芯片的热管理方法、装置、设备及介质

技术领域

本申请实施例涉及计算机技术领域，尤其涉及一种芯片的热管理方法、装置、设备及介质。

背景技术

控制器包括壳体以及封装在壳体内的电子元器件(如，印制电路板(PrintedCircuit Board，PCB)，焊接在PCB上的芯片、晶体管、电容和电感)。如果控制器的集成度较高，那么在较小的空间(受限于控制器的壳体尺寸)内运行控制器，采用较大的芯片发热功率可能会造成器件过热损坏。如果芯片温度达到一定的限制，即会发生芯片过温保护现象，那么控制器可以通过降低芯片发热功率启动芯片保护功能。然而，控制器的使用者如果强制选用较大的芯片发热功率，可能导致芯片反复超温，进而可能导致芯片损坏。

发明内容

本申请提供一种芯片的热管理方法、装置、设备及介质，以降低控制器中芯片损坏的概率。

第一方面，提供一种芯片的热管理方法，包括：

获取热测试状态下的控制器中芯片对应的时间温度曲线；

获取芯片的目标过温保护温度值、目标过温保护温度值对应的目标过温时刻、时间温度曲线中的滞止温度值以及滞止温度值对应的温降截止时刻；目标过温保护温度值是指时间温度曲线中的拐点温度值；

根据目标过温时刻、目标过温保护温度值、滞止温度值和温降截止时刻，确定芯片的第一芯片功率和第二芯片功率；

按照第一芯片功率或者第二芯片功率，模拟运行控制器，以获取芯片的过温运行次数以及过温运行次数对应的过温恢复温差，过温恢复温差是指在温降截止时刻内芯片的温度变化值；

根据过温运行次数以及过温运行次数对应的过温恢复温差，对芯片进行热管理。

第二方面，提供一种芯片的热管理装置，包括：

第一获取模块，用于获取热测试状态下的控制器中芯片对应的时间温度曲线；

第二获取模块，用于获取芯片的目标过温保护温度值、目标过温保护温度值对应的目标过温时刻、时间温度曲线中的滞止温度值以及滞止温度值对应的温降截止时刻；目标过温保护温度值是指时间温度曲线中的拐点温度值；

确定模块，用于根据目标过温时刻、目标过温保护温度值、滞止温度值和温降截止时刻，确定芯片的第一芯片功率和第二芯片功率；

处理模块，用于按照第一芯片功率或者第二芯片功率，模拟运行控制器，以获取芯片的过温运行次数以及过温运行次数对应的过温恢复温差，过温恢复温差是指在温降截止时刻内芯片的温度变化值；

管理模块，用于根据过温运行次数以及过温运行次数对应的过温恢复温差，对芯片进行热管理。

第三方面，提供一种电子设备，包括：处理器和存储器，该存储器用于存储计算机程序，该处理器用于调用并运行该存储器中存储的计算机程序，执行如第一方面或其各实现方式中的方法。

第四方面，提供一种计算机可读存储介质，用于存储计算机程序，计算机程序使得计算机执行如第一方面或其各实现方式中的方法。

第五方面，提供一种计算机程序产品，包括计算机程序指令，该计算机程序指令使得计算机执行如第一方面或其各实现方式中的方法。

第六方面，提供一种计算机程序，计算机程序使得计算机执行如第一方面或其各实现方式中的方法。

通过本申请提供的技术方案，电子设备可以获取控制器关于过温保护的测试数据，并且，根据测试数据模拟运行控制器，以提高模拟运行与热测试的相似性，进而提高生成的热管理策略的有效性，从而降低控制器中芯片损坏的概率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的第一种芯片的热管理方法的流程图；

图2为本申请实施例提供的第二种芯片的热管理方法的流程图；

图3为本申请实施例提供的第三种芯片的热管理方法的流程图；

图4为本申请实施例提供的温度变化的示意图；

图5为本申请实施例提供的第四种芯片的热管理方法的示意图；

图6为本申请实施例提供的一种芯片的热管理装置600的示意图；

图7是本申请实施例提供的电子设备700的示意性框图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或服务器不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

如上所述，在相关技术中，小空间多功能的一体机，或者集成度较高的控制器，在较小的空间内采用较大的芯片发热功率，可能造成器件过热损坏。

一般的，在控制器的外壳上设置摄像头、传感器、显示器等外部设备可以构成一体机，如汽车倒车影像系统。也就是，相比于控制器，一体机在较小的空间内包括的器件更多，也更不容易散热。

为了解决上述技术问题，本申请的发明构思是：首先电子设备可以获取通过热测试得到的控制器的时间温度曲线，进而获取目标过温保护温度值、目标过温时刻、滞止温度值以及温降截止时刻。接下来，通过模拟运行控制器，根据目标过温保护温度值和目标过温时刻确定第一芯片功率，根据滞止温度值和滞止温度值确定的第二芯片功率。接下来，根据第一芯片功率或第二芯片功率，获取芯片的过温运行次数和过温恢复温差。最后，根据过温运行次数和过温恢复温差，对芯片进行热管理。如此，电子设备可以获取控制器关于过温保护的测试数据，并且，根据测试数据模拟运行控制器，以提高模拟运行与热测试的相似性，进而提高生成的热管理策略的有效性，从而降低控制器中芯片损坏的概率。

为解决上述在较小的空间内采用较大的芯片发热功率，可能造成器件过热损坏的问题，本申请实施例提供的一种芯片的热管理方法。该方法可以以电子设备为执行主体。图1为本申请实施例提供的一种芯片的热管理方法的流程图。如图1所示，该方法可以包括如下步骤：

S110：获取热测试状态下的控制器中芯片对应的时间温度曲线。

在本申请实施例中，热测试状态是指控制器在测试温箱中运行的状态。即，时间温度曲线含有控制器在实测中得到的温度随时间的变化数据。

示例性的，时间温度曲线中，随着时间的增加，芯片温度从热测试环境温度80度开始逐渐增加至100度，然后降低测试功率后，温度从100度逐渐降低至85度。然后，再增加测试功率，芯片温度从85度逐渐增加至99度，然后再降低测试功率，芯片温度再逐渐降低。

在本申请实施例中，从起始时刻，按照高测试功率对控制器进行热测试，随着热测试时间的增加，通过温度传感器测量得到的芯片温度也逐渐升高，在芯片温度达到一定的高温度值(实测的过温保护温度值)后，按照低测试功率对控制器进行热测试，由此开始，芯片温度逐渐降低，在芯片温度下降到一定的低温度值之后，再按照高测试功率对控制器进行热测试，芯片温度也再升高。后续随着时间逐渐增加，控制器运行功率和芯片温度不断地降低再升高。由此，记录的时间与温度的对应关系，即为时间温度曲线。

可以理解的是，时间温度曲线中的芯片温度值至少包括一个一定的高温度值，以及，一个一定的低温度值。在上述示例的基础上，时间温度曲线中包括高温度值100度和99度，时间温度曲线中包括低温度值80度和85度。

在一种实施例中，可以在对控制器进行热测试过程中，获取即时传递的时间数据和温度数据。然后，可以根据时间数据和温度时间得到控制器中芯片对应的时间温度曲线。

在又一种实施例中，可以发送数据获取请求，数据获取请求用于向存储设备获取预先存储的对控制器进行热测试得到的时间数据和温度数据。然后，可以根据时间数据和温度时间得到控制器中芯片对应的时间温度曲线。

在再一种实施例中，可以接收存储设备发送的预先存储的对控制器进行热测试得到的时间数据和温度数据。然后，可以根据时间数据和温度时间得到控制器中芯片对应的时间温度曲线。

在本申请实施例中，控制器可能包括一个或多个芯片，其中每个芯片的芯片性能不同，因此，每个芯片对应的芯片热管理策略也不同，通过本申请可以对每个芯片进行热管理。

S120：获取芯片的目标过温保护温度值、目标过温保护温度值对应的目标过温时刻、时间温度曲线中的滞止温度值以及滞止温度值对应的温降截止时刻。

其中，目标过温保护温度值是指时间温度曲线中的拐点温度值。

可以理解的是，在芯片规格书中都会给出芯片的过温保护温度值，以此表示，一旦芯片温度超过该过温保护温度值，那么芯片会降低测试功率运行。但是通过对控制器进行热测试发现，芯片实际的过温保护温度值与芯片规格书中的过温保护温度值不同。因此，可以通过热测试状态下的控制器中芯片对应的时间温度曲线，获取芯片实际的过温保护温度值。如此，可以避免芯片规格书中的过温保护温度值与目标过温保护温度值差距较大，而造成的不能有效地降低控制器中芯片损坏的概率的问题。

在一些可实现方式中，如图2所示，在本申请实施例中，步骤S120还可以通过如下步骤S210-S260实现。

S210：确定时间温度曲线中的第一目标曲线拐点。

S220：根据时间温度曲线，将第一目标曲线拐点对应的拐点温度值，确定为芯片的目标过温保护温度值。

S230：根据时间温度曲线，将第一目标曲线拐点对应的拐点时刻，确定为目标过温时刻。

S240：确定时间温度曲线中的第一目标滞止点。

S250：根据时间温度曲线，将第一目标滞止点对应的温度值，确定为滞止温度值。

S260：根据时间温度曲线，将第一目标滞止点对应的时刻与第一目标曲线拐点对应的时刻的时间差值，确定为温降截止时刻。

其中，第一目标曲线拐点为时间温度曲线中的第一个拐点。时间温度曲线中热测试的开始时间为起始时刻，随着时间的增加温度值不断地升高降低再次升高降低，成波浪式的变化。第一目标滞止点是第一目标曲线拐点之后的第一个滞止点。

需要说明的是，目标过温保护温度值是指芯片实际的过温保护温度值。目标过温保护温度值对应的目标过温时刻，可以通过时间温度曲线查找得到。

在本申请实施例中，目标滞止点是指在时间温度曲线中，温度值到达目标过温保护温度值之后，温度下降的停止点。在时间温度曲线中，如果到达目标滞止点，那么按照高测试功率对控制器进行热测试。

在本申请实施例中，在时间温度曲线中，从起始时刻到目标过温时刻，按照高测试功率对控制器进行热测试，从目标过温时刻到温降截止时刻结束时刻，按照低测试功率对控制器进行热测试。在其后，根据时间温度曲线中的曲线拐点和滞止点，不断地修改对控制器进行热测试的功率。

如此，通过对控制器进行热测试的时间温度曲线，可得到芯片的目标过温保护温度值、目标过温时刻、滞止温度值和温降截止时刻，进而能够提高模拟运行控制器的准确性，减少理论与实际的误差，降低控制器中芯片损坏的概率。

在本申请实施例中，如果控制器中包括多个芯片，那么上述步骤S110可以为：获取热测试状态下的控制器中至少一个芯片对应的至少一个时间温度曲线。

相应的，如图3所示，在本申请实施例中，步骤S120还可以通过如下步骤S310-S380实现。

S310：确定至少一个时间温度曲线中的至少一个曲线拐点。

S320：获取至少一个曲线拐点对应的至少一个拐点时刻。

S330：将至少一个拐点时刻中的最小拐点时刻所对应的曲线拐点确定为第二目标曲线拐点，将第二目标曲线拐点所属的时间温度曲线确为目标时间温度曲线。

S340：根据目标时间温度曲线，将第二目标曲线拐点对应的拐点温度值，确定为芯片的目标过温保护温度值。

S350：根据目标时间温度曲线，将最小拐点时刻，确定为目标过温时刻。

S360：确定目标时间温度曲线中的第二目标滞止点。

S370：根据目标时间温度曲线，将第二目标滞止点对应的温度值，确定为滞止温度值。

S380：根据目标时间温度曲线，将第二目标滞止点对应的时刻与第二目标曲线拐点对应的时刻的时间差值，确定为温降截止时刻。

其中，至少一个曲线拐点为至少一个时间温度曲线中每条时间温度曲线的第一个拐点。第一目标滞止点是第一目标曲线拐点之后第一个滞止点。第二目标滞止点是第二目标曲线拐点之后第一个滞止点。

在本申请实施例中，上述步骤S310-S370与步骤S210-S260类似，区别仅在于如何确认目标时间温度曲线，其他相似内容在此不再赘述。具体的，在至少一条时间温度曲线中将温升曲线最快的、芯片温度开始下降时的温度，确定为目标过温保护温度值。在多条时间温度曲线中每条曲线的第一个拐点的拐点温度值，即为该条曲线对应芯片的过温保护温度值。在每条曲线的第一个拐点中的最小拐点时刻对应的时间温度曲线，即为温升最快曲线。如此，将最小拐点时刻对应的时间温度曲线确定为目标时间温度曲线。

如此，通过对控制器进行热测试的时间温度曲线，得到的芯片的目标过温保护温度值，目标过温时刻，滞止温度值和温降截止时刻，能够提高模拟运行控制器的准确性，减少理论与实际的误差，降低控制器中芯片损坏的概率。

S130：根据目标过温时刻、目标过温保护温度值、滞止温度值和温降截止时刻，确定芯片的第一芯片功率和第二芯片功率。

在本申请实施例中，在模拟运行控制器的过程中，往往通过直流源为控制器供电，在直流源中可以设置运行电流值和运行电压值，以间接设置第一芯片功率和第二芯片功率。

在本申请实施例中，确定芯片的第一芯片功率，可以通过以下步骤实现：获取热测试状态下的控制器的高测试功率和低测试功率；按照高测试功率，模拟运行控制器，获取芯片在目标过温时刻的实时温度值；如果目标过温时刻的实时温度值与目标过温保护温度值的偏差值大于或等于第一预置阈值，则按照第一预置更新规则，更新高测试功率，再次模拟运行控制器；如果目标过温时刻的实时温度值与目标过温保护温度值的偏差值小于第一预置阈值，则将高测试功率确定为第一芯片功率。

示例性的，第一预置阈值可以为1摄氏度、3摄氏度或者5摄氏度。

在本申请实施例中，按照第一预置更新规则，更新高测试功率，并根据更新后的高测试功率，再次模拟运行控制器，直至能够确定符合判断条件的第一芯片功率。在本申请实施例中对于第一预置更新规则的功率更新方式不做限定。

在第一种实现方式中，如果芯片在目标过温时刻的实时温度值小于目标过温保护温度值，那么预置规则可以是在高测试功率的基础上，将高测试功率与预置功率步长的和，确定为更新后的高测试功率。

在第二种实现方式中，如果芯片在目标过温时刻的实时温度值小于目标过温保护温度值，那么预置规则可以是在高测试功率的基础上，将高测试功率与预置比率的乘积，确定为更新后的高测试功率。其中，预置比率大于0小于1。

在第三种实现方式中，如果芯片在目标过温时刻的实时温度值大于目标过温保护温度值，那么预置规则可以是在高测试功率的基础上，将高测试功率与预置功率步长的差，确定为更新后的高测试功率。

在第四种实现方式中，如果芯片在目标过温时刻的实时温度值大于目标过温保护温度值，那么预置规则可以是在高测试功率的基础上，将高测试功率与预置比率的乘积，确定为更新后的高测试功率。其中，预置比率大于1。

可以理解的是，在经过至少两次更新高测试功率以确定第一芯片功率的过程中，采用的预置功率步长和预置比率可能不相同。

示例性，假设芯片在目标过温时刻的目标过温保护温度值为100摄氏度，目标过温时刻100秒。将高测试功率设置为1瓦特，按照1瓦特，模拟运行控制器达到100秒，芯片的实时温度值为90摄氏度，与100摄氏度相比的偏差值为10摄氏度，大于第一预置阈值3摄氏度。将高测试功率设置为2瓦特，按照2瓦特模拟运行控制器达到100秒，芯片在目标过温时刻的实时温度值为110摄氏度，与100摄氏度相比的偏差值为10摄氏度，大于第一预置阈值3摄氏度。将高测试功率设置为1.5瓦特，按照1.5瓦特模拟运行控制器达到100秒，芯片在目标过温时刻的实时温度值为99摄氏度，与100摄氏度相比的偏差值为1摄氏度，小于第一预置阈值3摄氏度。确定第一芯片功率为1.5瓦特。

可以理解的是，获取芯片在目标过温时刻的实时温度值之后，还可以比较实时温度是否大于目标过温保护温度值，如果判断结果为大于，并且偏差值大于第一预置阈值，则以降低测试功率方式，更新高测试功率。如果判断结果为小于，并且偏差值大于第一预置阈值，则以增加功率方式，更新高测试功率。

在本申请实施例中，确定芯片的第二芯片功率，可以通过以下步骤实现：按照低测试功率，继续模拟运行控制器，获取芯片在温降截止时刻的实时温度值；如果芯片的实时温度值与滞止温度值相比的偏差值大于或等于第二预置阈值，则按照第二预置更新规则，更新低测试功率，再次按照第一芯片功率和更新后的低测试功率，模拟运行控制器；如果芯片的实时温度值与滞止温度值相比的偏差值小于第二预置阈值，则确定低测试功率为第二芯片功率。

示例性的，第二预置阈值可以为1摄氏度、3摄氏度或者5摄氏度。

在本申请实施例中，按照第二预置更新规则，更新低测试功率，并根据更新后的低测试功率，再次模拟运行控制器，直至能够确定符合判断条件的第二芯片功率。在本申请实施例中对于第二预置更新规则的功率更新方式不做限定。

在本申请实施例中，在确定第一芯片功率之后，热测试状态的低测试功率不能被确定为第二芯片功率，那么需要在根据第一芯片功率模拟运行控制器，获取模拟状态参数，包括目标过温时刻和目标过温时刻的实时温度。然后，在模拟状态参数的基础上，根据低测试功率，模拟运行控制器，以保证模拟运行过程中状态参数的连续性。

需要说明的是，更新高测试功率的第一预置更新规则，与更新低测试功率的第二预置更新规则，采用的具体实现方式可以相同，也可能不完全相同，也可能完全不相同。

S140：按照第一芯片功率或者第二芯片功率，模拟运行控制器，以获取芯片的过温运行次数以及过温运行次数对应的过温恢复温差。

其中，过温恢复温差是指在温降截止时刻内芯片的温度变化值。

在本申请实施例中，按照第一芯片功率或者第二芯片功率，模拟运行控制器，具体包括如下步骤：在芯片的实时温度值小于或等于滞止温度值的情况下，按照第一芯片功率，模拟运行控制器；在芯片的实时温度值大于或等于目标过温保护温度值的情况下，按照第二芯片功率，模拟运行控制器。

在本申请实施例中，由于芯片的使用寿命有限，一旦反复发生芯片过温现象，那么可能经过有限次的过温运行之后，发生芯片损坏。并且，可能经过有限次的过温运行之后，芯片的目标过温保护温度值与滞止温度值的差值越来越小，即，过温恢复温差越来越小。甚至，可能经过有限次的过温运行之后，芯片的目标过温保护温度值与滞止温度值的差值无限趋近于零。

示例性的，如图4所示，图中的每一条曲线代表一个芯片的芯片实时温度变化情况。在芯片的实时温度达到目标过温保护温度值之后，单个芯片的目标过温保护温度值逐渐降低，过温恢复温差也越来越小。

在本申请实施例中，通过模拟运行控制器，在芯片未发生损坏的情况下，获取过温运行次数，并且，记录过温运行次数与过温恢复温差的对应关系。

S150：根据过温运行次数以及过温运行次数对应的过温恢复温差，对芯片进行热管理。

在一些可实现方式中，在本申请实施例中，在步骤S150可以为：在过温运行次数大于或等于预置运行次数，或者，过温恢复温差小于或等于预置温度值的情况下，生成控制器的热管理策略。示例性的，预置运行次数为10次，预置温度值为5摄氏度。

其中，对芯片进行热管理包括以下至少一项：生成风险提示信息和生成控制器的功率更新指令，风险提示信息用于提示暂停使用控制器或者控制器部分功能；功率更新指令用于指示控制器按照预置过温功率运行；过温功率小于第一芯片功率。

在本申请实施例中，可以设置通过关闭控制器的部分功能和降低运行功率，防止芯片损坏。

示例性的，如图5所示，针对一体机(汽车倒车影像系统)，首先对一体机进行热测试，随着测试时间的逐渐增加，逐步获取未过温前芯片的时间温度曲线和高测试功率，获取目标过温保护温度值和滞止点温度值，以及获取过温保护至结束的时间温度曲线和低测试功率。根据未过温前时间温度曲线和高测试功率，在相同时间步的基础上，确定模拟运行控制器的第一芯片功率。如果采用高测试功率，得到的芯片的实时温度与目标过温保护温度值相比的偏差值大于或等于3，那么更新高测试功率。如果采用高测试功率，得到的芯片的实时温度与目标过温保护温度值相比的偏差值小于3，那么模拟运行控制器以便于对芯片进行热管理。随着时间逐步顺延进行，根据目标过温保护温度值、滞止点温度值、以及过温保护至结束的时间温度曲线和低测试功率，在相同时间步的基础上，确定模拟运行控制器的第二芯片功率。如果采用低测试功率，得到的芯片的实时温度与滞止点温度值相比偏差值大于或等于3，那么更新低测试功率。如果采用低测试功率，得到的芯片的实时温度与滞止点温度值相比偏差值小于3，那么运行控制器以便于对芯片进行热管理。

如此，可以获取控制器关于过温保护的测试数据，并且，根据测试数据模拟运行控制器，以提高模拟运行与热测试的相似性，进而提高对芯片进行热管理的有效性，从而降低控制器中芯片损坏的概率。

需要说明的是，前述模拟运行控制器，或者对控制器进行热测试，记录数据时起始时刻相同，数据的获取步长相同。

还需要说明的是，在模拟运行控制器的过程中，需要考虑控制器的壳体尺寸、散热情况、环境情况等等，在本申请实施例中对模拟运行控制涉及的计算域、计算边界和边界条件等具体参数不做限定。

图6为本申请实施例提供的一种芯片的热管理装置600的示意图。如图6所示，该装置600包括：

第一获取模块610，用于获取热测试状态下的控制器中芯片对应的时间温度曲线；

第二获取模块620，用于获取芯片的目标过温保护温度值、目标过温保护温度值对应的目标过温时刻、时间温度曲线中的滞止温度值以及滞止温度值对应的温降截止时刻；目标过温保护温度值是指时间温度曲线中的拐点温度值；

确定模块630，用于根据目标过温时刻、目标过温保护温度值、滞止温度值和温降截止时刻，确定芯片的第一芯片功率和第二芯片功率；

处理模块640，用于按照第一芯片功率或者第二芯片功率，模拟运行控制器，以获取芯片的过温运行次数以及过温运行次数对应的过温恢复温差，过温恢复温差是指在温降截止时刻内芯片的温度变化值；

管理模块650，用于根据过温运行次数，以及过温运行次数对应的过温恢复温差，对芯片进行热管理。

在一些可实现方式中，第二获取模块620，具体用于：确定时间温度曲线中的第一目标曲线拐点，第一目标曲线拐点为时间温度曲线中的第一个拐点；根据时间温度曲线，将第一目标曲线拐点对应的拐点温度值，确定为芯片的目标过温保护温度值；根据时间温度曲线，将第一目标曲线拐点对应的拐点时刻，确定为目标过温时刻；确定时间温度曲线中的第一目标滞止点，第一目标滞止点是第一目标曲线拐点之后的第一个滞止点；根据时间温度曲线，将第一目标滞止点对应的温度值，确定为滞止温度值；根据时间温度曲线，将第一目标滞止点对应的时刻与第一目标曲线拐点对应的时刻的时间差值，确定为温降截止时刻。

在一些可实现方式中，控制器中包括至少一个芯片，第一获取模块610，具体用于：获取热测试状态下的控制器中至少一个芯片对应的至少一个时间温度曲线；

第二获取模块620，具体用于：确定至少一个时间温度曲线中的至少一个曲线拐点，至少一个曲线拐点为至少一个时间温度曲线中每条时间温度曲线的第一个拐点；获取至少一个曲线拐点对应的至少一个拐点时刻；将至少一个拐点时刻中的最小拐点时刻所对应的曲线拐点确定为第二目标曲线拐点，将第二目标曲线拐点所属的时间温度曲线确为目标时间温度曲线；根据目标时间温度曲线，将第二目标曲线拐点对应的拐点温度值，确定为芯片的目标过温保护温度值；根据目标时间温度曲线，将最小拐点时刻，确定为目标过温时刻；确定目标时间温度曲线中的第二目标滞止点，第二目标滞止点是第二目标曲线拐点之后的第一个滞止点；根据目标时间温度曲线，将第二目标滞止点对应的温度值，确定为滞止温度值；根据目标时间温度曲线，将第二目标滞止点对应的时刻与第二目标曲线拐点对应的时刻的时间差值，确定为温降截止时刻。

在一些可实现方式中，管理模块650，具体用于：在过温运行次数大于或等于预置运行次数，或者，过温恢复温差小于或等于预置温度值的情况下，对芯片进行热管理。

在一些可实现方式中，对芯片进行热管理包括以下至少一项：生成风险提示信息和生成控制器的功率更新指令；其中，风险提示信息用于提示暂停使用控制器或者控制器部分功能；功率更新指令用于指示控制器按照预置过温功率运行；过温功率小于第一芯片功率。

在一些可实现方式中，确定模块630，具体用于：获取热测试状态下的控制器的高测试功率和低测试功率；按照高测试功率，模拟运行控制器，获取芯片在目标过温时刻的实时温度值；如果目标过温时刻的实时温度值与目标过温保护温度值的偏差值大于或等于第一预置阈值，则按照第一预置更新规则，更新高测试功率，并根据更新后的高测试功率，模拟运行控制器；如果目标过温时刻的实时温度值与目标过温保护温度值的偏差值小于第一预置阈值，则将高测试功率确定为第一芯片功率；按照低测试功率，继续模拟运行控制器，获取芯片在温降截止时刻的实时温度值；如果芯片的实时温度值与滞止温度值相比的偏差值大于或等于第二预置阈值，则按照第二预置更新规则，更新低测试功率，再次按照第一芯片功率和更新后的低测试功率，模拟运行控制器；如果芯片的实时温度值与滞止温度值相比的偏差值小于第二预置阈值，则确定低测试功率为第二芯片功率。

在一些可实现方式中，处理模块640，具体用于：在芯片的实时温度值小于或等于滞止温度值的情况下，按照第一芯片功率，模拟运行控制器；在芯片的实时温度值大于或等于目标过温保护温度值的情况下，按照第二芯片功率，模拟运行控制器。

应理解的是，芯片的热管理装置实施例与芯片的热管理方法实施例可以相互对应，类似的描述可以参照芯片的热管理方法实施例。为避免重复，此处不再赘述。具体地，图6所示的装置600可以执行上述芯片的热管理方法实施例，并且装置600中的各个模块的前述和其它操作和/或功能分别为了实现上述芯片的热管理方法中的相应流程，为了简洁，在此不再赘述。

上文中结合附图从功能模块的角度描述了本申请实施例的装置600。应理解，该功能模块可以通过硬件形式实现，也可以通过软件形式的指令实现，还可以通过硬件和软件模块组合实现。具体地，本申请实施例中的芯片的热管理方法实施例的各步骤可以通过处理器中的硬件的集成逻辑电路和/或软件形式的指令完成，结合本申请实施例公开的芯片的热管理方法的步骤可以直接体现为硬件译码处理器执行完成，或者用译码处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。可选地，软件模块可以位于随机存储器，闪存、只读存储器、可编程只读存储器、电可擦写可编程存储器、寄存器等本领域的成熟的存储介质中。该存储介质位于存储器，处理器读取存储器中的信息，结合其硬件完成上述芯片的热管理方法实施例中的步骤。

图7是本申请实施例提供的电子设备700的示意性框图。

如图7所示，该电子设备700可包括：

存储器710和处理器720，该存储器710用于存储计算机程序，并将该程序代码传输给该处理器720。换言之，该处理器720可以从存储器710中调用并运行计算机程序，以实现本申请实施例中的方法。

例如，该处理器720可用于根据该计算机程序中的指令执行上述方法实施例。

在本申请的一些实施例中，该处理器720可以包括但不限于：

通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现场可编程门阵列(FieldProgrammable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等等。

在本申请的一些实施例中，该存储器710包括但不限于：

易失性存储器和/或非易失性存储器。其中，非易失性存储器可以是只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、可编程只读存储器(Programmable ROM，PROM)、可擦除可编程只读存储器(Erasable PROM，EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(Electrically EPROM，EEPROM)或闪存。易失性存储器可以是随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)，其用作外部高速缓存。通过示例性但不是限制性说明，许多形式的RAM可用，例如静态随机存取存储器(Static RAM，SRAM)、动态随机存取存储器(Dynamic RAM，DRAM)、同步动态随机存取存储器(Synchronous DRAM，SDRAM)、双倍数据速率同步动态随机存取存储器(Double DataRate SDRAM，DDR SDRAM)、增强型同步动态随机存取存储器(Enhanced SDRAM，ESDRAM)、同步连接动态随机存取存储器(Synch Link DRAM，SLDRAM)和直接内存总线随机存取存储器(Direct Rambus RAM，DR RAM)。

在本申请的一些实施例中，该计算机程序可以被分割成一个或多个模块，该一个或者多个模块被存储在该存储器710中，并由该处理器720执行，以完成本申请提供的方法。该一个或多个模块可以是能够完成特定功能的一系列计算机程序指令段，该指令段用于描述该计算机程序在该电子设备中的执行过程。

如图7所示，该电子设备还可包括：

收发器730，该收发器730可连接至该处理器720或存储器710。

其中，处理器720可以控制该收发器730与其他设备进行通信，具体地，可以向其他设备发送信息或数据，或接收其他设备发送的信息或数据。收发器730可以包括发射机和接收机。收发器730还可以进一步包括天线，天线的数量可以为一个或多个。

应当理解，该电子设备中的各个组件通过总线系统相连，其中，总线系统除包括数据总线之外，还包括电源总线、控制总线和状态信号总线。

本申请还提供了一种计算机存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被计算机执行时使得该计算机能够执行上述方法实施例的方法。或者说，本申请实施例还提供一种包含指令的计算机程序产品，该指令被计算机执行时使得计算机执行上述方法实施例的方法。

当使用软件实现时，可以全部或部分地以计算机程序产品的形式实现。该计算机程序产品包括一个或多个计算机指令。在计算机上加载和执行该计算机程序指令时，全部或部分地产生按照本申请实施例该的流程或功能。该计算机可以是通用计算机、专用计算机、计算机网络、或者其他可编程装置。该计算机指令可以存储在计算机可读存储介质中，或者从一个计算机可读存储介质向另一个计算机可读存储介质传输，例如，该计算机指令可以从一个网站站点、计算机、服务器或数据中心通过有线(例如同轴电缆、光纤、数字用户线(Digital Subscriber Line，DSL))或无线(例如红外、无线、微波等)方式向另一个网站站点、计算机、服务器或数据中心进行传输。该计算机可读存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质或者是包含一个或多个可用介质集成的服务器、数据中心等数据存储设备。该可用介质可以是磁性介质(例如，软盘、硬盘、磁带)、光介质(例如数字视频光盘(Digital Video Disc，DVD))、或者半导体介质(例如固态硬盘(Solid State Disk，SSD))等。

本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的模块及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本申请的范围。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统、装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，该模块的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个模块或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或模块的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

作为分离部件说明的模块可以是或者也可以不是物理上分开的，作为模块显示的部件可以是或者也可以不是物理模块，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。例如，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一个处理模块中，也可以是各个模块单独物理存在，也可以两个或两个以上模块集成在一个模块中。

以上仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以该权利要求的保护范围为准。