显示设备

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年7月26日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0098159号韩国专利申请的优先权和利益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

本公开涉及一种显示设备。

背景技术

随着对信息显示的兴趣的增加，正持续地进行显示设备的研究和开发。

发明内容

本公开的一方面旨在提供一种能够使显示面板(特别是光学层)的裂纹(一个或多个裂纹)和剥离现象最小化的显示设备。

方面不限于上述一方面，并且本领域中技术人员将从以下描述中清楚地理解未描述的其它技术方面。

根据实施方式，显示设备可以包括：子像素，设置在显示区域中；虚设像素，设置在非显示区域中；第一堤部，设置在子像素之间的边界处并包括开口；第二堤部，设置在虚设像素之间的边界处并包括开口；颜色转换层，设置在第一堤部的开口中；以及有机层，设置在第二堤部的开口中。

有机层的厚度可以小于第二堤部的厚度。

第二堤部的厚度与有机层的厚度之间的差可以为约5μm或更小。

子像素中的每个可以包括彼此间隔开的第一电极和第二电极、以及在第一电极和第二电极之间的发光元件。

颜色转换层可以设置在发光元件上。

子像素中的每个还可以包括设置在发光元件的第一端上的第一连接电极、以及设置在发光元件的第二端上的第二连接电极。

子像素可以包括发射第一颜色的光的第一像素、发射第二颜色的光的第二像素、以及发射第三颜色的光的第三像素。

颜色转换层可以包括设置在第一像素中的第一颜色转换层、设置在第二像素中的第二颜色转换层、以及设置在第三像素中的散射层。

有机层和散射层可以包括相同的材料。

有机层和散射层可以设置在相同的层上。

第一颜色转换层和第二颜色转换层中的至少一个可以包括基础树脂和分散在基础树脂中的量子点。

显示设备还可以包括设置在非显示区域中的坝部，其中，坝部可以围绕显示区域。

坝部、第一堤部和第二堤部可以包括相同的材料。

显示设备还可以包括设置在非显示区域中的焊盘区域，并且坝部可以设置在虚设像素和焊盘区域之间。

根据实施方式，显示设备可以包括：子像素，设置在显示区域中；虚设像素，设置在非显示区域中；第一堤部，设置在子像素中并包括开口；第二堤部，设置在虚设像素中并包括开口，第二堤部和第一堤部设置在相同的层上；有机层，设置在第二堤部的开口中；以及光学层，设置在有机层上。

显示设备还可以包括设置在光学层上的透光膜。

光学层的折射率可以在约1.1至约1.3的范围内。

虚设像素可以包括第一虚设像素和第二虚设像素，并且光学层可以覆盖第二虚设像素，并且光学层可以暴露第一虚设像素。

第二虚设像素可以设置在子像素和第一虚设像素之间。

显示设备还可以包括设置在有机层和光学层之间的封盖层。

其它实施方式的细节包括在详细描述和附图中。

根据本公开的实施方式，即使进行透光膜的再加工，但是由于可以在虚设像素的第二堤部的开口中设置有机层，因此可以使由于第二堤部引起的台阶差最小化。因此，通过防止由于再加工工艺中较低的台阶差而在光学层中出现裂纹，可以使剥离现象最小化。

根据实施方式的效果不受上述内容的限制，说明书中包括附加的各种效果。

附图说明

通过参考附图更详细地描述本公开的实施方式，本公开的以上和其它特征将变得更加显而易见，在附图中：

图1和图2是示出根据实施方式的发光元件的示意性立体图和剖视图；

图3是示出根据实施方式的显示设备的示意性平面图；

图4是示出根据实施方式的子像素的示意性电路图；

图5和图6是示出根据实施方式的子像素的示意性剖视图；

图7是示出根据实施方式的第一子像素至第三子像素的示意性剖视图；

图8是示出根据实施方式的虚设像素的示意性剖视图；

图9是示出根据实施方式的第一虚设像素至第三虚设像素的示意性剖视图；

图10是示出根据另一实施方式的第一虚设像素至第三虚设像素的示意性剖视图；

图11是示出根据又一实施方式的第一虚设像素至第三虚设像素的示意性剖视图；以及

图12至图19是示出根据实施方式的制造显示设备的方法的每个工艺步骤的示意性剖视图。

具体实施方式

在下文中，将参考附图详细描述本公开的实施方式。参考下面结合附图详细描述的实施方式，本公开的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法将变得显而易见。然而，本公开不限于下面公开的实施方式，并且可以以各种不同的形式来实现。提供实施方式使得本公开将是彻底和完整的，并且使得本公开所属领域中的技术人员可以完全理解本公开的范围。

在说明书中使用的术语用于描述实施方式，而不是旨在限制本公开。在本说明书中，除非另外说明，否则单数形式还包括复数形式(并且反之亦然)。术语“包括”、“具有”、“包含”等不排除对所述组件、步骤、操作和/或元件存在或添加一个或多个其它组件、步骤、操作和/或元件。

在说明书和权利要求书中，术语“和/或”旨在包括术语“和”及“或”的任何组合，以用于其含义和解释的目的。例如，“A和/或B”可以理解为意指“A、B、或A和B”。术语“和”及“或”可以以结合或分开的意义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。

在说明书和权利要求书中，短语“…中的至少一个”旨在包括“选自…的组中的至少一个”的含义，以用于其含义和解释的目的。例如，“A和B中的至少一个”可以理解为意指“A、B、或A和B”。

此外，术语“联接”或“连接”可以共同意指物理和/或电联接或连接。此外，这可以共同意指直接或间接联接或连接以及整体或非整体联接或连接。

其中元件或层被称为在另一元件或层“上”的情况包括其中另一层或另一元件直接设置在所述另一元件上或设置在其它层之间的情况。在整个说明书中，相同的参考标记表示相同的组件。

尽管第一、第二等被用于描述各种组件，但是这些组件不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件和另一组件区分开。因此，下面描述的第一组件可以是第二组件，并且仍然在本公开的精神内。

术语“重叠”或“重叠的”意指第一对象可以在第二对象上方或下方、或者在第二对象的一侧，并且反之亦然。另外，术语“重叠”可以包括层、叠层、面对(face)或面对(facing)、遍及…延伸、覆盖或部分覆盖或如本领域中普通技术人员将理解和领会的任何其它合适的术语。

当元件被描述为与另一元件“不重叠”或“将不重叠”时，这可以包括元件彼此间隔开、彼此偏移、或彼此分开、或如本领域中普通技术人员将理解和领会的任何其它合适的术语。

如本文中所用，“约”或“大致”包括所述值和在如本领域中普通技术人员在考虑所讨论的测量和与特定量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)时所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可以意指在一个或多个标准偏差内，或在所述值的±30％、±20％、±10％、±5％内。

除非另外限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域中的普通技术人员所通常理解的相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在常用词典中限定的术语)应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且将不会被解释为理想化的或过于正式的含义，除非在本文中明确地如此限定。

图1和图2是示出根据实施方式的发光元件的示意性立体图和剖视图。图1和图2示出了柱形状的发光元件LD，但是发光元件LD的类型和/或形状不限于此。

参考图1和图2，发光元件LD可以包括第一半导体层11、有源层12、第二半导体层13和/或电极层14。

发光元件LD可以形成为沿着一方向延伸的柱形状。发光元件LD可以具有第一端EP1和第二端EP2。第一半导体层11和第二半导体层13中的一个可以设置在发光元件LD的第一端EP1处。第一半导体层11和第二半导体层13中的另一个可以设置在发光元件LD的第二端EP2处。例如，第一半导体层11可以设置在发光元件LD的第一端EP1处，并且第二半导体层13可以设置在发光元件LD的第二端EP2处。

根据实施方式，发光元件LD可以是通过蚀刻方法等制造成柱形状的发光元件。在本说明书中，柱形状包括其纵横比可以大于约1的杆状形状或棒状形状，诸如圆形柱或多边形柱，并且其剖面的形状不受限制。

发光元件LD可以具有小至纳米级至微米级范围的尺寸。例如，每个发光元件LD可以具有纳米级至微米级范围的直径D(或宽度)和/或长度L。然而，发光元件LD的尺寸不限于此，并且发光元件LD的尺寸可以根据使用发光设备(使用发光元件LD作为光源)的各种设备(例如，显示设备等)的设计条件而不同地改变。

第一半导体层11可以是第一导电类型的半导体层。例如，第一半导体层11可以包括p型半导体层。例如，第一半导体层11可以包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN和AlN中的至少一种半导体材料，并且可以包括掺杂有诸如Mg的第一导电类型掺杂剂的p型半导体层。然而，构成第一半导体层11的材料不限于此，并且各种其它材料可以构成第一半导体层11。

有源层12可以设置在第一半导体层11和第二半导体层13之间。有源层12可以包括单阱结构、多阱结构、单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构和量子线结构中的任一种，但不限于此。有源层12可以包括GaN、InGaN、InAlGaN、AlGaN或AlN，并且各种其它材料可以构成有源层12。

在将等于或大于阈值电压的电压施加到发光元件LD的两端的情况下，电子-空穴对可以在有源层12中结合，并且因此发光元件LD发射光。通过使用这种原理控制发光元件LD的发射，发光元件LD可以用作包括显示设备的像素的各种发光设备的光源。

第二半导体层13可以设置在有源层12上，并且可以包括与第一半导体层11的类型不同的类型的半导体层。第二半导体层13可以包括n型半导体层。例如，第二半导体层13可以包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN和AlN中的至少一种半导体材料，并且可以包括掺杂有诸如磷、Si、Ge和Sn的第二导电类型掺杂剂的n型半导体层。然而，构成第二半导体层13的材料不限于此，并且第二半导体层13可以由各种其它材料构成。

电极层14可以设置在发光元件LD的第一端EP1和/或第二端EP2上。图2示出了其中电极层14可以形成在第一半导体层11上的情况，但是本公开不限于此。例如，第二半导体层13上还可以设置单独的接触电极。

电极层14可以包括透明金属或透明金属氧化物。例如，电极层14可以包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)和锌锡氧化物(ZTO)中的至少一种，但不限于此。如上所述，在电极层14由透明金属或透明金属氧化物形成的情况下，在发光元件LD的有源层12中产生的光可以穿过电极层14并且可以被发射到发光元件LD的外部。

绝缘膜INF可以设置在发光元件LD的表面上。绝缘膜INF可以直接设置在第一半导体层11、有源层12、第二半导体层13和/或电极层14的表面上。绝缘膜INF可以暴露发光元件LD的具有不同极性的第一端EP1和第二端EP2。根据实施方式，绝缘膜INF可以暴露电极层14和/或第二半导体层13的与发光元件LD的第一端EP1和第二端EP2相邻的侧部。

绝缘膜INF可以防止在有源层12与除了第一半导体层11和第二半导体层13之外的导电材料接触的情况下可能发生的电短路。绝缘膜INF可以最小化发光元件LD的表面缺陷，从而提高发光元件LD的寿命和发射效率。

绝缘膜INF可以包括硅氧化物(SiO

包括上述发光元件LD的发光设备可以用在需要光源的各种类型的设备中，包括显示设备。例如，多个发光元件LD可以设置在显示面板的每个像素中，并且发光元件LD可以用作每个像素的光源。然而，发光元件LD的应用领域不限于上述示例。例如，发光元件LD也可以用在需要光源的其它类型的设备中，诸如照明设备。

图3是示出根据实施方式的显示设备的示意性平面图。

在图3中，作为可以使用在图1和图2的实施方式中所描述的发光元件LD作为光源的电子设备的示例，示出了显示设备，特别是在显示设备中提供的显示面板PNL。第一方向(X轴方向)可以是显示面板PNL的长边方向，第二方向(Y轴方向)可以是显示面板PNL的短边方向，并且第三方向(Z轴方向)可以是显示面板PNL的厚度方向。

为了便于描述，在图3中，基于显示区域DA简要地示出了显示面板PNL的结构。然而，根据实施方式，显示面板PNL上还可以设置未示出的至少一个驱动电路单元(例如，扫描驱动器和数据驱动器中的至少一个)、线和/或焊盘。

参考图3，显示面板PNL和用于形成显示面板PNL的衬底SUB可以包括显示区域DA和除了显示区域DA之外的非显示区域NDA。显示区域DA可以构成其上可以显示图像的屏幕，并且非显示区域NDA可以是除了显示区域DA之外的区域。

像素单元PXU可以设置在显示区域DA中。像素单元PXU可以包括第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和/或第三子像素PXL3。在下文中，当第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3中的至少一个子像素被任意地提及时，或者当两种或更多种类型的子像素被共同提及时，至少一个子像素或两种或更多种类型的子像素被称为“子像素PXL”或“多个子像素PXL”。

子像素PXL可以根据条纹或

根据实施方式，发射不同颜色的光的两种或更多种类型的子像素PXL可以设置在显示区域DA中。例如，在显示区域DA中，可以布置发射第一颜色的光的第一子像素PXL1、发射第二颜色的光的第二子像素PXL2、以及发射第三颜色的光的第三子像素PXL3。布置成彼此相邻的第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3中的至少一个可以构成能够发射各种颜色的光的一个像素单元PXU。例如，第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3中的每个可以是发射一颜色的光的子像素。根据实施方式，第一子像素PXL1可以是发射红光的红色像素，第二子像素PXL2可以是发射绿光的绿色像素，并且第三子像素PXL3可以是发射蓝光的蓝色像素，但不限于此。

在实施方式中，第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3可以包括发射相同颜色的光的发光元件LD，并且可以包括设置在相应发光元件LD上的不同颜色的颜色转换层和/或滤色器层，以分别发射第一颜色、第二颜色和第三颜色的光。在另一实施方式中，第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3可以包括第一颜色的发光元件LD、第二颜色的发光元件LD和第三颜色的发光元件LD作为光源，以分别发射第一颜色、第二颜色和第三颜色的光。然而，构成每个像素单元PXU的子像素PXL的颜色、类型、数量等不受限制。例如，由每个子像素PXL发射的光的颜色可以不同地改变。

子像素PXL可以包括由控制信号(例如，扫描信号和数据信号)和/或电源(例如，第一电源和第二电源)驱动的至少一个光源。在实施方式中，光源可以包括根据图1和图2的实施方式中的任一个的至少一个发光元件LD，例如，具有小至纳米级至微米级范围的尺寸的超小柱形状的发光元件LD。然而，本公开不限于此，并且可以使用各种类型的发光元件LD作为子像素PXL的光源。

在实施方式中，每个子像素PXL可以配置为有效像素。然而，适用于显示设备的子像素PXL的类型、结构和/或驱动方法不受限制。例如，每个子像素PXL可以配置为各种结构和/或驱动方法的无源或有源发光显示设备的像素。

非显示区域NDA可以设置成与显示区域DA相邻(例如，围绕显示区域DA)。虚设像素DP、焊盘区域PDA和/或坝部DM1和DM2(又可以统称为坝部DM)可以设置在非显示区域NDA中。

可以形成虚设像素DP以使在显示设备的制造工艺期间可能出现的诸如工艺偏差或负载效应的副作用最小化，并且可以形成为围绕子像素PXL以用作一种缓冲区域。

虚设像素DP可以包括第一虚设像素DP1、第二虚设像素DP2和第三虚设像素DP3。在下文中，当第一虚设像素DP1、第二虚设像素DP2和第三虚设像素DP3中的至少一个虚设像素被任意地提及时，或者当两种或更多种类型的虚设像素被共同提及时，至少一个虚设像素或两种或更多种类型的虚设像素可以被称为“虚设像素DP”或“多个虚设像素DP”。

虚设像素DP可以形成为行或列。例如，第一虚设像素DP1、第二虚设像素DP2和第三虚设像素DP3可以设置在相同的行中。第一虚设像素DP1可以是与坝部DM1和DM2相邻的外部虚设像素，第三虚设像素DP3可以是与显示区域DA相邻的内部虚设像素，并且第二虚设像素DP2可以设置在第一虚设像素DP1和第三虚设像素DP3之间。然而，虚设像素DP的排列结构不限于此，并且虚设像素DP可以以各种结构和/或方法布置在非显示区域NDA中。

焊盘部分PD可以设置在焊盘区域PDA中。例如，焊盘部分PD可以连接到驱动电路，诸如安装在电路板上的源极驱动器和时序控制器。在显示面板PNL连接到多个源极驱动器的情况下，焊盘区域PDA可以分别对应于源极驱动器。子像素PXL可以电连接到焊盘部分PD以从源极驱动器接收数据信号。在内置电路单元(例如，栅极驱动器)设置在显示面板PNL中的情况下，内置电路单元可以连接到焊盘部分PD。在图3中，焊盘部分PD(或焊盘区域PDA)可以仅设置在显示面板PNL的下侧上，但本公开不限于此。例如，焊盘部分PD可以设置在显示面板PNL的上侧和下侧中的每个上。

坝部DM1和DM2可以设置在非显示区域NDA中，并且可以设置成围绕显示区域DA。坝部DM1和DM2可以防止有机层、光刻胶等流出和溢出到包括焊盘区域PDA的电路元件上。为此，坝部DM1和DM2可以设置在虚设像素DP和焊盘区域PDA之间。在图3中，示出了其中坝部DM1和DM2可以由第一坝部DM1和第二坝部DM2构成的情况，但是本公开不限于此。

坝部DM1和DM2中的每个可以包括有机材料，诸如丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯(BCB)或其组合。然而，本公开不限于此，并且坝部DM1和DM2中的每个可以包括各种类型的无机材料，包括硅氧化物(SiO

图4是示出根据实施方式的子像素的示意性电路图。

参考图4，子像素PXL可以包括发光单元LSU和像素电路PXC，发光单元LSU用于产生与数据信号对应的亮度的光，像素电路PXC用于驱动发光单元LSU。

发光单元LSU可以包括连接在第一电源VDD和第二电源VSS之间的至少一个发光元件LD。例如，发光单元LSU可以包括通过像素电路PXC和第一电源线PL1连接到第一电源VDD的第一电极ELT1、通过第二电源线PL2连接到第二电源VSS的第二电极ELT2、以及电连接在第一电极ELT1和第二电极ELT2之间的发光元件LD。在实施方式中，第一电极ELT1可以是阳极电极，并且第二电极ELT2可以是阴极电极。

发光元件LD中的每个可以包括通过第一电极ELT1和/或像素电路PXC连接到第一电源VDD的第一端EP1、以及通过第二电极ELT2连接到第二电源VSS的第二端EP2。例如，发光元件LD可以以正向方向连接在第一电极ELT1和第二电极ELT2之间。以正向方向连接在第一电极ELT1和第二电极ELT2之间的每个发光元件LD可以构成相应的有效光源，并且可以收集有效光源以构成子像素PXL的发光单元LSU。

第一电源VDD和第二电源VSS可以具有不同的电势，使得发光元件LD可以发射光。例如，第一电源VDD可以设置为高电势电源，并且第二电源VSS可以设置为低电势电源。在子像素PXL的至少发射周期期间，第一电源VDD和第二电源VSS之间的电势差可以设置为大于或等于发光元件LD的阈值电压。

构成每个发光单元LSU的发光元件LD的一端可以通过发光单元LSU的电极(例如，每个子像素PXL的第一电极ELT1)公共连接到像素电路PXC，并且可以通过像素电路PXC和第一电源线PL1连接到第一电源VDD。发光元件LD的另一端可以通过发光单元LSU的另一电极(例如，每个子像素PXL的第二电极ELT2)和第二电源线PL2公共连接到第二电源VSS。

发光元件LD可以发射具有与通过相应像素电路PXC提供的驱动电流对应的亮度的光。例如，在每个帧周期期间，像素电路PXC可以向发光单元LSU提供与将在相应帧中表示的灰度值对应的驱动电流。提供给发光单元LSU的驱动电流可以被分开，并且流过以正向方向连接的发光元件LD。因此，发光单元LSU可以发射对应于驱动电流的亮度的光，而每个发光元件LD发射具有对应于其中流动的电流的亮度的光。

像素电路PXC可以连接在第一电源VDD和第一电极ELT1之间。像素电路PXC可以连接到相应子像素PXL的扫描线Si和数据线Dj。例如，在子像素PXL设置在显示区域DA的第i(i可以是大于0的自然数)水平线(行)和第j(j可以是大于0的自然数)竖直线(列)上的情况下，像素电路PXC可以连接到显示区域DA的第i扫描线Si和第j数据线Dj。

根据实施方式，像素电路PXC可以包括多个晶体管T1、T2和T3以及至少一个存储电容器Cst。

第一晶体管T1可以连接在第一电源VDD和发光单元LSU之间。例如，第一晶体管T1的第一电极(例如，漏电极)可以连接到第一电源VDD，并且第一晶体管T1的第二电极(例如，源电极)可以连接到第一电极ELT1。第一晶体管T1的栅电极可以连接到第一节点N1。第一晶体管T1可以响应于第一节点N1的电压来控制提供给发光单元LSU的驱动电流。例如，第一晶体管T1可以是控制子像素PXL的驱动电流的驱动晶体管。

在实施方式中，第一晶体管T1还可以包括下部导电层BML(也称为“下部电极”、“背栅电极”或“下部光阻挡层”)。第一晶体管T1的栅电极和下部导电层BML可以彼此重叠，其中绝缘层介于其间。下部导电层BML可以连接到第一晶体管T1的电极，例如源电极或漏电极。

在第一晶体管T1包括下部导电层BML的情况下，在驱动子像素PXL的情况下，可以应用反向偏置技术(或同步技术)，其通过向第一晶体管T1的下部导电层BML施加反向偏置电压而使第一晶体管T1的阈值电压在负方向或正方向上移动。例如，通过将下部导电层BML连接到第一晶体管T1的源电极，通过应用源汇技术，第一晶体管T1的阈值电压可以在负方向或正方向上移动。在下部导电层BML设置在构成第一晶体管T1的沟道的半导体图案之下的情况下，下部导电层BML可以用作光阻挡图案并且可以稳定第一晶体管T1的操作特性。然而，下部导电层BML的功能和/或利用方法不限于此。

第二晶体管T2可以连接在数据线Dj和第一节点N1之间。例如，第二晶体管T2的第一电极可以连接到数据线Dj，并且第二晶体管T2的第二电极可以连接到第一节点N1。第二晶体管T2的栅电极可以连接到扫描线Si。在从扫描线Si提供栅极导通电压(例如，高电平电压)的扫描信号SSi的情况下，第二晶体管T2可以导通，以电连接数据线Dj和第一节点N1。

在每个帧周期中，相应帧的数据信号DSj可以提供给数据线Dj，并且数据信号DSj可以通过在其中可以提供栅极导通电压的扫描信号SSi的周期期间导通的第二晶体管T2传送到第一节点N1。例如，第二晶体管T2可以是用于将每个数据信号DSj传送到子像素PXL的内部的开关晶体管。

第三晶体管T3可以连接在第一晶体管T1和感测线SLj之间。例如，第三晶体管T3的一电极可以连接到第一晶体管T1的连接到第一电极ELT1的第二电极(例如，源电极)，并且第三晶体管T3的另一个电极可以连接到感测线SLj。在感测线SLj被省略的情况下，第三晶体管T3的另一电极可以连接到数据线Dj。

第三晶体管T3的栅电极可以连接到感测控制线SCLi。在感测控制线SCLi被省略的情况下，第三晶体管T3的栅电极可以连接到扫描线Si。第三晶体管T3可以通过在感测周期期间提供给感测控制线SCLi的栅极导通电压(例如，高电平电压)的感测控制信号SCSi导通，以电连接感测线SLj和第一晶体管T1。

根据实施方式，感测周期可以是其中可以提取设置在显示区域DA中的子像素PXL中的每个的特性(例如，第一晶体管T1的阈值电压等)的周期。在感测周期期间，第一晶体管T1可以通过经由数据线Dj和第二晶体管T2向第一节点N1提供第一晶体管T1可以导通的参考电压或者通过将每个子像素PXL连接到电流源等来导通。第三晶体管T3可以通过向第三晶体管T3提供栅极导通电压的感测控制信号SCSi来导通，以将第一晶体管T1连接到感测线SLj。此后，可以通过感测线SLj获得感测信号SENj，并且可以使用感测信号SENj检测每个子像素PXL的包括第一晶体管T1的阈值电压等的特性。关于每个子像素PXL的特性的信息可以用于转换图像数据，使得可以补偿设置在显示区域DA中的子像素PXL之间的特性偏差。

存储电容器Cst的一电极可以连接到第一晶体管T1的第二电极，并且另一电极可以连接到第一节点N1。存储电容器Cst可以对与在每个帧周期期间提供给第一节点N1的数据信号DSj对应的电压进行充电。

图4示出了其中构成每个发光单元LSU的所有有效光源(即，发光元件LD)可以并联连接的实施方式，但是本公开不限于此。例如，每个子像素PXL的发光单元LSU可以包括至少两级串联结构。构成每个串联级的发光元件可以通过至少一个中间电极彼此串联连接。

在图4中，包括在像素电路PXC中的所有晶体管可以是n型晶体管，但本公开不限于此。例如，第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3中的至少一个可以被改变为p型晶体管。

子像素PXL的结构和驱动方法可以不同地改变。例如，像素电路PXC可以由除了图4中所示的实施方式之外的各种结构和/或驱动方法的像素电路构成。

图5和图6是示出根据实施方式的子像素的示意性剖视图。

图5和图6示出了子像素PXL的发光元件层EL。在图5和图6中，示出了构成图4的像素电路PXC的各种电路元件中的第一晶体管T1(如下文所述，在图5和图6中第一晶体管T1被示出为晶体管T)。当不需要单独指定第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3时，第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3被统称为“晶体管T”。晶体管T的结构、每层的位置等不限于图5和图6中所示的实施方式，并且可以根据实施方式而不同地改变。

参考图5和图6，根据实施方式的子像素PXL的发光元件层EL可以包括电路元件和连接到电路元件的各种线，电路元件包括设置在衬底SUB上的晶体管T。在电路元件上，可以设置构成发光单元LSU的第一电极ELT1和第二电极ELT2(也称为“对准电极”)、发光元件LD和/或第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2。在下文中，当第一电极ELT1和第二电极ELT2被共同提及或至少一个电极被任意地提及时，第一电极ELT1和第二电极ELT2或至少一个电极被称为“多个电极ELT”或“电极ELT”，并且当第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2被共同提及或至少一个连接电极被任意地提及时，第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2或至少一个连接电极被称为“多个连接电极CNE”或“连接电极CNE”。

衬底SUB可以构成基础构件，并且可以是刚性或柔性衬底或膜。例如，衬底SUB可以是由玻璃或钢化玻璃形成的刚性衬底、由塑料或金属材料形成的柔性衬底(或薄膜)、或至少一个层的绝缘层。衬底SUB的材料和/或物理性质不受限制。在实施方式中，衬底SUB可以是基本上透明的。这里，“基本上透明的”可以意指光可以以一透射率或更高的透射率透射。在另一实施方式中，衬底SUB可以是半透明的或不透明的。根据实施方式，衬底SUB可以包括反射材料。

第一导电层C1可以设置在衬底SUB上。第一导电层C1可以包括晶体管T的下部导电层BML以及第一电源导电层PL2a。下部导电层BML和第一电源导电层PL2a可以设置在相同的层上。例如，下部导电层BML和第一电源导电层PL2a可以在相同的工艺中同时形成，但不限于此。第一电源导电层PL2a可以构成参考图4等描述的第二电源线PL2。

第一导电层C1可以配置为由钼(Mo)、铜(Cu)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铟锡氧化物(ITO)中的至少一种或其合金形成的单层或多层。

缓冲层BFL可以设置在第一导电层C1上。缓冲层BFL可以防止杂质扩散到电路元件中。缓冲层BFL可以由单层构成，但是也可以由两层或更多层构成。在缓冲层BFL由多层形成的情况下，每层可以由相同的材料形成或者可以由不同的材料形成。

半导体图案SCP可以设置在缓冲层BFL上。例如，每个半导体图案SCP可以包括可以与第一晶体管电极TE1接触的第一区、可以与第二晶体管电极TE2接触的第二区、以及位于第一区和第二区之间的沟道区。根据实施方式，第一区和第二区中的一个可以是源极区，并且另一个可以是漏极区。

根据实施方式，半导体图案SCP可以由多晶硅、非晶硅、氧化物半导体等或其组合形成。半导体图案SCP的沟道区可以是本征半导体作为其中可以不掺杂杂质的半导体图案。半导体图案SCP的第一区和第二区中的每个可以是其中掺杂有杂质的半导体图案。

栅极绝缘层GI可以设置在缓冲层BFL和半导体图案SCP上。例如，栅极绝缘层GI可以设置在半导体图案SCP和栅电极GE之间。栅极绝缘层GI可以设置在缓冲层BFL和第二电源导电层PL2b之间。栅极绝缘层GI可以配置为单层或多层，并且可以包括各种类型的无机材料，包括硅氧化物(SiO

第二导电层C2可以设置在栅极绝缘层GI上。第二导电层C2可以包括晶体管T的栅电极GE以及第二电源导电层PL2b。栅电极GE和第二电源导电层PL2b可以设置在相同的层上。例如，栅电极GE和第二电源导电层PL2b可以在相同的工艺中同时形成，但不限于此。栅电极GE可以设置成在栅极绝缘层GI上在第三方向(Z轴方向)上与半导体图案SCP重叠。第二电源导电层PL2b可以设置成在栅极绝缘层GI上在第三方向(Z轴方向)上与第一电源导电层PL2a重叠。第二电源导电层PL2b可以与第一电源导电层PL2a一起构成参考图4等描述的第二电源线PL2。

第二导电层C2可以配置为由钛(Ti)、铜(Cu)、铟锡氧化物(ITO)、钼(Mo)、铬(Cr)、金(Au)、镍(Ni)和钕(Nd)中的至少一种或其合金形成的单层或多层。例如，第二导电层C2可以形成为其中钛(Ti)、铜(Cu)和/或铟锡氧化物(ITO)可以顺序地或重复地彼此堆叠的多层。稍后将参考图8和图9对其进行详细描述。

层间绝缘层ILD可以设置在第二导电层C2上。例如，层间绝缘层ILD可以设置在栅电极GE与第一晶体管电极TE1和第二晶体管电极TE2之间。层间绝缘层ILD可以设置在第二电源导电层PL2b和第三电源导电层PL2c之间。

层间绝缘层ILD可以配置为单层或多层，并且可以包括各种类型的无机材料，包括硅氧化物(SiO

第三导电层C3可以设置在层间绝缘层ILD上。第三导电层C3可以包括晶体管T的第一晶体管电极TE1和第二晶体管电极TE2以及第三电源导电层PL2c。第一晶体管电极TE1和第二晶体管电极TE2以及第三电源导电层PL2c可以设置在相同的层上。例如，第一晶体管电极TE1和第二晶体管电极TE2以及第三电源导电层PL2c可以在相同的工艺中同时形成，但不限于此。

第一晶体管电极TE1和第二晶体管电极TE2可以设置在层间绝缘层ILD上。第一晶体管电极TE1和第二晶体管电极TE2可以设置成在第三方向(Z轴方向)上与半导体图案SCP重叠。第一晶体管电极TE1和第二晶体管电极TE2可以电连接到半导体图案SCP。例如，第一晶体管电极TE1可以通过穿过层间绝缘层ILD的接触孔电连接到半导体图案SCP的第一区。第二晶体管电极TE2可以通过穿过层间绝缘层ILD的接触孔电连接到半导体图案SCP的第二区。第二晶体管电极TE2可以通过穿过层间绝缘层ILD和缓冲层BFL的接触孔电连接到下部导电层BML。根据实施方式，第一晶体管电极TE1和第二晶体管电极TE2中的一个可以是源电极，并且另一个可以是漏电极。

第三电源导电层PL2c可以设置成在第三方向(Z轴方向)上与第一电源导电层PL2a和/或第二电源导电层PL2b重叠。第三电源导电层PL2c可以电连接到第一电源导电层PL2a和/或第二电源导电层PL2b。例如，第三电源导电层PL2c可以通过穿过层间绝缘层ILD和缓冲层BFL的接触孔电连接到第一电源导电层PL2a。第三电源导电层PL2c可以通过穿过层间绝缘层ILD的接触孔电连接到第二电源导电层PL2b。第三电源导电层PL2c可以与第一电源导电层PL2a和/或第二电源导电层PL2b一起构成参考图4等描述的第二电源线PL2。

第三导电层C3可以配置为由铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铟锡氧化物(ITO)中的至少一种或其合金形成的单层或多层。

保护层PSV可以设置在第三导电层C3上。保护层PSV可以配置为单层或多层，并且可以包括各种类型的无机材料，包括硅氧化物(SiO

通孔层VIA可以设置在保护层PSV上。通孔层VIA可以由有机材料形成，以较低的台阶差平坦化。例如，通孔层VIA可以包括有机材料，诸如丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯(BCB)或其组合。然而，本公开不限于此，并且通孔层VIA可以包括各种类型的无机材料，包括硅氧化物(SiO

第一堤图案BNP1可以设置在通孔层VIA上。根据实施方式，第一堤图案BNP1可以具有各种形状。在实施方式中，第一堤图案BNP1可以具有在衬底SUB上在第三方向(Z轴方向)上突出的形状。第一堤图案BNP1可以形成为具有相对于衬底SUB以一角度倾斜的倾斜表面。然而，本公开不限于此，并且第一堤图案BNP1可以具有弯曲表面、台阶形状等的侧壁。例如，第一堤图案BNP1可以具有半圆形状、半椭圆形状等的剖面。

设置在第一堤图案BNP1上的电极和绝缘层可以具有对应于第一堤图案BNP1的形状。例如，设置在第一堤图案BNP1上的第一电极ELT1和第二电极ELT2可以包括具有与第一堤图案BNP1的形状对应的形状的倾斜表面或弯曲表面。因此，第一堤图案BNP1可以与设置在第一堤图案BNP1上的第一电极ELT1和第二电极ELT2一起用作反射构件，其通过在前向方向(即，子像素PXL的第三方向(Z轴方向))上引导从发光元件LD发射的光来提高显示面板PNL的发射效率。

第一堤图案BNP1可以包括至少一种有机材料和/或无机材料。例如，第一堤图案BNP1可以包括有机材料，诸如丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯(BCB)或其组合。然而，本公开不限于此，并且第一堤图案BNP1可以包括各种类型的无机材料，包括硅氧化物(SiO

第四导电层C4可以设置在通孔层VIA和第一堤图案BNP1上。第四导电层C4可以包括第一电极ELT1和第二电极ELT2。第一电极ELT1和第二电极ELT2可以设置成在子像素PXL中彼此间隔开。第一电极ELT1和第二电极ELT2可以设置在相同的层上。例如，第一电极ELT1和第二电极ELT2可以在相同的工艺中同时形成，但不限于此。

第一电极ELT1可以通过穿过通孔层VIA和保护层PSV的接触孔电连接到晶体管T的第一晶体管电极TE1。第二电极ELT2可以通过穿过通孔层VIA和保护层PSV的接触孔电连接到第三电源导电层PL2c。

第一电极ELT1和第二电极ELT2可以在发光元件LD的对准步骤中接收对准信号。因此，可以在第一电极ELT1和第二电极ELT2之间形成电场，并且因此提供给子像素PXL中的每个的发光元件LD可以在第一电极ELT1和第二电极ELT2之间对准。

第四导电层C4可以包括至少一种导电材料。例如，第四导电层C4可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钛(Ti)、钼(Mo)和铜(Cu)的各种金属材料中的至少一种金属、或包括该至少一种金属的合金、诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)、锌氧化物(ZnO)、铝锌氧化物(AZO)、镓锌氧化物(GZO)、锌锡氧化物(ZTO)和镓锡氧化物(GTO)的导电氧化物、以及诸如PEDOT的导电聚合物中的至少一种导电材料，但不限于此。

第一绝缘层INS1可以设置在第四导电层C4上。第一绝缘层INS1可以配置为单层或多层，并且可以包括各种类型的无机材料，包括硅氧化物(SiO

第二堤图案BNP2可以设置在第一绝缘层INS1上。第二堤图案BNP2可以形成坝结构，在将发光元件LD提供给子像素PXL中的每个的步骤中，该坝结构分割发光元件LD将提供给其的发射区域。例如，所需类型和/或数量的发光元件油墨可以提供给由第二堤图案BNP2分割的区域。

第二堤图案BNP2可以包括有机材料，诸如丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(BCB)。然而，本公开不限于此，并且第二堤图案BNP2可以包括各种类型的无机材料，包括硅氧化物(SiO

根据实施方式，第二堤图案BNP2可以包括至少一种光阻挡和/或反射材料。因此，可以防止相邻的子像素PXL之间的光泄漏。例如，第二堤图案BNP2可以包括至少一种黑矩阵材料、滤色器材料等。例如，第二堤图案BNP2可以形成为能够阻挡光透射的黑色不透明图案。在实施方式中，可以在第二堤图案BNP2的表面(例如，侧壁)上形成未示出的反射层等，以增加每个子像素PXL的光效率。

发光元件LD可以设置在第一绝缘层INS1上。发光元件LD可以在第一绝缘层INS1上设置在第一电极ELT1和第二电极ELT2之间。发光元件LD可以以分散形式制备在发光元件油墨中，并且可以通过喷墨印刷方法等提供给每个子像素PXL。例如，发光元件LD可以分散在挥发性溶剂中并提供给子像素PXL中的每个。随后，在向第一电极ELT1和第二电极ELT2提供对准信号的情况下，可以在第一电极ELT1和第二电极ELT2之间形成电场，并且因此发光元件LD可以在第一电极ELT1和第二电极ELT2之间对准。在发光元件LD可以被对准之后，溶剂可以通过其它方法蒸发或去除，以将发光元件LD稳定地布置在第一电极ELT1和第二电极ELT2之间。

第二绝缘层INS2可以设置在第一绝缘层INS1和/或发光元件LD上。例如，第二绝缘层INS2可以部分地设置在第一绝缘层INS1和/或发光元件LD上，并且可以暴露发光元件LD的第一端EP1和第二端EP2。在完成发光元件LD的对准之后在发光元件LD上形成第二绝缘层INS2的情况下，可以防止发光元件LD与对准位置分离。稍后将描述的第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以通过在发光元件LD上形成第二绝缘层INS2而稳定地分离。

第二绝缘层INS2可以包括各种类型的无机材料，包括硅氧化物(SiO

第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以分别设置在发光元件LD的由第二绝缘层INS2暴露的第一端EP1和第二端EP2上。第一连接电极CNE1可以直接设置在发光元件LD的第一端EP1上，并且可以与发光元件LD的第一端EP1接触。第二连接电极CNE2可以直接设置在发光元件LD的第二端EP2上，并且可以与发光元件LD的第二端EP2接触。第一连接电极CNE1可以通过穿过第二绝缘层INS2和/或第一绝缘层INS1的接触孔电连接到第一电极ELT1。第二连接电极CNE2可以通过穿过第二绝缘层INS2和/或第一绝缘层INS1的接触孔电连接到第二电极ELT2。

参考图5，第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以设置在相同的层上。例如，第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以由第五导电层C5构成。第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以在相同的工艺中同时形成，但不限于此。

参考图6，第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以设置在不同的层上。例如，第一连接电极CNE1可以由第五导电层C5构成，并且第二连接电极CNE2可以由第六导电层C6构成。第三绝缘层INS3还可以设置在第五导电层C5和第六导电层C6之间。第三绝缘层INS3可以覆盖由第五导电层C5形成的第一连接电极CNE1并暴露发光元件LD的第二端EP2。由第六导电层C6形成的第二连接电极CNE2可以设置在发光元件LD的由第三绝缘层INS3暴露的第二端EP2上。如上所述，在第三绝缘层INS3设置在由不同导电层形成的第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2之间的情况下，由于第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以通过第三绝缘层INS3稳定地分离，因此可以确保发光元件LD的第一端EP1和第二端EP2之间的电稳定性。

第五导电层C5和/或第六导电层C6可以由各种透明导电材料形成。例如，第五导电层C5和/或第六导电层C6可以包括包含铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)、铝锌氧化物(AZO)、镓锌氧化物(GZO)、锌锡氧化物(ZTO)和镓锡氧化物(GTO)的各种透明导电材料中的至少一种，并且可以被实现为基本上透明或半透明的以满足透光率。因此，从发光元件LD的第一端EP1和第二端EP2发射的光可以穿过第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2，并且可以被发射到显示面板PNL的外部。

第三绝缘层INS3可以被配置为单层或多层，并且可以包括各种类型的无机材料，包括硅氧化物(SiO

图7是示出根据实施方式的第一子像素至第三子像素的示意性剖视图。图7示出了设置在参考图5和图6等描述的子像素PXL的发光元件层EL上的第一堤部BNK1、颜色转换层CCL和/或滤色器层CFL。

参考图7，第一堤部BNK1可以设置在第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3的发光元件层EL上。例如，第一堤部BNK1可以设置在第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3之间，并且可以包括与第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3中的每个重叠的开口。第一堤部BNK1的开口可以提供在其中可以设置颜色转换层CCL的空间。

第一堤部BNK1可以包括有机材料，诸如丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯(BCB)或其组合。然而，本公开不限于此，并且第一堤部BNK1可以包括各种类型的无机材料，包括硅氧化物(SiO

根据实施方式，第一堤部BNK1可以包括至少一种光阻挡和/或反射材料。因此，可以防止相邻的子像素PXL之间的光泄漏。例如，第一堤部BNK1可以包括至少一种黑矩阵材料、滤色器材料等。例如，第一堤部BNK1可以由能够阻挡光透射的黑色不透明图案形成。在实施方式中，可以在第一堤部BNK1的表面(例如，侧壁)上形成未示出的反射膜等，以增加每个子像素PXL的光效率。

在实施方式中，第一堤部BNK1在第三方向(Z轴方向)上的厚度TB1可以为约10μm或更大，但不限于此。

颜色转换层CCL可以设置在发光元件层EL上，该发光元件层EL包括在第一堤部BNK1的开口中的发光元件LD。在实施方式中，颜色转换层CCL在第三方向(Z轴方向)上的厚度TC可以与第一堤部BNK1在第三方向(Z轴方向)上的厚度TB1基本上相同。然而，本公开不限于此，并且颜色转换层CCL在第三方向(Z轴方向)上的厚度TC可以形成为小于第一堤部BNK1在第三方向(Z轴方向)上的厚度TB1。

颜色转换层CCL可以包括设置在第一子像素PXL1中的第一颜色转换层CCL1、设置在第二子像素PXL2中的第二颜色转换层CCL2、以及设置在第三子像素PXL3中的散射层LSL。

在实施方式中，第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3可以包括发射相同颜色的光的发光元件LD。例如，第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3可以包括发射第三颜色(或蓝色)的光的发光元件LD。包括颜色转换颗粒的颜色转换层CCL可以设置在第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3中的每个中，以显示全色图像。

第一颜色转换层CCL1可以包括将从发光元件LD发射的第三颜色的光转换为第一颜色的光的第一颜色转换颗粒。例如，第一颜色转换层CCL1可以包括分散在诸如基础树脂的基质材料中的第一量子点QD1。

在实施方式中，在发光元件LD是发射蓝光的蓝色发光元件并且第一子像素PXL1是红色像素的情况下，第一颜色转换层CCL1可以包括将从蓝色发光元件发射的蓝光转换为红光的第一量子点QD1。第一量子点QD1可以吸收蓝光并根据能量跃迁使波长移位以发射红光。在第一子像素PXL1是不同颜色的像素的情况下，第一颜色转换层CCL1可以包括与第一子像素PXL1的颜色对应的第一量子点QD1。

第二颜色转换层CCL2可以包括将从发光元件LD发射的第三颜色的光转换为第二颜色的光的第二颜色转换颗粒。例如，第二颜色转换层CCL2可以包括分散在诸如基础树脂的基质材料中的第二量子点QD2。

在实施方式中，在发光元件LD是发射蓝光的蓝色发光元件并且第二子像素PXL2是绿色像素的情况下，第二颜色转换层CCL2可以包括将从蓝色发光元件发射的蓝光转换为绿光的第二量子点QD2。第二量子点QD2可以吸收蓝光并根据能量跃迁使波长移位以发射绿光。在第二子像素PXL2是不同颜色的像素的情况下，第二颜色转换层CCL2可以包括与第二子像素PXL2的颜色对应的第二量子点QD2。

在实施方式中，第一量子点QD1和第二量子点QD2的吸收系数可以通过允许在可见光区中具有相对短波长的蓝光入射到第一量子点QD1和第二量子点QD2中的每个上来增加。因此，可以提高从第一子像素PXL1和第二子像素PXL2发射的光的效率，并且可以确保优异的颜色再现性。通过使用相同颜色的发光元件LD(例如，蓝色发光元件)构成第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3的发光单元LSU，可以提高显示设备的制造效率。

可以设置散射层LSL以有效地使用从发光元件LD发射的第三颜色(或蓝色)的光。例如，在发光元件LD是发射蓝光的蓝色发光元件并且第三子像素PXL3是蓝色像素的情况下，散射层LSL可以包括至少一种类型的散射体SCT，以便有效地使用从发光元件LD发射的光。

例如，散射层LSL可以包括分散在诸如基础树脂的基质材料中的散射体SCT。例如，散射层LSL可以包括诸如硅土的散射体SCT，但是散射体SCT的构成材料不限于此。散射体SCT可以不仅设置在第三子像素PXL3中，并且也可以选择性地包括在第一颜色转换层CCL1或第二颜色转换层CCL2中。根据实施方式，可以省略散射体SCT以提供由透明聚合物形成的散射层LSL。

第一封盖层CP1可以设置在颜色转换层CCL上。第一封盖层CP1可以遍及第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3设置。第一封盖层CP1可以覆盖颜色转换层CCL。第一封盖层CP1可以防止诸如湿气或空气的杂质从外部渗入并损坏或污染颜色转换层CCL。

第一封盖层CP1可以是无机层，并且可以包括硅氮化物(SiN

光学层OPL可以设置在第一封盖层CP1上。光学层OPL可以遍及第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3设置。

光学层OPL可以用于通过全反射通过使从颜色转换层CCL提供的光再循环来提高光提取效率。为此，与颜色转换层CCL相比，光学层OPL可以具有相对低的折射率。例如，颜色转换层CCL的折射率可以是约1.6至约2.0，并且光学层OPL的折射率可以是约1.1至约1.3，但不限于此。

在实施方式中，能够提高光提取效率的光学层OPL在第三方向(Z轴方向)上的厚度可以为约0.1至约5μm。在其它实施方式中，光学层OPL在第三方向(Z轴方向)上的厚度可以为约0.5至约2.5μm。然而，本公开不限于此，并且光学层OPL的厚度可以在能够提高光提取效率的范围内不同地改变。

根据实施方式，光学层OPL可以包括基础树脂和分散在基础树脂中的中空颗粒。中空颗粒可以包括中空硅土颗粒。在其它实施方式中，中空颗粒可以是由致孔剂形成的孔，但不限于此。光学层OPL可以包括锌氧化物(ZnO)颗粒、二氧化钛(TiO

第二封盖层CP2可以设置在光学层OPL上。第二封盖层CP2可以遍及第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3上设置。第二封盖层CP2可以覆盖光学层OPL。第二封盖层CP2可以防止诸如湿气或空气的杂质从外部渗入并损坏或污染光学层OPL。

第二封盖层CP2可以是无机层，并且可以包括硅氮化物(SiN

平坦化层PL可以设置在第二封盖层CP2上。平坦化层PL可以遍及第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3设置。

平坦化层PL可以包括有机材料，诸如丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯(BCB)或其组合。然而，本公开不限于此，并且平坦化层PL可以包括各种类型的无机材料，包括硅氧化物(SiO

滤色器层CFL可以设置在平坦化层PL上。滤色器层CFL可以包括与每个子像素PXL的颜色相匹配的滤色器CF1、CF2和CF3。由于可以设置与第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3中的每个的颜色相匹配的滤色器CF1、CF2和CF3，因此可以显示全色图像。

滤色器层CFL可以包括设置在第一子像素PXL1中以选择性地透射从第一子像素PXL1发射的光的第一滤色器CF1、设置在第二子像素PXL2中以选择性地透射从第二子像素PXL2发射的光的第二滤色器CF2、以及设置在第三子像素PXL3中以选择性地透射从第三子像素PXL3发射的光的第三滤色器CF3。

在实施方式中，第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以分别是红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器，但不限于此。在下文中，当第一滤色器CF、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中的任一滤色器被提及，或者两种或更多种类型的滤色器被共同提及时，任一滤色器或两种或更多种类型的滤色器被称为“滤色器”或“多个滤色器”。

第一滤色器CF1可以在第三方向(Z轴方向)上与第一子像素PXL1的发光元件层EL(或发光元件LD)和第一颜色转换层CCL1重叠。第一滤色器CF1可以包括选择性地透射第一颜色(或红色)的光的滤色器材料。例如，在第一子像素PXL1是红色像素的情况下，第一滤色器CF1可以包括红色滤色器材料。

第二滤色器CF2可以在第三方向(Z轴方向)上与第二子像素PXL2的发光元件层EL(或发光元件LD)和第二颜色转换层CCL2重叠。第二滤色器CF2可以包括选择性地透射第二颜色(或绿色)的光的滤色器材料。例如，在第二子像素PXL2是绿色像素的情况下，第二滤色器CF2可以包括绿色滤色器材料。

第三滤色器CF3可以在第三方向(Z轴方向)上与第三子像素PXL3的发光元件层EL(或发光元件LD)和散射层LSL重叠。第三滤色器CF3可以包括选择性地透射第三颜色(或蓝色)的光的滤色器材料。例如，在第三子像素PXL3是蓝色像素的情况下，第三滤色器CF3可以包括蓝色滤色器材料。

外涂层OC可以设置在滤色器层CFL上。外涂层OC可以遍及第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3设置。外涂层OC可以覆盖包括滤色器层CFL的下部构件。外涂层OC可以防止湿气或空气渗入上述下部构件中。外涂层OC可以保护上述下部构件免受诸如灰尘的外来物质的影响。

外涂层OC可以包括有机材料，诸如丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯(BCB)或其组合。然而，本公开不限于此，并且外涂层OC可以包括各种类型的无机材料，包括硅氧化物(SiO

透光膜FLM可以设置在外涂层OC上。透光膜FLM可以遍及第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3设置。透光膜FLM可以附接在显示面板PNL的前表面上，以保护显示面板PNL的前表面或使入射在显示面板PNL上的外部光的反射最小化。例如，透光膜FLM可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜、低反射膜、偏振膜和透射率可控膜中的至少一种，但不限于此。

通常，在附接透光膜FLM的工艺中，可能出现诸如气泡、外来物质、抬升和未对准的缺陷。可以执行将透光膜FLM与显示面板PNL的上部分离的工艺(再加工)。在再加工工艺期间，在显示面板PNL的下部构件中存在台阶差的情况下，在光学层OPL等中可能出现裂纹，并且可能出现的问题是，由于光学层OPL的裂纹，显示面板PNL的外部部分(或非显示区域NDA)可能被剥离。因此，在根据实施方式的显示设备中，为了使非显示区域NDA的下部构件(特别是虚设像素DP的第二堤部BNK2(参见图9))之间的台阶差最小化，可以在第二堤部BNK2的开口中形成有机层OL(参见图9)。因此，可以防止在透光膜FLM的再加工工艺期间在光学层OPL等中出现裂纹，从而使剥离现象最小化。稍后参考图9等来描述对其的详细描述。

在下文中，描述显示设备的虚设像素DP。在下面的实施方式中，与已经描述的配置相同的配置由相同的参考标记表示，并且省略或简化重复的描述。

图8是示出根据实施方式的虚设像素的示意性剖视图。图8示出了虚设像素DP的虚设元件层DL。

参考图8，根据实施方式的虚设像素DP的虚设元件层DL与子像素PXL的发光元件层EL不同之处可以在于：可以省略包括晶体管T和/或发光元件LD的各种电路元件。然而，本公开不限于此，并且也在虚设像素DP的情况下，可以如在子像素PXL中一样部分地设置包括晶体管T的各种电路元件，并且可以通过电分离电路元件来形成虚设像素DP，使得可以不向电路元件施加信号。

在图8中，示出了虚设元件层DL包括上述缓冲层BFL、栅极绝缘层GI、层间绝缘层ILD、保护层PSV、通孔层VIA、第一堤图案BNP1、第一电极ELT1和第二电极ELT2、第一绝缘层INS1、第二堤图案BNP2、第二绝缘层INS2和/或第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2的情况，但是本公开不限于此。例如，根据实施方式，可以从虚设元件层DL中省略第一堤图案BNP1、第二堤图案BNP2和/或第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2。

图9是示出根据实施方式的第一虚设像素至第三虚设像素的示意性剖视图。图9示出了设置在参考图8等描述的虚设像素DP的虚设元件层DL上的第二堤部BNK2和/或有机层OL。

参考图9，第二堤部BNK2可以设置在第一虚设像素DP1、第二虚设像素DP2和第三虚设像素DP3的虚设元件层DL上。例如，第二堤部BNK2可以部分地设置在第一虚设像素DP1、第二虚设像素DP2和第三虚设像素DP3之间的边界处。例如，第二堤部BNK2可以包括与第一虚设像素DP1、第二虚设像素DP2和第三虚设像素DP3中的每个重叠的开口。第二堤部BNK2的开口可以提供在其中可以设置有机层OL的空间。

第二堤部BNK2可以包括有机材料，诸如丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯(BCB)或其组合。然而，本公开不限于此，并且第二堤部BNK2可以包括各种类型的无机材料，包括硅氧化物(SiO

在实施方式中，第二堤部BNK2在第三方向(Z轴方向)上的厚度TB2可以为约10μm或更大，但不限于此。

有机层OL可以在第二堤部BNK2的开口中设置在虚设元件层DL上。可以设置有机层OL以使第二堤部BNK2的台阶差最小化。例如，如上所述，在透光膜FLM的再加工工艺期间，在显示面板PNL的下部构件中存在台阶差的情况下，在光学层OPL等中可能出现裂纹，并且可能出现这样的问题：由于光学层OPL的裂纹，显示面板PNL的外部部分(或非显示区域NDA)可能被剥离。因此，在根据实施方式的显示设备中，为了使由于非显示区域NDA的下部构件(特别是虚设像素DP的第二堤部BNK2)引起的台阶差最小化，可以在第二堤部BNK2的开口中形成有机层OL。

在实施方式中，有机层OL在第三方向(Z轴方向)上的厚度TO可以与第二堤部BNK2在第三方向(Z轴方向)上的厚度TB2基本上相同。如上所述，在有机层OL以一厚度形成在第二堤部BNK2的开口中的情况下，由于非显示区域NDA特别是虚设像素DP的第二堤部BNK2而引起的台阶差可以被最小化。因此，可以防止在透光膜FLM的再加工工艺期间在光学层OPL等中出现裂纹，从而使剥离现象最小化。

有机层OL可以包括与上述散射层LSL相同的材料。例如，有机层OL可以在与散射层LSL相同的工艺中同时形成。如上所述，在有机层OL和散射层LSL同时形成的情况下，可以不需要用于向虚设像素DP提供有机层OL的附加工艺，并且因此可以简化显示设备的制造工艺。例如，有机层OL可以包括分散在诸如基础树脂的基质材料中的散射体SCT。例如，有机层OL可以包括诸如硅土的散射体SCT，但是散射体SCT的构成材料不限于此。根据实施方式，可以省略散射体SCT以提供由透明聚合物形成的有机层OL。

第一封盖层CP1可以设置在有机层OL上。第一封盖层CP1可以遍及第一虚设像素DP1、第二虚设像素DP2和第三虚设像素DP3设置。第一封盖层CP1可以覆盖有机层OL。由于参考图7详细描述了第一封盖层CP1，因此省略重复描述。

光学层OPL可以设置在第一封盖层CP1上。光学层OPL可以遍及第一虚设像素DP1、第二虚设像素DP2和第三虚设像素DP3设置。如上所述，由于可以在第二堤部BNK2的开口中设置有机层OL，因此可以使由于非显示区域NDA的下部构件(特别是虚设像素DP的第二堤部BNK2)而引起的台阶差最小化。因此，可以防止在透光膜FLM的再加工工艺期间在光学层OPL中出现裂纹，从而使剥离现象最小化。由于参考图7详细描述了光学层OPL，因此省略重复描述。

第二封盖层CP2可以设置在光学层OPL上。第二封盖层CP2可以遍及第一虚设像素DP1、第二虚设像素DP2和第三虚设像素DP3设置。第二封盖层CP2可以覆盖光学层OPL。由于参考图7详细描述了第二封盖层CP2，因此省略重复描述。

平坦化层PL可以设置在第二封盖层CP2上。平坦化层PL可以遍及第一虚设像素DP1、第二虚设像素DP2和第三虚设像素DP3设置。由于参考图7详细描述了平坦化层PL，因此省略重复描述。

外涂层OC可以设置在平坦化层PL上。外涂层OC可以遍及第一虚设像素DP1、第二虚设像素DP2和第三虚设像素DP3设置。外涂层OC可以覆盖包括平坦化层PL的下部构件。由于参考图7详细描述了外涂层OC，因此省略重复描述。

透光膜FLM可以设置在外涂层OC上。透光膜FLM可以遍及第一虚设像素DP1、第二虚设像素DP2和第三虚设像素DP3设置。透光膜FLM可以附接在显示面板PNL的前表面上，以保护显示面板PNL的前表面或使入射在显示面板PNL上的外部光的反射最小化。由于参考图7详细描述了透光膜FLM，因此省略重复描述。

根据上述实施方式，由于可以在虚设像素DP的第二堤部BNK2的开口中设置有机层OL，因此可以使由于第二堤部BNK2引起的台阶差最小化。因此，可以防止在透光膜FLM的再加工工艺期间在光学层OPL中出现裂纹，从而使剥离现象最小化。

在下文中，描述了另一实施方式。在下面的实施方式中，与已经描述的配置相同的配置由相同的参考标记表示，并且省略或简化重复的描述。

图10是示出根据另一实施方式的第一虚设像素至第三虚设像素的示意性剖视图。

参考图10，实施方式与图1至图9的实施方式的不同之处可以在于：有机层OL在第三方向(Z轴方向)上的厚度TO可以小于第二堤部BNK2在第三方向(Z轴方向)上的厚度TB2。

例如，第二堤部BNK2在第三方向(Z轴方向)上的厚度TB2与有机层OL在第三方向(Z轴方向)上的厚度TO之间的差可以为约5μm或更小。例如，在第二堤部BNK2的台阶差形成为约5μm或更小的情况下，可以防止在透光膜FLM的再加工工艺期间在光学层OPL中出现裂纹，从而使剥离现象最小化。在其它实施方式中，第二堤部BNK2在第三方向(Z轴方向)上的厚度TB2与有机层OL在第三方向(Z轴方向)上的厚度TO之间的差可以为约3μm或更小。例如，在第二堤部BNK2的台阶差形成为约3μm或更小的情况下，可以更有效地防止在透光膜FLM的再加工工艺期间在光学层OPL中出现裂纹，从而使剥离现象最小化。然而，第二堤部BNK2的台阶差不限于此，并且可以在能够防止光学层OPL的裂纹和剥离现象的范围内不同地改变。

第一封盖层CP1可以设置在有机层OL上。第一封盖层CP1可以覆盖第二堤部BNK2的开口的由有机层OL暴露的内壁。由于参考图7和图9详细描述了第一封盖层CP1，因此省略重复描述。

光学层OPL可以设置在第一封盖层CP1上。光学层OPL可以部分地设置在第二堤部BNK2的开口中，以使有机层OL和第二堤部BNK2之间的台阶差平坦化。由于参考图7和图9详细描述了光学层OPL，因此省略重复描述。

图11是示出根据又一实施方式的第一虚设像素至第三虚设像素的示意性剖视图。参考图11，实施方式与图1至图9的实施方式的不同之处可以在于：光学层OPL可以部分地设置在第一虚设像素DP1、第二虚设像素DP2和第三虚设像素DP3中。

例如，光学层OPL可以设置在第二虚设像素DP2和/或第三虚设像素DP3中，并且可以不与可以是外部虚设像素的第一虚设像素DP1重叠。例如，光学层OPL可以覆盖第二虚设像素DP2和/或第三虚设像素DP3，并且可以暴露第一虚设像素DP1。如上所述，在从可以是外部虚设像素的第一虚设像素DP1中省略光学层OPL的情况下，可以防止光学层OPL横跨第一虚设像素DP1的第二堤部BNK2并施加到虚设像素DP的外部。因此，可以防止由于第二堤部BNK2和虚设像素DP的外部之间的台阶差而在光学层OPL中出现裂纹，从而使剥离现象最小化。

在图11中，示出了光学层OPL可以部分地设置在第二虚设像素DP2和/或第三虚设像素DP3中的情况，但是本公开不限于此。根据实施方式，光学层OPL可以设置在第三虚设像素DP3中，并且不仅可以不与可以是外部虚设像素的第一虚设像素DP1重叠，而且可以不与第二虚设像素DP2重叠。在图11中，示出了光学层OPL与第二虚设像素DP2和/或第三虚设像素DP3完全重叠的情况，但本公开不限于此。例如，光学层OPL可以与第二虚设像素DP2和/或第三虚设像素DP3的至少一部分部分地重叠。

第二封盖层CP2可以设置在光学层OPL上，并且平坦化层PL可以设置在第二封盖层CP2上。平坦化层PL可以附加地设置在其中光学层OPL可以在第一虚设像素DP1中被省略的空间中，以使由于光学层OPL引起的台阶差平坦化。

现在描述制造根据上述实施方式的显示设备的方法。

图12至图19是示出根据实施方式的制造显示设备的方法的每个工艺步骤的示意性剖视图。图12至图19是示出制造图7和图9的显示设备的方法的剖视图，并且与图7和图9的组件基本上相同的组件由相同的参考标记表示，并且省略详细的描述。

参考图12，首先，形成第一堤部BNK1和第二堤部BNK2。第一堤部BNK1可以形成在子像素PXL的发光元件层EL上。第二堤部BNK2可以形成在虚设像素DP的虚设元件层DL上。第一堤部BNK1和第二堤部BNK2可以在相同的工艺中同时形成，但不限于此。

第一堤部BNK1可以形成在第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3之间，并且可以包括与第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3中的每个重叠的开口。第二堤部BNK2可以形成在第一虚设像素DP1、第二虚设像素DP2和第三虚设像素DP3之间，并且可以包括与第一虚设像素DP1、第二虚设像素DP2和第三虚设像素DP3中的每个重叠的开口。

由于参考图7和图9详细描述了第一堤部BNK1和第二堤部BNK2，因此省略重复描述。

参考图13，随后，可以形成散射层LSL和有机层OL。

可以在第三子像素PXL3的第一堤部BNK1的开口中形成散射层LSL。可以在第一虚设像素DP1、第二虚设像素DP2和第三虚设像素DP3的第二堤部BNK2的开口中的每个中形成有机层OL。如上所述，由于可以在虚设像素DP的第二堤部BNK2的开口中设置有机层OL，因此可以使由于第二堤部BNK2引起的台阶差最小化。因此，如上所述，可以防止在透光膜FLM的再加工工艺期间在光学层OPL中出现裂纹，从而使剥离现象最小化。

散射层LSL和有机层OL可以在相同的工艺中同时形成。如上所述，在散射层LSL和有机层OL同时形成的情况下，可以不需要用于将有机层OL提供给虚设像素DP的附加工艺，并且因此可以简化显示设备的制造工艺。

由于参考图7和图9详细描述了散射层LSL和有机层OL，因此省略重复描述。

参考图14，随后可以形成第一颜色转换层CCL1。

可以在第一子像素PXL1的第一堤部BNK1的开口中形成第一颜色转换层CCL1。由于参考图7详细描述了第一颜色转换层CCL1，因此省略重复描述。

参考图15，随后可以形成第二颜色转换层CCL2。

可以在第二子像素PXL2的第一堤部BNK1的开口中形成第二颜色转换层CCL2。由于参考图7详细描述了第二颜色转换层CCL2，因此省略重复描述。

在图13至图15中，示出了依次形成散射层LSL、有机层OL、第一颜色转换层CCL1和第二颜色转换层CCL2的情况，但是工艺顺序不限于此，并且可以根据工艺环境和条件而不同地改变。

参考图16，随后，可以形成第一封盖层CP1，并且可以在第一封盖层CP1上形成光学层OPL。可以遍及第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3以及第一虚设像素DP1、第二虚设像素DP2和第三虚设像素DP3形成第一封盖层CP1和光学层OPL。如上所述，即使光学层OPL可以形成在虚设像素DP中，但是由于第二堤部BNK2的台阶差可以通过有机层OL最小化，因此可以防止在如上所述的再加工工艺期间在光学层OPL中出现裂纹。

由于参考图7和图9详细描述了第一封盖层CP1和光学层OPL，因此省略重复描述。

参考图17，随后，可以形成第二封盖层CP2，并且可以在第二封盖层CP2上形成平坦化层PL。可以遍及第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3以及第一虚设像素DP1、第二虚设像素DP2和第三虚设像素DP3形成第二封盖层CP2和平坦化层PL。由于参考图7和图9详细描述了第二封盖层CP2和平坦化层PL，因此省略重复描述。

参考图18，随后，可以形成滤色器层CFL。滤色器层CFL可以包括在第一子像素PXL1中形成的第一滤色器CF1、在第二子像素PXL2中形成的第二滤色器CF2、以及在第三子像素PXL3中形成的第三滤色器CF3。由于参考图7详细描述了滤色器层CFL，因此省略重复描述。

参考图19，随后形成外涂层OC和透光膜FLM，并且因此可以完成图7和图9的显示设备。可以遍及第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3以及第一虚设像素DP1、第二虚设像素DP2和第三虚设像素DP3形成外涂层OC和透光膜FLM。

在实施方式中，即使透光膜FLM可以被再加工，但是由于可以在虚设像素DP的第二堤部BNK2的开口中设置有机层OL而可以使较低的台阶差最小化，因此可以通过防止在再加工工艺期间在光学层OPL中出现裂纹来使剥离现象最小化。

由于参考图7和图9详细描述了外涂层OC和透光膜FLM，因此省略重复描述。

本领域中的技术人员可以理解，在不背离上述实施方式的精神的情况下，可以以修改的形式来实现本公开。因此，所公开的实施方式应该被认为是描述性的而不是限制性的。