一种UNC问题定位方法、装置及其介质

技术领域

本申请涉及存储技术领域，特别是涉及一种UNC问题定位方法、装置及其介质。

背景技术

NAND闪存(闪存的一种)作为固态硬盘(Solid State Disk或Solid State Drive，SSD)中的存储介质，具有容量大、价格低等优点，但是由于其具有很多独有的特性，比如位翻转、读写干扰(Read/Write Disturb)等，在使用中带来了一些挑战。用好NAND闪存需要大量算法支撑，特别是在FW(Fireworks的简称，一种网页制作软件)开发调试阶段，一些算法或NAND闪存的特性处理不好可能就会带来校验错误(UNC)问题，快速识别及处理这些UNC问题的根因至关重要。

目前开发中遇到UNC问题的处理方式一般是检查硬件供电电压的稳定性、功耗有无超标、软件对NAND闪存的初始化及时序配置有没有错误，当这些方面检查都没问题或没有头绪时，对于UNC问题的处理往往陷入僵局，比较被动。

所以，现在本领域的技术人员亟需要一种UNC问题定位方法，提供另一种当出现UNC问题时确定发生原因的方法。

发明内容

本申请的目的是提供一种UNC问题定位方法、装置及其介质，提供另一种当出现UNC问题时确定发生原因的方法。

为解决上述技术问题，本申请提供一种UNC问题定位方法，包括：

获取出现UNC问题的物理区块地址；

根据物理区块地址扫描阈值电压；

根据扫描结果确定对应的阈值电压分布图。

优选的，根据物理区块地址扫描阈值电压包括：

向固态硬盘发送带有物理区块地址的扫描命令，以便于固态硬盘扫描对应物理区块地址的阈值电压并返回扫描结果。

优选的，扫描命令还包括：颗粒类型；

对应的，扫描结果包括：

与颗粒类型对应的电压轴数据；

其中，电压轴数据包括固态硬盘以当前电压轴对应的电压值为中点，以预设步长扫描预设电压偏移范围内的Page数据；不同颗粒类型对应不同数量的电压轴。

优选的，根据扫描结果确定对应的阈值电压分布图包括：

统计每一电压轴数据中、每一Page数据中1的个数或0的个数，以确定各电压轴对应的阈值电压分布图。

优选的，确定各电压轴对应的阈值电压分布图包括：

根据各Page数据的扫描顺序，确定每一Page数据相对于上一扫描得到Page数据的1或0的增量，进而确定各电压轴对应的阈值电压分布图。

优选的，还包括：

将阈值电压分布图发送至显示装置以进行显示。

优选的，还包括：

存储扫描结果。

为解决上述技术问题，本申请还提供一种UNC问题定位装置，包括：

地址获取模块，用于获取出现UNC问题的物理区块地址；

电压扫描模块，用于根据物理区块地址扫描阈值电压；

分布图确定模块，用于根据扫描结果确定对应的阈值电压分布图。

优选的，上述UNC问题定位装置还包括：

显示发送模块，用于将阈值电压分布图发送至显示装置以进行显示。

结果存储模块，用于存储扫描结果。

为解决上述技术问题，本申请还提供一种UNC问题定位装置，包括：

存储器，用于存储计算机程序；

处理器，用于执行计算机程序时实现如上述的UNC问题定位方法的步骤。

为解决上述技术问题，本申请还提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现如上述的UNC问题定位方法的步骤。

本申请提供的一种UNC问题定位方法，通过获取出现UNC问题的NAND闪存的物理区块地址，从而实现对于NAND闪存阈值电压的扫描。由于数据在NAND闪存中是以电荷的形式存储的，故在数据向NAND闪存的写入过程中，会引起对应的电压变化。所以扫描得到的阈值电压分布图一定程度上可以反映NAND闪存的读写情况，进而对判断是否出现UNC问题，以及分析UNC问题出现的原因有所帮助。具体的，由读写干扰所导致的UNC问题和由时序问题或NAND数据传输链路出现异常所导致的UNC问题，其所对应的阈值电压分布情况不同，可通过阈值电压分布图进行判断。因此，当通过上述方法得到NAND闪存的阈值电压分布图之后，可以用于指导相关人员对NAND闪存是否出现异常以及异常原因的判断，提供了区别于现有通过排除法检查NAND闪存所有可能导致UNC问题的故障原因的另一种UNC问题定位方法，并且对于UNC问题定位的效率更高。

本申请提供的UNC问题定位装置、及计算机可读存储介质，与上述方法对应，效果同上。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例，下面将对实施例中所需要使用的附图做简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明提供的一种UNC问题定位方法的流程图；

图2为NAND闪存颗粒类型为SLC的阈值电压分布图；

图3为NAND闪存颗粒类型为MLC的阈值电压分布图；

图4为NAND闪存颗粒类型为TLC的阈值电压分布图；

图5为本发明提供的一种阈值电压扫描方法的流程图；

图6为本发明提供的一种电压轴1对应的阈值电压分布图；

图7为本发明提供的一种电压轴2对应的阈值电压分布图；

图8为本发明提供的一种UNC问题定位装置的结构图；

图9为本发明提供的另一种UNC问题定位装置的结构图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护范围。

本申请的核心是提供一种UNC问题定位方法、装置及其介质。

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步的详细说明。

在目前的固态硬盘的实际生产中，选用合适的存储介质是决定固态硬盘性能的关键因素，NAND闪存凭借其容量大，改写速度快、价格低等优点被广泛地使用在固态硬盘中。但是，如果处理不好NAND闪存的一些独有特性，例如位翻转和Read/Write Disturb，则可能会带来UNC问题。

目前在开发中出现UNC问题时，通常的处理方法即是依次排查可能导致出现UNC问题的各种故障原因，例如：硬件供电电压的稳定性是否良好、功耗有无超标、软件对NAND闪存的初始化以及时序配置是否出错等等。这种通过排查各种可能原因从而定位UNC问题发生原因的方法效率比较低，且当上述可能的故障原因都未检查出问题时容易束手无策，不利于实际固态硬盘的开发。

为解决上述问题，本申请提供一种UNC问题定位方法，如图1所示，包括：

S11：获取出现UNC问题的物理区块地址。

UNC作为硬盘检测中的一种常见错误类型，硬盘检测会返回出现UNC问题的NAND闪存的物理区块地址(Physics Block Address，PBA)，以实现对出现UNC问题硬件设备的定位。

需要说明的是，进行阈值电压扫描的NAND闪存不局限于已经确定出现UNC问题的NAND闪存，也可通过物理区块地址对任意NAND闪存进行阈值电压分布图的确定，实现对其是否出现UNC问题的判断。

S12：根据物理区块地址扫描阈值电压。

S13：根据扫描结果确定对应的阈值电压分布图。

需要说明的是，本申请并未限制实现上述UNC问题定位方法的装置设备的具体形式，可由个人计算机(Personal Computer，PC)等具有一定数据处理能力的设备实现。

NAND闪存内部的存储结构单元是基于金属-氧化层-半导体-场效应晶体管(MOSFET)实现的，与普通场效应晶体管的不同之处在于，NAND闪存使用的MOSFET在栅极(控制栅)与漏极/源极之间存在浮置栅，利用该浮置栅存储数据。

由于这种结构特性，NAND闪存存储数据是通过电荷的形式实现的，存储的电荷的多少，取决于控制栅极所施加的电压。所以，在向NAND闪存中写入数据时，需要施加相应的写入电压，同理，读取数据也需要在栅极施加读取电压。故，对于NAND闪存而言，数据的读写都存在电压的变化(也即阈值电压的变化)。综上所述，NAND闪存的阈值电压分布情况可以在一定程度上反映NAND闪存的读写情况。

为进一步说明上述通过阈值电压分布情况反映NAND闪存的读写情况这一原理，下面对阈值电压和NAND闪存中的存储的数据之间的关系做出说明：

NAND闪存根据颗粒类型可分为不同的种类，常见的颗粒类型有：单层存储单元(Single-Level Cell，SLC)、多层存储单元(Multi-Level Cell，MLC)和三层存储单元(Trinary-Level Cell，TLC)。

不同颗粒类型对应的存储单元可存储不同bit的数据，如SLC可以存储1bit数据(即二进制数据0或1)、MLC可以存储2bit数据(即00、01、10和11)、以及TLC可以存储3bit数据(即000、001、010、011、100、101、110和111)。

对应的，也即SLC对应1个电压轴(V1)，阈值电压分布和数据的对应关系如图2所示，当阈值电压的电压值大于电压轴时(即在电压轴的右侧)，则对应数据“1”，当阈值电压的电压值小于电压轴时(即在电压轴的左侧)，则对应数据“0”；

同理，MLC对应3个电压轴(V1、V2和V3)，如图3所示，3个电压轴将电压分成4个电压范围，每个电压范围分别对应着不同的2bit数据；

TLC对应7个电压轴(V1、V2、V3、V4、V5、V6和V7)，如图4所示，7个电压轴将电压分成8个电压范围，每个电压范围分别对应着不同的3bit数据。

基于上述原理，本申请提供的一种通过检测出现UNC问题的物理区块地址对应的阈值电压分布，从而为运维人员定位UNC问题原因提供指导的方法。

进一步的，对于通过物理区块地址实现对阈值电压的扫描，本实施例提供一种具体的实施方案，步骤S12具体为：

S12：向固态硬盘发送带有物理区块地址的扫描命令，以便于固态硬盘扫描对应物理区块地址的阈值电压并返回扫描结果。

在定位固态硬盘的UNC问题时，需要对固态硬盘进行调试，可使用固态硬盘的串口作为调试接口，通过调试接口向固态硬盘发送调试指令。所以，首先需要在固态硬盘的固件程序中添加对应的扫描接口，然后固态硬盘固件收到扫描命令(例如pba_vth_scan)后执行阈值电压扫描流程。

由上述可知，扫描命令中应包括发生UNC问题的物理区块地址，以便于固态硬盘固件定位需要扫描阈值电压的NAND闪存。进一步的，由于NAND闪存存在不同的颗粒类型，不同颗粒类型又对应不同数量的电压轴，所以进一步的，扫描命令中应还包括：NAND闪存的颗粒类型。

因此，扫描得到的结果也应该是与颗粒类型对应的电压轴数据。由于不同颗粒类型对应不同数量的电压轴，故不同颗粒类型对应的电压轴数据的数量也就不同。

对于固态硬盘扫描阈值电压的过程，如图5所示，一种可能的具体实施方案为：

S21：解析接收到的扫描命令，保存物理区块地址和颗粒类型。

在一种可能的实施方案中，扫描命令由运维人员控制PC发送，相应的NAND闪存的颗粒类型也有运维人员设置，若PC或固态硬盘有扫描NAND闪存颗粒类型的功能，或其中存储有NAND闪存的颗粒类型信息，也可由PC或固态硬盘自身确定，无需运维人员设置。对于NAND闪存的颗粒类型，同样可通过变量区分，例如，0代表颗粒类型为SLC，1代表颗粒类型为MLC，2代表颗粒类型为TLC。

因此，一种完整的扫描命令的实现方式如下：

pba_vth_scan；

其中，unc_addr即需要进行扫描的物理区块地址，nand_type即NAND闪存的颗粒类型。

S22：根据颗粒类型确定需要进行扫描的电压轴数量。

如上述实施例所述，电压轴数量VrefNum为：SLC对应1个电压轴，MLC对应3个电压轴，TLC对应7个电压轴。

S23：依次扫描各个电压轴，获取电压轴数据。

步骤S23由固态硬盘固件实现，其结合实例的具体流程如下：

S231：设置电压轴计数变量ref_idx为0。

即从第一个电压轴开始扫描。

S232：根据预设的电压偏移范围和扫描步长，设置电压轴变量vt_value，并对由电压轴计数变量ref_idx确定的电压轴进行扫描。

在一种可能的实施方案中，电压偏移范围为±64，扫描步长为2，所以即在电压轴±64的范围内，以2为步长进行扫描。相应的，电压轴变量vt_value初始值为-64，每进行一次扫描则变量值加扫描步长，也即+2，直至电压轴变量vt_value的值大于+64，完成一个电压轴的扫描。

在电压轴的扫描过程中，数据的获取通过NAND闪存的读取(read)命令获取，即读取该电压轴对应的Page数据，并保存到双倍速率同步动态随机存储器(DDR)内存中。

NAND闪存读取数据以Page为单位，例如某型号NAND闪存的Page大小为18Kbytes，则Page中1的个数+0的个数＝18*1024*8。

S233：电压轴计数变量ref_idx值加一，返回至步骤步骤S232，直至电压轴计数变量ref_idx等于电压轴数量VrefNum时转至步骤S24。

即ref_idx＝ref_idx+1，表征进行下一个电压轴的扫描，重复步骤S232直至该颗粒类型对应数量的所有电压轴被扫描完毕，进入步骤S234。

S24：将读取的各个电压轴的Page数据作为扫描结果返回。

容易理解的是，步骤S24的扫描结果应返回至实现上述UNC问题定位方法的设备，例如，运维人员通过PC实现上述的UNC问题定位方法，基于此，步骤S24的扫描结果应返回至PC侧。

需要说明的是，上述扫描过程可由固态硬盘的固件实现，相应的，在扫描过程中涉及到的变量和数据也应存储在固态硬盘固件的内存中或其他存储介质中，例如DDR。

在PC侧如上述实施例的方式获取到UNC问题对应的电压轴数据之后，如步骤S13，还需要对数据进行进一步处理以生成便于运维人员查看的阈值电压分布图的形式。在电压轴数据已获取的情况下，本实施例不限制于上述将电压轴数据处理成阈值电压分布图的实现方法，但提供一种优选的实施方案，步骤S13又具体为：

S13：统计每一电压轴数据中、每一Page数据中1的个数或0的个数，以确定各电压轴对应的阈值电压分布图。

由图2、3、4可知，对于不同颗粒类型的NAND闪存而言，其阈值电压与各电压轴的相对关系可表示为二进制数据，那么相应的，在获取Page数据后也可将其转换成阈值电压对于各电压轴的分布情况。

又由上述可知，Page是NAND闪存读取数据的单位，上述示例中Page大小为18Kbytes时，Page中1的个数+0的个数＝18*1024*8，也即，Page中1的个数和0的个数之和是固定的，所以知道1的个数也就知道0的个数，因此上述步骤S13中仅需统计1或0的个数即可。

具体的，本实施例提供一种可能的确定阈值电压分布图的方法，包括：

根据各Page数据的扫描顺序，确定每一Page数据相对于上一扫描得到Page数据的1或0的增量，进而确定各电压轴对应的阈值电压分布图。

进一步的，如上述示例，获取电压轴变量vt_value每移动扫描步长对应的Page数据中0(或1)的增量，可通过下式确定：

Δ0＝zero(vt_value)-zero(vt_value+Vstep)

其中，Δ0表示0的增量，zero()表示对应Page数据中0的个数，vt_value为电压轴变量，Vstep为扫描步长。

进一步的，也即获得了一个关于0的增量数组DataArray：

DataArray＝[[-62,abs(Δ0((vt_value-64)-(vt_value-62)))]，

[-60,abs(Δ0((vt_value-62)-(vt_value-60)))]，

[-58,abs(Δ0((vt_value-60)-(vt_value-58)))]，

……

[60,abs(Δ0((vt_value 60)-(vt_value 62)))]，

[62,abs(Δ0((vt_value 62)-(vt_value 64)))]，

]

其中，abs()表示绝对值。

当获取到关于0的增量数组之后，以电压轴变量作为X轴，以上述关于0的增量数组为Y轴，画出NAND闪存的阈值电压分布图，一种可能的阈值电压分布图如图6所示，中央垂直于X轴的虚线即为电压轴。

需要说明的是，图6仅为一个电压轴(对应于电压轴V1)对应的阈值电压分布图，若NAND闪存的颗粒类型为MLC或TLC，则应还有更多的对应于其他电压轴的阈值电压分布图。示例性的，若NAND闪存的颗粒类型为MLC或TLC，则其对应第二个电压轴(V2)的一种可能的阈值电压分布图如图7所示。对应其他电压轴的阈值电压分布图也是同理，由上述方法可确定，故本实施例在此不做赘述。

进一步的，在获取到NAND闪存的阈值电压分布图后，可通过电压轴两侧的波形状态确定是否出现UNC问题以及定位UNC问题出现原因。

一般情况下，未出现UNC问题的NAND闪存的阈值电压分布图中，电压轴两侧的波形应根据电压轴对称；当出现如图6所示的电压轴一侧波形峰高，另一侧波形峰低的情况，则可以从NAND闪存的数据传输链路以及时序配置的角度考虑故障原因；当出现类似图7所示的图像时，则可从NAND闪存的读干扰(Read Disturb)等独有特性的角度考虑故障原因。

由于Page数据中0和1的个数之和一定，所以当上述确定NAND闪存的阈值电压分布图是以1的增量确定之时，判断NAND闪存是否出现UNC问题以及异常原因的方法与上述同理，本实施例在此不再赘述。

由上述可知，本申请提供的一种UNC问题定位方法，利用NAND闪存实现数据存储的结构特点，基于NAND闪存在进行数据读写时会出现阈值电压的变化，进而通过采集阈值电压确定对应的阈值电压分布图以反映当前NAND闪存的工作情况，进而对NAND闪存是否出现UNC问题以及定位出现UNC问题的原因提供了指导，运维人员无需从众多可能导致UNC问题的原因中一条一条排除，通过阈值电压分布图快速确定出现UNC问题的可能原因，对NAND闪存的UNC问题进行快速诊断和解决，更有利于实际固态硬盘的生产和开发。

此外，在另一可能的实施例中，通过上述方法确定了NAND闪存的阈值电压分布图之后，为便于运维人员查看以确定NAND闪存是否出现UNC问题并确定异常原因，本实施例还提供一种优选的实施方案，上述方法还包括：

S14：将阈值电压分布图发送至显示装置以进行显示。

如上述示例，实现UNC问题定位方法的硬件装置为运维人员的PC，则显示装置也即PC所连接的显示器，将阈值电压分布图通过PC的显示器进行显示，指导运维人员排查NAND闪存的UNC问题。

还需要说明的是，上述以PC连接的显示器为显示阈值电压分布图的显示装置仅为一种较为优选的实施方案，并不对本实施例造成限制，事实上，上述的显示装置还可以设置在运维管理室的显示大屏，或者用于对固态硬盘生产过程全程监控的监控平台等等具有显示功能的装置或系统，运维人员可根据实际需要选择合适的显示装置用于显示阈值电压分布图。

在另一可能的实施例中，在实际固态硬盘的生产和开发中，NAND闪存出现的UNC问题是反复的，对NAND闪存UNC问题的历史数据同样对后续的UNC问题排查具有指导意义，也有助于对上述UNC问题定位方法确定UNC问题原因的准确性进行校验。所以，本实施例在上述实施例的基础上，还提供一种优选的实施方案，上述方法还包括：

S15：存储扫描结果。

存储扫描结果也即存储对得到的物理区块地址进行阈值电压扫描所得到的Page数据。在上述UNC问题定位方法的实施例中，是采用将获取到的Page数据进行处理，最终加工成阈值电压分布图的形式展现给运维人员，方便运维人员直观、快速地确定UNC问题及异常原因。但最能反映NAND闪存工作情况的原始数据仍是扫描得到的Page数据，故本实施例将原始数据进行存储，以备后续确定以及复检UNC问题原因，或者对上述UNC问题定位方法准确性的检验时提供数据支持。

进一步的，除去对扫描结果中的Page数据进行存储，也可对确定的阈值电压分布图进行存储；在存储数据时，可以对应的NAND闪存(或物理区块地址)进行分类存储，在更大范围的，还可以根据所属固态硬盘的不同作为区分，以对存储的历史数据分门别类，方便运维人员在进行调用时可以快速找到所需的历史数据。

本实施例所提供的优选方案，通过将上述确定的阈值电压分布图发送至显示装置进行显示，以方便运维人员直观地查看NAND闪存工作情况，进而对NAND闪存是否出现UNCE问题，以及导致UNC问题的原因进行判断，便于运维工作的开展。此外，在另一实施方案中还将在进行阈值电压扫描时获得的扫描结果原始数据进行保存，以便后续在进行其他相似UNC问题的异常原因分析时、或者对于UNC问题定位的准确性进行考核复检等情况提供数据支持，更好地保障固态硬盘中NAND闪存出现UNC问题的快速排查和解决，有利于固态硬盘的生产和开发。

在上述实施例中，对于一种UNC问题定位方法进行了详细描述，本申请还提供一种UNC问题定位装置对应的实施例。需要说明的是，本申请从两个角度对装置部分的实施例进行描述，一种是基于功能模块的角度，另一种是基于硬件的角度。

基于功能模块的角度，如图8所示，本实施例提供一种UNC问题定位装置，包括：

地址获取模块31，用于获取出现UNC问题的物理区块地址；

电压扫描模块32，用于根据物理区块地址扫描阈值电压；

分布图确定模块33，用于根据扫描结果确定对应的阈值电压分布图。

优选的，上述UNC问题定位装置还包括：

显示发送模块，用于将阈值电压分布图发送至显示装置以进行显示。

结果存储模块，用于存储扫描结果。

由于装置部分的实施例与方法部分的实施例相互对应，因此装置部分的实施例请参见方法部分的实施例的描述，这里暂不赘述。

本实施例所提供的一种UNC问题定位装置，通过地址获取模块获取固态硬盘中出现UNC为的NAND闪存的物理区块地址，以便于电压扫描模块对该NAND闪存进行阈值电压扫描，最后通过分布图确定模块对电压扫描模块得到的扫描结果进行数据处理，生成对应的阈值电压分布图，以直观地反映NAND闪存的读写情况，从而为运维人员确定NAND闪存是否出现UNC问题以及出现异常的原因提供指导。又由于对于不同原因引起的阈值电压分布情况不同，所以根据实际NAND闪存的阈值电压分布图，可快速缩小可能导致UNC问题的原因范围，相比于目前使用的从所有可能原因中一条条检查排除的方案，要大大提高了UNC异常原因的确定效率，更有利于实际实施，也不会因为在几种可能原因的检查中未得到预期结果而束手无策，更好地满足了固态硬盘生产和开发中的实际需求。

图9为本申请另一实施例提供的一种UNC问题定位装置的结构图，如图9所示，一种UNC问题定位装置包括：存储器40，用于存储计算机程序；

处理器41，用于执行计算机程序时实现如上述实施例一种UNC问题定位方法的步骤。

本实施例提供的一种UNC问题定位装置可以包括但不限于智能手机、平板电脑、笔记本电脑或台式电脑等。

其中，处理器41可以包括一个或多个处理核心，比如4核心处理器、8核心处理器等。处理器41可以采用数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、现场可编程门阵列(Field－Programmable Gate Array，FPGA)、可编程逻辑阵列(Programmable LogicArray，PLA)中的至少一种硬件形式来实现。处理器41也可以包括主处理器和协处理器，主处理器是用于对在唤醒状态下的数据进行处理的处理器，也称中央处理器(CentralProcessing Unit，CPU)；协处理器是用于对在待机状态下的数据进行处理的低功耗处理器。在一些实施例中，处理器41可以集成有图像处理器(Graphics Processing Unit，GPU)，GPU用于负责显示屏所需要显示的内容的渲染和绘制。一些实施例中，处理器41还可以包括人工智能(Artificial Intelligence，AI)处理器，该AI处理器用于处理有关机器学习的计算操作。

存储器40可以包括一个或多个计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质可以是非暂态的。存储器40还可包括高速随机存取存储器，以及非易失性存储器，比如一个或多个磁盘存储设备、闪存存储设备。本实施例中，存储器40至少用于存储以下计算机程序401，其中，该计算机程序被处理器41加载并执行之后，能够实现前述任一实施例公开的一种UNC问题定位方法的相关步骤。另外，存储器40所存储的资源还可以包括操作系统402和数据403等，存储方式可以是短暂存储或者永久存储。其中，操作系统402可以包括Windows、Unix、Linux等。数据403可以包括但不限于一种UNC问题定位方法等。

在一些实施例中，一种UNC问题定位装置还可包括有显示屏42、输入输出接口43、通信接口44、电源45以及通信总线46。

本领域技术人员可以理解，图9中示出的结构并不构成对一种UNC问题定位装置的限定，可以包括比图示更多或更少的组件。

本申请实施例提供的一种UNC问题定位装置，包括存储器和处理器，处理器在执行存储器存储的程序时，能够实现如下方法：一种UNC问题定位方法。

本实施例所提供的一种UNC问题定位装置，通过处理器执行保存在存储器中的计算机程序，以实现通过物理区块地址对需要检查的NAND闪存的阈值电压进行扫描，进而确定其阈值电压分布情况，并生成对应的阈值电压分布图，利用NAND闪存实现数据存储的结构特点，便于运维人员根据反映NAND闪存读写情况的阈值电压分布图快速且直观地判别当前NAND闪存是否出现UNC问题以及导致UNC问题的原因。为运维人员提供了指导，使得运维人员无需从众多可能导致UNC问题的原因中一条一条地进行排除，通过阈值电压分布图可以快速地确定出现UNC问题的可能原因，对NAND闪存的UNC问题进行快速诊断和解决，更有利于实际固态硬盘的生产和开发。

最后，本申请还提供一种计算机可读存储介质对应的实施例。计算机可读存储介质上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现如上述方法实施例中记载的步骤。

可以理解的是，如果上述实施例中的方法以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

本实施例所提供的一种计算机可读取存储介质，当其中存储的计算机程序被执行时，可以实现通过物理区块地址对需要检查的NAND闪存的阈值电压进行扫描，进而确定其阈值电压分布情况，并生成对应的阈值电压分布图，利用NAND闪存实现数据存储的结构特点，便于运维人员根据反映NAND闪存读写情况的阈值电压分布图快速且直观地判别当前NAND闪存是否出现UNC问题以及导致UNC问题的原因。为运维人员提供了指导，使得运维人员无需从众多可能导致UNC问题的原因中一条一条地进行排除，通过阈值电压分布图可以快速地确定出现UNC问题的可能原因，对NAND闪存的UNC问题进行快速诊断和解决，更有利于实际固态硬盘的生产和开发。

以上对本申请所提供的一种UNC问题定位方法、装置及其介质进行了详细介绍。说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以对本申请进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本申请权利要求的保护范围内。

还需要说明的是，在本说明书中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。