数码相机、笔记本计算机、导航装置和智能电视机的各种电子装置。

显示装置可以包括发射用于显示图像的光的显示面板以及供应用于驱动显示面板的信号或电力的驱动器。

显示装置的至少一个表面可以被称为其上可以显示图像的显示表面。显示表面可以包括其中设置有发射用于显示图像的光的发射区域的显示区域以及设置在显示区域周围的非显示区域。

显示装置可以包括设置在显示区域中并且将数据信号传输到分别与发射区域对应的像素驱动器的数据线以及将数据信号分别供应到数据线的显示驱动电路。

将理解的是，本背景技术部分旨在部分地提供用于理解技术的有用背景。然而，本背景技术部分还可以包括不作为在本文中公开的主题的相应有效申请日之前由相关领域的技术人员已知或理解的一部分的思想、构思或认知。

发明内容

显示装置可以包括分别电连接到显示驱动电路的输出端子并且设置在非显示区域中的数据供应线。在数据供应线分别电连接到数据线的情况下，因为为了增大尺寸或改善分辨率，数据供应线的数量随着数据线的数量增加而增加，所以难以减小非显示区域的宽度。

在其它实施例中，如果为了增加显示区域在显示装置的显示表面中的比例而减小非显示区域的宽度，则数据供应线之间的距离减小，因此导致短路缺陷。

本公开的方面提供了一种显示装置，其中可以减小非显示区域的宽度，而不降低分辨率或导致短路缺陷。

然而，本公开的方面不限制于在本文中阐述的一个方面。通过参考下面给出的对本公开的详细描述，本公开的以上和其它方面对于本公开所属领域的普通技术人员而言将变得更加明显。

根据本公开的方面，提供了一种显示装置，所述显示装置可以包括基底，包括：主区域，包括包含多个发射区域的显示区域以及设置在所述显示区域周围的非显示区域；以及子区域，从所述主区域的一侧突出。所述显示装置可以包括：电路层，设置在所述基底上；以及发光元件层，设置在所述电路层上并且包括在所述多个发射区域中的多个发光元件。所述电路层可以包括：多个像素驱动器，与所述多个发射区域对应并且电连接到所述多个发光元件；多条数据线，将多个数据信号传输到所述多个像素驱动器；多条第一虚设线，设置在所述显示区域中并且在与所述多条数据线交叉的第一方向上延伸；以及多条第二虚设线，在与所述多条数据线平行的第二方向上延伸，并且在所述第一方向上的一侧上邻近所述多条数据线。多个过孔之中的所述多条第一虚设线和所述多条第二虚设线电连接所经由的过孔子集可以与所述多个发射区域中的一个重叠，并且所述多个过孔之中的另一过孔子集可以设置于在所述多个发射区域之间的非发射区域中。

所述显示装置还可以包括：显示驱动电路，设置在所述子区域中在所述基底上，并且供应与所述电路层的所述多条数据线的所述多个数据信号对应的多个数据驱动信号。所述电路层还可以包括：多个多路输出选择器(demultiplexer)(解复用器(demux))电路，设置在与所述子区域相邻的所述非显示区域的解复用器区域中，并且所述多个解复用器电路电连接在所述显示驱动电路和所述多条数据线之间。所述多个解复用器电路中的一者可以包括：输入端子，电连接到所述显示驱动电路；以及第一输出端子和第二输出端子，分别电连接到所述多条数据线中的两条。

所述解复用器区域可以包括：解复用器中间区域，位于中间；第一解复用器侧区域，与所述基底的边缘的弯折部分相邻；以及第二解复用器侧区域，设置在所述解复用器中间区域和所述第一解复用器侧区域之间。所述多个解复用器电路可以包括：第一解复用器电路，设置在所述第一解复用器侧区域中；以及第二解复用器电路，设置在所述第二解复用器侧区域中。所述电路层还可以包括电连接到所述显示驱动电路的多个输出端子的多条数据供应线。所述多条数据供应线之中的第一数据供应线可以从所述子区域延伸到所述第二解复用器侧区域，并且可以经由设置在所述显示区域中的输入迂回线电连接到所述第一解复用器电路的输入端子，并且所述多条数据供应线之中的第二数据供应线可以从所述子区域延伸到所述第二解复用器侧区域，并且可以电连接到所述第二解复用器电路的输入端子。

所述显示区域的与所述解复用器区域相邻的解复用器相邻区域可以包括：显示中间区域，与所述解复用器中间区域相邻；第一显示侧区域，与所述第一解复用器侧区域相邻；以及第二显示侧区域，与所述第二解复用器侧区域相邻。所述输入迂回线可以包括：第一迂回线，设置在所述第二显示侧区域中，在所述第二方向上延伸并且电连接到所述第一数据供应线；第二迂回线，设置在所述第二显示侧区域和所述第一显示侧区域中，所述第二迂回线在所述第一方向上延伸并且电连接到所述第一迂回线；以及第三迂回线，设置在所述第一显示侧区域中，在所述第二方向上朝向所述第一解复用器侧区域延伸，并且电连接到所述第二迂回线。所述多条第一虚设线可以包括所述第二迂回线，并且所述多条第二虚设线包括所述第一迂回线和所述第三迂回线。

所述电路层还可以包括第一电源线和第二电源线，设置在所述子区域和所述非显示区域中，并且分别传输用于驱动所述多个发光元件的第一电力和第二电力；以及多条第一电力辅助线，设置在所述显示区域中，在所述第一方向上延伸并且电连接到所述第一电源线。所述多条第一虚设线还可以包括电连接到所述第二电源线的多条第一辅助线。所述多条第二虚设线还可以包括电连接到所述第二电源线的多条第二辅助线。

所述显示区域还可以包括在所述第二方向上设置在所述解复用器相邻区域和所述非显示区域之间的通用区域。所述通用区域可以包括：通用中间区域，与所述显示中间区域相邻；第一通用侧区域，与所述第一显示侧区域相邻；以及第二通用侧区域，与所述第二显示侧区域相邻。所述第一迂回线可以在所述第一数据供应线和所述第二迂回线之间在所述第二方向上延伸，所述第二迂回线可以在所述第一迂回线和所述第三迂回线之间在所述第一方向上延伸，并且所述第三迂回线可以在所述第一解复用器侧区域和所述第二迂回线之间在所述第二方向上延伸。所述多条第二辅助线可以包括：多条通用辅助线，在所述显示区域的在所述第二方向上的两端部之间延伸；第一延伸辅助线，与所述第一迂回线的在所述第二方向上的端部间隔开，并且延伸到所述第二通用侧区域；以及第二延伸辅助线，与所述第三迂回线的在所述第二方向上的端部间隔开，并且延伸到所述第一通用侧区域。

所述多条数据线可以包括：第一数据线和第二数据线，分别电连接到所述第一解复用器电路的第一输出端子和第二输出端子，并且设置在所述第一显示侧区域和所述第一通用侧区域中；以及第三数据线和第四数据线，分别电连接到所述第二解复用器电路的第一输出端子和第二输出端子，并且设置在所述第二显示侧区域和所述第二通用侧区域中。所述第一数据线和所述第三数据线中的每一者可以在所述第一方向上的所述一侧上邻近所述多条通用辅助线中的一者，所述第二数据线可以在所述第一方向上的所述一侧上邻近所述第三迂回线和所述第二延伸辅助线，并且所述第四数据线可以在所述第一方向上的所述一侧上邻近所述第一迂回线和所述第一延伸辅助线。

所述多个过孔可以包括：第一迂回连接孔，所述第一迂回线和所述第二迂回线经由所述第一迂回连接孔电连接；第二迂回连接孔，所述第二迂回线和所述第三迂回线经由所述第二迂回连接孔电连接；以及多个辅助连接孔，所述多条第一辅助线和所述多条第二辅助线可以经由所述多个辅助连接孔电连接。

所述多个辅助连接孔可以包括与所述多个通用辅助线重叠的多个第一辅助连接孔，所述第一迂回连接孔和所述第二迂回连接孔可以设置在所述非发射区域中，并且所述多个第一辅助连接孔中的每一者可以与所述发射区域中的一个重叠。

所述多个辅助连接孔还可以包括：第二辅助连接孔，设置在所述第一通用侧区域中并且与所述第二延伸辅助线重叠；以及第三辅助连接孔，设置在所述第二通用侧区域中并且与所述第一延伸辅助线重叠。所述第二辅助连接孔和所述第三辅助连接孔可以设置在所述非发射区域中。

所述第一延伸辅助线和所述第二延伸辅助线可以在所述非显示区域中电连接到所述第二电源线。

所述多个辅助连接孔可以包括与所述多条通用辅助线重叠的多个第一辅助连接孔，所述第一迂回连接孔和所述第二迂回连接孔中的每一者可以与所述发射区域中的一者重叠，并且所述多个第一辅助连接孔可以设置在所述非发射区域中。

在所述第二方向上与相邻的第二迂回线分别重叠的第一迂回连接孔可以在与所述第一方向和所述第二方向交叉的第一斜线方向上设置。在所述第二方向上与和其相邻的第二迂回线分别重叠的第二迂回连接孔可以在与所述第一斜线方向对称的第二斜线方向上设置。

所述多个像素驱动器中的每一个可以经由数据连接孔电连接到所述多条数据线中的一者。所述第一数据线和所述第二数据线中的每一者可以包括：第一主延伸部分，在所述第二方向上延伸；以及第一子突起，从所述第一主延伸部分突出并且与所述数据连接孔重叠。所述多条通用辅助线之中的邻近所述第一数据线的通用辅助线可以包括：第二主延伸部分，在所述第二方向上延伸；第二子突起，从所述第二主延伸部分突出并且面对所述第一数据线的所述第一子突起；以及第三子突起，面对所述第一数据线的所述第一主延伸部分并且与所述多个辅助连接孔之中的一个第一辅助连接孔重叠。邻近所述第二数据线的所述第三迂回线可以包括：第三主延伸部分，在所述第二方向上延伸；第四子突起，从所述第三主延伸部分突出并且面对所述第二数据线的所述第一子突起；以及第五子突起，从所述第三主延伸部分突出，面对所述第二数据线的所述第一主延伸部分，并且与所述第二迂回连接孔重叠。

邻近所述第二数据线的所述第二延伸辅助线可以包括：第四主延伸部分，在所述第二方向上延伸；以及第六子突起，从所述第四主延伸部分突出并且面对所述第二数据线的所述第一子突起。所述第四主延伸部分可以在所述非显示区域中电连接到所述第二电源线。

邻近所述第二数据线的所述第二延伸辅助线还可以包括：第七子突起，从所述第四主延伸部分突出，面对所述第二数据线的所述第一主延伸部分，并且与所述多个辅助连接孔之中的另一辅助连接孔重叠。

根据本公开的方面，提供了一种显示装置，可以包括基底，包括：主区域，可以包括包含多个发射区域的显示区域以及设置在所述显示区域周围的非显示区域；以及子区域，从所述主区域的一侧突出。所述显示装置可以包括：电路层，设置在所述基底上；发光元件层，设置在所述电路层上并且包括在所述多个发射区域中的多个发光元件；以及显示驱动电路，设置在所述子区域中在所述基底上，并且供应与所述电路层的所述数据线的所述数据信号对应的数据驱动信号。所述电路层可以包括：多个像素驱动器，与所述多个发射区域对应并且电连接到所述多个发光元件；多条数据线，将多个数据信号传输到所述多个像素驱动器；多条第一虚设线，设置在所述显示区域中并且在与所述多条数据线交叉的第一方向上延伸；多条第二虚设线，在与所述多条数据线平行的第二方向上延伸，并且在所述第一方向上的一侧上邻近所述多条数据线；多个解复用器电路，设置在所述非显示区域的与所述子区域相邻的解复用器区域中；多条数据供应线，电连接到所述显示驱动电路的多个输出端子；第一电源线和第二电源线，设置在所述子区域和所述非显示区域中，并且分别传输用于驱动所述多个发光元件的第一电力和第二电力；以及多条第一电力辅助线，设置在所述显示区域中，在所述第一方向上延伸并且电连接到所述第一电源线。所述解复用器区域可以包括：解复用器中间区域，位于中间；第一解复用器侧区域，与所述基底的边缘的弯折部分相邻；以及第二解复用器侧区域，设置在所述解复用器中间区域和所述第一解复用器侧区域之间。所述显示区域的与所述解复用器区域相邻的解复用器相邻区域可以包括：显示中间区域，与所述解复用器中间区域相邻；第一显示侧区域，与所述第一解复用器侧区域相邻；以及第二显示侧区域，与所述第二解复用器侧区域相邻。所述多个解复用器电路可以包括：第一解复用器电路，设置在所述第一解复用器侧区域中；以及第二解复用器电路，设置在所述第二解复用器侧区域中。所述多条数据供应线之中的第一数据供应线可以从所述子区域延伸到所述第二解复用器侧区域，并且可以经由设置在所述显示区域中的输入迂回线电连接到所述第一解复用器电路的输入端子。所述多条数据供应线之中的第二数据供应线可以从所述子区域延伸到所述第二解复用器侧区域，并且可以电连接到所述第二解复用器电路的输入端子。所述输入迂回线可以包括：第一迂回线，设置在所述第二显示侧区域中，在所述第二方向上延伸并且电连接到所述第一数据供应线；第二迂回线，设置在所述第二显示侧区域和所述第一显示侧区域中，所述第二迂回线在所述第一方向上延伸并且电连接到所述第一迂回线；以及第三迂回线，设置在所述第一显示侧区域中，在所述第二方向上朝向所述第一解复用器侧区域延伸，并且电连接到所述第二迂回线。所述多条第一虚设线可以包括所述第二迂回线和多条第一辅助线。所述多条第二虚设线可以包括所述第一迂回线、所述第三迂回线以及多条第二辅助线。所述多条第一辅助线和所述多条第二辅助线可以电连接到所述第二电源线。所述第一迂回线和所述第二迂回线可以电连接所经由的第一迂回连接孔可以与所述多个发射区域中的一个重叠。所述第三迂回线和所述第二迂回线可以电连接所经由的第二迂回连接孔可以与所述发射区域中的另一者重叠。所述多条第一辅助线和所述多条第二辅助线可以电连接所经由的多个辅助连接孔可以设置于在所述发射区域之间的非发射区域中。

所述显示区域还可以包括在所述第二方向上设置在所述解复用器相邻区域和所述非显示区域之间的通用区域。所述通用区域可以包括：通用中间区域，与所述显示中间区域相邻；第一通用侧区域，与所述第一显示侧区域相邻；以及第二通用侧区域，与所述第二显示侧区域相邻。所述第一迂回线可以在所述第一数据供应线和所述第二迂回线之间在所述第二方向上延伸。所述第二迂回线可以在所述第一迂回线和所述第三迂回线之间在所述第一方向上延伸。所述第三迂回线可以在所述第一解复用器侧区域和所述第二迂回线之间在所述第二方向上延伸。所述多条第二辅助线可以包括：多条通用辅助线，在所述显示区域的在所述第二方向上的两端部之间延伸；第一延伸辅助线，与所述第一迂回线的在所述第二方向上的端部间隔开，并且延伸到所述第二通用侧区域；第二延伸辅助线，与所述第三迂回线的在所述第二方向上的端部间隔开，并且延伸到所述第一通用侧区域。所述多条数据线可以包括：第一数据线和第二数据线，电连接到所述第一解复用器电路，并且设置在所述第一显示侧区域和所述第一通用侧区域中；以及第三数据线和第四数据线，电连接到所述第二解复用器电路并且设置在所述第二显示侧区域和所述第二通用侧区域中。所述第一数据线和所述第三数据线中的每一者可以在所述第一方向上的所述一侧上邻近所述多条通用辅助线中的一者。所述第二数据线可以在所述第一方向上的所述一侧上邻近所述第三迂回线和所述第二延伸辅助线。所述第四数据线可以在所述第一方向上的所述一侧上邻近所述第一迂回线和所述第一延伸辅助线。

所述第一延伸辅助线和所述第二延伸辅助线可以在所述非显示区域中电连接到所述第二电源线。

所述多个像素驱动器中的每一个可以经由数据连接孔电连接到所述多条数据线中的一者。所述第一数据线和所述第二数据线中的每一者可以包括：第一主延伸部分，在所述第二方向上延伸；以及第一子突起，从所述第一主延伸部分突出并且与所述数据连接孔重叠。所述多条通用辅助线之中的邻近所述第一数据线的通用辅助线可以包括：第二主延伸部分，在所述第二方向上延伸；第二子突起，从所述第二主延伸部分突出并且面对所述第一数据线的所述第一子突起；以及第三子突起，面对所述第一数据线的所述第一主延伸部分并且与所述多个辅助连接孔中的一个第一辅助连接孔重叠。邻近所述第二数据线的所述第三迂回线可以包括：第三主延伸部分，在所述第二方向上延伸；第四子突起，从所述第三主延伸部分突出并且面对所述第二数据线的所述第一子突起；以及第五子突起，从所述第三主延伸部分突出，面对所述第二数据线的所述第一主延伸部分，并且与所述第二迂回连接孔重叠。邻近所述第二数据线的所述第二延伸辅助线可以包括：第四主延伸部分，在所述第二方向上延伸；以及第六子突起，从所述第四主延伸部分突出并且面对所述第二数据线的所述第一子突起。所述第四主延伸部分可以在所述非显示区域中电连接到所述第二电源线。

本公开的效果不限于上述效果，并且各种其它效果被包括在说明书中。

附图说明

根据以下结合附图对实施例的描述，这些和/或其它方面将变得明显并且更容易理解，在附图中：

图1是根据实施例的显示装置的示意性透视图；

图2是图1的显示装置的示意性平面图；

图3是沿着图2的线A-A'切割的平面的示例的示意性截面图；

图4是图1的显示装置的主区域和子区域的示意性平面图；

图5是图4的部分B的示例的示意性平面图；

图6是示出设置在图4和图5的部分C中的数据线、第一虚设线、第二虚设线和第一电力辅助线的示例的示意性平面图；

图7是图5的第一多路输出选择器(解复用器)电路单元的示例的等效电路的示意图；

图8是示出图7的数据驱动信号和解复用器控制信号的示意性时序图；

图9是电路层的像素驱动器的示例的等效电路的示意图；

图10是设置在图6的部分F中的两个像素驱动器的示意性平面图；

图11是图10的半导体层和第一导电层的示意性平面图；

图12是图10的半导体层、第一导电层、第二导电层和第三导电层的示意性平面图；

图13是沿着图10的线G-G'切割的平面的示例的示意性截面图；

图14是示出设置在图4和图5的部分C中的发射区域的示例的示意性平面图；

图15是示出根据实施例的显示装置中的设置在图4和图5的部分C中的发射区域和过孔的示意性平面图；

图16是示出根据图15的实施例的显示装置中的设置在图4的部分D中的发射区域和过孔的示意性平面图；

图17是示出根据另一实施例的显示装置中的设置在图4和图5的部分C中的发射区域和过孔的示意性平面图；

图18是示出根据又一实施例的显示装置中的设置在图4和图5的部分C中的数据线、第一虚设线、第二虚设线和过孔的示意性平面图；

图19是示出根据图18的实施例的显示装置中的设置在图4的部分D中的数据线、第一虚设线、第二虚设线和过孔的示意性平面图；

图20是示出根据再一实施例的显示装置中的设置在图4的部分D中的数据线、第一虚设线、第二虚设线以及过孔的示意性平面图；

图21是示出根据图20的实施例的显示装置中的设置在图4的部分E中的数据线、第一虚设线、第二虚设线和过孔的示意性平面图；以及

图22是示出根据另一实施例的显示装置中的设置在图4的部分E中的数据线、第一虚设线、第二虚设线和过孔的示意性平面图。

具体实施方式

现在将在下文中参照附图更充分地描述实施例。然而，实施例可以以不同的形式时限，并且不应被解释为限制性的。在整个本公开中，相同的附图标记指代相同的组件。在附图中，为了清晰起见，可能夸大了层和区的厚度。

为了描述本公开的实施例，可能不提供与描述不相关的一些部分。

如在本文中使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一个(者)”、“一种”和“所述(该)”也旨在包括复数形式。

还将理解的是，当层或基底被称为“在”另一层或另一基底“上”时，所述层或基底可以直接在所述另一层或另一基底上，或者还可以存在居间层。相比之下，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，可以不存在居间元件。

此外，短语“在平面图中”表示当从上方观察目标部分时，并且短语“在示意性截面图中”表示当从侧面观察通过垂直地切割目标部分而截取的示意性截面。术语“重叠”或“重叠的”表示第一物体可以在第二物体上方或下方或者在第二物体的一侧，反之亦然。另外，术语“重叠”可以包括层、堆叠、面对或面向、延伸遍及、覆盖或部分覆盖或者如将由本领域普通技术人员所领悟和理解的任意其它合适的术语。表述“不重叠”可以包括诸如“隔开”、“分离”或“偏离”的含义以及如将由本领域普通技术人员所领悟和理解的任意其它合适的等同术语。术语“面对”和“面向”可以表示第一物体可以与第二物体直接或间接相对。在第三物体介于第一物体和第二物体之间的情况下，尽管仍然彼此面对，但是第一物体和第二物体可以被理解为间接彼此相对。

为了易于描述，在本文中可以使用空间相对术语“在……下方”、“下……下面”、“下”、“在……上方”或“上”等来描述如附图中所示的一个元件或组件与另一元件或组件之间的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语还旨在涵盖装置在使用或操作中的不同方位。例如，在附图中所示的装置被翻转的情况下，定位在另一装置“下方”或“下面”的装置可以被放置在另一装置“上方”。因此，说明性术语“在……下方”可以包括上和下两种位置。装置也可以在其它方向上被定向，并且因此可以依据方位不同地解释空间相对术语。

将进一步理解的是，当使用术语“包括(comprises、comprising)”、“具有(has、have、having)”和/或“包含(includes、including)”时，所述术语可以说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的任意组合。

将理解的是，在说明书中，当元件(或区、层或部分等)被称为“在”另一元件“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件时，所述元件可以直接设置在上述另一元件上、直接连接到或直接耦接到上述另一元件，或者居间元件可以设置在所述元件和所述另一元件之间。

将理解的是，术语“连接到”或“耦接到”可以包括物理连接或物理耦接或者电连接或电耦接。

将理解的是，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”或“第三”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开，或者出于便于其描述和说明的目的。例如，在不脱离在本文中的教导的情况下，当在描述中讨论“第一元件”时，它可以被命名为“第二元件”或“第三元件”，并且“第二元件”和“第三元件”可以以类似的方式命名。

考虑到讨论中的测量和与特定量的测量相关联的误差(例如，测量系统的局限性)，如在本文中使用的术语“大约”、“近似”或“基本上”包括所陈述的值，并且表示在由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内。例如，“大约”可以表示在一个或多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％或±5％以内。

在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，术语“和/或”旨在包括术语“和”以及“或”的任意组合。例如，“A和/或B”可以被理解为表示“A、B或者A和B”。术语“和”以及“或”可以以结合或分离的意义来使用，并且可以被理解为等同于“和/或”。在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，短语“……中的至少一个(种/者)”旨在包括“从……的组中选择的至少一个(种/者)”的含义。例如，“A和B中的至少一个(种/者)”可以被理解为表示“A、B或者A和B”。

除非另外定义或表示，否则在本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员所通常理解的含义相同的含义。将进一步理解的是，除非在说明书中明确地定义，否则术语(诸如在通用词典中定义的术语)应当被解释为具有与它们在相关领域的背景中的含义相一致的含义，并且将不以理想化的或过于形式化的意义来解释。

图1是根据实施例的显示装置10的示意性透视图。图2是图1的显示装置10的示意性平面图。图3是沿着图2的线A-A'切割的平面的示例的示意性截面图。

参照图1，显示装置10是用于显示移动图像或静止图像的装置。显示装置10可以在诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、智能手表、手表电话、移动通信终端、电子记事本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置和超移动PC(UMPC)的便携式电子装置中以及在诸如电视机、笔记本计算机、监视器、广告牌和物联网(IoT)装置的各种产品中被用作显示屏幕。

显示装置10可以是发光显示装置，诸如使用有机发光二极管的有机发光显示装置、包括量子点发光层的量子点发光显示装置、包括无机半导体的无机发光显示装置或使用微型或纳米发光二极管的微型或纳米发光显示装置。下面将描述显示装置10是有机发光显示装置的情况。然而，本公开不限于这种情况，并且也适用于包括有机绝缘材料、有机发光材料和金属材料的显示装置。

显示装置10可以形成为平坦的，但是本公开不限于此。例如，显示装置10可以包括形成在左端和右端并且具有恒定或变化曲率的弯曲部分。显示装置10可以形成为柔性的，使得显示装置10可以弯曲、弯折、折叠和/或卷曲。

显示装置10可以包括显示面板100、显示驱动电路200和电路板300。

显示面板100可以包括其中布置(设置)有用于显示图像的多个发射区域EA(参见图2)的显示区域DA。

例如，显示面板100的基底110(参见图3)可以包括主区域MA和子区域SBA，主区域MA包括显示区域DA和设置在显示区域DA周围的非显示区域NDA，子区域SBA在第二方向DR2上从主区域MA的一侧突出。

显示驱动电路200可以被提供为集成电路并且安装在子区域SBA中。显示驱动电路200可以供应与显示面板100的数据线DL(参见图5)对应的数据驱动信号。

电路板300可以接合到设置在子区域SBA的边缘上的信号焊盘SPD(参见图4)。

在图1和图4中，子区域SBA与主区域MA平行地展开。另一方面，在图2和图3中，子区域SBA的一部分被弯折。

参照图2，显示区域DA的形状可以如同具有在第一方向DR1上的短边和在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上的长边的矩形平面。在第一方向DR1上延伸的短边与在第二方向DR2上延伸的长边交会处的每个角部可以以预定或选择的曲率被倒圆，或者可以是直角。显示区域DA的平面形状不限于四边形形状，而是也可以是另一多边形形状、圆形形状和/或椭圆形形状。

显示区域DA可以占据主区域MA的大部分。显示区域DA可以设置在主区域MA的中心。

显示区域DA可以包括彼此并排布置的多个发射区域EA。显示区域DA还可以包括发射区域EA之间的非发射区域NEA。

发射区域EA可以在第一方向DR1和第二方向DR2上彼此并排布置。

发射区域EA中的每一个可以具有菱形平面形状或矩形平面形状。然而，这只是示例，并且根据实施例的发射区域EA中的每一个的平面形状不限于图2中所示的形状。例如，在平面图中，发射区域EA也可以具有除了四边形形状之外的多边形形状、圆形形状或椭圆形形状。

发射区域EA可以包括发射预定或选择的波段中的第一颜色的光的第一发射区域EA1、发射比第一颜色的波段低的波段中的第二颜色的光的第二发射区域EA2以及发射比第二颜色的波段低的波段中的第三颜色的光的第三发射区域EA3。

例如，第一颜色的光可以是大约600nm至大约750nm的波段中的红光。第二颜色的光可以是大约480nm至大约560nm的波段中的绿光。第三颜色的光可以是大约370nm至大约460nm的波段中的蓝光。

如图2中所示，第一发射区域EA1和第三发射区域EA3可以在第一方向DR1或第二方向DR2上交替地设置。第二发射区域EA2可以在第一方向DR1或第二方向DR2上彼此并排布置。

显示各自的亮度和颜色的多个像素PX可以由发射区域EA提供。像素PX中的每一个可以是以预定或选择的亮度显示包括白色的各种颜色的基础单元。

例如，像素PX中的每一个可以由彼此相邻的至少一个第一发射区域EA1、至少一个第二发射区域EA2和至少一个第三发射区域EA3组成。

像素PX中的每一个可以显示从彼此相邻的至少一个第一发射区域EA1、至少一个第二发射区域EA2和至少一个第三发射区域EA3发射的光的混合体的颜色和亮度。

虽然在图2中发射区域EA具有相同的面积，但是这只是示例。在另一示例中，第三发射区域EA3可以具有最大的面积，并且第二发射区域EA2可以具有最小的面积。

虽然在图2中发射区域EA在第一方向DR1和第二方向DR2上并排布置，但是这只是示例。在另一示例中，第二发射区域EA2可以在与第一方向DR1和第二方向DR2交叉的斜线方向上邻近于第一发射区域EA1和第三发射区域EA3。

参照图3，显示装置10的显示面板100可以包括包含主区域MA和子区域SBA的基底110、设置在基底110上的电路层120以及设置在电路层120上的发光元件层130。

电路层120可以包括分别与发射区域EA对应的像素驱动器PXD(参见图9)以及将数据信号Vdata(参见图9)传输到像素驱动器PXD的数据线DL(参见图5)。

发光元件层130可以包括分别与发射区域EA对应的发光元件LEL(参见图13)。发光元件LEL可以分别电连接到电路层120的像素驱动器PXD。

显示装置10的显示面板100还可以包括覆盖发光元件层130的密封层140以及设置在密封层140上的传感器电极层150。

基底110可以由诸如聚合物树脂的绝缘材料制成。例如，基底110可以由聚酰亚胺制成。基底110可以是可以弯折、折叠和/或卷曲的柔性基底。

在其它实施例中，基底110可以由诸如玻璃的绝缘材料制成。

密封层140可以设置在电路层120上，与主区域MA对应，并且覆盖发光元件层130。密封层140可以包括其中两个或更多个无机层和至少一个有机层彼此交替地堆叠的结构。

传感器电极层150可以设置在密封层140上，并且可以与主区域MA对应。传感器电极层150可以包括用于感测人或物体的触摸的触摸电极。

显示装置10还可以包括设置在传感器电极层150上的覆盖窗(未示出)。覆盖窗可以通过诸如光学透明粘合剂(OCA)膜或光学透明树脂(OCR)的透明粘合剂构件附接到传感器电极层150上。覆盖窗可以是诸如玻璃的无机材料，或者可以是诸如塑料或聚合物材料的有机材料。覆盖窗可以保护传感器电极层150、密封层140、发光元件层130和电路层120免受显示表面上的电气冲击和物理冲击。

显示装置10还可以包括设置在传感器电极层150和覆盖窗之间的防反射构件(未示出)。防反射构件可以是偏振膜或滤色器。防反射构件可以阻挡被传感器电极层150、密封层140、发光元件层130、电路层120以及它们之间的界面反射的外部光，从而防止显示装置10的图像的可见度的降低。

根据实施例的显示装置10还可以包括用于驱动传感器电极层150的触摸驱动电路400。

触摸驱动电路400可以被提供为集成电路。

触摸驱动电路400可以安装在接合到信号焊盘SPD的电路板300上，并且因此可以电连接到传感器电极层150。

在其它实施例中，与显示驱动电路200一样，触摸驱动电路400可以安装在基底110的第二子区域SB2(参见图4)上。

触摸驱动电路400可以将触摸驱动信号传输到包括在传感器电极层150中的多个驱动电极，分别经由多个感测电极接收多个触摸节点的触摸感测信号，并且基于触摸感测信号检测互电容中的电荷变化的量。

例如，触摸驱动电路400可以基于触摸节点中的每一个的触摸感测信号来确定是否已经发生了用户的触摸或接近。用户的触摸可以表示诸如用户的手指或笔的物体直接触摸显示装置10的前表面。用户的接近可以表示诸如用户的手指或笔的物体悬停在显示装置10的前表面上方。

图4是图1的显示装置10的主区域MA和子区域SBA的示意性平面图。

参照图4，子区域SBA可以包括可以被转变为弯折形状的弯折区域BA以及连接到弯折区域BA的两侧的第一子区域SB1和第二子区域SB2。

第一子区域SB1可以设置在主区域MA和弯折区域BA之间。第一子区域SB1的一侧可以连接到主区域MA的非显示区域NDA，并且第一子区域SB1的另一侧可以连接到弯折区域BA。

第二子区域SB2可以与主区域MA间隔开，弯折区域BA介于第二子区域SB2和主区域MA之间，并且第二子区域SB2可以通过转变为弯折形状的弯折区域BA而设置在基底110的下表面上。例如，由于转变为弯折形状的弯折区域BA，第二子区域SB2可以在基底110的厚度方向DR3上与主区域MA重叠。

第二子区域SB2的一侧可以连接到弯折区域BA。

信号焊盘SPD和显示驱动电路200可以设置在第二子区域SB2中。

显示驱动电路200可以产生用于驱动显示区域DA的像素驱动器PXD(参见图9)的信号和电压。

显示驱动电路200可以被提供为集成电路，并且通过玻璃覆晶(COG)方法、塑料覆晶(COP)方法或超声波键合方法安装在基底110的第二子区域SB2上。然而，本公开不限于此。例如，显示驱动电路200也可以通过膜覆晶(COF)方法安装在电路板300上。

电路板300可以使用各向异性导电膜或诸如自组装各向异性导电膏(SAP)的低电阻、高可靠性材料附接并且电连接到第二子区域SB2的信号焊盘SPD。

显示区域DA的像素驱动器PXD和显示驱动电路200可以从电路板300接收数字视频数据、时序信号和驱动电压。

电路板300可以是柔性印刷电路板、印刷电路板或诸如覆晶膜的柔性膜。

根据实施例，非显示区域NDA可以包括形成在与子区域SBA相邻的部分中的多路输出选择器(解复用器)区域DXA。解复用器区域DXA可以设置为与显示区域DA的在第二方向DR2上的边缘(其与子区域SBA相邻)相邻。

在解复用器区域DXA中，可以设置电连接在显示区域DA的数据线DL(参见图5)和子区域SBA的显示驱动电路200之间的解复用器电路单元(解复用器电路)DMC(参见图5)。

解复用器区域DXA可以包括在第一方向DR1上位于中间的解复用器中间区域XMA、与基底110(参见图3)的边缘的弯折部分相邻的第一解复用器侧区域XSA1以及设置在解复用器中间区域XMA和第一解复用器侧区域XSA1之间的第二解复用器侧区域XSA2。

解复用器区域DXA可以包括在第一方向DR1上设置在解复用器中间区域XMA的两侧的两个第二解复用器侧区域XSA2和两个第一解复用器侧区域XSA1。

显示区域DA可以包括与解复用器区域DXA相邻的解复用器相邻区域DAA。

解复用器相邻区域DAA可以包括在第二方向DR2上与解复用器中间区域XMA相邻的显示中间区域DMDA、在第二方向DR2上与第一解复用器侧区域XSA1相邻的第一显示侧区域DSDA1以及在第二方向DR2上与第二解复用器侧区域XSA2相邻的第二显示侧区域DSDA2。在解复用器相邻区域DAA中，可以设置电连接到第一解复用器侧区域XSA1的第一解复用器电路单元DMC1(参见图5)的输入迂回线IDEL(参见图5)。

显示区域DA还可以包括在第二方向DR2上设置在解复用器相邻区域DAA和非显示区域NDA之间的通用区域GA。

通用区域GA可以包括在第二方向DR2上与显示中间区域DMDA相邻的通用中间区域GMA、在第二方向DR2上与第一显示侧区域DSDA1相邻的第一通用侧区域GSA1以及在第二方向DR2上与第二显示侧区域DSDA2相邻的第二通用侧区域GSA2。

非显示区域NDA还可以包括设置为与显示区域DA的在第一方向DR1上的至少一个边缘相邻的扫描驱动电路区域SCDA。

电路层120(参见图3)可以包括设置在扫描驱动电路区域SCDA中的扫描驱动电路(未示出)。扫描驱动电路可以将扫描信号分别供应到在显示区域DA中在第一方向DR1上延伸的扫描线。

例如，显示驱动电路200或电路板300可以基于数字视频数据和时序信号将扫描控制信号供应到扫描驱动电路。

电路板300可以将用于产生扫描信号的预定或选择的恒定电压供应到扫描驱动电路。

虽然在图4中扫描驱动电路区域SCDA是非显示区域NDA的与显示区域DA的在第一方向DR1上的两个边缘相邻的部分，但是这只是示例。例如，虽然没有单独示出，但扫描驱动电路区域SCDA也可以是非显示区域NDA的与显示区域DA的在第一方向DR1上的至少一侧相邻的部分，或者可以被提供为与显示区域DA的部分重叠的单独区域。

图5是图4的部分B的示例的示意性平面图。图6是示出设置在图4和图5的部分C中的数据线DL、第一虚设线DML1、第二虚设线DML2和第一电力辅助线VDAL的示例的示意性平面图。

参照图5，根据实施例的显示装置10(参见图1)的电路层120(参见图3)可以包括：像素驱动器PXD(参见图9)，分别与发射区域EA对应并且分别电连接到发光元件层130(参见图3)的发光元件LEL(参见图9)；数据线DL，将数据信号Vdata(参见图9)传输到像素驱动器PXD；第一虚设线DML1，设置在显示区域DA(参见图4)中并且在与数据线DL交叉的第一方向DR1上延伸；第二虚设线DML2，在与数据线DL平行的第二方向DR2上延伸并且分别邻近数据线DL；以及解复用器电路单元DMC，设置在非显示区域NDA(参见图4)的解复用器区域DXA中，与子区域SBA相邻，并且电连接在显示驱动电路200和数据线DL之间。

电路层120还可以包括分别电连接到显示驱动电路200的输出端子的数据供应线DSPL。

解复用器电路单元DMC可以在解复用器区域DXA中在第一方向DR1上布置。

解复用器电路单元DMC可以包括设置在第一解复用器侧区域XSA1中的第一解复用器电路单元DMC1以及设置在第二解复用器侧区域XSA2中的第二解复用器电路单元DMC2。

解复用器电路单元DMC还可以包括设置在解复用器中间区域XMA中的第三解复用器电路单元DMC3。

解复用器电路单元DMC中的一个(例如，第一解复用器电路单元DMC1)可以包括经由数据供应线DSPL中的一条(例如，图5和图7中的DSPL1)电连接到显示驱动电路200的输入端子DIP(参见图7)以及分别电连接到数据线DL中的两条(例如，图5和图7中的DL1和DL2)的第一输出端子AOP(参见图7)以及第二输出端子BOP(参见图7)。

数据线DL可以包括设置在第一显示侧区域DSDA1和第一通用侧区域GSA1中的第一数据线DL1和第二数据线DL2以及设置在第二显示侧区域DSDA2和第二通用侧区域GSA2中的第三数据线DL3和第四数据线DL4。

数据线DL还可以包括设置在显示中间区域DMDA和通用中间区域GMA中的第五数据线DL5和第六数据线DL6。

设置在第一显示侧区域DSDA1和第一通用侧区域GSA1中的第一数据线DL1和第二数据线DL2可以分别电连接到设置在第一解复用器侧区域XSA1中的第一解复用器电路单元DMC1的第一输出端子AOP和第二输出端子BOP。

设置在第二显示侧区域DSDA2和第二通用侧区域GSA2中的第三数据线DL3和第四数据线DL4可以分别电连接到设置在第二解复用器侧区域XSA2中的第二解复用器电路单元DMC2的第一输出端子和第二输出端子。

设置在显示中间区域DMDA和通用中间区域GMA中的第五数据线DL5和第六数据线DL6可以分别电连接到设置在解复用器中间区域XMA中的第三解复用器电路单元DMC3的第一输出端子和第二输出端子。

数据供应线DSPL可以包括传输与设置在第一显示侧区域DSDA1中的第一数据线DL1和第二数据线DL2的数据信号对应的数据驱动信号的第一数据供应线DSPL1、传输与设置在第二显示侧区域DSDA2中的第三数据线DL3和第四数据线DL4的数据信号对应的数据驱动信号的第二数据供应线DSPL2以及传输与设置在显示中间区域DMDA中的第五数据线DL5和第六数据线DL6的数据信号对应的数据驱动信号的第三数据供应线DSPL3。

数据供应线DSPL之中的第一数据供应线DSPL1可以从子区域SBA延伸到第二解复用器侧区域XSA2，并且可以经由设置在显示区域DA中的输入迂回线IDEL电连接到第一解复用器电路单元DMC1的输入端子。

数据供应线DSPL之中的第二数据供应线DSPL2可以从子区域SBA延伸到第二解复用器侧区域XSA2，并且可以连接到第二解复用器电路单元DMC2的输入端子。

数据供应线DSPL之中的第三数据供应线DSPL3可以从子区域SBA延伸到解复用器中间区域XMA，并且可以连接到第三解复用器电路单元DMC3的输入端子。

输入迂回线IDEL可以包括设置在第二显示侧区域DSDA2中、在第二方向DR2上延伸并且电连接到第一数据供应线DSPL1的第一迂回线DETL1、在第二显示侧区域DSDA2和第一显示侧区域DSDA1中在第一方向DR1上延伸并且电连接到第一迂回线DETL1的第二迂回线DETL2以及设置在第一显示侧区域DSDA1中、朝向第一解复用器侧区域XSA1在第二方向DR2上延伸并且电连接到第二迂回线DETL2的第三迂回线DETL3。

电路层120还可以包括设置在第一解复用器侧区域XSA1中并且将输入迂回线IDEL的第三迂回线DETL3和第一解复用器电路单元DMC1的输入端子电连接的输入连接线ICNL。

第一迂回线DETL1可以在第二解复用器侧区域XSA2的第一数据供应线DSPL1和第二迂回线DETL2之间在第二方向DR2上延伸。

第二迂回线DETL2可以在第一迂回线DETL1和第三迂回线DETL3之间在第一方向DR1上延伸。

第三迂回线DETL3可以在第一解复用器侧区域XSA1和第二迂回线DETL2之间在第二方向DR2上延伸。第三迂回线DETL3可以电连接到第一解复用器侧区域XSA1的输入连接线ICNL。

参照图6，第二迂回线DETL2可以经由第一迂回连接孔DECH1电连接到第一迂回线DETL1，并且可以经由第二迂回连接孔DECH2电连接到第三迂回线DETL3。

第一虚设线DML1可以包括输入迂回线IDEL的第二迂回线DETL2。

除了第二迂回线DETL2之外，第一虚设线DML1还可以包括第二电力ELVSS(参见图9)所施加到的第一辅助线ASL1。

第二虚设线DML2可以包括输入迂回线IDEL的第一迂回线DETL1和第三迂回线DETL3。

除了第一迂回线DETL1和第三迂回线DETL3之外，第二虚设线DML2还可以包括第二电力ELVSS所施加到的第二辅助线ASL2。

如图5中所示，根据实施例的显示装置10的电路层120还可以包括设置在子区域SBA和非显示区域NDA中并且分别传输用于驱动发光元件LEL的第一电力ELVDD(参见图9)和第二电力ELVSS的第一电源线VDSPL和第二电源线VSSPL。

第一虚设线DML1的第一辅助线ASL1和第二虚设线DML2的第二辅助线ASL2可以电连接到第二电源线VSSPL。

换句话说，第一虚设线DML1可以包括输入迂回线IDEL的第二迂回线DETL2以及第一辅助线ASL1，第一辅助线ASL1是除了第二迂回线DETL2之外并且电连接到第二电源线VSSPL的部分。

第二虚设线DML2可以包括输入迂回线IDEL的第一迂回线DETL1和第三迂回线DETL3以及第二辅助线ASL2，第二辅助线ASL2是除了第一迂回线DETL1和第三迂回线DETL3之外并且电连接到第二电源线VSSPL的部分。

如图5和图6中所示，第二辅助线ASL2可以包括在显示区域DA的在第二方向DR2上的两端部之间延伸的通用辅助线GASL、与第一迂回线DETL1的在第二方向DR2上的端部间隔开并且延伸到第二通用侧区域GSA2的第一延伸辅助线EASL1以及与第三迂回线DETL3的在第二方向DR2上的端部间隔开并且延伸到第一通用侧区域GSA1的第二延伸辅助线EASL2。

电连接到第一解复用器电路单元DMC1并且设置在第一显示侧区域DSDA1中的第一数据线DL1和第二数据线DL2之中的第一数据线DL1中的每一条可以在第一方向DR1上的一侧(例如，图6中的右侧)上邻近一条通用辅助线GASL，并且第二数据线DL2中的每一条可以在第一方向DR1上的一侧上邻近第三迂回线DETL3和第二延伸辅助线EASL2。这里，电连接到第一数据线DL1的一些像素驱动器PXD可以设置在彼此邻近的通用辅助线GASL和第一数据线DL1之间。电连接到第二数据线DL2的一些其它像素驱动器PXD可以设置在彼此邻近的第三迂回线DETL3和第二延伸辅助线EASL2与第二数据线DL2之间。

换句话说，第一数据线DL1中的每一条可以面对通用辅助线GASL，连接到第一数据线DL1的一些像素驱动器PXD介于通用辅助线GASL和第一数据线DL1之间。第二数据线DL2中的每一条可以面对第三迂回线DETL3和第二延伸辅助线EASL2，连接到第二数据线DL2的一些其它像素驱动器PXD介于第三迂回线DETL3和第二延伸辅助线EASL2与第二数据线DL2之间。

电连接到第二解复用器电路单元DMC2并且设置在第二显示侧区域DSDA2中的第三数据线DL3和第四数据线DL4之中的第三数据线DL3中的每一条可以邻近另一通用辅助线GASL，并且第四数据线DL4中的每一条可以邻近第一迂回线DETL1和第一延伸辅助线EASL1。

电连接到第三解复用器电路单元DMC3并且设置在显示中间区域DMDA中的第五数据线DL5和第六数据线DL6中的每一者可以邻近通用辅助线GASL。

根据实施例的显示装置10的电路层120可以包括用于第一虚设线DML1和第二虚设线DML2之间的电连接的过孔VIAH。

根据实施例，过孔VIAH之中的一些过孔(过孔子集)可以与发射区域EA中的一个重叠，并且其它过孔(另一过孔子集)可以设置于在发射区域EA之间的非发射区域NEA中。这将稍后参照图14至图17进行描述。

过孔VIAH可以包括用于第一迂回线DETL1和第二迂回线DETL2之间的电连接的第一迂回连接孔DECH1、用于第二迂回线DETL2和第三迂回线DETL3之间的电连接的第二迂回连接孔DECH2以及用于第一辅助线ASL1和第二辅助线ASL2之间的电连接的辅助连接孔ASCH(参见图16)。

根据实施例，设置在第二显示侧区域DSDA2中并且分别与在第二方向DR2上与其相邻的第二迂回线DETL2重叠的第一迂回连接孔DECH1可以在与第一方向DR1和第二方向DR2交叉的第一斜线方向DD1上布置。

设置在第一显示侧区域DSDA1中并且分别与在第二方向DR2上与其相邻的第二迂回线DETL2重叠的第二迂回连接孔DECH2可以在与第一斜线方向DD1对称的第二斜线方向DD2上布置。

根据实施例，辅助连接孔ASCH(参见图16)可以设置在通用区域GA和显示中间区域DMDA中。

例如，在第二方向DR2上连接到第一显示侧区域DSDA1的第一通用侧区域GSA1中，辅助连接孔ASCH可以在与第一显示侧区域DSDA1的第二迂回连接孔DECH2的布置方向平行的第二斜线方向DD2上布置，或者可以在具有比第二斜线方向DD2的斜率陡的斜率的第三斜线方向DD3(参见图16)上布置。

在第二方向DR2上连接到第二显示侧区域DSDA2的第二通用侧区域GSA2中，辅助连接孔ASCH可以在与第二显示侧区域DSDA2的第一迂回连接孔DECH1的布置方向平行的第一斜线方向DD1上布置，或者可以在具有比第一斜线方向DD1的斜率陡的斜率的第四斜线方向DD4上布置。

在这种情况下，可以容易地推断第一迂回连接孔DECH1、第二迂回连接孔DECH2和辅助连接孔ASCH是否通过第一迂回连接孔DECH1的布置方向、第二迂回连接孔DECH2的布置方向和辅助连接孔ASCH的布置方向被正常地布置。

图7是图5的第一解复用器电路单元DMC1的示例的等效电路的示意图。图8是示出图7的数据驱动信号DDRS和解复用器控制信号CLA和CLB的示意性时序图。

参照图7，解复用器电路单元DMC(参见图5)之中的第一解复用器电路单元DMC1中的一个可以包括：输入端子DIP，电连接到显示驱动电路200(参见图5)并且被输入有一个数据驱动信号DDRS；第一输出端子AOP，在较高优先级输出时段AT(参见图8)期间输出与数据驱动信号DDRS对应的较高优先级数据信号；以及第二输出端子BOP，在较高优先级数据信号AT之后的较低优先级输出时段BT(参见图8)期间输出与数据驱动信号DDRS对应的较低优先级数据信号。

第一解复用器电路单元DMC1还可以包括电连接在输入端子DIP和第一输出端子AOP之间的第一解复用器晶体管TDM1以及电连接在输入端子DIP和第二输出端子BOP之间的第二解复用器晶体管TDM2。

根据实施例的显示装置10(参见图1)的电路层120(参见图3)还可以包括将每个第一解复用器电路单元DMC1的第一输出端子AOP和第一数据线DL1的电连接第一输出连接线以及将每个第一解复用器电路单元DMC1的第二输出端子BOP和第二数据线DL2电连接的第二输出连接线。

电路层120还可以包括电连接到第一解复用器晶体管TDM1的栅极电极的第一解复用器控制线DXCL1以及电连接到第二解复用器晶体管TDM2的栅极电极的第二解复用器控制线DXCL2。

参照图7和图8，每个图像帧(第(i-1)帧、第(i)帧)可以包括较高优先级输出时段AT和较低优先级输出时段BT。

在较高优先级数据信号AT期间，第一解复用器控制线DXCL1的第一解复用器控制信号CLA可以以导通电平输出，并且在较低优先级数据信号BT期间，第二解复用器控制线DXCL2的第二解复用器控制信号CLB可以以导通电平输出。

在这种情况下，在较高优先级数据信号AT期间，第一解复用器晶体管TDM1可以导通，以允许数据驱动信号DDRS经由第一输出端子AOP输出作为第一数据线DL1的数据信号。在较低优先级数据信号BT期间，第二解复用器晶体管TDM2可以导通，以允许数据驱动信号DDRS经由第二输出端子BOP输出作为第二数据线DL2的数据信号。

例如，通过解复用器电路单元DMC，数据驱动信号DDRS可以被时分为较高优先级数据信号AT和较低优先级数据信号BT。

除了第二解复用器电路单元DMC2(参见图5)中的第一输出端子AOP和第二输出端子BOP分别电连接到第三数据线DL3(参见图5)和第四数据线DL4(参见图5)并且第三解复用器电路单元DMC3(参见图5)中的第一输出端子AOP和第二输出端子BOP分别电连接到第五数据线DL5(参见图5)和第六数据线DL6(参见图5)之外，第二解复用器电路单元DMC2和第三解复用器电路单元DMC3中的每一者的等效电路和时序图可以与图7和图8中所示的第一解复用器电路单元DMC1的等效电路和时序图基本上相同。因此，将省略对第二解复用器电路单元DMC2和第三解复用器电路单元DMC3中的每一者的等效电路和时序图的冗余描述。

图9是电路层120(参见图3)的像素驱动器PXD的示例的等效电路的示意图。

电路层120可以包括分别与发射区域EA(参见图2)对应并且分别电连接到发光元件层130(参见图3)的发光元件LEL的像素驱动器PXD。

参照图9，电路层120的像素驱动器PXD中的一个可以包括驱动晶体管DT、一个或多个开关元件ST1至ST6以及电容器C1。开关元件ST1至ST6可以包括第一晶体管ST1(开关晶体管)、第二晶体管ST2、第三晶体管ST3、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6。

电路层120还可以包括将扫描写入信号GW传输到像素驱动器PXD的扫描写入线GWL、将栅极控制信号GC传输到像素驱动器PXD的栅极控制线GCL、将扫描初始化信号GI传输到像素驱动器PXD的扫描初始化线GIL、将发射控制信号EC传输到像素驱动器PXD的发射控制线ECL、将第一初始化电压Vgint传输到像素驱动器PXD的栅极初始化电压线VGIL、将第二初始化电压Vaint传输到像素驱动器PXD的阳极初始化电压线VAIL以及将第一电力ELVDD传输到像素驱动器PXD的第一电力线VDL。

扫描写入线GWL可以电连接到第一晶体管ST1和第二晶体管ST2中的每一者的栅极电极。扫描初始化线GIL可以电连接到第三晶体管ST3的栅极电极。栅极控制线GCL可以电连接到第四晶体管ST4的栅极电极。发射控制线ECL可以电连接到第五晶体管ST5和第六晶体管ST6中的每一者的栅极电极。

驱动晶体管DT可以在第一电力线VDL和第二电力线VSL之间串联连接到发光元件LEL。

驱动晶体管DT的第一电极可以经由第五晶体管ST5连接到第一电力线VDL。

驱动晶体管DT的第一电极可以经由第二晶体管ST2连接到数据线DL。

驱动晶体管DT的第二电极可以经由第六晶体管ST6连接到发光元件LEL。

电容器C1可以连接在第一电力线VDL和驱动晶体管DT的栅极电极之间。例如，驱动晶体管DT的栅极电极可以经由电容器C1连接到第一电力线VDL。

因此，在数据线DL的数据信号传输到驱动晶体管DT的第一电极的情况下，驱动晶体管DT可以产生与数据信号对应的漏极-源极电流。驱动晶体管DT的漏极-源极电流可以作为驱动电流供应到发光元件LEL。

发光元件LEL可以发射具有与由驱动晶体管DT产生的驱动电流对应的亮度的光。

发光元件LEL可以包括彼此面对的阳极AND(参见图13)和阴极CTD(参见图13)以及在阳极AND和阴极CTD之间的发光层EML(参见图13)。

例如，发光元件LEL可以是具有由有机发光材料制成的发光层的有机发光二极管。在其它实施例中，发光元件LEL可以是具有由无机半导体制成的发光层的无机发光元件。在其它实施例中，发光元件LEL可以是具有量子点发光层的量子点发光元件。在其它实施例中，发光元件LEL可以是微型发光二极管。

与发光元件LEL并联连接的电容器Cel可以是阳极和阴极之间的寄生电容。

第一晶体管ST1可以连接在驱动晶体管DT的栅极电极和驱动晶体管DT的第二电极之间。

第一晶体管ST1可以包括串联连接的多个子晶体管。例如，第一晶体管ST1可以包括第一子晶体管ST11和第二子晶体管ST12。

第一子晶体管ST11的第一电极可以连接到驱动晶体管DT的第二电极，第一子晶体管ST11的第二电极可以连接到第二子晶体管ST12的第一电极，并且第二子晶体管ST12的第二电极可以连接到驱动晶体管DT的栅极电极。

在这种情况下，可以防止驱动晶体管DT的栅极电极的电位被由处于截止状态的第一晶体管ST1引起的漏电流改变。

第二晶体管ST2连接在驱动晶体管DT的第一电极和数据线DL之间。

第一晶体管ST1和第二晶体管ST2中的每一者的栅极电极连接到扫描写入线GWL。

在经由扫描写入线GWL供应扫描写入信号GW的情况下，第一晶体管ST1和第二晶体管ST2导通，并且驱动晶体管DT的栅极电极和第二电极经由导通的第一晶体管ST1变为相同的电位。数据线DL的数据信号可以经由导通的第二晶体管ST2供应到驱动晶体管DT的第一电极。

这里，在驱动晶体管DT的第一电极和栅极电极之间的电压差大于阈值电压的情况下，驱动晶体管DT可以导通，并且因此在驱动晶体管DT的第一电极和第二电极之间可以产生漏极-源极电流。

第三晶体管ST3连接在驱动晶体管DT的栅极电极和栅极初始化电压线VGIL之间。第三晶体管ST3的栅极电极可以连接到扫描初始化线GIL。

第三晶体管ST3可以包括串联连接的多个子晶体管。例如，第三晶体管ST3可以包括第三子晶体管ST31和第四子晶体管ST32。

第三子晶体管ST31的第一电极可以连接到驱动晶体管DT的栅极电极，第三子晶体管ST31的第二电极可以连接到第四子晶体管ST32的第一电极，并且第四子晶体管ST32的第二电极可以连接到栅极初始化电压线VGIL。

在这种情况下，可以防止驱动晶体管DT的栅极电极的电位被由处于截止状态的第三晶体管ST3引起的漏电流改变。

在经由扫描初始化线GIL供应扫描初始化信号GI的情况下，第三晶体管ST3可以导通。此时，驱动晶体管DT的栅极电极可以经由导通的第三晶体管ST3连接到栅极初始化电压线VGIL。因此，驱动晶体管DT的栅极电极的电位可以被初始化为栅极初始化电压线VGIL的第一初始化电压Vgint。

第四晶体管ST4可以连接在发光元件LEL的阳极和阳极初始化电压线VAIL之间。第四晶体管ST4的栅极电极可以连接到栅极控制线GCL。

在经由栅极控制线GCL供应栅极控制信号GC的情况下，第四晶体管ST4可以导通。此时，发光元件LEL的阳极可以经由导通的第四晶体管ST4连接到阳极初始化电压线VAIL。因此，发光元件LEL的阳极的电位可以被初始化为阳极初始化电压线VAIL的第二初始化电压Vaint。

第五晶体管ST5可以连接在驱动晶体管DT的第一电极和第一电力线VDL之间。

第六晶体管ST6可以连接在驱动晶体管DT的第二电极和发光元件LEL的阳极之间。

第五晶体管ST5和第六晶体管ST6中的每一者的栅极电极可以连接到发射控制线ECL。

在经由发射控制线ECL供应发射控制信号EC的情况下，第五晶体管ST5和第六晶体管ST6可以导通，驱动晶体管DT和发光元件LEL可以串联连接在第一电力线VDL和第二电力线VSL之间。因此，驱动晶体管DT的驱动电流可以被供应到发光元件LEL，并且发光元件LEL可以基于驱动电流发射光。

如图9中所示，包括在像素驱动器PXD中的驱动晶体管DT以及开关元件ST1至ST6可以全部被提供为P型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

在其它实施例中，包括在像素驱动器PXD中的驱动晶体管DT以及开关元件ST1至ST6中的一些晶体管可以被提供为P型MOSFET，并且其它晶体管可以被提供为N型MOSFET。在这种情况下，被提供为P型MOSFET的开关元件以及被提供为N型MOSFET的开关元件可以包括不同半导体材料的有源层。因此，可以通过堆叠的结构减小像素驱动器PXD的宽度，这可以有利于改善分辨率。

图10是设置在图6的部分F中的两个像素驱动器PXD(参见图9)的示意性平面图。图11是图10的半导体层SEL和第一导电层CDL1的示意性平面图。图12是图10的半导体层SEL、第一导电层CDL1、第二导电层CDL2和第三导电层CDL3的示意性平面图。图13是沿着图10的线G-G'切割的平面的示例的示意性截面图。

参照图10至图13，电路层120可以包括在基底110上的半导体层SEL、设置在基底110和半导体层SEL之间的缓冲层121、覆盖半导体层SEL的第一栅极绝缘层122、在第一栅极绝缘层122上的第一导电层CDL1、覆盖第一导电层CDL1的第二栅极绝缘层123、在第二栅极绝缘层123上的第二导电层CDL2、覆盖第二导电层CDL2的层间绝缘层124、在层间绝缘层124上的第三导电层CDL3、覆盖第三导电层CDL3的第一平坦化层125、在第一平坦化层125上的第四导电层CDL4、覆盖第四导电层CDL4的第二平坦化层126、在第二平坦化层126上的第五导电层CDL5以及覆盖第五导电层CDL5的第三平坦化层127。

发光元件层130可以设置在第三平坦化层127上。

参照图11，半导体层SEL可以包括包含在每个像素驱动器PXD中的驱动晶体管DT以及第一晶体管ST1至第六晶体管ST6的沟道部分CHDT、CH11、CH12、CH2、CH31、CH32、CH4、CH5和CH6、源极电极SDT、S11、S12、S2、S31、S32、S4、S5和S6以及漏极电极DDT、D11、D12、D2、D31、D32、D4、D5和D6。

第一导电层CDL1可以包括驱动晶体管DT以及第一晶体管ST1至第六晶体管ST6的栅极电极GDT、G11、G12、G2、G31、G32、G4、G5和G6。

第一导电层CDL1还可以包括连接到驱动晶体管DT以及第一晶体管ST1至第六晶体管ST6的栅极电极GDT、G11、G12、G2、G31、G32、G4、G5和G6的扫描线，即，扫描写入线GWL、扫描初始化线GIL、发射控制线ECL和栅极控制线GCL。扫描写入线GWL、扫描初始化线GIL、发射控制线ECL和栅极控制线GCL可以在第一方向DR1上延伸。

参照图11和图12，第二导电层CDL2可以包括连接到第三晶体管ST3的漏极电极D32并且传输第一初始化电压Vgint(参见图9)的栅极初始化电压线VGIL以及连接到第四晶体管ST4的漏极电极D4并且传输第二初始化电压Vaint(参见图9)的阳极初始化电压线VAIL。栅极初始化电压线VGIL和阳极初始化电压线VAIL可以在第一方向DR1上延伸。

第一电力线VDL可以包括在第一方向DR1上延伸的第一电力水平辅助线VDSBL1以及在第二方向DR2上延伸的第一电力垂直辅助线VDSBL2。

第二导电层CDL2还可以包括第一电力水平辅助线VDSBL1。

第三导电层CDL3可以包括第一电力垂直辅助线VDSBL2。

第三导电层CDL3还可以包括栅极初始化电压辅助线VGIAL和阳极初始化电压辅助线VAIAL。

栅极初始化电压辅助线VGIAL可以电连接到栅极初始化电压线VGIL，并且可以在第二方向DR2上延伸。

阳极初始化电压辅助线VAIAL可以电连接到阳极初始化电压线VAIL，并且可以在第二方向DR2上延伸。

第一电力垂直辅助线VDSBL2可以电连接到第一电力水平辅助线VDSBL1。

如图11中所示，驱动晶体管DT可以包括沟道部分CHDT、连接到沟道部分CHDT的两侧的源极电极SDT和漏极电极DDT以及与沟道部分CHDT重叠的栅极电极GDT。

驱动晶体管DT的源极电极SDT可以连接到第二晶体管ST2的漏极电极D2和第五晶体管ST5的漏极电极D5。

驱动晶体管DT的漏极电极DDT可以连接到第一子晶体管ST11的源极电极S11和第六晶体管ST6的源极电极S6。

驱动晶体管DT的沟道部分CHDT、源极电极SDT和漏极电极DDT可以由半导体层SEL制成。源极电极SDT和漏极电极DDT可以是通过用离子或杂质掺杂半导体材料而制成为导电的半导体层SEL的部分。

驱动晶体管DT的栅极电极GDT可以由第一导电层CDL1制成。

第一晶体管ST1可以包括彼此串联连接的第一子晶体管ST11和第二子晶体管ST12。

第一子晶体管ST11可以包括沟道部分CH11、连接到沟道部分CH11的两侧的源极电极S11和漏极电极D11以及与沟道部分CH11重叠并且由扫描写入线GWL的一部分形成的栅极电极G11。

第一子晶体管ST11的源极电极S11可以连接到驱动晶体管DT的漏极电极DDT。

第一子晶体管ST11的漏极电极D11可以连接到第二子晶体管ST12的源极电极S12。

第二子晶体管ST12可以包括沟道部分CH12、连接到沟道部分CH12的两侧的源极电极S12和漏极电极D12以及与沟道部分CH12重叠并且由扫描写入线GWL的突出部分形成的栅极电极G12。

第二子晶体管ST12的源极电极S12可以连接到第一子晶体管ST11的漏极电极D11。

第二子晶体管ST12的漏极电极D12可以连接到第三子晶体管ST31的源极电极S31。

第一子晶体管ST11和第二子晶体管ST12的栅极电极G11和G12可以是由第一导电层CDL1制成的扫描写入线GWL的不同部分。

驱动晶体管DT的栅极电极GDT可以经由第一接触孔CT1连接到第一连接电极CE1，并且第一连接电极CE1可以经由第二接触孔CT2连接到第二子晶体管ST12的漏极电极D12。

第一连接电极CE1可以由第三导电层CDL3制成。

第二晶体管ST2可以包括沟道部分CH2、连接到沟道部分CH2的两侧的源极电极S2和漏极电极D2以及与沟道部分CH2重叠并且由扫描写入线GWL的另一部分形成的栅极电极G2。

第二晶体管ST2的源极电极S2可以经由第四接触孔CT4连接到第二连接电极CE2。

第二晶体管ST2的漏极电极D2可以连接到驱动晶体管DT的源极电极SDT和第五晶体管ST5的漏极电极D5。

第二晶体管ST2的沟道部分CH2、源极电极S2和漏极电极D2可以由半导体层SEL制成。源极电极S2和漏极电极D2可以是通过用离子或杂质掺杂半导体材料而制成为导电的半导体层SEL的部分。

第二晶体管ST2的栅极电极G2可以是由第一导电层CDL1制成的扫描写入线GWL的一部分。

第二连接电极CE2可以由第三导电层CDL3制成。

第三晶体管ST3可以包括彼此串联连接的第三子晶体管ST31和第四子晶体管ST32。

第三子晶体管ST31可以包括沟道部分CH31、连接到沟道部分CH31的两侧的源极电极S31和漏极电极D31以及与沟道部分CH31重叠的栅极电极G31。

第三子晶体管ST31的源极电极S31可以连接到第二子晶体管ST12的漏极电极D12。

第三子晶体管ST31的漏极电极D31可以连接到第四子晶体管ST32的源极电极S32。

第四子晶体管ST32可以包括沟道部分CH32、连接到沟道部分CH32的两侧的源极电极S32和漏极电极D32以及与沟道部分CH32重叠的栅极电极G32。

第四子晶体管ST32的漏极电极D32可以经由第二初始化接触孔VICH2连接到栅极初始化电压辅助线VGIAL。

第三子晶体管ST31的沟道部分CH31、源极电极S31和漏极电极D31以及第四子晶体管ST32的沟道部分CH32、源极电极S32和漏极电极D32可以由半导体层SEL制成。第三子晶体管ST31和第四子晶体管ST32的源极电极S31和S32以及漏极电极D31和D32可以是通过用离子或杂质掺杂半导体材料而制成为导电的半导体层SEL的部分。

第三子晶体管ST31和第四子晶体管ST32的栅极电极G31和G32可以是由第一导电层CDL1制成的扫描初始化线GIL的不同部分。

如图12中所示，电路层120(参见图13)还可以包括与第四子晶体管ST32的源极电极S31的至少一部分重叠的屏蔽电极SHE。

屏蔽电极SHE可以由第二导电层CDL2制成。

屏蔽电极SHE可以经由第三接触孔CT3连接到第一电力垂直辅助线VDSBL2中的每一条。

屏蔽电极SHE可以进一步与第一子晶体管ST11的漏极电极D11的一部分重叠。

第一电力垂直辅助线VDSBL2中的每一条可以经由第五接触孔CT5连接到第一电力水平辅助线VDSBL1。

如图11中所示，第四晶体管ST4可以包括沟道部分CH4、连接到沟道部分CH4的两侧的源极电极S4和漏极电极D4以及与沟道部分CH4重叠并且由栅极控制线GCL的一部分形成的栅极电极G4。

第四晶体管ST4的源极电极S4可以连接到第六晶体管ST6的漏极电极D6。

第四晶体管ST4的漏极电极D4可以经由第四初始化接触孔VACH2连接到阳极初始化电压辅助线VAIAL。

第四晶体管ST4的沟道部分CH4、源极电极S4和漏极电极D4可以由半导体层SEL制成。源极电极S4和漏极电极D4可以是通过用离子或杂质掺杂半导体材料而制成为导电的半导体层SEL的部分。

第四晶体管ST4的栅极电极G4可以是由第一导电层CDL1制成的栅极控制线GCL的一部分。

第五晶体管ST5可以包括沟道部分CH5、连接到沟道部分CH5的两侧的源极电极S5和漏极电极D5以及与沟道部分CH5重叠并且由发射控制线ECL的一部分形成的栅极电极G5。

第五晶体管ST5的源极电极S5可以经由第六接触孔CT6连接到第一电力垂直辅助线VDSBL2中的每一条。

第五晶体管ST5的漏极电极D5可以连接到驱动晶体管DT的源极电极SDT。

第六晶体管ST6可以包括沟道部分CH6、连接到沟道部分CH6的两侧的源极电极S6和漏极电极D6以及与沟道部分CH6重叠并且由发射控制线ECL的另一部分形成的栅极电极G6。

第六晶体管ST6的源极电极S6可以连接到驱动晶体管DT的漏极电极DDT。

第六晶体管ST6的漏极电极D6可以连接到第四晶体管ST4的源极电极S4，并且可以经由第七接触孔CT7连接到第三连接电极CE3。

如图12中所示，第三连接电极CE3可以由第三导电层CDL3制成。

如图11中所示，第五晶体管ST5的沟道部分CH5、源极电极S5和漏极电极D5可以由半导体层SEL制成。源极电极S5和漏极电极D5可以是通过用离子或杂质掺杂半导体材料而制成为导电的半导体层SEL的部分。

第六晶体管ST6的沟道部分CH6、源极电极S6和漏极电极D6可以由半导体层SEL制成。源极电极S6和漏极电极D6可以是通过用离子或杂质掺杂半导体材料而制成为导电的半导体层SEL的部分。

第五晶体管ST5和第六晶体管ST6的栅极电极G5和G6可以是由第一导电层CDL1制成的发射控制线ECL的不同部分。

如图12中所示，电容器C1(参见图9)可以通过彼此重叠的第一电容器电极CAE1和第二电容器电极CAE2提供。

这里，第一电容器电极CAE1可以是由第一导电层CDL1制成的驱动晶体管DT的栅极电极GDT的一部分。

第二电容器电极CAE2可以是由第二导电层CDL2制成的第一电力水平辅助线VDSBL1的一部分。

第二连接电极CE2经由第四接触孔CT4连接到第二晶体管ST2的源极电极S2。

参照图10，电路层120(参见图13)的第四导电层CDL4可以包括在第一方向DR1上延伸的第一电力辅助线VDAL和第二迂回线DETL2。

如图6中所示，由于第二迂回线DETL2是第一虚设线DML1的一部分，因此第四导电层CDL4可以包括第一电力辅助线VDAL和第一虚设线DML1。

如图6中所示，第一虚设线DML1包括输入迂回线IDEL的第二迂回线DETL2以及第一辅助线ASL1，第一辅助线ASL1是除了第二迂回线DETL2之外并且被施加有第二电力ELVSS的部分。

第一虚设线DML1和第一电力辅助线VDAL可以在第二方向DR2上交替地设置。

如图10中所示，第四导电层CDL4还可以包括第四连接电极CE4和第五连接电极CE5。

第四连接电极CE4可以经由第十接触孔CT10连接到第二连接电极CE2。

第五连接电极CE5可以经由第八接触孔CT8电连接到第三连接电极CE3。

第一电力辅助线VDAL可以经由第十一接触孔CT11电连接到第三导电层CDL3的第一电力垂直辅助线VDSBL2中的每一条。

第五导电层CDL5可以包括数据线DL和第二虚设线DML2。

数据线DL包括设置在第一显示侧区域DSDA1(参见图4)中的第一数据线DL1和第二数据线DL2。

分别邻近数据线DL的第二虚设线DML2可以包括每个输入迂回线IDEL的第一迂回线DETL1和第三迂回线DETL3以及第二辅助线ASL2，第二辅助线ASL2是除了第一迂回线DETL1和第三迂回线DETL3之外的并且被施加有第二电力ELVSS的部分。

第二辅助线ASL2可以包括在显示区域DA(参见图4)的在第二方向DR2上的两端部之间延伸的通用辅助线GASL、与第一迂回线DETL1的一端间隔开的第一延伸辅助线EASL1以及与第三迂回线DETL3的一端间隔开的第二延伸辅助线EASL2。

第一数据线DL1可以在第一方向DR1上的一侧上邻近通用辅助线GASL。

第二数据线DL2可以在第一方向DR1上的一侧上邻近第三迂回线DETL3和第二延伸辅助线EASL2。

数据线DL中的每一条可以经由数据连接孔DTCH电连接到第四连接电极CE4。

因此，第二晶体管ST2的源极电极S2可以经由第二连接电极CE2和第四连接电极CE4电连接到数据线DL中的每一条。

第五导电层CDL5还可以包括第六连接电极CE6。

第六连接电极CE6可以经由第九接触孔CT9电连接到第五连接电极CE5。

第五连接电极CE5可以电连接到第三连接电极CE3，并且第三连接电极CE3可以电连接到第四晶体管ST4的源极电极S4和第六晶体管ST6的漏极电极D6。

第六连接电极CE6可以经由第三连接电极CE3和第五连接电极CE5电连接到第四晶体管ST4的源极电极S4和第六晶体管ST6的漏极电极D6。

第六连接电极CE6可以经由贯穿第三平坦化层127(参见图13)的阳极接触孔ANCT(参见图13)电连接到发光元件LEL(参见图13)的阳极AND(参见图13)。

在第一显示侧区域DSDA1中，第三迂回线DETL3可以经由贯穿第二平坦化层126(参见图13)的第二迂回连接孔DECH2电连接到第二迂回线DETL2。

参照图10至图13，电路层120可以包括在基底110上的半导体层SEL、覆盖半导体层SEL的第一栅极绝缘层122、在第一栅极绝缘层122上的第一导电层CDL1、覆盖第一导电层CDL1的第二栅极绝缘层123、在第二栅极绝缘层123上的第二导电层CDL2、覆盖第二导电层CDL2的层间绝缘层124、在层间绝缘层124上的第三导电层CDL3、覆盖第三导电层CDL3的第一平坦化层125、在第一平坦化层125上的第四导电层CDL4、覆盖第四导电层CDL4的第二平坦化层126、在第二平坦化层126上的第五导电层CDL5以及覆盖第五导电层CDL5的第三平坦化层127。

电路层120还可以包括设置在基底110和半导体层SEL之间的缓冲层121。

缓冲层121可以被设计为保护电路层120和发光元件层130免受经由基底110引入的湿气的影响，并且可以由至少一个无机层制成。

例如，缓冲层121可以是其中从氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中选择的一个或多个无机层彼此交替地堆叠的多层。

半导体层SEL可以设置在缓冲层121上，并且可以由诸如多晶硅、单晶硅、低温多晶硅或非晶硅的硅半导体制成。

半导体层SEL可以包括被提供在每个像素驱动器PXD(参见图9)中的驱动晶体管DT以及开关元件ST1至ST6的沟道部分CHDT、CH11、CH12、CH2、CH31、CH32、CH4、CH5和CH6(参见图11)。

半导体层SEL还可以包括驱动晶体管DT和开关元件ST1至ST6的源极电极SDT、S11、S12、S2、S31、S32、S4、S5和S6(参见图11)以及漏极电极DDT、D11、D12、D2、D31、D32、D4、D5和D6(参见图11)。

半导体层SEL的与驱动晶体管DT和开关元件ST1至ST6的源极电极SDT、S11、S12、S2、S31、S32、S4、S5和S6(参见图11)以及漏极电极DDT、D11、D12、D2、D31、D32、D4、D5和D6(参见图11)对应的部分可以被掺杂有离子或杂质以具有导电性。

另一方面，半导体层SEL的与驱动晶体管DT和开关元件ST1至ST6的沟道部分CHDT、CH11、CH12、CH2、CH31、CH32、CH4、CH5和CH6(参见图11)对应的部分由于栅极电极GDT、G11、G12、G2、G31、G32、G4、G5和G6可以未被掺杂，并且可以保持产生沟道(其用作载流子根据电位差通过其而移动的通道)的半导体特性。

第一栅极绝缘层122可以由设置在缓冲层121上并且覆盖半导体层SEL的无机层制成。

例如，第一栅极绝缘层122可以由诸如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和/或氧化铝层的无机层制成。

第一导电层CDL1可以设置在第一栅极绝缘层122上。

第一导电层CDL1可以包括被提供在每个像素驱动器PXD中的驱动晶体管DT和开关元件ST1至ST6的栅极电极GDT、G11、G12、G2、G31、G32、G4、G5和G6。

第一导电层CDL1还可以包括连接到每个像素驱动器PXD中的第一晶体管ST1至第六晶体管ST6的栅极电极G11、G12、G2、G31、G32、G4、G5和G6并且在第一方向DR1上延伸的扫描写入线GWL、扫描初始化线GIL、栅极控制线GCL和发射控制线ECL。

第一导电层CDL1可以是由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)和它们的合金中的任意一种或多种制成的单层或多层。

第二栅极绝缘层123可以由设置在第一栅极绝缘层122上并且覆盖第一导电层CDL1的无机层制成。

例如，第二栅极绝缘层123可以由诸如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和/或氧化铝层的无机层制成。

第二导电层CDL2可以设置在第二栅极绝缘层123上。

第二导电层CDL2可以包括屏蔽电极SHE(参见图12)、第一电力水平辅助线VDSBL1(参见图12)、栅极初始化电压线VGIL(参见图12)和阳极初始化电压线VAIL(参见图12)。

第二导电层CDL2可以是由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)和它们的合金中的任意一种或多种制成的单层或多层。

层间绝缘层124可以由设置在第二栅极绝缘层123上并且覆盖第二导电层CDL2的无机层制成。

例如，层间绝缘层124可以由诸如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和/或氧化铝层的无机层制成。

第三导电层CDL3可以设置在层间绝缘层124上。

第三导电层CDL3可以包括第一连接电极CE1(参见图12)、第二连接电极CE2(参见图12)、第三连接电极CE3(参见图12)、第一电力垂直辅助线VDSBL2(参见图12)、栅极初始化电压线VGIL(参见图12)和阳极初始化电压线VAIL。

参照图11、图12和图13，每个像素驱动器PXD(参见图9)可以包括第一接触孔CT1、第二接触孔CT2、第三接触孔CT3、第四接触孔CT4、第五接触孔CT5、第六接触孔CT6和第七接触孔CT7。

第一接触孔CT1可以被设计为将第一连接电极CE1和驱动晶体管DT的栅极电极GDT连接。

第一接触孔CT1可以与驱动晶体管DT的栅极电极GDT的一部分对应，并且可以贯穿第二栅极绝缘层123和层间绝缘层124。因此，由第三导电层CDL3制成的第一连接电极CE1可以经由第一接触孔CT1电连接到由第一导电层CDL1制成的驱动晶体管DT的栅极电极GDT。

第二接触孔CT2可以被设计为将第二子晶体管ST12的漏极电极D12和第三子晶体管ST31的源极电极S31中的任意一者连接到第一连接电极CE1。第二子晶体管ST12的漏极电极D12和第三子晶体管ST31的源极电极S31可以彼此连接。

第二接触孔CT2可以与第二子晶体管ST12的漏极电极D12和第三子晶体管ST31的源极电极S31中的任意一者的一部分对应，并且可以贯穿第一栅极绝缘层122、第二栅极绝缘层123和层间绝缘层124。因此，由第三导电层CDL3制成的第一连接电极CE1可以经由第二接触孔CT2电连接到由半导体层SEL制成的第二子晶体管ST12的漏极电极D12和第三子晶体管ST31的源极电极S31。

驱动晶体管DT的栅极电极GDT可以经由第一接触孔CT1、第二接触孔CT2和第一连接电极CE1电连接到第二子晶体管ST12的漏极电极D12和第三子晶体管ST31的源极电极S31。

第三接触孔CT3可以被设计为将屏蔽电极SHE和第一电力垂直辅助线VDSBL2中的每一条连接。

第三接触孔CT3可以与每条第一电力垂直辅助线VDSBL2的一部分对应，并且可以贯穿层间绝缘层124。因此，由第二导电层CDL2制成的屏蔽电极SHE可以经由第三接触孔CT3电连接到由第三导电层CDL3制成的每条第一电力垂直辅助线VDSBL2。

第四接触孔CT4可以被设计为将第二连接电极CE2和第二晶体管ST2的源极电极S2连接。

第四接触孔CT4可以与第二晶体管ST2的源极电极S2的一部分对应，并且可以贯穿第一栅极绝缘层122、第二栅极绝缘层123和层间绝缘层124。因此，由第三导电层CDL3制成的第二连接电极CE2可以经由第四接触孔CT4电连接到由半导体层SEL制成的第二晶体管ST2的源极电极S2。

第五接触孔CT5可以被设计为将第一电力水平辅助线VDSBL1和第一电力垂直辅助线VDSBL2中的每一条连接。

第五接触孔CT5可以与第一电力水平辅助线VDSBL1的一部分对应，并且可以贯穿层间绝缘层124。因此，由第三导电层CDL3制成的第一电力垂直辅助线VDSBL2中的每一条可以经由第五接触孔CT5电连接到由第二导电层CDL2制成的第一电力水平辅助线VDSBL1。

第六接触孔CT6可以被设计为将第一电力垂直辅助线VDSBL2中的每一条和第五晶体管ST5的源极电极S5连接。

第六接触孔CT6可以与第五晶体管ST5的源极电极S5的一部分对应，并且可以贯穿第一栅极绝缘层122、第二栅极绝缘层123和层间绝缘层124。因此，由第三导电层CDL3制成的第一电力垂直辅助线VDSBL2中的每一条可以经由第六接触孔CT6电连接到由半导体层SEL制成的第五晶体管ST5的源极电极S5。

第七接触孔CT7可以被设计为将第三连接电极CE3和第六晶体管ST6的漏极电极D6连接。

第七接触孔CT7可以与第六晶体管ST6的漏极电极D6的一部分对应，并且可以贯穿第一栅极绝缘层122、第二栅极绝缘层123和层间绝缘层124。因此，由第三导电层CDL3制成的第三连接电极CE3可以经由第七接触孔CT7电连接到由半导体层SEL制成的第六晶体管ST6的漏极电极D6。

第三导电层CDL3可以具有多层结构，该多层结构包括具有低电阻性质的金属层以及具有离子扩散防止性质并且分别设置在上述金属层的上表面和下表面上的金属层。

例如，第三导电层CDL3可以具有金属层的堆叠结构，并且第三导电层CDL3的金属层中的每一个可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的至少一种制成。

具体地，具有低电阻性质的金属层可以由铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的至少一种制成。

具有离子扩散防止性质的金属层可以由钛(Ti)制成。

例如，第三导电层CDL3可以具有钛(Ti)/铝(Al)/钛(Ti)的堆叠结构(Ti/Al/Ti)。

覆盖第三导电层CDL3的第一平坦化层125可以由包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机层制成。

第四导电层CDL4可以设置在第一平坦化层125上。

如图10中所示，第四导电层CDL4可以包括第一电力辅助线VDAL、第一虚设线DML1、第四连接电极CE4和第五连接电极CE5。

第一虚设线DML1包括第二迂回线DETL2和第一辅助线ASL1。

第四导电层CDL4可以是由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)和它们的合金中的任意一种或多种制成的单层或多层。

如同第三导电层CDL3一样，第四导电层CDL4可以具有金属层的堆叠结构，并且第三导电层CDL3的金属层中的每一个可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的至少一种制成。

例如，第四导电层CDL4可以具有钛(Ti)/铝(Al)/钛(Ti)的堆叠结构(Ti/Al/Ti)。

覆盖第四导电层CDL4的第二平坦化层126可以由诸如丙烯醛基树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和/或聚酰亚胺树脂的有机层制成。

第五导电层CDL5可以设置在第二平坦化层126上。

如图10中所示，第五导电层CDL5可以包括数据线DL、第二虚设线DML2和第六连接电极CE6。

第二虚设线DML2可以包括第一迂回线DETL1、第三迂回线DETL3和第二辅助线ASL2。

第五导电层CDL5可以是由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)和它们的合金中的任意一种或多种制成的单层或多层。

如图13中所示，覆盖第五导电层CDL5的第三平坦化层127可以由包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和/或聚酰亚胺树脂的有机层制成。

参照图10和图13，每个像素驱动器PXD(参见图9)还可以包括第八接触孔CT8、第九接触孔CT9、第十接触孔CT10和第十一接触孔CT11。

第八接触孔CT8可以被设计为将第三连接电极CE3和第五连接电极CE5连接。

第八接触孔CT8可以与第三连接电极CE3的一部分对应，并且可以贯穿第一平坦化层125。因此，第五连接电极CE5可以经由第八接触孔CT8电连接到第三连接电极CE3。

第九接触孔CT9可以被设计为将第五连接电极CE5和第六连接电极CE6连接。

第九接触孔CT9可以与第五连接电极CE5的一部分对应，并且可以贯穿第二平坦化层126。因此，第六连接电极CE6可以经由第九接触孔CT9电连接到第五连接电极CE5。

第十接触孔CT10可以被设计为将第四连接电极CE4和第二连接电极CE2连接。

第十接触孔CT10可以与第二连接电极CE2的一部分对应，并且可以贯穿第一平坦化层125。因此，第四连接电极CE4可以经由第十接触孔CT10电连接到第二连接电极CE2。

数据连接孔DTCH可以被设计为将第四连接电极CE4和数据线DL中的每一条电连接。

数据连接孔DTCH可以与第四连接电极CE4的一部分对应，并且可以贯穿第二平坦化层126。因此，数据线DL中的每一条可以经由数据连接孔DTCH电连接到第四连接电极CE4。

如图13中所示，发光元件层130可以设置在电路层120的第三平坦化层127上。

例如，发光元件层130可以包括：阳极AND，设置在第三平坦化层127上，分别与发射区域EA对应并且分别电连接到像素驱动器PXD(参见图9)；像素限定层PDL，可以设置在第三平坦化层127上，与在发射区域EA之间的非发射区域NEA对应并且覆盖阳极AND的边缘；发光层EML，分别与发射区域EA对应并且分别设置在阳极AND上；以及阴极CTD，与发射区域EA对应并且可以设置在像素限定层PDL和发光层EML上。

阴极CTD可以电连接到第二电源线VSSPL(参见图5)。

阳极AND中的每一个可以经由贯穿第三平坦化层127的阳极接触孔ANCT连接到第六连接电极CE6。

因此，阳极AND中的每一个可以经由第七接触孔CT7、第三连接电极CE3、第八接触孔CT8、第五连接电极CE5、第九接触孔CT9、第六连接电极CE6和阳极接触孔ANCT电连接到像素驱动器PXD。

像素限定层PDL可以由有机层制成。

发光层EML可以包括有机发光材料。

虽然未单独示出，但是至少包括空穴传输材料的第一公共层(未示出)可以设置在阳极AND和发光层EML之间。

至少包括电子传输材料的第二公共层(未示出)可以设置在发光层EML和阴极CTD之间。

阴极CTD可以与整个显示区域DA(参见图2)对应。

虽然未单独示出，但是阴极CTD可以连接到非显示区域NDA(参见图2)中的第二电源线VSSPL。

因此，发光元件层130可以包括多个发光元件LEL，多个发光元件LEL分别与发射区域EA对应，并且多个发光元件LEL各自包括彼此面对的阳极AND和阴极CTD以及介于阳极AND和阴极CTD之间的发光层EML。

发光元件层130可以被用于阻挡氧或湿气的渗入的密封层140覆盖。

密封层140可以覆盖发光元件层130，并且可以具有其中至少一个无机层和至少一个有机层彼此交替地堆叠的结构。

例如，密封层140可以包括覆盖阴极CTD并且由无机绝缘材料制成的第一无机层141、设置在第一无机层141上并且由有机绝缘材料制成的有机层142以及覆盖有机层142并且由无机绝缘材料制成的第二无机层143。

图14是示出设置在图4和图5的部分C中的发射区域EA的示例的示意性平面图。

参照图14，根据实施例的显示装置10(参见图1)的发射区域EA可以包括第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3。

第一发射区域EA1和第三发射区域EA3可以在第一方向DR1和第二方向DR2中的每一者上交替地布置。

第二发射区域EA2可以在第一斜线方向DD1或第二斜线方向DD2上邻近第一发射区域EA1或第三发射区域EA3。

第二发射区域EA2可以在第一方向DR1和第二方向DR2中的每一者上并排布置。

非发射区域NEA可以设置在发射区域EA中的每一个周围。

图15是示出根据实施例的显示装置10(参见图1)中的设置在图4和图5的部分C中的发射区域EA和过孔VIAH的示意性平面图。图16是示出根据图15的实施例的显示装置10中的设置在图4的部分D中的发射区域EA和过孔VIAH的示意性平面图。

参照图15和图16，根据实施例的显示装置10包括用于第一虚设线DML1和第二虚设线DML2之间的电连接的过孔VIAH。

过孔VIAH中的一些可以与发射区域EA中的一个重叠，并且其它过孔VIAH可以设置在非发射区域NEA中。

如以上参照图5和图6所描述的，根据实施例，第一虚设线DML1可以包括输入迂回线IDEL的用于将第一解复用器电路单元DMC1和第一数据供应线DSPL1电连接的第二迂回线DETL2以及电连接到第二电源线VSSPL以接收第二电力ELVSS(参见图9)的第一辅助线ASL1。

第二虚设线DML2可以包括输入迂回线IDEL的第一迂回线DETL1和第三迂回线DETL3以及电连接到第二电源线VSSPL以接收第二电力ELVSS的第二辅助线ASL2。

第二辅助线ASL2可以包括在显示区域DA的在第二方向DR2上的两端部之间延伸的通用辅助线GASL、与第一迂回线DETL1的在第二方向DR2上的端部间隔开的第一延伸辅助线EASL1以及与第三迂回线DETL3的在第二方向DR2上的端部间隔开的第二延伸辅助线EASL2。

因此，如图15中所示，过孔VIAH可以包括用于第二迂回线DETL2和第一迂回线DETL1之间的电连接的第一迂回连接孔DECH1以及用于第二迂回线DETL2和第三迂回线DETL3之间的电连接的第二迂回连接孔DECH2。

如图16中所示，过孔VIAH还可以包括用于第一辅助线ASL1和第二辅助线ASL2之间的电连接的辅助连接孔ASCH。

辅助连接孔ASCH可以包括与通用辅助线GASL重叠的第一辅助连接孔ASCH1、设置在第一通用侧区域GSA1中并且与第二延伸辅助线EASL2重叠的第二辅助连接孔ASCH2以及设置在第二通用侧区域GSA2中并且与第一延伸辅助线EASL1重叠的第三辅助连接孔ASCH3。

根据实施例，过孔VIAH之中的第一迂回连接孔DECH1和第二迂回连接孔DECH2可以设置在非发射区域NEA中。

在这种情况下，辅助连接孔ASCH之中的第一辅助连接孔ASCH1中的每一个可以与发射区域EA中的一个重叠。

第二迂回线DETL2在第一迂回线DETL1和第三迂回线DETL3之间在第一方向DR1上延伸，并且第一迂回连接孔DECH1和第二迂回连接孔DECH2设置在第二迂回线DETL2的两端处。

因此，第二迂回线DETL2的两端处的端部部分的可见度以及第一迂回连接孔DECH1和第二迂回连接孔DECH2的可见度由于它们之间的相互作用而提高。因此，解复用器相邻区域DAA(参见图4)的图像质量变得与通用区域GA(参见图4)的图像质量不同，从而使显示装置10的显示质量劣化。

然而，根据实施例，由于第一迂回连接孔DECH1和第二迂回连接孔DECH2设置在非发射区域NEA中，因此可以降低第一迂回连接孔DECH1和第二迂回连接孔DECH2的可见度。

由于第一迂回连接孔DECH1和第二迂回连接孔DECH2设置在非发射区域NEA中，因此发射区域EA中的每一个的发光元件LEL(参见图13)可以不与第一迂回连接孔DECH1或第二迂回连接孔DECH2重叠。因此，可以防止由于因第一迂回连接孔DECH1和第二迂回连接孔DECH2造成的台阶差的影响而使发光元件LEL的发光方向变得不同。

因此，可以减少由于输入迂回线IDEL导致的显示装置10的显示质量的降低。

第二辅助线ASL2之中的第一延伸辅助线EASL1可以设置为在第二方向DR2上与第一迂回线DETL1平行，并且可以与第一迂回线DETL1的端部间隔开。

第二辅助线ASL2之中的第二延伸辅助线EASL2可以设置为在第二方向DR2上与第三迂回线DETL3平行，并且可以与第三迂回线DETL3的端部间隔开。

由于第一显示侧区域DSDA1的每条第二延伸辅助线EASL2和第二显示侧区域DSDA2的每条第一延伸辅助线EASL1与一条或多条第二迂回线DETL2交叉，因此难以使它们与辅助连接孔ASCH重叠。

因此，根据第一实施例，辅助连接孔ASCH可以不设置在第一显示侧区域DSDA1和第二显示侧区域DSDA2中，而是可以设置在显示中间区域DMDA和通用区域GA中。

如图16中所示，在第一通用侧区域GSA1中，在第二方向DR2上分别与和其相邻的第一辅助线ASL1重叠的辅助连接孔ASCH1和ASCH2可以在第三斜线方向DD3上布置。

例如，第一通用侧区域GSA1的辅助连接孔ASCH可以包括在第三斜线方向DD3上布置并且彼此交替的第一辅助连接孔ASCH1和第二辅助连接孔ASCH2。

在第二通用侧区域GSA2中，在第二方向DR2上分别与和其相邻的第一辅助线ASL1重叠的辅助连接孔ASCH1和ASCH3可以在第四斜线方向DD4上布置。

例如，第二通用侧区域GSA2的辅助连接孔ASCH可以包括在第四斜线方向DD4上布置并且彼此交替的第一辅助连接孔ASCH1和第三辅助连接孔ASCH3。

图17是示出根据另一实施例的显示装置10(参见图1)中的设置在图4和图5的部分C中的发射区域EA和过孔VIAH的示意性平面图。

除了过孔VIAH之中的第一辅助连接孔ASCH1可以设置在非发射区域NEA中并且第一迂回连接孔DECH1和第二迂回连接孔DECH2中的每一者可以与发射区域EA中的一个重叠之外，根据图17的实施例的显示装置可以与图15的实施例相同。因此，下面将省略冗余的描述。

第一迂回连接孔DECH1和第二迂回连接孔DECH2可以在解复用器相邻区域DAA(参见图4)中设置在第二迂回线DETL2的两端处，但一个或多个第一辅助连接孔ASCH1可以设置在显示区域DA(参见图2)的第一辅助线ASL1中的每一条中。因此，第一辅助连接孔ASCH1的数量可以大于设置在解复用器相邻区域DAA中的第一迂回连接孔DECH1和第二迂回连接孔DECH2的总数量。

因此，根据图17的实施例，可以在非发射区域NEA(参见图2)中设置相对大的数量的第一辅助连接孔ASCH1，而不是相对小的数量的第一迂回连接孔DECH1和第二迂回连接孔DECH2。结果是，可以降低第一辅助连接孔ASCH1的可见度。可以防止发光元件LEL(参见图13)的发光方向由于因第一辅助连接孔ASCH1造成的台阶差的影响而变得不同。因此，这可以减少由于过孔VIAH导致的显示装置10的显示质量的下降。

图18是示出根据又一实施例的显示装置10(参见图1)中的设置在图4和图5的部分C中的数据线DL、第一虚设线DML1、第二虚设线DML2和过孔VIAH的示意性平面图。图19是示出根据图18的实施例的显示装置10中的设置在图4的部分D中的数据线DL、第一虚设线DML1、第二虚设线DML2和过孔VIAH的示意性平面图。

参照图18和图19，除了数据线DL和第二虚设线DML2中的每一者可以不包括朝向每个相邻的像素驱动器PXD(参见图9)突出并且彼此对称的一对子突起而是可以仅包括与数据连接孔DTCH重叠的子突起SPR1、面对数据连接孔DTCH的子突起SPR2、SPR4或SPR6、与辅助连接孔ASCH重叠的子突起SPR3或SPR7以及与第一迂回连接孔DECH1或第二迂回连接孔DECH2重叠的子突起SPR5以外，根据图18的实施例的显示装置10可以与图15和图16中所示的实施例或图17中所示的实施例基本上相同。因此，下面将描述冗余的描述。

根据图18的实施例，设置在第一显示侧区域DSDA1(参见图4)和第一通用侧区域GSA1中的第一数据线DL1和第二数据线DL2中的每一者可以包括在第二方向DR2上延伸的第一主延伸部分MEX1以及从第一主延伸部分MEX1突出并且与每个相邻的像素驱动器PXD的数据连接孔DTCH重叠的第一子突起SPR1。

邻近第一数据线DL1中的每一者的通用辅助线GASL可以包括在第二方向DR2上延伸的第二主延伸部分MEX2以及从第二主延伸部分MEX2突出并且面对第一数据线DL1的第一子突起SPR1的第二子突起SPR2。

在通用区域GA(参见图4)中，每条通用辅助线GASL还可以包括从第二主延伸部分MEX2突出并且与第一辅助连接孔ASCH1重叠的第三子突起SPR3。

在第一通用侧区域GSA1中，第一辅助连接孔ASCH1可以设置在通用辅助线GASL的第三子突起SPR3中。

第一辅助连接孔ASCH1可以在第二斜线方向DD2上布置。

邻近第二数据线DL2的第三迂回线DETL3中的每一条可以包括在第二方向DR2上延伸的第三主延伸部分MEX3、从第三主延伸部分MEX3突出并且面对第二数据线DL2的第一子突起SPR1的第四子突起SPR4以及面对第二数据线DL2的第一主延伸部分MEX1并且与辅助连接孔ASCH之中的第二迂回连接孔DECH2重叠的第五子突起SPR5。

第五子突起SPR5可以朝向与第二迂回线DETL2的端部和一条第三迂回线DETL3的交点相邻的一个像素驱动器PXD突出。

邻近第二数据线DL2的第二延伸辅助线EASL2中的每一条可以包括在第二方向DR2上延伸的第四主延伸部分MEX4以及从第四主延伸部分MEX4突出并且面对第二数据线DL2的第一子突起SPR1的第六子突起SPR6。

在通用区域GA中，第二延伸辅助线EASL2中的每一条还可以包括从第四主延伸部分MEX4突出并且与第二辅助连接孔ASCH2重叠的第七子突起SPR7。

在第一通用侧区域GSA1中，第二辅助连接孔ASCH2可以在第二斜线方向DD2上布置。第一辅助连接孔ASCH1的布置方向可以与第二辅助连接孔ASCH2的布置方向平行。

除了第二显示侧区域DSDA2和第二通用侧区域GSA2可以包括第三数据线DL3和第四数据线DL4而不是第一数据线DL1和第二数据线DL2并且包括第一迂回线DETL1而不是第三迂回线DETL3之外，第二显示侧区域DSDA2和第二通用侧区域GSA2可以与第一显示侧区域DSDA1和第一通用侧区域GSA1基本上相同。第二显示侧区域DSDA2和第二通用侧区域GSA2可以与第一显示侧区域DSDA1和第一通用侧区域GSA1基本上类似，第三数据线DL3和第四数据线DL4可以与第一数据线DL1和第二数据线DL2类似，并且第一迂回线DETL1可以与第三迂回线DETL3类似。因此，将省略冗余描述。

如上所描述，根据图18的实施例，数据线DL和第二虚设线DML2中的每一者可以仅包括与过孔VIAH重叠的子突起。因此，与数据线DL和第二虚设线DML2中的每一者包括朝向每个相邻的像素驱动器PXD突出并且彼此对称的一对子突起的情况相比，子突起的数量可以减少。因此，由于数据线DL和第二虚设线DML2中的每一者的电阻可以随着子突起的数量减少而降低，因此可以减少RC延迟。

图20是示出根据再一实施例的显示装置10(参见图1)中的设置在图4的部分D中的数据线DL、第一虚设线DML1、第二虚设线DML2以及过孔VIAH的示意性平面图。图21是示出根据图20的实施例的显示装置10中的设置在图4的部分E中的数据线DL、第一虚设线DML1、第二虚设线DML2和过孔VIAH的示意性平面图。

参照图20和图21，除了辅助连接孔ASCH可以不包括第二辅助连接孔ASCH2(参见图16)和第三辅助连接孔ASCH3(参见图16)并且第一延伸辅助线EASL1和第二延伸辅助线EASL2可以连接到非显示区域NDA中的第二电源线VSSPL(参见图5)之外，根据图20的实施例的显示装置10可以与图15和图16中所示的实施例或图17中所示的实施例基本上相同。因此，下文将省略冗余的描述。

根据实施例，辅助连接孔ASCH可以仅包括与通用辅助线GASL重叠的第一辅助连接孔ASCH1。

第一延伸辅助线EASL1和第二延伸辅助线EASL2可以不电连接到第一辅助线ASL1，而是可以直接电连接到非显示区域NDA中的第二电源线VSSPL。

在这种情况下，由于通用辅助线GASL和第一辅助线ASL1的网格结构，用于传输第二电力ELVSS(参见图9)的线的电阻可以降低，同时由于辅助连接孔ASCH的数量的减少，热量产生减少。

图22是示出根据另一实施例的显示装置10(参见图1)中的设置在图4的部分E中的数据线DL、第一虚设线DML1、第二虚设线DML2和过孔VIAH的示意性平面图。

参照图22，除了数据线DL和第二虚设线DML2中的每一者可以仅包括与过孔VIAH重叠的子突起而不是朝向每个相邻的像素驱动器PXD(参见图9)突出并且彼此对称的一对子突起之外，根据图22的实施例的显示装置10可以与图20和图21中所示的实施例基本上相同。因此，后面将省略冗余的描述。

根据图22的实施例，辅助连接孔ASCH可以仅包括与通用辅助线GASL重叠的第一辅助连接孔ASCH1。因此，第一延伸辅助线EASL1和第二延伸辅助线EASL2中的每一者可以不包括与第二辅助连接孔ASCH2(参见图19)或第三辅助连接孔ASCH3(参见图19)重叠的第七子突起SPR7(参见图19)，而是可以仅包括面对第一子突起SPR1的第六子突起SPR6。

第一延伸辅助线EASL1和第二延伸辅助线EASL2中的每一者的第四主延伸部分MEX4可以延伸到非显示区域NDA，并且可以连接到第二电源线VSSPL。

除了数据线DL和第二虚设线DML2中的每一者可以仅包括与数据连接孔DTCH(参见图18)重叠的子突起SPR1、面对数据连接孔DTCH的子突起SPR2、SPR4(参见图18)或SPR6、与辅助连接孔ASCH重叠的子突起SPR3以及与第一迂回连接孔DECH1或第二迂回连接孔DECH2重叠的子突起SPR5(参见图18)之外，根据图22的实施例可以与图15和图16中所示的实施例或图17中所示的实施例基本上相同。因此，将省略冗余描述。

根据实施例的显示装置可以包括基底、在基底上的电路层、在电路层上的发光元件层以及供应与电路层的数据线的数据信号对应的数据驱动信号的显示驱动电路。

基底可以包括主区域和从主区域的一侧突出的子区域，并且主区域可以包括其中布置有发射区域的显示区域和设置在显示区域周围的非显示区域。

电路层可以包括分别与发射区域对应的像素驱动器、将数据信号传输到像素驱动器的数据线、设置在显示区域中并且在与数据线交叉的第一方向上延伸的第一虚设线、在与数据线平行的第二方向上延伸并且分别邻近数据线的第二虚设线以及设置在非显示区域的解复用器区域(其与子区域相邻)中并且电连接在显示驱动电路和数据线之间的解复用器电路单元。

如上所述，根据实施例的显示装置可以包括电连接在显示驱动电路和数据线之间的解复用器电路单元。解复用器电路单元中的每一个可以基于显示驱动电路的数据驱动信号输出数据线的数据信号。因此，显示驱动电路的数据驱动信号可以不与数据线分别对应，而是可以与在数量上比数据线少的解复用器电路单元分别对应。由于解复用器电路单元，分别电连接到显示驱动电路的输出端子的数据供应线可以被提供为在数量上比数据线少。因此，可以减少分配给非显示区域中的数据供应线的布置的宽度。

因此，可以在不减少数据线的数量的情况下减小非显示区域的宽度，从而消除由于非显示区域的宽度而对分辨率造成的限制。可以防止由于非显示区域的宽度的减小而导致的数据供应线之间的短路缺陷。

此外，根据实施例，过孔之中的用于第一虚设线和第二虚设线之间的电连接的一些过孔可以与发射区域中的一个重叠，并且其它过孔设置在发射区域之间的非发射区域中。

因此，可以降低过孔的可见度，进而减少由于过孔导致的显示质量的降低。

根据实施例，解复用器区域可以包括在中间的解复用器中间区域、与基底的边缘的弯折部分相邻的第一解复用器侧区域以及设置在解复用器中间区域和第一解复用器侧区域之间的第二解复用器侧区域。

在这种情况下，解复用器电路单元可以包括设置在第一解复用器侧区域中的第一解复用器电路单元和设置在第二解复用器侧区域中的第二解复用器电路单元。

数据供应线之中的第一数据供应线可以经由设置在显示区域中的输入迂回线电连接到第一解复用器电路单元。

另一方面，数据供应线之中的第二数据供应线可以连接到第二解复用器电路单元。

如上所述，由于第一数据供应线经由输入迂回线电连接到第一解复用器侧区域的第一解复用器电路单元，因此第一数据供应线可以如同第二数据供应线一样地延伸到第二解复用器侧区域。因此，第一数据供应线可以不设置在与基底的弯折部分相邻的第一解复用器侧区域中。这可以减小第一解复用器侧区域的宽度，从而进一步减小非显示区域的宽度。

然而，本公开的效果不限制于在本文中阐述的效果。本公开的以上和其它效果对于本公开所属领域的普通技术人员而言将变得更加明显。

在本文中已经公开了实施例，并且尽管采用了术语，但是它们仅在一般和描述性的意义上使用和解释，而不是出于限制的目的。在一些情况下，如对于本领域普通技术人员而言将明显的是，除非另外具体指出，否则结合实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或者与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，可以做出形式和细节上的各种改变。