一种高效的太阳能发电基片导线区掺杂方法

技术领域

本发明属于太阳能电池片生产技术领域，具体涉及一种高效的太阳能发电基片导线区掺杂方法。

背景技术

太阳能发电基片的内部布线是光电转换电流流经的路线，电流通过此路线汇集到集电装置。经发电基片的光电转换的电能在这些传输线路上的传输损坏的控制是太阳能发电设计中必须考虑的技术问题之一。

导电过程会导致转换电能的0.5%左右损耗，这个比例是非常巨大的。在现有的生产制造工艺中对导电线路采用的掺杂方式来降低导电电阻，其采用的工艺是做线路部分的“光刻和掺杂”工序从涂胶、固化、光刻（曝光）、掺杂、去胶、清洗等是一整套的一个流程，不仅是制造过程的低效，而且成本高，还造成污染物有害环境物质的排放的环保问题以及制造过程易燃易爆品的安全问题。

如何减小这个损耗，如何用更简单的方法，更小的制造成本，更安全环保的方法来实现布线是本行业技术人员一直不断研究的课题。

发明内容

本发明针对上述问题，提供了一种高效的太阳能发电基片导线区掺杂方法。

为了达到上述目的，本发明采用的技术方案为：一种高效的太阳能发电基片导线区掺杂方法，所述太阳能发电基片包括晶体硅片，所述晶体硅片上布置有梳状电极和布线带；太阳能发电基片导线区掺杂方法包括以下步骤：

步骤一覆膜，将半导体膜状扩散源覆在晶体硅片上；

步骤二局部加热，通过对半导体膜状扩散源处于布线带正上方的部分进行加热，实现对布线带的掺杂；

步骤三清洗掺杂后的晶体硅片。

作为优选，步骤一中所述半导体膜状扩散源的形状与布线带的形状相同，且覆膜后半导体膜状扩散源与布线带的水平投影重合。

作为优选，步骤一中将整张半导体膜状扩散源覆在晶体硅片表面，且覆膜后半导体膜状扩散源与晶体硅片的水平投影重合。

作为优选，步骤二中利用激光对半导体膜状扩散源处于布线带正上方的部分进行加热，实现对布线带的掺杂。

作为优选，所述晶体硅片为单晶硅片或多晶硅片。

作为优选，所述晶体硅片为P型单晶硅片，步骤二中所述半导体膜状扩散源为膜状硼源。

作为优选，所述晶体硅片为N型单晶硅片，步骤二中所述半导体膜状扩散源为膜状磷源。

作为优选，步骤三利用盐酸清洗掺杂后的晶体硅片。

作为优选，所述步骤一中采用高浓度的半导体膜状扩散源；步骤二后对布线带达到重掺杂水平。

与现有技术相比，本发明申请的优点和积极效果在于：

(1)相比于现有技术中对导电线路采用的掺杂方式是做线路部分的“光刻和掺杂”工序从涂胶、固化、光刻（曝光）、掺杂、去胶、清洗等是一整套的一个流程，本发明的太阳能发电基片导线区掺杂方法更加高效，成本低，不产生其他环保和易燃易爆品的安全问题；

(2)本发明的太阳能发电基片导线区掺杂方法简单易操作，非常利于推广应用；

(3)本发明中半导体膜状扩散源的形状与布线带的形状相同，可以根据不同的布线带制作不同的半导体膜状扩散源，即本发明的适用性非常强。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍：

图1为实施例1中太阳能发电基片示意图；

图2为实施例2中太阳能发电基片示意图；

图3为实施例3中太阳能发电基片示意图。

附图标记说明：

1—布线带，2—梳状电极，3—晶体硅片。

具体实施方式

为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和实施例对本发明做进一步说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明并不限于下面公开说明书的具体实施例的限制。

实施例1

下面结合附图1-图3对本发明作进一步的描述，一种高效的太阳能发电基片导线区掺杂方法，如图1所示，太阳能发电基片包括晶体硅片3，晶体硅片3上布置有梳状电极2和布线带1。太阳能发电基片导线区掺杂方法包括以下步骤：

步骤一覆膜，将半导体膜状扩散源覆在晶体硅片3上；

步骤二局部加热，通过对半导体膜状扩散源处于布线带1正上方的部分进行加热，实现对布线带1的掺杂；

步骤三清洗掺杂后的晶体硅片3。

步骤一中半导体膜状扩散源的形状与布线带1的形状相同，且覆膜后半导体膜状扩散源与布线带1的水平投影重合。

步骤二中利用激光对半导体膜状扩散源处于布线带1正上方的部分进行加热，实现对布线带1的掺杂。

晶体硅片3为单晶硅片。

晶体硅片3为P型单晶硅片，步骤二中半导体膜状扩散源为膜状硼源。

步骤三利用盐酸清洗掺杂后的晶体硅片3。

步骤一中采用高浓度的半导体膜状扩散源；步骤二后对布线带1达到重掺杂水平(例如掺杂浓度范围2×10

实施例2

本实施例与实施例1的区别是：太阳能发电基片如图2所示；步骤一中将整张半导体膜状扩散源覆在晶体硅片3表面，且覆膜后半导体膜状扩散源与晶体硅片3的水平投影重合。将晶体硅片3上布线带1的图形存储与电脑，利用电脑控制激光的扫描照射路径，实现对布线带1的精准掺杂。

晶体硅片3为多晶硅片。

实施例3

本实施例与实施例1的区别是：太阳能发电基片如图3所示；晶体硅片3为N型单晶硅片，步骤二中半导体膜状扩散源为膜状磷源。

本发明的太阳能发电基片导线区掺杂方法的原理：晶体硅片3的掺杂浓度越高电阻率越低。本发明中将半导体膜状扩散源与晶体硅片3表面贴合在一起，用激光沿布线带1进行照射加热，使半导体膜状扩散源中的硼/磷元素扩散进入晶体硅片3，形成布线带1部分的低电阻特性。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非是对本发明作其他形式的限制，任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的技术内容加以变更或改型为等同变化的等效实施例应用于其他领域，但是凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化，仍属于本发明技术方案的保护范围。