圆片级封装结构及其制作方法

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种圆片级封装结构及其制作方法。

背景技术

圆片级封装是直接以圆片为加工对象，同时对圆片上的多个芯片进行封装及测试，最后切割成可以直接贴装到基板或PCB上的单颗芯片，是当前封装领域的热点之一。

然而，传统的圆片级封装结构的封装成本较高。

发明内容

基于此，有必要针对传统的圆片级封装结构的封装成本较高的问题，提供一种圆片级封装结构及其制作方法。

根据本申请的一个方面，提供了一种圆片级封装结构，包括：

衬底层；

器件层，形成于所述衬底层上，且与所述衬底层之间形成阳极键合；以及

盖帽层，形成于所述衬底层上，且与所述衬底层之间形成阳极键合，以与所述衬底层围设出一用于收纳所述器件层的真空腔；

其中，所述衬底层的上表面设有电极，所述盖帽层上贯穿设有朝向所述电极的通孔，所述通孔内填充有互连结构，所述互连结构与所述电极电性连接。

在其中一个实施例中，所述器件层设有第一键合界面，所述衬底层上设有与所述第一键合界面相对应的第二键合界面；

所述器件层和所述衬底层借助于所述第一键合界面和所述第二键合界面形成阳极键合。

在其中一个实施例中，所述衬底层上设有与所述第二键合界面相邻设置的金属层，所述第一键合界面完全覆盖于所述第二键合界面，且至少部分覆盖于所述金属层。

在其中一个实施例中，所述盖帽层上设有围绕于所述通孔的第三键合界面，所述衬底层上设有与所述第三键合界面相对应且围绕于所述电极的第四键合界面；

所述盖帽层和所述衬底层借助于所述第三键合界面和所述第四键合界面形成阳极键合。

在其中一个实施例中，所述电极包括与所述互连结构电性连接的第一部分，以及围绕于所述第一部分的第二部分，沿所述通孔的径向方向，所述第二部分凸伸出所述通孔。

在其中一个实施例中，沿所述通孔的径向方向，所述第四键合界面的尺寸大于所述电极的所述第二部分的尺寸。

在其中一个实施例中，所述盖帽上设有位于所述真空腔内的吸气剂。

在其中一个实施例中，所述互连结构包括沿所述通孔的径向方向由外至内依次设置的绝缘层、种子层和电镀层。

根据本申请的另一个方面，提供了一种圆片级封装结构的制作方法，包括：

提供衬底层；

在所述衬底层上形成器件层，并使所述器件层与所述衬底层之间形成阳极键合；

在所述衬底层上形成盖帽层，并使所述盖帽层与所述衬底层之间形成阳极键合，且所述盖帽层与所述衬底层围设出一用于收纳所述器件层的真空腔；

其中，所述衬底层的上表面设有电极，所述盖帽层上贯穿设有朝向所述电极的通孔，所述通孔内填充有互连结构，所述互连结构与所述电极电性连接。

在其中一个实施例中，所述衬底层的形成过程包括：

提供玻璃衬底；

在所述玻璃衬底上刻蚀形成第一沟槽和第二沟槽；

在所述第一沟槽内沉积第一导电材料，以形成所述电极；

在所述第二沟槽内沉积第二导电材料，以形成金属层。

在其中一个实施例中，所述在所述衬底层上形成器件层，并使所述器件层与所述衬底层之间形成阳极键合的步骤之前，所述圆片级封装结构的制作方法还包括：

提供器件硅片；

在所述器件硅片上刻蚀出凹槽；

所述在所述衬底层上形成器件层，并使所述器件层与所述衬底层之间形成阳极键合的步骤具体包括：

使所述器件硅片设置所述凹槽的一侧与所述衬底层之间形成阳极键合；

对所述器件硅片背离衬底层的一侧表面进行减薄处理；

在所述器件硅片背离衬底层的一侧表面上沉积一层二氧化硅层；

在沉积的所述二氧化硅层上定义出所述器件层的结构图形；

对所述二氧化硅层上进行刻蚀，以在所述二氧化硅层上形成与所述器件层的结构图形相对应的图形；

利用反应离子式刻蚀穿透所述器件硅片并释放，以在所述衬底层上形成所述器件层。

在其中一个实施例中，所述在所述衬底层上形成盖帽层，并使所述盖帽层与所述衬底层之间形成阳极键合，且所述盖帽层与所述衬底层围设出一用于收纳所述器件层的真空腔，具体包括：

提供盖帽硅片；

在所述盖帽硅片的第一表面进行刻蚀，以在所述盖帽硅片上形成所述通孔；

在所述盖帽硅片的所述通孔内填充所述互连结构；

使所述盖帽硅片的第一表面平坦化；

在所述盖帽硅片上定义出所述盖帽层的空腔图形，并按照该所述空腔图形在所述盖帽硅片上刻蚀出空腔结构；

在所述盖帽硅片上的空腔结构的底壁上生长吸气剂；

将所述盖帽硅片设有空腔结构的一侧朝向所述衬底层，并与衬底层之间形成硅-玻璃键合；

对所述盖帽硅片背离所述衬底层的一侧表面进行减薄，以露出所述互连结构。

上述圆片级封装结构及其制作方法，衬底层分别与器件层和盖帽层进行阳极键合，通过两次硅-玻璃的阳极键合，形成真空腔，为内部的器件层提供良好的真空环境，且通过在盖帽层上制作通孔，将衬底层上的电极通过互连结构引出，可实现器件层信号的高效传输。另外，阳极键合相比于其他的键合方式来说，所需的键合压力更小，成本更低，工艺更简单，稳定性更高。

附图说明

图1示出了本申请一实施例中的圆片级封装结构的结构示意图；

图2示出了本申请一实施例中的圆片级封装结构的局部结构示意图；

图3示出了本申请一实施例提供的圆片级封装结构的制作方法的流程示意图；

图4a-图4c示出了本申请一实施例提供的衬底层的制作过程示意图；

图5a-图5h示出了本申请一实施例提供的器件层的制作过程示意图；

图6a-图6h示出了本申请一实施例提供的盖帽层的制作过程示意图。

图中：10、圆片级封装结构；110、衬底层；111、电极；1111、第一部分；1112、第二部分；112、金属层；113、玻璃衬底；1131、第一沟槽；1132、第二沟槽；1101、第二键合界面；1102、第四键合界面；1103、第六键合界面；120、器件层；1201、第一键合界面；121、器件硅片；1211、凹槽；122、二氧化硅层；130、盖帽层；131、通孔；132、互连结构；1321、绝缘层；1322、种子层；1323、电镀层；1301、第三键合界面；1302、第五键合界面；133、盖帽硅片；140、真空腔；150、吸气剂。

具体实施方式

为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

本申请人经过研究发现，传统的圆片级封装结构中，为了保证较高的封装真空度，通常采用金硅共晶键合、硅硅焊料键合或硅硅熔融键合等方式进行键合，导致需要在传统的圆片级封装结构的封装工艺中使用很多贵金属，进而导致传统的圆片级封装结构的封装成本较高。

为了解决这一技术问题，本申请设计了一种圆片级封装结构及其制作方法，能够使器件层与所述衬底层之间形成阳极键合，且使盖帽层与所述衬底层之间形成阳极键合，减小贵金属的使用，且两次阳极键合能够有效地将器件层封装在真空腔内，降低封装成本的同时，也能提高封装真空度。

图1示出了本申请一实施例中的圆片级封装结构10的结构示意图。

请参阅图1，本申请一实施例提供的圆片级封装结构10，包括衬底层110、器件层120以及盖帽层130。

器件层120可以为微机电系统器件(简称MEMS器件)。

盖帽层130可选用普通硅片，也可选用高电阻率硅片，比如可选用电阻率为在5000Ω·cm的高电阻率硅片。

器件层120形成于衬底层110上，且器件层120与衬底层110之间形成阳极键合。盖帽层130形成于衬底层110上，且盖帽层130与衬底层110之间形成阳极键合，以与衬底层110围设出一用于收纳器件层120的真空腔140。其中，衬底层110的上表面设有电极111，盖帽层130上贯穿设有朝向电极111的通孔131，通孔131内填充有互连结构132，互连结构132与电极111电性连接。

该圆片级封装结构10，衬底层110分别与器件层120和盖帽层130进行阳极键合，通过两次硅-玻璃的阳极键合，形成真空腔140，为内部的器件层120提供良好的真空环境，且通过在盖帽层130上制作通孔131，将衬底层110上的电极111通过互连结构132引出，可实现器件层120信号的高效传输。另外，阳极键合相比于其他的键合方式来说，所需的键合压力更小，成本更低，工艺更简单，稳定性更高。

具体地，通孔131沿盖帽层130的厚度方向设置，可以理解的是，互连结构132沿盖帽层130的厚度方向延伸设置，那么，衬底层110上的电极111可通过互连结构132垂直引出，可明显缩短引线的长度，并减小封装尺寸。

在一些实施例中，请参阅图1，器件层120设有第一键合界面1201，衬底层110上设有与第一键合界面1201相对应的第二键合界面1101，器件层120和衬底层110借助于第一键合界面1201和第二键合界面1101形成阳极键合。如此，有利于提高阳极键合的结合牢度。

进一步地，衬底层110上设有与第二键合界面1101相邻设置的金属层112，第一键合界面1201完全覆盖于第二键合界面1101，且至少部分覆盖于金属层112。

可以理解的是，第一键合界面1201分别与第二键合界面1101和金属层112进行键合，可实现硅-玻璃键合(第一键合界面1201与第二键合界面1101之间)与硅-金属键合(第一键合界面1201与金属层112)的双重键合，有利于提高电气连接的稳定性。

需要说明的是，虽然本申请也涉及硅-金属键合，但主要还是以硅-玻璃键合为主，且相较于传统的金硅共晶键合、硅硅焊料键合或硅硅熔融键合等方式，本申请中硅-金属键合中所需的金属量较少，对圆片级封装结构10的整体成本影响不大。

在一些实施例中，请参阅图2，盖帽层130上设有围绕于通孔131的第三键合界面1301，衬底层110上设有与第三键合界面1301相对应且围绕于电极111的第四键合界面1102，盖帽层130和衬底层110借助于第三键合界面1301和第四键合界面1102形成阳极键合。

一方面，盖帽层130和衬底层110借助于第三键合界面1301和第四键合界面1102形成阳极键合，另一方面，电极111与互连结构132电性连接，设置第三键合界面1301围绕于通孔131，且使第四键合界面1102围绕于电极111，有利于提高电极111与互连结构132电性连接的可靠性。

在一些实施例中，沿衬底层110的厚度方向，电极111凸出于第四键合界面1102，在第三键合界面1301和第四键合界面1102形成阳极键合的过程中，电极111收到挤压变形，可使电极111的材料沿通孔131的径向方向向外铺展，以利于电极111与盖帽层130的第三键合界面1301形成金属-硅键合，可实现金属-硅键合和玻璃-硅键合的双重键合，有利于保证衬底层110和盖帽层130的紧密贴合，也能提高电极111与互连结构132电性连接的可靠性。

在一些实施例中，请参阅图2，电极111包括与互连结构132电性连接的第一部分1111，以及围绕于第一部分1111的第二部分1112，沿通孔131的径向方向上第二部分1112凸伸出通孔131。

可在第三键合界面1301和第四键合界面1102形成阳极键合之前，使电极111电极111凸出于第四键合界面1102(比如可使电极111比第四键合界面1102高出1500埃)，如此，在第三键合界面1301和第四键合界面1102形成阳极键合的过程中，电极111收到挤压变形，可使电极111的材料沿通孔131的径向方向向外铺展，如此，沿通孔131的径向方向，电极111可凸伸出通孔131。

可以理解的是，第三键合界面1301分别与第四键合界面1102和电极111的第二部分1112键合，即第三键合界面1301和第四键合界面1102之间能够形成硅-玻璃键合，第三键合界面1301与电极111的第二部分1112能够形成硅-金属键合，可保证衬底层110和盖帽层130的紧密贴合，也能提高电极111与互连结构132电性连接的可靠性。

在一些实施例中，沿通孔131的径向方向，第四键合界面1102的尺寸大于电极111的第二部分1112的尺寸。

可以理解的是，盖帽层130和衬底层110之间还是以第三键合界面1301和第四键合界面1102之间的硅-玻璃键合为主，以第三键合界面1301与电极111的第二部分1112之间的硅-金属键合为辅，可保证衬底层110和盖帽层130的紧密贴合，也能提高电极111与互连结构132电性连接的可靠性，实现电信号的稳定传输，并能提高封装的气密性，同时也能在一定程度上降低成本。具体地，沿通孔131的径向方向，第四键合界面1102的尺寸为10-20微米，电极111的第二部分1112沿通孔131的径向方向的尺寸为5-10微米。

在本实施例中，盖帽层130上设有位于第三键合界面1301外围的第五键合界面1302，衬底层110上设有位于第四键合界面1102外围的第六键合界面1103，盖帽层130和衬底层110还借助于第五键合界面1302和第六键合界面1103形成阳极键合。

在一些实施例中，盖帽130上设有位于真空腔140内的吸气剂150。可使用掩膜工艺在盖帽130上生长吸气剂150，吸气剂150的材料可采用钛(Ti)、铝(Al)、锆(Zr)和钒(V)中的一种或几种，吸气剂150的厚度可为0.2-5微米。吸气剂150的作用是吸收真空腔140内的气体以及渗透到真空腔140内的气体，使真空腔140内维持一定的真空度，有利于稳定器件的性能，延长器件的使用寿命。

在一些实施例中，请参阅图2，互连结构132包括沿通孔131的径向方向由外至内依次设置的绝缘层1321、种子层1322和电镀层1323。

绝缘层1321的材料可采用二氧化硅(SiO

图3示出了本申请一实施例提供的圆片级封装结构10的制作方法的流程示意图。

请参阅图3，本申请一实施例提供的圆片级封装结构10的制作方法，包括以下步骤：

S310、提供衬底层110。

S320、在衬底层110上形成器件层120，并使器件层120与衬底层110之间形成阳极键合。

S330、在衬底层110上形成盖帽层130，并使盖帽层130与衬底层110之间形成阳极键合，且盖帽层与衬底层110围设出一用于收纳器件层120的真空腔140。

其中，衬底层110的上表面设有电极111，盖帽层130上贯穿设有朝向电极111的通孔131，通孔131内填充有互连结构132，互连结构132与电极111电性连接。具体地，可采用硅通孔工艺(简称TSV工艺)形成互连结构132。

器件层120与衬底层110之间形成阳极键合的相关参数可为：键合力为600N、键合温度为350℃、键合电压为800V；盖帽层130与衬底层110之间形成阳极键合的相关参数可为：键合力为700N、键合温度为380℃、键合电压为800V，键合压强小于0.1Pa(可使圆片级封装结构10在压强小于0.1Pa的环境下进行阳极键合)，从而保证真空腔140内部的真空度达到MEMS器件对圆片级封装的要求。

在一些实施例中，请参阅图4a-图4c，衬底层110的形成过程包括：

S410、请参阅图4a，提供玻璃衬底113。可通过涂胶、光刻及显影等方式定义出第一沟槽1131和第二沟槽1132的位置。

S420、请参阅图4b，在玻璃衬底113上刻蚀形成第一沟槽1131和第二沟槽1132。可采用缓冲氧化物刻蚀液(Buffered Oxide Etch，简称BOE，由氢氟酸(49％)与水或氟化铵与水混合而成)，对光刻胶定义出的位置进行湿法腐蚀，以形成槽深为0.15-1.5微米的第一沟槽1131和第二沟槽1132。

S430、请参阅图4c，在第一沟槽1131内沉积第一导电材料，以形成电极111。

S440、请参阅图4c，在第二沟槽1132内沉积第二导电材料，以形成金属层112。

第一导电材料和第二导电材料均可为金属材料，金属材料可为钛(Ti)、铂(Pt)和/或金(Au)。

可采用一步成形的方式，在光刻后直接使用BOE腐蚀玻璃衬底113，以形成槽深为0.15-1.5微米的第一沟槽1131和第二沟槽1132，然后在玻璃衬底113的第一沟槽1131和第二沟槽1132处溅射金属，分别形成电极111和金属层112，具体地，电极111和金属层112均包括层叠设置的钛(Ti)层、铂(Pt)层和金(Au)层，钛(Ti)层的厚度可为400埃，铂(Pt)层的厚度可为300埃，金(Au)层的厚度可为3300埃，具体溅射厚度根据腐蚀情况调整，可使电极111和金属层112比玻璃衬底113的上表面高出预设值(预设值可为1500埃)，以便在第三键合界面1301和第四键合界面1102形成阳极键合的过程中，电极111受到挤压变形，可使电极111的材料沿通孔131的径向方向向外铺展，以利于电极111与盖帽层130的第三键合界面1301之间形成金属-硅键合；同理，也有利于金属层112与器件层120之间形成金属-硅键合。

在一些实施例中，请参阅图5a及图5b，在衬底层110上形成器件层120，并使器件层120与衬底层110之间形成阳极键合的步骤S320之前，圆片级封装结构10的制作方法还包括：

S510、请参阅图5a，提供器件硅片121。可通过涂胶、光刻及显影等方式定义出凹槽1211的位置。

S520、请参阅图5b，在器件硅片121上定义的位置处刻蚀出5-20μm的凹槽1211。

请参阅图5c-图5h，在衬底层110上形成器件层120，并使器件层120与衬底层110之间形成阳极键合的步骤S320具体包括：

S321、请参阅图5c，使器件硅片121设置凹槽1211的一侧与衬底层110之间形成阳极键合，可采用阳极键合法、黏着剂中间夹层法或硅(或玻璃)表面镀膜粘结法(如碳化硅膜)进行阳极键合。

S322、请参阅图5d，对器件硅片121背离衬底层110的一侧表面进行减薄处理，使得器件层120的厚度达到预设厚度，比如，可使用KOH溶液使器件硅片121减薄25-100μm，使得器件层120的厚度达到MEMS器件的厚度要求。

S323、请参阅图5e，在器件硅片121背离衬底层110的一侧表面上沉积一层二氧化硅层122，二氧化硅层122的厚度可为3.6微米。

S324、请参阅图5f，在沉积的二氧化硅层122的表面进行涂胶、光刻及显影，定义出器件层120的结构图形。

S325、请参阅图5g，对二氧化硅层122上进行刻蚀，以在二氧化硅层122上形成与器件层120的结构图形相对应的图形。

S326、请参阅图5h，利用反应离子式刻蚀(RIE)穿透器件硅片121并释放，以在衬底层110上形成器件层120。反应离子式刻蚀(RIE)工艺采用高密度等离子源，能够产生高浓度的活性氟原子和聚合物沉积，可实现硅片及绝缘衬底上的硅(简称SOI)、硅-玻璃键合结构(简称SOG)等的高速刻蚀。需要说明的是，二氧化硅层122作为刻蚀保护层和牺牲层，在刻蚀释放时就把二氧化硅层122(牺牲层)腐蚀掉了。

在一些实施例中，请参阅图6a-图6g，在衬底层110上形成盖帽层130，并使盖帽层130与衬底层110之间形成阳极键合，且盖帽层与衬底层110围设出一用于收纳器件层120的真空腔140的步骤S330具体包括：

S331、请参阅图6a，提供盖帽硅片133，并在盖帽硅片133的第一表面上进行涂胶、光刻及显影，定义出通孔131的位置，如图5a所示；

S332、请参阅图6b，采用TSV深刻蚀工艺对盖帽硅片133的第一表面进行刻蚀，以在盖帽硅片133上形成通孔131。

S333、请参阅图6c-6e，去胶，然后在盖帽硅片133的通孔131内填充互连结构132，具体地，可盖帽硅片133的通孔131的内壁上沉积或生长一层绝缘层1321(材质可为二氧化硅)，在绝缘层1321内溅射一层种子层1322，在种子层1322内形成电镀层1323，以对通孔131进行填充。

S334、请参阅图6f，使盖帽硅片133开设通孔131的一侧表面平坦化，即，使盖帽硅片133的第一表面平坦化。可使用化学机械抛光(CMP)工艺使盖帽硅片133开设通孔131的一侧表面平坦化。

S335、请参阅图6g，在盖帽硅片133开设通孔131的一侧表面上进行涂胶、光刻及显影，定义出盖帽层130的空腔图形，并按照该空腔图形在盖帽硅片133上刻蚀出空腔结构。

S336、使用掩模版工艺在盖帽硅片133上的空腔结构的底壁上生长吸气剂150。

S337、请参阅图6h，将盖帽硅片133设有空腔结构的一侧朝向衬底层110，并与衬底层110之间形成硅-玻璃键合。

S338、对盖帽硅片133背离衬底层110的一侧表面进行减薄，以露出互连结构132(可结合图6h和图1进行理解)。可先使用KOH溶液对盖帽硅片133背离衬底层110的一侧表面进行减薄，直至盖帽硅片133背离衬底层110的一侧表面距离通孔131还有5-10微米时，再对盖帽硅片133背离衬底层110的一侧表面进行化学机械抛光(CMP)使其平坦化，以露出互连结构132。由于KOH溶液减薄方式不容易把握精准的尺寸，化学机械抛光减薄方式不适用于厚度较高硅片的减薄，所以将KOH溶液减薄方式和化学机械抛光减薄方式结合使用，既能提高减薄效率，又能提高减薄精度。

在一些实施例中，提供衬底层110的步骤之前，圆片级封装结构的制作方法还包括：

对玻璃衬底113、器件硅片121和盖帽硅片133进行清洗。可将衬底层110、器件层120和盖帽层130分别依次放入丙酮溶液、异丙醇溶液和SC-1溶液(SC-1溶液为氢氧化铵、过氧化氢和水的混合溶液)中进行超声清洗，超声时间为20min左右，这样采用不同极性大小的溶液按一定顺序清洗，可以使表面不同极性的杂质最大程度地被清洗干净，从而保证键合界面的洁净度和表面粗糙度，以免对键合质量产生影响。当然在丙酮溶液、异丙醇溶液和SC-1溶液三种溶液中清洗的顺序也可根据需要进行调整。

综上，本申请的圆片级封装结构10及其制作方法，具有键合强度高，空气阻尼小，可满足MEMS器件对真空度和漏率的要求，有利于提高器件的可靠性和稳定性。

相较于常见的共晶键合等方式，本申请中，使用两次硅-玻璃键合的键合方式，工艺难度更小。同时通孔131处和电极111处能够实现硅-玻璃键合与硅-金属键合的双重键合，可提高电气连接的稳定性。

相较于常规的引线键合的互连方式，本申请中，采用硅通孔垂直结构把电信号引出，缩短了引线长度，减小了封装尺寸，而且硅-玻璃键合跟TSV技术结合集成度和可靠性更高，能有效降低圆片级封装结构10的制造成本。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。