基片处理装置和基片处理方法

技术领域

本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。

背景技术

在专利文献1中公开了一种基片处理装置，其在对基片进行高温处理的情况下，能够防止由于处理气体的回流等而使基片处理的均匀性受到恶劣影响。该基片处理装置包括基座、升降驱动装置、多个基片支承销和移动阻止部件。基座水平地配置，能够将基片放置在上表面以对其进行支承。升降驱动装置在支承基片的第1位置与比该第1位置低的等待进行基片的支承的第2位置之间升降驱动基座。基片支承销相对于基座在上下方向上可移动地被支承，基座被定位在第2位置时，支承基片。移动阻止部件在使基座从第1位置移动到第2位置时，阻止基片支承销向下方移动。在基座形成有用于插入基片支承销的销插入孔。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平11-111821号公报。

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明的技术在用载置台对载置于基片支承销能够伸出或没入的载置台的上表面的基片进行加热的情况下，能够改善基片的温度的面内均匀性。

用于解决问题的技术手段

本发明的一方式是一种对基片进行处理的基片处理装置，其包括：能够在上表面载置基片并对所载置的该基片进行加热的载置台；构成为能够从所述载置台的上表面伸出或没入该上表面，并且能够支承基片的基片支承销；和光照射机构，其对载置于所述载置台的上表面的基片中的与所述基片支承销的伸出或没入位置对应的特定的部分照射光，以对该特定的部分进行加热。

发明效果

依照本发明，在用载置台来对载置于基片支承销能够突入和没入的载置台的上表面的基片进行加热的情况下，能够改善基片的温度的面内均匀性。

附图说明

图1是示意性地表示第1实施方式的作为基片处理装置的成膜装置的结构的概要的说明图。

图2是用于表示第1实施方式中的载置台的开口、支承销与光导入通路的位置关系的载置台的俯视图。

图3是示意性地表示第2实施方式的作为基片处理装置的成膜装置的概要结构的说明图。

图4是用于表示第2实施方式中的载置台的开口、支承销与光导入通路的位置关系的载置台的俯视图。

图5是表示光导入通路的形成位置的另一例的图。

附图标记说明

1 成膜装置

20 载置台

30 支承销

70 光照射机构

W 晶片。

具体实施方式

例如，在半导体器件的制造处理中，对半导体晶片(以下，称为“晶片”。)等基片，进行成膜处理等基片处理。该基片处理是使用基片处理装置进行的。在基片处理装置为对基片逐一进行处理的单片式的情况下，在装置内设置能够在上表面载置基片的载置台。此外，为了在用于输送基片的基片输送装置与载置台之间交接基片，单片式的基片处理装置如专利文献1那样具有基片支承销。基片支承销构成为相对于载置台能够上下移动，并且被设置成在上下移动时能够从载置台的上表面伸出或没入该上表面。此外，在载置台形成有例如基片支承销上下移动时供该基片支承销的上端通过的开口，以使得基片支承销能够从载置台的上表面伸出或没入该上表面。

在基片处理时，有时对载置于载置台的基片隔着该载置台进行加热。但是，在该情况下，当设置有基片支承销时，在载置于载置台的基片中的与载置台的上述开口对应的部分等的与基片支承销的伸出或没入位置对应的特定的部分，有时温度相对地变低，基片的温度的面内均匀性降低。

于是，本发明的技术在用载置台来对载置于基片支承销能够伸出或没入的载置台的上表面的基片进行加热的情况下，能够改善基片的温度的面内均匀性。

以下，参照附图，对本实施方式的基片处理装置和基片处理方法进行说明。此外，在本说明书和附图中，对具有实质上相同的功能结构的要素，标注相同的附图标记，并省略重复的说明。

(第1实施方式)

图1是示意性地表示作为第1实施方式的基片处理装置的成膜装置的结构的概要的说明图，将成膜装置的一部分用截面表示。图2是用于表示后述的载置台20的开口20a、支承销30与光导入通路13a、40b的位置关系的载置台20的俯视图。图1的成膜装置1是具有构成为能够减压的、收纳作为基片的晶片W的处理容器10。

处理容器10具有有底的形成为圆筒形状的容器主体10a。在容器主体10a的侧壁设置有晶片W的送入送出口11，在该送入送出口11设置有用于开闭该送入送出口11的闸阀12。在比送入送出口11靠上部侧处设置有形成容器主体10a的侧壁的一部分的后述的排气管60。在容器主体10a的上部即排气管60设置有开口10b，以封闭该开口10b的方式安装有盖13。在排气管60与盖13之间设置有用于将处理容器10内保持为气密的O形环14。

在处理容器10内设置有能够在上表面将晶片W水平地载置的载置台20。在载置台20的内部设置有用于加热晶片W的加热器21。在该载置台20，以遍及周向地覆盖比其上表面的晶片W的载置区域靠外周侧的区域和其侧周面的方式，设置有遮挡部件22。

在载置台20的下表面中央部连接有支轴部件23的上端，该支轴部件23通过形成于处理容器10的底壁的开口15贯通该底壁在上下方向上延伸。支轴部件23的下端与作为旋转驱动机构的驱动机构24连接。驱动机构24是产生用于使支轴部件23升降和旋转的驱动力的机构，例如具有气缸(未图示)、电机(未图示)。支轴部件23通过驱动机构24的驱动而上下地移动，载置台20能够随之在由两点划线所示的输送位置与其上方的处理位置之间上下地移动。输送位置是指，在从处理容器10的送入送出口11进入到处理容器10内的晶片输送机构(未图示)与后述的支承销30之间交接晶片W时，载置台20待机的位置。而且，处理位置是指对晶片W进行成膜处理的位置。另外，支轴部件23通过驱动机构24的驱动而以其轴线为中心旋转，载置台20随之以上述轴线为中心旋转。

另外，在支轴部件23的处理容器10的外侧设置有凸缘25。而且，在该凸缘25与处理容器10的底壁的支轴部件23的贯通部之间，以包围支轴部件23的外周部的方式设置有波纹管26。由此，能够保持处理容器10的气密性。

而且，设置有相对于载置台20能够上下移动的作为基片支承销的支承销30。支承销30是在从处理容器10的外部送入该处理容器10内的晶片W的输送装置(未图示)与载置台20之间交接晶片W的机构。支承销30构成为通过上下移动而其上端能够从载置台20的上表面伸出或没入该上表面。此外，支承销30构成为能够在从载置台20的上表面伸出的状态下支承晶片W。以该支承销30能够从载置台20的上表面伸出或没入该上表面的方式，在载置台20的上表面形成有在支承销30上下移动时供该支承销30的上端通过的开口20a。在本例中，开口20a形成为在上下方向上延伸的贯通孔，能够被支承销30从下方插通。此外，如图2所示，支承销30和开口20a分别设置有多个(在本例中各为4个)，支承销30和供该支承销30插通的开口20a的组，在俯视时沿载置台20的周向等间隔地配置。晶片W的大小为直径300mm的情况下，例如俯视时支承销30和开口20a的直径分别为9mm、10mm。

各支承销30的下端如图1与处理容器10内的设置于载置台20的下方的晶片升降部件31的上表面连接。在晶片升降部件31的下表面侧设置有支承柱32，支承柱32贯通处理容器10的底壁，与设置于处理容器10的外侧的升降机构33连接。因此，晶片升降部件31通过升降机构33的驱动而能够上下移动，而且通过上下移动，支承销30通过载置台20的开口20a而从载置台20的上表面伸出或没入该上表面。

另外，在处理容器10内的载置台20与盖13之间，以与载置台20相对的方式设置有盖帽部件40，该盖帽部件40用于在其与载置台20之间形成处理空间S。盖帽部件40由螺纹件(未图示)固定于盖13。在盖帽部件40的下部，形成有倒擂钵状的凹部41。在凹部41的外侧，形成有平坦的边沿42。而且，由位于上述的处理位置的载置台20的上表面和盖帽部件40的凹部41，形成处理空间S。形成了处理空间S时的载置台20的高度被设定成在盖帽部件40的边沿42的下表面与遮挡部件22的上表面之间形成间隙43。凹部41例如形成为能够尽量减小处理空间S的容积，并且使得在用吹扫气体置换处理气体时的气体置换性良好。

在盖帽部件40的中央部，形成有用于向处理空间S内导入处理气体或吹扫气体的气体导入通路44。气体导入通路44贯通盖帽部件40的中央部，以其下端与载置台20上的晶片W的中央部相对的方式设置。此外，在盖帽部件40的中央部嵌入有流路形成部件40a，利用该流路形成部件40a，将气体导入通路44的上侧分支并分别与贯通盖13的气体导入通路45连通。在气体导入通路45，连接有供给作为处理气体的SiH

另外，在形成容器主体10a的侧壁的一部分的排气管60，连接有排气管61的一端部。排气管61的另一端部例如连接有由真空泵构成的排气装置62。此外，在排气管61的比排气装置62靠上流侧处，设置有用于调节处理空间S内的压力的APC阀63。

此外，排气管60是将纵截面形状为方形的气体通流路64形成为环形而成的部件。在排气管60的内周面，遍及整周地形成有隙缝65。在排气管60的外壁设置有排气口66，在该排气口66连接排气管61。隙缝65形成于与载置台20上升至上述处理位置时形成的上述间隙43对应的位置。因此，处理空间S内的气体通过使排气装置62工作而经由，间隙43和隙缝65到达排气管60的气体通流路64，经由排气管61被排出。

成膜装置1还包括光照射机构70。光照射机构70对载置于载置台20的上表面的晶片W中的、与支承销30的伸出或没入位置对应的特定部分照射光，以对该特定部分进行加热。具体而言，光照射机构70对载置于载置台20的上表面的晶片W中的、供支承销30通过的开口20a的正上方的部分(以下，销位置部分)，从上方照射具有指向性的激光，以在销尖端对上述销位置部分进行加热。光照射机构70通过如上述那样对晶片W的销位置部分进行加热，以对该销位置部分的温度进行校正，使得其与晶片W的其他部分的温度相同。

光照射机构70具有出射激光的激光源71。来自激光源71的激光的照射强度可以是固定的，也可以是可变的，在本实施方式中固定为1400W。此外，从激光源71出射的光的波长能够通过晶片W的材料来进行选择。例如，晶片W是硅制的情况下，从激光源71出射的光的波长不论温度如何其被硅吸收的吸收效率为60％以上而较高，使之为0.36～1.0μm。

在本实施方式中，光照射机构70设置于处理容器10的外部，具体而言，光照射机构70的激光源71设置于处理容器10的外部。而且，在盖13和盖帽部件40形成有光导入通路13a、40b，使得来自设置于处理容器10的外部的激光源71的光被照射到载置于处理容器10内的载置台20的晶片W。将来自处理容器10外的激光源71的激光导入到处理容器10内的光导入通路13a和光导入通路40b，分别由在上下方向上延伸的贯通孔构成，彼此连通。

光导入通路13a、40b的相对于载置台20的形成位置如以下所述。即，光导入通路13a、40b如图2所示，形成于载置台20上方并且俯视时与载置于该载置台20的晶片W重叠的位置。具体而言，在如上述那样载置台20以支轴部件23的轴线为中心旋转的情况下，在载置台20旋转时开口20a描绘的轨迹的正上方，形成有光导入通路13a、40b。

另外，在光导入通路13a，如图1所示，设置有用于保持处理容器10的气密性的窗13b。窗13b由使来自激光源71的激光透射的材料形成。具体而言，窗13b的材料例如可以使用使波长为0.36～1.0μm的激光高效地透射的石英或蓝宝石。此外，通过在窗13b中使用石英或蓝宝石，能够防止在成膜处理时在处理容器10内导入了腐食性气体时该窗受到损伤。从光照射机构70的激光源71出射的光经由窗13b，被照射到载置于载置台20的晶片W。

此外，在本例中，在光导入通路13a设置有窗13b，不过也可以取而代之，或者除此以外，在光导入通路40b设置与窗13b同样的窗。此外，在图的例子中，光照射机构70和光导入通路13a、40b的组为一个，不过也可以为多个。光照射机构70的数量能够基于从该光照射机构70照射的激光的强度，和由该光照射机构70校正的晶片W的销位置部分的温度的目标校正量来决定。

来自光照射机构70的激光的出射时机由后述的控制部U配合载置台20的旋转地进行控制，由此，能够仅对载置台20上的晶片W中的销位置部分进行照射。即，光照射机构70由后述的控制部U控制，仅在载置于旋转的载置台20的晶片W的销位置部分通过晶片W中能够被来自光照射机构70的激光照射的区域(以下，为“照射区域”)时，出射激光。在本例中，光照射机构70在后述的控制部U的控制之下，仅在载置于旋转的载置台20的晶片W的销位置部分即载置台20的开口20a通过盖帽部件40的光导入通路40b的正下方的区域时，出射激光。

另外，俯视时，晶片W中的激光的照射区域的大小是载置台20的开口20a的大小的0.5～2.0倍。具体而言，例如，在上述激光的照射区域和开口20a的俯视形状为圆形的情况下，俯视时，上述激光的照射区域的直径为开口20a的直径的0.5～2.0倍。此外，例如，在上述激光的照射区域的俯视形状为方形且开口20a的俯视形状为圆形的情况下，俯视时，上述激光的照射区域的短边和长边为开口20a的直径的0.5～2.0倍。该情况下，也可以为俯视时，激光的照射区域的面积为开口20a的面积的0.25～4.0倍。此外，为了调节激光的照射区域的大小，光照射机构70也可以具有透镜等的光学系统。该光学系统可以设置于比窗13b靠外侧处，也可以设置于内侧。

在如以上那样构成的成膜装置1，设置有控制光照射机构70和驱动机构24等的控制部U。控制部U例如由具有CPU和存储器等的计算机构成，具有程序保存部(未图示)。在程序保存部，保存有用于实现成膜装置1中的后述的晶片处理的程序等。此外，上述程序可以记录于计算机可读取的存储介质，也可以从该存储介质被安装到控制部U。此外，也可以为程序的一部分或者全部由专用硬件(电路板)实现。

下面，说明对使用成膜装置1进行的晶片处理的一例。首先，将闸阀12打开，从与处理容器10相邻的真空气氛的输送室(未图示)通过送入送出口11以预定的方向将保持有晶片W的晶片输送机构插入到处理容器10内。然后，晶片W被输送到移动到了上述待机位置的载置台20的上方。接着，支承销30通过升降机构33的驱动而上升。由此，支承销30从载置台20的上表面伸出规定距离，将晶片W交接到该支承销30之上。

然后，将晶片输送机构从处理容器10取出，关闭闸阀12。并且，使支承销30和载置台20相对地移动，将晶片W载置在载置台20的上表面。具体而言，用升降机构33进行支承销30的下降，用驱动机构24进行载置台20的上升。由此，成为支承销30不从载置台20的上表面伸出的状态，将晶片W从支承销30向载置台20上交接。

接着，将处理容器10内调节为规定的压力，用驱动机构24将载置台20移动到处理位置，形成处理空间S，并且进行晶片W的升温。在晶片W升温时，使晶片W与载置台20一起旋转的情况下，该晶片W的升温可以由事先已加热的载置台20和光照射机构70进行。此时的由光照射机构70进行的加热，可以与后面的成膜工序中的由光照射机构70进行的加热相同，也可以不同。在不同的情况下，由于需要提高前者加热时的升温速度，因此可以提高激光的输出以使得前者加热时与后者加热时相比热输入量变大。此外，在晶片W升温时不使晶片W旋转的情况下，该晶片W的升温例如仅由事先已加热的载置台20进行。

当将晶片W加热至所希望的温度时，对该晶片W进行作为预定的处理的成膜处理。具体而言，当将晶片W加热至所希望的温度(例如300～600℃)时，由气体供给机构50对处理空间S供给SiH

在该成膜时，使晶片W与载置台20一起旋转。晶片W的旋转速度例如为1～60rpm。此外，在成膜时，旋转的晶片W整体由被调节为所希望的温度的载置台20进行加热。仅通过由该载置台20进行的加热，晶片W的销位置部分与其他部分相比温度变低而晶片W的温度在面内变得不均匀，因此也用光照射机构70对上述销位置部分进行加热，即用光照射机构70对上述销位置部分进行温度校正。此外，由光照射机构70对上述销位置部分进行温度校正的温度校正量为例如3～4℃。通过调节光照射机构70的数量、晶片的旋转速度等，能够使上述温度校正量为例如3～10℃。

在由光照射机构70进行的上述销位置部分的加热中，由控制部U控制驱动机构24和光照射机构70，配合载置台20的旋转地从光照射机构70出射激光，仅将该激光照射到晶片W的销位置部分。具体而言，在控制部U的控制下，通过驱动机构24的驱动而载置台20与晶片W一起旋转。此外，基于对驱动机构24的电机(未图示)设置的编码器等的信息，检测载置台20的旋转位置即晶片W的旋转位置。然后，基于该检测结果控制光照射机构70，仅在载置于旋转的载置台20的晶片W的销位置部分与激光的照射区域重叠的时刻，从激光源71出射激光。由此能够仅对上述销位置部分照射激光。此外，激光源71对销位置部分每一次的照射时间，能够根据激光源71的激光的照射强度或晶片W的旋转速度来预先设定。

如上所述的a-Si膜的成膜结束后，按照与上述相反的顺序将晶片W从处理容器10送出。

如以上那样，在本实施方式中，成膜装置1包括载置台20和支承销30，该载置台20能够在上表面载置晶片W并且对所载置的该晶片W进行加热，支承销30构成为能够从载置台20的上表面伸出或没入该上表面并且能够支承晶片W。然后，成膜装置1还包括对销位置部分照射激光以加热该销位置部分的光照射机构70，该销位置部分是载置于载置台20的上表面的晶片W中的与支承销30的伸出或没入位置对应的特定部分。因此，能够用光照射机构70，来校正因仅通过载置台20对晶片W进行加热而温度变得相对低的晶片W的销位置部分的温度。因此，在用该载置台20对载置于支承销30能够伸出或没入的载置台20的上表面的晶片W进行加热的情况下，能够改善晶片W的温度的面内均匀性。因此，即使a-Si膜等是形成的膜的厚度随着温度而敏感地变化的膜，也能够以均匀的厚度形成在晶片W上。

此外，依照本实施方式，由于不需要由载置台20进行的加热的对策，因此开发期间不需要花费时间。而且，由光照射机构70进行的温度校正的温度校正量，能够通过激光的照射强度或照射时间等自由地调节，因此光照射机构70的光照射条件的最优化也不需要花费时间。

而且，在本实施方式中，光导入通路13a、40b形成于载置台20的上方且俯视时与载置于该载置台20的晶片W重叠的位置。因此，经由光导入通路13a、40b照射到晶片W的激光相对于该晶片W的入射角小，因此由激光对晶片W的销位置部分加热的加热效率高。尤其是，在本实施方式中，光导入通路13a、40b形成于载置台20旋转时开口20a描绘的轨迹的正上方。因此，经由光导入通路13a、40b照射到晶片W的激光相对于该晶片W的入射角为大致0°，因此由激光对晶片W的销位置部分加热的加热效率。当激光的加热效率高时，作为光照射机构70的激光源71，能够使用激光的输出强度小的装置，因此能够降低成本。

此外，在以上的例中，使由激光源71照射激光的照射强度为固定的。也可以取而代之，设置测量晶片W的销位置部分的温度的温度传感器，基于温度传感器的测量结果，来调节上述激光的照射强度。

(第2实施方式)

图3是示意性地表示第2实施方式的成膜装置的结构的概要的说明图，成膜装置的一部分用截面表示。图4是用于表示本实施方式中的载置台20的开口20a、支承销30与光导入通路13a、40b的位置关系的、载置台20的俯视图。

在第1实施方式中，驱动机构24构成为不仅能够产生使支轴部件23升降的驱动力，还能够产生使支轴部件23旋转的驱动力，并且在成膜处理中使支轴部件23旋转，使载置于连接有该支轴部件23的载置台20的晶片W旋转。与之相对，在本实施方式中，图3所示的与支轴部件23连接的驱动机构80构成为能够仅产生使支轴部件23升降的驱动力，并且在成膜处理中不使晶片W旋转。然后，在本实施方式中，如图4所示，对于载置台20的多个开口20a，分别形成了光导入通路13a、40b。即，对于载置台20的多个开口20a，分别设置有光照射机构70。

此外，在本实施方式中，在成膜处理中，从光照射机构70对晶片W的销位置部分照射激光的动作，并不一直进行，而是每单位时间中仅进行预定的时间。例如，上述照射激光的动作，按预定的照射周期，以固定的照射强度连续地进行预定的照射时间。上述照射周期和照射时间以使得晶片W的销位置部分的温度处于所希望的范围内的方式根据光照射机构70照射的激光的照射强度来决定。此外，在本实施方式中，由于载置于载置台20的晶片W不旋转，因此与第1实施方式相比，能够延长来自光照射机构70的激光的照射时间。所以，作为光照射机构70的激光源71，能够使用激光的输出强度小的激光源。

如以上所述，在本实施方式中，能够用光照射机构70来校正仅通过载置台20加热晶片W而温度变得相对低的晶片W的销位置部分的温度。因此，在本实施方式中，能够改善晶片W的温度的面内均匀性，能够在晶片W上以均匀的厚度成膜。

此外，在以上的说明中，在第2实施方式中，来自光照射机构70的激光的照射在成膜处理中并非一直进行，但是在从光照射机构70照射的激光的强度低的情况下，也可以一直进行。此外，在本实施方式中，激光的照射强度是固定的。也可以取而代之，设置测量晶片W的销位置部分的温度的温度传感器，基于温度传感器的测量结果，来调节上述激光的照射强度。

(光导入通路的形成位置的另一例)

图5是表示光导入通路的形成位置的另一例的图。在上述的例子中，光导入通路13a、40b设置于载置台20的上方且俯视时与载置于该载置台20的晶片W重叠的位置。换言之，在上述的例子中，光导入通路13a、40b设置在载置于载置台20的晶片W的正上方。不过，例如，如图5所示，在处理容器10内的与载置台20的上表面相对的位置，设置有具有大量气体供给孔91的喷淋板90的情况下等，如上述的例子，不能够在载置于载置台20的晶片W的正上方设置光导入通路。取而代之，在图5的例子中，光导入通路100设置于俯视时不与载置于载置台20的晶片W重叠的位置。具体而言，在位于载置台20的斜上方的处理容器10的壁(在图的例子中为侧壁)，设置有光导入通路100。借助该光导入通路100，能够将从处理容器10外的光照射机构70的激光源71出射的激光导入处理容器10内。此外，在光导入通路100设置有与窗13b同样的窗101。

在设置有喷淋板90的情况等的、不能在载置于载置台20的晶片W的正上方设置光导入通路的情况下，通过如使用图5说明的位置设置光导入通路100，能够利用来自光照射机构70的激光对晶片W的销位置部分的温度进行校正。

此外，在如图5所示设置光导入通路的情况下，即，将来自光照射机构70的激光对晶片W倾斜地照射的情况下，有时照射到晶片W中的一部分激光被晶片W反射，而去往喷淋板90。去往喷淋板90的激光在喷淋板90也被反射，可能再次去往晶片W。当被喷淋板90反射的激光去往晶片W时，可能将该晶片W的不需要被加热的部分加热。为了避免这种情况，也可以用抑制抑制激光反射的膜覆盖喷淋板90的下表面，或者用吸收激光的材料形成喷淋板90，或者对喷淋板90的下表面进行表面粗糙加工。

另外，在图5的例子中，光导入通路100设置于载置台20的斜上方。也可以取而代之，将光导入通路设置在载置台20的斜下方。该情况下，在处理容器10内设置反射部件，该反射部件将经由该光导入通路被导入到处理容器10内的激光向载置台20上的晶片W反射。

如上所述，对一个照射区域设置了一个光照射机构，不过也可以设置多个光照射机构。

此外，如上所述，形成了a-Si膜，不过在形成其他种类的膜的情况下，也能够应用本发明的技术。

如上所述，以成膜装置为例进行了说明，不过本发明的技术也能够应用于具有载置台的进行成膜处理以外的处理的基片处理装置。例如，也能够应用于进行检查处理的检查装置或蚀刻装置。

本发明公开的实施方式在所有方面均是例示，而不应认为是限制性的。上述的实施方式在不脱离所附的权利要求及其思想的情况下，能够以各种各样的方式省略、置换、改变。

此外，以下的构成也属于本发明的技术的范围。

(1)一种对基片进行处理的基片处理装置，其包括：能够在上表面载置基片并对所载置的该基片进行加热的载置台；构成为能够从上述载置台的上表面伸出或没入该上表面，并且能够支承基片的基片支承销；和光照射机构，其对载置于上述载置台的上表面的基片中的与上述基片支承销的伸出或没入位置对应的特定的部分照射光，以对该特定的部分进行加热。依照上述(1)，在用该载置台来对载置于基片支承销所伸出或没入的载置台的上表面的基片进行加热的情况下，能够改善基片的温度的面内均匀性。

(2)上述(1)记载的基片处理装置中，还包括：使上述载置台旋转的旋转驱动机构；和控制部，其控制上述光照射机构和上述旋转驱动机构，以使得与上述载置台的旋转相配合地从上述光照射机构出射光，对基片的上述特定的部分进行照射。

(3)上述(1)记载的基片处理装置中，还包括控制部，其控制上述光照射机构，以使得每单位时间中对上述特定的部分仅照射预定时间的来自上述光照射机构的光。

(4)上述(1)～(3)中任一项记载的基片处理装置中，还包括能够将上述载置台设置于内部的处理容器，上述光照射机构在上述处理容器的外侧具有出射光的光源，上述处理容器具有将来自上述光源的光从上述处理容器的外侧导入上述处理容器内的光导入通路，在上述光导入通路上设置有窗。

(5)上述(4)记载的基片处理装置中，上述光导入通路设置于上述载置台的上方且俯视时与载置于该载置台的基片重叠的位置。

(6)上述(4)记载的基片处理装置中，上述光导入通路设置于俯视时不与载置于上述载置台的基片重叠的位置。

(7)上述(1)～(6)中任一项记载的基片处理装置中，上述光具有指向性。

(8)上述(7)记载的基片处理装置中，上述光是激光。

(9)上述(1)～(8)中任一项记载的基片处理装置中，在上述载置台的上表面形成有开口，上述开口在上述基片支承销上下移动时供该基片支承销的上端通过，对载置于上述载置台的基片照射的上述光的照射区域的大小，是上述开口的大小的0.5～2.0倍。

(10)一种对基片进行处理的基片处理方法，其包括：使能够从载置台的上表面伸出或没入该上表面的基片支承销与该载置台相对地移动，将基片载置在载置台的上表面的步骤；和对载置于已加热的上述载置台的上表面的基片进行预定的处理的步骤，进行上述预定的处理的步骤中具有如下步骤，即：从光照射机构对载置于上述载置台的上表面的基片中的与上述基片支承销的伸出或没入位置对应的特定的部分照射光，以对该特定的部分进行加热的步骤。

(11)上述(10)记载的基片处理方法中，在进行上述预定的处理的步骤中，使上述载置台旋转，在上述进行加热的步骤中，与上述载置台的旋转相配合地从上述光照射机构出射光，对载置于该基片的上表面的基片的上述特定的部分照射光。

(12)上述(10)记载的基片处理方法中，在上述进行加热的步骤中，每单位时间中对上述特定的部分仅照射预定时间的来自上述光照射机构的光。