显示面板以及显示面板的制造方法

技术领域

本发明涉及一种显示面板以及显示面板的制造方法。

背景技术

平板型显示面板通常被广泛使用。显示面板包括：面板主体部， 其包含多个像素；以及驱动电路，其从外部附接到面板主体部来驱动 面板主体部。用于驱动面板主体部的像素的信号从驱动电路发送到面 板主体部。

作为显示面板的一个例子，已知有在柔性配线基板上搭载有驱 动器IC和驱动电路基板的显示面板。在这样的显示面板中，将配线 基板通过各向异性导电膜接合至面板主体部的TFT基板的连接部。

发明内容

本发明所要解决的技术问题

近年来，要求显示面板的进一步小型化和/或高清晰度，并且正 研究进一步减小配线基板的配线间距和TFT基板的突出部的端子间 距。然而，在通常的显示面板中，当将配线基板通过各向异性导电膜 与TFT基板接合时，配线之间和/或端子之间可能产生泄漏。

解决问题的方案

本实施方式的显示面板的制造方法用于制造如下显示面板，该 显示面板包括：第一面板基板；第二面板基板，其与上述第一面板基 板对置并且具有自上述第一面板基板突出的突出区域；配线基板，其 连接于上述第二面板基板的上述突出区域。上述制造方法包含如下步 骤：使设置于所述突出区域中的多个突出端子隔着各向异性导电 膜与设置于所述配线基板的一个表面的多个配线端子对置并重 叠的步骤，其中，所述各向异性导电膜包括具有导电层以及覆盖 所述导电层的表面的固化性树脂层在内的颗粒；使上述导电层在上述各向异性导电膜的上述颗粒中的位于彼此对置的上述第二面板 基板的上述突出端子与上述配线基板的上述配线端子之间的颗粒的 表面露出的步骤；以及使上述各向异性导电膜的上述颗粒中从上述第 二面板基板的法线方向观察时位于上述第二面板基板的上述多个突 出端子之间的区域或位于上述配线基板的上述多个配线端子之间的 区域中的颗粒的上述固化性树脂层固化的步骤。

本实施方式的显示面板包括：第一面板基板、与上述第一面板 基板对置的第二面板基板、配线基板以及各向异性导电膜。上述第二 面板基板具有自上述第一面板基板突出的突出区域。上述配线基板连 接于上述第二面板基板的上述突出区域。上述突出区域中设有多个突 出端子。上述配线基板具有一个表面以及另一个表面，其中上述一个 表面中设有多个配线端子，上述第二面板基板中的上述突出区域中的 上述突出端子与上述配线基板中的上述一个表面的上述配线端子隔 着上述各向异性导电膜对置地重叠。上述各向异性导电膜包含基体树 脂和分散在上述基体树脂中的颗粒。上述颗粒具有导电层和覆盖上述 导电层的固化性树脂层。在上述各向异性导电膜的上述颗粒之中的位 于彼此对置的上述第二面板基板的上述突出端子与上述配线基板的 上述配线端子之间的颗粒的表面露出有上述导电层。上述各向异性导 电膜的上述颗粒中从上述第二面板基板的法线方向观察时位于上述 第二面板基板的上述多个突出端子之间的区域或位于上述配线基板 的上述多个配线端子之间的区域中的颗粒的上述固化性树脂层被固 化。

发明效果

在本实施方式的显示面板中，由于至少表面导电的颗粒位于彼 此对置的配线基板的配线端子与第二面板基板的突出端子之间，因此 可以将突出端子与配线端子电连接。另外，至少表面绝缘的颗粒位于 第二面板基板的突出端子之间的区域(配线基板的配线端子之间的区 域)。因此，可以抑制突出端子之间的泄漏、配线端子之间的泄漏以 及突出端子和不与突出端子对置的配线端子之间的泄漏。

附图说明

图1是第一实施方式的显示面板的示意图。

图2A是第一实施方式的显示面板中的COF的附近的一部分放 大图。

图2B是图2A的示意性侧视图。

图3是第一实施方式的显示面板中的TFT基板、各向异性导电 膜及COF的层叠结构的一部分放大图。

图4A是用于说明第一实施方式的显示面板的制造方法的示意图。

图4B是用于说明第一实施方式的显示面板的制造方法的示意图。

图4C是用于说明第一实施方式的显示面板的制造方法的示意图。

图5A是用于说明第一实施方式的显示面板的制造方法的COF 的附近的变化的示意图。

图5B是用于说明第一实施方式的显示面板的制造方法的COF 的附近的变化的示意图。

图5C是用于说明第一实施方式的显示面板的制造方法的COF 的附近的变化的示意图。

图6A是在第一实施方式的显示面板的制造方法中所使用的颗粒 的示意图。

图6B是在第一实施方式的显示面板的制造方法中所使用的颗粒 的示意图。

图7A是用于说明第一实施方式的显示面板的制造方法的COF 的附近的变化的示意图。

图7B是用于说明第一实施方式的显示面板的制造方法的COF 的附近的变化的示意图。

图7C是用于说明第一实施方式的显示面板的制造方法的COF 的附近的变化的示意图。

图8A是用于说明第一实施方式的显示面板的制造方法的COF 的附近的变化的示意图。

图8B是用于说明第一实施方式的显示面板的制造方法的COF 的附近的变化的示意图。

图8C是用于说明第一实施方式的显示面板的制造方法的COF 的附近的变化的示意图。

图9是第二实施方式的显示面板中的TFT基板、各向异性导电 膜及COF的层叠结构的一部分放大图。

图10是第三实施方式的显示面板中的TFT基板、各向异性导电 膜及COF的层叠结构的一部分放大图。

图11是第四实施方式的显示面板中的TFT基板、各向异性导电 膜及COF的层叠结构的一部分放大图。

具体实施方式

以下参照附图对本发明的显示面板以及显示面板的制造方法的 实施方式进行说明。但是，本发明不限定于以下实施方式。此外，在 本申请的说明书中，为便于理解发明，有时会记载彼此正交的X方 向、Y方向和Z方向。典型地，X方向和Y方向平行于水平方向，Z 方向平行于铅垂方向。

参照图1说明第一实施方式的显示面板100。图1是第一实施 方式的显示面板100的示意图。在此，显示面板的主表面的法线方向 朝向Z方向。

显示面板100包括面板主体部110、驱动电路部120以及各向 异性导电膜140。面板主体部110显示图像。驱动电路部120驱动面 板主体部110。在面板主体部110的端部设置有多个端子112。多个 端子112彼此绝缘。驱动电路部120配置在面板主体部110的一个侧 部。驱动电路部120与面板主体部110的端子112电连接，并且将信 号发送到面板主体部110。端子112是突出端子的一个例子。

各向异性导电膜140电连接于面板主体部110和驱动电路部 120。各向异性导电膜140覆盖面板主体部110的端部。各向异性导 电膜140也可以延伸到面板主体部110的外部。

在此，面板主体部110为矩形状。面板主体部110的长边方向 是X方向，面板主体部110的短边方向是Y方向。

例如，面板主体部110是液晶显示面板。面板主体部110包含 彩色滤光片基板110a和TFT基板110b。在彩色滤光片基板110a中 设置彩色滤光片。在TFT基板110b中，针对每个像素设置薄膜晶体 管(Thin Film Transistor：TFT)。在彩色滤光片基板110a与TFT基板110b之间配置液晶层。彩色滤光片基板110a层叠在TFT基板110b 上。彩色滤光片基板110a是第一面板基板的一个例子。此外，TFT基 板110b是第二面板基板的一个例子。

彩色滤光片基板110a典型地具有透明基板。透明基板由玻璃或 树脂制成。

TFT基板110b典型地具有透明基板。透明基板由玻璃或树脂 制成。

彩色滤光片基板110a和TFT基板110b彼此对置。TFT基板 110b的尺寸大于彩色滤光片基板110a的尺寸。TFT基板110b具有 自彩色滤光片基板110a突出的突出区域111。在TFT基板110b的突 出区域111设置有端子112。端子112包含导电构件。在一个例子中， 端子112由铜制成。

驱动电路部120包含印刷电路基板122和COF(Chip On Film， 覆晶薄膜)130。COF130为薄膜状。面板主体部110经由COF130与 印刷电路基板122电连接。COF130被压接于TFT基板110b。COF130 连接于TFT基板110b的突出区域111。COF130优选具有可挠性(柔性)。

在此，印刷电路基板122为矩形状。印刷电路基板122的长边 方向是X方向，印刷电路基板122的短边方向是Y方向。

COF130配置在面板主体部110的端部。具体地，COF130经由 各向异性导电膜140与面板主体部110的TFT基板110b的端子112 电连接。在此，针对一个印刷电路基板122和一个面板主体部110设 置多个COF130。COF130在X方向上的长度短于面板主体部110和 印刷电路基板122在X方向上的长度。

在COF130的基材上设置有配线端子，并且COF130的配线端 子与安装在基材上的半导体芯片电连接。COF130是配线基板的一个 例子。

接下来，参照图2A和2B说明第一实施方式的显示面板100的 COF130的附近的结构。图2A是第一实施方式的显示面板100的 COF130的附近的一部分放大图，图2B是图2A的侧视图。

如上所述，在面板主体部110中，TFT基板110b的尺寸大于彩 色滤光片基板110a的尺寸。TFT基板110b的大部分主表面与彩色滤 光片基板110a重叠，但是TFT基板110b的突出区域111自彩色滤光 片基板110a突出。在突出区域111中设置端子112。

如上所述，COF130为薄膜状。COF130具有两个主表面。 COF130的一个表面是两个主表面之一，并且与TFT基板110b对置。 另外，COF130的另一个表面是两个主表面中的另一个。

COF130包括基材132、多根配线134和绝缘层136。配线134 设置在基材132的一个主表面(一个表面)上。多根配线134彼此绝 缘。在此，配线134被设置在基材132的下方(TFT基板110b)侧的 主表面上。绝缘层136覆盖配线134的至少一部分，而不覆盖配线 134的与TFT基板110b的端子112重叠的部分。在此，COF130为单 面安装结构。配线134是配线端子的一个例子。

在一个例子中，端子132由聚酰亚胺树脂制成。或者，基板132 可以由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)树脂制成。配线134包含导电 构件。在一个例子中，配线134由铜制成。在一个例子中，绝缘层136 由环氧树脂制成。

各向异性导电膜140接合面板主体部110的TFT基板110b与 COF130。设置在面板主体部110的TFT基板110b的突出区域111中 的端子112和设置在COF130的一个表面上的配线134隔着各向异性 导电膜140彼此相对。另外，各向异性导电膜140将COF130的配线 134电连接至设置在面板主体部110的TFT基板110b上的端子112。

接下来，参照图3说明第一实施方式的显示面板100中的TFT 基板110b、各向异性导电膜140和COF130的层叠结构。图3是示出 第一实施方式的显示面板100中的TFT基板110b、各向异性导电膜 140及COF130的层叠结构的示意图。

如上所述，COF130隔着各向异性导电膜140与TFT基板110b 对置。另外，COF130的配线134与TFT基板110b的端子112对置。 在图3中，作为端子112示出了端子112a、112b和112c，作为配线 134示出了配线134a、134b和134c。

各向异性导电膜140包含基体树脂142和颗粒144。基体树脂 142具有粘合性。可以通过基体树脂142来接合TFT基板110b与 COF130。

颗粒144分散在基体树脂142中。例如，各向异性导电膜140 的厚度为5μm以上且200μm以下。此外，例如，颗粒144的平均粒 径为1μm以上且100μm以下。

在此，端子112的间距基本上等于配线134的间距。例如，端 子112a和112b之间的距离为3μm以上且200μm以下。同样地，配 线134a与配线134b之间的距离为3μm以上且200μm以下。此外， 端子112之间的距离或配线134之间的距离优选为颗粒144的平均粒 径的2倍以上且20倍以下。在本实施方式的显示面板100中，端子 112的宽度与配线134的宽度基本相等，但是端子112的宽度与配线 134的宽度也可以不同，由此端子112之间的距离与配线134之间的 距离也可以不同。

颗粒144包含颗粒144a和颗粒144b。至少颗粒144a的表面表 现出导电性。另外，至少颗粒144b的表面表现出绝缘性。颗粒144a 和颗粒144b分散在基体树脂142中。细节将稍后描述，但颗粒144a 和颗粒144b由相同的颗粒形成。

颗粒144a位于各向异性导电膜140中的彼此对置的COF130的 配线134与TFT基板110b的端子112之间。具体地，颗粒144a位 于COF130的配线134a与TFT基板110b的端子112a之间。颗粒 144a位于COF130的配线134b与TFT基板110b的端子112b之间。 此外，颗粒144a位于COF130的配线134c与TFT基板110b的端子 112c之间。

颗粒144b位于各向异性导电膜140中的从TFT基板110b的法 线方向观察时的COF130的配线134之间的区域(以下，也简称为 COF130的配线134之间的区域)。此外，如上所述，COF130的配线 134与TFT基板110b的端子112对置，并且端子112的间距和宽度 以及配线134的间距和宽度基本相等。因此，也可以说，颗粒144b 位于各向异性导电膜140中的从TFT基板110b的法线方向观察时的 TFT基板110b的端子112之间的区域(以下，也简称为TFT基板 110b的端子112之间的区域)。

具体地，从TFT基板110b的法线方向观察时，颗粒144b位于 TFT基板110b的端子112a与端子112b之间的区域(COF130的配线 134a与配线134b之间的区域)。具体地，从TFT基板110b的法线方 向观察时，颗粒144b位于TFT基板110b的端子112b与端子112c之 间的区域(COF130的配线134b与配线134c之间的区域)。

在本实施方式的显示面板100中，至少表面导电的颗粒144a位 于彼此对置的COF130的配线134与TFT基板110b的端子112之 间。因此，可以将端子112与配线134电连接。

此外，至少表面绝缘的颗粒144b位于TFT基板110b的端子 112之间的区域(COF130的配线134之间的区域)。因此，可以抑制 端子112之间的泄漏、配线134之间的泄漏以及端子112和不与该端 子112对置的配线134之间的泄漏。例如，通过各向异性导电膜140 中位于TFT基板110b的端子112a与端子112b之间的的区域(COF130 的配线134a与配线134b之间的区域)中的颗粒144b，可以抑制端子 112a与端子112b之间的泄漏、配线134a与配线134b之间的泄漏、 端子112a与配线134b之间的泄漏以及端子112b与配线134a之间的 泄漏。此外，通过各向异性导电膜140中位于TFT基板110b的端子 112b与端子112c之间的的区域(COF130的配线134b与配线134c之 间的区域)中的颗粒144b，可以抑制端子112b与端子112c之间的泄 漏、配线134b与配线134c之间的泄漏、端子112b与配线134c之间 的泄漏以及端子112c与配线134b之间的泄漏。

进一步地，在本实施方式的显示面板100中，颗粒144b可以在 基体树脂142中相对自由地移动。例如，当将COF130压接到TFT基 板110b时，颗粒144b可以在基体树脂142中相对自由地移动。因 此，在各向异性导电膜140中，可以缩短端子112与配线134之间的 距离，并且可以增加其他区域的厚度，而且可以牢固地接合TFT基 板110b与COF130。

当制造第一实施方式的显示面板100时，COF130通过各向异 性导电膜140压接到面板主体部110的TFT基板110b。以下，参照 图1至图4C说明第一实施方式的显示面板100的制造方法。图4A 至图4C是用于说明第一实施方式的显示面板100的制造方法的示意 图。

如图4A所示，在面板主体部110的TFT基板110b的突出区 域111中配置粘贴到COF130的各向异性导电膜140。此时，COF130 和各向异性导电膜140被压接至TFT基板110b的突出区域111。这 种压接也称为临时压接。

在TFT基板110b的突出区域111中设置端子112。通过将 COF130和各向异性导电膜140配置在TFT基板110b的突出区域 111，使COF130的配线134隔着各向异性导电膜140与TFT基板 110b的端子112对置。

此外，TFT基板110b的端子112和COF130的配线134优选由 反射光的材料制成。例如，TFT基板110b的端子112和COF130的 配线134中的至少一个由反射光的材料制成。尤其是，TFT基板110b 的端子112优选由反射光的材料制成。

例如，端子112由反射紫外线的材料制成。或者，端子112由 反射红外线的材料制成。在一个例子中，端子112优选由金属制成。 典型地，端子112是铜线。

如图4B所示，向各向异性导电膜140照射光L。例如，光L可 以是红外线，也可以是紫外线。

例如，光L从TFT基板110b和COF130中的一个的背面照射。 在此，光L从TFT基板110b侧照射。

此外，如图4C所示，用已加热的加压构件P加压COF130，来 将COF130接合到TFT基板110b。通过加压构件P，COF130和各向 异性导电膜140被更牢固地压接至TFT基板110b的突出区域111。 这种压接也称为正式压接。

具体地，在TFT基板110b的端子112与COF130的配线134 隔着各向异性导电膜140彼此重叠的状态下，加压构件P将COF130 朝向TFT基板110b侧加压。加压构件P通过对COF130加压，压力 被施加至位于COF130与TFT基板110b之间的各向异性导电膜140 上。此外，加压构件P也可以隔着缓冲构件对COF130进行加压。

例如，加压构件P在已被加热的状态下对COF130进行加压。 加压构件P通过将COF130朝向TFT基板110b加压来加热各向异性 导电膜140。例如，加压构件P被加热到150℃以上且250℃以下的 温度。通过用加热过的加压构件P对COF130进行加压，加压构件P 的热量经由COF130传递到各向异性导电膜140。通过加压构件P的 热量，COF130被压接于TFT基板110b。由此，各向异性导电膜140 在将TFT基板110b的端子112与COF130的配线134电连接的基础 上，将TFT基板110b与COF130接合。

如上所述，可以将COF130压接到TFT基板110b的突出区域 111，并且可以制造显示面板100。

接着，参照图5A至图5C说明第一实施方式的显示面板100中 的颗粒的变化。图5A至图5C是示出第一实施方式的显示面板100 的TFT基板110b、各向异性导电膜140及COF130的层叠结构的示 意图。图5A至图5C对应于图4A至图4C。

首先，如图5A所示，当将粘贴到COF130的各向异性导电膜 140配置在TFT基板110b上时，各向异性导电膜140被夹在TFT基 板110b与COF130之间。此时，TFT基板110b的端子112和COF130 的配线134彼此对置。

各向异性导电膜140包含基体树脂142和颗粒144。在此，作 为颗粒144，颗粒144s分散在基体树脂142中。此外，颗粒144s具 有层叠结构。优选至少颗粒144s的表面表现出绝缘性。例如，颗粒144s具有位于外表面上的绝缘层和位于绝缘层内侧的导电层。位于颗 粒144s的外表面上的绝缘层包含固化性树脂。此外，位于颗粒144s 的外表面上的绝缘层也可以比导电层薄，从而可以破坏绝缘层。

如图5B所示，向各向异性导电膜140照射光L。当向各向异性 导电膜140照射光L时，各向异性导电膜140的颗粒144s中的位于 TFT基板110b的端子112之间的区域中的颗粒144s的绝缘层固化， 并且颗粒144s变成为颗粒144b。例如，位于TFT基板110b的端子 112a与端子112b之间的区域中的颗粒144s变为颗粒144b，并且位 于TFT基板110b的端子112b与端子112c之间的区域中的颗粒144s 变为颗粒144b。

另一方面，在各向异性导电膜140的颗粒144s中的位于由TFT 基板110b的端子112覆盖的区域中的颗粒144s、即位于彼此对置的 COF130的配线134与TFT基板110b的端子112之间的区域中的颗 粒144s仍保持为颗粒144s而未改变。即使光L照射至各向异性导电 膜140上，光也不会到达位于由TFT基板110b的端子112覆盖的区 域中的颗粒144s，因此颗粒144s实质上没有改变。

如图5C所示，COF130被加压构件P加压在TFT基板110b上。 当用加压构件P来加压COF130时，各向异性导电膜140中位于彼此 对置的TFT基板110b的端子112与COF130的配线134之间的颗粒 144s变为导电颗粒144a。具体地，当加压COF130时，位于彼此对置 的TFT基板110b的端子112与COF130的配线134之间的颗粒144s 被夹在端子112与配线134之间。此时，存在于颗粒144s的外表面 上的绝缘层被破坏，从而露出导电层，并且颗粒144s变为导电颗粒 144a。导电颗粒144a优选地通过加压构件P的加压来被压缩和发生 弹性变形。

此时，各向异性导电膜140的颗粒144中的位于TFT基板110b 的端子112之间的区域(COF130的配线134之间的区域)中的颗粒144b的表面已经硬化。此外，颗粒144b未被夹在端子112与配线134 之间，因此颗粒144b没有被施加导致变形或破坏的力。因此，颗粒 144b保持绝缘性。

如上所述，在显示面板100中，COF130通过各向异性导电膜 140被压接至TFT基板110b。在显示面板100中，导电颗粒144a位 于彼此对置的TFT基板110b的端子112与COF基板130的配线134 之间。因此，可以将彼此对置的端子112与配线134电连接。此外， 绝缘的颗粒144b位于TFT基板110b的端子112之间的区域(COF130 的配线134之间的区域)。因此，可以抑制端子112之间的泄漏、配 线134之间的泄漏以及端子112和不与该端子112对置的配线134之 间的泄漏。

另外，如图4B和图5B所示，光L从各向异性导电膜140的 TFT基板110b侧照射，但是本实施方式不限于此。光L也可以从各 向异性导电膜140的COF130侧照射。同样在这种情况下，当用光L 照射各向异性导电膜140时，各向异性导电膜140中的位于COF130 的配线134之间的区域中的颗粒144s的绝缘层固化从而变为颗粒 144b。另一方面，在各向异性导电膜140的颗粒144s中的位于由 COF130的配线134覆盖的区域中的颗粒144s、即位于彼此对置的 COF130的配线134与TFT基板110b的端子112之间的区域中的颗 粒144s仍保持为颗粒144s而未改变。然而，当从各向异性导电膜140 的COF130侧照射光L时，优选COF130的基材132透射光L。例 如，基材132优选包含PET树脂。

接下来，参照图1至图6A，说明适用于本实施方式的显示面板 100中的各向异性导电膜140的颗粒。

图6A是适当用于在本实施方式的显示面板100中的各向异性 导电膜140的颗粒144s的示意图。此外，请留意在图6A中有意切出 颗粒144s以示出内部结构。颗粒144s具有层叠结构。颗粒144s具有 核心层146a、导电层146b和绝缘层146c。

核心层146a由绝缘材料制成。例如，核心层146a可以是环氧 树脂、酚醛树脂、丙烯酸树脂、AS树脂(丙烯腈和苯乙烯的聚合物) 或苯乙烯树脂中的任何一种或它们的混合物。核心层146a优选具有 较高的弹性。核心层146a的材料的弹性模量优选高于导电层146b的材料的弹性模量和/或绝缘层146c的材料的弹性模量。

导电层146b由导电材料制成。此外，导电层146b也可以具有 两层结构。例如，导电层146b包含第一金属层146b1和第二金属层 146b2。例如，第一金属层146b1由镍制成，第二金属层146b2由金 制成。可以通过与核心层146a之间隔着第一金属层146b1的镍的方 式形成由金制成的第二金属层146b2。

绝缘层146c包含固化性树脂。绝缘层146c的固化性树脂优选 具有绝缘性。

例如，绝缘层146c包含光固化性树脂。在一个例子中，绝缘层 146c包含通过紫外线固化的光固化性树脂。例如，绝缘层146c也可 以包含丙烯酸酯系树脂。例如，丙烯酸酯系树脂也可以是丙烯酸甲酯、 丙烯酸乙酯、丙烯酸异丙酯中的任何一种或它们的混合物。

或者，绝缘层146c也可以包含通过红外线固化的光固化性树 脂。或者，绝缘层146c也可以包含热固性树脂。

另外，当绝缘层146c包含光固化性树脂时，在固化性绝缘材料 的基础上，优选在绝缘层146c中还添加光聚合引发剂。例如，光聚 合引发剂也可以是苯偶姻醚系、苄基缩酮系、α-酰基肟酯系、苯乙酮 系和酮系中的任何一种。在一个例子中，光引发剂也可以是苯偶姻乙 醚、苯乙酮、二苯甲酮。

此外，当绝缘层146c包含光固化性树脂时，绝缘层146c优选 是透明的。如上所述，在图4B和图5B中，当绝缘层146c用光L的 照射来固化时，绝缘层146c是透明的，由此假设在颗粒144相对于 基体树脂142相对地移动、旋转困难的情况下，从一侧入射的光L也 可以使绝缘层146c的大多区域固化。

此外，绝缘层146c优选可通过加压构件P施加的加压破坏，但 相对较厚。当用光L的照射来固化绝缘层146c时，绝缘层146c相对 较厚，由此假设在颗粒144相对于基体树脂142相对地移动、旋转困 难的情况下，从一侧入射的光L也可以使绝缘层146c的大多区域固化。例如，绝缘层146c也可以比导电层146b厚。或者，绝缘层146c 也可以比第一金属层146b1和第二金属层146b2之一厚。

此外，在图6A的颗粒144s中，从颗粒144s的外表面到中心之 间依次配置绝缘层、导电层和绝缘层，但是本实施方式不限于此。颗 粒144s也可以使绝缘层和导电层依次配置在从颗粒144s的外表面到 中心之间。

接下来，参照图6B，说明适用于本实施方式的显示面板100中 的各向异性导电膜140的颗粒。

图6B是适当用于在本实施方式的显示面板100中的各向异性 导电膜140的颗粒144s的示意图。颗粒144s具有层叠结构。颗粒 144s具有导电层146d和绝缘层146e。

导电层146d由导电材料制成。导电层146d优选由透明导电材 料制成。例如，导电层146d可以包含氧化铟锡(Indium Tin Oxide： ITO)，也可以包含氧化锡(SnO

绝缘层146e包含固化性树脂。例如，固化性树脂也可以具有绝 缘性。例如，绝缘层146e包含光固化性树脂。在一个例子中，绝缘 层146e包含可通过紫外线固化的光固化性树脂。或者，绝缘层146e 包含可通过红外光固化的光固化性树脂。或者，绝缘层146e包含可以通过加热固化的热固性树脂。

此外，绝缘层146e优选是透明的。如上所述，当用光L的照射 来固化绝缘层146e时，绝缘层146e是透明的，由此假设在颗粒144 相对于基体树脂142相对地移动、旋转困难的情况下，从一侧入射的 光L也可以使绝缘层146e的大多区域固化。

另外，绝缘层146e也可以相对较厚。如上所述，当用光L的照 射来固化绝缘层146e时，绝缘层146e相对较厚，由此假设在颗粒144 相对于基体树脂142相对地移动、旋转困难的情况下，从一侧入射的 光L也可以使绝缘层146e的大多区域固化。

此外，在上述的参照图4A至图4C和图5A至图5C的说明中， 首先照射光L以将颗粒144s形成为颗粒144b，然后用加压构件P对 各向异性导电膜进行加压以将颗粒144s形成为颗粒144a，但是本实 施方式不限于此。也可以首先用加压构件P对各向异性导电膜进行加压以将颗粒144s形成为颗粒144a，然后照射光L以将颗粒144s形成 为颗粒144b。

接着，参照图7A至图7C说明第一实施方式的显示面板100中 的颗粒144的变化。图7A至图7C是第一实施方式的显示面板100 的TFT基板110b、各向异性导电膜140及COF130的层叠结构的示 意图。此外，图7A、图7B和图7C的不同之处除了光L的照射顺序 和由加压构件P施加的正式加压的顺序以外，与图5A、图5B和图 5C相同，为避免冗余，省略重复的描述。此外，图7A、7B和7C对 应于图4A、4C和4B。

首先，如图7A所示，当将粘贴到COF130的各向异性导电膜 140配置在TFT基板110b上时，各向异性导电膜140被夹在TFT基 板110b与COF130之间。此时，TFT基板110b的端子112和COF130 的配线134彼此对置。

如图7B所示，COF130被加压构件P加压在TFT基板110b上。 当用加压构件P来加压COF130时，各向异性导电膜140中位于彼此 对置的TFT基板110b的端子112与COF130的配线134之间的颗粒144s变为导电颗粒144a。具体地，当COF130被加压时，存在于颗粒 144s的外表面上的绝缘层被破坏以露出导电层，并且颗粒144s变为 导电颗粒144a。

此时，对于各向异性导电膜140中位于TFT基板110b的端子 112之间的区域(COF130的配线134之间的区域)中的颗粒144s而 言，实质上未受到加压构件P的压力。因此，颗粒144s保持绝缘性。

如图7C所示，向各向异性导电膜140照射光L。当向各向异性 导电膜140照射光L时，各向异性导电膜140的颗粒144中的位于 TFT基板110b的端子112之间的区域中的颗粒144s的绝缘层固化， 并且该颗粒144s变成为颗粒144b。例如，位于TFT基板110b的端 子112a与端子112b之间的区域中的颗粒144s变为颗粒144b，并且 位于TFT基板110b的端子112b与端子112c之间的区域中的颗粒 144s变为颗粒144b。

另一方面，各向异性导电膜140的颗粒144a位于被TFT基板 110b的端子112a覆盖的区域中。因此，即使光L照射至各向异性导 电膜140上，颗粒144a实质上也没有改变。

在第一实施方式的显示面板100中，导电颗粒144a位于彼此对 置的TFT基板110b的端子112与COF基板130的配线134之间。 因此，可以将彼此对置端子112与配线134电连接。此外，绝缘颗粒 144b位于TFT基板110b的端子112之间的区域(COF130的配线134 之间的区域)中。因此，可以抑制端子112之间的泄漏、配线134之 间的泄漏以及端子112和不与该端子112对置的配线134之间的泄 漏。此外，如图7A至图7C所示，在由加压构件P加压之后照射光 L，各向异性导电膜140的颗粒144s也能够形成颗粒144a和颗粒 144b。

此外，在参照图4A至图4C、图5A至图5C以及图7A至图7C 的说明中用加热过的加压构件P来加压，但是本实施方式不限于此。 也可以在未加热的情况下加压加压构件P。

此外，在参照图4A至图4C、图5A至图5C以及图7A至图7C 的说明中，与光L的照射一起用加热过的加压构件P来加压，但是本 实施方式不限于此。当各向异性导电膜140的颗粒144s的外表面中 包含热固性树脂时，也可以在不照射光L的情况下加热。

接着，参照图8A至图8C说明第一实施方式的显示面板100中 的颗粒的变化。图8A至图8C是第一实施方式的显示面板100的TFT 基板110b、各向异性导电膜140及COF130的层叠结构的示意图。

首先，如图8A所示，当将粘贴到COF130的各向异性导电膜 140配置在TFT基板110b上时，各向异性导电膜140被夹在TFT基 板110b与COF130之间。此时，TFT基板110b的端子112和COF130 的配线134彼此对置。

各向异性导电膜140包含基体树脂142和颗粒144s。颗粒144s 分散在基体树脂142中。此外，颗粒144s具有层叠结构。此处，位 于颗粒144s的外表面上的绝缘层包含热固化性树脂。

如图8B所示，加热各向异性导电膜140。在此，面板主体部 110、COF130和各向异性导电膜140暴露于加热氛围H中。当加热 各向异性导电膜140时，各向异性导电膜140中位于TFT基板110b 的端子112之间的区域中的颗粒144s的绝缘层固化，并变为颗粒144b。 例如，位于TFT基板110b的端子112a与端子112b之间的区域中的 颗粒144s变为颗粒144b，并且位于TFT基板110b的端子112b与端 子112c之间的区域中的颗粒144s变为颗粒144b。此外，在这种情况 下，在各向异性导电膜140中位于TFT基板110b的被端子112a覆 盖的区域中的颗粒144s在加热氛围H中也变为颗粒144b。

如图8C所示，COF130被加压构件P加压在TFT基板110b上。 当用加压构件P来加压COF130时，各向异性导电膜140的颗粒144 中的位于彼此对置的TFT基板110b的端子112与COF130的配线134之间的颗粒144b变为导电颗粒144a。具体地，当加压COF130 时，位于彼此对置的TFT基板110b的端子112与COF130的配线134 之间的颗粒144b被夹在端子112与配线134之间。此时，存在于颗 粒144b的外表面上的绝缘层被破坏，从而露出导电层，并且颗粒144b 变为导电颗粒144a。

此时，各向异性导电膜140中位于TFT基板110b的端子112 之间的区域(COF130的配线134之间的区域)中的颗粒144b没有夹 在端子112和配线134之间，对于颗粒144b而言未受到变形或破坏 的力。因此，颗粒144b保持绝缘性。

如上所述，在显示面板100中，通过各向异性导电膜140将 COF130压接至TFT基板110b。在显示面板100中，导电颗粒144a 位于彼此对置的TFT基板110b的端子112与COF基板130的配线 134之间。因此，可以将彼此对置端子112与配线134电连接。此外， 绝缘颗粒144b位于TFT基板110b的端子112之间的区域(COF130 的配线134之间的区域)中。因此，可以抑制端子112之间的泄漏、 配线134之间的泄漏以及端子112和不与该端子112对置的配线134 之间的泄漏。

此外，在上述参照图8A至图8C的说明中，首先在加热氛围H 中加热各向异性导电膜140以将颗粒144s形成为颗粒144b，然后对 各向异性导电膜140进行加压以将颗粒144b形成为颗粒144a，但是 本实施方式不限于此。也可以首先对各向异性导电膜140进行加压以 将颗粒144s形成为颗粒144a，然后在加热氛围H中加热各向异性导 电膜140以将颗粒144s形成为颗粒144b。

此外，在以上参考图8A至图8C的说明中，分别进行各向异性 导电膜140的加热和通过加压构件P对各向异性导电膜140进行的 加压，但是本实施方式不限于此。也可以同时进行各向异性导电膜140 的加热和通过加压构件P对各向异性导电膜140进行的加压。例如， 也可以通过将加压构件P在加热过的状态下对各向异性导电膜140进 行加压，对各向异性导电膜140进行加热和加压而不将各向异性导电 膜140暴露于加热氛围H中。

此外，在上述的参考图3至图8C的说明中，在各向异性导电 膜140的基体树脂142中分散有导电颗粒144a和绝缘颗粒144b，但 是本实施方式不限于此。也可以在各向异性导电膜140的基体树脂 142中分别分散多种类型的导电颗粒和绝缘颗粒。

接着，参照图9说明第二实施方式的显示面板100。图9是用 于说明第二实施方式的显示面板100中的COF130的附近的结构的示 意图。图9的不同之处除了在各向异性导电膜140的基体树脂142中 分散有颗粒144a和颗粒144b的基础上还分散有颗粒144c和颗粒144d以外，与图3相同。

如图9所示，各向异性导电膜140包括基体树脂142、颗粒144a、 颗粒144b、颗粒144c和颗粒144d。至少颗粒144a和144c的表面具 有导电性，并且至少颗粒144b和144d的表面具有绝缘性。

颗粒144c是与颗粒144a不同种类的颗粒。此外，颗粒144c的 密度(每单位体积的重量)和/或粒径优选不同于颗粒144a的密度和 /或粒径。典型地，各向异性导电膜140中的颗粒均匀地分散在基体 树脂142中，但是当对各向异性导电膜140施加某种力时，颗粒可能不均匀地分散在基体树脂142中。颗粒的不均匀根据颗粒的密度和/ 或粒径而不同。因此，由于颗粒144a和颗粒144c的密度和/或粒径不 同，由此即使在将COF130和各向异性导电膜140压接到TFT基板 110b时对各向异性导电膜140施加某些力，也可以抑制在端子112和 配线134之间的导电颗粒的消失。

同样地，颗粒144d是与颗粒144b不同类型的颗粒。此外，颗 粒144d的密度和/或粒径优选与颗粒144b的密度和/或粒径不同。此 外，由于颗粒144b和颗粒144d的密度和/或粒径不同，由此即使在 将COF130和各向异性导电膜140压接到TFT基板110b时对各向异 性导电膜140施加某些力，也可以抑制在端子112之间的区域中和在 配线134之间的区域中的绝缘颗粒的消失。

颗粒144a和颗粒144b也可以由相同的颗粒形成。例如，颗粒 144a和颗粒144b也可以由图6A所示的颗粒144s形成。

此外，颗粒144c和颗粒144d也可以由相同的颗粒形成。例如， 颗粒144c和颗粒144d也可以由图6B所示的颗粒144s形成。

典型地，当颗粒144a和颗粒144b本身所形成的颗粒的密度不 同于颗粒144c和颗粒144d本身所形成的颗粒的密度时，颗粒144a 的密度与颗粒144c的密度不同，并且颗粒144b的密度与颗粒144d 的密度不同。

另外，在上述说明中，分散在各向异性导电膜140的基体树脂 142中的颗粒144具有导电层，但是本实施方式不限于此。在各向异 性导电膜140的基体树脂142中也可以混合不具有导电层的颗粒。

接着，参照图10说明第三实施方式的显示面板100。图10是 用于说明第三实施方式的显示面板100中的COF130的附近的结构的 示意图。图10的不同之处除了在各向异性导电膜140的基体树脂142 中分散有颗粒144a和颗粒144b的基础上还分散有颗粒144e以外，与图3相同，为避免冗余，省略重复的描述。

如图10所示，各向异性导电膜140包括基体树脂142、颗粒 144a、颗粒144b和颗粒144e。至少颗粒144a的表面具有导电性，至 少颗粒144b的表面是具有绝缘性，并且颗粒144e的整体都具有绝缘 性。

颗粒144a和颗粒144b由相同的颗粒形成。例如，颗粒144a和 颗粒144b由图6A或6B所示的颗粒144s形成。

颗粒144e由绝缘树脂制成。颗粒144e的表面还可以进一步涂 覆绝缘材料。

在本实施方式的显示面板100中，各向异性导电膜140在具有 颗粒144a和颗粒144b的基础上还具有绝缘颗粒144e。因此，可以进 一步增加各向异性导电膜140中位于TFT基板110b的端子112之间 的区域(COF130的配线134之间的区域)中的绝缘颗粒的数量，并且可以抑制端子112之间的泄漏、配线134之间的泄漏以及端子112 和不与该端子112对置的配线134之间的泄漏。然而，各向异性导电 膜140中，每单位体积中颗粒144e的数量优选小于每单位体积中颗 粒144a的数量和每单位体积中颗粒144b的数量。

此外，在上述的参照图10的说明中，分散在各向异性导电膜 140的基体树脂142中的颗粒均具有绝缘成分，但是本实施方式不限 于此。在各向异性导电膜140的基体树脂142中也可以混合不具有绝 缘成分的颗粒。

接着，参照图11说明第四实施方式的显示面板100。图11是 用于说明第四实施方式的显示面板100中的COF130的附近的结构的 示意图。图11的不同之处除了在各向异性导电膜140的基体树脂142 中分散有颗粒144a和颗粒144b的基础上还分散有颗粒144f以外，与图3相同，为避免冗余，省略重复的描述。

如图11所示，各向异性导电膜140包括基体树脂142、颗粒 144a、颗粒144b和颗粒144f。至少颗粒144a的表面具有导电性，且 颗粒144f的整体具有导电性，并且至少颗粒144b的表面具有绝缘性。

如上所述，颗粒144a位于彼此对置的COF130的配线134与 TFT基板110b的端子112之间。此外，颗粒144b位于COF130的配 线134之间的区域(TFT基板110b的端子112之间的区域)中。颗 粒144a和颗粒144b由相同的颗粒形成。例如，颗粒144a和颗粒144b 由图6A或6B所示的颗粒形成。

另外，颗粒144f由导电材料制成。此外，颗粒144f也可以是 金属颗粒。或者，颗粒144f也可以包含纳米碳。

在本实施方式的显示面板100中，各向异性导电膜140在具有 颗粒144a和颗粒144b的基础上还具有导电颗粒144f。因此，可以进 一步增加各向异性导电膜140中位于彼此对置的TFT基板110b的端 子112与COF130的配线134之间的颗粒的数量，并且可以进一步改 善彼此对置的端子112与配线134的电连接。然而，各向异性导电膜 140中，每单位体积中颗粒144f的数量优选小于每单位体积中颗粒 144a的数量和每单位体积中颗粒144b的数量。

以上，参照附图说明了本实施方式。然而，本发明不限于上述 实施方式，只要不脱离本发明的范围，可以实施各种方式。另外，通 过适当地组合上述实施方式中公开的多个构成要素，可以形成各种发 明。例如，可以从实施方式中示出的所有构成要素中删除一些构成要 素。附图中，为了容易理解，作为主体而示意性地示出了每个构成要 素，且为了方便绘图，图中所示的每个构成要素的数量等可能与实际 不同。另外，上述实施方式所示的各构成要素仅为一例，而没有特别 限定，可以在实质上不脱离本发明的效果的范围内进行各种变更。

例如，作为面板主体部110，虽参照图1至图11并示例出了上 述说明的液晶显示面板，但本实施方式不限于此。面板主体部110也 可以是有机EL显示面板。

本申请还公开如下补充说明。此外，以下的补充说明并非用于 限定本发明。

(补充说明1)

一种显示面板的制造方法，所述显示面板包括：第一面板基板； 第二面板基板，其与所述第一面板基板对置并且具有自所述第一面板 基板突出的突出区域；配线基板，其连接于所述第二面板基板的所述 突出区域，所述制造方法包含如下步骤：

使设置于所述突出区域中的多个突出端子隔着各向异性导 电膜与设置于所述配线基板的一个表面的多个配线端子对置并 重叠的步骤，其中，所述各向异性导电膜包括具有导电层以及覆 盖所述导电层的表面的固化性树脂层在内的颗粒；

使所述导电层在所述各向异性导电膜的所述颗粒之中的位于彼 此对置的所述第二面板基板的所述突出端子与所述配线基板的所述 配线端子之间的颗粒的表面露出的步骤；以及

使所述各向异性导电膜的所述颗粒之中的从所述第二面板基板 的法线方向观察时位于所述第二面板基板的所述多个突出端子之间 的区域中或位于所述配线基板的所述多个配线端子之间的区域中的 颗粒的所述固化性树脂层固化的步骤。

(补充说明2)

在补充说明1所述的显示面板的制造方法中，所述固化的步骤包 含从所述第二面板基板及所述配线基板中的一个的背面照射光的步 骤。

(补充说明3)

在补充说明2所述的显示面板的制造方法中，所述照射的步骤包 括照射紫外线的步骤。

(补充说明4)

在补充说明1至3所述的显示面板的制造方法中，所述固化的步 骤包含对所述各向异性导电膜进行加热的步骤。

(补充说明5)

在补充说明1至4所述的显示面板的制造方法中，使所述导电层 露出的步骤包含对位于所述第二面板基板与所述配线基板之间的所 述各向异性导电膜进行加压的步骤。

(补充说明6)

在补充说明1至5所述的显示面板的制造方法中，所述颗粒还具 有被所述导电层覆盖的核心层。

(补充说明7)

一种显示面板，包括：

第一面板基板；

第二面板基板，其与所述第一面板基板对置；

配线基板；以及

各向异性导电膜，

所述第二面板基板具有自所述第一面板基板突出的突出区域，

所述配线基板连接于所述第二面板基板的所述突出区域，

所述突出区域中设有多个突出端子，

所述配线基板具有一个表面以及另一个表面，其中所述一个表面 中设有多个配线端子，

所述第二面板基板中的所述突出区域的所述突出端子与所述配 线基板中的所述一个表面的所述配线端子隔着所述各向异性导电膜 对置地重叠，

所述各向异性导电膜包含基体树脂和分散在所述基体树脂中的 颗粒，

所述颗粒具有导电层和覆盖所述导电层的固化性树脂层，

在所述各向异性导电膜的所述颗粒之中的位于彼此对置的所述 第二面板基板的所述突出端子与所述配线基板的所述配线端子之间 的颗粒的表面露出有所述导电层，

所述各向异性导电膜的所述颗粒之中的从所述第二面板基板的 法线方向观察时位于所述第二面板基板的所述多个突出端子之间的 区域中或位于所述配线基板的所述多个配线端子之间的区域中的颗 粒的所述固化性树脂层被固化。