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一种镀膜检测装置、镀膜设备

文献发布时间:2023-06-19 11:50:46


一种镀膜检测装置、镀膜设备

技术领域

本公开涉及镀膜技术领域,尤其涉及一种镀膜检测装置、镀膜设备。

背景技术

真空蒸镀等镀膜工艺被广泛应用于有机发光二极管(Organic Light-EmittingDiode,OLED)显示装置等产品的生产过程中。这些产品中的某些膜层的厚度非常低,通常在几纳米至几百纳米之间,如果厚度异常则可能导致产品的性能异常,所以需要对膜层的厚度进行监测,从而对镀膜过程进行控制,实现对膜层厚度的控制。

现有的膜层厚度检测通常通过QCM(Quartz Crystal Microbalance,石英晶体微天平)实现。镀膜过程中,膜层的材料会沉积在QCM晶振片上,导致QCM晶振片的固有频率改变,根据固有频率变化速率可以确定镀膜速率,进而对镀膜速率进行控制。现有技术中的QCM,在切换到下一个晶振片之后,会出现温度速率的无规则波动,对产品实际膜厚控制造成影响,不利于控制膜厚均一性,并且剧烈波动还可能造成一定时间的宕机。若由晶振片厂商处理该问题,会造成成本上升,而且不能灵活应对蒸镀材料更换。

发明内容

本公开实施例提供一种镀膜检测装置、镀膜设备,以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。

作为本公开实施例的第一个方面,本公开实施例提供一种镀膜检测装置,

包括:

安装架,至少用于设置位于检测位置的第一检测片和位于预处理位置的第二检测片;

检测位置,被配置为使位于检测位置的第一检测片接收膜层材料沉积;

预处理位置,被配置为使位于预处理位置的第二检测片接收预处理,以在第二检测片表面形成预设膜层;

第一驱动机构,与安装架连接,用于驱动安装架运动,以将预处理后的第二检测片由预处理位置输送至检测位置。

在一些可能的实现方式中,装置还包括:

阻挡机构,沿预处理方向设置在预处理位置的前侧,被配置为在预处理阶段位于第一位置,以使位于预处理位置的第二检测片接收预处理,在非预处理阶段位于第二位置以遮挡第二检测片。

在一些可能的实现方式中,沿安装架的周向设置有至少两个用于安装检测片的安装位,其中一个安装位与检测位置相对应,其中一个安装位与预处理位置相对应,第一驱动机构用于驱动安装架旋转,以使各安装位依次与预处理位置相对应、与检测位置相对应。

在一些可能的实现方式中,安装架的横截面呈正多边形,各安装位与安装架的一个侧壁相对应,第一驱动机构被配置为驱动安装件旋转预设角度,以使各安装位依次与预处理位置相对应、与检测位置相对应。

在一些可能的实现方式中,安装架包括至少两个依次连接的本体,安装架还包括与本体相对应的固定板,固定板压设在本体上,安装位为设置在本体和固定板之间且用于安装检测片的容纳槽,固定板开设有用于暴露检测片表面的第一镂空,以使检测片通过第一镂空接收膜层材料沉积或者预处理。

在一些可能的实现方式中,相邻两个本体通过铰接结构连接,至少两个本体通过铰接结构弯折成正多边形。

在一些可能的实现方式中,在安装架上沿直线方向设置有至少两个用于安装检测片的安装位,其中一个安装位与检测位置相对应,其中一个安装位与预处理位置相对应,第一驱动机构用于驱动安装架沿直线方向运动,以使各安装位依次与预处理位置相对应、与检测位置相对应。

在一些可能的实现方式中,镀膜检测装置还包括遮挡板和第二驱动机构,遮挡板沿膜层材料沉积方向位于检测位置的前侧,遮挡板开设有用于使镀膜材料通过的开口,第二驱动机构被配置为驱动遮挡板运动,以使开口周期性地与检测位置或预处理位置相对应。

在一些可能的实现方式中,

第二驱动机构与遮挡板连接,第二驱动机构被配置为驱动遮挡板旋转;或者,

第二驱动机构与遮挡板连接,第二驱动机构被配置为驱动遮挡板沿直线往复运动。

作为本公开实施例的第二方面,本公开实施例提供一种镀膜设备,包括蒸发源以及本公开任一实施例中的镀膜检测装置,检测位置和预处理位置均朝向蒸发源。

本公开实施例的技术方案,在预处理位置的第二检测片(即待使用检测片)接收预处理,并在第二检测片表面形成预设膜层,从而,可以消耗掉第二检测片的前期不稳定状态。在第一检测片失效无法继续检测镀膜速率的情况下,第一驱动机构可以驱动安装架运动,从而将预处理后第二检测片由预处理位置输送至检测位置,并替代先前的第一检测片,进而,可以采用第二检测片来检测镀膜速率。由于第二检测片已经进行了预处理,消耗掉前期不稳定状态,所以,当采用第二检测片来检测镀膜速率时,第二检测片性能稳定,不会出现温度速率的无规则波动,有利于对产品膜厚进行控制,有利于镀膜速率的控制均一性,不会造成宕机,提高了生产效率。

上述概述仅仅是为了说明书的目的,并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外,通过参考附图和以下的详细描述,本公开进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。

附图说明

在附图中,除非另外规定,否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解,这些附图仅描绘了根据本公开的一些实施方式,而不应将其视为是对本公开范围的限制。

图1为本公开一实施例中镀膜检测装置的结构示意图;

图2为本公开一实施例中安装架的一个安装位的结构示意图;

图3为本公开一实施例中安装架的局部示意图;

图4为本公开一实施例中镀膜检测装置的结构示意图;

图5为图4的右视图。

附图标记说明:

11、安装架;111、安装位;112、本体;113、固定板;114、容纳槽;115、第一镂空;116、第二镂空;12、检测片;13、铰接结构;20、第一驱动结构;30、阻挡机构;31、第三驱动机构;32、阻挡板;40、蒸镀遮挡机构;41、遮挡板;411、开口;42、第二驱动机构。

具体实施方式

在下文中,仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样,在不脱离本公开的精神或范围的情况下,可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此,附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。

镀膜检测装置可以应用于镀膜工艺(例如蒸镀工艺)中,在蒸镀工艺中,镀膜检测装置可以采用检测片对膜层厚度进行检测。常用的检测片可以包括QCM晶振片。晶振片的原理是利用石英晶体的逆压电效应,石英晶体在交变电压下以其固有频率振动,该固有频率与石英晶体形状与质量相关,在形成固定情况下,若石英晶体表面有物质吸附,质量的改变会使其固有频率发生改变。

采用检测片监控镀膜工艺中的膜层厚度时,随着镀膜过程的进行,膜层材料会同时沉积在检测片上,随着检测片厚度的增加,其固有频率不断下降。根据固有频率变化速率可以确定镀膜速率,进而可以对镀膜速率进行控制。

应当说明的是,镀膜工艺并不限于蒸镀工艺,镀膜工艺可以采用本领域常规的沉积工艺,例如蒸镀工艺、化学气相沉积等。

对于某些型号的膜层材料,检测片使用前期存在测量不稳定的现象,而使用后期稳定性显著提高。本公开实施例提供一种镀膜检测装置,可以消除检测片使用前期存在的测量不稳定现象,提高生产效率。

图1为本公开一实施例中镀膜检测装置的结构示意图。如图1所示,镀膜检测装置可以包括安装架11、第一驱动机构20、以及检测位置和预处理位置。安装架11至少用于设置位于检测位置的第一检测片12a和位于预处理位置的第二检测片12b。检测位置被配置为使位于检测位置的第一检测片12a接收膜层材料沉积,从而可以根据沉积的膜层材料厚度检测镀膜速率。预处理位置被配置为使位于预处理位置的第二检测片12b接收预处理,以在第二检测片12b表面形成预设膜层。第一驱动机构20可以与安装架11连接,第一驱动机构20用于驱动安装架11运动,以将预处理后的第二检测片12b由预处理位置输送至检测位置。可以理解的是,位于检测位置的检测片称为第一检测片12a,位于预处理位置的检测片称为第二检测片12b,当第一驱动机构20将预处理后的第二检测片12b由预处理位置输送至检测位置后,预处理后的第二检测片12b便替代先前的第一检测片而成为当前的第一检测片12a,来接收膜层材料沉积,以便检测镀膜速率。

本案申请人经过多次验证发现,针对检测片使用前期存在测量不稳定、后期稳定性显著提高的现象,可以对待使用的检测片进行预处理,以在待使用的检测片表面形成预设膜层。对待使用的检测片进行预处理,相当于消耗掉检测片的前期不稳定状态,确保检测片在检测镀膜速率的过程中保持稳定。

本公开实施例的镀膜检测装置,包括预处理位置和第一驱动机构20,在预处理位置的第二检测片12b(即待使用检测片)接收预处理,并在第二检测片12b表面形成预设膜层,从而,可以消耗掉第二检测片12b的前期不稳定状态。在第一检测片12a失效无法继续检测镀膜速率的情况下,第一驱动机构20可以驱动安装架11运动,从而将预处理后第二检测片12b由预处理位置输送至检测位置,并替代先前的第一检测片,进而,可以采用第二检测片12b来检测镀膜速率。由于第二检测片12b已经进行了预处理,消耗掉前期不稳定状态,所以,当采用第二检测片12b来检测镀膜速率时,第二检测片12b性能稳定,不会出现温度速率的无规则波动,有利于对产品膜厚进行控制,有利于镀膜速率的控制均一性,不会造成宕机,提高了生产效率。

可以理解的是,预设膜层的材料和厚度可以根据实际试验确定,例如,在实际生产中,对于存在晶振片在使用前期存在测量不稳定的镀膜材料,可以对晶振片进行预处理,以便在晶振片表面形成该镀膜材料的预设膜层,以消除掉针对该镀膜材料的前期不稳定状态。预设膜层的厚度可以通过实际试验确定,在此不作具体限定。

在如图1所示的状态,第一检测片12a位于检测位置,第二检测片12b位于预处理位置。第一蒸发源可以位于镀膜检测装置的右侧,也就是说,镀膜方向为自右向左,位于检测位置的第一检测片12a朝向蒸发源,使得第一检测片12a可以被镀膜,实现镀膜速率的检测。

在一种实施方式中,可以采用另外的蒸发源例如第二蒸发源进行预处理。在预处理阶段,可以开启第二蒸发源来对位于预处理位置的第二检测片12b进行预处理,在预处理结束后,可以关闭第二蒸发源。在这种方式下,只要预处理位置远离检测位置,或者,可以设置挡板将预处理位置与检测位置隔开,避免第一蒸发源蒸发的材料沉积在第二检测片表面即可。

在一种实施方式中,为了节约资源,预处理可以与镀膜工艺采用同样的蒸发源。镀膜检测装置还可以包括阻挡机构30。阻挡机构30可以沿预处理方向设置在预处理位置的前侧。例如,在图1中,预处理方向自右向左,那么阻挡机构30可以位于预处理位置的右侧。阻挡机构30具有第一位置和第二位置,阻挡机构30被配置为在预处理阶段位于第一位置,以使位于预处理位置的第二检测片12b接收预处理。也就是说,当阻挡机构30位于第一位置的情况下,位于预处理位置的第二检测片12b暴露在蒸发源下,蒸镀材料会在第二检测片12b表面沉积,并形成预设膜层。阻挡机构30还被配置为在非预处理阶段位于第二位置以遮挡第二检测片12b。也就是说,在阻挡机构30位于第二位置的情况下,位于预处理位置的第二检测片12b被阻挡机构30遮挡,蒸镀材料不会在第二检测片12b表面沉积,在图1中,阻挡机构30位于第二位置。

可以理解的是,阻挡机构30沿预处理方向设置在预处理位置的前侧,应当理解为,阻挡机构30可以与预处理方向相垂直,或者阻挡机构30可以与预处理方向呈一定角度,只要阻挡机构30在第一位置时可以使第二检测片12b暴露在蒸发源下,阻挡机构30在第二位置时可以阻挡膜层材料在第二检测片12b沉积即可。

通过设置阻挡机构30,可以不再为预处理设置独立的蒸发源,节省了成本。并且,预处理与镀膜工艺采用同一蒸发源,使得第二检测片12b在检测镀膜速率过程中沉积的膜层与预处理过程中沉积的预设膜层为同一材质,有利于膜层厚度的计算,进而有利于提高第二检测片12b检测镀膜速率的准确性。

在一种实施方式中,阻挡机构30可以包括第三驱动机构31和阻挡板32,阻挡板32与第三驱动机构31连接。示例性地,阻挡板32可以与位于预处理位置的第二检测片12b表面相互平行。在另一个实施例中,阻挡板32可以与预处理方向相互垂直。从而,在非预处理阶段,阻挡板32可以很好地遮挡预处理位置,避免膜层材料沉积在第二检测片12b表面。

在一种实施方式中,第三驱动机构31可以驱动阻挡板32沿直线移动,以形成第一位置和第二位置。在另一个实施方式中,第三驱动机构31可以驱动阻挡板32转动,以形成第一位置和第二位置。第一位置、第二位置以及第三驱动机构31的驱动方式可以根据实际需要设置,只要可以实现在第一位置暴露第二检测片12b、在第二位置遮挡第二检测片12b即可。

在一种实施方式中,如图1所示,沿安装架11的周向设置有至少两个安装位111,其中一个安装位111a与检测位置相对应,其中一个安装位111b与预处理位置相对应。从而,与检测位置相对应的安装位111a可以用来设置第一检测片12a,与预处理位置相对应的安装位111b可以用来设置第二检测片12b。第一驱动机构20用于驱动安装架11旋转,以使各安装位111依次与预处理位置相对应、与检测位置相对应。

示例性地,如图1所示,安装架11的可以呈柱状体,安装架11的横截面可以呈多边形形状,例如,安装架11的横截面可以呈正多边形。安装架11的周向方向均匀分布有多个安装位111,各安装位111可以与安装架11的一个侧壁相对应。每个安装位111可以设置一个检测片。与镀膜方向相垂直且朝向蒸发源的第一安装位111a所在的位置可以为检测位置,位于第一安装位111a下游的第二安装位111b所在的位置可以为预处理位置。可以理解的是,第二安装位111b位于第一安装位111a的下游,那么,第一安装位111a位于第二安装位111b的上游,也就是说,安装架11的运动方向由第二安装位111b朝向第一安装位111a。在安装架11运动时,第一安装位111a相比于第二安装位111b更早进入检测位置,第二安装位111b在第一安装位111a之后进入检测位置。

在安装架11的横截面呈正多边形的情况下,各安装位111可以与安装架11的一侧侧壁相对应,第一驱动机构20可以被配置为驱动安装架11旋转预设角度,以使各安装位111依次与预处理位置相对应、与检测位置相对应。

示例性地,如图1所示,安装架11的横截面可以呈正八边形,安装架11的周向方向均匀分布有八个安装位111。可以理解的是,安装架11的横截面并不限于正八边形,在其它实施例中,安装架11的横截面可以呈正三角形、正方形、正五边形、正六边形等正多边形中的一种。安装架11横截面的形状可以根据实际需要设置。

如图1所示,第一驱动机构20用于驱动安装架11旋转预设角度,以实现各安装位顺序切换至预处理位置和检测位置,从而,位于各个安装位的检测片在进入检测位置之前,均可以经过预处理位置进行预处理,提高了各个安装位的检测片在检测镀膜速率过程中的稳定性和精度。第一驱动机构20驱动安装架111旋转的预设角度可以根据安装架11横截面的形状确定。示例性地,安装架11的横截面呈正n边形,那么,更换下一个检测片时,第一驱动结构20可以驱动安装架11旋转的角度为360°/n。例如,安装架11的横截面呈正八边形,那么,更换下一个检测片时,第一驱动结构20可以驱动安装架11旋转的角度为45°。

对于处于非预处理位置且非检测位置的检测片,为了防止蒸镀材料在这些检测片表面沉积,可以设置遮挡物对这些检测片进行遮挡,或者,可以设置蒸镀罩,蒸镀罩可以位于蒸发源与预处理位置、检测位置之间,从而,蒸发源产生的蒸镀材料通过蒸镀罩可以蒸镀到预处理位置和检测位置。

第一驱动机构20的具体结构可以根据实际需要设置。例如,第一驱动机构20沿安装架11的轴向方向设置,亦即,第一驱动机构20沿垂直于检测方向的方向设置,如图1所示,检测方向可以为自右向左,第一驱动机构20可以沿垂直于纸面的方向设置。第一驱动机构20可以包括动力部件例如电机、与动力部件连接的传动装置、以及用于检测安装架111旋转角度的转速检测装置等。动力部件通过传动装置带动安装架旋转,当转速检测装置检测到安装架旋转预设角度后,动力部件停止工作,实现将预处理后的第二检测片由预处理位置输送至检测位置来接收膜层材料沉积。在其它实施例中,可以采用位置检测装置替换转速检测装置,例如,每个安装位可以设置触发部件,在检测位置可以设置感应部件,在触发部件触发感应部件后,表示下一个检测片已经运动至检测位置,动力部件基于感应部件的信号停止工作,实现将预处理后的第二检测片由预处理位置输送至检测位置。

示例性地,第一驱动机构的具体位置可以根据实际需要设置,例如,第一驱动机构可以设置在安装架的侧部,传动装置可以包括锥齿轮,从而可以改变传动方向,实现第一驱动机构驱动安装架旋转,使安装架围绕安装架的中心轴旋转。

示例性地,第一驱动机构和安装架之间可以设置减震器,以减小转动导致的震动。

图2为本公开一实施例中安装架的一个安装位的结构示意图。如图2所示,安装架11可以包括至少两个依次连接的本体112,安装架11还可以包括与本体112相对应的固定板113。固定板113压设在本体112上。安装位111可以为设置在本体112和固定板113之间的容纳槽114,容纳槽114用于安装检测片。固定板113开设有第一镂空115,检测片表面可以通过第一镂空115暴露,从而,检测片可以通过第一镂空115接收膜层材料沉积或者预处理。这样的结构,可以很好地将检测片设置在安装位111,保证检测片的稳定性。

示例性地,固定板113可以朝向蒸发源方向,本体112可以开设有用于暴露检测片12至少部分表面的第二镂空116,方便检测片电气接线。

为了将固定板113压设在本体112上,可以在本体112上设置螺纹孔,在固定板113上设置光孔,通过螺钉将固定板113安装在本体112上。螺纹孔和光孔的布置可以根据需要设置,可以均匀分布,也可以不对称分布来实现防呆效果。容纳槽114可以设置在本体112上,或者,容纳槽114可以设置在固定板113上,或者,容纳槽114的一部分设置在本体112上,一部分设置在固定板113上,固定板113安装到本体112上后,共同形成容纳槽114。

图3为本公开一实施例中安装架的局部示意图。在一种实施方式中,如图3所示,相邻两个本体131可以通过铰接结构13连接,至少两个本体131通过铰接机构13弯折成正多边形。

可以理解的是,相邻两个主体131可以通过其它方式连接,例如螺纹连接、焊接等,进而形成正多边形。至少两个依次连接的本体还可以为一体结构。

可以理解的是,安装架并不限于多边形形状。在一种实施方式中,安装架可以呈条状体。在安装架上沿直线方向设置有至少两个用于安装检测片的安装位。其中一个安装位与检测位置相对应,其中一个安装位与预处理位置相对应,第一驱动机构用于驱动安装架沿直线方向运动,以使各安装位依次与预处理位置相对应、与检测位置相对应。例如,安装架可以设置8个安装位,每个安装位可以设置一个检测片。与检测位置相对应安装位的第一检测片接收膜层材料沉积,以检测镀膜速率,与预处理位置相对应安装位的第二检测片可以接收预处理,以在第二检测片表面形成预设膜层。在需要更换检测用的检测片时,第一驱动机构驱动安装架沿直线运动,将预处理后的第二检测片由预处理位置输送至检测位置,从而,预处理后的第二检测片替代先前的第一检测片。

图4为本公开一实施例中镀膜检测装置的结构示意图,图5为图4的右视图。在一种实施方式中,如图4和图5所示,镀膜检测装置还可以包括蒸镀遮挡机构40,蒸镀遮挡机构40可以包括遮挡板41和第二驱动机构42。遮挡板41沿膜层材料沉积方向位于检测位置的前侧,也就是说,遮挡板41位于检测位置和蒸发源之间。遮挡板41开设有开口411,开口411用于使镀膜材料通过。第二驱动机构42被配置为驱动遮挡板41运动,以使开口411周期性地与检测位置或预处理位置相对应。在开口411与检测位置对应时,镀膜材料可以通过开口411沉积在位于检测位置的第一检测片12a上;在开口411与预处理位置对应,并且阻挡机构30位于第一位置的情况下,蒸镀材料可以通过开口411沉积在第二检测片12b上,以便对第二检测片12b进行预处理。

示例性地,遮挡板41可以为圆盘形,第二驱动机构42与遮挡板41连接,第二驱动机构42被配置为驱动遮挡板41旋转,例如,第二驱动机构42被配置为驱动遮挡板41围绕遮挡板41的中心旋转,以使开口411周期性地与检测位置或预处理位置相对应。

示例性地,遮挡板41可以为矩形板状,第二驱动机构42与遮挡板41连接,第二驱动机构42被配置为驱动遮挡板41沿直线往复运动,以使开口411周期性地与检测位置或预处理位置相对应。

通过使开口411周期性地与检测位置相对应,从而,镀膜材料周期性地沉积在检测位置的第一检测片12a上,经过试验证明,这种方式可以准确地检测镀膜速率,并且,镀膜材料周期性地沉积在第一检测片12a上而不是持续沉积,可以延长第一检测片的使用寿命。

在一种实施方式中,第二驱动机构42可以设置在遮挡板41的侧部,第二驱动机构42可以包括电机、减速机、连杆、伞齿轮等来实现传动连接,驱动遮挡板41周期性运动。

本公开实施例还提供一种镀膜设备,包括蒸发源以及本公开任一实施例中的镀膜检测装置,检测位置和预处理位置均朝向蒸发源。

在本说明书的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本公开和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本公开的限制。

此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者多个该特征。在本公开的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。

在本公开中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接,还可以是通信;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。

在本公开中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

上文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本公开的不同结构。为了简化本公开,上文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本公开。此外,本公开可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。

以上,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内,可轻易想到其各种变化或替换,这些都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此,本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

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