一种用于铝阳极氧化膜层致密度快速检测的方法

技术领域

本发明属于致密度检测技术领域，具体涉及一种用于铝阳极氧化膜层致密度快速检测的方法。

背景技术

现阶段对于阳极氧化膜致密度和封孔质量的检测有指印试验、酸处理后的染色斑点试验、磷铬酸试验、导纳试验等，前三个方法测试过程虽然简单，但评价的梯度差异较大，无直接数据显示。导纳试验的工装较为复杂，检测时评价的为测试点之间的位置的膜层质量，对于大面积的氧化膜的评价难以迅速表征。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足提供一种用于铝阳极氧化膜层致密度快速检测的方法，本用于铝阳极氧化膜层致密度快速检测的方法使用电火花检漏仪，采用电刷形式对膜层致密性进行检测；对产品损伤很小或基本无损伤；检测精度高，数据可直接显示，评价较为精确；可以迅速检测大面积的氧化膜。

为实现上述技术目的，本发明采取的技术方案为：

一种用于铝阳极氧化膜层致密度快速检测的方法，包括：

步骤1：将待测试产品放置于导电托架上，导电托架连接地线；

步骤2：调整电火花检漏仪的灵敏度，将电火花检漏仪接触导电托架；

步骤3：采用电刷在待测试产品的膜层表面往复运动，同时，由小到大依次增加电刷的电压；

步骤4：当电火花检漏仪的二极管发出亮光，且电火花检漏仪发出连续响声，即可判定此时的电压值为膜层的击穿电压，所述击穿电压用于表征膜层致密度。

作为本发明进一步改进的技术方案，所述的步骤2具体为：

调整电火花检漏仪的灵敏度，使得当导电托架上的电压为200V时，电火花检漏仪接触导电托架后能发出响声。

作为本发明进一步改进的技术方案，所述的步骤3中电压增加的幅度为每次100V；

作为本发明进一步改进的技术方案，所述的步骤3中的电刷与待测试产品的膜层之间的接触角为30~60°，电刷的金属丝不可接触导电托架。

作为本发明进一步改进的技术方案，还包括以下步骤：

测试完成后，将电压调整为0V，并关闭电刷的电源，取下产品。

作为本发明进一步改进的技术方案，所述的电火花检漏仪采用PCWI DC30型号。

本发明的有益效果为：本发明使用电火花检漏仪，采用电刷形式对膜层致密性进行检测；通过膜层击穿电压来表征致密度，相对于染色、腐蚀等方法对产品损伤很小或基本无损伤，检测精度高，数据可直接显示，评价较为精确；检测迅速，可以检测大面积的氧化膜；对于形状复杂的氧化件，也可以直接进行检测；避免进行工装的制作；可以方便对比检测封孔前后以及时效前后膜层致密的检测。

具体实施方式

下面对本发明的具体实施方式作出进一步说明：

实施例1、硫酸体系进行的硬质阳极氧化：

铝阳极氧化膜层的厚度为25微米，异形制品，进行测定，该铝阳极氧化膜层致密度快速检测方法如下：

步骤1：将待测试产品放置于导电托架上，导电托架连接地线；

步骤2：调整电火花检漏仪的灵敏度，使得当导电托架上的电压为200V时，电火花检漏仪接触导电托架后能发出响声；

步骤3：采用电刷在待测试产品即铝阳极氧化膜层的平面部分往复运动，同时，由小到大依次增加电刷的电压，电压增加的幅度为每次100V；所述的电刷与膜层之间的接触角为30~60°，电刷的金属丝不可接触导电托架；

步骤4：当电火花检漏仪的二极管发出亮光，且电火花检漏仪发出连续响声，即可判定此时电刷的电压值为膜层的击穿电压，测得膜层平面部分的击穿电压为900V。

步骤5：测试完成后，将电压调整为0V，并关闭电刷的电源，取下产品。

本实施例的电火花检漏仪采用PCWI DC30型号。

同理，测得膜层垂直部分的击穿电压为600V，理论上边缘垂直部分上膜速度慢，膜层致密性较差，上述测试方法测得的膜层垂直部分的击穿电压明显小于膜层平面部分的击穿电压，因此符合上述理论，膜层的击穿电压可以用来准确表征致密度，对产品损伤很小或基本无损伤；检测精度高，数据可直接显示，评价较为精确；可以迅速检测大面积的氧化膜。

实施例2、草酸体系进行的硬质阳极氧化：

铝阳极氧化膜层的厚度为25微米，该铝阳极氧化膜层致密度快速检测方法如下：

步骤1：将待测试产品放置于导电托架上，导电托架连接地线；

步骤2：调整电火花检漏仪的灵敏度，使得当导电托架上的电压为200V时，电火花检漏仪接触导电托架后能发出响声；

步骤3：采用电刷在待测试产品即铝阳极氧化膜层的平面部分往复运动，同时，由小到大依次增加电刷的电压，电压增加的幅度为每次100V；所述的电刷与膜层之间的接触角为30~60°，电刷的金属丝不可接触导电托架；

步骤4：当电火花检漏仪的二极管发出亮光，且电火花检漏仪发出连续响声，即可判定此时的电压值为膜层的击穿电压，测得膜层平面部分的击穿电压为1400V（一般情况下草酸体系氧化的氧化膜膜层更为致密）。

步骤5：测试完成后，将电压调整为0V，并关闭电刷的电源，取下产品。

本实施例的电火花检漏仪采用PCWI DC30型号。

上述方法中草酸体系氧化的氧化膜膜层的击穿电压1400V远远大于实施例1中硫酸体系氧化的氧化膜膜层的击穿电压900V，因此草酸体系氧化的氧化膜膜层更为致密，与实际情况吻合。

实施例3、硫酸体系进行的硬质阳极氧化：

铝阳极氧化膜层的厚度为50微米，在进行封闭剂封闭前，按照实施例1或实施例2的测试方法，测得膜层的击穿电压为1100V；使用热水不完全封闭，测得膜层的击穿电压为1200V；使用中温封闭剂封闭后，测得膜层的击穿电压为1400V，室温放置48h，让孔隙继续缩小，测得膜层的击穿电压1500V。

实施例4、硫酸体系进行的硬质阳极氧化：

氧化温度为5℃，铝阳极氧化膜层的厚度为50微米，按照实施例1或实施例2的测试方法，测得的膜层击穿电压为900V。

氧化温度为-5℃，铝阳极氧化膜层的厚度为50微米，按照实施例1或实施例2的测试方法，测得的膜层击穿电压为1200V（相关的其他测试方法也证实低温下氧化膜膜层更为致密）。

本实施例通过膜层击穿电压来表征致密度，相对于染色、腐蚀等方法，对产品损伤很小或基本无损伤；检测精度高，数据可直接显示，评价较为精确，优选PCWI DC30型号的电火花检漏仪；检测迅速，可以检测大面积的氧化膜；对于形状复杂的氧化件，也可以直接进行检测；避免进行工装的制作；可以方便对比检测封孔前后以及时效前后膜层致密的检测。

本发明的保护范围包括但不限于以上实施方式，本发明的保护范围以权利要求书为准，任何对本技术做出的本领域的技术人员容易想到的替换、变形、改进均落入本发明的保护范围。