一种像素值改善方法

技术领域

本申请涉及半导体器件及制造领域，具体涉及一种像素值改善方法。

背景技术

对于CMOS图像传感器(CMOS Image Sensor，CIS)产品，由于存在Pixel区，因此对于电荷异常敏感，暗电流是Pixel在完全遮黑环境下检测到的电流，在正常情况下，未吸收到光能量时，CIS器件的暗电流很小，但受到金属杂质污染后，由于金属离子携带有电荷，如果在迁移过程中经过光电二极管时，就会导致该像素的暗电流变大，主要原因是金属杂质所具有的能级较高，这些缺陷会形成一个个活性很强的能量带，容易引起热载流子复合的现象，当金属杂质被激活后，暗场电流瞬间变大，容易出现白像素(White Pixel，WP)，通常当像素值(DN)大于64，称为WP。

对于CIS产品，Mo金属污染在PP S/D这一步最为严重，由于荷质比相近，Mo离子无法和BF离子区分，进入Pixel里面形成暗点(Blemish_Fail)，连续的暗点被识别为类似defect的blemish Bin loss(BIN 321)。如图1所示，以55CIS产品为例，当前13DN-30DN(图中点状表示，暗点的一个参数表示)仍然比较严峻。需要新工艺去优化改善，减小暗电流，满足图像传感器的应用需求。

发明内容

本申请提供了一种像素值改善方法，可以解决相关技术中的上述问题。

本申请实施例提供了一种像素值改善方法，所述方法适用于CIS产品，所述方法包括：

进行N/P型源漏极的掺杂离子注入，形成高掺杂浓度的源漏极；

进行所述N/P型源漏极的去胶与清洗；

进行金属硅化物阻挡层的制程，沉积氧化物层；

进行所述源漏极的退火处理，所述掺杂离子激活，所述退火处理的温度降低了预设温度范围。

可选的，所述预设温度范围5～10°。

可选的，所述源漏极的退火温度为1040℃-1045℃。

可选的，所述源漏极的退火时间为220秒。

可选的，所述氧化物层采用化学气相沉积方式进行沉积。

可选的，所述源漏极的退火处理采用尖峰退火处理。

可选的，所述掺杂离子为B元素和BF2元素。

可选的，所述N/P型源漏极的去胶采用干法和湿法方式。

本申请技术方案，至少包括如下优点：

本发明提供了一种像素值改善方法，在不添加以及优化其他工艺基础上，通过适当减小退火处理温度从而减小金属离子扩散，减少热载流子复合现象，减少暗电流，有效暗点现象。

附图说明

为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示意出了55CIS产品的小白点示意图；

图2是本申请一个示例性实施例提供的像素值改善方法的流程图；

图3是图2对应的金属离子溢出变化的示意图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本申请中的9技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。

请参考图2，其示出了本申请一个示意性实施例提供的像素值改善方法的流程示意图，该方法包括：

步骤201，进行N/P型源漏极的掺杂离子注入，形成高掺杂浓度的源漏极。

本发明是在不添加以及优化其他工艺基础上进行的，在进行退火处理之前，工艺简单可参考常规过程进行。

其中，掺杂离子可以为B元素和BF2元素。

步骤202，进行N/P型源漏极的去胶与清洗。

其中去胶采用干法和湿法方式。

步骤203，进行金属硅化物阻挡层的制程，沉积氧化物层。

可选的，氧化物层采用化学气相沉积方式进行沉积。

步骤204，进行源漏极的退火处理，掺杂离子激活，退火处理的温度降低了预设温度范围。

在本发明中，源漏极的退火处理采用尖峰退火处理。

如图3所示，是图2对应的金属离子溢出变化的示意图。在不改变退火温度之前，存在退火温度高、金属表面溢出的现象；在减小预设温度范围的退火温度后，金属离子表面溢出的现象减少。其中，PIN指代为光电二极管，IMP(implant)为离子e注入，PDW为PhotodiodeWELL，DDN表示WELL阱的类型，即Deep Doped N-typed Well，一个深N阱。其中，PDW和DDN实现光生电子的产生和收集。

在一个示例中，预设温度范围5～10°，源漏极的退火温度为1040℃-1045℃，源漏极的退火时间为220秒。

在本发明中，提供了一种像素值改善方法，针对CIS产品，在不添加以及优化其他工艺基础上，通过适当减小退火处理温度从而减小金属离子扩散，减少热载流子复合现象，减少暗电流，有效改善暗点现象。

显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本申请创造的保护范围之中。