掌桥专利:专业的专利平台
掌桥专利
首页

在550℃或更高的温度下使用ALD沉积含Si膜的前体和工艺

文献发布时间:2023-06-19 11:55:48


在550℃或更高的温度下使用ALD沉积含Si膜的前体和工艺
相关技术
  • 在550℃或更高的温度下使用ALD沉积含Si膜的前体和工艺
  • 使用钨化合物沉积含钨膜的方法和用于沉积含钨膜的包含钨化合物的前体组合物
技术分类

06120113105909