一种1T’MoTe2纳米薄膜的制备方法

技术领域

本发明涉及薄膜的制备，尤其涉及一种1T’MoTe

背景技术

过渡金属硫属化物是一类具有相似组成的材料，其化学式为MX

1T’MoTe

发明内容

本发明的目的是提供一种1T’MoTe

为达到上述目的，本发明采用的技术方案为：

一种1T’MoTe

(1)将金属钼箔放置在管式炉加热区中心，升高温度至440-500℃，在空气氛围中氧化得到三氧化钼箔；

(2)按照气流由上游至下游的顺序，在载气气流上游放置装有碲粉的氧化铝舟，,将二氧化硅基底与三氧化钼箔放置于管式炉的加热中心，二氧化硅基底与三氧化钼箔之间的空间限域高度为0.4mm～4mm；

(3)向管式炉内的反应管中通入氩气和氢气混合气体，对反应管进行清洗；

(4)升高管式炉的温度，使碲粉的温度升高至420～470℃、三氧化钼箔的温度升高至500～560℃，进行1T’MoTe

(5)1T’MoTe

优选地，步骤(1)中，金属钼箔在空气氛围中的氧化时间为20-40min分钟。

优选地，步骤(2)中，三氧化钼箔和二氧化硅基底是按如下方法放置的：将一块二氧化硅硅片光滑面朝上放在管式炉中心上，再将三氧化钼箔盖在上面，二氧化硅基底与三氧化钼箔之间的空间限域高度为0.4mm～4mm。

优选地，步骤(4)中，碲粉的量为200～420mg，三氧化钼金属氧化物箔大小为15mm×20mm；碲粉与三氧化钼箔的距离为11～14cm。

优选地，所述步骤(4)中，生长时间为1～20分钟。

优选地，步骤(5)中，氩气和氢气的流量分别为80-150sccm和10-30sccm。

本发明与现有技术相比较具有如下优点：

1)本发明以金属钼箔为原料，设计得到三氧化钼箔前驱体，相比现有技术采用三氧化钼粉末，本发明的前驱体设计能够使金属前驱体均匀扩散生从而长出厚度可控、大面积、均匀的1T’MoTe

2)本发明所得1T’MoTe

附图说明

图1为实施例1所对应的化学气相沉积方法制备的1T’MoTe

图2为实施例1所对应的化学气相沉积方法制备的1T’MoTe

图3为实施例1所对应的化学气相沉积方法制备的1T’MoTe

图4为实施例1所对应的化学气相沉积方法制备的1T’MoTe

图5为实施例1所对应的化学气相沉积方法制备的1T’MoTe

图6为实施例1所对对应的化学气相沉积方法制备的1T’MoTe

图7为实施例2-5所对应的化学气相沉积方法制备的1T’MoTe

图8为对比例1所对应的化学气相沉积方法制备的1T’MoTe

图9为对比例1所对应的化学气相沉积方法制备的1T’MoTe

具体实施方式

本说明书中公开的任一特征，除非特别叙述，均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换。除非特别叙述，每个特征只是一系列等效或者类似特征中的一个例子而已。所述仅仅只是为了帮助理解本发明，不应该视为对本发明的具体限制。

下面以附图和具体实施例对本发明作进一步详细的说明。

实施例1

将金属钼箔放置在管式炉中，升高温度至500℃，在空气氛围中氧化20分钟得到三氧化钼箔，再将二氧化硅基底与三氧化钼箔面对面放置于管式炉的加热中心，二氧化硅基底与三氧化钼箔之间的空间限域高度为0.4mm，在氩氢混合气气流上游放置装有200mg碲粉的氧化铝舟。然后向管式炉的反应管内通入20分钟的氩气和氢气混合气体，对反应管进行清洗，排出管式炉中反应管内的空气；升高管式炉的温度，使碲粉的温度升高至450℃左右、三氧化钼箔的温度至550℃，进行1T’MoTe

将实施例1所得1T’MoTe

实施例2～5

在保持实施例1中其他生长条件不变的情况下，将三氧化钼箔与二氧化硅基底之间的空间限域高度分别调控为:1mm、2mm、3mm和4mm，能够得到与实施例1基本一致的表征的结果，不同点在于，上述空间限域高度对应的1T’MoTe

实施例6～8

其它条件与实施例相同，不同的是：将实施例1中的二氧化硅基底用蓝宝石基底、云母基底、玻璃基底替代，也可得到大面积均匀分布的1T’MoTe

对比例1

在保持实施例1中其他生长条件不变的情况下，直接以MoO

将对比例1所得1T’MoTe

最后所应说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制。尽管参照实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应该理解，对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，都不脱离本发明技术方案的精神和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。