胞间杂散场仿真方法、装置、设备及介质

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种磁隧道结的胞间杂散场仿真方法、装置、设备及介质。

背景技术

磁性随机存储器(Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM)，即一种非易失性的磁性随机存储器，具有读写速度较高、集成度较高且重复读写次数较多等特点，在目前的计算机等设备中得到了较为广泛的应用。

MRAM依靠磁隧道结(Magnetic Tunnel Junction，MTJ)存储单元进行信息(“0”或者“1”)的读写与存储，因此磁隧道结存储单元成为了MRAM的研究方向。然而，现阶段缺少针对磁隧道结存储单元的研究方案。

因此，如何对磁隧道结存储单元进行准确研究成为了亟待解决的问题。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开提供一种磁隧道结的胞间杂散场仿真方法、装置、设备及介质，至少在一定程度上克服相关技术中无法对磁隧道结存储单元进行准确研究的问题。

本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。

根据本公开的一个方面，提供了一种磁隧道结的胞间杂散场仿真方法，包括：获取预先建立的磁隧道结阵列的阵列等效模型的模型参数，其中，阵列等效模型包括至少一个中心磁隧道结以及多个周边磁隧道结，多个周边磁隧道结围绕中心磁隧道结设置；将模型参数输入预先建立的胞间杂散场仿真模型，胞间杂散场仿真模型基于模型参数确定多个周边磁隧道结在中心磁隧道结所处位置产生的磁场，以及基于磁场对中心磁隧道结的胞间杂散场进行仿真，得到中心磁隧道结的胞间杂散场的仿真数据。

在一个实施例中，阵列等效模型中的多个周边磁隧道结呈多边形排布，中心磁隧道结位于多边形的中心位置，多个周边磁隧道结位于多边形的各顶点。

在一个实施例中，阵列等效模型中的多个周边磁隧道结呈六边形排布，中心磁隧道结位于六边形的中心位置，多个周边磁隧道结分别位于六边形的各顶点。

在一个实施例中，获取预先建立的磁隧道结阵列的阵列等效模型的模型参数，包括：基于胞间杂散场影响因子，获取模型参数；其中，胞间杂散场影响因子包括以下至少一种：中心磁隧道结以及各周边磁隧道结的结构参数、各周边磁隧道结的状态参数。

在一个实施例中，结构参数包括：中心磁隧道结以及各周边磁隧道结的形状参数和尺寸参数，以及各周边磁隧道结与中心磁隧道结之间的距离参数中的至少一者；状态参数包括：各周边磁隧道结的磁矩方向，和/或，多个周边磁隧道结对应的数据模式。

在一个实施例中，将模型参数输入预先建立的胞间杂散场仿真模型，胞间杂散场仿真模型基于多个周边磁隧道结在中心磁隧道结所处位置产生的磁场，对中心磁隧道结的胞间杂散场进行仿真，得到中心磁隧道结的胞间杂散场的仿真数据，包括：将胞间杂散场影响因子关联的模型参数输入胞间杂散场仿真模型，得到中心磁隧道结的胞间杂散场的关联数据随胞间杂散场影响因子的变化关系；其中，变化关系至少包括以下一种：胞间杂散场与磁矩方向向上的周边磁隧道结个数之间的关系、胞间杂散场与周边磁隧道结的数据模式之间的关系、中心磁隧道结的临界翻转电流与距离参数之间的关系。

在一个实施例中，方法还包括：动态调整至少一个胞间杂散场影响因子，获取中心磁隧道结的胞间杂散场的至少一个对应变化关系；根据至少一个对应变化关系，确定胞间杂散场最小时，所对应的磁隧道结的至少一个胞间杂散场影响因子的因素值。

在一个实施例中，胞间杂散场仿真模型包括第一仿真模型和第二仿真模型，将模型参数输入第一仿真模型，确定多个周边磁隧道结的铁磁层在中心磁隧道结的自由层的叠加磁场强度参数，将叠加磁场强度参数输入第二仿真模型，确定中心磁隧道结的胞间杂散场的仿真数据。

在一个实施例中，第一仿真模型包括等效电流仿真子模型和磁场强度仿真子模型，等效电流仿真子模型利用等效环形电流在中心磁隧道结的自由层所产生的磁矩，对各周边磁隧道结的铁磁层在中心磁隧道结的自由层所产生磁矩进行等效；磁场强度仿真子模型基于各周边磁隧道结对应的等效环形电流在中心磁隧道结的自由层内任意空间点产生的叠加磁场强度，对中心磁隧道结的自由层内任意空间点的胞间杂散场进行等效。

在一个实施例中，将模型参数输入第一仿真模型，得到叠加磁场强度参数，包括：将模型参数中的尺寸参数输入等效电流仿真子模型，得到多个周边磁隧道结各自对应的等效环形电流的电流仿真参数；将多个周边磁隧道结各自对应的等效环形电流的电流仿真参数输入磁场强度仿真子模型，得到叠加磁场强度参数。

在一个实施例中，尺寸参数包括多个周边磁隧道结各自的铁磁层的厚度参数，将模型参数中的尺寸参数输入等效电流仿真子模型，得到多个周边磁隧道结各自对应的等效环形电流的电流仿真参数，包括：获取各周边磁隧道结的铁磁层的饱和磁化强度参数；基于厚度参数和饱和磁化强度参数，得到各周边磁隧道结对应的等效环形电流的电流仿真参数。

在一个实施例中，将多个周边磁隧道结各自对应的等效环形电流的电流仿真参数输入磁场强度仿真子模型，得到叠加磁场强度参数，包括：对于每一周边磁隧道结对应的等效环形电流的电流仿真参数，执行如下步骤：将该周边磁隧道结对应的等效环形电流划分为多个电流微元；基于该周边磁隧道结对应的等效环形电流的电流仿真参数，确定每一电流微元的电流仿真参数分量；基于电流仿真参数分量、每一电流微元与中心磁隧道结的自由层内任意空间位置点之间的距离，确定每一电流微元在任意空间位置点所产生的磁场强度分量；基于多个电流微元对应的磁场强度分量之和，确定该周边磁隧道结对应的等效环形电流在任意空间位置点产生的磁场强度值；重复上述步骤，得到多个周边磁隧道结各自对应的磁场强度值，计算多个磁场强度值之和，确定中心磁隧道结的自由层内任意空间位置点的叠加磁场强度值。在一个实施例中，每个周边磁隧道结的铁磁层包括多个铁磁子层；等效环形电流包括多个铁磁子层各自的等效环形电流分量，沿铁磁子层的周向方向，每一等效环形电流分量环绕于铁磁子层的外表面，沿高度方向，每一等效环绕电流分量位于铁磁子层的中部。

在一个实施例中，第二仿真模型包括以下至少一种：变化关系仿真子模型、磁场分布特征仿真子模型、临界翻转电流仿真子模型、平均翻转时间仿真子模型、翻转电流仿真子模型、热稳定性系数仿真子模型。

根据本公开的另一个方面，提供一种磁隧道结的胞间杂散场仿真装置，装置包括：参数获取模块，用于获取预先建立的磁隧道结阵列的阵列等效模型的模型参数，阵列等效模型包括至少一个中心磁隧道结以及多个周边磁隧道结，多个周边磁隧道结围绕中心磁隧道结设置；模型参数包括以下至少一种：中心磁隧道结以及各周边磁隧道结的结构参数、各周边磁隧道结的状态参数；仿真模块，用于将模型参数输入预先建立的胞间杂散场仿真模型，胞间杂散场仿真模型基于模型参数确定多个周边磁隧道结在中心磁隧道结所处位置产生的磁场，以及基于磁场对中心磁隧道结的胞间杂散场进行仿真，得到中心磁隧道结的胞间杂散场的仿真数据。

根据本公开的又一个方面，提供一种电子设备，包括：处理器；以及存储器，用于存储所述处理器的可执行指令；其中，所述处理器配置为经由执行所述可执行指令来执行上述的磁隧道结的胞间杂散场仿真方法。

根据本公开的再一个方面，提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述的磁隧道结的胞间杂散场仿真方法。

根据本公开的再一个方面，提供一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述的磁隧道结的胞间杂散场仿真方法。

本公开实施例所提供的磁隧道结的胞间杂散场仿真方法、装置、设备及介质，由于实际中的磁隧道结的胞间杂散场会受到周边磁隧道结的磁场影响，相应地，包含多个周边磁隧道结围绕中心磁隧道结模型设置的阵列等效模型能够准确表征实际中的磁隧道结阵列的阵列特性。由于胞间杂散场仿真模型基于模型参数确定多个周边磁隧道结在中心磁隧道结所处位置产生的磁场，以及基于磁场对中心磁隧道结的胞间杂散场仿真得到的胞间杂散场的仿真数据能够准确表征实际中的磁隧道结的胞间杂散场会受到周边磁隧道结的磁场影响，进而利用本公开实施例提供阵列等效模型、胞间杂散场仿真模型能够对磁隧道结的实际胞间杂散场进行准确仿真，从而可以对磁隧道结进行准确研究。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了本公开实施例提供的一种MRAM的扫描电镜(SEM)图像；

图2示出了本公开实施例提供的一种MTJ阵列的SEM图像的局部图；

图3示出了一种MTJ阵列的局部放大图；

图4示出了单个磁隧道结的结构示意图；

图5示出了本公开实施例提供的一种示例性的磁隧道结阵列的阵列等效模型的结构示意图；

图6示出了一种示例性的理想磁隧道结等效模型的结构示意图；

图7示出了本公开实施例提供的一种示例性的圆台状磁隧道结等效模型的三维示意图；

图8示出了本公开实施例提供的一种示例性的圆台状磁隧道结等效模型的二维示意图；

图9示出了公开实施例提供的一种磁隧道结等效模型的结构示意图；

图10示出了本公开实施例提供的一种胞间杂散场仿真模型的结构示意图；

图11示出了本公开实施例提供的一种示例性的环形电流的示意图；

图12示出了本公开实施例提供的一种示例性的空间位置点的磁场强度值的仿真示意图；

图13示出了本公开实施例提供的一种示例性的胞间杂散场随自由层磁矩向上单元个数的变化关系示意图；

图14示出了本公开实施例提供的一种示例性的胞间杂散场随数据模式的变化关系示意图；

图15示出了本公开实施例提供的一种示例性的胞间杂散场随距离参数的变化关系示意图；

图16示出本公开实施例中一种磁隧道结的胞间杂散场仿真方法流程图；

图17示出了本公开实施例提供的另一种磁隧道结的胞间杂散场仿真方法的流程示意图；

图18示出本公开实施例中一种磁隧道结的胞间杂散场仿真装置示意图；

图19示出本公开实施例中一种电子设备的结构框图；和

图20示出本公开实施例中一种计算机可读存储介质示意图。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。

此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。附图中所示的一些方框图是功能实体，不一定必须与物理或逻辑上独立的实体相对应。可以采用软件形式来实现这些功能实体，或在一个或多个硬件模块或集成电路中实现这些功能实体，或在不同网络和/或处理器装置和/或微控制器装置中实现这些功能实体。

应当理解，本公开的方法实施方式中记载的各个步骤可以按照不同的顺序执行，和/或并行执行。此外，方法实施方式可以包括附加的步骤和/或省略执行示出的步骤。本公开的范围在此方面不受限制。

需要注意，本公开中提及的“第一”、“第二”等概念仅用于对不同的装置、模块或单元进行区分，并非用于限定这些装置、模块或单元所执行的功能的顺序或者相互依存关系。

需要注意，本公开中提及的“一个”、“多个”的修饰是示意性而非限制性的，本领域技术人员应当理解，除非在上下文另有明确指出，否则应该理解为“一个或多个”。

随着半导体技术的发展，磁性随机存储器(Magnetoresistive Random AccessMemory，MRAM)成为了非易失性存储器的发展方向之一。

示例性地，自旋转移力矩磁随机读取存储器(Spin-Torque-TransferMagnetoresistive Random Access Memory，STT-MRAM)因有着掉电后数据不易丢失、无限的写次数、与CMOS工艺兼容、不会增加器件面积以及良好的可缩放性等优点而得到了广泛的研究。

由于STT-MRAM依靠磁隧道结(Magnetic Tunnel Junction，MTJ)存储数据，磁隧道结成为了研究方向之一。因此，如何对磁隧道结进行准确研究成为了亟待解决的技术问题。

为了便于理解本公开实施例，接下来将结合图1-图4对本公开实施例涉及的MRAM等进行说明。其中，图1示出了本公开实施例提供的一种MRAM的扫描电镜(SEM)图像。图2示出了本公开实施例提供的一种MTJ阵列的SEM图像的局部图。图3示出了一种MTJ阵列的局部放大图。图4示出了单个磁隧道结的结构示意图。其中，图2是图1中的局部区域A1的局部放大图，图3是图2中的局部区域A11的局部放大图，图4是图3中的单个磁隧道结11的结构示意图。

请一并参见图1-图4，MRAM可以包括MTJ阵列10。MTJ阵列10上分布有阵列式分布的多个磁隧道结11。以及，如图4所示，磁隧道结11可以包括：自由层(Free Layer，FL)111、阻挡层(Tunnel Barrier，TB)112、参考层(Reference Layer，RL)113以及硬层(HL)114。

其中，自由层111可以改变磁矩方向以记录不同的数据。参考层113的磁矩方向不变。阻挡层112位于自由层111与参考层113之间，用于间隔开自由层111及参考层113。硬层114用于固定参考层113的磁矩方向。

示例性地，可以使用合成反铁磁材料来形成参考层113和硬层114。比如，参考层113可以包括钴铁硼(CoFeB)、钴铁合金材料(CoFe)等。又比如，硬层114可以包括[Co/Pt]x等，对此不作具体限制。

需要说明的，根据实际情况和具体场景，磁隧道结11可以包括：自由层(FreeLayer，FL)111、阻挡层(Tunnel Barrier，TB)112、参考层(Reference Layer，RL)113。又或者，还可以根据需求包括其他层结构，对此不作具体限制。

发明人通过研究发现，随着诸如存储密度等的提升，磁隧道结的杂散场成为了影响器件读写的一个重要因素。具体地，磁隧道结的杂散场可以包括如图3所示的胞间杂散场Hs_inter以及如图4所示的胞内杂散场Hs_intra。

以及，发明人还发现，对于单个磁隧道结的胞间杂散场可能会对磁隧道结存储单元的热稳定、临界翻转电流、翻转时间等各项性能存在着影响。

因此，需要一种能够通过磁隧道结的胞间杂散场对磁隧道结存储单元进行准确研究的技术方案。

基于此，本公开实施例提供了一种磁隧道结存储单元仿真方案，可以应用于磁隧道结的胞间杂散场的仿真场景中，比如可以应用于STT-MTJ存储单元的胞间杂散场的仿真场景中。通过本公开实施例，利用阵列等效模型、胞间杂散场仿真模型能够对磁隧道结的实际胞间杂散场进行准确仿真，从而可以对磁隧道结进行准确研究。

接下来将对本公开实施例提供的技术方案进行具体说明。

为了便于整体理解，在开始介绍本公开实施例提供的磁隧道结存储单元仿真方法之前，先对本公开实施例涉及的技术术语进行说明。

(1)磁化状态(P)，即低阻态，对应于数据“0”。此时，磁隧道结的自由层和参考层的磁化方向相同。示例性地，继续参见图4，若参考层113的磁矩方向固定向上，则磁化状态下，自由层111的磁矩方向也保持向上。

(2)反向磁化状态(AP)，即高阻态，对应于数据“1”。此时磁隧道结的自由层与参考层的磁化方向相反。示例性地，继续参见图4，若参考层113的磁矩方向固定向上，则反向磁化状态下，自由层111的磁化方向保持向下。

以及，需要说明的是，通过控制自由层的磁矩方向旋转180°，即控制自由层磁矩向上和向下的切换，可以实现磁化状态与反磁化状态之间的状态切换。

(3)临界翻转电流，其可以是指磁隧道结存储单元进行状态翻转的所需电流的临界值。

(4)翻转时间，是指在电流大于临界翻转电流的情况下，磁隧道结存储单元进行状态翻转时电流脉冲宽度所需超过的平均时间。

(5)热稳定性系数，其用于评价磁隧道结存储单元受温度影响的稳定性。

在介绍了本公开实施例涉及的技术术语之后，接下来对本公开实施例涉及的磁隧道结阵列的阵列等效模型进行说明。

对于阵列等效模型，其可以包括至少一个中心磁隧道结以及多个周边磁隧道结。其中，多个周边磁隧道结围绕中心磁隧道结设置。

对于中心隧道结，其可以是需要被仿真的磁隧道结存储单元的仿真单元。

对于周边磁隧道结，其可以是位于该中心隧道结附近的、对中心隧道结的胞间杂散场产生影响的磁隧道结存储单元的仿真单元。

在排布方式上，在一些实施例中，阵列等效模型中的多个周边磁隧道结可以呈多边形排布，中心磁隧道结位于多边形的中心位置，多个周边磁隧道结位于多边形的各顶点。

在一个示例中，图5示出了本公开实施例提供的一种示例性的磁隧道结阵列的阵列等效模型的结构示意图。如图5所示，阵列等效模型中的多个周边磁隧道结52呈六边形排布。其中，中心磁隧道结51位于六边形的中心位置，多个周边磁隧道结52分别位于六边形的顶点，即6个周边磁隧道结52分别位于六边形的6个顶点。

在本示例中，由于发明人通过研究观察发现，在当前工业实际生产中的磁性随机存储器的存储阵列呈六边形阵列。相应地，本公开实施例提供的呈六边形排布的阵列等效模型能够准确表征实际存储阵列的阵列特征，从而在提高了阵列等效模型的仿真精度的基础上能够基于阵列等效模型的特征对中心磁隧道结的胞间杂散场进行研究研究，提高了仿真精度。

需要说明的是，多个周边磁隧道结52还可以呈四边形、八边形等排布，对此不作具体限制。

以及，还需要说明的是，多个周边磁隧道结还可以位于多边形的边上，对此不作具体限制。示例性地，若8个周边隧道结呈四边形排布，其中4个周边磁隧道结可以位于四边形的顶点，剩余4个周边磁隧道结可以位于四边形各条边的中点。

在另一些实施例中，多个周边隧道结除了呈多边形排列之外，还可以呈圆形、异形排列，其可以根据工业实际生产中存储阵列的排列方式分析或者观察得到，对此不作具体限制。

在本实施例中，由于工艺实际生产中的存储阵列中的隧道结往往按照多边形规则排布，从而本实施例提供的呈多边形排布的阵列等效模型能够准确表征实际存储阵列的阵列特征，从而在提高了阵列等效模型的仿真精度的基础上能够基于阵列等效模型的特征对中心磁隧道结的胞间杂散场进行研究研究，提高了仿真精度。

在介绍了排布方式之后，接下来对诸如中心磁隧道结、周边磁隧道结等磁隧道结等效模型的结构进行说明。

图6示出了一种示例性的理想磁隧道结等效模型的结构示意图。如图6所示，理想磁隧道结等效模型的自由层610、阻挡层620、参考层631和硬层632。示例性地，合成反磁铁层(Synthetic antiferromagnet，SAF)630可以包括参考层631和硬层632。

如图6所示，理想的磁隧道结等效模型可以为圆柱状等效模型，理想的磁隧道结等效模型中各组成层的单元直径相同，其主要结构参数可以包括各层厚度。

以及，发明人通过采用扫描电镜(SEM)和/或透射电镜(TEM)等对实际制备得到的磁隧道结存储单元进行观察发现，磁隧道结存储单元往往不是理想的圆柱状结构。而是，因实际刻蚀工艺等原因导致磁隧道结存储单元形成具有刻蚀侧壁角的圆台状结构。

基于此，图7示出了本公开实施例提供的一种示例性的圆台状磁隧道结等效模型的三维示意图。图7示出的x方向、y方向以及z方向彼此相互垂直，其中，x方向和y方向形成一个水平基准面，各磁隧道结存储单元各结构的横截面平行于该水平基准面。z方向用于指示磁隧道结存储单元的高度方向，z方向垂直于上述水平基准面。

如图7所示，本公开实施例提供了一种示例性的圆台状磁隧道结等效模型，该圆台状磁隧道结等效模型用于对具有刻蚀侧壁角的磁隧道结存储单元进行仿真。如图7所示，圆台状的磁隧道结等效模型可以包括圆台状的自由层710、圆台状的阻挡层720、圆台状的参考层731和圆台状的硬层732。其中，针对任意相邻结构层，上方结构层的底面可以与下方结构层的上表面重合。示例性地，合成反磁铁层(Synthetic antiferromagnet，SAF)730可以包括参考层731和硬层732。

需要说明的是，磁隧道结等效模型可以包括待仿真磁隧道结存储单元的各结构层的仿真层。比如，若待仿真磁隧道存储单元包括自由层、阻挡层和参考层，则磁隧道结等效模型可以包括自由层、阻挡层和参考层。以及，若待仿真磁隧道存储单元还包括其他层结构，则磁隧道结等效模型可以包括该其他层结构，对此不作具体限制。

以及，图8示出了本公开实施例提供的一种示例性的圆台状磁隧道结等效模型的二维示意图。在垂直于x方向的平面上，磁隧道结等效模型的切面形成如图8所示的梯形结构。

在一些实施例中，磁隧道结等效模型的尺寸参数可以包括以下参数a1至a3的至少一种。

参数a1，磁隧道结等效模型的各结构层的厚度参数。示例性地，图9示出了公开实施例提供的一种磁隧道结等效模型的结构示意图。如图9所示，各结构层的厚度参数可以包括：自由层710的厚度参数t

参数a2，磁隧道结等效模型的直径。在一个示例中，可以将圆台结构的诸如底面等任一基准横截面的直径作为磁隧道结等效模型的直径。比如，如图7中的直径eCD。在另一个示例中，可以将圆台结构的多个基准横截面的直径作为磁隧道结等效模型的直径，对此不作具体限制。

参数a3，磁隧道结等效模型在至少一个方向上的刻蚀侧壁的倾斜角参数。示例性地，图9示出了本公开实施例提供的另一种示例性的圆台状磁隧道结等效模型的二维示意图。如图9所示，倾斜角参数可以包括如图9所示的第一倾斜角θ1、第二倾斜角θ2。需要说明的是，还可以根据实际情况和具体仿真需求选择其他方向上的倾斜角参数，对此不作具体限制。

需要说明的是，尺寸参数还可以是其他能够反映圆台状等效模型整体或者各结构层的具体结构特征的参数，对此不作具体限制。

在结合图5-图9初步介绍了本公开实施例涉及的阵列等效模型之后，接下来对本公开实施例涉及的胞间杂散场仿真模型进行说明。

对于胞间杂散场仿真模型，发明人通过研究发现，对于单个的中心磁隧道结，其胞间杂散场会受到周边磁隧道结的磁场的影响。相应地，胞间杂散场仿真模块可以基于多个周边磁隧道结在中心磁隧道结所处位置产生的磁场，对中心磁隧道结的胞间杂散场进行仿真。

在本公开的一些实施例中，胞间杂散场仿真模型可以基于周边磁隧道结在中心磁隧道结的自由层处的叠加磁场进行胞间杂散场的仿真。

相应地，图10示出了本公开实施例提供的一种胞间杂散场仿真模型的结构示意图。如图10所示，胞间杂散场仿真模型1000可以包括第一仿真模型1010和第二仿真模型1020。

其中，第一仿真模型1010用于确定多个周边磁隧道结的铁磁层在中心磁隧道结的自由层的叠加磁场强度参数。

其中，周边磁隧道结的铁磁层可以是能够对其他磁隧道结的胞间杂散场产生影响的结构层。示例性地，周边磁隧道结的铁磁层可以包括上述自由层710、参考层731和硬层732中的至少一个结构层。需要说明的是，根据磁隧道结存储单元的实际结构和胞间杂散场的具体研究场景，周边磁隧道结的铁磁层还可以包括其他结构层，对此不作具体限制。

在一些实施例中，第一仿真模型910可以基于阵列等效模型500的模型参数，得到个周边磁隧道结的铁磁层的磁矩在自由层形成的叠加磁场强度参数。

在一个实施例中，继续参见图10，第一仿真模型1010可以包括等效电流仿真子模型1011和磁场强度仿真子模型1012。

其中，等效电流仿真子模型1011利用等效环形电流在中心磁隧道结的自由层所产生的磁矩，对各周边磁隧道结的铁磁层在中心磁隧道结的自由层所产生磁矩进行等效。

为了便于理解，在开始介绍等效电流仿真子模型1011之前，先对涉及的等效环形电流进行介绍。

在周向方向上，等效环形电流可以环绕于与其对应的铁磁层的外表面。图11示出了本公开实施例提供的一种示例性的环形电流的示意图。如图11所示，在本公开实施例中，环形电流Ib可以沿周向环绕于铁磁层的外表面。可选地，在环绕电流Ib的电流沿着如图11所示的逆时针方向流经时，铁磁层的磁矩方向向上。以及，在环绕电流Ib的电流沿着顺时针方向流经时，铁磁层的磁矩方向向下。

在一个示例中，在每个周边磁隧道结的铁磁层包括多个铁磁子层的情况下，等效环形电流可以包括多个铁磁子层各自的等效环形电流分量。其中，沿周向方向，每一等效环形电流环绕于与其对应的铁磁子层的外表面，沿高度方向，每一等效环绕电流位于与其对应的铁磁子层的中部。

比如，继续参见图7，在铁磁子层包括自由层710、参考层731和硬层732的情况下，等效环形电流可以包括自由层710的等效环形电流分量Ib1、参考层631的等效环形电流分量Ib2、以及硬层632的等效环形电流分量Ib3。

其中，在磁隧道结处于磁化状态时，自由层710的电流沿逆时针方向，自由层的磁矩方向向上。以及，在磁隧道结处于反向磁化状态时，自由层710的电流沿顺时针方向，自由层的磁矩方向向下。

需要说明的是，为了进一步提高计算精度，可以再将每一铁磁子层进一步划分为多个铁磁体薄层，然后再确定每一铁磁体薄层的环形电流。其中，各铁磁体薄层的环形电流的方式与上述结构的环形电流的等效方式相同，可以参见上述部分的相关说明，在此不再赘述。

又或者，为了提高计算效率，可以将多个铁磁子层作为一个整体，然后确定整体的铁磁子层的环形电流。

通过本实施例，可以确定多个铁磁子层各自的等效环形电流分量的方式，从而可以基于各铁磁子层的等效环形电流产生的磁矩与该铁磁层所产生的磁矩的等效，分别计算每一周边磁隧道结的各铁磁子层在中心磁隧道结产生的磁矩，以及根据多个铁磁子层的磁矩准确计算该周边磁隧道结在中心磁隧道结产生的磁矩，从而提高了仿真精度。

在介绍了环形电流之后，接下来继续对等效电流仿真子模型1011进行说明。

在一个示例中，铁磁层产生的磁矩m

m

在上述公式(1)中，M

以及，环形电流产生的磁矩m

在上述公式(2)中，Ib表示环形电流，

相应地，在本示例中，通过对铁磁层产生的磁矩m

Ib＝M

相应地，等效电流仿真子模型1011可以表示为上述公式(3)，相应地，磁隧道结等效模型600的结构参数可以包括铁磁层的厚度参数t，将铁磁层的厚度参数t输入等效电流仿真子模型1011之后，等效电流仿真子模型1011可以基于上述公式(3)计算得到等效环形电流的电流仿真参数Ib。

在另一些示例中，等效电流仿真子模型1011还可以实现为其他能够计算得到等效环形电流的电流仿真参数Ib的模式，对此不作限制。

在又一些示例中，等效电流仿真子模型1011可以是基于训练得到的神经网络模型。

需要说明的是，本公开实施例提供的等效电流仿真子模型1011还可以实现为其他能够根据阵列等效模型500的模型参数，确定等效环形电流的电流仿真参数Ib的其他模型，对此不作具体限制。

在介绍了等效电流仿真子模型1011之后，接下来继续对磁场强度仿真子模型1012进行说明。

磁场强度仿真子模型1012，可以基于各周边磁隧道结对应的等效环形电流在中心磁隧道结的自由层内任意空间点产生的叠加磁场强度，对中心磁隧道结的自由层内任意空间点的胞间杂散场进行等效。

在一个示例中，图12示出了本公开实施例提供的一种示例性的空间位置点的磁场强度值的仿真示意图。

如图12所示，环形电流Ib可以分为多个电流微元dl

在上述公式(4)中，μ

相应地，磁场强度仿真子模型1012可以通过上述公式(4)计算各电流微元在同一空间位置点产生的磁场强度分量，然后将多个电流微元的磁场强度分量之和，确定为一个周边磁隧道结的等效环形电流在该空间位置点产生的磁场强度值。以及基于多个周边磁隧道结对应的磁场强度值的和值，即可得到多个周边磁隧道结在中心磁隧道结的该空间位置点的叠加磁场强度值。同理地，磁场强度仿真子模型1012可以基于相同方式计算得到环形电流在自由层各空间位置点的磁场强度值，对此不作赘述。

需要说明的是，磁场强度仿真子模型1012还可以采用其他能够根据环形电流计算磁场强度参数的模型或者仿真工具，或者可以是根据样本数据训练得到的神经网络模型等，对此不作具体限制。

在本实施例中，由于等效电流仿真子模型1011可以通过基于各周边磁隧道结的铁磁层所产生的磁矩与环形电流产生的磁矩之间的等效，能够简化对环形电流的电流仿真参数的计算，进而通过等效电流仿真子模型1011和磁场强度仿真子模型1012能够快速仿真出胞内杂散场的磁场强度参数，从而降低了磁隧道结存储单元的胞内杂散场的仿真耗时，提高了仿真效率。

在初步说明了第一仿真模型1010之后，接下来继续对第二仿真模型1020进行说明。

对于第二仿真模型1020，可以基于上述叠加磁场强度参数，确定中心磁隧道结的胞间杂散场的仿真数据。

在一些实施例中，继续参见图10，第二仿真模型1020可以包括如下仿真子模型的至少一种。

变化关系仿真子模型1021。相应地，继续参见图10，仿真数据可以包括中心磁隧道结的胞间杂散场的关联数据随胞间杂散场影响因子的变化关系Re。

对于胞间杂散场的关联数据，其可以是指胞间杂散场的磁场强度直接相关或者间接相关的数据，比如可以是胞间杂散场的杂散场强度、临界翻转电流等数据。

对于胞间杂散场影响因子，其可以是需要进行分析其对胞内杂散场的影响程度的因子。在一些实施例中，胞间杂散场影响因子包括以下至少一种：中心磁隧道结以及各周边磁隧道结的结构参数、各周边磁隧道结的状态参数。

在一个实施例中，对于结构参数，其可以是能够从整体或局部上表征单个中心磁隧道结、单个周边磁隧道结或者由中心磁隧道结合周边磁隧道结组成的磁隧道结的形状特征、尺寸特征等的参数。

在一个示例中，结构参数可以包括如下结构参数的至少一种。

中心磁隧道结的形状参数、中心磁隧道结的尺寸参数、周边磁隧道结的形状参数、周边磁隧道结的尺寸参数，以及周边磁隧道结与中心磁隧道结之间的距离参数。

其中，结构参数可以包括磁隧道结的各结构层的厚度参数、磁隧道结的各结构层的直径、磁隧道结的各结构层的体积、磁隧道结在至少一个方向上的刻蚀侧壁的倾斜角参数等形状参数中的一个或多个，对此不作具体限制。

在一个示例中，状态参数包括：各周边磁隧道结的磁矩方向，和/或，多个周边磁隧道结对应的数据模式。

其中，对于各周边磁隧道结的磁矩方向，可以是指各周边磁隧道结的自由层的磁矩方向。示例性地，各周边磁隧道结的磁矩方向可以包括向上或向下。

其中，对于多个周边磁隧道结对应的数据模式，可以是指多个周边磁隧道结的存储状态所表征的存储数据。示例性地，对于各周边磁隧道结，其存储状态为磁化状态时对应数据“0”，反向磁化状态时对应数据“1”。以6个周边磁隧道结为例，6个周边磁隧道结可以对应于26，即共64种不同的存储状态组合，64种存储状态组合可以对应于存储数据0-63，即数据模式0-63。示例性地，若6个周边磁隧道结均对应于数据“0”时，对应于数据模式“0”；若6个周边磁隧道结均对应于数据“1”时，对应于数据模式“1”。

对于变化关系，在一个实施例中，该变化关系能够从数据、图像等方面反映胞间杂散场的关联数据随胞间杂散场影响因子之间的变化。示例性地，变化关系可以为变化曲线、变化函数、图像点等，对此不作具体限制。

在一个示例中，图13示出了本公开实施例提供的一种示例性的胞间杂散场随自由层磁矩向上单元个数的变化关系示意图。其中，自由层磁矩向上单元个数可以是指多个周边磁隧道结中自由层磁矩向上的周边磁隧道结的数量。其中，图13可以是对直径为35nm(纳米)、中心磁隧道结与周边磁隧道结的距离为72nm的六边形阵列生成的曲线。

相应地，变化关系仿真子模型1021可以仿真得到如图13所示的一条或多条曲线。其中，图13中的多条曲线分别表示在不同倾斜角度下的胞间杂散场随自由层磁矩向上单元个数的变化关系。

通过图13可以对刻蚀侧壁角、自由层磁矩向上单元个数对胞间杂散场的影响进行研究。示例性地，通过图13可知，随着刻蚀侧壁角的减小，杂散场呈减小趋势。

在另一个示例中，图14示出了本公开实施例提供的一种示例性的胞间杂散场随数据模式的变化关系示意图。其中，图14中的黑色填充方块对应于理想磁隧道结的六边形阵列；图案填充方块对应于损伤磁隧道结(具有刻蚀侧壁角)的六边形阵列。其中，图14可以是对直径为35nm、中心磁隧道结与周边磁隧道结的距离为72nm、刻蚀侧壁角为60°的六边形阵列生成的曲线。

相应地，变化关系仿真子模型1021可以仿真得到如图14所示的、表示胞间杂散场随数据模式的变化关系的图像散点。

通过图14可以对数据模式、磁隧道结的损伤程度对胞间杂散场的影响进行研究。示例性地，由图14可知，相较于理想的磁隧道结阵列，损伤的磁隧道结阵列对胞间杂散场影响更小。

在再一个示例中，图15示出了本公开实施例提供的一种示例性的胞间杂散场随距离参数的变化关系示意图。其中，距离参数用于表示中心磁隧道结与周边磁隧道结之间的距离。示例性地，距离参数可以为图5示出的距离Pi。其中，图15可以是对直径为35nm的六边形阵列生成的曲线。

相应地，变化关系仿真子模型1021可以仿真得到如图15所示的、表示翻转电流随距离参数Pi的变化曲线L151至L154。其中，图15中的第一曲线L151表示在数据模式为0时、由磁化状态切换至反磁化状态的翻转电流随距离参数P1的变化曲线。第二曲线L152表示在数据模式为63时、由磁化状态切换至反磁化状态的翻转电流随距离参数P1的变化曲线。第三曲线L153表示在数据模式为0时、由反磁化状态切换至磁化状态的翻转电流随距离参数P1的变化曲线。第四曲线L154表示在数据模式为63时、由反磁化状态切换至磁化状态的翻转电流随距离参数P1的变化曲线。

通过图15可以对中心磁隧道结与周边磁隧道结之间的距离对胞间杂散场的影响进行研究。由图15可知，随着距离的减小，对Ic的影响变大。特别是间距小于直径的两倍(约为70nm)后影响急剧增大。

在介绍完变化关系仿真子模型1021之后，接下来继续对磁场分布特征仿真子模型1022进行说明。

磁场分布特征仿真子模型1022。相应地，继续参见图10，仿真数据可以包括胞内杂散场磁场强度参数随自由层径向距离的变化关系的仿真数据L1。

对于变化关系，在一个实施例中，该变化关系能够从数据、图像等方面反映胞内杂散场磁场强度参数随自由层径向距离之间的变化。示例性地，变化关系可以为变化曲线、变化函数、图像点等，对此不作具体限制。

在一个示例中，可以将自由层内各空间位置点的磁场强度值输入磁场分布特征仿真子模型1022，可以得到胞间杂散场在自由层径向距离上各位置点的磁场强度分布曲线。

对于磁场分布特征仿真子模型1022的具体形式，其可以实现为关系生成模型、关系生成工具等，对此不作具体限制。

在介绍了磁场分布特征仿真子模型1022之后，接下来继续对临界翻转电流仿真子模型1023进行说明。

临界翻转电流仿真子模型1023，其用于对磁隧道结的临界翻转电流进行仿真。相应地，继续参见图10，仿真数据包括磁隧道结等效模型的临界翻转电流的电流仿真数据Ic。

在一个实施例中，临界翻转电流的电流仿真数据Ic可以如下述公式(5)所示：

在上述公式(5)中，η表示STT效率，α表示阻尼系数，e表示基本电荷量，

在本实施例中，临界翻转电流仿真子模型1023可以获取自由层体积V、磁各向异性场H

需要说明的是，临界翻转电流仿真子模型1023还可以采用其他能够计算临界翻转电流的电流仿真数据Ic的模型或者仿真工具，或者可以是根据样本数据训练得到的神经网络模型等，对此不作具体限制。

在介绍T临界翻转电流仿真子模型1023之后，接下来继续对平均翻转时间仿真子模型1024进行说明。

平均翻转时间仿真子模型1024，用于对磁隧道结的平均仿真时间进行仿真。相应地，如图10所示，仿真数据包括磁隧道结等效模型的平均翻转时间的时间仿真数据t

在一个实施例中，平均翻转时间的时间仿真数据t

在上述公式(6)中，c表示欧拉常数，Δ表示磁隧道结等效模型的热稳定性系数，μ

在本实施例中，平均翻转时间仿真子模型1024可以根据上述公式(6)可以计算得到平均翻转时间的时间仿真数据t

需要说明的是，平均翻转时间仿真子模型1024还可以采用其他能够计算平均翻转时间的时间仿真数据t

在介绍了平均翻转时间仿真子模型1024之后，接下来继续对翻转电流仿真子模型1025，进行说明。

翻转电流仿真子模型1025，其用于对磁隧道结存储单元的翻转电流进行仿真。相应地，继续参见图10，仿真数据包括磁隧道结等效模型的翻转电流的电流仿真数据Im。

在一个实施例中，翻转电流仿真子模型1025可以先仿真得到施加在中心磁隧道结上的实际电流大小，然后根据实际电流与临界翻转电流的差值，确定翻转电流的电流仿真数据Im。

在一个示例中，翻转电流的电流仿真数据Im满足下述公式(7)：

/>

在上述公式(7)中，V

在本示例中，可以在通过临界翻转电流仿真子模型1023或者其他方式获取临界翻转电流的电流仿真数据Ic之后，翻转电流仿真子模型1025可以基于临界翻转电流的电流仿真数据Ic计算得到翻转电流的电流仿真数据Im。

需要说明的是，翻转电流仿真子模型1025还可以采用其他能够计算翻转电流的电流仿真数据Im的模型或者仿真工具，或者可以是根据样本数据训练得到的神经网络模型等，对此不作具体限制。

在介绍了翻转电流仿真子模型1025之后，接下来继续对热稳定性系数仿真子模型1026进行说明。

热稳定性系数仿真子模型1026，其用于对磁隧道结存储单元的热稳定性系数进行仿真。相应地，继续参见图10，仿真数据包括磁隧道结等效模型的热稳定性系数的仿真数据Δ。

在一些实施例中，热稳定性系数的仿真数据

在上述公式(8)中，对于符号“±”，在磁隧道结处于磁化状态(P)时使用“+”，在磁隧道结处于反向磁化状态(AP)时使用“-”。

以及，Δ

在上述公式(9)中，K

在本实施例中，热稳定性系数仿真子模型1026可以基于自由层体积V、总的杂散场H

需要说明的是，热稳定性系数仿真子模型1026还可以采用其他能够计算热稳定性系数的仿真数据

需要说明的是，在需要研究磁隧道结的胞间杂散场对其他参数的影响时，第二仿真模块还可以根据实际仿真场景和具体仿真需求设置用于计算其他参数的仿真子模型，对此不作具体限制。

通过第二仿真模型1020中的上述仿真子模型能够灵活实现对胞间杂散场的各项参数的研究，提高了胞间杂散场仿真的灵活性、全面性及精确度。以及，相关仿真人员还可以根据个性化需求灵活配置第二仿真模型1020，提高了仿真的便捷性和个性化。

需要说明的是，在本公开实施例中胞间杂散场仿真模型1000还可以采用除第一仿真模型1010和第二仿真模型1020之外的其他仿真模型或者仿真工具，或者可以是根据样本数据训练得到的神经网络模型等，对此不作具体限制。

在本公开实施例中，通过第一仿真模型1010和第二仿真模型1020，可以基于各周边磁隧道结的铁磁层的磁矩在中心磁隧道结的自由层形成的磁场强度参数与待仿真磁隧道结存储单元的胞内杂散场的等效，根据第一仿真模型1010准确计算出周边磁隧道结的铁磁层的磁矩在中心磁隧道结的自由层形成的磁场强度参数之后，利用周边磁隧道结的铁磁层的磁矩在中心磁隧道结的自由层形成的磁场强度参数对中心磁隧道结的胞间杂散场进行准确仿真，提高了仿真的准确性。

介绍了胞间杂散场仿真模型1000之后，下面结合附图及实施例对本示例实施方式进行详细说明。

本公开实施例中提供了一种磁隧道结的胞间杂散场仿真方法，该方法可以由任意具备仿真能力的电子设备执行。

图16示出本公开实施例中一种磁隧道结的胞间杂散场仿真方法流程图，如图16所示，本公开实施例中提供的磁隧道结的胞间杂散场仿真方法包括如下步骤S1610和S1620。

S1610，获取预先建立的磁隧道结阵列的阵列等效模型的模型参数。

为了便于理解S1610，接下来先对S1610涉及的技术术语进行说明。

其中，阵列等效模型的具体内容可以参见本公开实施例上述部分描述，在此不再赘述。

对于模型参数，其可以是指胞间杂散场仿真模型需要使用的，能够表征磁隧道结阵列整体或局部的尺寸特征、形状特征等结构特征的参数。

在一个示例中，模型参数可以包括周边磁隧道结的各铁磁层的厚度参数、中心磁隧道结和/或周边磁隧道结的直径、中心磁隧道结和/或周边磁隧道结在至少一个方向上的刻蚀侧壁的倾斜角参数等形状参数中的一个或多个，对此不作具体限制。

在另一个示例中，模型参数还可以包括周边磁隧道结的各铁磁层的厚度参数t，以便于等效电流仿真子模型1011计算环形电流的电流仿真参数Ib。

在又一个示例中，模型参数还可以包括中心磁隧道结的自由层的体积V，以便于临界翻转电流仿真子模型1023计算临界翻转电流的电流仿真数据Ic。

在再一个示例中，模型参数还可以包括各周边磁隧道结的磁矩方向，和/或，多个周边磁隧道结对应的数据模式等状态参数。

在再一个示例中，模型参数还可以包括周边磁隧道结与中心磁隧道结之间的距离参数。其中，该距离参数可以用于计算电流微元在中心磁隧道结的自由层的任意空间位置点产生的磁场强度值。

需要说明的是，模型参数还可以是其他能够描述磁隧道结的结构特征的参数，对此不作具体限制。

在介绍了阵列等效模型、模型参数之后，接下来对S1610的具体实施方式进行说明。

在一些实施例中，S1610可以包括：在预先建立了阵列等效模型的情况下，可以通过系统、设备或者参数抽取工具抽取胞间杂散场仿真模型在后续仿真过程中需要使用到的模型参数。

需要说明的是，还可以通过其他方式获取磁隧道结等效模型的结构参数，对此不作具体限制。

S1620，将模型参数输入预先建立的胞间杂散场仿真模型，胞间杂散场仿真模型基于模型参数确定多个周边磁隧道结在中心磁隧道结所处位置产生的磁场，以及基于磁场对中心磁隧道结的胞间杂散场进行仿真，得到中心磁隧道结的胞间杂散场的仿真数据。

在步骤S1620中，可以将模型参数输入胞间杂散场仿真模型，输出中心磁隧道结的胞间杂散场的仿真数据。

对于胞间杂散场的仿真数据，其可以为与中心磁隧道结的胞间杂散场相关的数据。示例性地，胞间杂散场的仿真数据可以包括对受到中心磁隧道结的胞间杂散场影响的数据或者表征胞内杂散场分布特征、强度特征等仿真得到的数据。

示例性地，胞间杂散场的仿真数据可以包括中心磁隧道结的胞间杂散场的关联数据随胞间杂散场影响因子的变化关系Re、胞间杂散场磁场强度参数随自由层径向距离的变化关系的仿真数据L1、临界翻转电流的电流仿真数据Ic、平均翻转时间的时间仿真数据t

需要说明的是，胞间杂散场的仿真数据还可以包括其他需要研究的、其与胞间杂散场的关联性的数据，对此不作具体限制。

对于胞间杂散场仿真模型，其用于对中心磁隧道结的胞间杂散场进行仿真。胞间杂散场仿真模型的具体内容可以参见本公开实施例上述部分的相关描述，对此不再赘述。

在介绍了S1620涉及的胞内杂散场的仿真数据、胞内杂散场仿真模型之后，接下来对S1620的具体实施方式进行说明。

在一些实施例中，S1620可以包括下述步骤A1和步骤A2。

步骤A1，将模型参数输入第一仿真模型，确定多个周边磁隧道结的铁磁层在中心磁隧道结的自由层的叠加磁场强度参数。其中，步骤A1可以参见本公开实施例上述部分对第一仿真模型1010的相关描述，对此不再赘述。

在一个实施例中，步骤A1可以包括下述步骤A11和步骤A12。

步骤A11，将模型参数中的尺寸参数输入等效电流仿真子模型，得到多个周边磁隧道结各自对应的等效环形电流的电流仿真参数。示例性地，在步骤A11中等效电流仿真子模型1011可以基于上述公式(3)，计算得到环形电流的电流仿真参数Ib。

其中，等效电流仿真子模型1011可以参见本公开实施例上述部分的相关描述，对此不再赘述。

在一个示例中，步骤A11可以包括下述步骤A111和步骤A112。

步骤A111，获取各周边磁隧道结的铁磁层的饱和磁化强度参数。

在一个具体的示例中，步骤A111可以包括：可以通过阵列等效模型500获取周边磁隧道结的铁磁层的厚度参数。比如，可以获取周边磁隧道结的自由层710的厚度参数t

在一个具体的示例中，步骤A111可以包括：通过预先获取的磁化曲线，得到铁磁层的饱和磁化强度参数M

需要说明的，还可以通过其他方式获取铁磁层的饱和磁化强度参数M

步骤A112，基于厚度参数和饱和磁化强度参数，得到各周边磁隧道结对应的等效环形电流的电流仿真参数。

在一个具体的示例中，在获取厚度参数t和饱和磁化强度参数M

通过上述步骤A111和步骤A112，由于基于铁磁层所产生的磁矩与环形电流产生的磁矩之间的等效对电流仿真参数Ib的计算进行了简化，从而基于厚度参数t和饱和磁化强度参数M

需要说明的是，在步骤A11中，等效电流仿真子模型1011还可以通过其他公式模型、神经网络模型等方式，计算环形电流的电流仿真参数Ib，对此不作具体限制。

在介绍了步骤A1l之后，接下来继续对步骤A12进行说明。

步骤A12，将多个周边磁隧道结各自对应的等效环形电流的电流仿真参数输入磁场强度仿真子模型，得到叠加磁场强度参数。示例性地，在步骤A12中，磁场强度仿真子模型1012可以基于上述公式(4)，计算得到叠加磁场强度参数。

在一个实施例中，步骤A12可以包括下述步骤A121至步骤A125。

步骤A121，对于每一周边磁隧道结对应的等效环形电流的电流仿真参数，将该周边磁隧道结对应的等效环形电流划分为多个电流微元。比如，继续参见图12，可以将等效环形电流Ib划分为多个电流微元dl

步骤A122，对于每一周边磁隧道结对应的等效环形电流的电流仿真参数，基于该周边磁隧道结对应的等效环形电流的电流仿真参数，确定每一电流微元的电流仿真参数分量。

示例性地，可以根据所确定的电流仿真参数Ib，确定每一电流微元的电流仿真参数分量dl

步骤A123，对于每一周边磁隧道结对应的等效环形电流的电流仿真参数，基于电流仿真参数分量、每一电流微元与中心磁隧道结的自由层内任意空间位置点之间的距离，确定每一电流微元在任意空间位置点所产生的磁场强度分量。

在一个具体的示例中，可以基于上述公式(4)确定每一电流微元在空间位置点P所产生的磁场强度分量。

需要说明的是，在步骤A122中，还可以通过其他能够计算电流微元在位置点产生的磁场强度的公式模型、神经网络模型等来进行计算，对此不作具体限制。

步骤A124，对于每一周边磁隧道结对应的等效环形电流的电流仿真参数，基于多个电流微元对应的磁场强度分量之和，确定该周边磁隧道结单元对应的等效环形电流在任意空间位置点产生的磁场强度值。

示例性地，若将等效环形电流Ib划分为n个电流微元dl

示例性地，在每一周边磁隧道结包括多个铁磁子层的情况下，可以根据上述步骤A121至A124，确定每一铁磁子层的等效环形电流在空间位置点P产生的磁场强度值，以及将多个铁磁子层的等效环形电流在空间位置点P产生的磁场强度值的和值，作为该周边磁隧道结在空间位置点P产生的磁场强度值。

其中，对于各铁磁子层的等效环形电流在空间位置点P产生的磁场强度值，其可以在该铁磁子层的磁矩方向向上时取正值，以及在该铁磁层的磁矩方向向下时取负值。

通过上述步骤，可以通过对多个铁磁子层分别计算磁场强度量的方式，可以进一步提高磁场强度参数的计算精度，进而提高了仿真精度。

可选地，为了进一步提高磁场强度的计算精度，可以将每一杂散场影响子层进一步划分为多个层级结构，再确定每一层级结构的等效环形电流来进行每一层级结构的磁场强度量的计算。其具体计算方式与上述步骤A13和步骤A14相同或类似，可以参见上述步骤A13和步骤A14的相关描述，对此不再赘述。

步骤A125，重复上述步骤A121至步骤A124，得到多个周边磁隧道结各自对应的磁场强度值，计算多个磁场强度值之和，确定中心磁隧道结的自由层内任意空间位置点P的叠加磁场强度值。

通过上述步骤A121至步骤A125，可以通过将等效环形电流划分为多个电流微元的方式，可以实现对环形电流在自由层任意空间位置点产生的磁场强度值的精细计算，提高了磁场强度值的计算精度，进而提高了仿真精度。

需要说明的是，在步骤A12中，磁场强度仿真子模型1012还可以通过其他公式模型、神经网络模型等方式，计算等效环形电流在自由层的任意空间位置点产生的磁场强度值，对此不作具体限制。

在本实施例中，由于等效电流仿真子模型1011可以通过基于周边磁隧道结的铁磁层所产生的磁矩与环形电流产生的磁矩之间的等效，从而通过步骤A11和步骤A12，能够简化对等效环形电流的电流仿真参数的计算，进而能够快速仿真出胞间杂散场的磁场强度参数，从而降低了磁隧道结的胞间杂散场的仿真耗时，提高了仿真效率。

以及，还需要说明的是，在步骤A1中，第一仿真模型1010还可以通过其他公式模型、神经网络模型等方式，计算胞内杂散场的磁场强度参数，对此不作具体限制。

在介绍了步骤A1之后，接下来对步骤A2进行说明。

步骤A2，将叠加磁场强度参数输入第二仿真模型，确定中心磁隧道结的胞间杂散场的仿真数据。其中，步骤A2可以参见本公开实施例上述部分对第二仿真模型1020的相关描述，对此不再赘述。

在一个示例中，步骤A2可以包括下述步骤A21。

步骤A21，通过变化关系仿真子模型1021，确定中心磁隧道结的胞间杂散场的关联数据随胞间杂散场影响因子的变化关系Re。其具体内容可以参见本公开实施例上述部分对通过变化关系仿真子模型1021的相关说明，对此不再赘述。

在另一个示例中，在步骤A12包括上述步骤A121至步骤A125的情况下，步骤A2可以包括下述步骤A22。

步骤A22，通过磁场分布特征仿真子模型1022，基于自由层内各空间位置点的磁场强度值，确定胞间杂散场在自由层径向距离上各位置点的磁场强度分布曲线。

通过上述步骤A22，可以通过磁场强度分布曲线直观看到磁隧道结径向杂散场分布走势，从而便于对胞间杂散场进行分析。

在又一个示例中，步骤A2可以包括下述步骤A23。

步骤A23，通过临界翻转电流仿真子模型1023，确定中心磁隧道结的临界翻转电流的电流仿真数据Ic。其具体内容可以参见本公开实施例上述部分对临界翻转电流仿真子模型1023的相关说明，对此不再赘述。

在再一个示例中，步骤A2可以包括下述步骤A24。

步骤A23，通过平均翻转时间仿真子模型1024，确定中心磁隧道结的平均翻转时间的时间仿真数据t

在再一个示例中，步骤A2可以包括下述步骤A25。

步骤A25，通过翻转电流仿真子模型1025，确定中心磁隧道结的翻转电流的电流仿真数据Im。其具体内容可以参见本公开实施例上述部分对翻转电流仿真子模型1025的相关说明，对此不再赘述。

在又一个示例中，步骤A2可以包括下述步骤A26。

步骤A26，通过热稳定性系数仿真子模型1026，确定中心磁隧道结的热稳定性系数的仿真数据Δ。其具体内容可以参见本公开实施例上述部分对热稳定性系数仿真子模型1026的相关说明，对此不再赘述。

需要说明的是，在需要研究中心磁隧道结的胞间杂散场对其他参数的影响时，步骤A2还可以根据实际仿真场景和具体仿真需求进行其他参数的仿真，对此不作具体限制。

通过上述步骤A1和步骤A2，可以基于周边磁隧道结的铁磁层的磁矩在中心磁隧道结的自由层形成的磁场强度参数与中心磁隧道结的胞间杂散场的等效，根据第一仿真模型1010准确计算出周边磁隧道结的铁磁层的磁矩在中心磁隧道结的自由层形成的磁场强度参数之后，利用周边磁隧道结的铁磁层的磁矩在中心磁隧道结的自由层形成的磁场强度参数对中心磁隧道结的胞间杂散场进行准确仿真，提高了仿真的准确性。

需要说明的是，在S1620中，胞间杂散场仿真模型1000还可以采用除第一仿真模型1010和第二仿真模型1020之外的其他仿真模型或者仿真工具，或者可以是根据样本数据训练得到的神经网络模型等，对此不作具体限制。

本公开实施例所提供的磁隧道结的胞间杂散场仿真方法，由于实际中的磁隧道结的胞间杂散场会受到周边磁隧道结的磁场影响，相应地，包含多个周边磁隧道结围绕中心磁隧道结模型设置的阵列等效模型能够准确表征实际中的磁隧道结阵列的阵列特性。由于胞间杂散场仿真模型基于模型参数确定多个周边磁隧道结在中心磁隧道结所处位置产生的磁场，以及基于磁场对中心磁隧道结的胞间杂散场仿真得到的胞间杂散场的仿真数据能够准确表征实际中的磁隧道结的胞间杂散场会受到周边磁隧道结的磁场影响，进而利用本公开实施例提供阵列等效模型、胞间杂散场仿真模型能够对磁隧道结的实际胞间杂散场进行准确仿真，从而可以对磁隧道结进行准确研究。

以及，需要说明的是，本公开实施例的仿真方法具有研究周期较短、成本较低的优点。

在一些实施例中，在步骤S1610之前，磁隧道结的胞间杂散场仿真方法还包括下述步骤B1。

步骤B1，建立磁隧道结阵列的阵列等效模型。

在一个实施例中，步骤B1可以包括下述步骤B11和步骤B12。

步骤B11，获取磁隧道结阵列的目标阵列参数。

其中，目标阵列参数可以是能够表征磁隧道结形状、尺寸、状态等特征的参数。示例性地，目标阵列参数可以包括磁隧道结阵列的结构参数，和/或，磁隧道结阵列中磁隧道结单元的状态参数。其中，结构参数和阵列参数可以参见本公开实施例上述部分的相关描述，对此不再赘述。

在一个示例中，步骤B11包括步骤B111和步骤B112。

步骤B111，获取已完成制备的磁隧道结阵列的阵列参数的实际分布范围。其中，实际分布范围是对已完成制备的磁隧道结阵列观察得到的。

示例性地，实际分布范围可以是通过扫描电镜(SEM)和/或透射电镜(TEM)等对实际制造的磁隧道阵列观察得到的。比如，若观察得到实际制造的阵列中磁隧道结存储单元的刻蚀侧壁角处于某一取值范围内，则可以将该取值范围直接作为刻蚀侧壁角的实际分布范围。又或者，可以在该取值范围的基础上扩大或放缩后得到刻蚀侧壁角的实际分布范围，对此不作具体限制。

示例性地，刻蚀侧壁角的实际分布范围可以为大于或等于30°且小于或等于90°的取值范围。可选地，可以是大于或等于60°且小于或等于90°的范围。需要说明的是，刻蚀侧壁角的实际分布范围还可以根据实际制造工艺或者制造需求设置为其他范围，对此不作具体限制。

步骤B112，在实际分布范围内，选取待建立的磁隧道结阵列的目标阵列参数。

在一个示例中，可以随意选取待仿真磁隧道结存储单元的形状参数。

在另一个示例中，可以按照预设选择规则，选择一组或一个形状参数作为待仿真磁隧道结存储单元的形状参数，对选取方式不作具体限制。

通过上述步骤B11和步骤B12，由于实际分布范围是对已完成制备的磁隧道结阵列观察得到的，从而通过从实际分布范围选择阵列参数的方式，能够使得建模得到的阵列等效模型更加贴合实际情况，从而提高了建模的准确性。以及，可以对实际过程中的磁隧道结阵列进行准确仿真，提高了仿真精度及研究精度。

步骤B12，基于目标阵列参数，建立磁隧道结阵列的阵列等效模型，以利用阵列等效模型对中心磁隧道结单元的胞间杂散场进行仿真。

在一些实施例中，在步骤B12中，可以通过三维建模等方式构建圆台状的磁隧道结等效模型，对此不作具体限制。

以及，通过上述步骤B11和步骤B12，由于目标阵列参数可以准确包括表征磁隧道结阵列的特征，从而通过本公开实施例可以对真实磁隧道结阵列进行准确建模，符合实际情况，进而提高了建模及仿真精度。

图17示出了本公开实施例提供的另一种磁隧道结的胞间杂散场仿真方法的流程示意图。本公开实施例在上述实施例的基础上进行优化，本公开实施例可以与上述一个或者多个实施例中各个可选方案结合。

如图17所示，磁隧道结的胞间杂散场仿真方法包括下述步骤S1710和S1720。

S1710，基于胞间杂散场影响因子，获取阵列等效模型的模型参数。

其中，胞间杂散场影响因子包括以下至少一种：中心磁隧道结以及各周边磁隧道结的结构参数、各周边磁隧道结的状态参数。其中，胞间杂散场影响因子的具体内容可以参见本公开实施例上述部分的相关描述，在此不再赘述。

在一个实施例中，结构参数包括：中心磁隧道结以及各周边磁隧道结的形状参数和尺寸参数，以及各周边磁隧道结与中心磁隧道结之间的距离参数中的至少一者。

状态参数包括：各周边磁隧道结的磁矩方向，和/或，多个周边磁隧道结对应的数据模式。

通过本实施例，可以研究磁隧道结阵列的具体形状、尺寸、磁隧道结之间的距离、磁隧道结的状态等参数对中心磁隧道结的胞间杂散场的影响，提高了对中心磁隧道结的胞间杂散场的分析精度和研究深度。

对于S1710中涉及的阵列等效模型的模型参数，其可以获取与胞间杂散场影响因子关联的模型参数。示例性地，与胞间杂散场影响因子关联的模型参数，可以是对应于同一胞间杂散场影响因子的不同因素量的模型参数。

对于S1710的具体实施方式，说明如下。

在一些实施例中，可以预先构建一个基本阵列等效模型，然后将该基本阵列等效模型的胞间杂散场影响因子调整为不同因素值，每调整一次之后可以提取该次调整后的阵列等效模型的模型参数，通过N次调整可以获取N个模型参数。其中，N为大于或等于1的正整数。

示例性地，在构建基本阵列等效模型后，可以调整中心磁隧道结与周边磁隧道结之间的距离参数、中心磁隧道结或周边磁隧道结的侧壁角、中心磁隧道结或周边磁隧道结的直径等，来得到多个模型参数。

在另一些实施例中，可以预先构建多个阵列等效模型，然后提取多个阵列等效模型的模型参数。其中，每一阵列等效模型对应于同一胞间杂散场影响因子的不同因素值。比如，多个阵列等效模型的单个磁隧道结具有不同的侧壁角。

S1720，将模型参数输入预先建立的胞间杂散场仿真模型，胞间杂散场仿真模型基于多个周边磁隧道结在中心磁隧道结所处位置产生的磁场，对中心磁隧道结的胞间杂散场进行仿真，得到中心磁隧道结的胞间杂散场的仿真数据。

在一些实施例中，S1720可以包括步骤C1。

步骤C1，将胞间杂散场影响因子关联的模型参数输入胞间杂散场仿真模型，得到中心磁隧道结的胞间杂散场的关联数据随胞间杂散场影响因子的变化关系。

可选地，变化关系至少包括以下变化关系Re1至Re3中的至少一种。

变化关系Re1，胞间杂散场与磁矩方向向上的周边磁隧道结个数之间的关系。其中，变化关系Re1可以参见本公开实施例上述部分结合图13的相关说明，在此不再赘述。

变化关系Re2，胞间杂散场与周边磁隧道结的数据模式之间的关系。其中，变化关系Re2可以参见本公开实施例上述部分结合图14的相关说明，在此不再赘述。

变化关系Re3，中心磁隧道结的临界翻转电流与距离参数之间的关系。其中，变化关系Re3可以参见本公开实施例上述部分结合图15的相关说明，在此不再赘述。

通过上述步骤C1，可以对中心磁隧道结的胞间杂散场的关联数据随胞间杂散场影响因子的变化关系进行准确研究，从而提高了对胞间杂散场的影响精度和影响深度。以及，该变化关系对于最佳参数选择，对实际工业设计均具有指导意义。

其中，S1720的其他内容与S1620类似，可以参见S1620的相关内容，在此不再赘述。

本公开实施例所提供的磁隧道结的胞间杂散场仿真方法，由于实际中的磁隧道结的胞间杂散场会受到周边磁隧道结的磁场影响，相应地，包含多个周边磁隧道结围绕中心磁隧道结模型设置的阵列等效模型能够准确表征实际中的磁隧道结阵列的阵列特性。由于胞间杂散场仿真模型基于模型参数确定多个周边磁隧道结在中心磁隧道结所处位置产生的磁场，以及基于磁场对中心磁隧道结的胞间杂散场仿真得到的胞间杂散场的仿真数据能够准确表征实际中的磁隧道结的胞间杂散场会受到周边磁隧道结的磁场影响，进而利用本公开实施例提供阵列等效模型、胞间杂散场仿真模型能够对磁隧道结的实际胞间杂散场进行准确仿真，从而可以对磁隧道结进行准确研究。

以及，通过上述步骤S1710和步骤S1720可以对待分析杂散场影响因素对磁隧道结的胞间杂散场的影响进行准确分析，提高了对磁隧道结的胞间杂散场的分析精度和研究深度。

在一些实施例中，在S1720之后，磁隧道结的胞间杂散场仿真方法还可以包括：

步骤D1，动态调整至少一个胞间杂散场影响因子，获取中心磁隧道结的胞间杂散场的至少一个对应关系。

在步骤D1中，可以动态调整一个或多个胞间杂散场因子的因素值，得到对应于不同因素值的中心磁隧道结的胞间杂散场的关联数据。然后基于对应于不同因素值的仿真数据，生成中心磁隧道结的胞间杂散场的关联数据随胞间杂散场影响因子的对应变化关系。需要说明的是，还可以根据其他方式，生成对应关系，对此不作具体限制。

步骤D2，根据至少一个对应变化关系，确定胞间杂散场最小时，所对应的磁隧道结的至少一个胞间杂散场影响因子的因素值。

在一个示例中，继续参见图15，若研究发现，阵列距离参数Pi小于磁隧道结直径的两倍时，胞间杂散场将无法忽视，因此将阵列距离参数Pi选取为直径的两倍，可以兼顾存储密度的最大化和胞间杂散场的最小化，提高了存储阵列的性能。

在另一个示例中，可以在铁磁层的磁矩在自由层形成的磁场强度参数最小时，确定胞间杂散场最小。

在又一个示例中，可以在诸如临界翻转电流、热稳定性系数等仿真数据满足预设判定条件时，确定胞间杂散场最小。其中，预设判定条件可以是诸如仿真数据为最大值或者最小值等条件，对此不作具体限制。

需要说明的是，还可以根据其他方式判断胞间杂散场是否最小，对此不作具体限制。

通过本实施例，可以将胞间杂散场最小的阵列等效模型的阵列参数作为实际磁隧道结阵列的制作过程的参考依据，从而可以对实际磁隧道结阵列的胞间杂散场的优化提供依据，从而提高了磁隧道结阵列的制造良率以及性能。

基于同一发明构思，本公开实施例中还提供了一种磁隧道结的胞间杂散场仿真装置，如下面的实施例。图18示出本公开实施例中一种磁隧道结的胞间杂散场仿真装置示意图，如图18所示，该磁隧道结的胞间杂散场仿真装置1800包括参数获取模块1810和仿真模块1820。

参数获取模块1810，用于获取预先建立的磁隧道结阵列的阵列等效模型的模型参数。阵列等效模型包括至少一个中心磁隧道结以及多个周边磁隧道结，多个周边磁隧道结围绕中心磁隧道结设置。可选地，模型参数包括以下至少一种：中心磁隧道结以及各周边磁隧道结的结构参数、各周边磁隧道结的状态参数。

仿真模块1820，用于将模型参数输入预先建立的胞间杂散场仿真模型，胞间杂散场仿真模型基于模型参数确定多个周边磁隧道结在中心磁隧道结所处位置产生的磁场，以及基于磁场对中心磁隧道结的胞间杂散场进行仿真，得到中心磁隧道结的胞间杂散场的仿真数据。

本公开实施例所提供的磁隧道结的胞间杂散场仿真装置，由于实际中的磁隧道结的胞间杂散场会受到周边磁隧道结的磁场影响，相应地，包含多个周边磁隧道结围绕中心磁隧道结模型设置的阵列等效模型能够准确表征实际中的磁隧道结阵列的阵列特性。由于胞间杂散场仿真模型基于模型参数确定多个周边磁隧道结在中心磁隧道结所处位置产生的磁场，以及基于磁场对中心磁隧道结的胞间杂散场仿真得到的胞间杂散场的仿真数据能够准确表征实际中的磁隧道结的胞间杂散场会受到周边磁隧道结的磁场影响，进而利用本公开实施例提供阵列等效模型、胞间杂散场仿真模型能够对磁隧道结的实际胞间杂散场进行准确仿真，从而可以对磁隧道结进行准确研究。

在一个实施例中，阵列等效模型中的多个周边磁隧道结呈多边形排布，中心磁隧道结位于多边形的中心位置，多个周边磁隧道结位于多边形的各顶点。

在一个实施例中，阵列等效模型中的多个周边磁隧道结呈六边形排布，中心磁隧道结位于六边形的中心位置，多个周边磁隧道结分别位于六边形的各顶点。

在一个实施例中，参数获取模块1810，具体被配置为：基于胞间杂散场影响因子，获取模型参数；其中，胞间杂散场影响因子包括以下至少一种：中心磁隧道结以及各周边磁隧道结的结构参数、各周边磁隧道结的状态参数。

在一个实施例中，结构参数包括：中心磁隧道结以及各周边磁隧道结的形状参数和尺寸参数，以及各周边磁隧道结与中心磁隧道结之间的距离参数中的至少一者；状态参数包括：各周边磁隧道结的磁矩方向，和/或，多个周边磁隧道结对应的数据模式。

在一个实施例中，仿真模块1820具体被配置为：将胞间杂散场影响因子关联的模型参数输入胞间杂散场仿真模型，得到中心磁隧道结的胞间杂散场的关联数据随胞间杂散场影响因子的变化关系。其中，变化关系至少包括以下一种：胞间杂散场与磁矩方向向上的周边磁隧道结个数之间的关系、胞间杂散场与周边磁隧道结的数据模式之间的关系、中心磁隧道结的临界翻转电流与距离参数之间的关系。

在一个实施例中，胞间杂散场仿真装置1800还包括因子调整模块和因素值选取模块。其中，因子调整模块，用于动态调整至少一个胞间杂散场影响因子，获取中心磁隧道结的胞间杂散场的至少一个对应变化关系。因素值选取模块，用于根据至少一个对应变化关系，确定胞间杂散场最小时，所对应的磁隧道结的至少一个胞间杂散场影响因子的因素值。

在一个实施例中，胞间杂散场仿真模型包括第一仿真模型和第二仿真模型。仿真模块1820具体被配置为：将模型参数输入第一仿真模型，确定多个周边磁隧道结的铁磁层在中心磁隧道结的自由层的叠加磁场强度参数；将叠加磁场强度参数输入第二仿真模型，确定中心磁隧道结的胞间杂散场的仿真数据。

在一个实施例中，第一仿真模型包括等效电流仿真子模型和磁场强度仿真子模型。

等效电流仿真子模型利用等效环形电流在中心磁隧道结的自由层所产生的磁矩，对各周边磁隧道结的铁磁层在中心磁隧道结的自由层所产生磁矩进行等效。磁场强度仿真子模型基于各周边磁隧道结对应的等效环形电流在中心磁隧道结的自由层内任意空间点产生的叠加磁场强度，对中心磁隧道结的自由层内任意空间点的胞间杂散场进行等效。

在一个实施例中，仿真模块1820具体被配置为：将模型参数中的尺寸参数输入等效电流仿真子模型，得到多个周边磁隧道结各自对应的等效环形电流的电流仿真参数；将多个周边磁隧道结各自对应的等效环形电流的电流仿真参数输入磁场强度仿真子模型，得到叠加磁场强度参数。

在一个实施例中，尺寸参数包括多个周边磁隧道结各自的铁磁层的厚度参数。仿真模块1820具体被配置为：获取各周边磁隧道结的铁磁层的饱和磁化强度参数；基于厚度参数和饱和磁化强度参数，得到各周边磁隧道结对应的等效环形电流的电流仿真参数。

在一个实施例中，仿真模块1820具体被配置为：对于每一周边磁隧道结对应的等效环形电流的电流仿真参数，执行如下步骤：将该周边磁隧道结对应的等效环形电流划分为多个电流微元；基于该周边磁隧道结对应的等效环形电流的电流仿真参数，确定每一电流微元的电流仿真参数分量；基于电流仿真参数分量、每一电流微元与中心磁隧道结的自由层内任意空间位置点之间的距离，确定每一电流微元在任意空间位置点所产生的磁场强度分量；基于多个电流微元对应的磁场强度分量之和，确定该周边磁隧道结对应的等效环形电流在任意空间位置点产生的磁场强度值；重复上述步骤，得到多个周边磁隧道结各自对应的磁场强度值，计算多个磁场强度值之和，确定中心磁隧道结的自由层内任意空间位置点的叠加磁场强度值。在一个实施例中，每个周边磁隧道结的铁磁层包括多个铁磁子层；等效环形电流包括多个铁磁子层各自的等效环形电流分量，沿铁磁子层的周向方向，每一等效环形电流分量环绕于铁磁子层的外表面，沿高度方向，每一等效环绕电流分量位于铁磁子层的中部。

在一个实施例中，第二仿真模型包括以下至少一种：变化关系仿真子模型、磁场分布特征仿真子模型、临界翻转电流仿真子模型、平均翻转时间仿真子模型、翻转电流仿真子模型、热稳定性系数仿真子模型。

需要说明的是，图18所示的磁隧道结的胞间杂散场仿真装置1800可以执行图16至图17所示的方法实施例中的各个步骤，并且实现图16至图17所示的方法实施例中的各个过程和效果，在此不做赘述。

所属技术领域的技术人员能够理解，本公开的各个方面可以实现为系统、方法或程序产品。因此，本公开的各个方面可以具体实现为以下形式，即：完全的硬件实施方式、完全的软件实施方式(包括固件、微代码等)，或硬件和软件方面结合的实施方式，这里可以统称为“电路”、“模块”或“系统”。

下面参照图19来描述根据本公开的这种实施方式的电子设备1900。图19显示的电子设备1900仅仅是一个示例，不应对本公开实施例的功能和使用范围带来任何限制。

如图19所示，电子设备1900以通用计算设备的形式表现。电子设备1900的组件可以包括但不限于：上述至少一个处理单元1910、上述至少一个存储单元1920、连接不同系统组件(包括存储单元1920和处理单元1910)的总线1930。其中，存储单元存储有程序代码，程序代码可以被处理单元1910执行，使得处理单元1910执行本说明书上述“示例性方法”部分中描述的根据本公开各种示例性实施方式的步骤。存储单元1920可以包括易失性存储单元形式的可读介质，例如随机存取存储单元(RAM)19201和/或高速缓存存储单元19202，还可以进一步包括只读存储单元(ROM)19203。

存储单元1920还可以包括具有一组(至少一个)程序模块19205的程序/实用工具19204，这样的程序模块19205包括但不限于：操作系统、一个或者多个应用程序、其它程序模块以及程序数据，这些示例中的每一个或某种组合中可能包括网络环境的实现。

总线1930可以为表示几类总线结构中的一种或多种，包括存储单元总线或者存储单元控制器、外围总线、图形加速端口、处理单元或者使用多种总线结构中的任意总线结构的局域总线。

电子设备1900也可以与一个或多个外部设备1940(例如键盘、指向设备、蓝牙设备等)通信，还可与一个或者多个使得用户能与该电子设备1900交互的设备通信，和/或与使得该电子设备1900能与一个或多个其它计算设备进行通信的任何设备(例如路由器、调制解调器等等)通信。这种通信可以通过输入/输出(I/O)接口1950进行。并且，电子设备1900还可以通过网络适配器1960与一个或者多个网络(例如局域网(LAN)，广域网(WAN)和/或公共网络，例如因特网)通信。

如图19所示，网络适配器1960通过总线1930与电子设备1900的其它模块通信。

应当明白，尽管图中未示出，可以结合电子设备1900使用其它硬件和/或软件模块，包括但不限于：微代码、设备驱动器、冗余处理单元、外部磁盘驱动阵列、RAID系统、磁带驱动器以及数据备份存储系统等。

通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员易于理解，这里描述的示例实施方式可以通过软件实现，也可以通过软件结合必要的硬件的方式来实现。因此，根据本公开实施方式的技术方案可以以软件产品的形式体现出来，该软件产品可以存储在一个非易失性存储介质(可以是CD-ROM，U盘，移动硬盘等)中或网络上，包括若干指令以使得一台计算设备(可以是个人计算机、服务器、终端装置、或者网络设备等)执行根据本公开实施方式的方法。

在本公开的示例性实施例中，还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质可以是可读信号介质或者可读存储介质。图20示出本公开实施例中一种计算机可读存储介质示意图，如图20所示，该计算机可读存储介质2000上存储有能够实现本公开上述方法的程序产品。

在一些可能的实施方式中，本公开的各个方面还可以实现为一种程序产品的形式，其包括程序代码，当程序产品在终端设备上运行时，程序代码用于使终端设备执行本说明书上述“示例性方法”部分中描述的根据本公开各种示例性实施方式的步骤。

本公开中的计算机可读存储介质的更具体的例子可以包括但不限于：具有一个或多个导线的电连接、便携式计算机磁盘、硬盘、随机访问存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦式可编程只读存储器(EPROM或闪存)、光纤、便携式紧凑磁盘只读存储器(CD-ROM)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。

在本公开中，计算机可读存储介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号，其中承载了可读程序代码。这种传播的数据信号可以采用多种形式，包括但不限于电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。

可读信号介质还可以是可读存储介质以外的任何可读介质，该可读介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。

在一些示例中，计算机可读存储介质上包含的程序代码可以用任何适当的介质传输，包括但不限于无线、有线、光缆、RF等等，或者上述的任意合适的组合。

在具体实施时，可以以一种或多种程序设计语言的任意组合来编写用于执行本公开操作的程序代码，程序设计语言包括面向对象的程序设计语言—诸如Java、C++等，还包括常规的过程式程序设计语言—诸如“C”语言或类似的程序设计语言。程序代码可以完全地在用户计算设备上执行、部分地在用户设备上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算设备上部分在远程计算设备上执行、或者完全在远程计算设备或服务器上执行。

在涉及远程计算设备的情形中，远程计算设备可以通过任意种类的网络，包括局域网(LAN)或广域网(WAN)，连接到用户计算设备，或者，可以连接到外部计算设备(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。

本公开实施例提供了一种计算机程序产品或计算机程序，该计算机程序产品或计算机程序包括计算机指令，该计算机指令存储在计算机可读存储介质中。计算机设备的处理器从计算机可读存储介质读取该计算机指令，处理器执行该计算机指令，使得该计算机设备执行本公开任一实施例中的各种可选方式中提供的磁隧道结的胞间杂散场仿真方法。

应当注意，尽管在上文详细描述中提及了用于动作执行的设备的若干模块或者单元，但是这种划分并非强制性的。实际上，根据本公开的实施方式，上文描述的两个或更多模块或者单元的特征和功能可以在一个模块或者单元中具体化。反之，上文描述的一个模块或者单元的特征和功能可以进一步划分为由多个模块或者单元来具体化。

此外，尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。

通过以上实施方式的描述，本领域的技术人员易于理解，这里描述的示例实施方式可以通过软件实现，也可以通过软件结合必要的硬件的方式来实现。

因此，根据本公开实施方式的技术方案可以以软件产品的形式体现出来，该软件产品可以存储在一个非易失性存储介质(可以是CD-ROM，U盘，移动硬盘等)中或网络上，包括若干指令以使得一台计算设备(可以是个人计算机、服务器、移动终端、或者网络设备等)执行根据本公开实施方式的方法。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。

本公开旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。