半导体工艺设备的清洁方法及清洁系统

技术领域

本发明涉及一种半导体工艺设备的清洁方法及清洁系统，特别涉及一种用 来清除污染物的半导体工艺设备的清洁方法及清洁系统。

背景技术

在半导体工艺中，是包括一曝光工艺，其是先将一具有图案的掩膜置于晶 圆的上方，再利用一曝光光源透过掩膜射于一晶圆上。之后，将该晶圆浸入一 显影液中，就可以在晶圆上看到掩膜的图案了。

该掩膜上会有一层掩膜保护膜，该掩膜保护膜能避免掩膜图案受到刮伤， 以及使得掩膜上的污染不会影响曝光良率。此外，由于该掩膜保护膜会因静电 而附着污染物(Particle)、化学物质等，所以需要对该掩膜保护膜进行清洁，才 不会影响到半导体工艺的良率。然而，当污染物附着于掩膜保护膜时，污染物与掩膜保护膜之间具有很大的结合力，所以传统清洁方法不容易去除位于掩膜 保护膜的污染物。

因此，如何改善上述的问题，便是本领域具有通常知识者值得去思量地。

发明内容

本发明的目的在于提供一半导体工艺设备的清洁方法，半导体工艺设备的 清洁方法对于掩膜保护膜或掩膜具有极佳的除尘效果。

本发明的半导体工艺设备的清洁方法是应用于一掩膜的一掩膜保护膜上， 且至少一污染物附着于该掩膜保护膜上，该掩膜保护膜的清洁方法是包括下列 步骤：

首先，(a)提供多道激光钳(optical tweezers)照射于该污染物及该污染物的 邻近处，以使这些激光钳对该污染物产生一合力。之后，(b)提供一气流至该 掩膜保护膜。其中，该合力大于该污染物与该掩膜保护膜之间的最大静摩擦力。

在上所述的半导体工艺设备的清洁方法中，当执行步骤(a)时同时执行步骤(b)。

在上所述的半导体工艺设备的清洁方法中，物件为一掩膜或一掩膜保护 膜。

在上所述的半导体工艺设备的清洁方法中，这些激光钳分别来自不同的方 向。

在上所述的半导体工艺设备的清洁方法中，这些激光钳经由一道主激光进 入一空间光调制器而形成。

本发明另一目的在于提供一半导体工艺设备的清洁系统，半导体工艺设备 的清洁系统对于掩膜保护膜或掩膜具有极佳的除尘效果。

本发明的半导体工艺设备的清洁系统是应用于一物件上，且至少一污染物 附着于物件上，半导体工艺设备的清洁系统包括一光源、一扩束镜、一空间光 调制器及一监控模块。其中，光源是发出一初始光线，该初始光线是进入该扩 束镜，且扩束镜将初始光线调整为一道主激光。此外，主激光进入空间光调制 器，且空间光调制器将主激光调整为多道激光钳。另外，监控模块是电性连接空间光调制器，监控模块拍摄并获得该污染物的位置，且监控模块传送污染物 的位置至该空间光调制器。其中，这些激光钳照射于污染物及/或该污染物的 邻近处，以使这些激光钳对该污染物产生一合力。

在上所述的半导体工艺设备的清洁系统中，扩束镜位于光源及空间光调制 器之间。

在上所述的半导体工艺设备的清洁系统中，监控模块为CCD摄影机或 CMOS摄影机。

在上所述的半导体工艺设备的清洁系统中，物件为一掩膜或一掩膜保护 膜。

本发明具有下述优点：半导体工艺设备的清洁方法及清洁系统能有效挪动 附着于掩膜或掩膜保护膜上的污染物(Particle)，所以本方法具有极佳的除尘效 果。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的 限定。

附图说明

图1A所绘示为本实施例的半导体工艺设备的清洁系统10的方框图；

图1B所绘示为半导体工艺设备的清洁系统10、污染物7及物件8的示意 图；

图2A所绘示为本实施例的半导体工艺设备的清洁方法的流程图；

图2B所绘示为污染物7附着于物件8的示意图；

图3A所绘示为多道激光钳L1、L2照射于污染物7及污染物7的邻近处 的示意图；

图3B所绘示为主激光ML进入空间光调制器14的示意图；

图3C所绘示为风刀装置6产生气流至掩膜保护膜8F的示意图。

其中，附图标记

S1～S2：步骤 10：半导体工艺设备的清洁系统

12：光源

13：扩束镜

14：空间光调制器

141：像素

15：监控模块

6：风刀装置

61：风刀喷嘴

7：污染物

8：物件

L1、L2：激光钳

FL：初始光线

ML：主激光

R：合力

具体实施方式

下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：

请参阅图1A及图1B，图1A所绘示为本实施例的半导体工艺设备的清洁 系统10的方框图，图1B所绘示为半导体工艺设备的清洁系统10、污染物7及物件8的示意图。本实施例的半导体工艺设备的清洁系统10是应用于一物 件8上，物件8例如为一掩膜或一掩膜保护膜，且至少一污染物7是附着于物 件8上，污染物7的粒径大小通常不小于5纳米。

本实施例的半导体工艺设备的清洁系统10是包括一光源12、一扩束镜13、 一空间光调制器14及一监控模块15。其中，扩束镜13是位于光源12及空间 光调制器14之间，而监控模块15是电性连接于空间光调制器14。在本实施 例中，光源12及扩束镜13分属于两个装置。然而，在其他实施例中，扩束镜 13也能整合于光源12中。

上述中，光源12是用以发出一初始光线FL进入扩束镜13内，且扩束镜 13用以将初始光线FL调整为一道主激光ML。并且，主激光ML再进入空间 光调制器14内。此外，空间光调制器14是用以将接收到的主激光ML划分成 为多道激光钳L1及激光钳L2，空间光调制器14如何将主激光ML划分成多 道激光钳L1及激光钳L2的方式会在下方段落详细说明。

请再次参阅图1B，监控模块15例如包括CCD摄影机或CMOS摄影机， 用以拍摄并获得污染物7的位置。并且，当监控模块15获得污染物7的位置 时，监控模块15便将污染物7的位置传送至空间光调制器14。因此，当确认 污染物7的所在位置后，空间光调制器14是用以将多道激光钳L1集中照射于 污染物7以及将多道激光钳L2照射于污染物7的邻近处。

在上述的实施例中，已揭露半导体工艺设备的清洁系统10的基本架构及 各部件的运行方式。在下列的实施例中，会再透过半导体工艺设备的清洁方法 更详细说明半导体工艺设备的清洁系统10的主要功效。

请参阅图2A及图2B，图2A所绘示为本实施例的半导体工艺设备的清洁 方法的流程图，图2B所绘示为污染物7附着于物件8的示意图。本实施例的 半导体工艺设备的清洁方法是应用于物件8上，且本案清洁方法会使用到半导 体工艺设备的清洁系统10，本实施例的半导体工艺设备的清洁方法是包括下 列步骤：

首先，请参阅步骤S1、图3A及图3B，提供多道激光钳L1照射于污染物 7及多道激光钳L2照射于污染物7的邻近处，以使这些激光钳L1对该污染物 产生一合力R(请参阅图3A)。具体来说，这些激光钳L1,L2是分别来自不同 的方向，不同的角度照射于污染物7及污染物7的邻近处。其中，经由上述说明半导体工艺设备的清洁系统10能得知，这些激光钳L1,L2是经由主激光 ML进入空间光调制器14而形成。更详细来说，空间光调制器14的视平面是 被切分为多个像素141(请参阅图3B)，当主激光ML进入空间光调制器14后， 这些像素141会将主激光ML划分成多道激光钳L1,L2，每一个像素141对应 一道激光钳L1或对应一道激光钳L2。并且，空间光调制器14可控制每一像 素141所射出的激光钳L1,L2的相位，以使多道不同方向、不同角度的激光钳L1,L2能集中于污染物7及其邻近处。

值得注意的是，在下述的说明书中，为了说明的简洁，是以单一个污染物 7为例进行说明，但在一般的情况下，通常是有多个污染物7附着于物件8上。 因此，空间光调制器14是将主激光ML分成多组激光钳L1及多组激光钳L2， 每一组激光钳L1及每一组激光钳L2是包括多道激光，而每组激光钳L1及每 一组激光钳L2是分别对应到一组像素141。换句话说，在以下说明时，是以 其中一组激光钳L1或激光钳L2为例进行说明。但本领域具有通常知识者应 可知，本实施例的半导体工艺设备的清洁方法在实施时，一般会有多组激光钳 L1与多组激光钳L2照射在不同的污染物7及这些污染物7的邻近处上。

此外，由于单一的光钳照射在一物体上时都会对该物体产生一光压。因此， 这么多道的激光钳L1作用在污染物7上便会产生一定大小的合力R。值得注 意的是，合力R是大于污染物7与物件8之间的最大静摩擦力，所以这些激 光钳L1的合力R能够挪动污染物7，以使污染物7与物件8分离开来。

另外，这些激光钳L2的能量对于污染物7附近具有改质的效果，以缩小 污染物7与物件8之间的结合力，也就是减少污染物7的黏着力。这样一来， 有助于激光钳L1的合力R挪动污染物7。

之后，请参阅步骤S2及图3C，提供一气流至物件8。详细来说，该气流 是从一风刀装置6的风刀喷嘴61所喷射而出。之后，该气流便流向掩膜保护 膜。并且，在步骤S1中，污染物7与物件8已分离开来，所以污染物7更容 易被风刀装置6的气流所清除。因此，本实施例的半导体工艺设备的清洁方法 能达到最佳除尘效果。

在上述的半导体工艺设备的清洁方法中，是依序进行步骤S1及步骤S2。 然而，在其他的实施例中，在执行步骤S1时也能同时执行步骤S2。具体来说， 当多道激光钳L1照射于污染物7及多道激光钳L1照射于污染物7的邻近处时，风刀装置6也能同时对物件8进行除尘，不需要依序分别执行。如此一来， 更有利于清洁掩膜或掩膜保护膜。

综上所述，本实施例的半导体工艺设备的清洁方法及清洁系统能有效挪动 附着于掩膜或掩膜保护膜的污染物，再配合上风刀装置的喷射气流，所以具有 极佳的除尘效果。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情 况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但 这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。