一种数控0-π移相器

技术领域

本发明涉及电子器件技术领域，尤其涉及一种0-π移相器。

背景技术

移相器是能够对波的相位进行调整的一种装置；移相器的作用是将信号的相位移动一个角度。运用移相器规约敏感联络线的潮流，保障电压稳定性不因联络线连锁跳闸、相继退出而遭到破坏，可以明显提高电压稳定极限。其工作原理根据不同的构成而存在差异。如晶体管电路，可在输入端加入一个控制信号来控制移相大小；在有些电路中则利用阻容电路的延时达到移相；在单片机控制系统还可利用内部定时器达到移相的目的。

随着应用场景的变化特别是在大功率的要求下，现有移相器其功率容量不足、线性度不高以及信号容易失真的缺陷越发明显。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的缺点，提供了一种数控0-π移相器，解决了目前移相器功率容量不足、线性度不高以及信号容易失真的问题。

本发明的目的通过以下技术方案来实现：一种数控0-π移相器，它包括大功率宽带巴伦和二极管桥；所述大功率宽带巴伦上有两个支路，所述二极管桥的P1端和P4端连接到两个支路上，P1端或者P4端还连接控制电压端；射频输入端连接到所述大功率宽带巴伦的另一端；所述二极管桥的P3端通过第一电容连接射频输出端，P2端接地，实现单端射频输出。

进一步地，在所述二极管桥P3端连接有接地的第一扼流电感，实现P3端的直流接地。

进一步地，所述二极管桥的P2端连接第一电容后与射频输出端连接，所述二极管桥的P3端连接第二电容后与射频输出端连接，实现双端平衡射频输出。

进一步地，在所述二极管桥P3端连接有接地的第一扼流电感，在所述二极管桥P2端连接有接地的第二扼流电感，实现P3端和P2端的直流接地。

进一步地，在所述控制电压端与所述二极管桥P1端或者P4端之间连接有一防止射频泄露第三扼流电感和电阻。

本发明具有以下优点：一种数控0-π移相器，其控制电压可以低于信号幅度，PIN二极管具有良好的线性度、二极管衰减器失真小、杂谐波低，相位翻转精度好，功率容量高可达10W以上，可以实现单端输出也可以实现平衡输出便于级联。

附图说明

图1为本发明单端输出的电路图；

图2为本发明平衡输出的电路图。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的保护范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。下面结合附图对本发明做进一步的描述。

如图1所示，实施例1，一种数控0-π移相器，它包括大功率宽带巴伦和二极管桥，可实现可控相位翻转，在参考相位与180°相移间切换；所述大功率宽带巴伦上有两个支路，所述二极管桥的P1端和P4端连接到两个支路上，P1端或者P4端还连接控制电压端Vt；射频输入端连接到所述大功率宽带巴伦的另一端；所述二极管桥的P3端通过第一电容连接射频输出端，P2端接地，实现单端射频输出。

进一步地，在所述二极管桥P3端连接有接地的第一扼流电感，实现P3端的直流接地。在所述二极管桥P3端连接有接地的第一扼流电感，在所述二极管桥P2端连接有接地的第二扼流电感，实现P3端和P2端的直流接地。在所述控制电压端Vt与所述二极管桥P1端或者P4端之间连接有一防止射频泄露第三扼流电感和电阻R1。根据二极管导通电流和控制电压Vt选择电阻R1的阻值大小，使得导通二极管电流满足射频导通的要求。

如图2所示，实施例2，一种数控0-π移相器，它包括大功率宽带巴伦和二极管桥，可实现可控相位翻转，在参考相位与180°相移间切换；所述大功率宽带巴伦上有两个支路，所述二极管桥的P1端和P4端连接到两个支路上，P1端或者P4端还连接控制电压端Vt；射频输入端连接到所述大功率宽带巴伦的另一端；所述二极管桥的P2端连接第一电容后与射频输出端连接，所述二极管桥的P3端连接第二电容后与射频输出端连接，实现双端平衡射频输出。

进一步地，在所述二极管桥P3端连接有接地的第一扼流电感，在所述二极管桥P2端连接有接地的第二扼流电感，实现P3端和P2端的直流接地。在所述控制电压端Vt与所述二极管桥P1端或者P4端之间连接有一防止射频泄露第三扼流电感和电阻R1。根据二极管导通电流和控制电压Vt选择电阻R1的阻值大小，使得导通二极管电流满足射频导通的要求。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当理解本发明并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本发明的精神和范围，则都应在本发明所附权利要求的保护范围内。