微机电系统MEMS扫描镜及其制备方法

技术领域

本发明涉及微机电系统技术领域，尤其涉及一种微机电系统MEMS扫描镜及其制备方法。

背景技术

微机电系统(MEMS，Micro-Electro-Mechanical System)扫描镜是基于MEMS技术将微光反射镜与MEMS驱动器集成在一起的光学器件。微光反射镜可以在MEMS驱动器的作用下实现微光反射镜的在一维或二维方向上的平移运动或枢轴转动。

相关技术中，MEMS扫描镜的生产工序复杂且加工效率低，难以实现大规模量产。而且，生产出的MEMS的尺寸一致性差。

发明内容

本发明实施例提供了微机电系统MEMS扫描镜及其制备方法。

本公开实施例第一方面提供一种微机电系统MEMS扫描镜，包括：

镜子；

驱动模块，包括：位置固定的固定梁、可绕轴转动的转动梁和连接件；

所述固定梁上设置有第一梳齿；所述转动梁上设置有第二梳齿；所述第一梳齿成型于第一膜层，所述第二梳齿成型于第二膜层；所述第一梳齿和所述第二梳齿在驱动信号作用下可驱动所述转动梁摆动；

所述连接件连接所述镜子和所述转动梁；摆动的所述转动梁可通过所述连接件驱动所述反射镜旋转；所述连接件包括连杆和与所述连杆连接的铰链；所述镜子、所述连杆和/或所述铰链均包括上部和下部；所述上部成型于所述第二膜层；所述下部成型于所述第一膜层。

在一个实施例中，所述第一膜层和所述第二膜层的材料和/或厚度相同。

在一个实施例中，所述驱动模块包括多个层叠的膜层；所述多个层叠的膜层包括：所述第一膜层、所述第二膜层和设置在所述第一膜层和所述第二膜层之间的键合层。

在一个实施例中，所述镜子的上部为镜面，所述镜面成型于所述第二膜层；和/或，所述镜子的下部为镜面加强筋，所述镜面加强筋成型于所述第一膜层和所述键合层；和/或，所述连杆和/或所述铰链成型于所述第一膜层、所述第二膜层和所述键合层。

本公开实施例第二方面提供一种MEMS扫描镜的制备方法，包括：

在第一晶圆的第一膜层上刻蚀出第一梳齿、连杆的下部、铰链的下部和/或镜面加强筋，其中，所述第一晶圆包括所述第一膜层和与所述第一膜层的一表面相邻的第一刻蚀阻挡层；

将第二晶圆与所述第一晶圆在所述第一膜层的另一表面上进行键合，其中，所述第二晶圆包括第二膜层、与所述第二膜层一表面相邻的第二刻蚀阻挡层和与所述第二膜层另一表面相邻的键合层；

在所述第二晶圆的第二膜层上刻蚀出第二梳齿、连杆的上部、铰链的上部和/或镜面。

在一个实施例中，所述方法还包括：

在将所述第二晶圆与所述第一晶圆在所述第一膜层的另一表面上进行键合后，所述方法还包括：

在第一预定温度下退火；

在预定时长后停止退火，按照预定降温速度降温至第二预定温度。

在一个实施例中，在将所述第二晶圆与所述第一晶圆在所述第一膜层的另一表面上进行键合后，所述方法还包括：

利用湿法腐蚀工艺去除所述第二晶圆上的衬底层和/或第二刻蚀阻挡层；

和/或，

采用湿法腐蚀工艺去除所述第一梳齿和/或所述第二梳齿之间的SiO

在一个实施例中，所述第一晶圆包括衬底层；所述方法还包括：

刻蚀所述衬底层的部分区域；

将支撑片键合在所述衬底层；

对焊盘和/或镜面区域进行表面处理；

在表面处理完毕后去除所述支撑片。

在一个实施例中，所述对焊盘和/或镜面区域进行表面处理，包括：

在第二膜层上表面焊盘对应的区域溅射和/或蒸镀金属，其中，所述金属包括Ti和/或Al；

和/或，

在真空环境的第三预定温度下对所述表面焊盘进行退火以形成欧姆接触；

和/或，

在退火后在所述第二膜层上表面镜面区域溅射和/或蒸镀金属，其中，所述金属包括Ti和/或Al。

本公开实施例第三方面提供一种激光雷达，所述激光雷达包括本公开实施例的任意所述的MEMS扫描镜。

本公开实施例提供的技术方案与现有技术相比存在的有益效果是：

本公开实施例中，所述固定梁上设置有第一梳齿；所述转动梁上设置有第二梳齿；所述第一梳齿成型于第一膜层，所述第二梳齿成型于第二膜层。如此，在该MEMS扫描镜中，由于所述第一梳齿和所述第二梳齿成型于不同的膜层，相较于所述第一梳齿和所述第二梳齿成型于同一膜层，一方面，可以根据梳齿的高度要求采用不同厚度的膜层进行加工，提升了梳齿的尺寸一致性；另一方面，可以在制备过程中在膜层表面设置刻蚀阻挡层，从而无需精确控制刻蚀硅的速率及时间，提高了芯片的制备效率，适合大规模量产。

所述连接件连接所述镜子和所述转动梁；摆动的所述转动梁可通过所述连接件驱动所述镜子旋转；所述连接件包括连杆和与所述连杆连接的铰链；所述镜子、所述连杆和/或所述铰链均包括上部和下部；所述上部成型于所述第二膜层；所述下部成型于所述第一膜层。这里，由于所述连接件包括连杆和与所述连杆连接的铰链，相较于所述连接件只包含连杆的情况，所述铰链能够提升所述连接件的摆动幅度，从而可以带动所述镜子的自由运动，使得所述镜子的运动更加灵敏。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种MEMS扫描镜的结构示意图；

图2是本发明实施例提供的一种MEMS扫描镜的膜层结构示意图。

图3是本发明实施例提供的一种MEMS扫描镜的膜层结构示意图。

图4是本发明实施例提供的一种MEMS扫描镜的制备方法的流程示意图。

图5是本发明实施例提供的一种MEMS扫描镜制备过程中的膜层结构示意图。

图6是本发明实施例提供的一种MEMS扫描镜制备过程中的膜层结构示意图。

图7是本发明实施例提供的一种MEMS扫描镜制备过程中的膜层结构示意图。

图8是本发明实施例提供的一种MEMS扫描镜制备过程中的膜层结构示意图。

图9是本发明实施例提供的一种MEMS扫描镜制备过程中的膜层结构示意图。

图10是本发明实施例提供的一种MEMS扫描镜制备过程中的膜层结构示意图。

图11是本发明实施例提供的一种MEMS扫描镜制备过程中的膜层结构示意图。

图12是本发明实施例提供的一种MEMS扫描镜制备过程中的膜层结构示意图。

图13是本发明实施例提供的一种MEMS扫描镜制备过程中的膜层结构示意图。

图14是本发明实施例提供的一种MEMS扫描镜制备过程中的膜层结构示意图。

图15是本发明实施例提供的一种MEMS扫描镜制备过程中的膜层结构示意图。

图16是本发明实施例提供的一种MEMS扫描镜制备过程中的膜层结构示意图。

图17是本发明实施例提供的一种MEMS扫描镜的制备方法的流程示意图。

具体实施方式

以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本发明实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本发明。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本发明的描述。

为了更好地理解本公开实施例，以下通过一些实施例对MEMS进行说明：

在一些实施例中，MEMS扫描镜的驱动方式包括静电驱动、压电驱动、电磁驱动和热电驱动。其中，静电驱动的MEMS扫描镜具有体积小、功耗低、可靠性高、可准静态工作等优点，广泛应用在头戴式显示设备、激光雷达、增强现实等领域。但是，静电驱动相较于其他驱动方式，驱动力较小，如此，大多数MEMS扫描镜的偏转角度偏小或只能工作于谐振状态，这限制了扫描镜的适用场景。

在一个实施例中，提供一种无框型静电MEMS扫描镜，与大多数静电式MEMS扫描镜不同，该扫描镜的镜面转动方向与驱动轴垂直，两者之间通过连杆及柔性铰链连接。连杆和柔性铰链构成类杠杆结构，可以通过增加连杆长度来增大镜面的转角。驱动结构上，将静电梳齿设计为高、低两种梳齿，如此，即使在直流驱动下镜面依然可以偏转，从而实现扫描镜的准静态工作。大转角和可准静态工作的优点大幅提高了该种扫描镜的适用场景。但该MEMS扫描镜芯片存在产能严重不足的问题。其原因在于，扫描镜芯片的膜层结构设计上将扫描镜的高低梳齿、连杆、柔性铰链及镜面等结构设计在同一硅层上，使得在芯片制备过程中需要精确控制硅和氧化硅的刻蚀速率及刻蚀时间，导致芯片制备工序复杂且加工效率低，难以大规模量产。

在一个实施例中，梳齿的高度是通过机械减薄和/或干法刻蚀工艺来控制，由于上述两种工艺本身存在一定的片内及片间不均一性，导致不同芯片的梳齿高度不一致，扫描镜的关键特性如谐振频率和转角等参数的一致性较差，因此，需要对芯片进行单独校正，这会导致后端用户开发难度大且周期长。

为了说明本发明所述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。

如图1和图2所示，本公开实施例提供一种微机电系统MEMS扫描镜，包括：

镜子107；

驱动模块，包括：位置固定的固定梁(113、115和117)、可绕轴转动的转动梁109和连接件(可以包括105和122)；

所述固定梁(113、115和117)上设置有第一梳齿112；所述转动梁109上设置有第二梳齿111；所述第一梳齿112成型于第一膜层(如图2的B)，所述第二梳齿111成型于第二膜层(如图2的A)；所述第一梳齿112和所述第二梳齿111在驱动信号作用下可驱动所述转动梁109摆动；

所述连接件连接所述镜子107和所述转动梁109；摆动的所述转动梁109可通过所述连接件驱动所述镜子107旋转；所述连接件包括连杆(105和122)和与所述连杆连接的铰链(106和108)；所述镜子107、所述连杆(105和122)和/或所述铰链(106和108)均包括上部和下部；所述上部成型于所述第二膜层B；所述下部成型于所述第一膜层A。

在一个实施例中，加工所述第一梳齿112的第一膜层B和加工所述第二梳齿111的第二膜层A不是同一膜层。

在一个场景实施例中，可以将所述MEMS扫描镜应用于激光雷达中。激光雷达可以基于所述MEMS扫描镜并通过发射激光束探测目标物体的位置、速度等特征量。示例性地，激光雷达由发射系统、接收系统、扫描系统等部分组成，所述MEMS扫描镜可以应用于上述扫描系统。

在一个实施例中，所述MEMS扫描镜可以是静电式MEMS扫描镜，请再次参见图1，为一种静电式MEMS扫描镜的俯视图，本公开中，所述MEMS扫描镜可以是指MEMS扫描镜芯片。该MEMS扫描镜芯片可以包括驱动模块(101、102、103和104)、镜子107和连接件。需要说明的是，所述驱动模块、所述反射镜和所述连接件中的一种或者多种可以是基于膜层刻蚀而成，在此不做限定。这里，膜层可以是Si器件层。

在一些实施例中，所述连接件也可以是包括连杆(105和122)和柔性铰链(106和108)的组合件，在此不做限定。

在一个实施例中，所述驱动模块可以包括梳齿、转动梁109、转轴110、固定锚点119、固定梁(113、115和117)和金属焊盘(114、116、118、120和121)。其中，所述梳齿包括所述第一梳齿112和所述第二梳齿111；需要说明的是，所述第一梳齿112和所述第二梳齿111可以是成对出现。所述第一梳齿112和所述第二梳齿111可以是在空间上平行交错设置。在本公开实施例中，不对所述第一梳齿112和所述第二梳齿111的数量、形状和/或位置关系进行限定。

在一个实施例中，成型于所述转动梁109上的梳齿为第二梳齿111，也可以称为动齿。成型于所述固定梁(113、115和117)上的梳齿为第一梳齿112，也可以称为定齿。其中，所述转动梁109和所述固定梁(113、115和117)可以是平行设置。

在一个实施例中，通过在金属焊盘(114、116、118和121)上分别施加电压(金属焊盘120可以接地)，所述第二梳齿111受到所述第一梳齿112的吸引会转动，从而会驱动转动梁109绕着旋转轴110摆动，转动轴109的摆动会带动连杆105和柔性铰链(106和108)转动，从而驱动反射镜107的镜面转动。

在一个实施例中，所述镜子107可以连接多个所述驱动模块，例如，如图1所示的4个驱动模块。

在一个实施例中，多个所述驱动模块可以具有相同的结构。多个所述驱动模块的设置位置可以不同。示例性地，所述驱动模块成对设置在所述镜子107的不同维度，例如，所述驱动模块设置在所述镜子107的x和y两个维度。

在一个实施例中，所述MEMS扫描镜为二维扫描镜，其中，所述驱动模块101和102为一组，可以驱动所述镜子107在第一维度转动；所述驱动模块103和驱动模块104为一组，可以驱动所述镜子107在第二维度转动。

在本公开实施例中，所述固定梁上设置有第一梳齿；所述转动梁上设置有第二梳齿；所述第一梳齿成型于第一膜层，所述第二梳齿成型于第二膜层。如此，在该MEMS扫描镜中，由于所述第一梳齿和所述第二梳齿成型于不同的膜层，相较于所述第一梳齿和所述第二梳齿成型于同一膜层，一方面，可以根据梳齿的高度要求采用不同厚度的膜层进行加工，提升了梳齿的尺寸一致性；另一方面，可以在制备过程中在膜层表面设置刻蚀阻挡层，从而无需精确控制刻蚀硅的速率及时间，提高了芯片的制备效率，适合大规模量产。

所述连接件连接所述镜子和所述转动梁；摆动的所述转动梁可通过所述连接件驱动所述镜子旋转；所述连接件包括连杆和与所述连杆连接的铰链；所述镜子、所述连杆和/或所述铰链均包括上部和下部；所述上部成型于所述第二膜层；所述下部成型于所述第一膜层。这里，由于所述连接件包括连杆和与所述连杆连接的铰链，相较于所述连接件只包含连杆的情况，所述铰链能够提升所述连接件的摆动幅度，从而可以带动所述镜子的自由运动，使得所述镜子的运动更加灵敏。

在一个实施例中，请参见图2，所述第一膜层B和所述第二膜层A的材料和/或厚度相同。

在一个实施例中，所述驱动模块包括多个层叠的膜层；所述多个层叠的膜层包括：所述第一膜层B、所述第二膜层A和设置在所述第一膜层B和所述第二膜层A之间的键合层。这里，所述键合层可以是SiO

在一个实施例中，所述镜子107的上部为镜面，所述镜面成型于所述第二膜层A；和/或，所述镜子107的下部为镜面加强筋，所述镜面加强筋成型于所述第一膜层B和所述键合层。其中，所述镜面加强筋可以是用于支撑所述镜子107。

在一个实施例中，所述连杆105和/或所述铰链(106和108)成型于所述第一膜层B、所述第二膜层A和所述键合层。

在一个实施例中，所述连接件基于所述第一膜层B、所述第二膜层A和所述键合层共同加工而成。这里，可以是基于预定刻蚀工艺加工所述连接件。

在一个实施例中，图2为基于绝缘衬底上的硅(SOI，Silicon-On-Insulator)的多膜层静电式MEMS扫描镜的横截面膜层示意图(沿图1中A-A方向剖开)。沿图2中箭头方向，依次为第一层Si器件层201、SiO

在一个实施例中，所述第一层Si器件层201和所述第二层Si器件层203的材料相同。示例性地，均为N型掺杂低阻硅。

在一个实施例中，所述第一层Si器件层201和所述第二层Si器件层203的厚度相同。示例性地，厚度为30μm。

示例性地，所述SiO

示例性地，所述衬底Si层205的厚度为450μm。

在一个实施例中，静电梳齿分为高齿206(即所述第二梳齿111)和低齿207(即第一梳齿112)两种，高齿206成型于所述第一层Si器件层201，所述高齿206的高度与第一层Si器件层201厚度一致；低齿成型于第二层Si器件层203，所述低齿的高度与第二层Si器件层203厚度一致。

在一个实施例中，所述MEMS扫描镜的镜面208成型于第一层Si器件层201，镜面加强筋212则由键合中间层202和第二层Si器件层203共同构成。这里，镜面208可以就是镜子107。

在一个实施例中，所述连杆213以及所述柔性铰链214由第一层Si器件层201、第二层Si器件层203及键合中间层203共同构成。

在一个实施例中，金属焊盘210成型于第一层Si器件层201上表面，金属焊盘211成型于第二层Si器件层202上表面，分别作为驱动信号的接入点。其中，驱动信号可以是电信号。

在一个实施例中，金属焊盘210材质可以为Ti和/或Al，示例性地，可以与器件层的Si构成欧姆接触。在一个实施例中，镜面208上表面同样覆盖Ti和/或Al，用于增强镜面的反射率。

在一个实施例中，所述第二层Si器件层203，所述SiO

为了更好地理解图2所示的膜层结构，以下通过一个实施例对相关技术中的MEMS扫描镜的膜层结构进行说明：

请参见图3，示出了相关技术中一种MEMS扫描镜产品的横截面膜层示意图。需要说明的是，图3中示出的示例结构不对本公开方案带来限定，可以用于理解目的的示例性说明。

在图3中，沿着箭头方向，从上到下依次为Si器件层301、SiO

如图4所示，本公开实施例提供一种MEMS扫描镜的制备方法，包括：

步骤41、在第一晶圆的第一膜层上刻蚀出第一梳齿、连杆的下部、铰链的下部和/或镜面加强筋，其中，所述第一晶圆包括所述第一膜层和与所述第一膜层的一表面相邻的第一刻蚀阻挡层；

步骤42、将第二晶圆与所述第一晶圆在所述第一膜层的另一表面上进行键合，其中，所述第二晶圆包括第二膜层、与所述第二膜层一表面相邻的第二刻蚀阻挡层和与所述第二膜层另一表面相邻的键合层；

步骤43、在所述第二晶圆的第二膜层上刻蚀出第二梳齿、连杆的上部、铰链的上部和/或镜面。

在一个实施例中，晶圆可以是SOI晶圆。这里，所述第一晶圆可以是第一片SOI晶圆；所述第一膜层可以是Si器件层401；所述刻蚀阻挡层可以是SiO

请参见图5、使出了制备过程中用到的第一片SOI晶圆。示例性地，该第一片SOI晶圆的直径可以是6英寸或8英寸。

在一个实施例中，第一片SOI晶圆可以包括Si器件层401、SiO

在一个实施例中，所述方法还包括：

在所述第一晶圆的第一膜层B上刻蚀出所述MEMS扫描镜的镜面加强筋。

在一个实施例中，请参见图6，通过反应离子深刻蚀(DRIE)工艺在第一片SOI晶圆的Si器件层上刻蚀出低齿404(对应前述第一梳齿112)及镜面加强筋418结构，同时形成的结构还包括连杆419和柔性铰链330的下半部分(一半高度)。在一个实施例中，DRIE刻蚀Si和SiO

在一个实施例中，请参见图7，制备过程中使用到的第二片SOI晶圆，该第二片SOI晶圆的特性与第一片SOI晶圆相同。在一个实施例中，为提高键合成功率，这片SOI的Si器件层401表面沉积了一层SiO

在一个实施例中，在将所述第二晶圆与所述第一晶圆在所述第一膜层的另一表面上进行键合后，所述方法还包括：

步骤a、在第一预定温度下退火；

步骤b、在预定时长后停止退火，按照预定降温速度降温至第二预定温度。

示例性地，第一预定温度可以是1100℃±100。

示例性地，预定时长可以是4h±2。

示例性地，第二预定温度可以是25℃±5.

在一个实施例中，请参见图8，以SiO

在一个实施例中，在将所述第二晶圆与所述第一晶圆在所述第一膜层的另一表面上进行键合后，所述方法还包括：利用湿法腐蚀工艺去除所述第二晶圆上的衬底层和/或刻蚀阻挡层。

在一个实施例中，请参见图9，利用湿法腐蚀工艺去除第二片SOI晶圆的衬底层408及SiO

在一个实施例中，请参见图10，利用DRIE工艺在器件层405上刻蚀出上齿409(对应第二梳齿111)、镜面420结构，以及连杆419、柔性铰链420的上半部分。这里，SiO

在一个实施例中，请参见图11，DRIE刻蚀Si衬底层403，直至SiO

在一个实施例中，采用湿法腐蚀工艺去除所述第一梳齿和/或所述第二梳齿之间的SiO

在一个实施例中，请参见图12，采用湿法腐蚀去掉梳齿等结构间的SiO

需要说明的是，在一个实施例中可以依次按照图6、图8、图9、图10、图11、图12执行本公开方案，也可以是按照其他能够体现本公开技术构思的顺序执行本公开方案，在此不做限定。

在一个实施例中，所述第一晶圆包括衬底层；所述方法还包括：

步骤a、刻蚀所述衬底层的部分区域；

步骤b、将支撑片键合在所述衬底层；

步骤c、对焊盘和/或镜面区域进行表面处理；

步骤d、在表面处理完毕后去除所述支撑片。

其中，表面处理包括镀膜处理。

在一个实施例中，所述对焊盘和/或镜面区域进行表面处理，包括：

在第二膜层上表面焊盘对应的区域依次溅射和/或蒸镀金属，其中，所述金属包括Ti和/或Al；

和/或，

在真空环境的第三预定温度下对所述表面焊盘进行退火形成欧姆接触；

和/或，

在退火后在所述第二膜层上表面镜面区域依次溅射和/或蒸镀金属，其中，所述金属包括Ti和/或Al。

示例性地，第三预定温度可以是450℃±100。

在一个实施例中，请参见图13，由于晶圆大部分区域镂空，为增强晶片的强度和可操作性，镀膜前须在衬底层403的下表面临时键合一片玻璃411作为支撑片。

在一个实施例中，请参见图14、在器件层405上表面焊盘对应的区域依次溅射/蒸镀10nm Ti(412、415)，200nm Al(413，414)，并在真空环境下400℃退火形成欧姆接触。

在一个实施例中，请参见图15，退火后再在Si器件层405上表面镜面区域依次溅射/蒸镀10nm Ti(416)，200nm Al(417)，形成反射膜。如图14和如图15对应的两步镀膜工序分开的原因是退火工艺会增加金属膜的粗糙度，降低反射率。

在一个实施例中，请参见图16、示出的是制作方法的去除支撑片的示意图，如此，完成整个MEMS扫描镜的制备。

为了更好地理解本公开实施例，以下通过一个示例性实施例，对本公开实施例进行示例性说明：

示例1：

本公开实施例至少用到2片SOI晶圆，分别为第一片SOI晶圆和第二片SOI晶圆。所述第一片SOI晶圆(对应本公开中的第二膜层)，直径为6英寸或者8英寸，Si器件层为30μm，为N型低阻单晶硅层。SiO

请参见图17，本公开实施例提供一种MEMS扫描镜的制备方法，包括：

步骤171、通过反应离子深刻蚀工艺在第一片SOI晶圆的Si器件层(对应第一膜层)上刻蚀出低齿(对应第一梳齿)及镜面加强筋结构，同时形成的结构还包括连杆和柔性铰链的下半部分(一半高度)。

步骤172、以SiO

步骤173、利用湿法腐蚀工艺去除第二片SOI晶圆的衬底层及SiO

步骤174、利用DRIE工艺在第二片SOI晶圆的Si器件层上刻蚀出上齿、镜面、以及连杆和柔性铰链的上半部分。

步骤175、DRIE刻蚀Si衬底层，直至SiO

步骤176、采用湿法腐蚀去掉梳齿等结构间的SiO

步骤177、镀膜前在衬底层的下表面临时键合一片玻璃作为支撑片。

步骤178、在Si器件层上表面焊盘对应的区域依次溅射或蒸镀10nm Ti及200nmAl，并在真空环境下400℃退火形成欧姆接触。退火后再在Si器件层上表面镜面区域依次溅射或蒸镀10nm Ti及200nm Al，形成反射膜。

步骤179、去除支撑片，完成整个MEMS转镜的制备。

需要说明的是，上述实施例的具体结构的示意可以参见本公开示出的任意附图即描述，在此不做限定。

在一个实施例中，本公开实施例还提供一种激光雷达，所述激光雷达包括如本公开任一所述的MEMS扫描镜。

本领域技术人员可以理解，上述实施例中各步骤的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本发明实施例的实施过程构成任何限定。

以上所述实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本发明的保护范围之内。