显示装置和包括显示装置的电子装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2022年5月30日提交到韩国知识产权局的第10-2022-0066348号韩国专利申请的优先权及权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用以其整体并入本文。

技术领域

一个或多个实施方式涉及显示装置和包括显示装置的电子装置。

背景技术

近来，显示装置的用途已多样化。随着显示装置已变得更薄且更轻，它们的使用范围已逐渐扩展。

在显示装置之中，有机发光显示装置具有宽视角、高对比度和快速响应速度的优点，并且因此，有机发光显示装置作为下一代显示装置备受关注。

通常，有机发光显示装置可包括在衬底上面的薄膜晶体管和作为显示元件的有机发光二极管，并且在有机发光二极管自发地发射光时进行操作。有机发光显示装置用作诸如移动电话的小型产品的显示单元，并且用作诸如电视的大型产品的显示单元。

然而，在根据相关技术的显示装置中用作发光元件的显示元件容易受到外部湿气传输的影响。

应理解，本技术背景部分部分地旨在提供对理解技术有用的背景。然而，本技术背景部分也可包括并不是由相关领域的技术人员在本文中所公开的主题的相应有效申请日之前已知或领会的内容的部分的构思、概念或认知。

发明内容

一个或多个实施方式包括具有强烈抵抗显示区域的外部的湿气传输的结构并且具有改善的可靠性的显示装置。

附加方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将通过本描述而显而易见，或者可通过实践本公开的实施方式而习得。

根据一个或多个实施方式，显示装置可包括显示区域和与显示区域相邻的非显示区域；布置在显示区域和非显示区域中的无机绝缘层；布置在显示区域中的显示元件；布置在显示元件上并且包括第一无机封装层、第二无机封装层和布置在第一无机封装层与第二无机封装层之间的有机封装层的薄膜封装层；布置在非显示区域中并且围绕显示区域的坝；以及布置在非显示区域中的无机绝缘层上的电源线，其中电源线的一部分与坝相交，电源线的该部分的边缘被至少一个透明导电材料层覆盖，第一无机封装层延伸到非显示区域，并且第一无机封装层的一部分布置在被至少一个透明导电材料层覆盖的电源线的该部分上。

电源线的该部分的边缘可在坝与衬底的边缘之间被至少一个透明导电材料层覆盖。

电源线可具有三层结构，三层结构包括第一层、第三层和第二层，其中第一层和第三层可包括相同的材料，并且第二层可布置在第一层与第三层之间。

电源线的第一层和第三层可各自包括钛，并且第二层可包括铝。

显示区域可包括第一显示区域和被第一显示区域至少部分地围绕的第二显示区域，显示装置还可包括布置在第一显示区域中的第一显示元件、布置在第二显示区域中的第二显示元件、分别电连接到第二显示元件的第二子像素电路以及分别将第二显示元件电连接到第二子像素电路的连接线，并且第二子像素电路可布置在第一显示区域与第二显示区域之间，或者布置在非显示区域中。

连接线可包括分别布置在不同的层的第一连接线、第二连接线和第三连接线，并且至少一个透明导电材料层可包括第一透明导电材料层、第二透明导电材料层和第三透明导电材料层，第二透明导电材料层布置在第一透明导电材料层上，并且第三透明导电材料层布置在第二透明导电材料层上。

第一连接线和第一透明导电材料层可包括相同的材料，第二连接线和第二透明导电材料层可包括相同的材料，并且第三连接线和第三透明导电材料层可包括相同的材料。

电源线的该部分的边缘在平面图中可具有实质上直线形状。

至少一个透明导电材料层可连续地覆盖电源线的该部分的上表面、电源线的该部分的与边缘对应的侧表面以及布置在电源线的该部分下方的无机绝缘层的上表面。

至少一个透明导电材料层可直接接触电源线的该部分的上表面、电源线的该部分的与边缘对应的侧表面以及布置在电源线的该部分下方的无机绝缘层的上表面。

根据一个或多个实施方式，显示装置可包括：显示区域，显示区域可包括第一显示区域和被第一显示区域至少部分地围绕的第二显示区域；与显示区域相邻的非显示区域；布置在显示区域和非显示区域中的无机绝缘层；布置在第一显示区域中的第一显示元件；布置在第二显示区域中的第二显示元件；布置在第一显示区域与第二显示区域之间或者在非显示区域中并且分别电连接到第二显示元件的第二子像素电路；分别将第二显示元件电连接到第二子像素电路的连接线；布置在第一显示元件和第二显示元件上并且包括第一无机封装层、第二无机封装层和布置在第一无机封装层与第二无机封装层之间的有机封装层的薄膜封装层；布置在非显示区域中并且围绕显示区域的坝；以及布置在非显示区域中的无机绝缘层上的电源线，其中电源线的一部分与坝相交，电源线的该部分的边缘被至少一个透明导电材料层覆盖，第一无机封装层延伸到非显示区域，并且第一无机封装层的一部分布置在被至少一个透明导电材料层覆盖的电源线的该部分上。

至少一个透明导电材料层可包括第一透明导电材料层、第二透明导电材料层和第三透明导电材料层，第二透明导电材料层布置在第一透明导电材料层上，并且第三透明导电材料层布置在第二透明导电材料层上。

连接线可包括分别布置在不同层的第一连接线、第二连接线和第三连接线。

第一连接线和第一透明导电材料层可包括相同的材料，第二连接线和第二透明导电材料层可包括相同的材料，并且第三连接线和第三透明导电材料层可包括相同的材料。

电源线的该部分的边缘可在坝与衬底的边缘之间被至少一个透明导电材料层覆盖。

至少一个透明导电材料层可连续地覆盖电源线的该部分的上表面、电源线的该部分的与边缘对应的侧表面以及布置在电源线的该部分下方的无机绝缘层的上表面。

电源线的该部分的边缘在平面图中可具有实质上直线形状。

根据一个或多个实施方式，电子装置可包括显示装置和部件，显示装置包括显示区域和与显示区域相邻的非显示区域，显示区域可包括第一显示区域和被第一显示区域至少部分地围绕的第二显示区域，部件布置在显示装置下方并且对应于第二显示区域，其中显示装置还可包括：布置在显示区域和非显示区域中的无机绝缘层；布置在显示区域中的显示元件；布置在显示元件上并且包括第一无机封装层和第二无机封装层以及布置在第一无机封装层与第二无机封装层之间的有机封装层的薄膜封装层；布置在非显示区域中并且围绕显示区域的坝；以及布置在非显示区域中的无机绝缘层上的电源线，其中电源线的一部分与坝相交，电源线的该部分的边缘被至少一个透明导电材料层覆盖，第一无机封装层延伸到非显示区域，并且第一无机封装层的一部分布置在被至少一个透明导电材料层覆盖的电源线的该部分上。

电源线的该部分的边缘可在坝与衬底的边缘之间被至少一个透明导电材料层覆盖。

显示装置还可包括布置在第一显示区域中的第一显示元件、布置在第二显示区域中的第二显示元件、分别电连接到第二显示元件的第二子像素电路以及分别将第二显示元件电连接到第二子像素电路的连接线，其中第二子像素电路可布置在第一显示区域与第二显示区域之间或者布置在非显示区域中。

连接线可包括分别布置在不同层的第一连接线、第二连接线和第三连接线，并且至少一个透明导电材料层可包括第一透明导电材料层、第二透明导电材料层和第三透明导电材料层，第二透明导电材料层布置在第一透明导电材料层上，并且第三透明导电材料层布置在第二透明导电材料层上。

第一连接线和第一透明导电材料层可包括相同的材料，第二连接线和第二透明导电材料层可包括相同的材料，并且第三连接线和第三透明导电材料层可包括相同的材料。

电源线的该部分的边缘在平面图中可具有实质上直线的形状。

根据实施方式的以下描述、附图和权利要求书，这些和/或其它方面将变得显而易见并且更容易理解。

附图说明

通过结合附图而做出的以下描述，实施方式的以上和其它的方面、特征和优点将更加显而易见，在附图中：

图1A和图1B是根据实施方式的显示装置的示意性透视图；

图2A和图2B是根据实施方式的电子装置的一部分的示意性剖面图；

图3A和图3B是根据实施方式的可包括在显示装置中的显示面板的示意性平面图；

图4是根据实施方式的显示装置的显示元件和与其电连接的子像素电路的示意性等效电路图；

图5是根据实施方式的沿图3B的线A-A'截取的显示装置的一部分的示意性剖面图；

图6A、图6B和图6C是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖面图；

图7是根据实施方式的沿图3B的线C-C'截取的显示装置的一部分的示意性剖面图；

图8是根据实施方式的示出了图3B的区B的显示装置的一部分的示意性放大平面图；以及

图9是根据实施方式的沿图8的线I-I'截取的显示装置的一部分的示意性剖面图。

具体实施方式

现在将详细地参照实施方式，实施方式的实例在附图中示出，在附图中相同的附图标记始终指示相同的元件。在这方面，实施方式可具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中所阐述的描述。相应地，下面通过参照图仅对实施方式进行描述以解释描述的各方面。

如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。在整个本公开中，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或者其变体。

由于本公开允许各种改变和许多实施方式，因此实施方式将在附图中示出并且在书面描述中进行描述。本公开的效果和特征以及用于实现它们的方法将参照在下面参考附图详细描述的实施方式而变得清楚。然而，本公开不限于以下实施方式，并且可以各种形式实现。

应理解，尽管在本文中可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。例如，在不背离本公开的范围的情况下，第一元件可被称为第二元件，并且类似地，第二元件可被称为第一元件。

术语“重叠”或“重叠的”意味着第一对象可位于第二对象上方或下方或第二对象的侧面，并且反之亦然。附加地，术语“重叠”可包括层叠、堆叠、面对或面向、在……上面延伸、覆盖或部分地覆盖，或如由本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。

当元件被描述为与另一元件“不重叠”或“将不重叠”时，这可包括元件彼此间隔开、彼此偏移或彼此分开，或者如由本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。

术语“面对”和“面向”意味着第一元件可与第二元件直接地或间接地相对。在其中第三元件介于第一元件与第二元件之间的情况下，尽管仍然彼此面对，但是第一元件和第二元件可被理解为彼此间接地相对。

除非上下文另有明确说明，否则如本文中使用的单数形式“一”、“一个”和“该”也旨在包括复数形式。

应理解，术语“包括(comprises)”、“包括有(comprising)”、“包括(include)”和/或“包括有(including)”、“具有(has)”、“具有(have)”和/或“具有(having)”及其变体，当在本说明书中使用时，指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其集群的存在，但不排除一个或者多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其集群的存在或者添加。

还应理解，当层、区或部件被称为在另一层、区或部件“上”时，其能够直接或间接地位于另一层、区或部件上。例如，可存在有居间层、区或部件。

应理解，当在说明书中，元件(或区、层、部分等)被称为在另一元件“上”、“连接到”或“联接到”另一元件时，其能够直接布置在上述另一元件上，直接连接到或联接到上述另一元件，或者其间可布置有居间元件。

应理解，术语“连接到”或“联接到”可包括物理或电的连接或联接。

为了解释的便利，附图中的元件的尺寸可被放大或减小。作为实例，为了描述的便利，附图中所示的每个元件的尺寸和厚度被任意地表示，并且因此，本公开不必限于此。

在说明书中，“A和/或B”意味着A或B、或者A和B。在说明书中，“A和B中的至少一个”意味着A或B、或者A和B。

如本文中所使用的，当布线被称为“在第一方向或第二方向上延伸”时，其意味着布线不仅以直线形状延伸，而且在第一方向或第二方向上以之字形或以曲线延伸。

如本文中所使用的，“在平面图上”意味着从上方观察目标部分，并且“在剖面图上”意味着从侧面观察垂直截取的目标部分的剖面。如本文中所使用的，“重叠”也包括“在平面图中”和“在剖面图中”重叠。

考虑到有关测量和与特定数量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)，如本文中所使用的“约”或者“大致”包括所述值并且意味着在如由本领域普通技术人员确定的针对特定值的可接受偏差范围内。例如，“约”可意味着在一个或者多个标准偏差内，或者在所述值的±30％、20％、10％、5％内。

除非在本文中另有定义或暗示，否则本文中所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还应理解，术语，诸如常用词典中定义的那些术语，应被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且除非在本文中明确地如此定义，否则将不以理想化或者过于正式的含义来解释。

在下文中，参照附图详细描述本公开的实施方式。当参照附图进行描述时，相同的附图标记用于相同或对应的元件。

图1A和图1B是根据实施方式的显示装置DV的示意性透视图。

显示装置DV可显示图像。显示装置DV可包括子像素PX。子像素PX可被限定为显示元件通过其发射光的区。在显示装置DV中，子像素PX可提供为多个。子像素PX可各自发射光，例如，红色光、绿色光、蓝色光或白色光。例如，每个子像素PX可为红色、绿色或蓝色子像素。在实施方式中，显示装置DV可包括第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3。

显示装置DV可包括显示区域DA和在显示区域DA外部的非显示区域NDA。显示区域DA可包括第一显示区域DA1、第二显示区域DA2和第三显示区域DA3。子像素PX可排列或布置在第一显示区域DA1、第二显示区域DA2和第三显示区域DA3中。子像素PX可不布置在非显示区域NDA中。

第一显示区域DA1可至少部分地围绕第二显示区域DA2和第三显示区域DA3。在实施方式中，第一显示区域DA1可仅围绕第二显示区域DA2和第三显示区域DA3的一部分。在实施方式中，第一显示区域DA1可完全围绕第二显示区域DA2和第三显示区域DA3。第一显示区域DA1可包括第一子像素PX1。在第一显示区域DA1中，第一子像素PX1可提供为多个。

第二显示区域DA2和第三显示区域DA3中的至少一个可为与部件重叠的区。作为实例，如下面参照图2A所述，作为电子元件的部件COM(参见图2A)可布置在显示装置DV下方以对应于第二显示区域DA2。第二显示区域DA2和第三显示区域DA3中的至少一个可包括透射区域TA，从部件COM输出到外部或从外部朝向部件COM行进的光和/或声音等可穿过透射区域TA。

第二显示区域DA2和第三显示区域DA3中的至少一个可为与部件COM重叠的区，并且同时为其中布置有子像素PX的区。作为实例，第二显示区域DA2可为与部件COM重叠的区，并且同时为其中布置有子像素PX的区。在实施方式中，第二显示区域DA2和第三显示区域DA3可为与部件COM重叠的区，并且同时为其中布置有子像素PX的区。在实施方式中，第二子像素PX2可布置在第二显示区域DA2中。在第二显示区域DA2中，第二子像素PX2可提供为多个。第三子像素PX3可布置在第三显示区域DA3中。在第三显示区域DA3中，第三子像素PX3可提供为多个。

在实施方式中，在第二显示区域DA2和第三显示区域DA3中的至少一个中显示的图像的分辨率可小于在第一显示区域DA1中显示的图像的分辨率。作为实例，第二显示区域DA2的分辨率可为第一显示区域DA1的分辨率的约1/2、3/8、1/3、1/4、2/9、1/8、1/9、1/16等。作为实例，第一显示区域DA1的分辨率可为400ppi或更大，并且第二显示区域DA2的分辨率可为约200ppi或约100ppi。在实施方式中，第二显示区域DA2和第三显示区域DA3中的一个的分辨率可与第一显示区域DA1的分辨率相同。

第二显示区域DA2和第三显示区域DA3中的至少一个可与部件COM重叠并且包括透射区域TA。在子像素PX未布置在透射区域TA中的情况下，第二显示区域DA2和第三显示区域DA3中的至少一个中的每单位面积的子像素PX的数量可小于第一显示区域DA1中的每单位面积的子像素PX的数量。作为实例，在第二显示区域DA2中每单位面积可布置的第二子像素PX2的数量可小于在第一显示区域DA1中每单位面积布置的第一子像素PX1的数量。

第二显示区域DA2和第三显示区域DA3中的至少一个可具有相对于光或声音的高透射率。作为实例，显示装置DV在第二显示区域DA2和第三显示区域DA3中的至少一个中的透射率可为约10％或更大，例如，40％或更大、约25％或更大、约50％或更大、约85％或更大、或约90％或更大。

在显示装置DV中可提供至少一个第二显示区域DA2。作为实例，显示装置DV可包括一个第二显示区域DA2，或多个第二显示区域DA2。

第三显示区域DA3可与第二显示区域DA2相邻。第三显示区域DA3可布置在第二显示区域DA2的一侧上。作为实例，第二显示区域DA2和第三显示区域DA3可在第一方向(例如，x方向或-x方向)上并排地排列。作为另一实例，第二显示区域DA2和第三显示区域DA3可在第二方向(例如，y方向或-y方向)上并排地排列。在实施方式中，第三显示区域DA3可布置在第二显示区域DA2的两个相对侧上。在实施方式中，可省略第三显示区域DA3。显示装置DV还可包括第三方向，例如，z方向或-z方向。

尽管在图1A和图1B中示出了第二显示区域DA2和第三显示区域DA3布置在显示装置DV的上部中心上，但第二显示区域DA2和第三显示区域DA3可布置在显示装置DV的下侧、右侧或左侧上。

在实施方式中，第二显示区域DA2和第三显示区域DA3中的至少一个在平面图(例如，x-y平面)中可具有各种形状，诸如圆形形状、椭圆形形状、包括四边形、星形形状、菱形形状等的多边形。在实施方式中，在图1A和图1B中示出了第二显示区域DA2和第三显示区域DA3各自具有四边形形状。

非显示区域NDA可围绕第一显示区域DA1的至少一部分。在实施方式中，非显示区域NDA可完全围绕第一显示区域DA1。在实施方式中，非显示区域NDA可完全围绕第一显示区域DA1、第二显示区域DA2和第三显示区域DA3。

图1A和图1B的显示装置DV可用于以下电子装置中。作为实例，在本公开的精神和范围内，根据实施方式的显示装置DV可用于诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机、移动通信终端、电子记事本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航仪和超移动个人计算机(UMPC)等的便携式电子装置中。根据实施方式的显示装置DV可用于包括智能手表、手表电话、眼镜型显示器和头戴式显示器(HMD)的可穿戴电子装置中。根据实施方式的显示装置DV可用作用于汽车的仪表面板、用于汽车的中央仪表盘或布置在仪表板上的中央信息显示器(CID)、替代汽车的后视镜的车内镜显示器、以及布置在前座的背面上作为用于汽车的后座的娱乐的显示器。

图2A和图2B是根据实施方式的电子装置的示意性剖面图。

参照图2A和图2B，电子装置可包括显示装置DV和与显示装置DV重叠的部件COM。电子装置还可包括壳体(未示出)和覆盖窗(未示出)，其中壳体容纳显示装置DV，并且覆盖窗布置在显示装置DV上并且保护显示装置DV。

显示装置DV可包括显示面板DP。显示装置DV还可包括输入传感器(未示出)和驱动电路(未示出)，其中输入传感器感测外部输入。显示面板DP可包括衬底100、显示层DPL、触摸屏层TSL、光学功能层OFL和面板保护构件PB，显示层DPL、触摸屏层TSL和光学功能层OFL位于衬底100上，并且面板保护构件PB位于衬底100下或下方。

部件COM可为使用光或声音的电子元件。作为实例，电子元件可为诸如接近传感器的测量距离的传感器、识别用户的身体的一部分(例如，指纹、虹膜、面部等)的传感器、输出光的小灯或捕获图像的图像传感器(例如，相机)。在本公开的精神和范围内，使用光的电子元件可使用各种波长带的光，诸如可见光、红外光、紫外光等。使用声音的电子元件可使用超声波或不同频带中的声音。在实施方式中，部件COM可包括诸如光发射器和光接收器的子部件。光发射器和光接收器可具有集成在一个主体中的结构，或者物理分离的一对光发射器和光接收器可构成一个部件COM。

显示面板DP可包括第一显示区域DA1、第二显示区域DA2和第三显示区域DA3。换句话说，第一显示区域DA1、第二显示区域DA2和第三显示区域DA3可限定在衬底100以及衬底100上的多层中。在下文中，在假设衬底100可包括第一显示区域DA1、第二显示区域DA2和第三显示区域DA3的情况下详细地进行描述。

显示层DPL可包括像素电路层PCL、显示元件层和封装构件ENM，其中像素电路层PCL可包括子像素电路PC，显示元件层可包括作为发光元件的显示元件，并且封装构件ENM可包括薄膜封装层300或封装衬底(未示出)。绝缘层可布置在衬底100与显示层DPL之间以及显示层DPL内部。显示元件可包括发光二极管。在实施方式中，显示元件可为有机发光二极管。在下文中，尽管发光二极管被描述为包括有机发光二极管，但本公开不限于此。在实施方式中，显示元件可为包括无机材料的发光二极管或者包括量子点的量子点发光二极管。作为实例，显示元件的发射层可包括有机材料、无机材料、量子点、有机材料和量子点、或者无机材料和量子点。

在本公开的精神和范围内，衬底100可包括诸如玻璃、石英、聚合物树脂等的绝缘材料。衬底100可为刚性衬底，或者为可弯曲、可折叠、可卷曲或柔性的衬底。

像素电路层PCL可布置在衬底100上。像素电路层PCL可包括子像素电路PC、连接线CWL和绝缘层。子像素电路PC可包括第一子像素电路PC1、第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3。第一子像素电路PC1可布置在第一显示区域DA1中。第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3可布置在第三显示区域DA3中。子像素电路PC可不布置在第二显示区域DA2中。

在实施方式中，第一显示元件DPE1和与其连接的第一子像素电路PC1可布置在衬底100的第一显示区域DA1中。第一子像素电路PC1可包括至少一个薄膜晶体管，并且控制第一显示元件DPE1的操作。第一子像素PX1可通过第一显示元件DPE1的光发射来实现。

在实施方式中，第二显示元件DPE2可布置在衬底100的第二显示区域DA2中，并且可实现第二子像素PX2。在实施方式中，如图2A中所示，用于驱动第二显示元件DPE2的第二子像素电路PC2可不布置在第二显示区域DA2中，而是可布置在第一显示区域DA1与第二显示区域DA2之间的第三显示区域DA3中。在实施方式中，如图2B中所示，用于驱动第二显示元件DPE2的第二子像素电路PC2可不布置在第三显示区域DA3中，而是可布置在非显示区域NDA中。例如，第二子像素电路PC2可布置为不与第二显示元件DPE2重叠。

第二子像素电路PC2可包括至少一个薄膜晶体管，并且通过连接线CWL电连接到第二显示元件DPE2。连接线CWL可包括透明导电材料。第二子像素电路PC2可控制第二显示元件DPE2的操作。第二子像素PX2可通过第二显示元件DPE2的光发射来实现。

第二显示区域DA2的其中未布置第二子像素PX2的区可被限定为透射区域TA。透射区域TA可为供从部件COM发射的光或信号或者入射到部件COM的光或信号穿过的区，部件COM布置为对应于第二显示区域DA2。

将第二子像素电路PC2连接到第二显示元件DPE2的连接线CWL可布置在透射区域TA中。因为连接线CWL可包括具有高透射率的透明导电材料，所以即使连接线CWL布置在透射区域TA中，也可确保透射区域TA的透射率。

在实施方式中，第三显示元件DPE3和与其连接的第三子像素电路PC3可布置在衬底100的第三显示区域DA3中，并且可实现第三子像素PX3。布置在第三显示区域DA3中的第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3可彼此相邻并且交替地布置。

如图2A和图2B中所示，显示元件层可被薄膜封装层300或封装衬底覆盖。在实施方式中，薄膜封装层300可包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。作为实例，薄膜封装层300可包括第一无机封装层310、第二无机封装层330和有机封装层320。

触摸屏层TSL可获得与外部输入(例如，触摸事件)对应的坐标信息。触摸屏层TSL可包括触摸电极和连接到触摸电极的触摸线。触摸屏层TSL可通过使用自电容方法或互电容方法来感测外部输入。

触摸屏层TSL可形成在薄膜封装层300上。例如，触摸屏层TSL可单独地形成在触摸衬底上，并且通过诸如光学透明粘合剂(OCA)的粘合层联接在薄膜封装层300上或连接到薄膜封装层300。在实施方式中，触摸屏层TSL可形成在或直接形成在薄膜封装层300上。粘合层可不布置在触摸屏层TSL与薄膜封装层300之间。

光学功能层OFL可包括抗反射层。抗反射层可减少从外部朝向显示装置DV入射的光(外部光)的反射率。在实施方式中，光学功能层OFL可为偏振膜。在实施方式中，光学功能层OFL可包括与透射区域TA对应的开口(未示出)。相应地，可显著地改善透射区域TA的透光率。诸如光学透明树脂(OCR)的透明材料可填充开口。在实施方式中，光学功能层OFL可为包括黑色矩阵和滤色器的滤光器板。

面板保护构件PB可布置在衬底100下或下方。面板保护构件PB可支承和保护衬底100。面板保护构件PB可具有与第二显示区域DA2重叠的开口PB_OP。在实施方式中，面板保护构件PB的开口PB_OP可与第二显示区域DA2和第三显示区域DA3重叠。在实施方式中，面板保护构件PB可包括聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚酰亚胺。

在实施方式中，面板保护构件PB的开口PB_OP的区域可大于其中布置有部件COM的区域。尽管在图2A和图2B中示出了部件COM在显示面板DP的一侧上分开，但是部件COM的至少一部分可插入到面板保护构件PB的开口PB_OP中。

在显示装置DV上可布置有覆盖窗(未示出)。覆盖窗可保护显示装置DV，具体地，显示面板DP。覆盖窗可包括玻璃、蓝宝石和塑料中的至少一种。例如，覆盖窗可包括超薄玻璃(UTG)或无色聚酰亚胺(CPI)。

部件COM可布置在显示装置DV下方。在实施方式中，部件COM可布置为在显示面板DP介于其间的情况下与覆盖窗(未示出)相对。在实施方式中，部件COM可与第二显示区域DA2重叠。在实施方式中，部件COM可与第二显示区域DA2和第三显示区域DA3重叠。

可布置有一个或多个部件COM。部件COM可具有不同的功能。作为实例，部件COM可包括相机(拍摄元件)、太阳能电池、闪光灯、接近传感器、照度传感器和虹膜传感器之中的至少两种。

如图2A和图2B中所示，在子像素电路PC下方可布置有底部金属层BML。底部金属层BML可与子像素电路PC重叠以保护子像素电路PC。在实施方式中，底部金属层BML可布置为在对应于第三显示区域DA3的衬底100与第二子像素电路PC2和/或第三子像素电路PC3之间与第二子像素电路PC2和/或第三子像素电路PC3重叠。底部金属层BML可阻挡外部光到达第二子像素电路PC2和/或第三子像素电路PC3。底部金属层BML也可布置在第一显示区域DA1的第一子像素电路PC1下方。布置在第一子像素电路PC1下方的底部金属层BML可与布置在第二子像素电路PC2和/或第三子像素电路PC3下方的底部金属层BML分开。在实施方式中，底部金属层BML可提供为完全对应于显示区域DA，并且可包括对应于第二显示区域DA2的孔。在实施方式中，可省略底部金属层BML。

图3A和图3B是根据实施方式的可包括在显示装置中的显示面板DP的示意性平面图。

参照图3A和图3B，显示面板DP可包括布置在衬底100上的第一扫描驱动器20和第二扫描驱动器30、端子部40、数据驱动器50以及电源线。电源线可包括驱动电压供应线60和公共电压供应线70。

衬底100可包括显示区域DA和在显示区域DA外部的非显示区域NDA。非显示区域NDA的一部分可在一侧(例如，-y方向)上延伸。端子部40、数据驱动器50、驱动电压供应线60和扇出布线FW等可布置在延伸的非显示区域NDA中。在实施方式中，延伸的非显示区域NDA在x方向上的宽度可小于显示区域DA在x方向上的宽度。

衬底100可包括其中延伸的非显示区域NDA的一部分弯曲的弯曲区域BA。由于延伸的非显示区域NDA相对于弯曲区域BA折叠，因此延伸的非显示区域NDA可与显示区域DA部分地重叠。通过这种结构，延伸的非显示区域NDA可不被用户观察到，或者即使延伸的非显示区域NDA被用户观察到，也可减少观察到的区域。

子像素PX可布置在显示区域DA中。驱动显示区域DA中的子像素PX的子像素电路PC可各自连接到信号线或电压线，以控制显示元件的导通/关断、亮度等。作为实例，图3A和图3B示出了在第一方向(例如，x方向)上延伸的扫描线SL和在第二方向(例如，y方向)上延伸的数据线DL作为信号线，并且示出了驱动电压线PL作为电压线。

第一子像素PX1可布置在第一显示区域DA1中。第一子像素PX1可各自通过诸如有机发光二极管的显示元件实现为发光元件。分别驱动第一子像素PX1的第一子像素电路PC1可布置在第一显示区域DA1中，并且每个第一子像素电路PC1可布置为与对应于其的第一子像素PX1重叠。例如，每个第一子像素PX1可发射红色光、绿色光、蓝色光或白色光。第一显示区域DA1可通过被封装构件覆盖而被保护免受外部空气、湿气等的影响。

如上所述，第二显示区域DA2和第三显示区域DA3可定位或布置在第一显示区域DA1的一侧上，或者被第一显示区域DA1围绕。第三显示区域DA3可至少部分地围绕第二显示区域DA2。第二子像素PX2可布置在第二显示区域DA2中，并且第三子像素PX3可布置在第三显示区域DA3中。第二子像素PX2和第三子像素PX3可各自通过诸如有机发光二极管的显示元件实现为发光元件。例如，第二子像素PX2和第三子像素PX3可各自发射红色光、绿色光、蓝色光或白色光。第二显示区域DA2和第三显示区域DA3可通过被封装构件覆盖而被保护免受外部空气、湿气等的影响。

第二子像素PX2可在第二显示区域DA2中实现，并且第三子像素PX3可在第三显示区域DA3中实现。例如，可理解第二子像素PX2实质上在第二显示区域DA2中发射光，并且第三子像素PX3实质上在第三显示区域DA3中发射光。

参照图3B，因为实现第二子像素PX2的第二显示元件DPE2布置在第二显示区域DA2中，并且第二子像素电路PC2布置在第三显示区域DA3中，所以第二显示元件DPE2可通过连接线CWL连接到第二子像素电路PC2。

在实施方式中，参照图3A，因为实现第二子像素PX2的第二显示元件DPE2布置在第二显示区域DA2中，并且第二子像素电路PC2布置在非显示区域NDA中，所以第二显示元件DPE2可通过连接线CWL连接到第二子像素电路PC2。

如上所述，在包括信号线、晶体管和存储电容器的第二子像素电路PC2布置在第三显示区域DA3或非显示区域NDA中，并且第二显示元件DPE2布置在第二显示区域DA2中的情况下，透射区域TA的面积可在第二显示区域DA2中的分辨率被保持的情况下增加。

分别驱动第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3的第一子像素电路PC1、第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3可各自电连接到布置在非显示区域NDA中的外部电路。第一扫描驱动器20和第二扫描驱动器30、端子部40、数据驱动器50、驱动电压供应线60和公共电压供应线70可布置在非显示区域NDA中。

第一扫描驱动器20和第二扫描驱动器30可生成扫描信号，并且通过扫描线SL将扫描信号传送到每个子像素电路PC。在实施方式中，第一扫描驱动器20和第二扫描驱动器30中的一个可通过发射控制线将发射控制信号施加到每个子像素电路PC。在实施方式中，尽管在图3A和图3B中示出了其中第一扫描驱动器20和第二扫描驱动器30分别布置在显示区域DA的两个相对侧上的结构，但在实施方式中，扫描驱动器可仅布置在显示区域DA的一侧上。第二扫描驱动器30可布置为相对于显示区域DA与第一扫描驱动器20对称。

数据驱动器50可生成数据信号，并且通过数据线DL将数据信号传送到每个子像素电路PC。数据驱动器50可布置在显示区域DA的一侧上，并且布置在显示区域DA下方(例如，-y方向)的延伸的非显示区域NDA中。尽管在图3A和图3B中示出了数据驱动器50布置在衬底100上，但在实施方式中，数据驱动器50可提供在连接到端子部40的柔性印刷电路板上。

端子部40布置在衬底100的一端上，并且可包括端子41、42、43和44。端子部40可暴露而不被绝缘层覆盖，并且电连接到诸如柔性印刷电路板或集成电路(IC)芯片的控制器。控制器的控制信号可通过端子部40分别提供到第一扫描驱动器20和第二扫描驱动器30、数据驱动器50、驱动电压供应线60和公共电压供应线70。

驱动电压供应线60可布置在非显示区域NDA中。驱动电压供应线60可将驱动电压ELVDD(参见图4)提供到每个子像素PX。在实施方式中，驱动电压供应线60可包括第一驱动电压供应线61、第二驱动电压供应线62和第三驱动电压供应线63。第三驱动电压供应线63可在第一方向(例如，x方向)上延伸，并且第一驱动电压供应线61和第二驱动电压供应线62可在第二方向(例如，y方向)上延伸。作为实例，第三驱动电压供应线63可沿显示区域DA的第一边缘E1布置。在实施方式中，第一驱动电压供应线61、第二驱动电压供应线62和第三驱动电压供应线63可一体地提供。作为实例，驱动电压供应线60可具有作为一体的‘Π’(pi)形状。然而，本公开不限于此。

驱动电压供应线60可布置在非显示区域NDA中，并且连接到在第二方向(例如，y方向)上延伸到显示区域DA的驱动电压线PL。作为实例，第三驱动电压供应线63可连接到在第二方向(例如，y方向)上与显示区域DA交叉的驱动电压线PL。

公共电压供应线70可布置在非显示区域NDA中，并且将公共电压ELVSS(参见图4)提供到每个子像素PX。公共电压供应线70可包括布置为与显示区域DA的第一边缘E1相邻的第一公共电压供应线71和第二公共电压供应线73。第一公共电压供应线71和第二公共电压供应线73可各自在第二方向(例如，y方向)上延伸。第一公共电压供应线71可在与第二方向(例如，y方向)交叉的第一方向(例如，x方向)上与第二公共电压供应线73(例如，y方向)分开。第一公共电压供应线71和第二公共电压供应线73可分别布置在显示区域DA的第一边缘E1的两个相对侧上。然而，本公开不限于此。公共电压供应线70还可包括布置在第一公共电压供应线71与第二公共电压供应线73之间的第三公共电压供应线。在公共电压供应线70可包括布置在第一公共电压供应线71与第二公共电压供应线73之间的第三公共电压供应线的情况下，与仅提供第一公共电压供应线71和第二公共电压供应线73的情况相比，在施加电流时可减少电流密度并且可抑制热发射。

第一公共电压供应线71可通过沿显示区域DA的第二边缘E2、第三边缘E3和第四边缘E4延伸的主体部75连接到第二公共电压供应线73。在实施方式中，第一公共电压供应线71、第二公共电压供应线73和主体部75可彼此为一体的。

在非显示区域NDA中可布置有坝DM。坝DM可布置为围绕显示区域DA的外部块。坝DM可布置在公共电压供应线70外部，或者布置为与公共电压供应线70部分地重叠。

薄膜封装层300可布置在显示区域DA中以覆盖子像素PX，并且薄膜封装层300的一部分可延伸到非显示区域NDA。薄膜封装层300具有包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层的多层结构。坝DM可防止包括在薄膜封装层300中的有机封装层的形成材料扩散到衬底100的边缘，并且限制有机封装层的形成位置。

图4是根据实施方式的显示装置的与子像素对应的电连接到发光二极管的子像素电路PC的示意性等效电路图。

图4中所示的子像素电路PC可对应于参照图3A和图3B描述的第一子像素电路PC1、第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3中的每一个。

作为图4中所示的显示元件的有机发光二极管OLED可对应于参照图3A和图3B描述的第一显示元件DPE1、第二显示元件DPE2和第三显示元件DPE3中的每一个。

参照图4，子像素电路PC可包括薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7以及存储电容器Cst。薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7以及存储电容器Cst可连接到信号线SL1、SL2、SLp、SLn、EL和DL、第一初始化电压线VL1、第二初始化电压线VL2和驱动电压线PL。线中的至少一个(例如，驱动电压线PL)可由彼此相邻的子像素电路PC共享。

在实施方式中，薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7可包括驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、第一初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发射控制晶体管T6和第二初始化晶体管T7。然而，本公开不限于此。

有机发光二极管OLED可包括像素电极和相对电极。有机发光二极管OLED的像素电极可通过发射控制晶体管T6连接到驱动晶体管T1，并且可接收驱动电流，并且相对电极可接收公共电压ELVSS。有机发光二极管OLED可生成与驱动电流对应的亮度的光。

薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7中的一些或许多可为n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(n沟道MOSFET；NMOS)，并且其余的可为p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(p沟道MOSFET；PMOS)。作为实例，在薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7之中，补偿晶体管T3和第一初始化晶体管T4可为NMOS，并且其余的可为PMOS。例如，在薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7之中，补偿晶体管T3、第一初始化晶体管T4和第二初始化晶体管T7可为NMOS，并且其余的可为PMOS。例如，薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7可全部为NMOS或者全部为PMOS。薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7可各自包括非晶硅或多晶硅。在需要的情况下，作为NMOS的晶体管可包括氧化物半导体。在下文中，为了描述的便利，描述补偿晶体管T3和第一初始化晶体管T4是包括氧化物半导体的NMOS，并且其余的是PMOS的情况。

信号线可包括第一扫描线SL1、第二扫描线SL2、前一扫描线SLp、下一扫描线SLn、发射控制线EL和数据线DL。然而，本公开不限于此。第一扫描线SL1可传送第一扫描信号Sn。第二扫描线SL2可传送第二扫描信号Sn'。前一扫描线SLp可将前一扫描信号Sn-1传送到第一初始化晶体管T4。下一扫描线SLn可将下一扫描信号Sn+1传送到第二初始化晶体管T7。发射控制线EL可将发射控制信号En传送到操作控制晶体管T5和发射控制晶体管T6。数据线DL可传送数据信号Dm。

驱动电压线PL可将驱动电压ELVDD传送到驱动晶体管T1，第一初始化电压线VL1可传送将驱动晶体管T1初始化的第一初始化电压Vint1，并且第二初始化电压线VL2可传送将有机发光二极管OLED的像素电极初始化的第二初始化电压Vint2。

驱动晶体管T1的驱动栅电极可通过第二节点N2连接到存储电容器Cst，驱动晶体管T1的源区和漏区中的一个可经由第一节点N1通过操作控制晶体管T5连接到驱动电压线PL，并且驱动晶体管T1的源区和漏区中的另一个可经由第三节点N3通过发射控制晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED的像素电极。驱动晶体管T1可响应于开关晶体管T2的开关操作来接收数据信号Dm，并且将驱动电流供给到有机发光二极管OLED。例如，驱动晶体管T1可响应于施加到第二节点N2并且由数据信号Dm改变的电压来控制从第一节点N1流到有机发光二极管OLED的电流量，第一节点N1电连接到驱动电压线PL。

开关晶体管T2的开关栅电极可连接到用于传送第一扫描信号Sn的第一扫描线SL1，开关晶体管T2的源区和漏区中的一个可连接到数据线DL，并且开关晶体管T2的源区和漏区中的另一个可通过第一节点N1连接到驱动晶体管T1并且通过操作控制晶体管T5连接到驱动电压线PL。开关晶体管T2可响应于施加到第一扫描线SL1的电压将数据信号Dm从数据线DL传送到第一节点N1。例如，开关晶体管T2可根据通过第一扫描线SL1传送的第一扫描信号Sn而导通，并且执行用于通过第一节点N1将数据信号Dm传送到驱动晶体管T1的开关操作，数据信号Dm通过数据线DL传送。

补偿晶体管T3的补偿栅电极连接到第二扫描线SL2。补偿晶体管T3的源区和漏区中的一个可经由第三节点N3通过发射控制晶体管T6连接到有机发光二极管OLED的像素电极。补偿晶体管T3的源区和漏区中的另一个可通过第二节点N2连接到存储电容器Cst的第一电容器电极CE1和驱动晶体管T1的驱动栅电极。补偿晶体管T3可通过根据通过第二扫描线SL2接收的第二扫描信号Sn'被导通来将驱动晶体管T1进行二极管连接。

第一初始化晶体管T4的第一初始化栅电极可连接到前一扫描线SLp。第一初始化晶体管T4的源区和漏区中的一个可连接到第一初始化电压线VL1。第一初始化晶体管T4的源区和漏区中的另一个可通过第二节点N2连接到存储电容器Cst的第一电容器电极CE1和驱动晶体管T1的驱动栅电极。第一初始化晶体管T4可根据施加到前一扫描线SLp的电压将第一初始化电压Vint1从第一初始化电压线VL1施加到第二节点N2。例如，第一初始化晶体管T4可根据通过前一扫描线SLp接收的前一扫描信号Sn-1而导通，并且可通过将第一初始化电压Vint1传送到驱动晶体管T1的驱动栅电极来执行将驱动晶体管T1的驱动栅电压的电压初始化的初始化操作。

操作控制晶体管T5的操作控制栅电极可连接到发射控制线EL，操作控制晶体管T5的源区和漏区中的一个可连接到驱动电压线PL，并且操作控制晶体管T5的源区和漏区中的另一个可通过第一节点N1连接到驱动晶体管T1和开关晶体管T2。

发射控制晶体管T6的发射控制栅电极可连接到发射控制线EL，发射控制晶体管T6的源区和漏区中的一个可通过第三节点N3连接到驱动晶体管T1和补偿晶体管T3，并且发射控制晶体管T6的源区和漏区中的另一个可电连接到有机发光二极管OLED的像素电极。

操作控制晶体管T5和发射控制晶体管T6可根据通过发射控制线EL传送的发射控制信号En同时导通，驱动电压ELVDD传送到有机发光二极管OLED，并且驱动电流流过有机发光二极管OLED。

第二初始化晶体管T7的第二初始化栅电极可连接到下一扫描线SLn，第二初始化晶体管T7的源区和漏区中的一个可连接到有机发光二极管OLED的像素电极，并且第二初始化晶体管T7的源区和漏区中的另一个可电连接到第二初始化电压线VL2以接收第二初始化电压Vint2。第二初始化晶体管T7可根据通过下一扫描线SLn传送的下一扫描信号Sn+1而导通，并且可将有机发光二极管OLED的像素电极进行初始化。下一扫描线SLn和第一扫描线SL1可为相同的线。相关扫描线可传送具有时间差的相同电信号，并且因此可用作第一扫描线SL1并且用作下一扫描线SLn。例如，下一扫描线SLn可与图4中所示的子像素电路PC相邻，并且是电连接到相同数据线DL的另一子像素电路的第一扫描线。

存储电容器Cst可包括第一电容器电极CE1和第二电容器电极CE2。存储电容器Cst的第一电容器电极CE1可通过第二节点N2连接到驱动晶体管T1的驱动栅电极，并且存储电容器Cst的第二电容器电极CE2可连接到驱动电压线PL。存储电容器Cst可存储与驱动晶体管T1的驱动栅电极的电压和驱动电压ELVDD之间的差对应的电荷。

下面描述根据实施方式的子像素电路PC和作为显示元件的有机发光二极管OLED的操作。

在初始化时段期间，在通过前一扫描线SLp供给前一扫描信号Sn-1的情况下，第一初始化晶体管T4根据前一扫描信号Sn-1而导通，并且驱动晶体管T1可通过从第一初始化电压线VL1供给的第一初始化电压Vint1进行初始化。

在数据编程时段期间，在通过第一扫描线SL1和第二扫描线SL2分别供给第一扫描信号Sn和第二扫描信号Sn'的情况下，开关晶体管T2和补偿晶体管T3可分别根据第一扫描信号Sn和第二扫描信号Sn'而导通。驱动晶体管T1可通过导通的补偿晶体管T3而进行二极管连接并且正向偏置。补偿电压(Dm+Vth(Vth具有负值))可施加到驱动晶体管T1的驱动栅电极，其中，通过从数据线DL供给的数据信号Dm减去驱动晶体管T1的阈值电压Vth来获得补偿电压(Dm+Vth)。驱动电压ELVDD和补偿电压(Dm+Vth)分别施加到存储电容器Cst的两个相对端，并且与两个相对端的电压之间的差对应的电荷可存储在存储电容器Cst中。

在发射时段期间，操作控制晶体管T5和发射控制晶体管T6可根据从发射控制线EL供给的发射控制信号En而导通。出现与驱动晶体管T1的驱动栅电极的电压和驱动电压ELVDD之间的电压差对应的驱动电流，并且该驱动电流通过发射控制晶体管T6供给到有机发光二极管OLED。

如上所述，薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7中的一些或许多可包括氧化物半导体。作为实例，补偿晶体管T3和第一初始化晶体管T4可包括氧化物半导体。然而，本公开不限于此。

图5是根据实施方式的显示装置的一部分沿图3B的线A-A'截取的剖面图，该剖面图示出了显示面板DP。

参照图5，显示面板DP可包括衬底100、像素电路层PCL和显示元件层DEL。

衬底100可包括玻璃或聚合物树脂。在实施方式中，衬底100可具有其中包括聚合物树脂的基础层和包括诸如氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料的阻挡层可彼此交替地堆叠的堆叠结构。作为实例，衬底100可包括第一基础层101、第一阻挡层103、第二基础层105和第二阻挡层107。第一基础层101和第二基础层105可各自包括聚合物树脂，并且第一阻挡层103和第二阻挡层107可各自包括无机绝缘材料。在本公开的精神和范围内，聚合物树脂可包括聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素、乙酸丙酸纤维素等。

像素电路层PCL可布置在衬底100上。像素电路层PCL可包括第一子像素电路PC1、无机绝缘层IIL、第一有机绝缘层121、第二有机绝缘层122、第三有机绝缘层123和第四有机绝缘层124。在实施方式中，无机绝缘层IIL可包括缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、第一无机绝缘层115、第二无机绝缘层117和层间绝缘层119。

第一子像素电路PC1可布置在第一显示区域DA1中。如以上参照图4所述，第一子像素电路PC1可包括晶体管和存储电容器。图5示出了第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2和存储电容器Cst。第一薄膜晶体管TFT1可包括第一半导体层Act1、第一栅电极GE1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1。第二薄膜晶体管TFT2可包括第二半导体层Act2、第二栅电极GE2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2。存储电容器Cst可包括第一电容器电极CE1和第二电容器电极CE2。

缓冲层111可布置在衬底100上。缓冲层111可减少或阻挡异物、湿气或外部空气从衬底100下方的渗透。缓冲层111可包括诸如氮化硅、氧氮化硅和氧化硅的无机材料，并且包括包含有以上材料的单层或多层。

第一半导体层Act1可包括硅半导体。第一半导体层Act1可包括多晶硅。例如，第一半导体层Act1可包括非晶硅。在实施方式中，在本公开的精神和范围内，第一半导体层Act1可包括氧化物半导体、有机半导体等。第一半导体层Act1可包括沟道区、漏区和源区，漏区和源区位于沟道区的两个相对侧上。第一栅电极GE1可与沟道区重叠。

第一栅电极GE1可与第一半导体层Act1重叠。第一栅电极GE1可包括低电阻金属材料。第一栅电极GE1可包括包含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)的导电材料，并且具有包括以上材料的单层结构或多层结构。

第一栅极绝缘层112可布置在第一半导体层Act1与第一栅电极GE1之间。因此，第一半导体层Act1可与第一栅电极GE1绝缘。第一栅极绝缘层112可包括无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪和/或氧化锌。

第二栅极绝缘层113可覆盖第一栅电极GE1。第二栅极绝缘层113可布置在第一栅电极GE1上。类似于第一栅极绝缘层112，第二栅极绝缘层113可包括无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪和/或氧化锌。

第二电容器电极CE2可布置在第二栅极绝缘层113上。第二电容器电极CE2可与其下方的第一栅电极GE1重叠。第二电容器电极CE2可在第二栅极绝缘层113介于其间的情况下与第一栅电极GE1重叠以构成存储电容器Cst。例如，第一薄膜晶体管TFT1的第一栅电极GE1可用作存储电容器Cst的第一电容器电极CE1。

如上所述，存储电容器Cst可与第一薄膜晶体管TFT1重叠。在实施方式中，存储电容器Cst可形成为不与第一薄膜晶体管TFT1重叠。

第二电容器电极CE2可包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且包括包含有以上材料的单层或多层。

第一无机绝缘层115可覆盖第二电容器电极CE2。在实施方式中，第一无机绝缘层115可覆盖第一栅电极GE1。第一无机绝缘层115可包括氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪或氧化锌。第一无机绝缘层115可包括包含有无机绝缘材料的单层或多层。

第二半导体层Act2可布置在第一无机绝缘层115上。在实施方式中，第二半导体层Act2可包括沟道区、漏区和源区，漏区与源区分别位于沟道区的两个相对侧上。第二半导体层Act2可包括氧化物半导体。作为实例，第二半导体层Act2可包括基于Zn氧化物的材料，并且包括Zn氧化物、In-Zn氧化物或Ga-In-Zn氧化物。例如，第二半导体层Act2可包括在ZnO中包含诸如铟(In)、镓(Ga)和锡(Sn)的金属的In-Ga-Zn-O(IGZO)、In-Sn-Zn-O(ITZO)、或In-Ga-Sn-Zn-O(IGTZO)半导体。

第二半导体层Act2的源区和漏区可通过调整氧化物半导体的载流子浓度并且使相关区导电来形成。例如，第二半导体层Act2的源区和漏区可通过对氧化物半导体执行的使用氢基气体、氟基气体或这些气体的组合的等离子体处理增加载流子浓度来形成。

第二无机绝缘层117可覆盖第二半导体层Act2。第二无机绝缘层117可布置在第二半导体层Act2与第二栅电极GE2之间。在实施方式中，第二无机绝缘层117可完全布置在衬底100上。在实施方式中，第二无机绝缘层117可沿第二栅电极GE2的形状被图案化。第二无机绝缘层117可包括氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪或氧化锌。第二无机绝缘层117可包括包含有无机绝缘材料的单层或多层。

第二栅电极GE2可布置在第二无机绝缘层117上。第二栅电极GE2可与第二半导体层Act2重叠。第二栅电极GE2可与第二半导体层Act2的沟道区重叠。第二栅电极GE2可包括包含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)的导电材料，并且具有包括以上材料的单层结构或多层结构。

层间绝缘层119可覆盖第二栅电极GE2。层间绝缘层119可包括氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪或氧化锌。层间绝缘层119可包括包含有无机绝缘材料的单层或多层。

第一源电极SE1和第一漏电极DE1可布置在层间绝缘层119上。第一源电极SE1和第一漏电极DE1可连接到第一半导体层Act1。第一源电极SE1和第一漏电极DE1可通过绝缘层的接触孔连接到第一半导体层Act1。

第二源电极SE2和第二漏电极DE2可布置在层间绝缘层119上。第二源电极SE2和第二漏电极DE2可电连接到第二半导体层Act2。第二源电极SE2和第二漏电极DE2可通过绝缘层的接触孔电连接到第二半导体层Act2。

第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2和第二漏电极DE2可各自包括具有高导电性的材料。第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2和第二漏电极DE2可各自包括包含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且包括包含有以上材料的多层或单层。在实施方式中，第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2和第二漏电极DE2可各自具有Ti/Al/Ti的多层结构。

包括包含有硅半导体的第一半导体层Act1的第一薄膜晶体管TFT1可具有高可靠性。作为实例，第一薄膜晶体管TFT1可为驱动晶体管T1(参见图4)。可实现高质量的显示面板DP。

因为氧化物半导体具有高载流子迁移率和低泄漏电流，所以即使在驱动时间长的情况下，电压降也可能不大。例如，因为即使在显示装置以低频率驱动时，根据电压降的图像的颜色变化也不大，所以显示装置可以低频率驱动。因为氧化物半导体具有小泄漏电流的优点，所以除了驱动晶体管之外的晶体管中的至少一个可采用氧化物半导体，并且因此，可防止泄漏电流并且同时可减少功耗。作为实例，第二薄膜晶体管TFT2可为补偿晶体管T3(参见图4)。

在第二半导体层Act2下方可布置有底部栅电极BGE。在实施方式中，底部栅电极BGE可布置在第二栅极绝缘层113与第一无机绝缘层115之间。在实施方式中，底部栅电极BGE可接收栅极信号。第二薄膜晶体管TFT2可具有其中栅电极布置在第二半导体层Act2上面和下方的双栅电极结构。

在实施方式中，在第二无机绝缘层117与层间绝缘层119之间可布置有栅极线GWL。在实施方式中，栅极线GWL可通过在第一无机绝缘层115和第二无机绝缘层117中提供的接触孔电连接到底部栅电极BGE。

在实施方式中，底部金属层BML可布置在衬底100和与第一显示区域DA1重叠的第一子像素电路PC1之间。在实施方式中，底部金属层BML可与第一薄膜晶体管TFT1重叠。恒定电压可施加到底部金属层BML。因为底部金属层BML布置在第一薄膜晶体管TFT1下方，所以第一薄膜晶体管TFT1较少受到邻近干扰信号的影响，并且因此，可改善第一薄膜晶体管TFT1的可靠性。

第一有机绝缘层121可覆盖第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2和第二漏电极DE2。第一有机绝缘层121可包括有机材料。作为实例，第一有机绝缘层121可包括有机绝缘材料，有机绝缘材料包括通用聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸基聚合物、酰亚胺基聚合物、芳基醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物或其共混物。

在第一有机绝缘层121上可布置有第一连接电极CM1。第一连接电极CM1可通过第一有机绝缘层121的接触孔连接到第一漏电极DE1或第一源电极SE1。

第一连接电极CM1可包括具有高导电性的材料。第一连接电极CM1可包括包含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)的导电材料，并且具有包括以上材料的单层结构或多层结构。在实施方式中，第一连接电极CM1可具有Ti/Al/Ti的多层结构。

第二有机绝缘层122、第三有机绝缘层123和第四有机绝缘层124可各自覆盖第一连接电极CM1。第二有机绝缘层122、第三有机绝缘层123和第四有机绝缘层124可各自包括有机材料。作为实例，第二有机绝缘层122、第三有机绝缘层123和第四有机绝缘层124中的至少一个可包括有机绝缘材料，有机绝缘材料包括通用聚合物(诸如，PMMA或PS)、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸基聚合物、酰亚胺基聚合物、芳基醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物或其共混物。

尽管在图5中示出了像素电路层PCL可包括第一有机绝缘层121、第二有机绝缘层122、第三有机绝缘层123和第四有机绝缘层124，但本公开不限于此。作为实例，可省略第一有机绝缘层121、第二有机绝缘层122、第三有机绝缘层123和第四有机绝缘层124中的至少一个。

显示元件层DEL可布置在像素电路层PCL上。显示元件层DEL可包括显示元件。在实施方式中，显示元件层DEL可包括布置在第一显示区域DA1中的第一显示元件DPE1。第一显示元件DPE1可为有机发光二极管。第一显示元件DPE1可布置在第四有机绝缘层124上。

第一显示元件DPE1可电连接到第一子像素电路PC1。在第一显示区域DA1中，第一显示元件DPE1可电连接到第一子像素电路PC1，并且可实现第一子像素PX1。在实施方式中，第一显示元件DPE1可与第一子像素电路PC1重叠。第一显示元件DPE1是有机发光二极管，并且可包括像素电极211、发射层212和相对电极213。

像素电极211可布置在第四有机绝缘层124上。像素电极211可通过在第二有机绝缘层122、第三有机绝缘层123和第四有机绝缘层124中提供的接触孔电连接到第一连接电极CM1。

像素电极211可包括包含有银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物的反射层。例如，像素电极211还可包括在反射层上和/或下或者下方的导电氧化物材料层。导电氧化物材料层可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In

在像素电极211上可布置有第一堤层215。在第一堤层215中可限定有暴露像素电极211的至少一部分的第一开口。像素电极211的中心部分可通过在第一堤层215中限定的第一开口暴露。第一开口可限定从第一显示元件DPE1发射的光的发射区域。

第一堤层215可包括有机绝缘材料。在实施方式中，第一堤层215可包括无机绝缘材料，诸如氮化硅、氧氮化硅或氧化硅。在实施方式中，第一堤层215可包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。在实施方式中，第一堤层215可包括阻光材料并且以黑色提供。阻光材料可包括炭黑、碳纳米管、包括黑色染料的树脂或糊料、金属颗粒(例如，镍、铝、钼及其合金)、金属氧化物颗粒(例如，氧化铬)或金属氮化物颗粒(例如，氮化铬)。在第一堤层215可包括阻光材料的情况下，可减少由布置在第一堤层215下方的金属结构引起的外部光反射。

发射层212可布置在像素电极211上。发射层212可与第一堤层215的暴露像素电极211的至少一部分的第一开口重叠。发射层212可包括低分子量材料或聚合物材料，并且发射红色光、绿色光、蓝色光或白色光。在实施方式中，发射层212可被图案化为对应于像素电极211中的每一个。在实施方式中，发射层212可在像素电极211上面彼此为一体的。

在实施方式中，在像素电极211与发射层212之间可布置有空穴注入层(HIL)和/或空穴传输层(HTL)。

相对电极213可布置在发射层212上。相对电极213可包括具有低功函数的导电材料。作为实例，相对电极213可包括包含有银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其合金的(半)透明层。例如，相对电极213还可包括在(半)透明层上的层，该层包括ITO、IZO、ZnO或In

在实施方式中，在发射层212与相对电极213之间可布置有电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。

图6A、图6B和图6C是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖面图。

参照图6A至图6C，显示面板DP可包括衬底100、像素电路层PCL和显示元件层DEL。显示元件层DEL可包括作为第二显示元件的红色有机发光二极管DPE2R、绿色有机发光二极管DPE2G和蓝色有机发光二极管DPE2B。衬底100可包括第二显示区域DA2和与第二显示区域DA2相邻的第三显示区域DA3。

像素电路层PCL可布置在衬底100上。像素电路层PCL可包括第二子像素电路PC2、无机绝缘层IIL、第一有机绝缘层121、第二有机绝缘层122、第三有机绝缘层123和第四有机绝缘层124。在实施方式中，无机绝缘层IIL可包括缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、第一无机绝缘层115、第二无机绝缘层117和层间绝缘层119。

驱动第二显示元件中的每一个的第二子像素电路PC2可布置在第三显示区域DA3中。换句话说，第二子像素电路PC2可不布置在第二显示区域DA2中。第二子像素电路PC2可包括第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2和存储电容器Cst。

在实施方式中，无机绝缘层IIL可包括与第二显示区域DA2重叠的凹槽Gv或孔。凹槽Gv可具有通过去除无机绝缘层IIL的一部分而形成的形状。作为实例，缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、第一无机绝缘层115、第二无机绝缘层117和层间绝缘层119可各自包括与第二显示区域DA2重叠的开口。缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、第一无机绝缘层115、第二无机绝缘层117和层间绝缘层119的开口可分别通过单独的工艺形成，或者通过相同的工艺同时形成。在缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、第一无机绝缘层115、第二无机绝缘层117和层间绝缘层119的开口可通过单独的工艺形成的情况下，凹槽Gv可具有诸如阶梯的台阶差形状。

第一有机绝缘层121可填充凹槽Gv。作为实例，第一有机绝缘层121的一部分可至少部分地填充凹槽Gv。第一有机绝缘层121的透射率(例如，透光率)可大于无机绝缘层IIL的透射率。因此，第二显示区域DA2的透射率可增加。

尽管在图6A至图6C中示出了无机绝缘层IIL可包括凹槽Gv，但在实施方式中，无机绝缘层IIL可不包括凹槽Gv。例如，缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、第一无机绝缘层115、第二无机绝缘层IPA2303KR0160

117和层间绝缘层119可各自连续地布置。

连接线可提供为多个。连接线可分别电连接到第二子像素电路PC2。连接线可分别将第二显示元件电连接到第二子像素电路PC2。在实施方式中，连接线可包括第一连接线CWL1、第二连接线CWL2和第三连接线CWL3。

在实施方式中，第一连接线CWL1、第二连接线CWL2和第三连接线CWL3可各自从第三显示区域DA3延伸到第二显示区域DA2。第一连接线CWL1、第二连接线CWL2和第三连接线CWL3可各自包括透明导电氧化物(TCO)。第一连接线CWL1、第二连接线CWL2和第三连接线CWL3可各自包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In

在实施方式中，在图6A至图6C中示出了分别连接到红色有机发光二极管DPE2R、绿色有机发光二极管DPE2G和蓝色有机发光二极管DPE2B的第一连接线CWL1、第二连接线CWL2和第三连接线CWL3分别布置在不同的层。在实施方式中，第一连接线CWL1可布置在第二有机绝缘层122与显示元件层DEL之间。第二连接线CWL2可布置在第三有机绝缘层123与显示元件层DEL之间。第三连接线CWL3可与像素电极211布置在相同的层。第三连接线CWL3可布置在第四有机绝缘层124上，并且第三连接线CWL3的一端可提供为覆盖像素电极211的边缘。在实施方式中，尽管第一连接线CWL1、第二连接线CWL2和第三连接线CWL3可布置在相同的层，但下面描述第一连接线CWL1、第二连接线CWL2和第三连接线CWL3分别布置在不同的层的情况。

参照图6A至图6C，第二有机绝缘层122和第三有机绝缘层123中的至少一个可具有开口。在实施方式中，第二有机绝缘层122可包括与第二显示区域DA2重叠的开口122OP。

参照图6A，第一连接线CWL1可布置在第二有机绝缘层122上。因为第一连接线CWL1从第三显示区域DA3延伸到第二显示区域DA2，所以第一连接线CWL1可与无机绝缘层IIL的凹槽Gv和第二有机绝缘层122的开口122OP重叠。第一连接线CWL1可布置在第二有机绝缘层122的开口122OP中的第一有机绝缘层121上。

第一连接线CWL1可通过布置在第一有机绝缘层121与第二有机绝缘层122之间的桥接线BWL电连接到第二子像素电路PC2。在实施方式中，桥接线BWL可通过第一有机绝缘层121的接触孔电连接到第二子像素电路PC2。桥接线BWL可通过第二有机绝缘层122的接触孔电连接到第一连接线CWL1。

在实施方式中，第二有机绝缘层122、第三有机绝缘层123和第四有机绝缘层124可布置在桥接线BWL上。第一连接线CWL1可通过第三有机绝缘层123和第四有机绝缘层124的接触孔电连接到红色有机发光二极管DPE2R。因此，红色有机发光二极管DPE2R可电连接到第二子像素电路PC2并且由第二子像素电路PC2驱动。

参照图6B，第二连接线CWL2可布置在第三有机绝缘层123与显示元件层DEL之间。在实施方式中，第二连接线CWL2可通过布置在第一有机绝缘层121与第二有机绝缘层122之间的桥接线BWL电连接到第二子像素电路PC2。在实施方式中，桥接线BWL可通过第一有机绝缘层121的接触孔电连接到第二子像素电路PC2。第二连接线CWL2可通过第二有机绝缘层122和第三有机绝缘层123的接触孔电连接到桥接线BWL。

第四有机绝缘层124可布置在第二连接线CWL2上。第二连接线CWL2可通过第四有机绝缘层124的接触孔电连接到绿色有机发光二极管DPE2G。因此，绿色有机发光二极管DPE2G可电连接到第二子像素电路PC2并且由第二子像素电路PC2驱动。

参照图6C，第三连接线CWL3可与像素电极211布置在相同的层。在实施方式中，第三连接线CWL3可布置在第四有机绝缘层124与第一堤层215之间。在实施方式中，第三连接线CWL3可电连接到布置在第三有机绝缘层123与第四有机绝缘层124之间的第二连接电极CM2。第二连接电极CM2可通过第四有机绝缘层124的接触孔电连接到第三连接线CWL3。第二连接电极CM2可通过布置在第一有机绝缘层121上的桥接线BWL电连接到第二子像素电路PC2。第二连接电极CM2可通过第二有机绝缘层122和第三有机绝缘层123的接触孔电连接到桥接线BWL。在实施方式中，桥接线BWL可通过第一有机绝缘层121的接触孔电连接到第二子像素电路PC2。

第三连接线CWL3可电连接到蓝色有机发光二极管DPE2B。第三连接线CWL3的一端可提供为覆盖蓝色有机发光二极管DPE2B的像素电极211的边缘。因此，蓝色有机发光二极管DPE2B可电连接到第二子像素电路PC2并且由第二子像素电路PC2驱动。

在实施方式中，桥接线BWL和第二连接电极CM2中的至少一个可包括具有高导电性的材料。桥接线BWL和第二连接电极CM2中的至少一个可包括包含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)的导电材料，并且包括包含有以上材料的单层或多层。桥接线BWL和第二连接电极CM2中的至少一个可具有Ti/Al/Ti的多层结构。在实施方式中，桥接线BWL和第二连接电极CM2可包括相同的材料或类似的材料。

尽管在图6A至图6C中示出了每个第二子像素电路PC2通过一个连接线电连接到与其对应的第二显示元件，但本公开不限于此。作为实例，尽管在图6A中示出了红色有机发光二极管DPE2R通过第一连接线CWL1电连接到第二子像素电路PC2，并且第一连接线CWL1接触或直接接触红色有机发光二极管DPE2R的像素电极211，但在实施方式中在第一连接线CWL1与红色有机发光二极管DPE2R的像素电极211之间可进一步布置有中间层，该中间层与第二连接线CWL2和第三连接线CWL3中的至少一个布置在相同的层。

显示元件层DEL可布置在像素电路层PCL上。显示元件层DEL可包括第一堤层215、红色有机发光二极管DPE2R、绿色有机发光二极管DPE2G和蓝色有机发光二极管DPE2B。红色有机发光二极管DPE2R、绿色有机发光二极管DPE2G和蓝色有机发光二极管DPE2B可各自布置在第四有机绝缘层124上。

第一堤层215可包括与第二显示区域DA2的一部分重叠的第一部分215A(参照图6A的第一堤层215中由虚线标记的区)。第一部分215A可不与像素电极211重叠。第一部分215A可为与第一堤层215的暴露像素电极211的第一开口分开的区。尽管在图6A至图6C中示出了第一堤层215可包括第一部分215A并且连续地延伸，但在实施方式中，第一堤层215可包括与第一部分215A对应的第二开口。换句话说，可去除第一部分215A。在第一堤层215可包括与第一部分215A对应的第二开口的情况下，可改善显示面板DP在第二显示区域DA2中的透射率(例如，透光率)。第二显示区域DA2的与第一部分215A重叠的区可对应于透射区域TA。

红色有机发光二极管DPE2R、绿色有机发光二极管DPE2G和蓝色有机发光二极管DPE2B可各自电连接到第二子像素电路PC2。红色有机发光二极管DPE2R、绿色有机发光二极管DPE2G和蓝色有机发光二极管DPE2B可各自包括像素电极211和相对电极213。

在实施方式中，红色有机发光二极管DPE2R可包括布置在像素电极211与相对电极213之间并且发射红色光的红色发射层212R。绿色有机发光二极管DPE2G可包括布置在像素电极211与相对电极213之间并且发射绿色光的绿色发射层212G。蓝色有机发光二极管DPE2B可包括布置在像素电极211与相对电极213之间并且发射蓝色光的蓝色发射层212B。

相对电极213可包括与第二显示区域DA2的一部分重叠的第二部分213A(参照图6A的相对电极213中由虚线标记的区)。第二部分213A可不与像素电极211重叠。尽管在图6A至图6C中示出了相对电极213在第二部分213A中连续地延伸，但在实施方式中，相对电极213可具有与第二部分213A对应的开口。换句话说，可去除第二部分213A。在相对电极213可包括与第二部分213A对应的开口的情况下，可改善显示面板DP在第二显示区域DA2中的透射率(例如，透光率)。第二显示区域DA2的与第二部分213A重叠的区可对应于透射区域TA。

图7是根据实施方式的沿图3B的线C-C'截取的显示装置的一部分的示意性剖面图。

参照图7，显示面板DP可包括显示区域DA(参见图3B)和非显示区域NDA。显示区域DA可包括第一显示区域DA1。第一显示区域DA1的结构与参照图5描述的结构相同。

显示面板DP可包括衬底100、像素电路层PCL和显示元件层DEL。像素电路层PCL可布置在衬底100上。像素电路层PCL可包括第一子像素电路PC1、第一连接电极CM1、无机绝缘层IIL、第一有机绝缘层121、第二有机绝缘层122、第三有机绝缘层123和第四有机绝缘层124。

第一子像素电路PC1可包括第一薄膜晶体管TFT1和存储电容器Cst。第一薄膜晶体管TFT1可包括第一半导体层Act1、第一栅电极GE1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1。存储电容器Cst可包括第一电容器电极CE1和第二电容器电极CE2。

显示元件层DEL可布置在像素电路层PCL上。显示元件层DEL可包括第一显示元件DPE1。第一显示元件DPE1是有机发光二极管，并且可包括像素电极211、发射层212和相对电极213。第一显示元件DPE1可布置在第四有机绝缘层124上。

第一堤层215可布置在像素电极211上。间隔件220可布置在第一堤层215上。间隔件220可包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。例如，间隔件220可包括诸如氧化硅、氮化硅和氧氮化硅的无机绝缘材料，或者包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。在实施方式中，间隔件220可包括与第一堤层215的材料相同的材料或类似的材料。第一堤层215和间隔件220可在使用半色调掩模的掩模工艺期间同时形成。在实施方式中，间隔件220可包括与第一堤层215的材料不同的材料。

显示元件层DEL和像素电路层PCL可被薄膜封装层300覆盖。薄膜封装层300可包括第一无机封装层310、第二无机封装层330和介于其间的有机封装层320。

第一无机封装层310和第二无机封装层330可各自包括至少一种无机绝缘材料。无机绝缘材料可包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氧氮化硅。有机封装层320可包括聚合物基材料。聚合物基材料可包括丙烯酸基树脂、环氧基树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。作为实例，有机封装层320可包括丙烯酸树脂，诸如聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸。有机封装层320可通过固化单体或涂覆聚合物来形成。

薄膜封装层300可完全覆盖显示区域DA，朝向非显示区域NDA延伸，并且布置为覆盖非显示区域NDA的一部分。薄膜封装层300可延伸到驱动电压供应线60的外部区。

在实施方式中，参照图2A描述的触摸屏层TSL和光学功能层OFL可进一步布置在薄膜封装层300上。

坝DM可布置在与显示区域DA相邻的非显示区域NDA中。如参照图3B所述，坝DM可布置为围绕显示区域DA。尽管在图7中示出了坝DM可包括第一坝DM1和位于第一坝DM1外部的第二坝DM2，但在实施方式中，坝DM可仅包括第一坝DM1或者进一步包括与第二坝DM2相邻的分隔壁。

在第一坝DM1与显示区域DA之间以及在第一坝DM1与第二坝DM2之间可提供有谷。第一坝DM1、第二坝DM2以及由此形成的谷结构可防止薄膜封装层300的有机封装层320朝向衬底100的边缘溢出。第一坝DM1、第二坝DM2以及由此形成的谷结构可防止有机封装层320的边缘尾部形成。

有机封装层320可接触第一坝DM1的面对显示区域DA的内表面。在有机封装层320接触第一坝DM1的内表面的情况下，可理解，第一无机封装层310定位在有机封装层320与第一坝DM1之间，并且有机封装层320接触或直接接触第一无机封装层310。第一无机封装层310和第二无机封装层330可布置在第一坝DM1和第二坝DM2上，并且可朝向衬底100的边缘延伸。

第一坝DM1可包括第二有机绝缘层122的一部分122P1、第三有机绝缘层123的一部分123P1和第一堤层215的一部分215P1。第二坝DM2可包括第二有机绝缘层122的一部分122P2、第三有机绝缘层123的一部分123P2、第一堤层215的一部分215P2和间隔件220的一部分220P2。在实施方式中，第一坝DM1和第二坝DM2可各自进一步包括其它层的一部分，或者可省略上述层中的一些或多个。

驱动电压供应线60可布置为与坝DM至少部分地重叠。作为实例，驱动电压供应线60可布置为与第一坝DM1和第二坝DM2重叠。在实施方式中，驱动电压供应线60可包括与第一薄膜晶体管TFT1的第一源电极SE1和第一漏电极DE1或第一连接电极CM1的材料相同的材料。在实施方式中，驱动电压供应线60可与公共电压供应线70(参见图3B)布置在相同的层，并且包括与公共电压供应线70的材料相同的材料。作为实例，驱动电压供应线60可包括包含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)的导电材料，并且具有包括以上材料的单层结构或多层结构。在实施方式中，驱动电压供应线60可具有Ti/Al/Ti的多层结构。

如上面参照图3B所述，非显示区域NDA可至少部分地包括弯曲区域BA。弯曲区域BA可与第一坝DM1和第二坝DM2分开。在实施方式中，无机绝缘层IIL可包括与弯曲区域BA对应的开口。例如，布置为与弯曲区域BA对应的无机绝缘层IIL可从弯曲区域BA去除。尽管在图7中示出了完全去除与弯曲区域BA对应的无机绝缘层IIL，但在实施方式中，缓冲层111的一部分或全部可保留而不被去除。因为定位在弯曲区域BA中的无机绝缘层IIL被部分或全部去除，所以可防止在衬底100弯曲时裂纹通过无机绝缘层IIL传播。

在实施方式中，堤230可布置在非显示区域NDA中。堤230可与第一坝DM1和第二坝DM2分开。堤230支承在制造显示面板DP的工艺期间形成作为显示元件而被包括的有机发光二极管的发射层212和/或相对电极213时使用的掩模。堤230可防止或减少下部元件被掩模损坏。

在实施方式中，堤230可布置为与弯曲区域BA至少部分地重叠。因为在无机层定位在弯曲区域BA中的情况下，无机层中可能出现裂纹，所以堤230一般地可包括有机绝缘材料。在实施方式中，堤230可包括第一有机绝缘层121的一部分121P3、第二有机绝缘层122的一部分122P3、第三有机绝缘层123的一部分123P3、第一堤层215的一部分215P3和间隔件220的一部分220P3。在实施方式中，堤230还可包括其它层的一部分，或者可省略上述层中的一些或多个。在实施方式中，与第三有机绝缘层123的一部分123P3、第一堤层215的一部分215P3和间隔件220的一部分220P3相比，构成堤230的第一有机绝缘层121的一部分121P3和第二有机绝缘层122的一部分122P3可在从弯曲区域BA到显示区域DA的方向(例如，-y方向)上进一步延伸。

薄膜封装层300的第一无机封装层310和第二无机封装层330可朝向堤230延伸。在实施方式中，第一无机封装层310和第二无机封装层330的端部可定位在堤230上。在实施方式中，第一无机封装层310和第二无机封装层330的端部可定位在第二坝DM2与堤230之间。

在实施方式中，非显示区域NDA可包括第一区ICR。第一区ICR可定位在第二坝DM2与堤230之间。在第一区ICR中可仅存在无机绝缘材料。在第一区ICR中可仅存在无机绝缘材料的情况下，这可意味着有机绝缘材料未布置在第一区ICR中。作为实例，无机绝缘层和/或导电材料层可布置在第一区ICR中。第一区ICR可包括无机绝缘层IIL与第一无机封装层310接触的区。因为第一无机封装层310可包括其中第一无机封装层310接触或直接接触第二无机封装层330以及其下的其它的无机绝缘层IIL的区，所以改善了粘合力，并且因此可更有效地防止或减少外部湿气和氧气的渗透。

图8是根据实施方式的示出了图3B的区B的显示装置的一部分的示意性放大平面图。

参照图3B和图8，驱动电压供应线60可布置在显示面板DP的非显示区域NDA中。坝DM和堤230可布置在显示面板DP的非显示区域NDA中。

坝DM可包括第一坝DM1和第二坝DM2。第一坝DM1可布置为围绕显示区域DA，并且第二坝DM2可布置为在第一坝DM1的外部围绕第一坝DM1。因为第一坝DM1沿显示区域DA的外围布置，所以可理解第二坝DM2也沿显示区域DA的外围布置。第一坝DM1可与第二坝DM2分开。

驱动电压供应线60的一部分可定位为比第一坝DM1更靠近显示区域DA。在图8中示出了第三驱动电压供应线63布置在第一坝DM1内部，并且定位为更靠近显示区域DA。驱动电压供应线60的一部分，例如，第一驱动电压供应线61可在与第一坝DM1和第二坝DM2交叉的方向上延伸，并且与第一坝DM1和第二坝DM2重叠。第一驱动电压供应线61从第三驱动电压供应线63延伸。第一驱动电压供应线61一体地连接到第三驱动电压供应线63。

第一驱动电压供应线61可在面向衬底100的边缘的第二方向(例如，y方向)上延伸。第一驱动电压供应线61可与第一区ICR重叠。换句话说，第一驱动电压供应线61可穿过第一区ICR。

堤230可进一步定位在第二坝DM2外部。堤230可围绕第二坝DM2的至少一部分。堤230可与驱动电压供应线60的一部分重叠。例如，第一驱动电压供应线61可与堤230重叠。

根据实施方式，覆盖层130可布置在第一驱动电压供应线61上。覆盖层130可定位在第一区ICR中。覆盖层130可布置为接触或直接接触第一驱动电压供应线61。通过实例的方式，覆盖层130可布置为覆盖第一驱动电压供应线61的至少一个边缘。在实施方式中，覆盖层130可布置为覆盖第一驱动电压供应线61的两个相对边缘。覆盖层130可连续地覆盖第一驱动电压供应线61的上表面的一部分和侧表面的一部分，以及布置在第一驱动电压供应线61下或直接布置在第一驱动电压供应线61下或下方的无机绝缘层IIL的上表面的一部分。

覆盖层130可包括至少一个透明导电材料层。在实施方式中，覆盖层130可包括包含有诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In

薄膜封装层300的无机封装层，例如，第一无机封装层310和第二无机封装层330可延伸到非显示区域NDA。第一无机封装层310和第二无机封装层330可布置在非显示区域NDA中的第一驱动电压供应线61、第三驱动电压供应线63、第一坝DM1和第二坝DM2上，并且可与第一驱动电压供应线61、第三驱动电压供应线63、第一坝DM1和第二坝DM2重叠。在实施方式中，薄膜封装层300的边缘300e可布置在堤230的边缘上。替代性地，薄膜封装层300的边缘300e可布置在堤230上。

覆盖层130可定位在第二坝DM2与堤230之间。第一无机封装层310和第二无机封装层330可布置在第一区ICR中的覆盖层130上。通过实例的方式，薄膜封装层300的第一无机封装层310可在第一驱动电压供应线61的被覆盖层130覆盖的边缘上延伸。

根据实施方式，因为提供了覆盖第一驱动电压供应线61的边缘的覆盖层130，所以在形成薄膜封装层300之前的后续掩模工艺期间，第一驱动电压供应线61的边缘可不被暴露或损坏，并且可减少通过第一驱动电压供应线61的边缘到坝DM的内部的湿气传输的出现。

在实施方式中，第一驱动电压供应线61的被覆盖层130覆盖的两个相对边缘在平面图中可具有直线形状。在第一驱动电压供应线61的边缘在平面图中具有直线形状的情况下，可改善覆盖层130覆盖边缘的台阶覆盖。

图9是根据实施方式的沿图8的线I-I'截取的显示装置的一部分的示意性剖面图。

参照图9，衬底100可布置在第一区ICR(参见图8)中。在实施方式中，衬底100可包括第一基础层101、第一阻挡层103、第二基础层105和第二阻挡层107。

无机绝缘层IIL可布置在衬底100上。无机绝缘层IIL可顺序地包括缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、第一无机绝缘层115、第二无机绝缘层117和层间绝缘层119。

如图9中所示，驱动电压供应线60，例如，第一驱动电压供应线61可布置在无机绝缘层IIL与薄膜封装层300之间。

在实施方式中，第一驱动电压供应线61可包括可彼此顺序地堆叠的第一层61-1、第二层61-2和第三层61-3。在实施方式中，在本公开的精神和范围内，第一层61-1、第二层61-2和第三层61-3可各自包括包含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料。在实施方式中，第一层61-1可包括与第三层61-3的材料相同的材料或相似的材料。作为实例，第一层61-1和第三层61-3可包括钛(Ti)。在实施方式中，第二层61-2可包括铝(Al)。

在实施方式中，覆盖层130可连续地覆盖第一驱动电压供应线61的侧表面61s、第一驱动电压供应线61的上表面61t的至少一部分以及布置在第一驱动电压供应线61下或直接布置在第一驱动电压供应线61下或下方的无机绝缘层IIL的上表面IILt的至少一部分。通过实例的方式，覆盖层130可覆盖第一层61-1的侧表面61-1s、第二层61-2的侧表面61-2s、第三层61-3的侧表面61-3s、第三层61-3的上表面61-3t的至少一部分和层间绝缘层119的上表面119t的至少一部分。覆盖层130可延伸以覆盖第一驱动电压供应线61的上表面61t和侧表面61s以及无机绝缘层IIL的上表面IILt。作为实例，覆盖层130可连续地覆盖第一驱动电压供应线61的上表面61t和侧表面61s以及无机绝缘层IIL的上表面IILt。覆盖层130可接触或直接接触第一驱动电压供应线61的上表面61t和侧表面61s以及无机绝缘层IIL的上表面IILt。第一驱动电压供应线61的侧表面61s对应于参照图8描述的第一驱动电压供应线61的边缘。

在第一驱动电压供应线61的侧表面61s在随后的掩模工艺期间暴露的情况下，在第二层61-2的侧表面61-2s中可能出现底切，并且可在第三层61-3的侧表面61-3s上相对地形成突出的尖端结构。由于此，在第一驱动电压供应线61的侧表面61s中可能出现间隙，并且出现的间隙可能用作外部湿气和氧气的移动路径。第三层61-3的尖端结构可能通过损坏其上的薄膜封装层300来形成湿气传输路径。

根据实施方式，因为覆盖层130覆盖第一层61-1的侧表面61-1s、第二层61-2的侧表面61-2s、第三层61-3的侧表面61-3s和第三层61-3的上表面61-3t的至少一部分，所以可防止或减少底切在第二层61-2的侧表面61-2s中的出现或突出尖端结构在第三层61-3中的形成。可保护布置在显示区域DA中的有机发光二极管免受外部湿气和氧气的影响。

在实施方式中，第一驱动电压供应线61的侧表面61s可包括在正向方向上逐渐变细的倾斜表面。具有在正向方向上逐渐变细的倾斜表面可意味着第一驱动电压供应线61的侧表面61s不具有底切结构或突出结构，而是具有平缓斜坡的形状。

在实施方式中，覆盖层130可包括至少一个透明导电材料层。在实施方式中，覆盖层130可包括可彼此顺序地堆叠的第一透明导电材料层131、第二透明导电材料层132和第三透明导电材料层133。在实施方式中，可省略覆盖层130的第一透明导电材料层131、第二透明导电材料层132和第三透明导电材料层133中的一个。在实施方式中，在覆盖层130可包括可彼此顺序地堆叠的第一透明导电材料层131、第二透明导电材料层132和第三透明导电材料层133的情况下，覆盖第一驱动电压供应线61的台阶覆盖可为优秀的。

在实施方式中，第一透明导电材料层131、第二透明导电材料层132和第三透明导电材料层133可各自包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In

在实施方式中，覆盖层130的至少一个透明导电材料层可包括与以上参照图6A至图6C描述的第一连接线CWL1(参见图6A)、第二连接线CWL2(参见图6B)和第三连接线CWL3(参见图6C)中的至少一个的材料相同的材料。在实施方式中，第一透明导电材料层131可包括与第一连接线CWL1的材料相同的材料，并且在相同的工艺期间形成。在实施方式中，第二透明导电材料层132可包括与第二连接线CWL2的材料相同的材料，并且在相同的工艺期间形成。在实施方式中，第三透明导电材料层133可包括与第三连接线CWL3的材料相同的材料，并且在相同的工艺期间形成。

根据实施方式，因为在形成第一连接线CWL1、第二连接线CWL2和第三连接线CWL3(参见图6A至图6C)的工艺期间同时形成第一透明导电材料层131、第二透明导电材料层132和第三透明导电材料层133，所以即使不增加单独的工艺，也可形成有效地覆盖第一驱动电压供应线61的边缘的覆盖层130。因此，提供了在工艺的方面的经济优势。

在实施方式中，薄膜封装层300可布置在覆盖层130和层间绝缘层119上。通过实例的方式，第一无机封装层310可布置在覆盖层130和层间绝缘层119上。第一无机封装层310可布置在或直接布置在覆盖层130和层间绝缘层119上。第一无机封装层310可覆盖第一驱动电压供应线61的上表面61t、覆盖层130的上表面和无机绝缘层IIL的上表面IILt。第一无机封装层310可接触或直接接触第一驱动电压供应线61的上表面61t、覆盖层130的上表面和无机绝缘层IIL的上表面IILt。

在实施方式中，第二无机封装层330可布置在第一无机封装层310上。第二无机封装层330可布置在或直接布置在第一无机封装层310上。因为第一无机封装层310布置在或直接布置在覆盖层130和层间绝缘层119上，并且第二无机封装层330布置在或直接布置在第一无机封装层310上，所以改善了薄膜封装层300的粘合力，并且因此，可更有效地防止或减少外部湿气和氧气的渗透。

尽管参照图8和图9对第一驱动电压供应线61及其邻近结构进行了描述，但本公开不限于此。类似于第一驱动电压供应线61，在第二方向(y方向)上延伸的第二驱动电压供应线62、第一公共电压供应线71和第二公共电压供应线73可各自具有与参照图8和图9描述的结构实质上相同的结构。作为实例，与第一区ICR重叠的第二驱动电压供应线62、第一公共电压供应线71和第二公共电压供应线73的边缘在平面图中可各自具有直线形状，并且覆盖层130可布置在第二驱动电压供应线62、第一公共电压供应线71和第二公共电压供应线73的边缘上。

根据实施方式，因为电源线的一部分的边缘被至少一个透明导电材料层覆盖，所以可防止湿气传输路径沿电源线的边缘形成，并且因此，可实现具有改善的可靠性的显示装置。然而，本公开的范围不受该效果的限制。

应理解，本文中描述的实施方式应仅在描述性意义上考虑，而不是出于限制的目的。每个实施方式内的特征或方面的描述通常应被视为可用于其它实施方式中的其它类似特征或方面。虽然已参照图对一个或多个实施方式进行了描述，但本领域普通技术人员将理解，在不背离如由随附的权利要求书限定的精神和范围的情况下可在其中做出形式和细节上的各种改变。