用于制备金属硅化物的方法

技术领域

本公开内容的实施方式大体涉及微电子制造，并且更特定言之，涉及用于在基板上形成金属硅化物的方法。

背景技术

金属硅化物层或膜(诸如硅化钛或硅化镍)当前用于各种电子装置中。例如，金属硅化物层或膜用于源极/漏极(source/drain；S/D)接触区域，用于减少nMOS及pMOS中的电阻电容(resistor-capacitor；RC)。当金属硅化物膜暴露于高温(例如，大于700℃)时，在金属硅化物膜上或金属硅化物膜处可发生附聚(agglomeration)。发生附聚，其中多晶硅晶粒趋于在晶界之间球化并导致膜的不连续性及金属硅化物膜的更大电阻率。

因此，需要一种制备相比传统金属硅化物具有减小的电阻的金属硅化物的改良方法。

发明内容

本公开内容的实施方式大体涉及用于在基板的硅表面上形成或以其他方式(otherwise)产生金属硅化物的方法。示例性的金属硅化物可为或包括硅化钛、硅化钴、硅化镍、硅化钼或上述各者的合金。在一或多个实施方式中，提供一种形成金属硅化物的方法，且该方法包括在清洁工艺期间从基板移除原生氧化物以露出基板的硅表面，在沉积工艺期间于硅表面上沉积金属层，以及在硅化工艺期间加热包含在含有氢气(H

在一些实施方式中，提供一种形成金属硅化物的方法，且该方法包括在清洁工艺期间从基板移除原生氧化物以露出基板的硅表面，以及在沉积工艺期间于硅表面上沉积含钛的金属层。该方法亦包括在硅化工艺期间加热包含在含有氢气的工艺区域内的基板，以在基板上由金属层及硅表面产生含钛的金属硅化物层。金属硅化物层具有小于50Ω/sq的电阻。

在其他实施方式中，提供了一种形成金属硅化物的方法，且该方法包括将基板暴露于等离子体以移除设置在基板上的原生氧化物并且露出基板的硅表面，以及在PVD工艺期间于硅表面上沉积含钛的金属层，其中该基板在PVD工艺期间被保持在约23℃至约450℃的温度下。该方法亦包括将基板暴露于硅化工艺，以在基板上由金属层及硅表面产生含钛的金属硅化物层。硅化工艺包括将含有氢气的工艺区域内的基板加热至约500℃至约1,100℃的温度。金属硅化物层具有约4Ω/sq至约35Ω/sq的电阻。

附图说明

为了能够详细理解本公开内容的上述特征的方式，可经由参考实施方式获得简要概述于上文的本公开内容的更特定的描述，这些实施方式的一些实施方式图示于附图中。然而，应注意，附图仅图示示例性实施方式并且因此不被视为限制本案的范围，且可允许其他同等有效的实施方式。

图1为图示根据本文描述和论述的一或多个实施方式的处理基板的方法的流程图。

图2图示根据本文描述和论述的一或多个实施方式的，可用以执行由图1的流程图所示的方法的处理系统的示意俯视图。

为了促进理解，在可能的情况下，已使用相同的附图标记来指示诸图共用的相同元件。可以预期，一或多个实施方式的元件及特征可有利地并入其他实施方式。

具体实施方式

本公开内容的实施方式大体涉及用于在硅基板上制备或形成金属硅化物的方法。在一或多个实施方式中，一种形成金属硅化物的方法包括清洁工艺、沉积工艺及随后的硅化工艺。在清洁工艺期间，包含原生氧化物及/或其他污染物的基板被清洁或以其他方式移除以露出基板的硅表面。其后，在沉积工艺期间，金属层(例如，Ti、Co、Ni、Mo)被沉积或以其他方式形成在硅表面上。随后，在硅化工艺期间，含金属层的基板被加热以由金属层的金属与硅基板的硅之间的反应产生金属硅化物层。基板在化学还原环境或工艺区域内被加热。例如，在硅化工艺期间，基板在含有氢气(H2)的环境或工艺区域内被加热。由本文描述和论述的硅化工艺产生的金属硅化物层具有比通过其他工艺形成的金属硅化物更低的电阻。

图1为图示根据本文描述和论述的一或多个实施方式的用于处理工件(诸如基板)的方法100的流程图。方法100包括在操作110处将基板暴露于清洁工艺，在操作120处于基板的经清洁硅表面上沉积金属层，以及在操作130处于还原气氛中进行硅化工艺。在一或多个实施方式中，方法100可在包含于群集工具上的三个、四个、五个或更多个处理腔室中进行或以其他方式执行。例如，清洁工艺可在第一处理腔室中执行或进行，沉积工艺可在第二处理腔室中执行或进行，并且硅化工艺可在第三处理腔室中执行或进行。第一、第二和第三处理腔室中的每一者可独立地流体耦接至群集工具或其他处理系统内的移送腔室。

在操作110期间，包含原生氧化物、产生的氧化物及/或其他污染物的基板被清洁或以其他方式移除以露出基板的硅表面。在一或多个实施方式中，清洁工艺包括将基板上的氧化物及/或污染物暴露于由清洁气体形成的等离子体。清洁气体可为或包括三氟化氮、氨气、氩气、氢气(H2)或上述气体的任何组合。在其他实施方式中，清洁工艺包括在湿式清洁工艺期间将基板暴露于清洁溶液，然后再进行干式清洁工艺。湿式清洁工艺可包括将基板暴露于含有氟化氢、硫酸、磺酸及/或其他酸的酸性溶液，或暴露于碱性溶液(例如，氢氧化铵或胺溶液)及/或其他清洁溶液。干式清洁工艺可包括将基板暴露于等离子体，诸如由清洁气体形成的等离子体。

在清洁工艺期间，基板被清洁及/或蚀刻预定时间。在清洁工艺期间，基板可暴露于等离子体、清洁气体及/或清洁溶液约5秒、约10秒、约15秒、约20秒、约30秒、约45秒、约60秒、约90秒、或约2分钟至约2.5分钟、约3分钟、约5分钟、约10分钟、约15分钟、约20分钟、约30分钟、约45分钟、约60分钟、约75分钟、约90分钟、约120分钟、约150分钟或更长的时间。例如，在清洁工艺期间，基板可暴露于等离子体、清洁气体及/或清洁溶液约5秒至约150分钟、约5秒至约120分钟、约5秒至约90分钟、约5秒至约75分钟、约5秒至约60分钟、约5秒至约45分钟、约5秒至约30分钟、约5秒至约20分钟、约5秒至约10分钟、约5秒至约5分钟、约5秒至约2分钟、约5秒至约90秒、约5秒至约60秒、约5秒至约30秒、约60秒至约150分钟、约60秒至约120分钟、约60秒至约90分钟、约60秒至约75分钟、约60秒至约60分钟、约60秒至约45分钟、约60秒至约30分钟、约60秒至约20分钟、约60秒至约10分钟、约60秒至约5分钟、约60秒至约2分钟、约60秒至约90秒、约5分钟至约150分钟、约5分钟至约120分钟、约5分钟至约90分钟、约5分钟至约75分钟、约5分钟至约60分钟、约5分钟至约45分钟、约5分钟至约30分钟、约5分钟至约20分钟或约5分钟。

在操作120处，于沉积工艺期间，在基板的硅表面上沉积或以其他方式形成金属层。金属层可为或包括一或多种金属，诸如钛、钴、镍、钼、上述金属的合金、或上述金属的任何组合。用于金属层的金属类型基于期望在操作130处形成的金属硅化物的类型来确定。

金属层可通过一或多种气相沉积工艺在基板的硅表面上形成或以其他方式产生。气相沉积工艺可为或包括物理气相沉积(PVD)工艺、溅射工艺、热化学气相沉积(CVD)工艺、等离子体增强CVD(PE-CVD)工艺、脉冲CVD工艺、热原子层沉积(ALD)工艺、等离子体增强ALD(PE-ALD)工艺或上述工艺的任何组合。在一或多个实例中，通过PVD工艺或ALD工艺沉积包含金属钛的金属层。在其他实例中，通过PVD工艺沉积包含金属钴的金属层。在其他实例中，通过CVD工艺或PVD工艺沉积包含金属镍的金属层。

在一或多个实施方式中，金属层在沉积工艺期间通过PVD沉积在硅表面上。在PVD工艺或其他沉积工艺期间，基板被加热及/或保持在约20℃、约23℃(例如，约室温)、约25℃、约30℃、约50℃、约80℃、或约100℃至约120℃、约150℃、约200℃、约250℃、约300℃、约350℃、约400℃、约450℃或约500℃的温度下。例如，在PVD工艺或其他沉积工艺期间，基板被加热及/或保持在约23℃至约500℃、约23℃至约450℃、约23℃至约400℃、约23℃至约350℃、约23℃至约300℃、约23℃至约250℃、约23℃至约200℃、约23℃至约150℃、约23℃至约120℃、约23℃至约100℃、约23℃至约80℃、约23℃至约50℃、约50℃至约500℃、约50℃至约450℃、约50℃至约400℃、约50℃至约350℃、约50℃至约300℃、约50℃至约250℃、约50℃至约200℃、约50℃至约150℃、约50℃至约120℃、约50℃至约100℃、约50℃至约80℃、约100℃至约500℃、约100℃至约450℃、约100℃至约400℃、约100℃至约350℃、约100℃至约300℃、约100℃至约250℃、约100℃至约200℃、约100℃至约150℃、或约100℃至约120℃的温度下。

在其他实施方式中，在CVD工艺、ALD工艺或其他沉积工艺期间，基板被加热及/或保持在约20℃、约23℃(例如，约室温)、约25℃、约30℃、约50℃、约80℃、或约100℃至约120℃、约150℃、约200℃、约250℃、约300℃、约350℃、约400℃、约450℃、约500℃、约550℃或约600℃的温度下。例如，在CVD工艺、ALD工艺或其他沉积工艺期间，基板被加热及/或保持在约23℃至约600℃、约23℃至约550℃、约23℃至约500℃、约23℃至约450℃、约23℃至约400℃、约23℃至约350℃、约23℃至约300℃、约23℃至约250℃、约23℃至约200℃、约23℃至约150℃、约23℃至约120℃、约23℃至约100℃、约23℃至约80℃、约23℃至约50℃、约50℃至约600℃、约50℃至约450℃、约50℃至约400℃、约50℃至约350℃、约50℃至约300℃、约50℃至约250℃、约50℃至约200℃、约50℃至约150℃、约50℃至约120℃、约50℃至约100℃、约50℃至约80℃、约100℃至约600℃、约100℃至约450℃、约100℃至约400℃、约100℃至约350℃、约100℃至约300℃、约100℃至约250℃、约100℃至约200℃、约100℃至约150℃或约100℃至约120℃的温度下。

金属层可具有约

在操作130处，包含金属层的基板被加热以在硅化工艺期间由金属层的金属与硅基板的硅之间的反应产生金属硅化物层。基板在化学还原环境或工艺区域内被加热。例如，在硅化工艺期间，基板在含有氢气(H

取决于金属层的组成，金属硅化物层可为或包括硅化钛、硅化钴、硅化镍、硅化钼、上述各者的合金、或上述各者的任何组合。在一或多个实例中，金属硅化物层可为或包括具有化学式TiSi

硅化工艺包括将在硅表面上包含金属层的基板加热及/或保持在预定温度下达预定时间。在硅化工艺期间，基板被加热至及/或保持在约500℃、约550℃、约600℃、约650℃、约700℃、或约750℃至约800℃、约850℃、约900℃、约950℃、约1,000℃、约1,050℃、约1,100℃、约1,150℃、约1,200℃、约1,300℃或更高的温度。例如，在硅化工艺期间，基板被加热至及/或保持在约500℃至约1,300℃、约500℃至约1,200℃、约500℃至约1,100℃、约500℃至约1,000℃、约500℃至约900℃、约500℃至约850℃、约500℃至约750℃、约500℃至约650℃、约500℃至约600℃、约650℃至约1,300℃、约650℃至约1,200℃、约650℃至约1,100℃、约650℃至约1,000℃、约650℃至约900℃、约650℃至约850℃、约650℃至约750℃、约650℃至约700℃、约850℃至约1,300℃、约850℃至约1,200℃、约850℃至约1,100℃、约850℃至约1,000℃、或约850℃至约900℃的温度下。

在硅化工艺期间将基板加热预定时间。取决于热技术，加热可在数秒至数分钟的时段内发生。在硅化工艺期间，基板被加热至及/或维持在工艺温度下约5秒、约10秒、约15秒、约20秒、约30秒、约45秒、约60秒、约90秒、或约2分钟至约2.5分钟、约3分钟、约5分钟、约10分钟、约15分钟、约20分钟、约30分钟、约45分钟、约60分钟、约75分钟、约90分钟、约120分钟、约150分钟或更长时间。例如，在硅化工艺期间，基板被加热至及/或维持在工艺温度下约5秒至约150分钟、约5秒至约120分钟、约5秒至约90分钟、约5秒至约75分钟、约5秒至约60分钟、约5秒至约45分钟、约5秒至约30分钟、约5秒至约20分钟、约5秒至约10分钟、约5秒至约5分钟、约5秒至约2分钟、约5秒至约90秒、约5秒至约60秒、约5秒至约30秒、约60秒至约150分钟、约60秒至约120分钟、约60秒至约90分钟、约60秒至约75分钟、约60秒至约60分钟、约60秒至约45分钟、约60秒至约30分钟、约60秒至约20分钟、约60秒至约10分钟、约60秒至约5分钟、约60秒至约2分钟、约60秒至约90秒、约5分钟至约150分钟、约5分钟至约120分钟、约5分钟至约90分钟、约5分钟至约75分钟、约5分钟至约60分钟、约5分钟至约45分钟、约5分钟至约30分钟、约5分钟至约20分钟或约5分钟至约10分钟。

在一或多个实例中，硅化工艺包括将基板加热至约500℃至约1,200℃的温度约5秒至约120分钟。在其他实例中，硅化工艺包括将基板加热至约650℃至约850℃的温度约10秒至约5分钟。在一些实例中，硅化工艺包括将基板加热至约680℃至约820℃的温度达约20秒至约2分钟或约30秒至约90秒。

在硅化工艺期间，处理腔室将工件或基板包含在工艺区域的化学还原环境中。工艺区域保持在约760Torr或更低的压力下。在硅化工艺期间，工艺区域被保持在约10mTorr、约20mTorr、约50mTorr、约100mTorr、约250mTorr、约500mTorr、约800mTorr、或约1Torr至约5Torr、约10Torr、约50Torr、约100Torr、约200Torr、约350Torr、约500Torr、约650Torr、约750Torr、小于760Torr、或约760Torr的压力下。在硅化工艺期间，工艺区域保持在约10mTorr至小于760Torr、约10mTorr至约750Torr、约10mTorr至约500Torr、约10mTorr至约300Torr、约10mTorr至约100Torr、约10mTorr至约50Torr、约10mTorr至约10Torr、约10mTorr至约1Torr、约10mTorr至约500mTorr、约10mTorr至约100mTorr、约500mTorr至小于760Torr、约500mTorr至约750Torr、约500mTorr至约500Torr、约500mTorr至约300Torr、约500mTorr至约100Torr、约500mTorr至约50Torr、约500mTorr至约10Torr、约500mTorr约1Torr、约10Torr至小于760Torr、约10Torr至约750Torr、约10Torr至约500Torr、约10Torr至约300Torr、约10Torr至约100Torr、或约10Torr至约50Torr的压力下。

在一或多个实例中，在硅化工艺期间，含有氢气的工艺区域在处理腔室内保持在约10mTorr至约760Torr的压力下。在其他实例中，在硅化工艺期间，含有氢气的工艺区域在处理腔室内保持在约250mTorr至小于760Torr的压力下。在一些实例中，在硅化工艺期间，含有氢气的工艺区域在处理腔室内保持在约10Torr至小于760Torr的压力下。在其他实例中，在硅化工艺期间，含有氢气的工艺区域在处理腔室内保持在约250mTorr至小于100Torr的压力下。在一或多个实例中，在硅化工艺期间，含有氢气的工艺区域在处理腔室内保持在约10mTorr至约10Torr的压力下。

若金属层的大部分或全部在硅化工艺期间被消耗，则金属硅化物层的厚度大于由其形成金属硅化物层的金属层的厚度。金属硅化物层的厚度可为硅化工艺消耗的金属层厚度的约1.2倍、约1.5倍、或约1.8倍至约2倍、约2.2倍、约2.5倍、约2.8倍、约3倍或更大。金属硅化物层可具有约

通过硅化工艺制备或以其他方式(otherwise)产生的金属硅化物层与通过其他方法产生的金属硅化物层相比具有相对低的电阻。通过硅化工艺制备或以其他方式产生的金属硅化物层具有小于50Ω/方(square；sq)，诸如约2Ω/sq、约4Ω/sq、约5Ω/sq、约8Ω/sq、约10Ω/sq、约12Ω/sq、约15Ω/sq、约18Ω/sq、约20Ω/sq、或约22Ω/sq至约25Ω/sq、约28Ω/sq、约30Ω/sq、约32Ω/sq、约35Q/sq、约38Ω/sq、约40Ω/sq、约42Ω/sq、约45Ω/sq、或约48Ω/sq的电阻。例如，金属硅化物层具有约2Ω/sq至小于50Ω/sq、约4Ω/sq至小于50Ω/sq、约4Ω/sq至约48Ω/sq、约4Ω/sq至约40Ω/sq、约4Ω/sq至约35Ω/sq、约4Ω/sq至约30Ω/sq、约4Ω/sq至约28Ω/sq、约4Ω/sq至约25Ω/sq、约4Ω/sq至约22Ω/sq、约4Ω/sq至约20Ω/sq、约4Ω/sq至约15Ω/sq、约4Ω/sq至约12Ω/sq、约4Ω/sq至约10Ω/sq、约4Ω/sq至约8Ω/sq、约10Ω/sq至小于50Ω/sq、约10Ω/sq至约48Ω/sq、约10Ω/sq至约40Ω/sq、约10Ω/sq至约35Ω/sq、约10Ω/sq至约30Ω/sq、约10Ω/sq至约28Ω/sq、约10Ω/sq至约25Ω/sq、约10Ω/sq至约22Ω/sq、约10Ω/sq至约20Ω/sq、约10Ω/sq至约15Ω/sq、或约10Ω/sq至约12Ω/sq的电阻。

在一或多个实施方式中，一种用于制备或形成金属硅化物的方法包括在清洁工艺期间从基板移除原生氧化物及/或污染物以露出基板的硅表面。此后，在沉积工艺期间，在硅表面上沉积或以其他方式形成含钛的金属层。随后，在硅化工艺期间，含金属层的基板被加热同时在含有氢气的工艺区域内。由金属层的金属原子和硅表面的硅原子之间的化学反应在基板上形成或以其他方式产生含钛的金属硅化物层。金属硅化物层具有小于50Ω/sq的电阻。

在其他实施方式中，一种用于制备或形成金属硅化物的方法包括在清洁工艺期间从基板移除原生氧化物及/或污染物以露出基板的硅表面。此后，在PVD工艺期间，在硅表面上沉积或以其他方式形成含钛的金属层。在PVD工艺期间，基板被保持在约23℃至约450℃的温度下。该方法亦包括将基板暴露于硅化工艺，以在基板上由金属层及硅表面产生含钛的金属硅化物层。硅化工艺包括将含有氢气的工艺区域内的基板加热至约500℃至约1,100℃的温度。金属硅化物层具有约4Ω/sq至约35Ω/sq的电阻。

图2为根据本文论述和描述的实施方式的，可用以执行或进行由图1的流程图所示的工艺100的处理系统200的示意俯视图。在一些实例中，处理系统200可为或包括群集工具。在一或多个方面中，处理系统200可为可购自加利福尼亚圣克拉拉的AppliedMaterials，Inc.的

处理腔室208、210中的每一者可独立地为清洁腔室，该清洁腔室被配置为在沉积金属膜或材料之前清洁基板。在清洁工艺期间，基板可被清洁以从基板移除原生氧化物及/或其他污染物，以露出及/或产生基板的硅表面。处理腔室208、210可用于执行如上文在操作110中论述的清洁工艺。在一或多个配置中，处理腔室208可用于进行湿式清洁工艺并且处理腔室210可用于进行干式清洁工艺。在一或多个实施方式中，处理腔室208、210的每一者可独立地为使用原位等离子体源及/或远程等离子体源(remote plasma source；RPS)来产生等离子体的预清洁腔室。清洁工艺可包括将基板上的原生氧化物层及/或其他污染物暴露于由预清洁腔室内的清洁气体形成的等离子体。清洁气体可为或包括三氟化氮、氨气、氩气、氢气(H

在一或多个实施方式中，处理腔室208、210中的每一者可独立地为可从加利福尼亚圣克拉拉的Applied Materials，Inc.获得的

处理腔室208、210可独立地为清洁腔室，该清洁腔室被配置为在基板上沉积金属层之前清洁基板。清洁工艺可包括将基板暴露于由清洁气体形成的等离子体，该清洁气体可为或包括三氟化氮、氨气、氩气、氢气(H

在其他实施方式中，处理腔室208、210的每一者可独立地为被配置成从基板蚀刻材料(例如，氧化物及/或污染物)的蚀刻腔室。例如，处理腔室208、210可独立地为等离子体腔室，诸如ICP等离子体腔室。在一或多个实施方式中，处理腔室208为可从加利福尼亚圣克拉拉的Applied Materials，Inc.获得的

处理腔室212可用于在清洁后进行下游处理，诸如在基板的硅表面上沉积一或多种金属或其他材料。例如，在沉积工艺期间，一或多个金属层及/或其他类型的层可沉积或以其他方式形成在硅表面上。处理腔室212可用于执行如上文在操作120中论述的沉积工艺。处理腔室212可为气相沉积腔室，诸如PVD腔室、溅射腔室、热CVD腔室、PE-CVD腔室、脉冲CVD腔室、热ALD腔室、PE-ALD腔室，或为在沉积工艺期间的上述腔室的任何组合。在一或多个实施方式中，处理腔室212可为可从加利福尼亚圣克拉拉的AppliedMaterials，Inc.获得的CIRRUS

处理腔室214可为热处理腔室，该腔室被配置为提供加热基板的受控热循环。或者，处理腔室214可为等离子体退火腔室，该腔室被配置为在处理且加热基板的同时提供等离子体和受控的热循环。处理腔室214可用于将基板加热至预定温度并执行或以其他方式进行如上文在操作130中论述的硅化工艺。

在一或多个实例中，处理腔室214为可从加利福尼亚圣克拉拉的AppliedMaterials，Inc.获得的

在一或多个实施方式中，处理腔室216可为另一腔室，诸如如上文描述和论述的处理腔室208、210、212或214中的任一者。例如，处理腔室216可为被配置为清洁基板(例如，在沉积之后)的清洁腔室、等离子体腔室、被配置为提供加热基板的受控热循环的热处理腔室、被配置为沉积另一材料的沉积腔室、或另一种类型的处理腔室。在一些实施方式中，处理腔室216可在操作期间不存在或根本不使用。

在处理期间，待处理的基板可在舱体(未图示)中到达处理系统200。基板被引入处理系统200。基板通过工厂界面机器人(未示出)从舱体移送至真空相容装载锁定机构206A、206B。然后，基板由移送腔室202中的移送机器人204处理，移送腔室202通常保持在真空状态。移送机器人204随后将基板装载至处理腔室208或处理腔室210中以清洁基板，如操作110中所述。在完成清洁且移除氧化物及/或污染物后，移送机器人204随后从处理腔室208或210拾取基板并将基板装载至处理腔室212中以进行沉积工艺(诸如PVD、CVD或ALD工艺)以在基板的硅表面上形成金属层，如操作120中所述。然后，移送机器人204从处理腔室212拾取基板并且可将基板装载至处理腔室216中以用于硅化工艺，以在基板上由金属层和硅表面产生金属硅化物层，如操作130中所述。视情况，在一或多个实施方式中，移送机器人204随后从处理腔室214拾取基板并将基板装载至处理腔室216中，以对含金属硅化物层的基板进行或执行任何其他所需的工艺。

在工艺期间，移送腔室202可保持在真空下及/或低于大气压的压力下。移送腔室202的真空度可被调整以匹配相应处理腔室的真空度。例如，当将基板从移送腔室202移送至处理腔室(或反之亦然)时，移送腔室202和该处理腔室可维持在相同的真空度。然后，当将基板从移送腔室移送至装载锁定腔室或批量装载锁定腔室(或反之亦然)时，移送腔室的真空度可匹配装载锁定腔室206A、206B的真空度，即使装载锁定腔室和处理腔室的真空度可能不同。

本文描述和论述的方法提供了优于先前硅化物工艺技术的许多优点。基板在化学还原环境或工艺区域内被加热。例如，在硅化工艺期间，基板在含有氢气的环境或工艺区域内被加热。本文描述和论述的硅化工艺通过减少或消除附聚而对金属硅化物层提供热稳定性，否则会导致膜的不连续性和更大的电阻率(Rc)。通过本文描述和论述的硅化工艺产生的金属硅化物层具有比通过其他工艺形成的金属硅化物更低的电阻。

虽然前述内容针对本公开内容的实施方式，但是可在不背离本公开内容的基本范围的情况下设计其他及进一步实施方式，且本公开内容的范围由随附的权利要求书确定。本文所述的所有文件均以引用方式并入本文，包括与本文不矛盾的任何优先权文件及/或测试程序。从上述一般描述和具体实施方式可以清楚地看出，虽然已经说明且描述了本公开内容的形式，但是可以在不背离本公开内容的精神及范围的情况下进行各种修改。因此，本公开内容并不意欲受此限制。同样，就美国法律而言，术语“包含”被认为与“包括”一词同义。同样，每当组成物、元素或元素群组前面带有过渡短语“包含”时，应理解，可预期在该组成物、元素或多个元素的叙述之前具有过渡短语“基本上由……组成”、“由……组成”、“选由……组成的群组”、或“为”的相同组成物或元素群组，反之亦然。如本文所用，术语“约”是指从标称值变化+/-10％。应当理解，该变化可包括在本文提供的任何值中。

某些实施方式和特征已使用一组数值上限和一组数值下限来描述。应当理解，除非另有说明，否则预期包括任何两个值的组合的范围，该组合例如任何下限值与任何上限值的组合、任何两个下限值的组合及/或任何两个上限值的组合。某些下限、上限及范围出现在以下一或多个权利要求中。