一种显示面板和显示装置

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种显示面板和显示装置。

背景技术

通常荧光发光材料若在电流激发下，会以25∶75的机率产生单重态激子及三重态激子，其中单重态激子辐射失活为基态单重态而放射荧光，但无法将产生机率高的三重态激子的能量(T1)有效用于发光。但是其内量子效率(IQE)最高理论极限值为25％，导致OLED的性能不太理想。基于磷光材料发光体的OLED，可以充分收集单重态激子及三重态的激子，使其IQE可达到100％。然而，磷光材料分子需要稀有金属元素，致使磷光材料的OLED的成本增加，而且污染严重，即，现有技术的显示面板仍存在发光效率低的问题。

发明内容

本发明提供一种显示面板和显示装置，以改善现有技术的显示面板存在发光效率低的问题。

本发明实施例提供一种显示面板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板一侧的第一电极，位于所述第一电极背离所述衬底基板一侧的发光层，位于所述发光层背离所述第一电极一侧的第二电极；其中，

所述发光层包括第一发光部，第二发光部，以及第三发光部，所述第一发光部的发光波长范围大于所述第二发光部的发光波长范围，所述第二发光部的发光波长范围大于所述第三发光部的发光波长范围，至少所述第二发光部包括主体部和客体部；所述主体部的材料为热活化延迟荧光材料，且所述主体部的单线态激发能级与三线态激发态能级的差值不大于0.3eV；所述主体部含有给电子基团，以及受电子基团，所述给电子基团包括以下结构式：

所述受电子基团包括以下结构式：

在一种可能的实施方式中，所述给电子基团包括以下结构式：

所述受电子基团包括以下结构式：

其中，R1为单键、咔唑、二苯基氨基、吩噁嗪、吩噻嗪、二苯并氮杂硅啉、吡咯烷、哌啶、苯氧化物、甲氧化物、C1～C8的脂肪族烃基、C6～C30的芳香族烃基、C3～C18的芳香族杂环基、取代的C6-C36芳基或未取代的C6-C36芳基；R2为单键、咔唑、二苯基氨基、吩噁嗪、吩噻嗪、二苯并氮杂硅啉、吡咯烷、哌啶、苯氧化物、甲氧化物、C1～C8的脂肪族烃基、C6～C30的芳香族烃基、C3～C18的芳香族杂环基、取代的C6-C36芳基或未被取代的C6-C36芳基；R3为单键、咔唑、二苯基氨基、吩噁嗪、吩噻嗪、二苯并氮杂硅啉、吡咯烷、哌啶、苯氧化物、甲氧化物、C1～C8的脂肪族烃基、C6～C30的芳香族烃基、C3～C18的芳香族杂环基、取代的C6-C36芳基或未被取代的C6-C36芳基；R4为单键、咔唑、二苯基氨基、吩噁嗪、吩噻嗪、二苯并氮杂硅啉、吡咯烷、哌啶、苯氧化物、甲氧化物、C1～C8的脂肪族烃基、C6～C30的芳香族烃基、C3～C18的芳香族杂环基、取代的C6-C36芳基或未被取代的C6-C36芳基；

R5为所述给电子基团和所述受电子基团的连接结构，包括以下之一或以下2～3个连接而成的基团：

单键；

苯；

二苯并呋喃；

二苯并噻吩；

碳硼烷；

R6为以下之一或组合：

氰基；

吡唑；

咪唑；

三唑；

吡啶；

嘧啶；

三嗪；

氮杂-咔唑；

氮杂-二苯并呋喃；

氮杂-二苯并噻吩基团；

C1-C18的直链烷基；

C1-C18支链取代的亚烷基；

C2-C8的亚烯基；

C2-C8的亚炔基；

单键；

R7为以下之一或组合：

氰基；

吡唑；

咪唑；

三唑；

吡啶；

嘧啶；

三嗪；

氮杂-咔唑；

氮杂-二苯并呋喃；

氮杂-二苯并噻吩基团；

C1-C18的直链烷基；

C1-C18支链取代的亚烷基；

C2-C8的亚烯基；

C2-C8的亚炔基；

单键；

R8为以下之一或组合：

氰基；

吡唑；

咪唑；

三唑；

吡啶；

嘧啶；

三嗪；

氮杂-咔唑；

氮杂-二苯并呋喃；

氮杂-二苯并噻吩基团；

C1-C18的直链烷基；

C1-C18支链取代的亚烷基；

C2-C8的亚烯基；

C2-C8的亚炔基；

单键；

R10为以下之一或组合：

取代或未被取代C2-C40-链烯基；

取代或未被取代的C2-C40-炔基；

取代或未取代的C6-C60-芳基；

取代或未取代的C3-C57-杂芳基；

取代或未经取代的C1-C9-亚烷基；

取代或未取代的C2-C8-亚烯基；

取代或未取代的C2-C8-亚炔基；

亚芳基；

单键；

R11为以下之一或组合：

取代或未被取代C2-C40-链烯基；

取代或未被取代的C2-C40-炔基；

取代或未取代的C6-C60-芳基；

取代或未取代的C3-C57-杂芳基；

取代或未经取代的C1-C9-亚烷基；

取代或未取代的C2-C8-亚烯基；

取代或未取代的C2-C8-亚炔基；

亚芳基；

单键；

R12为以下之一或组合：

取代或未被取代C2-C40-链烯基；

取代或未被取代的C2-C40-炔基；

取代或未取代的C6-C60-芳基；

取代或未取代的C3-C57-杂芳基；

取代或未经取代的C1-C9-亚烷基；

取代或未取代的C2-C8-亚烯基；

取代或未取代的C2-C8-亚炔基；

亚芳基；

单键；

R13为以下之一或组合：

取代或未被取代C2-C40-链烯基；

取代或未被取代的C2-C40-炔基；

取代或未取代的C6-C60-芳基；

取代或未取代的C3-C57-杂芳基；

取代或未经取代的C1-C9-亚烷基；

取代或未取代的C2-C8-亚烯基；

取代或未取代的C2-C8-亚炔基；

亚芳基；

单键。

在一种可能的实施方式中，所述主体部为以下之一：

在一种可能的实施方式中，所述第二发光部仅包括第一膜层，所述主体部和所述客体部位于所述第一膜层。

在一种可能的实施方式中，所述第二发光部包括第二膜层以及位于所述第二膜层背离所述第一电极一侧的第三膜层，其中，所述主体部和所述客体部位于所述第三膜层；所述第三膜层出射绿光，所述第二膜层出射蓝光，且所述第二膜层出射的蓝光被所述第三膜层吸收，并激发所述第三膜层出射绿光。

在一种可能的实施方式中，所述第三膜层的所述主体部的吸收光谱与所述第二膜层的客体部的电致发光光谱的重叠面积大于5％。

在一种可能的实施方式中，所述第二膜层与所述第三发光部同层同材质。

在一种可能的实施方式中，所述第二发光部中，所述主体部的三线态激发态能级与所述客体部的三线态激发态能级的差值大于0.2eV。

在一种可能的实施方式中，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极；所述第一电极与所述发光层之间还设置有空穴注入层，所述空穴注入层与所述发光层之间还设置有空穴传输层，所述空穴传输层与所述发光层之间还设置有电子阻挡层；所述第二电极与所述发光层之间还设置有电子注入层，所述电子注入层与所述发光层之间还设置有电子传输层，所述电子传输层与所述发光层之间还设置有空穴阻挡层；

所述第二发光部中所述主体部的三线态激发能级小于所述电子阻挡层的三线态激发能级；

所述第二发光部中所述主体部的三线态激发能级小于所述空穴阻挡部的三线态激发能级；

所述第二发光部中所述主体部的HOMO能级与所述电子阻挡层的HOMO能级的差值绝对值不大于0.3eV；

所述第二发光部中所述主体部的HOMO能级与所述空穴阻挡层的HOMO能级的差值绝对值不小于0.1eV；

所述第二发光部中所述主体部的LUMO能级绝对值大于所述空穴阻挡层的LUMO能级绝对值。

本发明实施例还提供一种显示装置，包括如本发明实施例提供的所述显示面板。

本发明实施例有益效果如下：本发明实施例中，第二发光部的主体部的材料为热活化延迟荧光材料(TADF)，TADF的激子从激发三重态向激发单重态的反向系间窜越产生的单重态激子，跃迁至基态单重态时放射荧光，会大幅度提高显示面板的发光效率，且主体部Host的单线态激发能级S1与三线态激发态能级T1的差值不大于0.3eV，主体部含有给电子基团，以及受电子基团，且给电子基团与受电子基团满足上述结构式，可以提升第二发光部52的发光效率，使显示面板具有较高的发光效率。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的多个实施例的性能测试示意图之一；

图4为本发明实施例提供的多个实施例的性能测试示意图之二；

图5为本发明实施例提供的多个实施例的性能测试示意图之三。

具体实施方式

为了使得本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了已知功能和已知部件的详细说明。

参见图1，本发明实施例提供一种显示面板，包括：衬底基板1，位于衬底基板1一侧的第一电极21，位于第一电极21背离衬底基板1一侧的发光层5，位于发光层5背离第一电极21一侧的第二电极22；其中，

发光层5包括第一发光部51，第二发光部52，以及第三发光部53，第一发光部51的发光波长范围大于第二发光部52的发光波长范围，第二发光部52的发光波长范围大于第三发光部53的发光波长范围，具体的，第一发光部51可以为出射红光的发光部，第二发光部52可以为出射绿光的发光部，第三发光部可以为出射蓝光的发光部，至少第二发光部52包括主体部Host和客体部Dopant；主体部的材料为热活化延迟荧光材料(Thermally ActivatedDelayed Fluorescence，TADF)，且主体部Host的单线态激发能级S1与三线态激发态能级T1的差值不大于0.3eV，即，S1-T1≤0.3eV；主体部含有给电子基团Donor，以及受电子基团Accept，给电子基团Donor包括以下结构式：

受电子基团Accept包括以下结构式：

本发明实施例中，第二发光部52的主体部的材料为热活化延迟荧光材料(Thermally Activated Delayed Fluorescence，TADF)，TADF的激子从激发三重态向激发单重态的反向系间窜越产生的单重态激子，跃迁至基态单重态时放射荧光，会大幅度提高显示面板的发光效率，且主体部Host的单线态激发能级S1与三线态激发态能级T1的差值不大于0.3eV，主体部Host含有给电子基团Donor，以及受电子基团Accept，且给电子基团Donor与受电子基团Accept满足上述结构式，可以提升第二发光部52的发光效率，使显示面板具有较高的发光效率。

在一种可能的实施方式中，第二发光部52中，主体部Host含有的给电子基团Donor可以包括以下结构式：

第二发光部52中，主体部Host含有的受电子基团Accept包括以下结构式：

其中，R1为单键、咔唑、二苯基氨基、吩噁嗪、吩噻嗪、二苯并氮杂硅啉、吡咯烷、哌啶、苯氧化物、甲氧化物、C1～C8的脂肪族烃基、C6～C30的芳香族烃基、C3～C18的芳香族杂环基、取代的C6-C36芳基或未取代的C6-C36芳基；R2为单键、咔唑、二苯基氨基、吩噁嗪、吩噻嗪、二苯并氮杂硅啉、吡咯烷、哌啶、苯氧化物、甲氧化物、C1～C8的脂肪族烃基、C6～C30的芳香族烃基、C3～C18的芳香族杂环基、取代的C6-C36芳基或未被取代的C6-C36芳基；R3为单键、咔唑、二苯基氨基、吩噁嗪、吩噻嗪、二苯并氮杂硅啉、吡咯烷、哌啶、苯氧化物、甲氧化物、C1～C8的脂肪族烃基、C6～C30的芳香族烃基、C3～C18的芳香族杂环基、取代的C6-C36芳基或未被取代的C6-C36芳基；R4为单键、咔唑、二苯基氨基、吩噁嗪、吩噻嗪、二苯并氮杂硅啉、吡咯烷、哌啶、苯氧化物、甲氧化物、C1～C8的脂肪族烃基、C6～C30的芳香族烃基、C3～C18的芳香族杂环基、取代的C6-C36芳基或未被取代的C6-C36芳基；

R5为给电子基团和受电子基团的连接结构，包括以下之一或以下2～3个连接而成的基团：

单键；

苯；

二苯并呋喃；

二苯并噻吩；

碳硼烷；

R6为以下之一或组合：

氰基；

吡唑；

咪唑；

三唑；

吡啶；

嘧啶；

三嗪；

氮杂-咔唑；

氮杂-二苯并呋喃；

氮杂-二苯并噻吩基团；

C1-C18的直链烷基；

C1-C18支链取代的亚烷基；

C2-C8的亚烯基；

C2-C8的亚炔基；

单键；

R7为以下之一或组合：

氰基；

吡唑；

咪唑；

三唑；

吡啶；

嘧啶；

三嗪；

氮杂-咔唑；

氮杂-二苯并呋喃；

氮杂-二苯并噻吩基团；

C1-C18的直链烷基；

C1-C18支链取代的亚烷基；

C2-C8的亚烯基；

C2-C8的亚炔基；

单键；

R8为以下之一或组合：

氰基；

吡唑；

咪唑；

三唑；

吡啶；

嘧啶；

三嗪；

氮杂-咔唑；

氮杂-二苯并呋喃；

氮杂-二苯并噻吩基团；

C1-C18的直链烷基；

C1-C18支链取代的亚烷基；

C2-C8的亚烯基；

C2-C8的亚炔基；

单键；

R10为以下之一或组合：

取代或未被取代C2-C40-链烯基；

取代或未被取代的C2-C40-炔基；

取代或未取代的C6-C60-芳基；

取代或未取代的C3-C57-杂芳基；

取代或未经取代的C1-C9-亚烷基；

取代或未取代的C2-C8-亚烯基；

取代或未取代的C2-C8-亚炔基；

亚芳基；

单键；

R11为以下之一或组合：

取代或未被取代C2-C40-链烯基；

取代或未被取代的C2-C40-炔基；

取代或未取代的C6-C60-芳基；

取代或未取代的C3-C57-杂芳基；

取代或未经取代的C1-C9-亚烷基；

取代或未取代的C2-C8-亚烯基；

取代或未取代的C2-C8-亚炔基；

亚芳基；

单键；

R12为以下之一或组合：

取代或未被取代C2-C40-链烯基；

取代或未被取代的C2-C40-炔基；

取代或未取代的C6-C60-芳基；

取代或未取代的C3-C57-杂芳基；

取代或未经取代的C1-C9-亚烷基；

取代或未取代的C2-C8-亚烯基；

取代或未取代的C2-C8-亚炔基；

亚芳基；

单键；

R13为以下之一或组合：

取代或未被取代C2-C40-链烯基；

取代或未被取代的C2-C40-炔基；

取代或未取代的C6-C60-芳基；

取代或未取代的C3-C57-杂芳基；

取代或未经取代的C1-C9-亚烷基；

取代或未取代的C2-C8-亚烯基；

取代或未取代的C2-C8-亚炔基；

亚芳基；

单键。

在一种可能的实施方式中，第二发光部52中，主体部Host为以下之一：

表征测试：

采用分子动力学模拟以及DFT模拟可以得到TADF化合物HOMO、LUMO单元之间的分布如下表1所示，模拟结果及实验器件性能如下表2所示：

表1：

其中，较大的黑色区域表示电子云的分布区域；

表2

其中，Abs表示吸收光谱的峰值位置，PL表示光致发光波长的峰值位置，S1表示单线态激发能级，T1表示三线态激发能级，△Est表示S1与T1的差值；

在具体实施时，第一发光部51，第二发光部52，以及第三发光部53可以均包含主体材料和客体材料，其中，第一发光部51，第三发光部53包括的主体材料可以与第二发光部52包括的主体材料不同，第一发光部51，第三发光部53包括的客体材料可以与第二发光部52包括的客体材料不同。

在具体实施时，结合图1所示，显示面板可以为正置结构，例如，第一电极21可以为阳极，第二电极22可以为阴极；第一电极21与发光层5之间还设置有空穴注入层31，空穴注入层31与发光层5之间还设置有空穴传输层32，空穴传输层32与发光层5之间还设置有电子阻挡层33；第二电极22与发光层5之间还设置有电子注入层41，电子注入层41与发光层5之间还设置有电子传输层42，电子传输层42与发光层5之间还设置有空穴阻挡层43。具体的，在具体实施时，显示面板可以为倒置结构，例如，第一电极21也可以为阴极，第二电极22也可以为阳极，第一电极21与发光层5之间还设置有电子注入层41，电子注入层41与发光层5之间还设置有电子传输层42，电子传输层42与发光层5之间还设置有空穴阻挡层43；第二电极22与发光层5之间还设置有空穴注入层31，空穴注入层31与发光层5之间还设置有空穴传输层32，空穴传输层32与发光层5之间还设置有电子阻挡层33。

在一种可能的实施方式中，结合图1所示，第二发光部52仅包括第一膜层520，第二发光部52的主体部和客体部均位于第一膜层520。

在一种可能的实施方式中，参见图2所示，第二发光部52包括第二膜层521以及位于第二膜层521背离第一电极21一侧的第三膜层522，其中，第二发光部52主体部Host和客体部Dopant均位于第三膜层522；第三膜层522出射绿光，第二膜层521出射蓝光，且第二膜层521出射的蓝光被第三膜层522吸收，并激发第三膜层522出射绿光。本发明实施例中，第二发光部52包括第二膜层521以及位于第二膜层521背离第一电极21一侧的第三膜层522，第二膜层521出射蓝光，且第二膜层521出射的蓝光被第三膜层522吸收，并激发第三膜层522出射绿光，通过用出射短波长蓝光的第二膜层521激发第三膜层522，可以增强第三膜层522的发光效率，进而提升第二发光部52的发光效率。

在具体实施时，第三膜层522的主体部的吸收光谱与第二膜层521的客体部的电致发光光谱的重叠面积大于5％。

在具体实施时，第二膜层521与第三发光部53同层同材质。本发明实施例中，第二膜层521与第三发光部53同层同材质，可以在形成第三发光部53的同时，形成第二膜层521，简化显示面板的制作工艺。

在一种可能的实施方式中，第二发光部52中，主体部的三线态激发态能级T1与客体部的三线态激发态能级T1的差值大于0.2eV，即，T1(TADF)-T1(Dopant)≥0.2eV。

在具体实施时，结合图1或图2所示，第一电极21为阳极，第二电极22为阴极；第一电极21与发光层5之间还设置有空穴注入层31(HIL)，空穴注入层31与发光层5之间还设置有空穴传输层32(HTL)，空穴传输层32与发光层5之间还设置有电子阻挡层33(EBL)；第二电极22与发光层5之间还设置有电子注入层41(EIL)，电子注入层41与发光层5之间还设置有电子传输层42(EBL)，电子传输层42与发光层5之间还设置有空穴阻挡层43(HBL)；第二发光部52中主体部的三线态激发能级小于电子阻挡层33(EBL)的三线态激发能级，即，T1(EBL)＞T1(TADF)；第二发光部52中主体部的三线态激发能级小于空穴阻挡部43(HBL)的三线态激发能级，即，T1(HBL)＞T1(TADF)；第二发光部52中主体部的HOMO能级与电子阻挡层33(EBL)的HOMO能级的差值绝对值不大于0.3eV，即，∣HOMO

为了更清楚地理解本发明实施例提供的显示面板，以下进行具体举例说明如下：

具体的，显示面板的结构包括：衬底基板(具体可以为玻璃衬底)上的氧化铟锡ITO层作为第一电极21(阳极)，空穴注入层31(HIL)(5nm～30nm)，空穴传输层32(HTL)(100nm～2000nm)，电子阻挡层33(EBL)(5nm～100nm)，发光层5(EML)(20nm～100nm)，空穴阻挡层43(HBL)(5nm～100nm)，电子传输层42(ETL)(20nm～100nm)，电子注入层41(EIL)(1nm～10nm)，第二电极22(阴极)；器件结构具体表示为：ITO/HIL/HTL/EBL/Host：Dopant/HBL/ETL/EIL/阴极；具体的，HIL的材料可以为：MoO3、F4-TCNQ或HAT-CN：HTL的材料可以为：NPB、m-MTDATA、TPD或TAPC；EBL可以为：TCTA；发光层5(EML)中，出射红光的发光部(也即第一发光部51)、出射绿光的发光部(也即第二发光部52)、出射蓝光的发光部(也即第三发光部53)的主体材料Host可以选自：mCBP，CBP，mCP，TCTA，DMQA，TPA之一，客体材料Dopant的掺杂比例可以为：0.1wt％～100wt％，具体的，可以为0.1wt％～10wt％)；HBL的材料可以为：CBP、Bphen或TPBI；ETL的材料可以为：TmPyPB或B4PyPPM；EIL的材料可以为：LiF、Yb或LiQ；阴极的材料可以为：Mg或Ag；

具体的，分别制备以下器件结构：

实施例一：

ITO/HIL(5nm)/HTL(40nm)/EBL(5nm)/BH：BD(8wt％，15nm)/化合物B27：GD(5wt％，20nm)/RH：RD(5wt％，15nm)/HBL(5nm)/ETL(40nm)/EIL(1nm)/阴极(100nm)；其中，BH：BD(8wt％)表示出射蓝光的发光部，即第三发光部53中，客体材料BD占总出射蓝光发光部材料的掺杂比例，化合物B27表示上方列举的与标号B27对应的TBDF材料，其中，客体材料占总出射绿光发光部材料的掺杂比例为5wt％，RH：RD(5wt％)表示出射红光的发光部中，即，第一发光部51中，客体材料RD总出射红光发光部材料的掺杂比例为5wt％；

具体的，HTL的材料可以为：

ETL的材料可以为：

电子阻挡层(EB)的材料可以为：

出射蓝光的发光部中的主体材料(BH)可以为：

出射蓝光的发光部中的客体材料(BD)可以为：

出射绿光的发光部中的客体材料(GD)可以为：

出射红光的发光部中的客体材料(RD)可以为：

电子注入层的材料(EIL)可以为：

对比例1：

除了将发光层中的化合物B27替换成mCBP外，其余与实施例1器件制备过程相同；

对比例2：

除了将实施例1中图1所示发光层的结构替换成图2，其余与实施例1器件制备过程相同；

实施例2：

除了将实施例1中BD的掺杂比例改为10wt％，其余与实施例1器件制备过程相同；

实施例3：

除了将实施例1中GD的掺杂比例改为8wt％，其余与实施例1器件制备相同；

各实施例的性能对比参见下表3，以及图3、图4和图5所示：

其中，Von表示开启电压，CE表示电流效率，PE表示发光效率，EQE表示外量子效率，CIE表示色坐标，LT

本发明实施例还提供一种显示装置，包括如本发明实施例提供的显示面板。

本发明实施例有益效果如下：本发明实施例中，第二发光部52的主体部的材料为热活化延迟荧光材料，TADF的激子从激发三重态向激发单重态的反向系间窜越产生的单重态激子，跃迁至基态单重态时放射荧光，会大幅度提高显示面板的发光效率，且主体部Host的单线态激发能级S1与三线态激发态能级T1的差值不大于0.3eV，主体部Host含有给电子基团Donor，以及受电子基团Accept，且给电子基团Donor与受电子基团Accept满足上述结构式，可以提升第二发光部52的发光效率，使显示面板具有较高的发光效率。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。