闪耀光栅及闪耀光栅的制作方法

技术领域

本申请涉及增强现实设备技术领域，尤其涉及一种闪耀光栅及闪耀光栅的制作方法。

背景技术

头戴式增强现实显示器上的光学系统的实现方式可以为光栅波导方案，即采用平板波导作为光线传输介质，使用光栅作为波导耦入及耦出器件，以实现光线的传播。闪耀光栅可以使得入射光能量集中在某一特定级次上，用来作为光栅波导中的耦入器件，可以提高光栅波导的耦入效率。

相关技术中，闪耀光栅的加工方式为，使用电子束灰度直写产生光刻胶形貌，然后通过刻蚀方式将光刻胶形貌转移到光栅基底上，实现闪耀光栅的制作。

但是，由于电子束灰度直写时，电子束会在光刻胶上发生散射，导致光刻胶顶部的尖角极容易被刻蚀，从而导致闪耀光栅的顶部尖角不理想，甚至形成较大半径的圆角，该圆角会导致衍射效率的下降，进而影响到波导的耦入光栅的衍射效率。

发明内容

本申请实施例提供一种闪耀光栅及闪耀光栅的制作方法，可以提高闪耀光栅的衍射效率。

本申请实施例一方面提供一种闪耀光栅，包括：基底层和设置在所述基底层上并呈周期性分布的闪耀光栅齿；所述闪耀光栅齿包括第一光栅部和第二光栅部，所述第一光栅部和所述第二光栅部由不同材料制成，所述闪耀光栅齿具有闪耀面和反闪耀面，所述闪耀面设置在所述第一光栅部上，所述反闪耀面设置在所述第二光栅部上，所述闪耀面和所述反闪耀面的连接处构成所述闪耀光栅齿顶部的尖角。

本申请实施例提供的闪耀光栅，设置第一光栅部和第二光栅部共同构成闪耀光栅齿，第一光栅部和第二光栅部分别具有闪耀面和反闪耀面，闪耀面和反闪耀面共同构成理想的尖角，使得闪耀光栅接近于理想的闪耀光栅形貌，具有更高的衍射效率，可以提高光栅波导的耦入效率，从而提高光栅波导的能量利用率。

在一种可能的实施方式中，所述闪耀面和所述基底层之间的第一夹角处于30-70度之间，所述反闪耀面和所述基底层之间的第二夹角处于85-90度之间。

在一种可能的实施方式中，所述第一光栅部和所述第二光栅部之间形成分界面，所述分界面和所述基底层之间的第三夹角处于10-60度之间。

在一种可能的实施方式中，所述第一光栅部的折射率为1.3-2.5，所述第二光栅部的折射率为1.3-2.0。

第二光栅部的材料和第一光栅部的材料的折射率可以相同或者相近，以保证闪耀光栅的性能。

在一种可能的实施方式中，所述闪耀光栅的光栅周期为200-500nm。

在一种可能的实施方式中，所述第一光栅部由SiO2制成，所述第二光栅部由聚合物制成。

本申请实施例另一方面提供一种闪耀光栅的制作方法，包括：

提供基底层、设置在所述基底层上的光栅层和光栅掩模，采用斜刻蚀工艺对所述光栅层和所述光栅掩模进行刻蚀，使光栅层形成三角形的第一光栅部，所述第一光栅部包括闪耀面和分界面，所述闪耀面和所述基底层之间的第一夹角，小于所述分界面和所述基底层之间的第三夹角；

形成包覆所述第一光栅部的填充层；

采用垂直刻蚀的工艺刻蚀所述填充层，保留所述分界面和所述基底层之间的所述填充层以形成第二光栅部，所述第一光栅部和所述第二光栅部构成闪耀光栅齿。

本申请实施例提供的闪耀光栅的制作方法，设置第一光栅部和第二光栅部共同构成闪耀光栅齿，由于第一光栅部和第二光栅部在刻蚀过程中没有受到电子束灰度直写造成的圆角的影响，且通过控制刻蚀比和刻蚀终点监测，使得闪耀光栅齿顶部可以形成理想的尖角，从而使得闪耀光栅接近于理想的闪耀光栅形貌，具有更高的衍射效率。

在一种可能的实施方式中，所述斜刻蚀工艺对应的倾斜离子束流与所述基底层之间构成第四夹角，所述第四夹角的值介于所述第一夹角和所述第三夹角之间。

设置第四夹角的值介于所述第一夹角和所述第三夹角之间，以使得经过该倾斜离子束流刻蚀后，可以形成具有预设的第一夹角和第三夹角的第一光栅部。

在一种可能的实施方式中，所述采用斜刻蚀工艺对所述光栅层和所述光栅掩模进行刻蚀，具体包括：

选择预设的刻蚀比，对所述光栅层和所述光栅掩模进行刻蚀，以使所述光栅层和所述光栅掩模同时消耗，并通过刻蚀过程的终点检测，以所述光栅掩模耗光作为刻蚀终止点。

通过控制刻蚀比和刻蚀终点监测，使得第一光栅部顶部可以形成理想的尖角，从而可以提高闪耀光栅的衍射效率。

在一种可能的实施方式中，所述闪耀光栅的制作方法还包括：

以具有所述基底层和所述闪耀光栅齿的所述闪耀光栅作为纳米压印母模，制作纳米压印公模；

以所述纳米压印公模为模具，采用纳米压印工艺，制作闪耀光栅。

利用纳米压印工艺制作的闪耀光栅，同样具有理想的尖角，且闪耀光栅齿由同一种材料制成，具有较佳的性能；通过纳米压印技术可以实现闪耀光栅的批量复制，有利于降低闪耀光栅的制作成本，具有极佳的量产性，可以提高闪耀光栅的应用广泛性。

在一种可能的实施方式中，所述提供基底层、设置在所述基底层上的光栅层和光栅掩模，具体包括：

提供基底层，在所述基底层上依次涂覆光栅层、光栅掩模层和光刻胶层；

使用全息曝光或者电子束直写，使所述光刻胶层形成光刻胶掩模；

使用所述光刻胶掩模对所述光栅掩模层进行刻蚀，将所述光刻胶掩模的形貌转移到所述光栅掩模层上，形成所述光栅掩模。

在一种可能的实施方式中，所述形成包覆所述第一光栅部的填充层，具体包括：

使用镀膜或者光刻胶涂覆工艺对所述第一光栅部进行填充，以形成包覆所述第一光栅部的填充层。

形成填充层的工艺容易实现，且填充层的形成过程不会对第一光栅部的结构造成影响。

在一种可能的实施方式中，所述填充层的刻蚀速度大于所述光栅层的刻蚀速度。

通过控制刻蚀比和刻蚀终点监测，使得第二光栅部顶部可以形成理想的尖角，从而可以提高闪耀光栅的衍射效率。

本申请实施例提供的闪耀光栅和闪耀光栅的制作方法，设置第一光栅部和第二光栅部共同构成闪耀光栅齿，由于第一光栅部和第二光栅部在刻蚀过程中没有受到电子束灰度直写造成的圆角的影响，且通过控制刻蚀比和刻蚀终点监测，使得闪耀光栅齿顶部可以形成理想的尖角，从而使得闪耀光栅接近于理想的闪耀光栅形貌，具有更高的衍射效率，可以提高光栅波导的耦入效率，从而提高光栅波导的能量利用率。

附图说明

图1为相关技术提供的光栅波导的结构示意图；

图2为相关技术提供的具有闪耀光栅的光栅波导的结构示意图；

图3为相关技术提供的闪耀光栅的制作方法的过程示意图一；

图4为相关技术提供的闪耀光栅的制作方法的过程示意图二；

图5为本申请一实施例提供的闪耀光栅的结构示意图；

图6为本申请一实施例提供的基底层的结构示意图；

图7为本申请一实施例提供的制作光刻胶掩模的结构示意图；

图8为本申请一实施例提供的制作光栅掩模的结构示意图；

图9为本申请一实施例提供的刻蚀光栅层的中间过程的结构示意图；

图10为本申请一实施例提供的制作第一光栅部的中间过程的结构示意图；

图11为本申请一实施例提供的第一光栅部的结构示意图；

图12为本申请一实施例提供的制作填充层的结构示意图；

图13为本申请一实施例提供的制作第二光栅部的中间过程的结构示意图；

图14为本申请一实施例提供的采用纳米压印工艺制作的闪耀光栅。

附图标记说明：

100-平板波导；11-耦入器件；200-闪耀光栅；21-基底层；22-闪耀光栅齿；221-第一光栅部；2211-闪耀面；222-第二光栅部；2221-反闪耀面；223-分界面；300-光刻胶层；31-光刻胶掩模；400-光栅层；500-光栅掩模层；51-光栅掩模；600-填充层；a1-第一夹角；a2-第二夹角；a3-第三夹角；a4-第四夹角。

具体实施方式

增强现实(augmented reality，AR)技术是一种实时计算光引擎系统(也称为投影仪或光机)射出的影像的位置及角度并加上相应图像的技术。由于增强现实技术使虚拟世界与真实世界实现互动，目前已广泛应用在增强现实装置中，例如AR眼镜、头戴式增强现实显示器等，能够将虚拟图像投影到人眼中，实现虚拟图像与真实图像的叠加。

头戴式增强现实显示器上、AR眼镜等AR设备的光学系统有多种架构，例如自由曲面方案、几何阵列波导方案、光栅波导方案等多种技术路径。图1为相关技术提供的光栅波导的结构示意图，图2为相关技术提供的具有闪耀光栅的光栅波导的结构示意图。参考图1和图2所示，光栅波导方案即采用平板波导100作为光线传输介质，使用光栅作为波导耦入器件11及耦出器件，以实现光线的传播。入射光入射到耦入光栅上之后，在耦入光栅上发生衍射，部分能量耦入到图中所示的光线方向上，该方向上的光线满足全反射条件，可以在平板波导100中往复传播。

光栅可以包括表面浮雕光栅或者全息光栅等类型，由于表面浮雕光栅可以通过纳米压印技术进行批量复制，具有极佳的量产性，因此应用较为广泛。

光栅波导的耦入器件11可以有多种构型，例如矩形光栅、倾斜光栅、闪耀光栅等，闪耀光栅200具有非对称结构的光栅齿，可以使得入射光能量集中在某一特定级次上，在很多领域中有应用需求，当闪耀光栅用来作为光栅波导中的耦入器件11时，参考图2中所示，理想形貌的闪耀光栅200具有更高的耦合效率，可以将入射光更多地衍射到需要的传播方向上。

图3为相关技术提供的闪耀光栅的制作方法的过程示意图一，图4为相关技术提供的闪耀光栅的制作方法的过程示意图二，参考图3和图4所示，相关技术中，闪耀光栅200的加工方式为，将光刻胶层300使用电子束灰度直写形成与闪耀光栅200的理想形貌相同的形貌，然后通过刻蚀方式将光刻胶层200的形貌转移到光栅层400上，实现闪耀光栅200的制作。

但是，由于电子束灰度直写时，电子束会在光刻胶300上发生散射，导致聚焦电子束斑的扩散，从而导致闪耀光栅200的顶部尖角不理想，甚至形成较大半径的圆角，圆角的半径一般在20-50nm之间，该圆角会导致衍射效率的下降，进而影响到光栅波导的耦入光栅的衍射效率。

基于上述问题，本申请实施例提供一种闪耀光栅及闪耀光栅的制作方法，设置第一光栅部和第二光栅部共同构成闪耀光栅齿，由于第一光栅部和第二光栅部在刻蚀过程中没有受到电子束灰度直写造成的圆角的影响，且通过控制刻蚀比和刻蚀终点监测，使得闪耀光栅齿顶部可以形成理想的尖角，从而使得闪耀光栅接近于理想的闪耀光栅形貌，具有更高的衍射效率，可以提高光栅波导的耦入效率，从而提高光栅波导的能量利用率。

以下参考附图和具体的实施例来描述本申请提供的闪耀光栅的结构。

图5为本申请一实施例提供的闪耀光栅的结构示意图。参考图5所示，本申请实施例一方面提供一种闪耀光栅200，包括基底层21和设置在基底层21上的闪耀光栅齿22，多个闪耀光栅齿22呈周期性分布。

闪耀光栅齿22包括第一光栅部221和第二光栅部222，第一光栅部221和第二光栅部222由不同材料制成，闪耀光栅齿22具有闪耀面2211和反闪耀面2221，闪耀面2211设置在第一光栅部221上，反闪耀面2221设置在第二光栅部222上，闪耀面2211和反闪耀面2221的连接处构成闪耀光栅齿22顶部的尖角。

其中，在本申请的一些实施例中，闪耀面2211和基底层21之间的第一夹角a1处于30-70度之间，反闪耀面2221和基底层21之间的第二夹角a2处于85-90度之间。

第一光栅部221和第二光栅部222之间形成分界面223，分界面223和基底层21之间的第三夹角a3的值介于第一夹角a1和第二夹角a2之间，处于10-60度的范围内。

第一光栅部221的折射率可以为1.3-2.5，第二光栅部222的折射率可以为1.3-2.0。第二光栅部222的材料和第一光栅部221的材料的折射率可以相同或者相近，以保证闪耀光栅200的性能。

本申请实施例中，闪耀光栅200的光栅周期可以为200-500nm。

其中，第一光栅部221由SiO2制成，第二光栅部222由聚合物制成。

本申请实施例提供的闪耀光栅，设置第一光栅部和第二光栅部共同构成闪耀光栅齿，第一光栅部和第二光栅部分别具有闪耀面和反闪耀面，闪耀面和反闪耀面共同构成理想的尖角，使得闪耀光栅接近于理想的闪耀光栅形貌，具有更高的衍射效率，可以提高光栅波导的耦入效率，从而提高光栅波导的能量利用率。

以下参考附图和具体的实施例来描述本申请提供的闪耀光栅的制作方法。

图6为本申请一实施例提供的基底层的结构示意图。参考图6所示，闪耀光栅200的制作方法可以包括：提供基底层21，在基底层21上依次涂覆光栅层400、光栅掩模层500和光刻胶层300。

其中，基底层21的制作材料不做具体限制，例如可以为SiO

不难理解，光栅掩模层500的厚度可以不小于光刻胶层300的厚度，以使光刻胶层300刻蚀后形成的光刻胶掩模的形貌可以完全转移到光栅掩模层500上，光栅层400的厚度可以不小于光栅掩模层500的厚度，以使光栅层400在光栅掩模层500耗光后可以得到闪耀光栅齿22。

其中，基底层21、光栅层400、光栅掩模层500和光刻胶层300的具体厚度范围在本申请实施例中可以不做具体限制。在一些实施例中，光刻胶层300的厚度范围可以在10-500nm之间，光栅掩模层500的厚度范围可以在10-200nm之间，光栅层400的厚度范围可以在10-800nm之间。

图7为本申请一实施例提供的制作光刻胶掩模的结构示意图。参考图7所示，在图6的基础上，使用全息曝光或者电子束直写等方法，通过曝光、显影等步骤，可以使光刻胶层300形成图7所示的光刻胶掩模31。

光刻胶掩模31包括多个周期性排布的掩模单元，该掩模单元的横截面形状例如可以为矩形或者图7中所示的半圆形。

图8为本申请一实施例提供的制作光栅掩模的结构示意图。参考图8所示，在图7的基础上，使用光刻胶掩模31对光栅掩模层500进行刻蚀，将光刻胶掩模31的形貌转移到光栅掩模层500上，形成光栅掩模51。

具体地，对光栅掩模层500进行刻蚀，采用的刻蚀工艺可以为离子束刻蚀或者反应离子束刻蚀。将光刻胶掩模31的形貌转移到光栅掩模层500上后，形成的光栅掩模51的形貌与光刻胶掩模31到的形貌接近一致。光栅掩模51同样可以包括多个周期性排布的掩模单元，该掩模单元的横截面形状例如可以为矩形或者图8中所示的半圆形。

本实施方式中，利用光刻胶层300制作光刻胶掩模31，再利用光刻胶掩模31在制作光栅掩模51，以得到预设形貌的光栅掩模51，制作工艺简单，可以得到尺寸和形貌范围更广的光栅掩模51的结构，有利于扩展闪耀光栅200的尺寸范围和形貌范围，提高闪耀光栅200的适用性。

在另一种可能的实施方式中，也可以直接对光栅掩模层500进行刻蚀，得到图8所示的光栅掩模51。此时，可以起到节省闪耀光栅200的制作步骤，提高生产效率，节约生产成本的作用。

图9为本申请一实施例提供的刻蚀光栅层的中间过程的结构示意图，图10为本申请一实施例提供的制作第一光栅部的中间过程的结构示意图，图11为本申请一实施例提供的第一光栅部的结构示意图。参考图9-图11所示，在图8提供了基底层21、设置在基底层21上的光栅层400和光栅掩模51的基础上，接下来，可以采用斜刻蚀工艺对光栅层400和光栅掩模51进行刻蚀，使光栅层400形成三角形的第一光栅部221。

其中，第一光栅部221包括闪耀面2211和分界面223，闪耀面2211、分界面223和基底层21的上表面共同围设成三角形，该三角形为钝角三角形，闪耀面2211和分界面223构成的角为三角形的第一光栅部221的顶角，该顶角为小于90度的锐角，闪耀面2211和基底层21之间的第一夹角a1为三角形的第一光栅部221的一个底角，该底角为小于90度的锐角，分界面223和基底层21之间的第三夹角a3的互补角为三角形的第一光栅部221的另一个底角，且该底角为钝角。

需要说明的是，第一夹角a1、第三夹角a3均为锐角，且朝向一致。分界面223与基底层21的上表面的闪耀面2211和基底层21之间的第一夹角a1，可以小于分界面223和基底层21之间的第三夹角a3，以满足该钝角三角形的构成。在一种可能的实施方式中，闪耀面2211和基底层21之间的第一夹角a1处于30-70度之间，分界面223和基底层21之间的第三夹角a3处于10-60度之间。

采用斜刻蚀工艺对光栅层400和光栅掩模51进行刻蚀，具体包括：选择预设的刻蚀比，对光栅层400和光栅掩模51进行刻蚀，采用的刻蚀工艺可以为离子束刻蚀或者反应离子束刻蚀，使光栅层400和光栅掩模51同时消耗，并通过刻蚀过程的终点检测，以光栅掩模51耗光作为刻蚀终止点。

示例性地，光栅层400可以为SiO

结合图8-图9，斜刻蚀工艺对应的倾斜离子束流如图中箭头所示由左上至右下方向延伸时，由于光栅层400和光栅掩模51同时消耗，且采用倾斜刻蚀，因此光栅掩模51的掩模单元左侧的光栅层400的刻蚀快于右侧的光栅层400的刻蚀，左侧相对于基底层21的夹角大于右侧相对于基底层21的夹角。刻蚀过程接近结束时，如图10所示，在光栅掩模51耗光时，刻蚀终止，如图11所示，得到具有尖角的第一光栅部221。

其中，斜刻蚀工艺对应的倾斜离子束流与基底层21之间构成第四夹角a4，第四夹角a4的值介于第一夹角a1和第三夹角a3之间，以使得经过该倾斜离子束流刻蚀后，可以形成具有预设的第一夹角a1和第三夹角a3的第一光栅部221。在一种可能的实施方式中，第四夹角a4的值可以接近第一夹角a1和第三夹角a3之和的二分之一。

图12为本申请一实施例提供的制作填充层的结构示意图。参考图12所示，在图11提供的具有第一光栅部211的基底层21的结构基础上，闪耀光栅200的制作方法的下一步可以为，形成包覆第一光栅部221的填充层600。

其中，形成包覆第一光栅部221的填充层600，具体可以包括：

使用镀膜或者光刻胶涂覆工艺对第一光栅部221进行填充，以形成包覆第一光栅部221的填充层600。

基底层21上的填充层600的高度，高于第一光栅部221的高度，以将第一光栅部221完全包覆。填充层600的材料在本申请实施例中不做具体限制，为了实现刻蚀，可以设置填充层600的刻蚀速度大于第一光栅部221的刻蚀速度，即填充层600相对于光栅层400具有足够高的刻蚀选择比。示例性地，可以通过在聚合物材料中添加高折射率颗粒来获得所需要的镀膜材料或者光刻胶材料。

图13为本申请一实施例提供的制作第二光栅部的中间过程的结构示意图。参考图13所示，在图12的基础上，闪耀光栅200的制作方法的下一步可以为，采用垂直刻蚀的工艺刻蚀填充层600，保留分界面223和基底层21之间的填充层600以形成第二光栅部222，第一光栅部221和第二光栅部222构成闪耀光栅齿22，如图5所示。

垂直刻蚀的离子束如图13中的箭头方向所示，由于离子束的方向性，和第一光栅部221光栅层与填充层600的高刻蚀选择比，进行竖直方向的材料去除时，可以保留第一光栅部221的形貌，并获得第二光栅部222。

第二光栅部222包括反闪耀面2221，第二光栅部222为填充层600构成的三角形，分界面223、反闪耀面2221、基底层21的上表面共同围设成三角形，该三角形接近直角三角形。反闪耀面2221和分界面223构成的角为三角形的第二光栅部222的顶角，该顶角为小于90度的锐角，分界面223和基底层21之间的第三夹角a3为三角形的第二光栅部222的一个底角，反闪耀面2221和基底层21之间的第二夹角a2的互补角为三角形的第二光栅部222的另一个底角，且该底角接近直角。

需要说明的是，第一夹角a1、第三夹角a3均为锐角，第一夹角a1、第二夹角a2和第三夹角a3的朝向一致。在一种可能的实施方式中，反闪耀面2221和基底层21之间的第二夹角a2处于85-90度之间，即处于90度附近。

第一光栅部221和第二光栅部222共同构成闪耀光栅齿22，第一光栅部221的闪耀面2211和第二光栅部222的反闪耀面2221构成闪耀光栅齿22顶部的尖角。由于第一光栅部221和第二光栅部222在刻蚀过程中没有受到电子束灰度直写造成的圆角的影响，且通过控制刻蚀比和刻蚀终点监测，使得闪耀光栅齿22顶部可以形成理想的尖角，从而可以提高闪耀光栅200的衍射效率。

在一种可能的实施方式中，采用上述制作步骤制成的闪耀光栅200可以直接作为光栅波导的耦入器件11，此时，第二光栅部222的材料和第一光栅部221的材料的折射率可以相同或相近，以保证闪耀光栅200的性能。

在另一种可能的实施方式中，采用上述步骤制成的闪耀光栅200可以用来生产纳米压印模板，以实现闪耀光栅200的批量生产。本实施方式中，第二光栅部222的折射率不做具体限制，示例性地，第一光栅部221的折射率可以为1.3-2.5，第二光栅部222的折射率可以为1.3-2.0。

在上述实施例的基础上，本申请实施例中，闪耀光栅的制作方法还可以包括以下步骤：

第一步，以具有基底层21和闪耀光栅齿22的闪耀光栅200作为纳米压印母模，制作纳米压印公模；

第二步，以纳米压印公模为模具，采用纳米压印工艺，制作闪耀光栅200。

图14为本申请一实施例提供的采用纳米压印工艺制作的闪耀光栅。参考图14所示，利用纳米压印工艺制作的闪耀光栅200，具有闪耀面2211和反闪耀面2221，闪耀光栅齿22的外轮廓同图5中的闪耀光栅齿200的外轮廓一致，同样具有理想的尖角。不同的是，闪耀光栅齿200由同一种材料制成，具有较佳的性能。

并且，本申请实施例中，通过纳米压印技术可以实现闪耀光栅200的批量复制，有利于降低闪耀光栅200的制作成本，具有极佳的量产性，可以提高闪耀光栅200的应用广泛性。

本申请实施例提供的闪耀光栅和闪耀光栅的制作方法，设置第一光栅部和第二光栅部共同构成闪耀光栅齿，由于第一光栅部和第二光栅部在刻蚀过程中没有受到电子束灰度直写造成的圆角的影响，且通过控制刻蚀比和刻蚀终点监测，使得闪耀光栅齿顶部可以形成理想的尖角，从而使得闪耀光栅接近于理想的闪耀光栅形貌，具有更高的衍射效率，可以提高光栅波导的耦入效率，从而提高光栅波导的能量利用率。

本申请实施例中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应作广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或者两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请实施例中的具体含义。本申请实施例的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”等是用于别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。

此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请实施例的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请实施例进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请实施例技术方案的范围。