背面研磨用粘着片及半导体晶圆的制造方法、基材片

技术领域

本发明涉及背面研磨用粘着片及使用了该粘着片的半导体晶圆的制造方法、以及基材片。

背景技术

对半导体晶圆进行加工时，会粘贴粘着片以保护其免受破损。例如，对半导体晶圆进行加工时的背面研磨(backgrinding)步骤中，粘贴粘着片来保护半导体晶圆的图案面。就粘着片而言，考量对于突起电极(凸块)这样的具有凹凸的图案面的粘着性、图案面保护的可靠性的观点，要求对于图案面的凹凸的追随性(高低差追随性)。

为了使粘着片具有追随性，市场上一般会增加粘着剂的厚度、或在基材薄膜与粘着剂之间设置具有缓冲性的柔软树脂层，但图案面的凹凸较大时，追随性不足、胶残留的风险增高。

专利文献1中，使粘着片构成为在基材层的单面包含具有比半导体晶圆的外径更小径的开口部的粘着剂层，通过真空安装将粘着剂层粘贴于半导体晶圆的外周部，以使半导体晶圆的凸部配置在粘着剂层的开口部内，并将凸部埋入基材层，由此防止胶残留，同时防止保护功能降低。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2019-140387号公报

发明内容

发明要解决的课题

本案发明人等针对专利文献1所公开的粘着片进行努力研究，结果发现基材层有时会无法充分追随凸部。

本发明是鉴于这样的情况而完成，旨在提供一种可提高基材层对于半导体晶圆的凸部的追随性的背面研磨用粘着片。

用于解决课题的技术手段

根据本发明，可提供以下的发明。

(1)一种背面研磨用粘着片，是具有凸部的半导体晶圆的背面研磨用粘着片；包含基材层、以及设置于前述基材层上的粘着剂层，前述粘着剂层具有直径比前述半导体晶圆的直径更小的开口部，并贴附于前述半导体晶圆的外周部，以使前述半导体晶圆的凸部配置在前述开口部内，在前述半导体晶圆贴附于前述粘着剂层的状态下，构成为前述凸部被前述基材层保护，前述基材层包含缓冲层以及阻挡层，前述基材层于25℃、RH0％依据JIS K7126-2(等压法)测得的透氧度为1000ml/(m

(2)如(1)记载的粘着片，其中，前述阻挡层设置在从前述缓冲层观察时与前述粘着剂层相反的一侧。

(3)如(1)或(2)记载的粘着片，其中，前述凸部通过埋入前述基材层中而受到保护。

(4)如(1)～(3)中任一项记载的粘着片，其中，前述半导体晶圆在减压下粘贴于前述粘着剂层。

(5)一种半导体晶圆的制造方法，使用了如(1)～(4)中任一项记载的粘着片；包含框架贴附步骤、晶圆贴附步骤、加温步骤、切断步骤、树脂固化步骤、以及研磨步骤，前述框架贴附步骤中，于环形框架贴附前述粘着片，前述晶圆贴附步骤中，于前述半导体晶圆的设有凸部的面上，将前述粘着片在减压下贴附于半导体晶圆的外周部，前述加温步骤中，对前述基材层加温，前述切断步骤中，沿着前述半导体晶圆的外周切断前述粘着片，前述树脂固化步骤中，是在前述晶圆贴附步骤之后使前述基材层抵接于固化性树脂，并在该状态下使前述固化性树脂固化，前述研磨步骤中，对前述半导体晶圆的背面进行研磨。

(6)一种基材片，包含缓冲层以及阻挡层，且于25℃、RH0％依据JIS K 7126-2(等压法)测得的透氧度为1000ml/(m

本案发明人进行努力研究，结果发现通过设置阻挡层，基材层的透氧度降低，由此可解决上述课题，而完成了本发明。

附图说明

图1是表示本发明的一个实施方式的于粘着片10贴附环形框架3之前的状态的剖面图。

图2是表示由图1的状态于粘着片10贴附环形框架3后的状态的剖面图。

图3是表示由图2的状态将半导体晶圆4贴附于粘着片10，并配置在减压腔室16内后的状态的剖面图。

图4是表示由图3的状态将贴附有粘着片10的半导体晶圆4从减压腔室16取出后的状态的剖面图。

图5是表示由图4的状态切除环形框架3，且利用减压单元6吸附半导体晶圆4后的状态的剖面图。

图6是表示由图5的状态将粘着片10按压于固化性树脂8，并使固化性树脂8固化的状态的剖面图。

图7是表示由图6的状态完成固化性树脂8的固化后的状态的剖面图。

图8是表示由图7的状态对半导体晶圆4的背面4b进行研磨后的状态的剖面图。

图9是表示由图8的状态将半导体晶圆4从粘着片10剥离后的状态的剖面图。

图10是表示本发明的一个实施方式的基材片11的剖面图。

具体实施方式

以下，针对本发明的实施方式进行说明。以下所示的实施方式中所例示的各种特征事项可彼此组合。此外，针对各特征事项独立地成立发明。

1.粘着片

利用图1～图9针对本发明的一个实施方式的粘着片10进行说明。本实施方式的粘着片10包含基材层1、以及设置于基材层1上的粘着剂层2。该粘着片10是在对具有凸部5的半导体晶圆4的背面4b进行研磨时使用。以下，针对各构成进行说明。

1-1.基材层1

如图1所示，基材层1包含缓冲层1a、表面处理层1b、以及阻挡层1c。表面处理层1b设置于缓冲层1a上。阻挡层1c优选设置在从缓冲层1a观察时与表面处理层1b(或粘着剂层2)相反的一侧。阻挡层1c优选通过粘接层(未图示)而贴附于缓冲层1a。表面处理层1b可省略。

基材层1整体的厚度优选为50～400μm，更优选为100～350μm，进一步优选为200～300μm。该厚度具体而言例如为50、100、150、200、250、300、350、400μm，也可为此处所例示的数值中任2者之间的范围内。

<缓冲层1a>

缓冲层1a是用于保护图2所示的半导体晶圆4的凸部5的层。缓冲层1a优选由热塑性树脂构成。热塑性树脂的组成并没有特别限定，可使用：乙烯-甲基丙烯酸-丙烯酸酯的3元共聚物、乙烯-甲基丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物等的单体及/或复合体的羧基利用钠离子、锂离子、镁离子等金属离子进行交联而成的离聚物树脂、于聚丙烯树脂掺配苯乙烯-丁二烯共聚橡胶、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚橡胶、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚橡胶、乙烯-丙烯橡胶等而得的软质聚丙烯树脂、低密度聚乙烯、乙烯-丙烯嵌段共聚物、乙烯-丙烯无规共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸共聚物、乙烯-1辛烯共聚物、聚丁烯等。其中，优选为离聚物树脂。

构成缓冲层1a的树脂中的(甲基)丙烯酸系单体单元的比例Ra(质量％)优选为比构成表面处理层1b的丙烯酸系树脂中的(甲基)丙烯酸系单体单元的比例Rb(质量％)低。此时，由丙烯酸系树脂组合物构成的粘着剂层2与表面处理层1b的密接性比粘着剂层2与缓冲层1a的密接性高，因此设置表面处理层1b的技术意义显著。(Rb-Ra)的值例如为10～100质量％，优选为30～100质量％。该值具体而言例如为10、20、30、40、50、60、70、80、90、100质量％，也可为此处所例示的数值中任2者之间的范围内。

缓冲层1a于180℃的储能模量E’a优选为比表面处理层1b于180℃的储能模量E’b低。高温条件下的缓冲层1a的储能模量E’a低的情况下，容易产生加温时缓冲层1a过度软化并牢固地密接于晶圆而难以剥离的问题，通过设置表面处理层1b，这种问题的产生受到抑制。因此，储能模量E’a比储能模量E’b低的情况下，设置表面处理层1b的技术意义显著。因缓冲层1a熔融而无法测定储能模量E’a时，为方便起见，将储能模量E’a设为0。

上述热塑性树脂的重均分子量(Mw)优选为1万～100万，更优选为5万～50万。重均分子量(Mw)是利用凝胶渗透色谱法(GPC)测得的聚苯乙烯换算的值。

上述热塑性树脂的软化温度(JIS K7206)优选为45～200℃，更优选为55～150℃。该软化温度具体而言例如为45、50、55、60、65、70、75、80、90、100、110、120、130、140、150、160、170、180、190、200℃，也可为此处所例示的数值中任2者之间的范围内。

上述热塑性树脂的熔点(JIS K7121)优选为60～200℃，更优选为80～150℃。该熔点具体而言例如为60、70、80、90、100、110、120、130、140、150、160、170、180、190、200℃，也可为此处所例示的数值中任2者之间的范围内。

上述热塑性树脂的熔体流动速率(MFR)(JIS K7210、125℃/10.0kg荷重)优选为0.2～30g/10min，更优选为0.3～20g/10min。

热塑性树脂具有如上述的物性时，伴随基材层1的加热，缓冲层1a适度软化，因此容易将凸部5埋入基材层1中。

缓冲层1a的厚度优选为50～400μm，更优选为100～350μm，进一步优选为200～300μm。该厚度具体而言例如为50、100、150、200、250、300、350、400μm，也可为此处所例示的数值中任2者之间的范围内。

<表面处理层1b>

表面处理层1b由含有丙烯酸系树脂的丙烯酸系树脂组合物形成，并通过光照射或加热而交联。在缓冲层1a上直接形成粘着剂层2的话，缓冲层1a与粘着剂层2的密接性不好时，有时会产生粘着剂层2的剥落，但通过在缓冲层1a上形成表面处理层1b，并以丙烯酸系树脂组合物形成粘着剂层2，可抑制粘着剂层2的剥落。

此外，为了提高缓冲层1a与粘着剂层2的密接性，而对缓冲层1a实施电晕放电处理，并将该缓冲层1a贴附于半导体晶圆的话，会有缓冲层1a与半导体晶圆的粘着力变得过高，难以将半导体晶圆从缓冲层1a剥下的情况。因此，本实施方式中，在缓冲层1a上形成表面处理层1b，并将表面处理层1b贴附于半导体晶圆。如上述，即使不进行电晕放电处理，表面处理层1b与粘着剂层2的密接性也优异，因此无需对表面处理层1b进行电晕放电处理。因此，通过设置表面处理层1b，可降低基材层1与半导体晶圆的粘着力。

具体而言，通过设置表面处理层1b，可使将从粘着片10切出的试验片的贴合有基材层1的半导体晶圆于100℃环境下加热1分钟，并冷却至常温后的基材层1与半导体晶圆于23℃依据JIS Z0237测得的粘着力低于6N/200mm。此时，基材层1与半导体晶圆的粘着力比粘着剂层2与半导体晶圆的粘着力小，因此为优选。该粘着力例如为0～5.9N/200mm，更优选为0.1～3N/200mm，进一步优选为0.5～2N/200mm。该粘着力具体而言例如为0、0.1、0.5、1.0、1.5、2.0、2.5、3.0、3.5、4.0、4.5、5.0、5.5、5.9N/200mm，也可为此处所例示的数值中任2者之间的范围内。此外，加热前的于上述测定条件下的粘着力优选为5N/200mm以下。该粘着力例如为0～5N/200mm，具体而言例如为0、0.1、0.5、1、2、3、4、5N/200mm，也可为此处所例示的数值中任2者之间的范围内。

丙烯酸系树脂，是指树脂中含有的(甲基)丙烯酸系单体单元的比例为50质量％以上的树脂。(甲基)丙烯酸系单体，是指具有(甲基)丙烯酰基的化合物。(甲基)丙烯酸系单体优选为单官能。

作为(甲基)丙烯酸系单体，例如可列举(甲基)丙烯酸及/或(甲基)丙烯酸酯。作为(甲基)丙烯酸酯，可列举(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸羟基烷基酯、具有环状醚骨架的(甲基)丙烯酸酯等。这些可单独使用，也可组合多种使用。

(甲基)丙烯酸烷基酯优选为下列通式(A)表示的(甲基)丙烯酸酯。

(A)Z-O-R

(式中，Z表示(甲基)丙烯酰基，R表示碳数1～10的烷基。)

作为这样的(甲基)丙烯酸烷基酯，可列举：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯等。

作为(甲基)丙烯酸羟基烷基酯，可列举：(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯及甘油单(甲基)丙烯酸酯。

作为具有环状醚骨架的(甲基)丙烯酸酯，可列举：(甲基)丙烯酸环氧丙酯、(甲基)丙烯酸糠酯、(甲基)丙烯酸四氢糠酯、(甲基)丙烯酸3-乙基-3-氧杂环丁烷基甲酯、(甲基)丙烯酸(2-甲基-乙基-1,3-二氧环戊烷-4-基)甲酯、环状三羟甲基丙烷甲缩醛(甲基)丙烯酸酯、γ-丁内酯(甲基)丙烯酸酯、二氧环戊烷(甲基)丙烯酸酯、二噁烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、氧杂环丁烷(甲基)丙烯酸酯等。可使用这些中的一种以上。环状醚骨架中优选为5～6员环。环状醚骨架的氧原子数优选为1。环状醚骨架优选具有碳数2～5。具有环状醚骨架的(甲基)丙烯酸酯中，优选为(甲基)丙烯酸环氧丙酯。

丙烯酸系树脂可仅含有(甲基)丙烯酸系单体单元，也可含有除(甲基)丙烯酸系单体单元以外的其他单体单元。作为其他单体单元，可列举：乙烯、丙烯等烯烃、乙酸乙烯酯等脂肪族乙烯基单元、苯乙烯等芳香族乙烯基单元等。

构成表面处理层1b的丙烯酸系树脂中的(甲基)丙烯酸系单体单元的比例例如为50～100质量％，具体而言例如为50、55、60、65、70、75、80、85、90、95、100质量％，也可为此处所例示的数值中任2者之间的范围内。

丙烯酸系树脂可通过使含有上述单体的单体混合物聚合而获得。

丙烯酸系树脂组合物优选含有交联剂。通过丙烯酸系树脂与交联剂的反应，丙烯酸系树脂进行交联。作为交联剂，可列举：丙烯酸酯系交联剂、异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂、胺系交联剂等。这些可单独使用，也可将二种以上混合使用。

作为丙烯酸酯系交联剂，可列举具有多个(例：2个)(甲基)丙烯酰基的化合物，具体而言，可列举：1,9-壬二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、三乙二醇二丙烯酸酯、聚四亚甲基二醇二丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、3-甲基-1,5-戊二醇二丙烯酸酯等。

作为异氰酸酯系交联剂，例如可列举：2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、1,3-二甲苯二异氰酸酯、1,4-二甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷-4,4’-二异氰酸酯、二苯基甲烷-2,4’-二异氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、二环己基甲烷-4,4’-二异氰酸酯、二环己基甲烷-2,4’-二异氰酸酯、赖氨酸二异氰酸酯等多元异氰酸酯化合物、以及它们的衍生物(加成物体、双缩脲体、异氰尿酸酯体)等。这些可单独使用，也可并用二种以上。

相对于丙烯酸系树脂100质量份，交联剂的调配量例如为0.5～30质量份，优选为4～25质量份，更优选为7～20质量份。该调配量具体而言例如为0.5、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、15、20、25、30质量份，也可为此处所例示的数值中任2者之间的范围内。

丙烯酸系树脂通过光照射或加热而交联。

通过光照射而交联的情况下，丙烯酸系树脂组合物优选含有光聚合引发剂。光聚合引发剂的具体例并没有特别限定，可使用：苯偶因醚系光聚合引发剂、苯乙酮系光聚合引发剂、α-酮醇系光聚合引发剂、芳香族磺酰氯系光聚合引发剂、光活性肟系光聚合引发剂、苯偶因系光聚合引发剂、二苯基乙二酮系光聚合引发剂、二苯甲酮系光聚合引发剂、缩酮系光聚合引发剂、噻吨酮系光聚合引发剂、酰基氧化膦系光聚合引发剂等，优选为苯乙酮系光聚合引发剂。

作为苯乙酮系光聚合引发剂的具体例，可列举：1-羟基环己基苯基酮、4-苯氧基二氯苯乙酮、4-叔丁基-二氯苯乙酮、1-[4-(2-羟基乙氧基)-苯基]-2-羟基-2-甲基-1-丙烷-1-酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、甲氧基苯乙酮等。

丙烯酸系树脂交联前的Mw优选为30万～200万，更优选为45万～80万。Mw过低的话，会有耐热性不充分的情况，Mw过高的话，由于粘度变得过高致使涂覆变困难，而会有生产性降低的情况。Mw具体而言例如为30万、35万、40万、45万、50万、55万、60万、65万、70万、75万、80万、90万、100万、110万、120万、130万、140万、150万、160万、170万、180万、190万、200万，也可为此处所例示的数值中任2者之间的范围内。

丙烯酸系树脂交联前的玻璃化转变温度(Tg)优选为-15～40℃，更优选为-10～30℃。该Tg具体而言例如为-15、-10、-5、0、5、10、15、20、25、30、35、40℃，也可为此处所例示的数值中任2者之间的范围内。丙烯酸系树脂交联后的Tg优选为10～80℃，更优选为20～70℃。该Tg具体而言例如为10、15、20、25、30、35、40、45、50、55、60、65、70、75、80℃，也可为此处所例示的数值中任2者之间的范围内。

此外，本发明说明书中Tg如下述般测定。依据JIS K 7121：1987进行差示扫描热量(DSC)测定。另外，将DSC曲线中基线的切线与玻璃化转变导致的吸热区域急剧下降位置的切线的交点定义为Tg。

表面处理层1b于180℃的储能模量优选为1.0×10

该储能模量具体而言例如为1.0×10

表面处理层1b的厚度例如为0.1～10μm，优选为0.5～5μm，更优选为1～4μm。表面处理层1b为这样的厚度时，容易适当地发挥设置表面处理层1b的效果。该厚度具体而言例如为0.1、0.5、1.0、1.5、2.0、2.5、3.0、3.5、4.0、5.0、6.0、7.0、8.0、9.0、10.0μm，也可为此处所例示的数值中任2者之间的范围内。

<阻挡层1c>

阻挡层1c是用于降低基材层1的透氧度的层。空气容易透过基材层1时，外部气体会通过基材层1而侵入密闭空间2b内，密闭空间2b内难以减压，其结果有时会产生基材层1不易追随凸部5的课题。

阻挡层1c为透氧度低的层。透氧度低时，通常空气透过度也低，因此通过设置阻挡层1c，可抑制外部气体通过基材层1侵入密闭空间2b内，由此会发挥基材层1容易追随凸部5的效果。

阻挡层1c优选设置成基材层1于25℃、RH0％依据JIS K 7126-2(等压法)测得的透氧度为1000ml/(m

于上述条件下阻挡层1c的透氧度优选为比缓冲层1a的透氧度低。(缓冲层1a的透氧度-阻挡层1c的透氧度)的值优选为100ml/(m

阻挡层1c可由能达成上述透氧度的任意材料形成，考量降低透氧度的观点，优选为聚酯(例：聚对苯二甲酸乙二醇酯)、聚酰亚胺、聚酰胺。

阻挡层1c的厚度例如为5～50μm，优选为10～30μm。阻挡层1c过薄的话，会有基材层1的透氧度不够低的情况。阻挡层1c过厚的话，会有基材层1对于凸部5的追随性变差的情况。该厚度具体而言例如为5、10、15、20、25、30、35、40、45、50μm，也可为此处所例示的数值中任2者之间的范围内。

2.粘着剂层2

粘着剂层2是用于将粘着片10粘贴于半导体晶圆4的层，由粘着剂形成。粘着剂层2具有直径比半导体晶圆4的直径更小的开口部2a。即粘着剂层2为环状。开口部2a为未设有粘着剂的部位，其直径比半导体晶圆4的直径更小。开口部2a的直径/半导体晶圆4的直径优选为0.950～0.995，更优选为0.960～0.990。

将半导体晶圆4的外周部4a粘贴于粘着剂层2，以使半导体晶圆4的凸部5配置于开口部2a内。因此，凸部5不会与粘着剂接触，因此可防止胶残留于凸部5。

粘着剂层2的宽度优选为10～100mm，更优选为30～70mm。粘着剂层2的厚度优选为1～100μm，更优选为5～50μm。该厚度具体而言例如为1、5、10、15、20、25、30、35、40、45、50、100μm，也可为此处所例示的数值中任2者之间的范围内。

粘着剂层2优选由含有丙烯酸系树脂的丙烯酸系树脂组合物形成。粘着剂层2的丙烯酸系树脂的组成可与表面处理层1b的丙烯酸系树脂相同，也可不同。

构成粘着剂层2的丙烯酸系树脂中含有的(甲基)丙烯酸系单体单元的比例例如为50～100质量％，具体而言例如为50、55、60、65、70、75、80、85、90、95、100质量％，也可为此处所例示的数值中任2者之间的范围内。

作为(甲基)丙烯酸系单体，例如可列举：(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯、(甲基)丙烯酸鲸蜡酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸苄酯、二甲基丙烯酰胺、二乙基丙烯酰胺、丙烯酰基吗啉、丙烯酸异冰片酯等(甲基)丙烯酸单体；作为含官能团的单体的具有羟基的(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、以及(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯等、具有羧基的(甲基)丙烯酸、巴豆酸、马来酸、衣康酸、富马酸、丙烯酰胺N-乙醇酸、以及桂皮酸等、含有环氧基的烯丙基环氧丙醚、以及(甲基)丙烯酸环氧丙醚等。

构成粘着剂层2的丙烯酸系树脂组合物中优选调配交联剂。作为交联剂，可列举多官能异氰酸酯交联剂、多官能环氧交联剂等。交联剂与官能团反应的话，通过采取以官能团为基点的交联结构，粘着剂的凝聚力提升，可抑制胶残留。另外，也可使用1,2-聚丁二烯末端氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、前述氢化物、1,4-聚丁二烯末端氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、聚异戊二烯末端(甲基)丙烯酸酯、聚酯系氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、聚醚系氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、双A型环氧(甲基)丙烯酸酯等将寡聚物/聚合物的末端或侧链进行1个以上的(甲基)丙烯酰化而得的(甲基)丙烯酸酯。

相对于丙烯酸系树脂100质量份，交联剂的调配量例如为0.1～10质量份，优选为0.5～8质量份，更优选为1～6质量份。该调配量具体而言例如为0.1、0.5、1.0、1.5、2.0、2.5、3.0、3.5、4.0、4.5、5.0、5.5、6.0、6.5、7.0、7.5、8.0、8.5、9.0、9.5、10.0质量份，也可为此处所例示的数值中任2者之间的范围内。

丙烯酸系树脂交联后的玻璃化转变温度(Tg)优选为-30～5℃，更优选为-25～-5℃。该Tg具体而言例如为-30、-25、-20、-15、-10、-5、0、5℃，也可为此处所例示的数值中任2者之间的范围内。

粘着剂层2例如可通过利用一般的逗号涂覆、凹版涂覆、辊涂覆、丝网涂覆等涂覆方式将粘着剂涂覆于基材层1上，或涂布于剥离薄膜上再转印至基材层1而形成。

将贴合有粘着剂层2的半导体晶圆于100℃环境下加热1分钟，并冷却至常温后的粘着剂层2与半导体晶圆于23℃依据JIS Z0237测得的粘着力，优选为6～50N/200mm，优选为10～30N/200mm。此外，加热前的于上述测定条件下的粘着力优选为6N/200mm以上，例如为6～50N/200mm。这些粘着力具体而言例如为6、10、15、20、25、30、35、40、45、50N/200mm，也可为此处所例示的数值中任2者之间的范围内。

<半导体晶圆4>

半导体晶圆4具有凸部5。凸部5是朝半导体晶圆4的面外方向突出的任意结构体。作为凸部5的示例，可列举突起电极、具有凹凸的电路的凸部等。

半导体晶圆4不仅可列举硅晶圆，还可列举锗晶圆、镓-砷晶圆、镓-磷晶圆、镓-砷-铝晶圆等。半导体晶圆4的直径优选为1～16英寸，优选为4～12英寸。半导体晶圆4的厚度并没有特别限制，优选为500～800μm，更优选为520～775μm。

凸部5的高度优选为10～500μm，更优选为100～300μm。该高度具体而言例如为10、50、100、150、200、250、300、350、400、450、500μm，也可为此处所例示的数值中任2者之间的范围内。

半导体晶圆4优选具有未设置凸部5的外周部4a。外周部4a的宽度优选为1.0～3.0mm，更优选为1.5～2.5mm。

作为使用了具有凸部5的半导体晶圆4的最终产品，可列举逻辑用、存储器用、传感器用、电源用等的电子零件。

<固化性树脂8>

固化性树脂8为会因能量射线(例：紫外线)、热等的刺激而固化的树脂。固化性树脂8配置在基材层1与支撑薄膜7之间。

固化性树脂8固化前的粘度优选为100～3000mPa·s，更优选为200～1000mPa·s。粘度为100mPa·s以上时，固化性树脂8为点接触而非面接触，压制步骤中气泡混入受到抑制，研磨性优异。粘度为3000mPa·s以下时，固化性树脂8流经相邻的凸部5之间时不易卷入气泡，因此研磨性优异。粘度使用E型粘度计于23℃及50rpm的条件下进行测定。

固化性树脂8固化后的肖氏D硬度优选为5～70，更优选为10～60。肖氏D硬度为5以上时，凸部5的保持性高，因此研磨性优异。肖氏D硬度为70以下时，将粘着片10从半导体晶圆4剥离时容易使粘着片10弯曲。肖氏D硬度是于依循JIS K 6253的条件下进行测定。

固化性树脂8优选为光固化性树脂，更优选为紫外线固化性树脂。

固化性树脂8优选以丙烯酸系树脂为基础，其组成并没有特别限定，包含1,2-氢化聚丁二烯末端氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、丙烯酸异冰片酯、二乙基丙烯酰胺的固化性树脂可改善基材层1与支撑薄膜7的粘接性，因此为优选。

固化性树脂8的固化收缩率优选为7％以下。

令凸部5的高度为Td(μm)的话，固化性树脂8的厚度优选为(Td+20)～(Td+200)μm，更优选为(Td+50)～(Td+150)μm。

<支撑薄膜7>

支撑薄膜7为可支撑固化性树脂8的任意薄膜，除能以乙烯乙酸乙烯酯、聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯等聚烯烃类形成外，还能以聚氯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚酰亚胺等形成。

支撑薄膜7的厚度优选为10～300μm，更优选为30～250μm。

2.半导体晶圆的制造方法

利用图1～图9针对使用了粘着片10的半导体晶圆的制造方法进行说明。该制造方法包含框架贴附步骤、加温步骤、切断步骤、树脂固化步骤、研磨步骤、以及剥离步骤。实施这些步骤的顺序不限于此顺序，也可适当地改变顺序。以下，针对各步骤进行说明。

<框架贴附步骤>

如图1～图2所示，框架贴附步骤中，于环形框架3贴附粘着片10。环形框架3具有直径比粘着剂层2的开口部2a更大的开口部3a，环形框架3可贴附于粘着剂层2。由此粘着片10稳定地保持在环形框架3上，粘着片10的操作变得容易。

<晶圆贴附步骤·加温步骤>

如图2～图3所示，晶圆贴附步骤中，于半导体晶圆4的设有凸部5的面上，将粘着片10在减压下贴附于半导体晶圆4的外周部4a。半导体晶圆4粘贴于粘着剂层2的贴附面的宽度优选为1.0～3.0mm，更优选为1.5～2.5mm。

该步骤可通过在减压腔室16内将半导体晶圆4贴附于粘着片10而进行。减压腔室16内的压力比大气压低即可，优选为1000Pa以下，更优选为500Pa以下，进一步优选为100Pa以下。减压腔室16内的压力的下限并没有特别规定，例如为10Pa。

通过以此种方式在减压下将半导体晶圆4贴附于粘着片10，半导体晶圆4与粘着片10所围成的密闭空间2b内成为减压状态。

将在该状态下贴附有半导体晶圆4的粘着片10从减压腔室16取出并使其暴露于大气压的话，基材层1被大气压推压而欲进入密闭空间2b内。基材层1在未加温的状态下具有高刚性，基材层1几乎不会进入密闭空间2b。另一方面，加温步骤中，将基材层1加温至60～150℃的话，基材层1软化，如图4所示，基材层1进入密闭空间2b内。因此，凸部5成为埋入基材层1的状态，凸部5受到基材层1保护。凸部5被埋入部位的高度/凸部5整体的高度的比优选为0.2～1，更优选为0.5～1，进一步优选为0.8～1。基材层1的加温温度优选为80～120℃。基材层1的加温时间优选为3～120秒，更优选为5～60秒。

基材层1的加温可在将半导体晶圆4贴附于粘着片10之前进行，也可在贴附后进行。此外，该加温可在减压腔室16内进行，也可在减压腔室16外进行。

<切断步骤>

如图4～图5所示，切断步骤中，沿着半导体晶圆4的外周切断粘着片10。由此贴附有半导体晶圆4的粘着片10从环形框架3分离。切断步骤可在树脂固化步骤之后进行。

<树脂固化步骤>

树脂固化步骤中，是在晶圆贴附步骤之后使基材层1抵接于固化性树脂8，并在该状态下使固化性树脂8固化。该步骤在一个示例中能以下列方法实施。

首先，如图5～图6所示，通过在使粘着片10面对供给至支撑薄膜7上的固化性树脂8的状态下移动粘着片10，而使固化性树脂8铺展开。

一个示例中，使半导体晶圆4吸附于具有减压孔6a的减压单元6，并在该状态下将粘着片10向固化性树脂8按压。通过在该状态下使粘着片10沿着支撑薄膜7的表面移动，而使固化性树脂8铺展开。

然后，如图6～图7所示，在使基材层1抵接于固化性树脂8的状态下使固化性树脂8固化。

一个示例中，通过支撑薄膜7对固化性树脂8照射紫外线等能量射线9，由此可使固化性树脂8固化而制成固化树脂18。由此粘着片10稳定地保持在支撑薄膜7上。

<研磨步骤>

如图7～图8所示，研磨步骤中，对半导体晶圆4的背面4b进行研磨。

半导体晶圆4的背面4b，是与设有凸部5的面为相反侧的面。晶圆背面的研磨加工方式并没有特别限制，可采用已知的研磨方式。优选边于晶圆与砥石(金刚石等)浇水进行冷却边进行研磨。经薄型化的晶圆的厚度优选为300μm以下，更优选为50μm以下。

背面研磨时，会对凸部5施加半导体晶圆4的面内方向的荷重，因此凸部5容易破损。但是，本实施方式中，凸部5的至少一部分埋入基材层1及经固化的固化性树脂8中，因此凸部5受到基材层1及经固化的固化性树脂8稳定支持，从而凸部5不易破损。

<剥离步骤>

如图8～图9所示，剥离步骤中，将粘着片10从半导体晶圆4剥离。粘着片10的剥离，可通过使粘着片10朝粘着片10远离半导体晶圆4的方向弯曲而进行。

由此半导体晶圆4的背面研磨步骤完成。使用凸部5与粘着剂接触的形态的粘着片来进行背面研磨时，会有粘着剂附着于凸部5的情况，但本实施方式中，凸部5未与粘着剂层2接触，因此可抑制粘着剂附着于凸部5。

此外，可在剥离步骤之前进行切割步骤。切割步骤中，通过对半导体晶圆4进行切割，而将半导体晶圆4分割成多个半导体晶片。切割的方法并没有特别限定，可为刀片切割、激光切割、隐形切割、等离子体切割等任意方法。

进行切割步骤的话，会成为多个半导体晶片附着于粘着片10的状态。因此，剥离步骤是将多个半导体晶片分别从粘着片10剥离的步骤。

3.基材片

本发明的一个实施方式的基材片11，如图10所示，可具有与上述基材层1同样的构成。即基材片11包含缓冲层1a与阻挡层1c，且于25℃、RH0％依据JIS K 7126-2(等压法)测得的透氧度为1000ml/(m

基材片11可作为具有凸部5的半导体晶圆4的背面研磨用粘着片10的基材层1使用。此外，基材片11上也可不设置粘着剂层2，而作为具有凸部5的半导体晶圆4的背面研磨用片材使用。此时，例如通过上述“2.半导体晶圆的制造方法”的<晶圆贴附步骤·加温步骤>所示的在减压腔室16内将使基材片11按压于半导体晶圆4所形成的密闭空间2b内进行减压，然后从减压腔室16取出基材片11与半导体晶圆4，从而可利用大气压的作用使基材片11密接于半导体晶圆4。此外，为了形成密闭空间2b，例如也可在基材片11与半导体晶圆4之间配置与粘着剂层2同样形状的环状衬垫。

实施例

1.粘着片10的制造

<实施例1>

实施例1中，贴合阻挡层1c与缓冲层1a以形成基材层1，并于缓冲层1a上形成具有开口部2a的环状粘着剂层2，由此制造粘着片10。

更详细的说明如下。

·缓冲层1a的准备

首先，准备150μm厚的乙烯-甲基丙烯酸共聚物的金属离子交联体(GUNZE公司制FANCRARE HMD)构成的缓冲层1a。乙烯-甲基丙烯酸共聚物的甲基丙烯酸单元的比例为15质量％，MFR(JIS K7210、125℃/10.0kg荷重)为5g/10min，熔点(JIS K7121)为72℃。

·基材层1的形成

首先，将以丙烯酸丁酯70质量份、甲基丙烯酸甲酯22质量份、甲基丙烯酸2-羟基乙酯5质量份、甲基丙烯酸环氧丙酯单体3质量份作为构成单体的丙烯酸系共聚物进行聚合，添加相对于该丙烯酸系共聚物100质量份为4质量份的异氰酸酯交联剂(NipponPolyurethane Industry(股)公司：CORONATE L-45E)，而制作粘接剂。

然后，通过在厚度25μm的PET薄膜(东丽公司Lumirror S10)构成的阻挡层1c上涂覆上述粘接剂，并于100℃乾燥1分钟，而形成厚度10μm的粘接层。

然后，在粘接层上贴合缓冲层1a，并于40℃的环境下熟化72小时，而形成基材层1。

·粘着剂层2的形成

加入氢化聚丁二烯二丙烯酸酯(大阪有机化学公司制、商品名BAC-45)54.4质量份、丙烯酸异癸酯(大阪有机化学公司制、商品名IDAA)13.6质量份、丙烯酸异冰片酯(大阪有机化学公司制、商品名IBXA)32质量份、作为光聚合引发剂的α-氨基烷基苯酮(BASF公司制、商品名Omnirad 379EG)7质量份、作为脱泡剂的乙烯醚聚合物(共荣社化学公司制、Flowlen AC-903)3质量份、作为交联剂的异氰酸酯(旭化成公司制、商品名“TPA-100”)3质量份，准备液状组合物。将该组合物以特定形状丝网印刷于基材层1上，UV照射后在40℃实施4天的熟化，形成厚度10μm的环状粘着剂层2。

<实施例2>

使用厚度15μm的PA薄膜(东洋纺公司Harden N1202)作为阻挡层1c，除此以外，利用与实施例1同样的方法制造粘着片10。

<实施例3>

使用厚度12μm的PI薄膜(东丽·杜邦公司Kapton EN)作为阻挡层1c，除此以外，利用与实施例1同样的方法制造粘着片10。

<比较例1>

未形成阻挡层1c，而将缓冲层1a直接作为基材层1，除此以外，利用与实施例1同样的方法制造粘着片10。

<比较例2>

使用厚度30μm的PC薄膜(International Chemical公司Luckron AA)作为阻挡层1c，除此以外，利用与实施例1同样的方法制造粘着片10。

2.半导体晶圆的背面研磨

使用上述制作的粘着片10，依下列方法进行半导体晶圆4的背面研磨。

<框架贴附步骤>

首先，于环形框架3贴附粘着片10。

<晶圆贴附步骤·加温步骤>

然后，于半导体晶圆4的设有凸部5的面上，将粘着片10在减压腔室16内贴附于半导体晶圆4的外周部4a。作为半导体晶圆4，使用直径8英寸、厚度725μm，且在外周的3.0mm以外的区域形成有高度90μm的凸块(突起电极)的晶圆。半导体晶圆4粘贴于粘着剂层2的贴附面的宽度为2.0mm。减压腔室16内的压力为100Pa。在减压腔室16内将基材层1加温至100℃。

然后，将贴附有半导体晶圆4的粘着片10从减压腔室16取出。

<切断步骤>

然后，沿着半导体晶圆4的外周切断粘着片10，将环形框架3从粘着片10分离。

<树脂固化步骤>

然后，通过在使粘着片10面对供给至支撑薄膜7上的固化性树脂8的状态下沿支撑薄膜7的面内方向移动粘着片10，而使固化性树脂8铺展开。固化性树脂8使用由1,2-氢化聚丁二烯末端氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、丙烯酸异冰片酯、二乙基丙烯酰胺构成者。固化性树脂8固化前的粘度(使用E型粘度计于23℃及50rpm的条件下测定)为470mPa·s。

然后，在使基材层1抵接于固化性树脂8的状态下使固化性树脂8固化，而制成固化树脂18。从支撑薄膜7侧对固化性树脂照射紫外线，以使365nm的波长的累积光量成为2000mJ/cm

<研磨步骤>

然后，进行半导体晶圆4的背面研磨，直到半导体晶圆4的厚度成为100μm。背面研磨使用研磨机(DISCO(股)公司制Backgrinder DFG-841)进行。

<切割步骤>

然后，通过对背面研磨后的半导体晶圆4进行切割，而分割成0.49mm×0.3mm的半导体晶片。

切割是通过使用切割装置并使含有金刚石磨粒的切割刀片高速旋转而进行。切割的主要设定如下。

切割装置：DISCO公司制DAD341

切割刀片：DISCO公司制NBC-ZH205O-27HEEE

切割刀片转速：40,000rpm

切割刀片进给速度：50mm/秒

切削水温度：25℃

切削水量：1.0升/分钟

<剥离步骤>

然后，将半导体晶片从粘着片10剥离。

3.评价

针对制得的粘着片10进行各评价。其结果示于表1。

如表1所示，在全部实施例中，所有评价项目均获得了良好的结果。基材层1的透氧度高的比较例1～2中，凸块追随性及耐晶片污染性不足。

[表1]

评价方法详细如下。

<凸块追随性>

利用以下所示的方法评价凸块追随性。

针对进行上述“2.半导体晶圆的背面研磨”的切断步骤后的贴附有半导体晶圆4的粘着片10，测定基材层1追随凸块间的距离，算出追随率(＝基材层1追随凸块间的距离/凸块的高度)。

凸块追随性由追随率依以下的基准进行评价。

〇(优)：追随率95％以上

△(尚可)：追随率71～94％

×(不好)：追随率低于70％

<耐晶片污染性>

耐晶片污染性是利用光学显微镜观察上述“2.半导体晶圆的背面研磨”的剥离步骤后的半导体晶片的晶片面(有凸块的面)，根据晶片面是否有因水、气体所导致的污染并依下列基准评价。

〇(优)：无污染

×(不好)：有污染

<基材层与晶圆的粘着力>

基材层与晶圆的粘着力依下列方法测定。从粘着片10中央附近的未形成粘着剂层2的部位(即基材层露出的部位)，切出宽度10mm且长度100mm的试验片，使用该试验片，依循JIS Z0237(2009)的粘着力的测定方法(方法1：将胶带及片材相对于不锈钢试验板进行180°剥离的试验方法)进行测定。具体而言，使用压接装置(辊的重量2kg)将试验片压接于表面经清洗的被粘体(Si晶圆)后，在100℃的加热板上加热1min。于温度23℃湿度50％的环境下，利用万能型拉伸试验机(ORIENTEC公司制TENSILON型号：RTG-1210)，依下列条件测定相对于被粘体将试验片进行180°剥离时的粘着力，并将测定结果换算为200mm宽度时的数值。

测定模式：拉伸

拉伸速度：300mm/min

夹头间距离：50mm

测定样品宽度：10mm

<透氧度>

利用依循JIS K 7126-2(等压法)的气相色谱法，并使用透氧度测定装置(GTR Tec公司制GTR-10XFKS)测定于25℃、RH0％(DRY)的条件下的基材层1的透氧度。

附图标记说明

1：基材层、1a：缓冲层、1b：表面处理层、1c：阻挡层、2：粘着剂层、2a：开口部、2b：密闭空间、3：环形框架、3a：开口部、4：半导体晶圆、4a：外周部、4b：背面、5：凸部、6：减压单元、6a：减压孔、7：支撑薄膜、8：固化性树脂、9：能量射线、10：粘着片、11：基材片、16：减压腔室、18：固化树脂。