阵列基板、显示面板及检测方法

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、一种显示面板以及一种检测方法。

背景技术

随着显示技术的发展，显示面板的应用越来越普遍，已逐渐成为各电子产品必不可少的组成部件。在实际应用中，随着显示面板使用时间的增加，显示面板的发光效率将会降低，即在同样的驱动电流下，亮度将会降低。尤其是对于新制作的显示面板，显示面板的发光效率随着使用时间的增加变化较大。因此，现有显示面板在制作时，都会预先对显示面板中的各显示像素进行老化处理，以使得显示面板在制作完成后，在显示图像的过程中，显示面板的亮度基本不会发生变化。

但是，现有显示面板制作过程中，难免发生漏掉老化处理过程的现象，影响显示面板的良率。因此，如何在显示面板的制作过程中，确定显示面板是否经过了老化处理过程成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

为解决上述问题，本申请实施例提供了一种阵列基板，以在显示面板的制作过程中，确定显示面板是否经过了老化处理过程。

具体的，本申请提供了以下技术方案：

一种阵列基板，包括：

多个显示像素和至少一个检测元件，在所述多个显示像素被老化处理时，所述检测元件被施加第一驱动信号，由第一状态切换至第二状态，所述第二状态与所述第一状态不同，所述检测元件的第二状态表征所述多个显示像素经过了老化处理过程。

一种显示面板，其特征在于，包括：

上述阵列基板和驱动电路，所述驱动电路与所述阵列基板的信号连接端相连，用于为所述阵列基板的多个显示像素和至少一个检测元件提供驱动信号；

所述驱动电路给所述检测元件提供驱动信号时，如果所述检测元件处于第二状态，则所述多个显示像素经过了老化处理过程，如果所述检测元件处于第一状态，则所述多个显示像素未经过老化处理过程。

一种检测方法，应用于上述阵列基板，该方法包括：

给所述检测元件提供第二驱动信号，如果所述检测元件处于第一状态，则确定所述多个显示像素未经过老化处理过程，如果所述检测元件处于第二状态，则确定所述多个显示像素经过了老化处理过程。

本申请实施例所提供的阵列基板、显示面板和检测方法中，所述阵列基板还包括检测元件，且在所述多个显示像素被老化处理时，所述检测元件会被施加第一驱动信号，如果所述多个显示像素经过了老化处理过程，则所述检测元件被施加过第一驱动信号，所述检测元件的状态就会由第一状态切换至第二状态，因此，在本申请实施例中，可以通过检测所述检测元件的状态来确定所述多个显示像素是否经过了老化处理过程，具体的，如果所述检测元件的状态为第一状态，则可以确定所述多个显示像素未经历老化处理过程，如果所述检测元件的状态为第二状态，则可以确定所述多个显示像素经历了老化处理过程。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图；

图2为本申请一个实施例所提供的阵列基板的结构简化图；

图3为本申请一个实施例所提供的阵列基板中，对所述多个显示像素进行老化处理时的结构简化图；

图4为本申请另一个实施例所提供的阵列基板中，对所述多个显示像素进行老化处理时的结构简化图；

图5为本申请另一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图；

图6为本申请另一个实施例所提供的阵列基板的结构简化图；

图7为熔丝元件的电流随施加电压时间的变化曲线示意图；

图8为本申请又一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图；

图9为本申请又一个实施例所提供的阵列基板的结构简化图；

图10为本申请再一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图；

图11为本申请再一个实施例所提供的阵列基板的结构简化图；

图12为本申请一个实施例所提供的阵列基板中像素驱动电路的电路结构示意图；

图13为本申请又一个实施例所提供的阵列基板中，对所述多个显示像素进行老化处理时的结构示意图；

图14为本申请又一个实施例所提供的阵列基板中，对所述多个显示像素进行老化处理时的结构简化图；

图15为本申请一个实施例所提供的阵列基板中，未对所述多个显示像素进行老化处理后的结构简化图；

图16为本申请一个实施例所提供的阵列基板中，对所述多个显示像素进行老化处理后的结构简化图；

图17为本申请再一个实施例所提供的阵列基板的结构简化图；

图18为本申请又一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图；

图19为本申请又一个实施例所提供的阵列基板的结构简化图；

图20为本申请再一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图；

图21为本申请又一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图；

图22为本申请又一个实施例所提供的阵列基板中，对所述多个显示像素进行老化处理时的结构简化图；

图23为单向导通二极管的电流随施加电压的变化曲线示意图；

图24为本申请又一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图；

图25为本申请再一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图；

图26为薄膜晶体管的结构示意图；

图27为单向单通二极管的一种结构示意图；

图28为薄膜晶体管和单向导通二极管的结构剖视图；

图29为单向单通二极管的另一种结构示意图；

图30为本申请一个实施例所提供的显示面板的结构示意图；

图31为本申请另一个实施例所提供的显示面板的结构示意图；

图32为本申请又一个实施例所提供的显示面板的结构示意图；

图33为本申请再一个实施例所提供的显示面板的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，但是本申请还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似推广，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。

正如背景技术部分所述，如何在显示面板的制作过程中，确定显示面板是否经过了老化处理过程成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。

虽然可以在显示面板的制作过程中，对显示面板的显示画面进行亮暗点的人工检测来辅助确定显示面板是否经历了老化处理过程。但是，在显示面板的制作过程中，造成显示画面存在亮暗点的因素有多种，而且，显示面板的制作过程中，其老化处理过程都是批量进行的。因此，在对显示面板的显示画面进行亮暗点检测时，如果发现某显示面板的显示画面存在亮暗点不良，并不能直接确定该显示面板未进行老化处理过程，还是其他原因引起的亮暗点不良，因此，需要对该显示面板同批生产的各显示面板依次进行亮暗点检测，工作量巨大，影响产能。

而且，目前在对显示面板的显示画面进行亮暗点不良检测时，主要依靠人工检测特定几个显示画面中的亮暗点，检测画面较少，容易产生漏检的情况，影响显示面板的良率。

有鉴于此，本申请实施例提供了一种阵列基板，如图1和图2所示，该阵列基板包括：

多个显示像素10和至少一个检测元件20，在所述多个显示像素10被老化处理时，所述检测元件20被施加第一驱动信号，由第一状态切换至第二状态，所述第二状态与所述第一状态不同，所述检测元件20的第二状态表征所述多个显示像素经历了老化处理过程。

可选的，在本申请的一个实施例中，所述多个显示像素包括红色显示像素、蓝色显示像素和绿色显示像素，如图2中不同形状的显示像素对应不同颜色的显示像素，具体的，如方形显示像素对应红色显示像素，三角形显示像素对应绿色显示像素，圆形显示像素对应蓝色显示像素，但本申请对此并不做限定，具体视情况而定。

具体的，在本申请的一个实施例中，所述第一驱动信号为高压信号，下面以所述第一驱动为高压信号为例，对本申请实施例所提供的阵列基板进行描述。

如图3所示，在本申请的一个实施例中，在对所述多个显示像素10进行老化处理时，利用同一电压源U给所述多个显示像素10和所述检测元件20提供高电压信号，并持续预设时间，以使得所述多个显示像素10完成老化处理，所述检测元件20由第一状态切换至第二状态，且简化给所述多个显示像素10和所述检测元件20提供高压信号的结构。但本申请对此并不做限定，在本申请其他实施例中，也可以分别给所述多个显示像素和所述检测元件提供高压信号，以使得所述多个显示像素完成老化处理过程，所述检测元件由第一状态切换至第二状态，具体视情况而定。

需要说明的是，在本申请实施例中，所述阵列基板可以只包括一个检测元件，以简化所述阵列基板的结构，也可以包括至少两个检测元件，以降低单个检测元件发生损坏时，影响所述多个显示像素是否经历了老化处理过程的判断，本申请对此并不做限定，具体视情况而定。

在本申请实施例中，在所述多个显示像素被老化处理时，所述检测元件会被施加第一驱动信号，如果所述多个显示像素经过了老化处理过程，则所述检测元件被施加过第一驱动信号，所述检测元件的状态就会由第一状态切换至第二状态，因此，在本申请实施例中，可以通过检测所述检测元件的状态来确定所述多个显示像素是否经过了老化处理过程，具体的，如果所述检测元件的状态为第一状态，则可以确定所述多个显示像素未经历老化处理过程，如果所述检测元件的状态为第二状态，则可以确定所述多个显示像素经历了老化处理过程。

如图4所示，图4为本申请实施例所提供的阵列基板在对所述多个显示像素进行老化处理时的结构简化图，具体的，在所述阵列基板的信号连接端电连接检测焊盘(VTPAD)，实际应用时，通过给所述检测焊盘的R、G、B、U、V1、V2端口施加大电压信号，给所述多个显示像素10和所述检测元件20施加高电压信号，从而对所述多个显示像素10进行老化处理，并使得所述检测元件20由第一状态切换至第二状态。

需要说明的是，在实际应用中，在利用所述检测焊盘对所述阵列基板中的多个显示像素进行老化处理完成后，所述检测焊盘是要从所述阵列基板中切除的，因此，本申请实施例所提供的阵列基板并不包括检测焊盘，但本申请对此并不做限定，具体视情况而定。

由此可见，本申请实施例所提供的阵列基板，可以利用所述检测元件的状态来确定所述多个显示像素是否经历了老化处理过程，避免了通过亮暗点检测来确定辅助确定所述多个显示像素是否经历了老化处理过程导致的工作量巨大的问题和容易产生漏检的问题。

在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述检测元件的第一端和第二端之间被施加电压时，所述检测元件的第一状态为导通状态，第二状态为断路状态。因此，在本申请实施例中，可以在所述阵列基板的制作完成后，给所述检测元件施加电压，检测所述检测元件的状态，如果所述检测元件为导通状态，则确定所述多个显示像素未经过老化处理过程，如果所述检测元件为断路状态，则确定所述多个显示像素经过了老化处理过程。

可选的，在本申请的一个实施例中，如图5和图6所示，所述检测元件20为熔丝元件，以使得所述检测元件20的第一端和第二端之间被施加电压时，所述检测元件的第一状态为导通状态，第二状态为断路状态。

需要说明的是，在本申请实施例中，所述熔丝元件为一宽度较小且阻抗较高的走线，在所述阵列基板中充当保险丝的作用，即利用熔丝技术在所述阵列基板中增加检测元件，以便于利用所述检测元件在高压处理前后的不同状态实现所述多个显示像素是否经历了老化处理过程的检测。还需要说明的是，本申请实施例对所述熔丝元件的宽度并不做限定，具体视情况而定，具体的，所述熔丝元件的宽度越小，所述熔丝元件的熔断速率越快，即所述熔丝元件越细，所述熔丝元件的熔断速率越快。

具体的，如图7所示，图7示出了熔丝元件的电流I随施加电压的时间t的变化曲线示意图，其中，横坐标I表征所述熔丝元件中流过的电流，纵坐标t表征给所述熔丝元件施加高电压的时间，从图7中可以看出，给所述熔丝元件施加高压一定时间后，所述熔丝元件中流经的电流基本降为0，所述熔丝元件熔断。

可选的，在本申请的一个实施例中，所述熔丝元件为金属熔丝或多晶硅熔丝，但本申请对此并不做限定，只要保证所述检测元件的第一端和第二端之间被施加电压时，所述检测元件的第一状态为导通状态，第二状态为断路状态即可。

具体的，在本申请的一个实施例中，当所述熔丝元件为金属熔丝时，所述熔丝元件的材质可以为镍、钛、钴等金属，本申请对此并不做限定，具体视情况而定。

需要说明的是，在本申请实施例中，在所述阵列基板的制作过程中，所述熔丝元件的制备可以共用所述阵列基板制作过程中的PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相沉积)制程，以在所述阵列基板中增加检测元件的基础上，不增加所述阵列基板的工艺流程。但本申请对此并不做限定，具体视情况而定。

在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，继续如图5和图6所示，所述检测元件20的第一端与所述阵列基板的第一信号连接端A相连，第二端与所述阵列基板的第三信号连接端B相连，以通过所述阵列基板的第一信号连接端A和所述阵列基板的第三信号连接端B给所述检测元件20的两端施加电压，从而便于后续通过所述检测元件20的状态确定所述多个显示像素10是否经历了老化处理过程。

需要说明的是，为了便于示出，在图6中，所述阵列基板的第一信号连接端A和第二信号连接端B并没有位于所述阵列基板的同一侧，但本申请对此并不做限定，在本申请的其他实施例中，所述阵列基板的第一信号连接端A和第二信号连接端B也位于所述阵列基板的同一侧，如图5所示，具体视情况而定。

在本申请的另一个实施例中，如图8和图9所示，图9为图8的局部放大图，图9中不同形状的显示像素对应图8中不同颜色的显示像素，具体的，如方形显示像素对应红色显示像素，三角形显示像素对应绿色显示像素，圆形显示像素对应蓝色显示像素，所述检测元件20的第一端与所述阵列基板的第一信号连接端A相连，第二端与所述多个显示像素10中的至少一个显示像素10电连接，具体的，在本申请实施例中，所述检测元件20与预设通路30并联，所述预设通路30位于所述阵列基板的第二信号连接端C与所述至少一个显示像素10之间，且所述预设通路30的一端与所述阵列基板的第二信号连接端C相连，另一端与所述至少一个显示像素10相连。

需要说明的是，在本申请实施例中，所述检测元件与连接所述至少一个显示像素和所述第二信号连接端的预设通路并联，因此，当所述检测元件处于导通状态时，不但所述阵列基板的第二信号连接端的信号可以经过所述预设通路传输至所述至少一个显示像素，而且所述阵列基板的第一信号连接端输入的信号也可以传输至所述至少一个显示像素；当所述检测元件处于断路状态时，仅由所述阵列基板的第二信号连接端的信号可以经过所述预设通路传输至所述至少一个显示像素，所述阵列基板的第一信号连接端输入的信号无法传输至所述至少一个显示像素。所以，在本申请实施例中，可以通过与所述检测元件连接的至少一个显示像素的显示状态确定所述检测元件的状态，从而确定所述多个显示像素是否经历了老化处理过程。

具体的，在本申请的一个实施例中，如图10和图11所示，所述阵列基板还包括：位于所述第二信号连接端C与所述显示像素10之间的像素驱动电路40，所述像素驱动电路40包括控制所述显示像素10状态的薄膜晶体管。在本申请实施例中，所述检测元件20通过所述像素驱动电路40与所述至少一个显示像素10相连。

如图12所示，图12示出了像素驱动电路的一种电路结构示意图，具体的，所述像素驱动电路包括多个薄膜晶体管TFT，所述像素驱动电路的第一端输入电压PVDD，第二端输入电压Vdata，第三端输入电压PVEE，其中，所述像素驱动电路的第一端输入的电压PVDD及其第二端输入电压Vdata的差值PVDD-Vdata施加在所述显示像素10的阳极上，所述像素驱动电路的第三端输入的电压PVEE施加在所述显示像素10的阴极上，当所述显示像素10两极之间的电压差PVDD-Vdata-PVEE大于所述显示像素的导通电压Voled时，所述显示像素发光显示。

可选的，在本申请的一个实施例中，所述阵列基板的第二信号连接端与所述像素驱动电路的第二端相连，为所述像素驱动电路提供电压Vdata；所述检测元件的第一端与所述阵列基板的第一信号连接端A相连，第二端与所述像素驱动电路的第二端和阵列基板的第二信号连接端的公共端相连。

在本申请实施例中，当所述阵列基板的第二信号连接端输入低电平Vdata，所述阵列基板的第一信号连接端输入高电平VGH时，如果所述检测元件处于断路状态，所述第一信号连接端输入的高电平不会经所述检测元件传输至与所述检测元件电连接的至少一个显示像素，所述显示像素的阳极上施加的电压为PVDD-Vdata，此时，所述显示像素的阳极和阴极之间的电压差较大，与所述检测元件电连接的至少一个显示像素处于点亮状态；如果所述检测元件处于导通状态，所述第一信号连接端输入的高电平会经所述检测元件传输至与所述检测元件电连接的至少一个显示像素，此时，所述显示像素的阳极上施加的电压为PVDD-VGH，所述显示像素的阳极和阴极之间的电压差较小，与所述检测元件电连接的至少一个显示像素处于熄灭状态。

由此可见，在本申请实施例中，可以基于与所述检测元件电连接的至少一个显示像素的显示状态，确定所述检测元件的状态，如果与所述检测元件电连接的至少一个显示像素处于点亮状态，则可以确定所述检测元件处于断路状态(即第二状态)，如果与所述检测元件电连接的至少一个显示像素处于熄灭状态，则可以确定所述检测元件处于导通状态(即第一状态)。

具体的，在本申请实施例中，如图13和图14所示，在所述多个显示像素10进行老化处理时，给所述检测焊盘VTPAD的R、G、B、U端口施加高电压，对所述多个显示像素10进行老化处理，在所述多个显示像素老化处理完成后，将与所述检测元件相连的至少一个显示像素的电压断开，即将阵列基板的第二信号连接端输入的电压断开，使得第二信号连接端为低电平或悬空，而所述第一信号连接端为高电平，从而使得所述检测元件20导通发热而熔断。

因此，在切除所述检测焊盘VTPAD后，如图15和图16所示，将所述检测元件20电连接高电平VGH，所述至少一个显示像素10的电压被拉至低电平Vdata，此时，如果所述至少一个显示像素10(即与所述检测元件相连的像素)不发光，则可确定所述检测元件20未发生熔断，如图15所示，所述多个显示像素未做老化处理，如果所述至少一个显示像素10(即与所述检测元件相连的像素)发光，则可确定所述检测元件20已发生熔断，如图16所示，所述多个显示像素10做了老化处理。

由此可见，在本申请实施例中，可以基于与所述检测元件相连的至少一个显示像素的显示状态确定所述多个显示像素是否经历了老化处理过程，具体的，当所述阵列基板的第二信号连接端输入低电平，所述阵列基板的第一信号连接端输入高电平时，如果所述与所述检测元件相连的至少一个显示像素处于点亮状态，则确定所述多个显示像素经历了老化处理过程，如果与所述检测元件相连的至少一个显示像素处于熄灭状态，则确定所述多个显示像素未经历老化处理过程，从而使得所述多个显示像素是否经历老化处理过程的判断更为直观。

需要说明的是，在切除所述检测焊盘VTPAD后，如图15和图16所示，将所述检测元件20电连接高电平VGH，所述至少一个显示像素10的电压被拉至低电平Vdata，即将所述阵列基板的第一信号连接端施加高电压，给所述阵列基板的第二信号连接端施加低电压，此时，如果所述检测元件20未发生熔断，如图15所示，则所述阵列基板的第二信号连接端则会被第一信号连接端的高电压拉高，如果所述检测元件20已发生熔断，如图16所示，所述阵列基板的第二信号连接端维持低电压。

因此，在本申请的另一个实施例中，还可以通过给所述第一信号连接端施加高电压，检测所述第二信号连接端的电压，来确定所述检测元件的状态。如果所述第二信号连接端的电压为高电压，则所述检测元件处于导通状态(即第一状态)，如果所述第二信号连接端的电压为低电平，则所述检测元件处于断路状态(即第二状态)。

由此可见，本申请实施例所提供的阵列基板，可以通过检测所述第二信号连接端的电压，确定所述多个显示像素是否经历了老化处理过程，具体的，当所述阵列基板的第二信号连接端输入低电平，所述阵列基板的第一信号连接端输入高电平时，如果所述第二信号连接端的电压为低电平，则确定所述多个显示像素经历了老化处理过程，如果所述第一信号连接端的电压为高电平，则确定所述多个显示像素未经历老化处理过程，从而使得所述多个显示像素是否经历老化处理过程的判断更快捷。

需要说明的是，上述各实施例均是以所述检测元件的第一状态为导通状态，第二状态为断路状态为例进行描述的，但本申请的实现方式并不局限于这一种，但本申请的另一个实施例中，所述检测元件的第一端和第二端之间被施加电压时，所述检测元件的第一状态为断路状态，所述检测元件的第二状态为导通状态。

下面结合具体实施例对所述检测元件的第一端和第二端之间被施加电压时，所述检测元件的第一状态为断路状态，所述检测元件的第二状态为导通状态，基于所述检测元件的状态判断所述多个显示像素是否经历了老化处理过程进行描述。

需要说明的是，在本申请的实施例中，所述检测元件的第一端和第二端之间被施加电压时，所述检测元件的第一状态为断路状态，第二状态为导通状态。因此，在本申请实施例中，可以在所述阵列基板的制作完成后，给所述检测元件施加电压，检测所述检测元件的状态，如果所述检测元件为断路状态，则确定所述多个显示像素未经过老化处理过程，如果所述检测元件为导通状态，则确定所述多个显示像素经过了老化处理过程。

具体的，在本申请的一个实施例中，如图17和图18所示，所述检测元件20的第一端与所述阵列基板的第一信号连接端A相连，第二端与所述阵列基板的第三信号连接端B相连，以通过所述阵列基板的第一信号连接端A和所述阵列基板的第三信号连接端B给所述检测元件20的两端施加电压，从而便于后续通过所述检测元件20的状态确定所述多个显示像素10是否经历了老化处理过程。

在本申请的另一个实施例中，如图19和图20所示，所述检测元件20与所述多个显示像素10中的至少一个显示像素10串联，所述检测元件20的一端与所述阵列基板的第二信号连接端C相连，另一端与所述至少一个显示像素10相连。具体的，在本申请实施例中，所述检测元件20与所述至少一个显示像素10串联，因此，当所述检测元件20处于断路状态时，所述第二信号连接端C输入的信号则无法传输至所述至少一个显示像素10，当所述检测元件20处于导通状态时，所述第二信号连接端C输入的信号则可以传输至所述至少一个显示像素10。所以，在本申请实施例中，可以通过与所述检测元件20串联的至少一个显示像素10的显示状态确定所述检测元件20的状态，从而确定所述多个显示像素10是否经历了老化处理过程。

具体的，如图21所示，所述阵列基板还包括：位于所述检测元件20与所述至少一个显示像素10之间的像素驱动电路40，所述像素驱动电路40包括控制所述显示像素10状态的薄膜晶体管。可选的，在本申请的一个实施例中，所述阵列基板的第二信号连接端C通过所述检测元件20与所述像素驱动电路40的第二端相连。

为了方便描述，记所述检测元件与所述像素驱动电路公共端的电压为Vdata1，所述第二信号连接端输入的电压为Vdata，其中，Vdata为固定值，所述Vdata1为Vdata与所述检测元件上的压降△V的差值。在本申请实施例中，所述显示像素10的阳极上施加的电压为PVDD-Vdata1，即PVDD-Vdata+△V。如果所述检测元件处于导通状态，所述检测元件上的压降△V较小，Vdata1较大，所述显示像素的阳极上施加的电压Vdata-Vdata1较小，所述显示像素的亮度较低，如果所述检测元件处于断路状态，所述检测元件上的压降△V较大，Vdata1较小，所述显示像素的阳极上施加的电压Vdata-Vdata1较大，所述显示像素的亮度较高。

因此，在本申请实施例中，可以基于与所述检测元件相连的至少一个显示像素的显示亮度，确定所述检测元件的状态。具体的，在本申请的一个实施例中，如果在预设驱动信号下，所述检测元件相连的至少一个显示像素的显示亮度大于预设亮度，则所述检测元件处于断路状态，否则所述检测元件处于导通状态。其中，所述预设亮度为所述预设驱动信号下，所述检测元件导通时，与所述至少一个检测元件的相邻的显示像素的显示亮度。

需要说明的是，由于所述检测元件处于导通状态时电阻很小，因此，在本申请的另一个实施例中，还可以基于与所述检测元件相连的至少一个显示像素的显示亮度及其他显示像素的显示亮度判断所述检测元件的状态，如果与所述检测元件相连的至少一个显示像素的显示亮度大于其他显示像素的显示亮度，且该差值超出预设范围，则所述检测元件处于断路状态，如果与所述检测元件相连的至少一个显示像素的显示亮度和其他显示像素的显示亮度的差值为超出预设范围，则所述检测元件处于导通状态。

具体的，在本申请的一个实施例中，如图22所示，所述检测元件20串联在所述至少一个显示像素10的线路中，在对所述多个显示像素10进行老化处理时，给所述检测焊盘VTPAD的R、G、B、U端口施加高电压，在所述多个显示像素10老化处理完成后，所述检测元件20会导通。因此，在切除所述检测焊盘后，给所述至少一个显示像素10提供驱动信号，此时，如果所述至少一个显示像素10(即与所述检测元件相连的像素)的亮度过亮，则可确定所述检测元件20呈断路状态，所述多个显示像素未做老化处理，如果所述至少一个显示像素10(即与所述检测元件相连的像素)亮度不过亮(即正常)，则可确定所述检测元件20呈导通状态，所述多个显示像素做了老化处理。

需要说明的是，所述至少一个显示像素的亮度过亮可以为所述至少一个显示像素的亮度大于预设亮度，也可以为所述至少一个显示像素的亮度与其他显示像素的亮度的差值未超出预设范围，本申请对此并不做限定，具体视情况而定。

由此可见，在本申请实施例中，可以基于与所述检测元件相连的至少一个显示像素的显示状态确定所述多个显示像素是否经历了老化处理过程，具体的，当所述阵列基板的第二信号连接端输入低电平Vdata时，如果所述与所述检测元件相连的至少一个显示像素的显示亮度正常，则确定所述多个显示像素经历了老化处理过程，如果与所述检测元件相连的至少一个显示像素的显示亮度过亮，则确定所述多个显示像素未经历老化处理过程，从而使得所述多个显示像素是否经历老化处理过程的判断更为直观。

需要说明的是，反熔丝具有与熔丝相反的物理特性，即反熔丝在施加电压前，具有较大的阻抗(>10

另外，由于单向导通二极管在击穿前具有单向导通功能，在击穿后具有双向导通功能，如图23所示，图23示出了单向导通二极管在不同电压下的电流示意图，从该图23中可以看出，当给该单向导通二极管施加正向电压，且当电压大于该单向导通二极管的正向导通电压U

需要说明的是，在本申请实施例中，继续如图24所示，当所述检测元件20为单向导通二极管时，所述单向导通二极管的负极端与所述第二信号连接端C相连，所述单向导通二极管的正极端与所述至少一个显示像素10相连，以使得可以基于所述至少一个显示像素的显示状态确定所述多个显示像素是否经历了老化处理过程。

还需要说明的是，当所述检测元件为单向导通二极管时，所述检测元件除了可以与所述至少一个显示像素串联外，所述检测元件20还可以与所述阵列基板的裂纹检测线50串联，如图25所示。其中，所述裂纹检测线50用于在所述阵列基板制作完成后，检测所述阵列基板是否存在裂纹。可选的，所述裂纹检测线PCB线，但本申请对此并不做限定，具体视情况而定。下面对所述单向导通二极管与所述裂纹检测线串联的实现方式进行描述。

由于所述单向导通二极管未被击穿时，所述单向导通二极管只能单向导通，所述单向导通二极管被击穿时，所述单向导通二极管则可以双向导通，因此，在本申请的实施例中，所述单向导通二极管与所述裂纹检测线串联时，如果所述裂纹检测线单向导通，则说明所述检测元件处于第一状态，所述多个显示像素未经历老化处理过程，如果所述裂纹检测线双向导通，则说明所述多个显示像素经历了老化处理过程，如果所述裂纹检测线不导通，则说明所述阵列基板中存在裂纹。

如图26-图28所示，图26为薄膜晶体管的结构示意图，图27为单向导通二极管的结构示意图，图28为所述薄膜晶体管T1和单向单向导通二极管T2的结构剖视图，从图26-图28可以看出，所述薄膜晶体管和所述单向导通二极管的制作工艺可以兼容，因此，在上述实施例的基础上，如果所述阵列基板还包括像素驱动电路，所述像素驱动电路包括控制所述显示像素状态的薄膜晶体管，且所述检测元件为单向导通二极管时，所述单向导通二极管与所述薄膜晶体管同时制作，以简化所述阵列基板的制作工艺，但本申请对此并不做限定，具体视情况而定。

需要说明的是，在本申请实施例中，所述单向导通二极管可以为N型单向单通二极管，如图26所示，也可以为P型单向导通二极管，如图29所示，本申请对此并不做限定，具体视情况而定。

相应的，本申请实施例还提供了一种显示面板，如图30所示，该显示面板包括：上述任一实施例所提供的阵列基板100和驱动电路200，所述驱动电路200与所述阵列基板100的信号连接端相连，用于为所述阵列基板100的多个显示像素10和至少一个检测元件20提供驱动信号。具体的，在本申请实施例中，所述驱动电路200给所述检测元件20提供驱动信号时，如果所述检测元件20处于第二状态，则所述多个显示像素10经过了老化处理过程，如果所述检测元件20处于第一状态，则所述多个显示像素10未经过老化处理过程。

需要说明的是，由于在所述多个显示像素被老化处理时，所述检测元件会被施加第一驱动信号，如果所述多个显示像素经过了老化处理过程，则所述检测元件被施加过第一驱动信号，所述检测元件的状态就会由第一状态切换至第二状态，因此，在本申请实施例中，所述驱动电路给所述检测元件提供驱动信号时，可以通过检测所述检测元件的状态来确定所述多个显示像素是否经过了老化处理过程，具体的，如果所述检测元件的状态为第一状态，则可以确定所述多个显示像素未经历老化处理过程，如果所述检测元件的状态为第二状态，则可以确定所述多个显示像素经历了老化处理过程。

在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，继续如图30所示，所述检测元件20的第一端与所述阵列基板100的第一信号连接端相连，第二端与所述阵列基板100的第三信号连接端相连，在本申请实施例中，所述驱动电路200可以通过所述阵列基板100的第一信号连接端和所述阵列基板100的第三信号连接端给所述检测元件20提供驱动信号，从而便于后续通过所述检测元件20的状态确定所述多个显示像素是否经历了老化处理过程。

在本申请的另一个实施例中，所述检测元件的第一端和第二端之间被施加电压时，所述检测元件的第一状态为导通状态，第二状态为断路状态；如图31所示，所述检测元件20的第一端与所述阵列基板100的第一信号连接端A相连，第二端与所述多个显示像素10中的至少一个显示像素10电连接；所述检测元件20与预设通路30并联，所述预设通路30一端与所述阵列基板100的第二信号连接端C相连，另一端与所述至少一个显示像素10相连。在本申请实施例中，所述驱动电路200给所述检测元件20提供驱动信号时，如果所述至少一个显示像素10处于第三状态，则所述检测元件20处于第一状态，所述多个显示像素10未经过老化处理过程，如果所述至少一个显示像素10处于第四状态，则所述检测元件20处于第二状态，所述多个显示像素10经过了老化处理过程；所述第三状态和所述第四状态不同。

由前述分析可知，在本申请实施例中，当所述阵列基板的第二信号连接端输入低电平Vdata，所述阵列基板的第一信号连接端输入高电平VGH时，如果所述检测元件处于断路状态，所述第一信号连接端输入的高电平不会经所述检测元件传输至与所述检测元件电连接的至少一个显示像素，所述显示像素的阳极上施加的电压为PVDD-Vdata，此时，所述显示像素的阳极和阴极之间的电压差较大，与所述检测元件电连接的至少一个显示像素处于点亮状态；如果所述检测元件处于导通状态，所述第一信号连接端输入的高电平会经所述检测元件传输至与所述检测元件电连接的至少一个显示像素，此时，所述显示像素的阳极上施加的电压为PVDD-VGH，所述显示像素的阳极和阴极之间的电压差较小，与所述检测元件电连接的至少一个显示像素处于熄灭状态。

因此，在本申请的一个实施例中，所述第三状态为熄灭状态，所述第四状态为点亮状态。具体的，当所述阵列基板的第二信号连接端输入低电平，所述阵列基板的第一信号连接端输入高电平时，如果所述与所述检测元件相连的至少一个显示像素处于点亮状态，则确定所述多个显示像素经历了老化处理过程，如果与所述检测元件相连的至少一个显示像素处于熄灭状态，则确定所述多个显示像素未经历老化处理过程，从而使得所述多个显示像素是否经历老化处理过程的判断更为直观。

由前述分析可知，本申请实施例所提供的显示面板，还可以通过给所述第一信号连接端施加高电压，检测所述第二信号连接端的电压，来确定所述检测元件的状态。如果所述第二信号连接端的电压为高电压，则所述检测元件处于导通状态(即第一状态)，如果所述第二信号连接端的电压为低电平，则所述检测元件处于断路状态(即第二状态)。

由此可见，本申请实施例所提供的显示面板，还可以通过所述驱动电路给所述第一信号连接端施加高电压，检测所述第二信号连接端的电压，来确定所述多个显示像素是否经历了老化处理过程，具体的，当所述阵列基板的第二信号连接端输入低电平，所述阵列基板的第一信号连接端输入高电平时，如果所述第二信号连接端的电压为低电平，则确定所述多个显示像素经历了老化处理过程，如果所述第一信号连接端的电压为高电平，则确定所述多个显示像素未经历老化处理过程，从而使得所述多个显示像素是否经历老化处理过程的判断更快捷。

需要说明的是，上述各实施例中基于所述至少一个显示像素的显示状态确定所述多个像素是否经历了老化处理过程，均是以所述检测元件的第一状态为导通状态，第二状态为断路状态为例进行描述的，但本申请的实现方式并不局限于这一种，但本申请的另一个实施例中，所述检测元件的第一端和第二端之间被施加电压时，所述检测元件的第一状态为断路状态，所述检测元件的第二状态为导通状态。

下面结合具体实施例对所述检测元件的第一端和第二端之间被施加电压时，所述检测元件的第一状态为断路状态，所述检测元件的第二状态为导通状态，对基于所述至少一个显示像素的状态判断所述多个显示像素是否经历了老化处理过程进行描述。

具体的，在本申请的一个实施例中，所述检测元件的第一端和第二端之间被施加电压时，所述检测元件的第一状态为断路状态，第二状态为导通状态；如图32所示，所述检测元件20与所述多个显示像素10中至少一个显示像素10串联，所述检测元件20的一端与所述阵列基板100的第一信号连接端相连，另一端与所述至少一个显示像素10相连。在本申请实施例中，所述驱动电路给所述检测元件提供驱动信号时，如果所述至少一个显示像素处于第四状态，则所述检测元件处于第二状态，所述多个显示像素经过了老化处理过程，如果所述至少一个显示像素处于第三状态，则所述检测元件处于第一状态，所述多个显示像素未经过老化处理过程；所述第三状态和所述第四状态不同。

可选的，在同一驱动信号下，所述至少一个显示像素处于第三状态时的亮度大于所述至少一个显示像素处于第四状态下的亮度。

在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述驱动电路给所述检测元件提供驱动信号时，可以基于与所述检测元件相连的至少一个显示像素的显示亮度，确定所述检测元件的状态。具体的，在本申请的一个实施例中，如果在预设驱动信号下，所述检测元件相连的至少一个显示像素的显示亮度大于预设亮度，则所述检测元件处于断路状态，否则，所述检测元件处于导通状态。其中，所述预设亮度为所述预设驱动信号下，所述检测元件导通时，与所述至少一个检测元件的相邻的显示像素的显示亮度。

在本申请的另一个实施例中，所述驱动电路给所述检测元件提供驱动信号时，还可以基于与所述检测元件相连的至少一个显示像素的显示亮度及其他显示像素的显示亮度判断所述检测元件的状态，如果与所述检测元件相连的至少一个显示像素的显示亮度大于其他显示像素的显示亮度，且该差值超出预设范围，则所述检测元件处于断路状态，如果与所述检测元件相连的至少一个显示像素的显示亮度和其他显示像素的显示亮度的差值为超出预设范围，则所述检测元件处于导通状态。

因此，本申请实施例所提供的显示面板，可以基于与所述检测元件相连的至少一个显示像素的显示状态确定所述多个显示像素是否经历了老化处理过程，具体的，当所述阵列基板的第二信号连接端输入低电平Vdata时，如果所述与所述检测元件相连的至少一个显示像素的显示亮度正常，则确定所述多个显示像素经历了老化处理过程，如果与所述检测元件相连的至少一个显示像素的显示亮度过亮，则确定所述多个显示像素未经历老化处理过程，从而使得所述多个显示像素是否经历老化处理过程的判断更为直观。

在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述检测元件为反熔丝元件或单向导通二极管，以使得所述检测元件的第一端和第二端之间被施加电压时，所述检测元件的第一状态为断路状态，第二状态为导通状态，但本申请对此并不做限定，具体视情况而定。

需要说明的是，在本申请实施例中，当所述检测元件为单向导通二极管时，所述单向导通二极管的负极端与所述第二信号连接端相连，所述单向导通二极管的正极端与所述至少一个显示像素相连，以使得可以基于所述至少一个显示像素的状态确定所述多个显示像素是否经历了老化处理过程。

还需要说明的是，当所述检测元件为单向导通二极管时，所述检测元件除了可以与所述至少一个显示像素串联外，还可以通过其他方式确定所述多个显示像素是否经历了老化处理过程。

可选的，在本申请的一个实施例中，如图33所示，所述检测元件20为单向导通二极管，所述检测元件20与所述阵列基板100的裂纹检测线50串联。

由于所述单向导通二极管未被击穿时，所述单向导通二极管只能单向导通，所述单向导通二极管被击穿时，所述单向导通二极管则可以双向导通，因此，在本申请的实施例中，所述单向导通二极管与所述裂纹检测线串联时，如果所述裂纹检测线单向导通，则说明所述检测元件处于第一状态，所述多个显示像素未经历老化处理过程，如果所述裂纹检测线双向导通，则说明所述多个显示像素经历了老化处理过程，如果所述裂纹检测线不导通，则说明所述阵列基板中存在裂纹。

具体的，在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，继续如图33所示，所述裂纹检测线50通过金手指60与所述驱动电路200电连接，但本申请对此并不做限定，具体视情况而定。

此外，本申请还提供了一种检测方法，应用于上述任一实施例所提供的阵列基板。具体的，该检测方法包括：给所述检测元件提供第二驱动信号，如果所述检测元件处于第一状态，则确定所述多个显示像素未经过老化处理过程，如果所述检测元件处于第二状态，则驱动所述多个显示像素经过了老化处理过程。

需要说明的是，由于在所述多个显示像素被老化处理时，所述检测元件会被施加第一驱动信号，如果所述多个显示像素经过了老化处理过程，则所述检测元件被施加过第一驱动信号，所述检测元件的状态就会由第一状态切换至第二状态，因此，在本申请实施例中，给所述检测元件提供第二驱动信号时，可以通过检测所述检测元件的状态来确定所述多个显示像素是否经过了老化处理过程，具体的，如果所述检测元件的状态为第一状态，则可以确定所述多个显示像素未经历老化处理过程，如果所述检测元件的状态为第二状态，则可以确定所述多个显示像素经历了老化处理过程。

在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述检测元件的第一端与所述阵列基板的第一信号连接端相连，第二端与所述阵列基板的第三信号连接端相连，在本申请实施例中，给所述检测元件提供第二驱动信号包括：通过所述阵列基板的第一信号连接端和所述阵列基板的第三信号连接端给所述检测元件提供第二驱动信号，从而便于后续通过所述检测元件的状态确定所述多个显示像素是否经历了老化处理过程。

在本申请的另一个实施例中，所述检测元件的第一端和第二端之间被施加电压时，所述检测元件的第一状态为导通状态，第二状态为断路状态；所述检测元件的第一端与所述阵列基板的第一信号连接端相连，第二端与所述多个显示像素中的至少一个显示像素电连接；所述检测元件与预设通路并联，所述预设通路一端与所述阵列基板的第二信号连接端相连，另一端与所述至少一个显示像素相连；在本申请实施例中，该检测方法还包括：

给所述检测元件提供第二驱动信号时，基于所述至少一个显示像素的显示状态，确定所述检测元件的状态；

如果所述至少一个显示像素处于第三状态，则所述检测元件处于第一状态，如果所述至少一个显示像素处于第四状态，则所述检测元件处于第二状态；

所述第三状态和所述第四状态不同。

在本申请的一个实施例中，所述第三状态为熄灭状态，所述第四状态为点亮状态。具体的，给所述检测元件提供第二驱动信号时，基于所述至少一个显示像素的显示状态，确定所述检测元件的状态包括：

给所述阵列基板的第二信号连接端输入低电平，所述阵列基板的第一信号连接端输入高电平时，如果所述与所述检测元件相连的至少一个显示像素处于点亮状态，则确定所述检测元件处于第二状态，所述多个显示像素经历了老化处理过程，如果与所述检测元件相连的至少一个显示像素处于熄灭状态，则确定所述检测元件处于第一状态，所述多个显示像素未经历老化处理过程，从而使得所述多个显示像素是否经历老化处理过程的判断更为直观。

在本申请的另一个实施例中，该方法还包括：给所述第一信号连接端施加高电压，检测所述第二信号连接端的电压，来确定所述检测元件的状态。如果所述第二信号连接端的电压为高电压，则所述检测元件处于导通状态(即第一状态)，如果所述第二信号连接端的电压为低电平，则所述检测元件处于断路状态(即第二状态)。

由此可见，本申请实施例所提供的显示面板，还可以通过给所述第一信号连接端施加高电压，检测所述第二信号连接端的电压，来确定所述多个显示像素是否经历了老化处理过程，具体的，当所述阵列基板的第二信号连接端输入低电平，所述阵列基板的第一信号连接端输入高电平时，如果所述第二信号连接端的电压为低电平，则确定所述多个显示像素经历了老化处理过程，如果所述第一信号连接端的电压为高电平，则确定所述多个显示像素未经历老化处理过程，从而使得所述多个显示像素是否经历老化处理过程的判断更快捷。

需要说明的是，上述各实施例中基于所述至少一个显示像素的状态确定所述多个像素是否经历了老化处理过程，均是以所述检测元件的第一状态为导通状态，第二状态为断路状态为例进行描述的，但本申请的实现方式并不局限于这一种，但本申请的另一个实施例中，所述检测元件的第一端和第二端之间被施加电压时，所述检测元件的第一状态为断路状态，所述检测元件的第二状态为导通状态。

下面结合具体实施例对所述检测元件的第一端和第二端之间被施加电压时，所述检测元件的第一状态为断路状态，所述检测元件的第二状态为导通状态，对基于所述至少一个显示像素的状态判断所述多个显示像素是否经历了老化处理过程进行描述。

具体的，在本申请的一个实施例中，所述检测元件的第一端和第二端之间被施加电压时，所述检测元件的第一状态为断路状态，第二状态为导通状态；所述检测元件与所述多个显示像素中至少一个显示像素串联，所述检测元件的一端与所述阵列基板的第二信号连接端相连，另一端与所述至少一个显示像素相连；在本申请实施例中，该检测方法还包括：

给所述检测元件提供第二驱动信号时，基于所述至少一个显示像素的显示状态，确定所述检测元件的状态；

如果所述至少一个显示像素处于第四状态，则所述检测元件处于第二状态，如果所述至少一个显示像素处于第三状态，则所述检测元件处于第一状态；所述第三状态和所述第四状态不同。

可选的，在本申请的一个实施例中，在同一驱动信号下，所述至少一个显示像素处于第三状态时的亮度大于所述至少一个显示像素处于第四状态下的亮度。

需要说明的是，在本申请实施例中，所述检测元件与所述至少一个显示像素串联，因此，当所述检测元件处于断路状态时，给所述第二信号连接端输入的信号则无法传输至所述至少一个显示像素，当所述检测元件处于导通状态时，所述驱动电路给所述第二信号连接端输入的信号则可以传输至所述至少一个显示像素。所以，在本申请实施例中，给所述阵列基板的第二信号连接端提供驱动信号时，可以通过与所述检测元件串联的至少一个显示像素的状态确定所述检测元件的状态，确定所述检测元件的状态，从而确定所述多个显示像素是否经历了老化处理过程。

在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，给所述检测元件提供第二驱动信号时，基于所述至少一个显示像素的显示状态，确定所述检测元件的状态包括：给所述检测元件提供第二驱动信号时，基于与所述检测元件相连的至少一个显示像素的显示亮度，确定所述检测元件的状态。具体的，在本申请的一个实施例中，如果在预设驱动信号下，所述检测元件相连的至少一个显示像素的显示亮度大于预设亮度，则所述检测元件处于断路状态，否则，所述检测元件处于导通状态。其中，所述预设亮度为所述预设驱动信号下，所述检测元件导通时，与所述至少一个检测元件的相邻的显示像素的显示亮度。

在本申请的另一个实施例中，给所述检测元件提供第二驱动信号时，基于所述至少一个显示像素的显示状态，确定所述检测元件的状态包括：给所述检测元件提供第二驱动信号时，基于与所述检测元件相连的至少一个显示像素的显示亮度及其他显示像素的显示亮度判断所述检测元件的状态，如果与所述检测元件相连的至少一个显示像素的显示亮度大于其他显示像素的显示亮度，且该差值超出预设范围，则所述检测元件处于断路状态，如果与所述检测元件相连的至少一个显示像素的显示亮度和其他显示像素的显示亮度的差值为超出预设范围，则所述检测元件处于导通状态。

因此，本申请实施例所提供的检测方法，可以基于与所述检测元件相连的至少一个显示像素的显示状态确定所述多个显示像素是否经历了老化处理过程，具体的，当所述阵列基板的第二信号连接端输入低电平Vdata时，如果所述与所述检测元件相连的至少一个显示像素的显示亮度正常，则确定所述多个显示像素经历了老化处理过程，如果与所述检测元件相连的至少一个显示像素的显示亮度过亮，则确定所述多个显示像素未经历老化处理过程，从而使得所述多个显示像素是否经历老化处理过程的判断更为直观。

在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述检测元件为反熔丝元件或单向导通二极管，以使得所述检测元件的第一端和第二端之间被施加电压时，所述检测元件的第一状态为断路状态，第二状态为导通状态，但本申请对此并不做限定，具体视情况而定。

需要说明的是，在本申请实施例中，当所述检测元件为单向导通二极管时，所述单向导通二极管的负极端与所述第二信号连接端相连，所述单向导通二极管的正极端与所述至少一个显示像素相连，以使得可以基于所述至少一个显示像素的状态确定所述多个显示像素是否经历了老化处理过程。

还需要说明的是，当所述检测元件为单向导通二极管时，所述检测元件除了可以与所述至少一个显示像素串联外，还可以通过其他方式确定所述多个显示像素是否经历了老化处理过程。

可选的，在本申请的一个实施例中，所述检测元件为单向导通二极管，所述检测元件与所述阵列基板的裂纹检测线串联；在本申请实施例中，该检测方法还包括：

给所述检测元件提供第二驱动信号时，基于所述裂纹检测线的导通状态，确定所述检测元件的状态；

如果所述裂纹检测线单向导通，则所述检测元件处于第一状态，如果所述裂纹检测线双向导通，则所述检测元件处于第二状态。

由于所述单向导通二极管未被击穿时，所述单向导通二极管只能单向导通，所述单向导通二极管被击穿时，所述单向导通二极管则可以双向导通，因此，在本申请的实施例中，所述单向导通二极管与所述裂纹检测线串联时，如果所述裂纹检测线单向导通，则说明所述检测元件处于第一状态，所述多个显示像素未经历老化处理过程，如果所述裂纹检测线双向导通，则说明所述多个显示像素经历了老化处理过程，如果所述裂纹检测线不导通，则说明所述阵列基板中存在裂纹。

综上，本申请实施例所提供的阵列基板、显示面板以及检测方法，可以基于阵列基板中检测元件的状态确定所述阵列基板中的多个显示像素是否经过了老化处理过程，避免了通过亮暗点检测来确定辅助确定所述多个显示像素是否经历了老化处理过程导致的工作量巨大的问题和容易产生漏检的问题。

本说明书中各个部分采用并列和递进相结合的方式描述，每个部分重点说明的都是与其他部分的不同之处，各个部分之间相同相似部分互相参见即可。

对所公开的实施例的上述说明，本说明书中各实施例中记载的特征可以相互替换或组合，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。