芯片参数自适应查找修调方法及装置

技术领域

本发明涉及一种芯片参数修调技术领域，尤其涉及一种芯片参数自适应查找修调方法及装置。

背景技术

半导体生产技术与设备越来越先进，但在制造过程中依然会出现缺陷，因此大部分有参考电压、参考电流等基准参数的芯片在设计时都会嵌入修调电路，以便在晶圆探针测试和封装测试时通过改变这些电路来纠正影响器件参数的工艺变化；

修调技术分为熔丝烧断修调，激光修调，电子熔丝修调，齐纳二极管短路修调，非挥发性存储单元修调等，其中非挥发性存储单元具有重复修调，修调精度高等优势。非挥发性存储单元芯片参数修调电路如图1和图2所示通过存储单元控制第一元器件和第二元器件来调整AB两点之间电阻，进而修调AB两点之间的参数(电压、电流等)。

目前的修调电路中的修调电阻的阻值一般会按一定的规律设置以使芯片参数修调step有规律，即：将所有的修调码从小到大依次输入芯片后测试得到的AB两点之间的参数的修调值逐渐减小或增大，因此可以采用二分法来查找芯片的最佳修调码，虽然二分法的实现比较简单并且查找速度比全搜索法快，但二分法每次只能对半查找，假如最佳修调码的码值接近修调码值边界(最大修调码或最小修调码)，那么采用二分法来查找芯片的最佳修调码同样也会花费较长的时间，而导致芯片参数的修调效率低。

发明内容

本发明的目的是提供一种芯片参数自适应查找修调方法及装置，能够减少修调时间，有效地提高芯片参数的修调效率。

为了实现上述目的，本发明公开了一种芯片参数自适应查找修调方法，其包括如下步骤：

S100、测试无修调码输入的芯片以得到所述芯片的芯片参数的初始值；

S110、输入最大修调码至所述芯片以测试得到所述芯片的最大修调值；

S120、以第一公式计算自适应数值m，所述第一公式为

S130、转换所述自适应数值为自适应修调码，并输入所述自适应修调码至所述芯片以测试得到所述芯片的自适应修调值；

S140、确定所述自适应修调值是否处于预设范围，如果不处于所述预设范围，则执行步骤S150；如果处于所述预设范围，则执行步骤S190；

S150、计算所述自适应修调值与所述初始值的差值U1以及所述自适应修调值与所述最大修调值的差值U2；

S160、比较U1和U2的大小，如果U1≤U2，则执行步骤S170，如果U1>U2，则执行步骤S180；或者，如果U1

S170、以第二公式重新计算自适应数值m，所述第二公式为

S180、以第三公式重新计算自适应数值m，所述第三公式为

S190、将所述自适应修调值对应的所述自适应修调码作为所述芯片的选定修调码。

进一步地，所述自适应数值和所述计算数值为十进制数，所述最大修调码和所述自适应修调码为二进制数，所述自适应数值减一后转换为二进制数得到所述自适应修调码，所述最大修调码转换为十进制数后加一得到所述计算数值。

进一步地，步骤S140包括：

S1401、以第四公式计算有效值LSB，所述第四公式为

S1402、比较所述自适应修调值与所述目标修调值的差值U3和所述有效值LSB的大小，如果U3>LSB，则执行步骤S150，如果U3≤LSB，则执行步骤S190；或者，如果U3≥LSB，则执行步骤S150，如果U3

进一步地，步骤S110之前还包括：

S101、将所述初始值与目标修调范围进行比对；

如果所述初始值不处于所述目标修调范围，则执行步骤S110。

进一步地，步骤S120之前还包括：

S111、将所述最大修调值与可修调范围进行比对；

如果所述最大修调值处于所述可修调范围，则执行步骤S120。

进一步地，步骤S190包括：

S1901、输入所述自适应修调码的上一位修调码和下一位修调码至所述芯片以测试得到上位修调值和下位修调值；

S1902、将所述上位修调值、下位修调值和所述自适应修调值分别与所述目标修调值进行比对；

S1903、将最接近所述目标修调值的修调值对应的修调码作为所述芯片的选定修调码。

进一步地，步骤S190后还包括：

S200、将所述选定修调码进行烧录并测试得到一个修调值；

S210、判断所述修调值是否处于目标修调范围；

如果处于目标修调范围，则所述芯片修调成功，如果不处于目标修调范围，则所述芯片修调失败。

为了实现上述目的，本发明还公开了一种芯片参数自适应查找修调装置，其包括：

第一测试模块，用于测试无修调码输入的芯片以得到所述芯片的芯片参数的初始值；

第二测试模块，用于输入最大修调码至所述芯片以测试得到所述芯片的最大修调值；

第一计算模块，用于以第一公式计算自适应数值m；

转换及测试模块，用于转换所述自适应数值为自适应修调码，并输入所述自适应修调码至所述芯片以测试得到所述芯片的自适应修调值；

确定模块，用于确定所述自适应修调值与所述目标修调值的差值是否处于预设范围；

计算及比较模块，用于计算所述自适应修调值与所述初始值的差值U1以及所述自适应修调值与所述最大修调值的差值U2，并比较U1和U2的大小；

第二计算模块，用于以第二公式重新计算自适应数值m；

第三计算模块，用于以第三公式重新计算自适应数值m；

修调模块，用于将所述自适应修调值对应的所述自适应修调码作为所述芯片的选定修调码。

为了实现上述目的，本发明还公开了一种电子设备，其包括：

一个或多个处理器；

一个或多个存储器，用于存储一个或多个程序，当一个或多个所述程序被所述处理器执行，使得所述处理器实现如上所述的芯片参数自适应查找修调方法。

为了实现上述目的，本发明还公开了一种计算机可读存储介质，其上存储有程序，所述程序被处理器执行时实现如上所述的芯片参数自适应查找修调方法。

本申请还提供了一种计算机程序产品或计算机程序，该计算机程序产品或计算机程序包括计算机指令，该计算机指令存储在计算机可读存储介质中。电子设备的处理器从计算机可读存储介质读取该计算机指令，处理器执行该计算机指令，使得该电子设备执行如上所述的芯片参数自适应查找修调方法。

本发明的芯片参数自适应查找修调方法中，通过测试得到芯片的芯片参数的初始值和最大修调值并结合芯片的目标修调值以第一公式计算得到自适应数值，转换自适应数值为自适应修调码并输入芯片以测试得到自适应修调值，确定自适应修调值是否处于预设范围；如果不处于预设范围，则以第二公式或第三公式重新计算自适应数值；如果处于所述预设范围，则将自适应修调值对应的自适应修调码作为芯片的选定修调码。本发明根据目标修调值与初始值的差值在最大修调值与初始值的差值所占比例来自适应预估修调码，能够改善二分法每次只能对半查找修调值的局限性，进而实现快速地查找得到芯片的选定修调码，有效地减少了修调时间，提高芯片参数的修调效率。

附图说明

图1为非挥发性存储单元芯片参数修调电路的示意图。

图2为非挥发性存储单元芯片参数修调电路的另一示意图。

图3为本发明实施例芯片自适应查找参数修调方法的流程图。

图4为图3中步骤140的具体流程图。

图5为图3中步骤100至步骤120的具体流程图。

图6为图3中步骤190的具体流程图。

图7为本发明芯片自适应查找参数修调方法的部分流程图。

图8为本发明实施例芯片自适应查找参数修调装置的示意框图。

图9为本发明实施例电子设备的示意框图。

具体实施方式

为详细说明本发明的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。

请参阅图1至图7，本发明公开了一种芯片参数自适应查找修调方法，其包括如下步骤：

S100、测试无修调码输入的芯片以得到芯片的芯片参数的初始值；

S110、输入最大修调码至芯片以测试得到芯片的最大修调值；

S120、以第一公式计算自适应数值m，第一公式为

S130、转换自适应数值为自适应修调码，并输入自适应修调码至芯片以测试得到芯片的自适应修调值；

S140、确定自适应修调值是否处于预设范围，如果不处于预设范围，则执行步骤S150；如果处于预设范围，则执行步骤S190；

S150、计算自适应修调值与初始值的差值U1以及自适应修调值与最大修调值的差值U2；

S160、比较U1和U2的大小，如果U1≤U2，则执行步骤S170；如果U1>U2，则执行步骤S180；但不限于此，例如还可以是，如果U1

S170、以第二公式重新计算自适应数值m，第二公式为

S180、以第三公式重新计算自适应数值，第三公式为

S190、将自适应修调值对应的自适应修调码作为芯片的选定修调码。

本发明的芯片参数自适应查找修调方法中，通过测试得到芯片的芯片参数的初始值和最大修调值并结合芯片的目标修调值以第一公式计算得到自适应数值，转换自适应数值为自适应修调码并输入芯片以测试得到自适应修调值，确定自适应修调值是否处于预设范围；如果不处于预设范围，则以第二公式或第三公式重新计算自适应数值；如果处于所述预设范围，则将自适应修调值对应的自适应修调码作为芯片的选定修调码。本发明根据目标修调值与初始值的差值在最大修调值与初始值的差值所占比例来自适应预估修调码，能够改善二分法每次只能对半查找修调值的局限性，进而实现快速地查找得到芯片的选定修调码，有效地减少了修调时间，提高芯片参数的修调效率。

具体地，如图1和图2所示，芯片内设置有修调电路和非挥发性存储单元10，修调电路包括AB两点之间串联设置的固定电阻Rc、若干修调电阻Rn和若干第一元器件1以及若干与串联的修调电阻Rn和第一元器件1并联的第二元器件2，修调电路中的一个修调电阻Rn、与该修调电阻Rn串联的一个第一元器件1以及与该修调电阻Rn并联的一个第二元器件2形成为一个修调组件3，非挥发性存储单元10与各修调组件3连接，非挥发性存储单元10根据修调码来分别控制修调组件3中的第一元器件1和第二元器件2导通或断开以使对应的修调电阻Rn接入修调电路或短路。对芯片进行修调指通过控制特定的修调电阻接入修调电路或短路来改变AB两点之间的参数(电压、电流等)，进而纠正芯片的基准参数(参考电压、参考电流等)，确保基准参数准确。

具体地，在本实施例中，测试AB两点之间的电压作为芯片参数值，但不限于此，例如还可以测试AB两点之间的电流作为芯片参数值。对芯片进行修调时，修调电路中的修调电阻的数量发生变化后，AB两点之间的电压也会发生变化，那么对应测试得到的电压值则为芯片参数的修调值；修调时，需要人为地根据芯片的基准参数对应设定芯片的目标修调值，使得将AB两点之间的电压值(芯片参数的修调值)修调至接近目标修调值时，芯片的基准参数恢复准确。

对芯片进行修调时，将修调码输入非挥发性存储单元10，修调码包括若干比特位的数据，若芯片的修调电路设置有n个修调电阻，那么修调码则包括n位数据，举例而言，修调电路设置4个修调电阻时，对应的修调码从小到大则包括0000、0001、0010、0011、0100、0101、0110、0111、1000、1001、1010、1011、1100、1101、1110、1111，共16个。修调码的每一个比特位的数据(0或1)为一个修调信号，一个修调信号用于控制一个修调组件3中的第一元器件1和第二元器件2导通或断开。

在图1所示实施例中，修调组件3中的第一元器件1为N沟道场效应管Nn，第二元器件2为P沟道场效应管Pn，但不限于此。非挥发性存储单元10输入修调组件3的修调信号同时输入第一元器件1和第二元器件2的控制端，当修调信号为0时，第二元器件2导通，第一元器件1关断，对应的修调电阻Rn短路；而修调信号为1时，第一元器件1导通，第二元器件2关断，对应的修调电阻Rn接入修调电路。

因此，在该实施例中，将若干修调码从小到大依次输入非挥发性存储单元10并测试AB两点之间的芯片参数的修调值时，得到的修调值逐渐减小。举例而言，若修调电路设置有4个修调电阻时，输入修调码0000测试得到的修调值(初始值)最大，输入修调码1111测试得到的修调值最小。

在图2所示实施例中，修调组件3中的第一元器件1为第一N沟道场效应管N1n，第二元器件2为第二N沟道场效应管N2n，但不限于此。非挥发性存储单元10输入修调组件3的修调信号输入第一元器件1的控制端的同时，经过非门Un后输入第二元器件2的控制端；当修调信号为0时，第一元器件1导通，第二元器件2关断，对应的修调电阻Rn接入修调电路，而修调信号为1时，第二元器件2导通，第一元器件1关断，对应的修调电阻Rn短路。

因此，在该实施例中，将若干修调码从小到大依次输入非挥发性存储单元10并测试AB两点之间的芯片参数的修调值时，得到的修调值逐渐增大。举例而言，若修调电路设置有4个修调电阻时，输入修调码0000测试得到的修调值(初始值)最小，输入修调码1111测试得到的修调值最大。

需要说明的是，最大修调值仅因为是由输入最大修调码(比特位数据全为1)测试得到的修调值，所以将其命名为最大修调值，其并不受命名限制，最大修调值并不一定是数值最大的修调值，例如在图1所示的实施例中，最大修调值与输入其他修调码测试得到的修调值相比时数值是最小的；而在图2所示的实施例中，最大修调值与输入其他修调码测试得到的修调值相比时数值是最大的。

需要说明的是，测试无修调码输入的芯片得到的芯片参数的初始值相当于测试输入了比特位数据全为0的修调码的芯片得到的芯片参数的修调值，因为无修调码输入的芯片的非挥发性存储单元10中预设的比特位数据是0，但不限于此，例如在一些实施例中预设的比特位数据可以是1。

进一步地，在本实施例中，自适应数值和计算数值为十进制数，最大修调码和自适应修调码为二进制数，自适应数值减一后转换为二进制数得到自适应修调码，最大修调码转换为十进制数后加一得到计算数值，但不限于此。

举例而言，若修调电路设置有4个修调电阻，自适应数值为8时，自适应修调码则是0111；而最大修调码为1111时，计算数值则是16，但不限于此。

具体地，在本实例中，通过上述计算第一公式、第二公式和第三公式计算出来的自适应数值可能不是整数，那么则通过四舍五入法将数值取整，然后再减一并转换为二进制数以得到对应的自适应修调码。

参阅图3和图4，进一步地，芯片参数自适应查找修调方法的步骤S140包括：

S1401、以第四公式计算有效值LSB，第四公式为

S1402、比较所述自适应修调值与所述目标修调值的差值U3和所述有效值LSB的大小，如果U3>LSB，则执行步骤S150，如果U3≤LSB，则执行步骤S190；但不限于此，例如还可以是，如果U3≥LSB，则执行步骤S150，如果U3

通过动态计算有效值LSB来判断自适应修调值与目标修调值之间的差距，有利于提升芯片参数修调的准确性。

需要说明的是，在本实施例中，每一次计算得到一个自适应修调值后都会计算一个有效值LSB来判断该自适应修调值是否接近芯片的目标修调值，但并不限于此，例如在一些实施例中还可以根据目标修调值来设定一个目标修调范围，若该适应修调值处于目标修调范围内，则认为其与目标修调值之间的差距是可以接受的。

参阅图3和图5，进一步地，芯片参数自适应查找修调方法的步骤S110之前还包括：

S101、将初始值与目标修调范围进行比对；

如果初始值不处于目标修调范围，则执行步骤S110。

通过判断芯片的芯片参数的初始值能够筛选出需要进行修调的芯片，进而排除不需要修调的芯片，有利于提高芯片的修调效率。

可以理解的是，芯片的芯片参数的初始值处于目标修调范围时，芯片的芯片参数的初始值已接近目标修调值，其与目标修调值之间的差距是可以接受的，不需要进行修调。接着，则需要将比特位全为0的修调码烧录至该芯片内，然后再测试和比对该芯片的芯片参数以确保其依然接近目标修调值。

参阅图3和图5，进一步地，芯片参数自适应查找修调方法的步骤S120之前还包括：

S111、将最大修调值与可修调范围进行比对；

如果最大修调值处于可修调范围，则执行步骤S120。

通过判断芯片的最大修调值能够筛选出能够进行修调的芯片，进而排除不能够进行修调的芯片，有利于提高芯片的修调效率。

可以理解的是，最大修调值处于可修调范围内时，则表示该芯片的芯片参数可以通过修调来使得其接近目标芯片修调值。该可修调范围一般是晶圆生产商在生产晶圆时预估出来的。因此，若芯片的最大修调值不处于可修调范围内，那么该芯片是无法通过修调来使其芯片参数修调至接近目标修调值的，该芯片则直接被判断为修调失败。

参阅图3和图6，进一步地，芯片参数自适应查找修调方法的步骤S190包括：

S1901、输入自适应修调码的上一位修调码和下一位修调码至芯片以测试得到上位修调值和下位修调值；

S1902、将上位修调值、下位修调值和自适应修调值分别与目标修调值进行比对；

S1903、将最接近目标修调值的修调值对应的修调码作为芯片的选定修调码。

通过比较自适应修调码及其上一位修调码和下一位修调码对应的修调值来确定芯片的选定修调码，有利于提升芯片参数修调的准确性。

具体地，在本实施例中，自适应修调码的上一位修调码是由自适应修调码减一得到的，自适应修调码的下一位修调码是由自适应修调码加一后得到的。举例而言，若修调电阻设置有四个，自适应修调码为0010时，自适应修调码的上一位修调码则是0001，下一位修调码则是0011。

可以理解的是，得到的芯片的选定修调码为芯片的最佳修调码，将选定修调码输入芯片后，测试得到的芯片参数的修调值最接近芯片的目标修调值，该修调值与芯片的目标修调值之间的差距是可以接受的。

参阅图3和图7，进一步地，芯片参数自适应查找修调方法的步骤S190后还包括：

S200、将选定修调码进行烧录并测试得到一个修调值；

S210、判断修调值是否处于目标修调范围；

如果处于目标修调范围，则芯片修调成功，如果不处于目标修调范围，则芯片修调失败。

将得到的选定修调码输入芯片，并对测试得到的修调值进行判断，以确保该修调值处于目标修调范围，即其与目标修调值之间的差距是可以接受的，有利于提升芯片参数修调的准确性。

请参阅图8，本发明还公开了一种芯片参数自适应查找修调装置，其包括：

第一测试模块301，用于测试无修调码输入的芯片以得到芯片的芯片参数的初始值；

第二测试模块302，用于输入最大修调码至芯片以测试得到芯片的最大修调值；

第一计算模块303，用于以第一公式计算自适应数值m；

转换及测试模块304，用于转换自适应数值为自适应修调码，并输入自适应修调码至芯片以测试得到芯片的自适应修调值；

确定模块305，用于确定自适应修调值与目标修调值的差值是否处于预设范围；

计算及比较模块306，用于计算自适应修调值与初始值的差值U1以及自适应修调值与最大修调值的差值U2，并比较U1和U2的大小；

第二计算模块307，用于以第二公式重新计算自适应数值m；

第三计算模块308，用于以第三公式重新计算自适应数值m；

修调模块309，用于将自适应修调值对应的自适应修调码作为芯片的选定修调码。

请参阅图9，本发明还公开了一种电子设备，其包括：

一个或多个处理器401；

一个或多个存储器402，用于存储一个或多个程序，当一个或多个程序被处理器执行，使得处理器实现如前述实施例所述的芯片参数自适应查找修调方法。

本发明实施例还公开了一种计算机可读存储介质，其上存储有程序，程序被处理器执行时实现如前述实施例所述的芯片参数自适应查找修调方法。

本申请实施例公开了一种计算机程序产品或计算机程序，该计算机程序产品或计算机程序包括计算机指令，该计算机指令存储在计算机可读存储介质中。电子设备的处理器从计算机可读存储介质读取该计算机指令，处理器执行该计算机指令，使得该电子设备执行上述芯片参数自适应查找修调方法。

应当理解，在本申请实施例中，所称处理器可以是中央处理模块(CentralProcessing Unit，CPU)，该处理器还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(DigitalSignal Processor，DSP)、专用集成电路(Application SpecificIntegratedCircuit，ASIC)、现成可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序指令相关的硬件来完成，程序可存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，的存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(Read-OnlyMemory，ROM)或随机存储记忆体(Random AccessMemory，RAM)等。

以上所揭露的仅为本发明的优选实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明申请专利范围所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。