显示装置

技术领域

本发明涉及显示装置。

背景技术

以往，显示装置中设有由划分像素的隔堤来遮蔽从像素出射的光的结构。由此，在发光层的发光中，能够遮蔽从各像素沿横向传播的光，防止光学混色。

例如，专利文献1中公开了在隔堤中含有光散射体的结构。另外，专利文献2中公开了在隔堤上设有散射层的结构。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-037825号公报

专利文献2：日本特开2017-103226号公报

发明内容

发明要解决的课题

然而，近年来，期望实现具备能够视觉辨认显示面板的背后的像的“透明面板”的显示装置。为了制作该“透明面板”，研究了使用在可见光区域中具有光透过性的透明聚酰亚胺树脂，来作为替代一直以来使用的聚酰亚胺树脂的材料。

为了制作上述的“透明面板”，需要由具有可见光区域中的光透过性的透明聚酰亚胺树脂来形成隔堤。但是，若隔堤自身具有光透过性，则从各像素沿横向传播的光会从该隔堤中透过，无法防止光学混色。

然而，若针对使用透明聚酰亚胺树脂的隔堤如专利文献1记载的那样应用含有光散射体的结构或如专利文献2记载的那样以散射层覆盖其表面整体的结构，则反而变得无法实现“透明面板”。

本发明是鉴于上述问题做出的，其目的为，提供一种在隔堤、基板中使用透明聚酰亚胺树脂以实现能够视觉辨认背后的像的显示面板，并且还具有能够防止由发光层的发光引起的光学混色的结构的显示装置。

用于解决课题的手段

本发明的显示装置的一个方案具备：具有薄膜晶体管的基板；设置在所述基板上的像素阵列部；和隔堤，其设置在所述基板上，对相邻的第1像素及第2像素进行划分，所述显示装置的特征在于，所述隔堤由在可见光区域中具有光透过性的聚酰亚胺树脂形成，所述显示装置还具有遮蔽膜，所述遮蔽膜设置在所述隔堤的表面的一部分，由可见光区域中的光透过性比所述聚酰亚胺树脂低的材料形成，所述遮蔽膜具有第1遮蔽膜和第2遮蔽膜，所述第1遮蔽膜设置在所述隔堤的所述第1像素侧的锥部的至少一部分，第2遮蔽膜设置在所述隔堤的所述第2像素侧的锥部的至少一部分，所述隔堤还具有在所述第1遮蔽膜与所述第2遮蔽膜之间使光透过的透过区域。

附图说明

图1是示出本发明一实施方式的有机EL显示装置的概略构成的示意图。

图2是示出图1所示的有机EL显示装置的显示面板的一例的示意性俯视图。

图3是关于图2所示的有机EL显示装置的显示面板，示出图2的A-A截面上的结构的一例的概略图。

图4是关于图2所示的有机EL显示装置的显示面板，示出图2的A-A截面上的结构的一例的概略图。

图5是关于图2所示的有机EL显示装置的显示面板，示出图2的A-A截面上的结构的一例的概略图。

图6是关于图2所示的有机EL显示装置的显示面板，示出图2的A-A截面上的结构的一例的概略图。

图7是关于图2所示的有机EL显示装置的显示面板，示出图2的B-B截面上的结构的一例的概略图。

图8是关于图2所示的有机EL显示装置的显示面板，示出图2的B-B截面上的结构的一例的概略图。

图9是关于图2所示的有机EL显示装置的显示面板，示出图2的B-B截面上的结构的一例的概略图。

图10是关于图2所示的有机EL显示装置的显示面板，示出图2的B-B截面上的结构的一例的概略图。

图11是关于图2所示的有机EL显示装置的显示面板，示出图2的B-B截面上的结构中的、边框区域中的结构的变形例的概略图。

图12是关于图2所示的有机EL显示装置的显示面板，示出图2的B-B截面上的结构中的、边框区域中的结构的变形例的概略图。

图13是关于图2所示的有机EL显示装置的显示面板，示出图2的B-B截面上的结构中的、边框区域中的结构的变形例的概略图。

图14是关于图2所示的有机EL显示装置的显示面板，示出图2的B-B截面上的结构中的、边框区域中的结构的变形例的概略图。

图15是关于图2所示的有机EL显示装置的显示面板，示出图2的B-B截面上的结构中的、边框区域中的结构的变形例的概略图。

图16是关于图2所示的有机EL显示装置的显示面板，示出图2的B-B截面上的结构中的、边框区域中的结构的变形例的概略图。

附图标记说明

2有机EL显示装置、4像素阵列部、6 OLED、8像素电路、10开关TFT、12驱动TFT、14电容、20扫描线驱动电路、22视频线驱动电路、24驱动电源电路、26控制装置、28扫描信号线、30视频信号线、32驱动电源线、40显示面板、42显示区域、44边框区域、46端子区域、48弯折区域、50驱动IC、52 FPC、70基板、72TFT、74电路层、76 LS膜、78底涂层、80半导体区域、82栅极绝缘膜、84栅电极、86层间绝缘层、88a源电极、88b漏电极、90导电层、92平坦化膜、94钝化膜、96隔堤、98遮蔽膜、100下部电极、102有机发光层、104上部电极、106无机材料膜、108封固层、110第1无机封固膜、112有机封固膜、114第2无机封固膜、116引绕布线。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的各实施方式进行说明。需要说明的是，本公开只不过是一例，本领域技术人员保持发明主旨的适当变更及容易想到的技术方案当然包含在本发明的范围内。另外，为了使说明更加明确，附图中各部分的宽度、厚度、形状等存在与实际的方式相比示意性表示的情况，但只不过是一例，并非对本发明的解释加以限定。另外，在本说明书和各附图中，存在对与关于已有附图在前说明的要素相同的要素标注同一附图标记并适当省略详细的情况。

此外，在本发明的详细说明中，在规定某个构成物与其他构成物的位置关系时，“在……上”“在……下”不仅是指位于某个构成物的紧上方或紧下方的情况，只要没有特别说明，也包含在中间还夹设其他构成物的情况。

[1.有机EL显示装置2的构成]

图1是以有机EL显示装置为例示出本发明一实施方式的显示装置的概略构成的示意图。有机EL显示装置2具备显示图像的像素阵列部4和驱动像素阵列部4的驱动部。有机EL显示装置2在基板上形成薄膜晶体管(TFT)、有机发光二极管(OLED)等层叠结构而构成。需要说明的是，图1中示出的概略图为一例，本实施方式并非限定于此。

在像素阵列部4中，各自具有OLED6及像素电路8的像素配置为矩阵状。像素电路8由多个TFT10、12、电容14构成。

上述驱动部包含扫描线驱动电路20、视频线驱动电路22、驱动电源电路24及控制装置26，其对像素电路8进行驱动、控制OLED6的发光。

扫描线驱动电路20与针对像素的水平方向的每个排列(像素行)设置的扫描信号线28连接。扫描线驱动电路20对应于从控制装置26输入的定时信号依次选择扫描信号线28，对所选择的扫描信号线28施加使开关TFT10导通(ON)的电压。

视频线驱动电路22与针对像素的垂直方向的每个排列(像素列)设置的视频信号线30连接。视频线驱动电路22从控制装置26被输入视频信号，对应于扫描线驱动电路20进行的扫描信号线28的选择，向各视频信号线30输出与所选择的像素行的视频信号对应的电压。该电压在所选择的像素行中经由开关TFT10写入电容14。驱动TFT12向OLED6供给与所写入的电压对应的电流。由此，与所选择的扫描信号线28对应的像素的OLED6发光。

驱动电源电路24与针对各像素列设置的驱动电源线32连接，经由驱动电源线32及所选择的像素行的驱动TFT12以向OLED6供给电流。需要说明的是，驱动电源线32在图1中针对每个像素列设置，但也可以针对每个像素行设置，此外也可以针对像素列和像素行二者设置。

在此，OLED6的下部电极100与驱动TFT12连接。另一方面，各OLED6的上部电极104由针对全部像素的OLED6而共用的电极构成。在使下部电极100构成为阳极(anode)的情况下被输入高电位，上部电极104变为阴极(cathode)而被输入低电位。在使下部电极100构成为阴极(cathode)的情况下被输入低电位，上部电极104变为阳极(anode)而被输入高电位。

图2是示出图1所示的有机EL显示装置2的显示面板的一例的示意性俯视图。在显示面板40的显示区域42中设有图1中示出的像素阵列部4。另外，如上所述，在像素阵列部4中排列有OLED6。上述的构成OLED6的上部电极104针对各像素共用地形成，并覆盖显示区域42整体。在显示区域42的周围设有边框区域44，并设有上述的扫描线驱动电路20、视频线驱动电路22、驱动电源电路24及控制装置26等。

在矩形的显示面板40的边框区域44的一边，设有端子区域46及弯折区域48。在端子区域46及弯折区域48中配置有与显示区域42相连的布线。此外，在端子区域46中搭载构成驱动部的驱动IC50或连接柔性印刷基板(FPC)52。FPC52与控制装置26、其他电路20、22、24等连接、或者在该FPC52上搭载IC。

接下来，参照图3说明有机EL显示装置2具备的显示面板40的结构。图3是示出图2的A-A截面的一例的概略图。该A-A截面主要示出包含构成像素的NchTFT的显示区域42中的截面结构。需要说明的是，在图3中，为了便于观察截面结构，省略一部分层的剖面线。

显示面板40例如具有在基板70之上层叠有电路层74、OLED6及封固层108等而成的结构，其中，在该电路层74中形成有TFT72等，该封固层108对OLED6进行封固。

基板70从进一步提高显示面板40的光透过性的观点出发，非常优选使用在可见光区域中具有光透过性的材料。作为具体例，除了玻璃、石英等以外，能够举出在可见光区域中具有光透过性的聚酰亚胺系树脂(以下记为聚酰亚胺树脂)等。像这样，优选基板70由可见光区域中的光透过性高的材料形成。尤其是，在希望显示面板40具有挠性的情况下，更加优选使用在可见光区域中具有光透过性的聚酰亚胺树脂。

需要说明的是，上述的“在可见光区域中具有光透过性的”聚酰亚胺树脂例如是厚度为10μm时的可见光区域的光透过率为70％以上的材料。此外，上述的光透过率为75％以上的聚酰亚胺树脂更加优选作为基板70使用的材料。

在基板70由聚酰亚胺树脂形成的情况下，例如，通过将聚酰亚胺树脂涂布在未图示的支承基板上来成膜。之后通过将支承基板剥离而对基板70赋予挠性。在此，基板70及对置基板均使用厚度为10μm时的可见光区域的光透过率为70％以上的聚酰亚胺树脂。

在封固层108之上配置有例如保护层(未图示)。在本实施方式中，像素阵列部4为顶部发光结构，由OLED6产生的光向与基板70侧相反的一侧(在图3中为向上)出射。需要说明的是，在将有机EL显示装置2中的彩色化方式设为彩色滤色器方式的情况下，例如，在封固层108与保护层(未图示)之间或对置基板侧配置彩色滤色器。使由OLED6生成的白色光通过该彩色滤色器，从而生成例如红(R)、绿(G)、蓝(B)的光。

在显示区域42的电路层74中形成有上述的像素电路8、扫描信号线28、视频信号线30、驱动电源线32等。驱动部的至少一部分能够作为电路层74在与显示区域42相邻的区域中形成在基板70上。构成驱动部的驱动IC50、FPC52的端子在端子区域46中与电路层74的引出布线116电连接。

如图3所示，在基板70上配置有由无机绝缘材料形成的底涂层78。作为无机绝缘材料，例如使用氮化硅(SiN

在本实施方式中，底涂层78设有氧化硅膜、氮化硅膜、氧化硅膜的三层层叠结构。最下层的氧化硅膜为了提高与基板70的密合性而设置。中层的氮化硅膜作为来自外部的水分及杂质的阻挡膜而设置。最上层的氧化硅膜作为使得氮化硅膜中含有的氢原子不向半导体层侧扩散的阻挡膜设置。该底涂层78并非特别限定于三层层叠结构。既可以进一步具有叠层，也可以设为单层或层叠两层。

需要说明的是，在形成底涂层78时，也可以对应于之后形成TFT72的部位而形成LS膜76。LS膜76能够抑制由来自TFT72的沟道背面的光的侵入等引起的TFT特性的变化。另外，通过使用导电层形成LS膜76并赋予一定电位，从而能够对TFT72赋予背栅极效果。在此，在形成最下层的氧化硅膜后，对应于形成驱动晶体管的部位而使LS膜76形成为岛状。之后，层叠中层的氮化硅膜及最上层的氧化硅膜。像这样，LS膜76以被封入的方式形成于底涂层78，但结构并非限于此。也可以先在基板70上形成LS膜76，然后形成底涂层78。

在显示区域42中，在底涂层78上形成TFT72。作为TFT72以多晶硅TFT为例，在此仅示出NchTFT。但不限于此，也可以同时形成PchTFT。NchTFT具有成为沟道电极及源-漏电极的半导体区域80。半导体区域80例如由多晶硅(p-Si)形成。具体来说，首先在基板70上设置半导体层(p-Si膜)。然后使该半导体层图案化，选择性地保留电路层74中使用的部位。由此形成半导体区域80。

在TFT72的沟道部之上，隔着栅极绝缘膜82配置有栅电极84。栅极绝缘膜82典型地由TEOS形成。在此，作为栅极绝缘膜，此处使用氧化硅膜。栅电极84例如使通过溅射等形成的金属膜图案化而形成。在此，栅电极84使用MoW(1st布线)。栅电极84还形成保持电容线，也用于在多晶硅之间形成保持电容(Cs)。

在栅电极84上以覆盖栅电极84的方式配置有层间绝缘层86。层间绝缘层86以氮化硅膜及氧化硅膜的两层层叠结构设置。在层叠这两层后进行图案化，将与弯折区域48相当的部位的层间绝缘层86除去。进而，通过层间绝缘层86的除去而使底涂层78露出，因此该底涂层78也进行图案化而除去。在将底涂层78除去后，构成基板70的聚酰亚胺树脂露出。另外，此时通过底涂层78的蚀刻而聚酰亚胺树脂的表面的一部分被侵蚀，存在发生膜厚减小的情况。

此时，预先在由底涂层78的端部形成的层差部分及由层间绝缘层86的端部形成的层差部分各自的下层形成布线图案。在接下来的工序中形成的导电层90在横穿上述层差部分时从布线图案上方通过。在此，在底涂层78与层间绝缘层86之间存在栅电极84，在基板70与底涂层78之间存在LS膜76，因此利用这些层形成布线图案。

此外，形成源-漏电极及成为布线的导电层(2nd布线)90。导电层90例如对通过溅射等形成的金属膜进行图案化而形成。在此，采用Ti/Al/Ti的三层层叠结构。使用层间绝缘层86、由与TFT的栅电极同层的导电层形成的电极及由与TFT的源极·漏极布线同层的导电层形成的电极，形成保持电容(Cs)。引绕布线116(在图3至图6中未图示。示于图7至图16)与导电层90电连接，并从基板70的边框区域44延伸至端子区域46。然后，形成连接驱动IC50、FPC52的端子。

需要说明的是，引绕布线116以横穿弯折区域48并到达连接FPC52等的端子的区域的方式形成，因此横穿底涂层78及层间绝缘层86的层差。如上所述，在层差部分形成有由LS膜76形成的布线图案，因此，即使引绕布线116在层差的凹部发生了阶梯式中断，也能够通过与下方的LS膜76接触而维持电连接。

之后，以覆盖TFT72及导电层90的方式，形成平坦化膜92及钝化膜94。平坦化膜92由例如树脂材料形成。需要说明的是，就进一步提高显示面板40的光透过性的观点而言，对于平坦化膜92也与基板70同样地，非常优选使用在可见光区域中具有光透过性的材料。因此，在此，对于平坦化膜92，也使用厚度为10μm时的可见光区域的光透过率为70％以上的聚酰亚胺树脂。

另外，除了上述光透过性高的聚酰亚胺树脂以外，当为具有期望的光透过性的树脂材料时，则作为形成平坦化膜92的材料没有限定。尤其是，感光性丙烯酸树脂等有机材料与通过化学气相沉积(CVD：Chemical Vapor Deposition)法等形成的无机绝缘材料相比因表面的平坦性优异而被广泛使用。

钝化膜94例如由SiN

OLED6包含下部电极100、有机发光层102及上部电极104。OLED6典型地使下部电极100、有机发光层102及上部电极104从基板70侧依次层叠而形成。

在图3所示的TFT72为具有n沟道的驱动TFT12时，下部电极100与TFT72的源电极88a连接。具体来说，在形成上述平坦化膜92后，形成用于将下部电极100与TFT72连接的接触孔，例如，通过使平坦化膜92表面及在接触孔内形成的导电体部图案化，从而针对每个像素形成与TFT72连接的下部电极100。

下部电极100也可以由例如ITO、IZO等透明金属氧化物形成。另外，下部电极100也可以通过将Ag、Al等金属以薄膜形成来设置。但是，就进一步提高显示面板40的光透过性的观点而言，优选下部电极100由ITO、IZO等透明金属氧化物形成。

在上述结构上形成对相邻的第1像素及第2像素进行划分的作为像素区域的隔壁的隔堤96(或者也称为肋)。例如，在形成下部电极100后，在相邻的第1像素及第2像素的边界处形成隔堤96。之后，在由隔堤96包围的像素的有效区域(下部电极100露出的区域)中层叠有机发光层102及上部电极104。

隔堤96从进一步提高显示面板40的光透过性的观点出发，由可见光区域中的光透过性高的材料形成。在此，与基板70及平坦化膜92同样地，使用厚度为10μm时的可见光区域的光透过率为70％以上的聚酰亚胺树脂。

另外，优选隔堤96的端部成为平滑的锥形形状。若开口端成为陡峭的形状，则会发生有机发光层102的覆盖不良。

在隔堤96的锥形形状部位形成遮蔽膜98。遮蔽膜98针对每个相邻的像素设置。具体来说，在隔堤96的第1像素侧的锥形形状部位的至少一部分设有第1遮蔽膜，在隔堤96的第2像素侧的锥形形状部位的至少一部分设置第2遮蔽膜。

遮蔽膜98的功能之一为将有机发光层102中的发光中的沿横向出射的光遮蔽以防止光学混色。因此，遮蔽膜98由可见光区域中的光透过性低于作为隔堤96的材料的上述聚酰亚胺树脂的材料形成。也就是说，与隔堤96相比，遮蔽膜98的可见光区域中的光透过性低。但是，遮蔽膜98并非必须完全遮光。

遮蔽膜98含有例如Al

需要说明的是，平坦化膜92和隔堤96具有借助在两者之间的钝化膜94中设置的开口而接触的部位。该部位为用于使由于形成隔堤96后的热处理等而从平坦化膜92脱离的水分、气体经由隔堤96抽出的开口。

典型地，有机发光层102从阳极侧起依次层叠空穴输送层、发光层及电子输送层而形成。另外，有机发光层102可以具有其他层。作为其他层，例如，能够举出在阳极与发光层之间配置的空穴注入层、电子阻挡层、在阴极与发光层之间配置的电子注入层、空穴阻挡层。有机发光层102可以以遍及多个下部电极100上及隔堤96上的方式连续地形成，也可以如图3所示选择性地形成在各下部电极100上。另外，如前所述，有机发光层102可以具有多个层，也可以使得一部分层以遍及多个下部电极100上及隔堤96上的方式连续地形成，而另一部分层选择性地形成在各下部电极100上。

在形成有机发光层102后，形成上部电极104。上部电极104覆盖有机发光层102及隔堤96。上部电极104形成为在显示区域42中扩展至整体的均匀的膜(所谓的整体膜)。由有机发光层102以及夹着有机发光层102的下部电极100及上部电极104构成发光元件。有机发光层102中包含的发光层通过在下部电极100与上部电极104之间流过的电流而发光。

上部电极104由例如MgAg等金属薄膜。在采用顶部发光结构的有机EL显示装置2中使用金属薄膜的情况下，需要使膜厚减小至光透过的程度。另一方面，在有机EL显示装置2采用底部发光结构的情况下，上部电极104需要形成为反射电极。

在此，由于采用顶部发光结构，因此使MgAg作为使来自有机发光层102的出射光透过程度的薄膜来形成上部电极104。若按照所例示的有机材料层102的形成顺序，则下部电极100成为阳极(anode)，上部电极104成为阴极(cathode)。上部电极104在遍及显示区域42上和在显示区域42附近设置的阴极接触部的范围内形成，并以阴极接触部与下层的导电层90连接。

在形成上部电极104后，形成封固层108。封固层108的功能之一为，通过覆盖隔堤96及有机发光层102而利用封固来防止来自外部的水分浸入。因此，封固层108具有高的阻气性。

封固层108具有依次包含第1无机封固膜110、有机封固膜112及第2无机封固膜114的层叠结构。第1无机封固膜110例如通过使用CVD法形成氮化硅膜而形成。第1无机材料膜110的膜厚例如为1μm左右。有机封固膜112由例如丙烯酸类、环氧类等树脂材料形成。有机封固膜112例如通过固化性树脂组合物以喷墨方式、丝网印刷方式等任意的适当方法涂布，并使所得到的涂布层固化而形成。有机封固膜112的膜厚为例如10μm左右。第2无机封固膜114与第1无机封固膜110同样地，通过使用CVD法形成氮化硅膜而形成。第2无机封固膜114的膜厚为例如1μm左右。

需要说明的是，以密合性提高为目的之一，如图3所示，也可以在上部电极104与第1无机封固膜110之间设置无机材料膜106。无机材料膜106由无机绝缘材料形成。作为无机绝缘材料的例子，能够举出氧化硅(SiO

无机材料膜106的膜厚例如为0.1μm左右。另外，无机材料膜106的膜厚能够设定为第1无机封固膜110的膜厚的例如1/50～1/5。无机材料膜106的表面(配置有第1无机封固膜110的一侧的面)既可以是平滑(膜厚均匀)的，也可以是具备凹凸形状的状态(膜厚不均匀)。通过在表面具备凹凸形状，从而能够增加与第1无机封固膜110的接触面积，以进一步提高密合性。无机材料膜106例如通过CVD法形成。表面具备凹凸形状的无机材料膜106例如隔着网格状的掩膜进行使用CVD法的成膜而形成。在表面的凹凸形状会对显示面板40的显示特性等造成影响的情况等情况下，也可以在包围显示区域42的区域(即边框区域44)中选择性地形成凹凸形状。

通过以上工序制作有机EL显示装置2。也可以根据需要在封固层108上设置盖板玻璃、装饰膜、触摸面板基板等。在该情况下，为了填埋与有机EL显示装置2间的空隙，也可以夹设使用树脂等的填充材料。

[2.遮蔽膜98的配置]

以下，参照图3至图16说明遮蔽膜98的配置。需要说明的是，对于图3至图16中的遮蔽膜98的配置之外的构成，由于采用与上述的显示面板40的构成相同的构成，因此省略说明。另外，在图3至图16中，为了使截面结构易于观察而省略一部分层的剖面线。

[2-1.显示区域42中的遮蔽膜98的配置]

图3至图6分别是关于图2所示的有机EL显示装置2的显示面板40，示出图2的A-A截面上的结构的一例的概略图。如上所述，A-A截面主要示出包含构成像素的NchTFT的显示区域42中的截面结构。以下，参照各图说明显示区域42中的遮蔽膜98的配置。

图3示出将遮蔽膜98仅设置在隔堤96的锥部的结构。在图3中，成为遮蔽膜98与下部电极100相接触的结构。在该情况下，遮蔽膜98不包含上述的金属氧化物粒子等导电性材料，成为不与下部电极100电导通的结构。

需要说明的是，遮蔽膜98并非必须与下部电极100相接触。另外，在遮蔽膜98不与下部电极100直接相接触的情况下，遮蔽膜98也可以形成为含有导电性材料。

此外，遮蔽膜98以覆盖隔堤96的锥部的至少一部分的方式形成即可。也就是说，遮蔽膜98并非必须形成为与隔堤96的锥部全部区域重叠。其中，如图3所示，在遮蔽膜98形成为与隔堤96的锥部全部区域重叠的情况下，与以覆盖隔堤96的锥部的至少一部分的方式形成的情况相比，防止光学混色的可靠性提高。因此，更加优选遮蔽膜98形成为与隔堤96的锥部全部区域重叠。

图4是示出将遮蔽膜98设置在遍及隔堤96的锥部及与下部电极100重叠的区域的范围内的结构。在针对隔堤96使用在可见光区域中具有光透过性的聚酰亚胺树脂的情况下，存在来自显示面板40外部的光(外光)透过隔堤96而对隔堤96正下方(日文：直下)的电极造成影响的可能性。特别是，在下部电极100由光反射性高的金属形成的情况下，外光被反射，存在显示区域42中的显示图像的视觉辨认性降低的可能性。

因此，通过使遮蔽膜98形成在遍及与下部电极100重叠的区域的范围内，从而能够防止对隔堤96正下方的下部电极100造成影响。特别是，在下部电极100由光反射性高的金属形成的情况下，能够防止显示装置中的视觉辨认性降低。因此，优选遮蔽膜98设置在隔堤96的锥部及与下部电极100重叠的区域的至少一部分。另外，更加优选遮蔽膜98连续地设置在遍及隔堤96的锥部及与下部电极100重叠的区域的范围内。

图5是示出遮蔽膜98设置在遍及隔堤96的锥部及与漏电极88b重叠的区域的范围内的结构。对于显示面板40而言，在不仅是隔堤96，且下部电极100也由ITO、IZO等透明金属氧化物形成的情况下，外光从隔堤96及下部电极100中透过。并且，该漏电极88b由例如Ti/Al/Ti等光反射性高的金属形成，因此存在透过的外光被漏电极88b反射的可能性。也就是说，若外光被漏电极88b反射，则存在显示区域42中的显示图像的视觉辨认性降低的可能性。

因此，通过使得遮蔽膜98形成在遍及与漏电极88b重叠的区域的范围内，从而能够防止显示装置中的视觉辨认性降低。因此，优选遮蔽膜98设置在隔堤96的锥部及与漏电极88b重叠的区域的至少一部分。另外，更加优选遮蔽膜98连续地设置在遍及隔堤96的锥部及与漏电极88b重叠的区域的范围内。

图6示出遮蔽膜98以不与下部电极100相接触的方式设置的结构。在图3至图6中的任意情况下，遮蔽膜98均利用以喷墨方式涂布于期望的部位(例如，隔堤96的锥部)等方法来设置。此时，在遮蔽膜98中含有上述金属氧化物粒子等导电性材料的情况下，优选避免因与下部电极100相接触而导通。因此，如图6所示，优选遮蔽膜98的下部电极100侧的端部形成为不与下部电极100相接触的结构。

以上，参照图3至图6，关于显示区域42中的遮蔽膜98的配置说明了多个例子。像这样，遮蔽膜98由可见光区域中的光透过性低于隔堤96的材料形成。另外，在隔堤96的各像素侧的锥部的至少一部分设置遮蔽膜98。

另外，如图3至图6所示，遮蔽膜98未设置为覆盖隔堤96的整个表面。也就是说，隔堤96具有未设置遮蔽膜98而使光透过的透过区域。该透过区域可以位于隔堤96表面中的任意部位，参照图3至图6，优选设置在与下部电极100和/或漏电极88b重叠的区域之外的其他区域。

另外，为了通过隔堤96形成后的热处理等将从平坦化膜92脱离的水分、气体经由隔堤96抽出，更加优选将隔堤96表面的与在平坦化膜92与隔堤96之间的钝化膜94中设置的开口重叠的区域设为透过区域。

以上，如图3至图6各自示出的结构所示，通过针对每个相邻的像素在隔堤96的锥部的至少一部分设置遮蔽膜98，从而能够防止由每个像素的发光中的横向的光引起的光学混色。另外，隔堤96具有未被遮蔽膜98覆盖的光的透过区域，因此能够视觉辨认显示面板40的背后的像。因此，能够提供在隔堤96、基板70中使用透明聚酰亚胺树脂以实现能够视觉辨认背后的像的显示面板40、并且还具有能够防止由发光层的发光引起的光学混色的结构的有机EL显示装置2。

[2-2.显示区域42与边框区域44的边界部分处的遮蔽膜98的配置]

图7至图10分别是关于图2所示的有机EL显示装置2的显示面板40，示出图2的B-B截面上的结构的一例的概略图。B-B截面示出在显示面板40的显示区域42与边框区域44的边界部分处的截面结构。以下，分别参照图7至图10，说明在显示区域42与边框区域44的边界部分形成的隔堤96上设置的遮蔽膜98的配置。

图7示出遮蔽膜98设置在隔堤96的显示区域42侧的结构。需要说明的是，在图7中，遮蔽膜98相比于显示区域42与边框区域44的边界向边框区域44侧延伸。也就是说，遮蔽膜98的不位于隔堤96的锥部的一个端部存在于边框区域44中。

图8示出遮蔽膜98从隔堤96的显示区域42起至边框区域44侧设置的结构。需要说明的是，在图8中，在设有上部电极104和与引出布线116相连的导电层90间的接触孔的部位处，遮蔽膜98的边框区域44侧的端部成为与形成接触孔的布线等不相接触的结构。

图9示出遮蔽膜98从隔堤96的显示区域42起至边框区域44侧设置的结构。需要说明的是，在图9中，遮蔽膜98以覆盖隔堤96的方式设置。在该情况下，优选遮蔽膜98形成为不含有上述的金属氧化物粒子等导电性材料。

图10示出遮蔽膜98从隔堤96的显示区域42起至边框区域44侧设置的结构。需要说明的是，在图10中，遮蔽膜98设置为不仅覆盖隔堤96，还覆盖上部电极104和与引出布线116相连的导电层90间的接触孔的一部分部位。在该情况下，与图9同样地，也优选遮蔽膜98形成为不含有上述的金属氧化物粒子等导电性材料。

以上，如图7至图10各图中示出的结构所示，考虑显示区域42向显示面板40中的比设计上的显示区域42与边框区域44的边界靠外侧偏移的可能性，优选遮蔽膜98的边框区域44侧的端部位于边框区域44内。由此，在制作搭载有显示面板40的有机EL显示装置2的情况下，即使发生了未图示的装饰膜的设置偏移等，也能够防止由外光引起的针对有机EL显示装置2的意外影响。

[2-3.与边框区域44的边界部分处的遮蔽膜98的配置]

图11至图16分别是关于图2所示的有机EL显示装置2的显示面板40，示出图2的B-B截面上的结构中的、在边框区域44中具有PchTFT的情况的一例的概略图。以下，参照各图，说明在设置于边框区域44内的隔堤96上设置的遮蔽膜98的配置。

图11示出遮蔽膜98以从上部电极104的端部起覆盖隔堤96的一部分的方式设置的结构。需要说明的是，在图11中，遮蔽膜98以与上部电极104连接的方式设置，但并非必须与上部电极104相接触。另外，在与上部电极104相接触的情况下，优选形成为不含上述的金属氧化物粒子等导电性材料。

图12示出遮蔽膜98在遍及隔堤96的位于显示面板40的边缘侧的锥部的范围内设置的结构。需要说明的是，在图12中，遮蔽膜98设置为不仅与隔堤96表面相接触，也与钝化膜94以一部分相接触。其中，遮蔽膜98并非必须与钝化膜94相接触，可以成为遮蔽膜98的端部存在于隔堤96的锥部的结构。

图13示出遮蔽膜98设置在隔堤96的位于上部电极104和与引出布线116相连的导电层90间的接触孔侧的锥部及覆盖正下方的导电层90的区域中的结构。需要说明的是，在图13所示的结构中，优选遮蔽膜98形成为不含上述的金属氧化物粒子等导电性材料。

图14示出遮蔽膜98设置在遍及从隔堤96的位于上部电极104和与引出布线116相连的导电层90间的接触孔侧的锥部至隔堤96的位于显示面板40的边缘侧的锥部的范围内的结构。需要说明的是，在图14中，遮蔽膜98以未覆盖隔堤96在显示面板40的边缘侧的整个锥部的方式设置。

图15示出遮蔽膜98设置在遍及从隔堤96的位于上部电极104和与引出布线116相连的导电层90间的接触孔侧的锥部到隔堤96的位于显示面板40的边缘侧的锥部的范围内的结构。需要说明的是，在图15中，遮蔽膜98以覆盖隔堤96的位于显示面板40的边缘侧的整个锥部的方式设置。

图16示出遮蔽膜98设置在遍及从隔堤96的位于上部电极104和与引出布线116相连的导电层90间的接触孔侧的锥部到显示面板40的边缘侧的范围内的结构。需要说明的是，在图16中，遮蔽膜98成为遍及显示面板40的边缘侧的范围连续设置的结构。其中，遮蔽膜98并非必须在遍及显示面板40的边缘的范围内连续设置，可以使端部位于与钝化膜94相接触的区域中的任意位置。另外，与钝化膜94相接触的区域中的遮蔽膜98并非必须设置为连续的膜。

以上，如图11至图16各图中示出的结构所示，考虑显示区域42向显示面板40中比设计上的显示区域42与边框区域44的边界靠外侧偏移的可能性，优选在边框区域44中也设置遮蔽膜98。在边框区域44中设置遮蔽膜98的情况下，即使因装饰膜的设置偏移等而作为非预期的光的外光等进入设计上的边框区域44，也能够防止由该非预期的光产生的针对有机EL显示装置2的意外影响。

本发明不限定于上述实施方式，能够实施多种变形。例如，能够以实质上与上述实施方式中说明的构成相同的构成、能够起到相同作用效果的构成或能够达成同一目的构成来置换。

应认为，本领域技术人员能够在本发明的思想范围内想到各种变更例及修正例，且这些变更例及修正例也属于本发明的范围。例如，本领域技术人员针对上述各实施方式适当地进行构成要素的追加、删除或设计变更得到的方案或进行工序的追加、省略或条件变更得到的方案，只要具备本发明的要旨，则包含在本发明的范围内。