发光显示装置

技术领域

本公开涉及一种发光显示装置，更具体而言，涉及一种在驱动部之上也配置发光元件的发光显示装置。

背景技术

显示装置可以包括显示画面的显示区域和不显示画面的周边区域。在显示区域中，可以在行方向以及列方向上配置多个像素。在各像素中可以配置晶体管、电容器等之类各种元件和可以向这些元件供应信号的各种布线。为了驱动这种像素，在周边区域中可以配置传输电信号的各种驱动部(扫描驱动部、数据驱动部、时间控制器等)以及布线。

减少这种周边区域的大小并扩大显示区域的需求不断增加，但是存在的问题是，在实现高分辨率以及高速驱动的过程中，驱动部所占的面积增加，从而难以减少周边区域的大小。

发明内容

实施例的目的在于，提供一种扩展显示区域的显示装置。实施例的目的在于，在扩展显示区域的显示装置中用户无法识别到显示区域之间的边界部。

根据一实施例的发光显示装置包括：第一显示区域，配置有包括第一驱动电路部以及第一发光元件的第一像素，所述第一驱动电路部包括第一升压电容器以及第一驱动晶体管；第二显示区域，配置有包括第二驱动电路部以及第二发光元件的第二像素，所述第二驱动电路部包括第二升压电容器以及第二驱动晶体管；以及第三显示区域，位于所述第一显示区域和所述第二显示区域的边界部，并包括第三像素，所述第三像素包括第三驱动电路部以及第三发光元件，所述第三驱动电路部包括第三升压电容器以及第三驱动晶体管，所述第一升压电容器、所述第二升压电容器以及所述第三升压电容器具有彼此不同大小的电容值。

可以是，所述第三升压电容器具有大于所述第一升压电容器的电容值或者所述第二升压电容器的电容值的电容值。

可以是，所述第三显示区域中除了所述第三像素之外追加地还形成有所述第一像素。

可以是，所述第三像素的所述第三升压电容器的电容值大于所述第一像素的所述第一升压电容器的电容值。

可以是，所述第二像素的所述第二驱动晶体管的大小大于所述第一驱动晶体管以及所述第三驱动晶体管的大小，所述第一驱动晶体管以及所述第三驱动晶体管的大小相同。

可以是，所述第三显示区域中除了所述第三像素之外追加地还形成有所述第二像素。

可以是，所述第三像素的所述第三升压电容器的电容值大于所述第二像素的所述第二升压电容器的电容值。

可以是，所述第二像素的所述第二驱动晶体管的大小大于所述第一驱动晶体管的大小，所述第二像素的所述第二驱动晶体管的大小与所述第三驱动晶体管的大小相同。

可以是，所述第一像素、所述第二像素以及所述第三像素分别还包括传输数据电压的第二晶体管以及连接驱动晶体管的栅极电极和第二电极的第三晶体管，升压电容器形成在所述第三晶体管的栅极电极和第二电极之间，从而所述升压电容器还与所述驱动晶体管的所述栅极电极连接。

可以是，所述第一驱动晶体管、所述第二驱动晶体管、所述第三驱动晶体管、所述第二晶体管是p型晶体管，所述第三晶体管是n型晶体管。

可以是，所述第二显示区域划分为所述第二驱动电路部和所述第二发光元件在平面上重叠的重叠区域和所述第二驱动电路部和所述第二发光元件在平面上不重叠的非重叠区域。

可以是，位于所述非重叠区域的所述第二发光元件与包括扫描驱动部的驱动部在平面上重叠。

可以是，显示相同颜色的所述第一发光元件、所述第二发光元件以及所述第三发光元件在平面上具有相同的大小。

可以是，一个所述第二驱动电路部与多个所述第二发光元件连接。

根据一实施例的发光显示装置包括：基板；多晶半导体层，在所述基板之上；第一栅极导电层，绝缘地配置于所述多晶半导体层之上，并包括驱动晶体管的栅极电极以及第一扫描线；第二栅极导电层，绝缘地配置于所述第一栅极导电层之上，并包括保持电容器用第一保持电极；氧化物半导体层，绝缘地配置于所述第二栅极导电层之上；第三栅极导电层，绝缘地配置于所述氧化物半导体层之上，并包括第二扫描线；第一数据导电层，绝缘地配置于所述第二栅极导电层之上，并包括连接所述氧化物半导体层和所述驱动晶体管的所述栅极电极的第一连接部件；第二数据导电层，绝缘地配置于所述第一数据导电层之上，并包括数据线以及驱动电压线，所述第一连接部件具有沿着所述第二扫描线延伸的凸出部。

可以是，在所述第一连接部件以及所述凸出部与所述第二扫描线在平面上重叠的部分中形成有升压电容器。

可以是，所述第一保持电极具有开口，所述第一连接部件通过所述开口与所述驱动晶体管的所述栅极电极连接。

可以是，所述第一保持电极通过与所述驱动晶体管的所述栅极电极重叠来形成保持电容器。

可以是，所述发光显示装置还包括：阳极，位于所述第二数据导电层之上，所述阳极与包括生成扫描信号给所述第一扫描线或者所述第二扫描线的扫描驱动部的驱动部在平面上重叠。

可以是，相邻的所述第一连接部件未形成有所述凸出部。

根据实施例，可以通过将发光元件配置于驱动部的上方来扩展显示区域。

根据实施例，通过在显示面板中的正常显示区域和向驱动部上方扩展的显示区域之间形成具有相对大值的升压电容器的驱动电路部，可以使得在显示区域之间的边界部中不发生或少发生亮度差异，由此，用户无法识别到边界部，从而提高显示质量。

附图说明

图1是根据一实施例的显示装置的示意性平面图。

图2是根据一实施例的显示装置的示意性截面图。

图3是示出位于非显示区域的构成要件的显示面板的平面图。

图4是沿着图3的A-A'截取的示意性截面图。

图5是示意性地示出根据一实施例的驱动电路部和发光元件之间的连接的平面图。

图6是放大示出图5的实施例的第二显示区域中的驱动电路部和发光元件之间的连接的平面图。

图7至图9是示意性地示出根据各种实施例的驱动电路部和发光元件之间的连接的平面图。

图10是示意性地示出根据一实施例的驱动电路部和发光元件的阳极的连接的截面图。

图11示出了包括在根据一实施例的显示面板中的彼此不同的像素的电路图。

图12是示意性地示出根据一实施例的显示面板的像素配置的图。

图13是示意性地示出根据各种实施例的显示面板的像素配置的图。

图14是拍摄比较例和根据图12的实施例的显示面板中的边界部周边的图。

图15是示意性地示出根据又另一实施例的显示面板的像素配置的图。

图16是示意性地示出根据各种实施例的显示面板的像素配置的图。

图17是根据一实施例的显示面板中的位于第一显示区域的驱动电路部的平面图。

图18是根据一实施例的显示面板中的位于中间区域的驱动电路部的平面图。

图19是沿着图18的XIX-XIX'的截面线的截面图。

图20是示出位于中间区域的驱动电路部的各种实施例的图。

图21是示出针对图20的实施例的发光亮度的曲线图。

图22是拍摄包括图20的实施例的显示面板中的边界部的黑色的显示的图。

(附图标记说明)

1000：显示装置                     DP：显示面板

DA：显示区域                       PA：非显示区域

DA1、DA1-1：第一显示区域            DA2、DA2-1：第二显示区域

DA1-2、DA2-2：第三显示区域          ED1、ED2：发光元件

PC、PC1、PC2、PC1-2、PC2-2：驱动电路部 P：像素

TLr、TLb、TLg：复制阳极连接线        CLr、CLb、CLg：阳极连接线

Cnb、Cnb-1、Cnb-2、Cnb-3：升压电容器

1175：第一连接电极                 1175-p：凸出部

Cst：保持电容器                    Cboost：附加升压电容器

Ar1、Ar2-1、Ar2-2：阳极              ACL1：阳极连接部件

EMLr1、EMLr2-1、EMLr2-2、EMLrc2-1、EMLrc2-2：发光层

20：扫描驱动部                     110：基板

ACT：半导体层                      1153：第一保持电极

1151：驱动晶体管的栅极电极         1152：第一保持电极的开口

141：第一栅极绝缘膜                142：第二栅极绝缘膜

143：第三栅极绝缘膜                161：第一层间绝缘膜

162：第二层间绝缘膜                180：第一有机膜

181：第二有机膜                    182：第三有机膜

具体实施方式

以下，参考所附附图详细说明本发明的多个实施例，以使本发明所属技术领域中具有通常知识的人可以容易实施。本发明可以以多种不同方式来实现，但并不限于在此说明的实施例。

为了清楚地说明本发明，省略了与说明无关的部分，在说明书全文中对相同或相似的构成要件标注相同的附图标记。

另外，附图中示出的各个结构的大小和厚度是为了方便说明而任意示出的，因此本发明并不是必须限定于图示那样的。在附图中，为了清楚表达多个层及区域，放大示出厚度。另外，在附图中，为了方便说明，将一部分层及区域的厚度夸张地示出。

另外，当表述为层、膜、区域、板、构成要件等部分在另一部分“之上”或“上”时，其不仅包括“直接”在另一部分“之上”的情况，还包括其中间有又一部分的情况。相反，当表述为某一部分“直接”在另一部分“之上”时，意指中间没有又一部分的情况。另外，表述为“在”成为基准的部分“之上”或“上”的情况是位于成为基准的部分之上或之下的情况，并不意指必须以向重力相反方向侧位于“之上”或“上”。

另外，在整个说明书中，当表述为某一部分“包括”某一构成要件时，只要没有特别相反的记载，意指不是将其它构成要件除外而是可以还包括其它构成要件。

另外，在整个说明书中，当表述为“平面上”时，其意指从上方观看对象部分时的情况，当表述为“截面上”时，其意指在侧方观看将对象部分垂直截取的截面时的情况。

另外，在整个说明书中，当表述为“连接”时，其不仅意指两个以上的构成要件直接连接的情况，而且还意指两个以上的构成要件通过其它构成要件间接连接的情况、物理连接和电连接的情况或者虽然根据位置或功能用不同的名称来指代但实质上为一体的各部件彼此连接的情况。

另外，在整个说明书中，当表述为布线、层、膜、区域、板、构成要件等部分“在第一方向或者第二方向上延伸”时，其不仅意指在相应方向上笔直延伸的直线形状，还包括在一部分处弯曲、具有Z字形结构或者包括曲线结构的同时延伸的结构以作为沿着第一方向或者第二方向整体延伸的结构。

另外，包括有在说明书中说明的显示装置、显示面板等的电子设备(例如，移动电话、TV、监视器、笔记本计算机等)或者包括有通过在说明书中说明的制造方法制造的显示装置、显示面板等的电子设备也不排除在本说明书的权利范围之外。

图1是根据一实施例的显示装置的示意性平面图，图2是根据一实施例的显示装置的示意性截面图。

参照图1，根据一实施例的显示装置1000包括配置多个像素P并显示图像的显示区域DA以及与显示区域DA相邻的非显示区域PA。非显示区域PA是不显示图像的区域。

作为一例，显示区域DA可以是四边形形状，根据实施例，如图1所示，显示区域DA的各边角DA-C可以具有倒圆形状。非显示区域PA可以具有包围显示区域DA的形状。然而，不限于此，可以不同地设计显示区域DA以及非显示区域PA的形状。

显示区域DA可以包括第一显示区域DA1以及位于第一显示区域DA和非显示区域PA之间的第二显示区域DA2。

第一显示区域DA1可以位于显示区域DA的中心部，在第一显示区域DA1的两侧，例如左侧以及右侧中可以配置有第二显示区域DA2。然而，其不过是一个示例，可以不同地改变第一显示区域DA1以及第二显示区域DA2的位置。例如，第一显示区域DA1可以由大致四边形形状构成，第二显示区域DA2也可以配置为包围第一显示区域DA1的四个边角。

另外，在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2之间的边界部中可以配置有第三显示区域(参考图12的DA1-2或者图15的DA2-2)。如图12所示，第三显示区域可以位于第一显示区域DA1，或者，如图15所示，第三显示区域可以位于第二显示区域DA2。根据实施例，也可以在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2之间以单独的显示区域存在。第三显示区域可以显示第一显示区域DA1和第二显示区域DA2的中间亮度。第一显示区域DA1、第二显示区域DA2以及第三显示区域可以具有与显示区域DA的圆形的边角DA-C相对应的形状。

非显示区域PA可以构成为包围显示区域DA的形状。非显示区域PA作为不显示图像的区域，可以位于显示装置1000的外围部。根据一实施例的显示装置1000的至少一部分可以包括弯曲的弯曲部。例如，可以是，显示装置1000的中心部平坦，边缘部具有弯曲的形状。此时，第二显示区域DA2的至少一部分可以位于弯曲部，从而第二显示区域DA2的至少一部分可以具有弯曲的形状。

在显示装置1000中，显示图像的一面与第一方向DR1和第二方向DR2所界定的面平行。第三方向DR3表示显示图像的一面的法线方向即显示装置1000的厚度方向。各部件的前面(或者上面)和背面(或者下面)由第三方向DR3划分。但是，第一至第三方向DR1、DR2、DR3所表示的方向是相对性的概念，可以转换为其它方向。

参考图2，显示装置1000可以包括显示面板DP、位于显示面板DP上的触摸单元TU、位于触摸单元TU上的覆盖窗WU。

显示面板DP可以是平坦的硬性显示面板，或者不限于此而是柔性显示面板。根据本发明的一实施例的显示面板DP可以是发光型显示面板，不特别限于此。例如，显示面板DP可以是有机发光显示面板或者量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发光层可以包含有机发光物质。量子点发光显示面板的发光层可以包含量子点以及量子棒等。以下，显示面板DP以有机发光显示面板进行说明。

为了显示装置1000的触摸屏功能，触摸单元TU可以配置于显示面板DP上。触摸单元TU可以包括各种图案的触摸电极，可以是电阻方式或者电容方式等。

覆盖窗WU位于显示面板DP以及触摸单元TU上。覆盖窗WU保护显示面板DP以及触摸单元TU。覆盖窗WU可以界定显示装置1000的外观。

在触摸单元TU和覆盖窗WU之间可以配置使触摸单元TU和覆盖窗WU附着的粘合层AD。虽然在本说明书中未示出，但是在触摸单元TU之上可以配置有遮光部件以及滤色器，在覆盖窗WU之上也可以附着偏振板。

以下，通过图3以及图4，观察显示面板DP的更详细的结构。

图3是示出位于非显示区域的构成要件的显示面板的平面图，图4是沿着图3的A-A'截取的示意性截面图。

参考图3，显示面板DP包括与图1中说明的显示装置1000的显示区域DA以及非显示区域PA相对应的显示区域DA以及非显示区域PA。非显示区域PA可以沿着显示区域DA的边框配置。图3的非显示区域PA放大示出为宽的，但是实际非显示区域PA可以形成为非常窄。

显示面板DP包括多个像素P。多个像素P位于显示区域DA中，像素P各自包括发光元件和连接于其的驱动电路部。在显示区域DA中的一部分区域中驱动电路部和连接于其的发光元件可以在平面上重叠配置，但是在一部分区域中驱动电路部和与其连接的发光元件可以在平面上不重叠而隔开。在平面上与驱动电路部不重叠的发光元件可以与扫描驱动部20或数据驱动部58在平面上重叠。包括与驱动电路部在平面上不重叠的发光元件的像素P可以包括在第二显示区域DA2中，就包括在第一显示区域DA1中的像素P而言，所有驱动电路部和连接于其的发光元件可以在平面上重叠配置。

各像素P发出例如红色、绿色、蓝色或者白色的光，作为一例，可以包括有机发光元件(organic light emitting diode)。显示面板DP通过从像素P发出的光提供预定的图像，并由像素P界定显示区域DA。在本说明书中，非显示区域PA表示不提供图像的区域，并表示不配置发光元件的区域。

显示面板DP可以包括多个信号线和焊盘部。多个信号线可以包括在第一方向DR1上延伸的扫描线SL、在第二方向DR2上延伸的数据线DL以及驱动电压线PL等。

扫描驱动部20跨基板110上的显示区域DA和非显示区域PA而配置。具体地，扫描驱动部20配置为与第二显示区域DA2的至少一部分以及非显示区域PA的至少一部分重叠。

扫描驱动部20生成扫描信号并将其通过扫描线SL传输给各像素P。根据一实施例，扫描驱动部20可以配置于显示区域DA的左侧以及右侧。虽然本说明书示出了扫描驱动部20配置于基板110的两侧的结构，但是作为另一实施例，扫描驱动部也可以仅配置于基板110的一侧。

焊盘部40配置于显示面板DP的一端部，并包括多个端子41、42、44、45。焊盘部40可以不被绝缘层覆盖而暴露，从而与印刷电路基板PCB电连接。焊盘部40可以与印刷电路基板PCB的焊盘部PCB_P电连接。印刷电路基板PCB可以将IC驱动芯片80的信号或者电源向焊盘部40传输。

控制部将从外部传输的多个图像信号改变为多个图像数据信号，并将改变的信号通过端子41传输给数据驱动部58。另外，控制部可以接收垂直同步信号、水平同步信号以及时钟信号而生成用于控制扫描驱动部20以及数据驱动部58的驱动的控制信号并将其通过端子44、41各自传输给扫描驱动部20以及数据驱动部58。控制部通过端子42将驱动电压ELVDD(参照图11)传输给驱动电压供应线60。另外，控制部通过端子45将驱动低电压ELVSS(参照图11)传输给公共电压供应线70。

数据驱动部58配置于非显示区域PA上，并生成数据信号且将其通过数据线DL传输给各像素P。数据驱动部58可以配置于显示面板DP的一侧，例如，可以配置于焊盘部40和显示区域DA之间。

驱动电压供应线60配置于非显示区域PA上。例如，驱动电压供应线60可以配置于数据驱动部58和显示区域DA之间。驱动电压供应线60将驱动电压ELVDD提供给像素P。驱动电压供应线60可以在第一方向DR1上配置，并与在第二方向DR2上配置的多个驱动电压线PL连接。

公共电压供应线70配置于非显示区域PA上。公共电压供应线70可以具有包围基板110的形状。公共电压供应线70将驱动低电压ELVSS传输给像素P所包括的发光元件的一电极(例如，公共电极)。

根据一实施例的显示区域DA包括第一显示区域DA1以及第二显示区域DA2。非显示区域PA相当于第一显示区域DA1以及第二显示区域DA2的外侧区域。第二显示区域DA2可以与扫描驱动部20的至少一部分重叠。显示区域DA相当于配置有发光元件并发出光的区域。在发光元件下方也可以配置有扫描驱动部。

包括在第一显示区域DA1中的第一像素包括第一发光元件ED1以及向其供应电流的第一驱动电路部PC1，包括在第二显示区域DA2中的第二像素包括第二发光元件ED2以及向其供应电流的第二驱动电路部PC2。

参考图4，在基板110上可以配置有第一驱动电路部PC1、第二驱动电路部PC2、扫描驱动部20以及公共电压供应线70。可以与第一驱动电路部PC1相邻地依次配置有第二驱动电路部PC2、扫描驱动部20以及公共电压供应线70。在非显示区域PA中可以配置有坝D1、D2。

参考图4，第一显示区域DA1具有在第一驱动电路部PC1之上配置有第一发光元件ED1并在平面上重叠的结构。

第二显示区域DA2表示配置第二发光元件ED2的区域，第二发光元件ED2与扫描驱动部20以及第二驱动电路部PC2在平面上重叠。因此，如第一显示区域DA1那样，第二显示区域DA2大致可以划分为第二发光元件ED2与向相应第二发光元件ED2供应电流的第二驱动电路部PC2在平面上重叠的区域(以下，也称为重叠区域)和第二发光元件ED2与向相应第二发光元件ED2供应电流的第二驱动电路部PC2在平面上不重叠的区域(以下，也称为非重叠区域)。在此，非重叠区域可以是第二发光元件ED2与扫描驱动部20之类驱动部在平面上重叠的区域。

图4中示出了扫描驱动部20的一半程度与非显示区域PA相对应，但是根据实施例，可以在扫描驱动部20的全部或者大部分之上配置第二发光元件ED2而将第二显示区域DA2形成为更宽。

另外，在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2之间的边界部中可以配置有第三显示区域(参考图12的DA1-2或者图15的DA2-2)。如图12所示，第三显示区域可以位于第一显示区域DA1，或者，如图15所示，第三显示区域可以位于第二显示区域DA2。根据实施例，也可以在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2之间以单独的显示区域存在。

以下，通过图5以及图6，更详细地观察发光元件以及驱动电路部的配置。

图5是示意性地示出根据一实施例的驱动电路部和发光元件之间的连接的平面图，图6是放大示出图5的实施例的第二显示区域中的驱动电路部和发光元件之间的连接的平面图。

在图5中示出了显示区域DA中的与非显示区域PA相邻的区域，与非显示区域PA相邻配置有第二显示区域DA2，并在第二显示区域DA2内侧配置有第一显示区域DA1。

包括在第一显示区域DA1中的第一像素包括第一发光元件ED1以及向其供应电流的第一驱动电路部PC1，包括在第二显示区域DA2中的第二像素包括第二发光元件ED2以及向其供应电流的第二驱动电路部PC2。

在图5中第二显示区域DA2用虚线划分为两个区域，位于虚线的右侧的第二显示区域DA2是配置有第二驱动电路部PC2且第二发光元件ED2和第二驱动电路部PC2在平面上重叠的重叠区域。另一方面，位于虚线的左侧的第二显示区域DA2是未配置有第二驱动电路部PC2而仅配置有第二发光元件ED2且第二发光元件ED2和第二驱动电路部PC2在平面上不重叠的非重叠区域。

在图5的第一显示区域DA1中配置有第一驱动电路部PC1以及第一发光元件ED1。第一驱动电路部PC1与配置于第一驱动电路部PC1上侧的第一发光元件ED1电连接，从而第一驱动电路部PC1向第一发光元件ED1供应电流。由第一发光元件ED1发出光的区域与第一显示区域DA1相对应。

图5的第二显示区域DA2可以作为由第二发光元件ED2发出光的区域，配置有第二驱动电路部PC2、第二发光元件ED2以及扫描驱动部20之类驱动部。第二驱动电路部PC2与第二发光元件ED2电连接，从而第二驱动电路部PC2向第二发光元件ED2供应电流。由第二发光元件ED2发出光的区域与第二显示区域DA2相对应。位于第二显示区域DA2的第二发光元件ED2可以划分为位于第二驱动电路部PC2上的第二发光元件ED2和位于扫描驱动部20之类驱动部上的第二发光元件ED2。

通过如上所述的结构，由于在形成有扫描驱动部20之类驱动部的区域中也配置有第二发光元件ED2，因此形成有具有扩展的面积的显示区域DA。另外，根据实施例，为了使得可以生成更准确的电流并将其提供给发光元件，一个驱动电路部可以与一个以上的扫描线连接，此时，可以增加扫描驱动部20所占的面积。但是，在本实施例中，通过在扫描驱动部20之上也配置第二发光元件ED2并包括在显示区域DA中，可以使得显示区域DA不减少而具有更大的显示区域DA。

参考图5，第一驱动电路部PC1各自所占的面积和第二驱动电路部PC2各自所占的面积可以不同，示出为第二驱动电路部PC2与第一驱动电路部PC1相比在第一方向DR1上以两倍的宽度形成而面积也是两倍的结构。一个第二驱动电路部PC2所占的面积可以大于一个第一驱动电路部PC1所占的面积，作为一例，第二驱动电路部PC2的面积可以是第一驱动电路部PC1的面积的1.1倍至2.0倍。当第二驱动电路部PC2的面积大于第一驱动电路部PC1的面积时，即使具有相同的电路结构以及平面形状，由于形成各个晶体管以及电容器的面积大，从而晶体管的大小(沟道的宽度以及长度)也大，电容器的容量也可以形成地大。

另一方面，在图5中，由于第一发光元件ED1以及第二发光元件ED2分别显示红色R、绿色G以及蓝色B，因此，通过在附图标记后边追加r、g、b来清楚地示出各自为表示哪种颜色的发光元件。另外，在与相应发光元件连接的第一驱动电路部PC1以及第二驱动电路部PC2的附图标记后边也追加r、g、b，从而更清楚地进行划分。

另外，在图5中直接连接驱动电路部和发光元件的布线用附图标记CL(以下，也称为阳极连接线或者第一连接线)示出，连接发光元件之间的布线用附图标记TL(以下，也称为复制阳极连接线或者第二连接线)表示。在两个连接线的附图标记后边也追加r、g、b，从而更清楚地进行划分。

在图5的第一显示区域DA1中，与各颜色的第一发光元件ED1在平面上重叠的第一驱动电路部PC1彼此电连接，从而没有单独示出阳极连接线。

通过图5以及图6，详细说明第二显示区域DA2的连接结构如下。

在图5中示出了第二驱动电路部PC2是总共12个，示出了第二发光元件ED2是总共48个，从而示出了第二发光元件ED2的数量为四倍。即，一个第二驱动电路部PC2向总共四个第二发光元件ED2供应电流。四个第二发光元件ED2中的一个可以从第二驱动电路部PC2直接接收电流，其余三个第二发光元件ED2分流接收传输得到的电流，从而也称为复制第二发光元件。

参考图6，放大示出了图5的第二显示区域DA2中的一部分区域。

在图6中将第二发光元件划分为两个种类并赋予了附图标记。与阳极连接线CLr、CLb、CLg直接连接的第二发光元件示出为ED2r、ED2b、ED2g，其它的第二发光元件由于与复制阳极连接线TLr、TLb、TLg连接而示出为EDcr、EDcb、EDcg。

通过图6，首先，观察红色的第二发光元件ED2r、EDcr的排列以及连接关系。

可以是，四个红色第二发光元件ED2r、EDcr通过红色复制阳极连接线TLr彼此电连接，四个红色第二发光元件ED2r、EDcr中的一个与红色阳极连接线CLr连接而从红色第二驱动电路部PC2r接收电流。在图6中，四个红色第二发光元件ED2r、EDcr中的一个红色第二发光元件ED2r从红色第二驱动电路部PC2r直接接收电流而表示为R1，其余三个红色第二发光元件EDcr表示为C，从而表示是复制第二发光元件。根据实施例，也可以具有红色阳极连接线CLr和红色复制阳极连接线TLr电连接而向四个红色第二发光元件EDcr分配电流的结构。可以是，红色阳极连接线CLr的长度根据四个红色第二发光元件ED2r、EDcr的位置形成为不同，为了与相邻于非显示区域PA的四个红色第二发光元件ED2r、EDcr连接，红色阳极连接线CLr具有最长延伸的结构。四个红色第二发光元件ED2r、EDcr可以分别位于第一行的第一列、第三行的第三列、第一行的第五列以及第三行的第七列，红色复制阳极连接线TLr具有沿着第一行和第二行之间在第一方向DR1上延伸的同时向第二方向DR2的上下进一步延伸而与各红色第二发光元件ED2r、EDcr连接的结构。

观察蓝色的第二发光元件ED2b、EDcb。

可以是，四个蓝色第二发光元件ED2b、EDcb通过蓝色复制阳极连接线TLb彼此电连接，四个蓝色第二发光元件ED2b、EDcb中的一个与蓝色阳极连接线CLb连接而从蓝色第二驱动电路部PC2b接收电流。在图6中，四个蓝色第二发光元件ED2b、EDcb中的一个蓝色第二发光元件ED2b从蓝色第二驱动电路部PC2b直接接收电流而表示为B1，其余三个蓝色第二发光元件EDcb表示为C，从而表示是复制第二发光元件。根据实施例，也可以具有蓝色阳极连接线CLb和蓝色复制阳极连接线TLb电连接而向四个蓝色第二发光元件EDcb分配电流的结构。可以是，蓝色阳极连接线CLb的长度根据四个蓝色第二发光元件ED2b、EDcb的位置形成为不同，为了与相邻于非显示区域PA的四个蓝色第二发光元件ED2b、EDcb连接，蓝色阳极连接线CLb具有最长延伸的结构。四个蓝色第二发光元件ED2b、EDcb可以分别位于第三行的第一列、第一行的第三列、第三行的第五列以及第一行的第七列，蓝色复制阳极连接线TLb具有延伸为包围四个蓝色第二发光元件ED2b、EDcb并向第二方向DR2的上下进一步延伸而与各蓝色第二发光元件ED2b、EDcb连接的结构。

观察绿色的第二发光元件ED2g、EDcg。

可以是，四个绿色第二发光元件ED2g、EDcg通过绿色复制阳极连接线TLg彼此电连接，四个绿色第二发光元件ED2g、EDcg中的一个与绿色阳极连接线CLg连接而从绿色第二驱动电路部PC2g接收电流。在图6中，四个绿色第二发光元件ED2g、EDcg中的一个绿色第二发光元件ED2g从绿色第二驱动电路部PC2g直接接收电流而表示为G1或者G2，其余三个绿色第二发光元件EDcg表示为C，从而表示是复制第二发光元件。根据实施例，也可以具有绿色阳极连接线CLg和绿色复制阳极连接线TLg电连接而向四个绿色第二发光元件EDcg分配电流的结构。可以是，绿色阳极连接线CLg的长度根据四个绿色第二发光元件ED2g、EDcg的位置形成为不同，为了与相邻于非显示区域PA的四个绿色第二发光元件ED2g、EDcg连接，绿色阳极连接线CLg具有最长延伸的结构。四个绿色第二发光元件ED2g、EDcg可以分别位于第二行的第二列、第四行的第二列、第二行的第四列以及第四行的第四列，绿色复制阳极连接线TLg具有以U字形状形成而连接四个绿色第二发光元件ED2g、EDcg的结构。

绿色第二发光元件ED2g、EDcg与红色第二发光元件ED2r、EDcr以及蓝色第二发光元件ED2b、EDcb相比具有两倍的数量，绿色第二驱动电路部PC2g的数量与红色第二驱动电路部PC2r以及蓝色第二驱动电路部PC2b相比也具有两倍的数量。但是，各颜色的第二发光元件ED2以及第二驱动电路部PC2的数量可以多样，也可以形成为与第一显示区域DA的第一发光元件ED1以及第一驱动电路部PC1的数量相对应的数量。

各颜色的发光元件ED1、ED2可以排列为pentile矩阵结构。发出第一颜色的发光元件ED1、ED2和发出第三颜色的发光元件ED1、ED2可以沿着第一方向DR1交替排列。发出第一颜色的发光元件ED1、ED2和发出第二颜色的发光元件ED1、ED2可以沿着相对于第一方向DR1以及第二方向DR2倾斜的对角线方向交替排列。发出第一颜色的发光元件ED1、ED2可以大于发出第二颜色的发光元件ED1、ED2，并可以小于发出第三颜色的发光元件ED1、ED2。作为一例，可以是，第一颜色是红色R，第二颜色是绿色G，第三颜色是蓝色B。

如图5所示，发光元件ED1、ED2的排列可以在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中相同而无差异。

另外，在图5中示出了各发光元件ED1、ED2的大小相同的实施例。反而，在图5的实施例中一个驱动电路部供应电流的发光元件的数量在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中不同。即，在第一显示区域DA1中，一个第一驱动电路部PC1仅向一个第一发光元件ED1供应电流。但是在第二显示区域DA2中，在图5的实施例中，一个第二驱动电路部PC2向总共四个第二发光元件ED2供应电流。为此，可以是，第二驱动电路部PC2所占的面积大于第一驱动电路部PC1所占的面积，另外，包括在第二驱动电路部PC2中的晶体管以及电容器的大小也大于包括在第一驱动电路部PC1中的晶体管以及电容器的大小。

但是，根据实施例，第一发光元件ED1所占的面积和第二发光元件ED2所占的面积也可以不同。第二发光元件ED2所包括的发光层的面积可以是第一发光元件ED1所包括的发光层的面积的1.0倍至2.0倍。

另外，在图5中，在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2之间的边界部中可以配置有第三显示区域(参考图12的DA1-2或者图15的DA2-2)。如图12所示，第三显示区域可以位于第一显示区域DA1，或者，如图15所示，第三显示区域可以位于第二显示区域DA2。根据实施例，也可以在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2之间以单独的显示区域存在。参考图5，显示相同颜色的第一发光元件ED1和第二发光元件ED2在平面上具有相同的大小。在图5中第三显示区域可以位于第一显示区域DA1或第二显示区域DA2，虽然没有清楚地示出，但是由于在图5中显示相同颜色的所有发光元件的大小相同，因此位于第一显示区域DA1的第一发光元件ED1、位于第二显示区域DA2的第二发光元件ED2以及位于第三显示区域的第三发光元件可以在平面上具有相同的大小。另外，第三显示区域可以显示第一显示区域DA1和第二显示区域DA2的中间亮度。

以下，通过图7至图9，观察位于第二显示区域DA2的第二发光元件ED2的各种结构及其连接关系。

图7至图9是示意性地示出根据各种实施例的驱动电路部和发光元件之间的连接的平面图。

在图7至图9中第二发光元件划分为两个种类并赋予了附图标记。与阳极连接线CLr、CLb、CLg直接连接的第二发光元件示出为ED2r、ED2b、ED2g，其它的第二发光元件由于与复制阳极连接线TLr、TLb、TLg连接而示出为EDcr、EDcb、EDcg。

首先，在图7中示出了连接有三个第二发光元件ED2的结构。

三个绿色第二发光元件ED2g、EDcg在第一行以及第三行中排列为一列，三个红色第二发光元件ED2r、EDcr和三个蓝色第二发光元件ED2b、EDcb在第二行以及第四行中交替排列。

绿色复制阳极连接线TLg具有形成为直线形状而连接三个绿色第二发光元件ED2g、EDcg的结构，红色复制阳极连接线TLr和蓝色复制阳极连接线TLb在斜线方向上延伸的同时电连接分别相邻的三个红色第二发光元件ED2r、EDcr和三个蓝色第二发光元件ED2b、EDcb。

另一方面，在图8中示出了图7的结构扩展而连接有四个第二发光元件ED2的结构。也可以是，与图7以及图8不同地，具有仅连接有两个第二发光元件ED2的结构，或者具有连接有五个以上的第二发光元件ED2的结构。

另一方面，在图9中示出了图6的结构缩小的结构，示出了仅连接有两个第二发光元件ED2的结构。

两个绿色第二发光元件ED2g、EDcg在第二列以及第四列中排列为一列，两个红色第二发光元件ED2r、EDcr和两个蓝色第二发光元件ED2b、EDcb在第一行以及第三行中交替排列。

绿色复制阳极连接线TLg具有形成为直线形状而连接两个绿色第二发光元件ED2g、EDcg的结构，红色复制阳极连接线TLr具有通过弯曲的结构连接相邻的两个红色第二发光元件ED2r、EDcr的结构。另一方面，蓝色复制阳极连接线TLb具有延伸为包围两个蓝色第二发光元件ED2b、EDcb并向上下进一步延伸而与各蓝色第二发光元件ED2b、EDcb连接的结构。

以下，通过图10，观察发光元件和驱动电路部的连接结构的截面图。

图10是示意性地示出根据一实施例的驱动电路部和发光元件的阳极的连接的截面图。

首先，在图10中示意性地示出了第一显示区域DA1以及第二显示区域DA2的截面，第二显示区域DA2用虚线划分为两个区域。第二显示区域DA2中的位于虚线的右侧的区域是配置有包括在第二驱动电路部PC2中的晶体管TFT2-1、TFT2-2且第二发光元件ED2和第二驱动电路部PC2在平面上重叠的重叠区域。另一方面，位于虚线的左侧的第二显示区域DA2是未配置有第二驱动电路部PC2而配置有包括在扫描驱动部20之类驱动部中的晶体管DTFT且第二发光元件ED2和第二驱动电路部PC2在平面上不重叠的非重叠区域。

另外，在图10中以红色的发光元件为基准进行了示出，仅示出了属于发光元件的阳极Ar1、Ar2-1、Ar2-2以及位于其之上的发光层EMLr1、EMLr2-1、EMLr2-2、EMLrc2-1、EMLrc2-2。

观察图10的截面结构如下。

在基板110之上配置有由硅半导体形成的半导体层ACT(以下，也称为多晶半导体层)。半导体层ACT包括晶体管TFT1、TFT2-1、TFT2-2、DTFT的沟道、第一区域以及第二区域。在半导体层ACT之上配置有第一栅极绝缘膜141。在此，第一栅极绝缘膜141可以包含氮化硅(SiN

在第一栅极绝缘膜141之上可以配置有包括栅极电极GAT的第一栅极导电层。在包括栅极电极GAT的第一栅极导电层以及第一栅极绝缘膜141之上可以配置有第二栅极绝缘膜142。在此，第二栅极绝缘膜142可以包含氮化硅(SiN

在第二栅极绝缘膜142之上可以配置有可以与半导体层ACT的第一区域或第二区域电连接的第一数据导电层。在图10中，作为第一数据导电层之一，示出了第一阳极连接线CLr-1以及电压线VL。

在第一数据导电层之上可以配置有第一有机膜180。第一有机膜180可以由有机物质形成。

在第一有机膜180之上可以配置有包括第二阳极连接线CLr-2以及遮蔽图案SVL的第二数据导电层。

在第二数据导电层之上可以配置有第二有机膜181以及第三有机膜182。第二有机膜181以及第三有机膜182可以由有机物质形成。

在第三有机膜182之上配置有阳极Ar1、Ar2-1、Ar2-2，并配置有具有暴露阳极Ar1、Ar2-1、Ar2-2的开口的分隔壁380。在分隔壁380的开口中配置有发光层EMLr1、EMLr2-1、EMLr2-2、EMLrc2-1、EMLrc2-2。

在第一显示区域DA1中，可以具有在第二有机膜181以及第三有机膜182中一起形成开口而第二阳极连接线CLr-2和阳极Ar1直接连接的结构。而另一方面，在第二显示区域DA2中，在第二有机膜181之上追加地配置有第三阳极连接线CLr-3以及在图5中长长地延伸至非重叠区域的阳极连接线CLr。

因此，在图10的实施例中，第一显示区域DA1的第一驱动电路部PC1至第一发光元件ED1的阳极Ar1的连接通过第一阳极连接线CLr-1以及第二阳极连接线CLr-2实现。

另一方面，在图10的实施例中，第二显示区域DA2的第二驱动电路部PC2至第二发光元件ED2的阳极Ar2-1、Ar2-2的连接，除了第一阳极连接线CLr-1以及第二阳极连接线CLr-2之外，还通过第三阳极连接线CLr-3或者阳极连接线CLr实现。

但是，根据实施例，可以去除或进一步追加这些阳极连接线CLr、CLr-1、CLr-2、CLr-3中的至少一个。这些阳极连接线CLr、CLr-1、CLr-2、CLr-3也可以由透明导电物质形成，但是考虑到导电性时，可以如第一栅极导电层、第二栅极导电层、第一数据导电层以及第二数据导电层那样由金属等不透明的导电物质形成。

另外，在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2之间的边界部中可以配置有第三显示区域(参考图12的DA1-2或者图15的DA2-2)。如图12所示，第三显示区域可以位于第一显示区域DA1，或者，如图15所示，第三显示区域可以位于第二显示区域DA2。根据实施例，也可以在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2之间以单独的显示区域存在。

以下，具体观察如上所述的位于边界部的第三显示区域。

首先，通过图11，一起观察根据一实施例的包括在第一显示区域DA1以及第二显示区域DA2中的像素结构以及配置于位于边界部的第三显示区域中的像素的电路结构。

图11示出了根据一实施例的包括在显示面板中的彼此不同的像素的电路图。

图11的(A)是形成在第一显示区域DA1中的像素(以下，也称为第一像素)的电路图，图11的(C)是形成在第二显示区域DA2中的像素(以下，也称为第二像素)的电路图，图11的(B)是可以形成在位于边界部的第三显示区域的至少一部分区域中的像素(以下，也称为中间像素或者第三像素)的电路图。图11的(B)的第三像素可以不形成在整个第三显示区域中，在第三显示区域中的未配置有第三像素的部分中可以配置有第一像素或者第二像素。如图12所示，当第三显示区域位于第一显示区域DA1中时，在未配置有第三像素的第三显示区域中可以配置有第一像素，如图15所示，当第二显示区域DA2中配置有第三显示区域时，在未配置有第三像素的第三显示区域中可以配置有第二像素。第三显示区域可以显示第一显示区域DA1和第二显示区域DA2的中间亮度。

如在图11中可确认那样，第一像素、第二像素以及第三像素的电路结构可以彼此相同，其中，升压电容器Cnb-1、Cnb-2、Cnb-3的容量大小彼此不同。另外，包括在三个像素电路中的驱动晶体管T1中的至少一个的驱动晶体管T1的大小即沟道的长度及/或宽度可以不同。

由于图11的(A)、(B)、(C)的像素电路结构没有差异，因此观察整体像素的电路结构如下。

根据一实施例的各像素包括连接到各种布线的多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、保持电容器Cst、附加升压电容器Cboost、发光元件以及升压电容器Cnb-1、Cnb-2、Cnb-3。在此，发光元件是前述的发光元件ED1、ED2，其它的晶体管以及电容器构成驱动电路部。根据实施例，也可以省略附加升压电容器Cboost。

一个像素中连接有多个布线。多个布线包括被施加第一初始化电压VINT的第一初始化电压线、被施加第二初始化电压VAINT的第二初始化电压线、被施加第一扫描信号GW[N]的第一扫描线、被施加第二扫描信号GC[N]的第二扫描线、被施加初始化信号GI[N]的初始化控制线、被施加发光控制信号EM[N]的发光控制线、被施加数据电压DATA的数据线、被施加驱动电压ELVDD的驱动电压线以及被施加驱动低电压ELVSS的公共电压线。虽然在图11的实施例中与第七晶体管T7连接的扫描线接收与连接到第二晶体管T2的第一扫描线相同的信号(第一扫描信号GW[N-1])，但是根据实施例，与第二晶体管T2不同地，第七晶体管T7也可以接收单独的旁路控制信号GB[N]。

第一扫描线连接于扫描驱动部20而将第一扫描信号GW[N]、GW[N-1]传输给第二晶体管T2以及第七晶体管T7。第二扫描线可以在与第一扫描线的信号相同的时序中被施加与施加到第一扫描线的电压相反极性的电压。例如，当负极性的电压施加到第一扫描线时，正极性的电压可以施加到第二扫描线。第二扫描线将第二扫描信号GC[N]传输给第三晶体管T3。初始化控制线将初始化控制信号GI[N]传输给第四晶体管T4。发光控制线将发光控制信号EM[N]传输给第五晶体管T5以及第六晶体管T6。

数据线是传输在数据驱动部58中生成的数据电压DATA的布线，由此，传输给发光元件的发光电流的大小发生变化，从而发光元件发出的亮度也发生变化。驱动电压线被施加驱动电压ELVDD。第一初始化电压线传输第一初始化电压VINT，第二初始化电压线传输第二初始化电压AVINT。公共电压线将驱动低电压ELVSS向发光元件的阴极施加。在本实施例中，施加到驱动电压线、第一及第二初始化电压线以及公共电压线的电压分别可以是恒定的电压。

驱动晶体管T1(或者，也称为第一晶体管)是p型晶体管，并且作为半导体层具有硅半导体或者多晶半导体。驱动晶体管T1是根据驱动晶体管T1的栅极电极的电压(即，存储到保持电容器Cst的电压)的大小来调节输出到发光元件的阳极的发光电流的大小的晶体管。由于根据输出到发光元件的阳极电极的发光电流的大小来调节发光元件的亮度，因此可以根据施加到像素的数据电压DATA来调节发光元件的发光亮度。为此，驱动晶体管T1的第一电极配置为可以接收驱动电压ELVDD，从而经由第五晶体管T5与驱动电压线连接。另外，驱动晶体管T1的第一电极还与第二晶体管T2的第二电极连接，从而还接收数据电压DATA。另一方面，驱动晶体管T1的第二电极向发光元件输出发光电流并经由第六晶体管T6(以下，也称为输出控制晶体管)与发光元件的阳极连接。另外，驱动晶体管T1的第二电极还与第三晶体管T3连接，从而将施加到第一电极的数据电压DATA传输到第三晶体管T3。另一方面，驱动晶体管T1的栅极电极与保持电容器Cst的一电极(以下，称为“第二保持电极”)连接。由此，驱动晶体管T1的栅极电极的电压根据存储到保持电容器Cst的电压发生变化，相应地，驱动晶体管T1所输出的发光电流发生改变。保持电容器Cst起到在一帧期间将驱动晶体管T1的栅极电极的电压保持恒定的作用。另一方面，驱动晶体管T1的栅极电极也可以与第三晶体管T3连接，从而使得将施加到驱动晶体管T1的第一电极的数据电压DATA经过第三晶体管T3传输到驱动晶体管T1的栅极电极。另一方面，驱动晶体管T1的栅极电极也可以与第四晶体管T4连接，从而接收到第一初始化电压VINT而被初始化。

另一方面，驱动晶体管T1的栅极电极还与附加升压电容器Cboost的一端连接，追加地还与升压电容器Cnb-1、Cnb-2、Cnb-3的一端连接。附加升压电容器Cboost以及升压电容器Cnb-1、Cnb-2、Cnb-3起到在第一扫描信号GW[N]以及第二扫描信号GC[N]发生变化时使得驱动晶体管T1的栅极电极的电压也可以向相同的方向发生变化的作用。但是，由于第一扫描信号GW[N]以及第二扫描信号GC[N]的电压在相同的时序中向相反方向发生变化，因此，两个附加升压电容器Cboost以及升压电容器Cnb-1、Cnb-2、Cnb-3彼此补偿，从而使得驱动晶体管T1的栅极电极的电压变化不大。然而，在本实施例中，包括在第一像素中的第一升压电容器Cnb-1、包括在第二像素中的第二升压电容器Cnb-2以及包括在第三像素中的第三升压电容器Cnb-3的电容值彼此不同，从而使得在各像素中驱动晶体管T1的栅极电极的电压的波动幅度也彼此不同。即，连接于第一升压电容器Cnb-1的第一像素的驱动晶体管(也称为第一驱动晶体管)的电压波动幅度、连接于第二升压电容器Cnb-2的第二像素的驱动晶体管(也称为第二驱动晶体管)的电压波动幅度以及连接于第三升压电容器Cnb-3的第三像素的驱动晶体管(也称为第三驱动晶体管)的电压波动幅度可以彼此不同。在此，在为了使得第三晶体管T3从导通状态改变为截止状态而以第二扫描信号GC[N]施加低的电压时，升压电容器Cnb-1、Cnb-2、Cnb-3也会使驱动晶体管T1的栅极电极的电压降低，因此，升压电容器Cnb-1、Cnb-2、Cnb-3的电容值越大，使得驱动晶体管T1生成更大的输出电流并将其向发光元件传输。其结果，发光元件显示更高的亮度。通过如上所述的第三元件，可以在中间区域中调节显示亮度，可以使得无法识别到第一显示区域DA1和第二显示区域DA2的边界部。在此，包括在第三像素中的第三升压电容器Cnb-3的电容大小大于第一升压电容器Cnb-1以及第二升压电容器Cnb-2中的至少一个的电容大小。如图12所示，当第三显示区域位于第一显示区域DA1时，第三升压电容器Cnb-3的电容大小大于第一升压电容器Cnb-1的电容大小，如图15所示，当在第二显示区域DA2中配置有第三显示区域时，第三升压电容器Cnb-3的电容大小大于第二升压电容器Cnb-2的电容大小。

第二晶体管T2是p型晶体管，并且作为半导体层具有硅半导体或者多晶半导体。第二晶体管T2是将数据电压DATA接收到像素中的晶体管。第二晶体管T2的栅极电极与第一扫描线151(参照图17)以及附加升压电容器Cboost的另一电极(以下，称为“下升压电极”)连接。第二晶体管T2的第一电极与数据线171(参照图17)连接。第二晶体管T2的第二电极与驱动晶体管T1的第一电极连接。若第二晶体管T2由通过第一扫描线151传输的第一扫描信号GW[N]中的负极性的电压导通，则通过数据线171传输的数据电压DATA传输到驱动晶体管T1的第一电极，最终，数据电压DATA传输到驱动晶体管T1的栅极电极并存储到保持电容器Cst。

第三晶体管T3是n型晶体管，并且作为半导体层具有氧化物半导体。第三晶体管T3电连接驱动晶体管T1的第二电极和驱动晶体管T1的栅极电极。其结果，第三晶体管T3是使得数据电压DATA补偿相当于驱动晶体管T1的阈值电压之后存储到保持电容器Cst的第二保持电极的晶体管。第三晶体管T3的栅极电极与第二扫描线152(参照图17)连接，第三晶体管T3的第一电极与驱动晶体管T1的第二电极连接。第三晶体管T3的第二电极与保持电容器Cst的第二保持电极、驱动晶体管T1的栅极电极以及附加升压电容器Cboost的一电极(以下，称为“上升压电极”)连接。第三晶体管T3由通过第二扫描线152接收的第二扫描信号GC[N]中的正极性的电压导通，从而连接驱动晶体管T1的栅极电极和驱动晶体管T1的第二电极，并且将施加到驱动晶体管T1的栅极电极的电压向保持电容器Cst的第二保持电极传输并存储到保持电容器Cst。此时，存储到保持电容器Cst的电压以存储驱动晶体管T1截止时的驱动晶体管T1的栅极电极的电压而补偿驱动晶体管T1的阈值电压(Vth)值的状态存储。

升压电容器Cnb-1、Cnb-2、Cnb-3位于第三晶体管T3的栅极电极和第三晶体管T3的第二电极之间，一端(称为下附加升压电极)与被施加第二扫描信号GC[N]的第二扫描线连接，另一端(也称为上附加升压电极)与第三晶体管T3的第二电极连接，追加地还与驱动晶体管T1的栅极电极、保持电容器Cst的一电极(“第二保持电极”)、附加升压电容器Cboost的一电极(上升压电极)以及第四晶体管T4的第二电极连接。

在为了使得第三晶体管T3从导通状态改变为截止状态而以第二扫描信号GC[N]施加低的电压时，升压电容器Cnb-1、Cnb-2、Cnb-3也会使得驱动晶体管T1的栅极电极的电压降低，因此升压电容器Cnb-1、Cnb-2、Cnb-3的电容值越大，使得驱动晶体管T1生成更大的输出电流并向发光元件传输。其结果，发光元件显示更高的亮度。

第四晶体管T4是n型晶体管，并且作为半导体层具有氧化物半导体。第四晶体管T4起到初始化驱动晶体管T1的栅极电极以及保持电容器Cst的第二保持电极的作用。第四晶体管T4的栅极电极与初始化控制线153(参照图17)连接，第四晶体管T4的第一电极与第一初始化电压线127(参照图17)连接。第四晶体管T4的第二电极与第三晶体管T3的第二电极、保持电容器Cst的第二保持电极、驱动晶体管T1的栅极电极以及附加升压电容器Cboost的上升压电极连接。第四晶体管T4由通过初始化控制线153接收的初始化控制信号GI[N]中的正极性的电压导通，此时，通过将第一初始化电压VINT传输给驱动晶体管T1的栅极电极、保持电容器Cst的第二保持电极以及附加升压电容器Cboost的上升压电极而将它们初始化。

第五晶体管T5以及第六晶体管T6是p型晶体管，并且作为半导体层具有硅半导体或者多晶半导体。

第五晶体管T5起到将驱动电压ELVDD传输给驱动晶体管T1的作用。第五晶体管T5的栅极电极与发光控制线155(参照图17)连接，第五晶体管T5的第一电极与驱动电压线172(参照图17)连接，第五晶体管T5的第二电极与驱动晶体管T1的第一电极连接。

第六晶体管T6起到将从驱动晶体管T1输出的发光电流向发光元件传输的作用。第六晶体管T6的栅极电极与发光控制线155连接，第六晶体管T6的第一电极与驱动晶体管T1的第二电极连接，第六晶体管T6的第二电极与发光元件的阳极连接。

第七晶体管T7是p型晶体管，并且作为半导体层具有硅半导体(多晶半导体)或者氧化物半导体。第七晶体管T7起到初始化发光元件的阳极的作用。第七晶体管T7的栅极电极与第一扫描线151连接，第七晶体管T7的第一电极与发光元件的阳极连接，第七晶体管T7的第二电极与第二初始化电压线128(参照图17)连接。若第七晶体管T7通过第一扫描线151中的负极性的电压导通，则第二初始化电压AVINT施加到发光元件的阳极而发光元件的阳极被初始化。另一方面，第七晶体管T7的栅极电极可以与单独的旁路控制线连接，从而用与第一扫描线151单独的布线进行控制。另外，根据实施例，被施加第二初始化电压AVINT的第二初始化电压线128可以与被施加第一初始化电压VINT的第一初始化电压线127彼此相同。

虽然说明为一个像素包括七个晶体管(T1～T7)、三个电容器(保持电容器Cst、附加升压电容器Cboost、升压电容器Cnb-1、Cnb-2、Cnb-3)，但不限于此，根据实施例，也可以除去附加升压电容器Cboost。另外，虽然是第三晶体管T3以及第四晶体管T4形成为n型晶体管的实施例，但也可以是，它们中的仅有一个形成为n型晶体管，或者，其它晶体管也形成为n型晶体管。

以上，观察了形成在第一显示区域DA1中的第一像素、形成在第二显示区域DA2中的第二像素以及位于边界部的第三显示区域的第三像素的整体电路结构。

位于边界部的第三显示区域可以位于第一显示区域DA1之中或者位于第二显示区域DA2之中，可以通过如下的表来确认并确定。

[表1]

解释表1的含义如下。

由于第一显示区域DA1和第二显示区域DA2的亮度不同，因此在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中分别显示用户容易识别边界部的灰度级之后，比较两个区域的亮度。此时，当第一显示区域DA1的亮度显示为低且第二显示区域DA2的亮度显示为高而识别到边界部时，将第三显示区域形成在第一显示区域DA1中并形成为与第二显示区域DA2相接。相反，当第二显示区域DA2的亮度显示为低且第一显示区域DA1的亮度显示为高而识别到边界部时，将第三显示区域形成在第二显示区域DA2中并形成为与第一显示区域DA1相接。第三显示区域可以显示第一显示区域DA1和第二显示区域DA2的中间亮度。

以下，图12至图14示出了在第一显示区域DA1中形成第三显示区域的实施例，图15以及图16示出了在第二显示区域DA2中形成第三显示区域的实施例。

首先，通过图12至图14，观察将第三显示区域形成在第一显示区域DA1中的实施例。在图12至图14中，由于第一显示区域DA1的亮度低于第二显示区域DA2的亮度，因此，通过第三显示区域提高第一显示区域DA1的边界部中的亮度，从而使得用户无法识别到第一显示区域DA1和第二显示区域DA2之间的边界部。

首先，观察图12。

图12是示意性地示出根据一实施例的显示面板的像素配置的图。

在图12中示出的四边形意指驱动电路部PC，包括总共三个驱动电路部PC1、PC1-2、PC2。

在图12中，第一显示区域DA1在与第二显示区域DA2相接的部分中包括第三显示区域DA1-2，在除此之外的部分中形成有形成于一般的第一显示区域DA1的第一像素。在第三显示区域DA1-2中交替形成有分别与第一像素和第三像素相对应的驱动电路部PC1、PC1-2。除了升压电容器的大小之外，包括在第一像素中的第一驱动电路部PC1和包括在第三像素中的第三驱动电路部PC1-2可以形成为全部相同。即，第三驱动电路部PC1-2的第三升压电容器Cnb-3的电容的大小形成为大于第一驱动电路部PC1的第一升压电容器Cnb-1的电容的大小。与第一驱动电路部PC1的第一升压电容器Cnb-1相比，在第三驱动电路部PC1-2的第三升压电容器Cnb-3中可以还形成有追加地重叠的面积。

另一方面，若比较第一显示区域DA1的第一像素的第一驱动电路部PC1和第二显示区域DA2的第二像素的第二驱动电路部PC2，则第二驱动电路部PC2的面积形成为第一驱动电路部PC1的面积的四倍。其结果，与第一驱动电路部PC1的驱动晶体管T1的大小以及电容器(包括第一升压电容器Cnb-1)的电容相比，第二驱动电路部PC2的驱动晶体管T1的大小以及电容器(包括第二升压电容器Cnb-2)的电容大，可以是约四倍左右。

因此，与第一驱动电路部PC1以及第三驱动电路部PC1-2相比，第二驱动电路部PC2的驱动晶体管T1的大小(沟道的长度及/或宽度)可以形成为两倍以上，第一驱动电路部PC1的驱动晶体管T1的大小和第三驱动电路部PC1-2的驱动晶体管T1的大小可以具有实质上相同的值。

另一方面，与第一驱动电路部PC1以及第三驱动电路部PC1-2相比，第二驱动电路部PC2的第二升压电容器Cnb-2的电容大小可以形成为两倍以上，第三驱动电路部PC1-2的第三升压电容器Cnb-3的电容大小形成为大于第一驱动电路部PC1的第一升压电容器Cnb-1的电容大小。

在如上所述的结构中，针对相同的数据电压DATA，第二驱动电路部PC2生成最大的电流并向多个第二发光元件ED2传输，多个第二发光元件ED2分流接收电流而显示期望的亮度。此时，第二发光元件ED2所显示的亮度大于正常第一显示区域DA1-1的第一发光元件ED1所显示的亮度。针对相同的数据电压DATA，与第一驱动电路部PC1相比，第三驱动电路部PC1-2生成大的电流，使得连接于第三驱动电路部PC1-2的发光元件呈现出更高的亮度。在图12的第三显示区域DA1-2中包括有使得针对相同的数据电压DATA显示相对高的亮度的第三驱动电路部PC1-2，从而通过减小正常第一显示区域DA1-1和第二显示区域DA2之间的亮度差异来使得用户无法识别到边界。在此，在第三驱动电路部PC1-2中包括有大于第一驱动电路部PC1的第三升压电容器Cnb-3，从而第三升压电容器Cnb-3通过降低驱动晶体管T1的栅极电极的电压来提高驱动晶体管T1的输出电流。

在图12中示出了在第三显示区域DA1-2中交替形成有分别与第一像素和第三像素相对应的驱动电路部PC1、PC1-2的实施例。但是，第一显示区域DA1的亮度低于第二显示区域DA2的亮度而第三显示区域位于第一显示区域DA1之中的情况除了图12的实施例之外，可以如图13那样形成为各种实施例。

图13是示意性地示出根据各种实施例的显示面板的像素配置的图。

在图13中用虚线示出的部分与图12的第三显示区域DA1-2相对应。

在图13的(A)中示出了在第三显示区域DA1-2中每一列交替配置有第一驱动电路部PC1和第三驱动电路部PC1-2的实施例。在图13的(B)中示出了每一行交替配置有第一驱动电路部PC1和第三驱动电路部PC1-2的实施例，图13的(C)虽然是如图13的(A)那样按照每一列交替配置的实施例，但是示出了与第二显示区域DA2相接的列彼此不同的实施例。图13的(D)是交替重复形成有以2×1排列的第一驱动电路部PC1和第三驱动电路部PC1-2的单位驱动电路部的实施例，图13的(E)是交替重复形成有以1×2排列的第一驱动电路部PC1和第三驱动电路部PC1-2的单位驱动电路部的实施例，图13的(F)是交替重复形成有以2×2排列的第一驱动电路部PC1和第三驱动电路部PC1-2的单位驱动电路部的实施例。图13的(G)是每两列交替配置有第一驱动电路部PC1和第三驱动电路部PC1-2的实施例，在图13的(H)中虽然如图13(G)那样每两列交替配置有第一驱动电路部PC1和第三驱动电路部PC1-2，但是示出了与第二显示区域DA2相接的列彼此不同的实施例。另一方面，在图13的(I)中示出了每两行交替配置有第一驱动电路部PC1和第三驱动电路部PC1-2的实施例。

在图13中示出了各种实施例，但是除此之外，也可以以各种方式在第三显示区域DA1-2中排列第一驱动电路部PC1和第三驱动电路部PC1-2。

以下，通过图14，观察根据图12的实施例的效果。

图14是拍摄比较例和根据图12的实施例的显示面板中的边界部周边的图。

图14的(A)是作为比较例在边界部中不包括第三显示区域而第一显示区域和第二显示区域直接相接而构成边界的情况，在右侧拍摄的照片中可以确认到由于亮度的差异而识别到边界部。

而另一方面，如图12的实施例那样，图14的(B)是在第一显示区域DA1之中形成第三显示区域并交替排列第一驱动电路部PC1以及第三驱动电路部PC1-2的情况，如在右侧拍摄的照片那样，具有无法清楚看到边界部的优点。

这种效果的原因在于，当第一显示区域DA1显示低于第二显示区域DA2的亮度时，将包括具有相对大的升压电容器(第三升压电容器Cnb-3)的第三驱动电路部PC1-2的第三显示区域形成为在第一显示区域DA1之中与第二显示区域DA2相接，并且与其余第一显示区域DA1相比，显示高的亮度，从而使得无法识别到与第二显示区域DA2的边界。

以下，通过图15以及图16，作为第二显示区域DA2的亮度显示为较低且第一显示区域DA1的亮度显示为较高的情况，观察将第三显示区域形成在第二显示区域DA2中以与第一显示区域DA1相接的实施例。

首先，观察图15。

图15是示意性地示出根据又另一实施例的显示面板的像素配置的图。

在图15中示出的四边形意指驱动电路部PC，包括总共三个驱动电路部PC1、PC2-2、PC2。

在图15中，第二显示区域DA2在与第一显示区域DA1相接的部分中包括第三显示区域DA2-2，在除此之外的部分中形成有形成于一般的第二显示区域DA2-1中的第二像素。在第三显示区域DA2-2中交替形成有分别与第二像素和第三像素相对应的驱动电路部PC2、PC2-2。除了升压电容器的大小之外，包括在第二像素中的第二驱动电路部PC2和包括在第三像素中的第三驱动电路部PC2-2可以形成为全部相同。即，第三驱动电路部PC2-2的第三升压电容器Cnb-3的电容的大小形成为大于第二驱动电路部PC2的第二升压电容器Cnb-2的电容的大小。与第二驱动电路部PC2的第二升压电容器Cnb-2相比，第三驱动电路部PC2-2的第三升压电容器Cnb-3中可以还形成有追加地重叠的面积。

另一方面，若比较第一显示区域DA1的第一像素的第一驱动电路部PC1和第二显示区域DA2的第二像素的第二驱动电路部PC2，则第二驱动电路部PC2的面积形成为第一驱动电路部PC1的面积的四倍。其结果，与第一驱动电路部PC1的驱动晶体管T1的大小以及电容器(包括第一升压电容器Cnb-1)的电容相比，第二驱动电路部PC2的驱动晶体管T1的大小以及电容器(包括第二升压电容器Cnb-2)的电容大，可以是约四倍左右。另外，由于在图15中第三驱动电路部PC2-2的面积也形成为与第二驱动电路部PC2相同的面积，因此与第一驱动电路部PC1的驱动晶体管T1的大小以及电容器(包括第一升压电容器Cnb-1)的电容相比，第三驱动电路部PC2-2的驱动晶体管T1的大小以及电容器(包括第三升压电容器Cnb-3)的电容大，可以是约四倍左右。

因此，与第一驱动电路部PC1相比，第二驱动电路部PC2以及第三驱动电路部PC2-2的驱动晶体管T1的大小(沟道的长度及/或宽度)可以形成为两倍以上，第二驱动电路部PC2的驱动晶体管T1的大小和第三驱动电路部PC2-2的驱动晶体管T1的大小可以具有实质上相同的值。

另一方面，与第一驱动电路部PC1相比，第二驱动电路部PC2以及第三驱动电路部PC2-2的升压电容器Cnb-2、Cnb-3的电容大小可以形成为两倍以上，第三驱动电路部PC2-2的第三升压电容器Cnb-3的电容大小形成为大于第二驱动电路部PC2的第二升压电容器Cnb-2的电容大小。

在如上所述的结构中，针对相同的数据电压DATA，第三驱动电路部PC2-2生成大于第二驱动电路部PC2的电流并向连接的发光元件传输，并且第三驱动电路部PC2-2和第二驱动电路部PC2各自与多个发光元件连接，从而通过对电流进行分流并施加到各发光元件来显示期望的亮度。此时，与第二驱动电路部PC2连接的第二发光元件ED2所显示的亮度低于第一显示区域DA1的第一发光元件ED1所显示的亮度。在图15的第三显示区域DA2-2中包括有使得针对相同的数据电压DATA显示相对高的亮度的第三驱动电路部PC2-2，从而通过减小正常第二显示区域DA2-1和第一显示区域DA1之间的亮度差异来使得用户无法识别到边界。在此，在第三驱动电路部PC2-2中包括有大于第二驱动电路部PC2的第三升压电容器Cnb-3，从而第三升压电容器Cnb-3通过降低驱动晶体管T1的栅极电极的电压来提高驱动晶体管T1的输出电流。

在图15中示出了在第三显示区域DA2-2中交替形成有分别与第二像素和第三像素相对应的驱动电路部PC2、PC2-2的实施例。但是，第二显示区域DA2的亮度低于第一显示区域DA1的亮度而第三显示区域位于第二显示区域DA2之中的情况除了图15的实施例之外，可以如图16那样形成为各种实施例。

图16是示意性地示出根据各种实施例的显示面板的像素配置的图。

在图16中用虚线示出的部分与图15的第三显示区域DA2-2相对应。

图16的(A)是交替重复形成有以2×1排列的第二驱动电路部PC2和第三驱动电路部PC2-2的单位驱动电路部的实施例，图16的(B)是交替重复形成有以1×2排列的第二驱动电路部PC2和第三驱动电路部PC2-2的单位驱动电路部的实施例。图16的(C)是在第三显示区域DA2-2中每一列交替配置有第二驱动电路部PC2和第三驱动电路部PC2-2的实施例，示出了在与第一显示区域DA1相接的部分中配置有第三驱动电路部PC2-2的实施例。

在图16中示出了各种实施例，但是除此之外，也可以以各种方式在第三显示区域DA2-2中排列第二驱动电路部PC2和第三驱动电路部PC2-2。

以上，叙述了将包括在第三驱动电路部中的升压电容器形成为更大的同时在显示亮度低的显示区域中形成第三显示区域的实施例。但是，当将包括在第三驱动电路部中的升压电容器形成为相对小时，也可以在显示亮度高的区域中形成第三显示区域。

以下，通过图17至图19，具体观察具体的驱动电路部PC的平面以及截面结构。

图17示出了第一驱动电路部PC1或者第二驱动电路部PC2的平面结构，图18以及图19示出了第三驱动电路部PC1-2、PC2-2的平面以及截面结构。与图17是第一驱动电路部PC1的情况相比，在图17是第二驱动电路部PC2的情况下，图17的结构形成在大的面积中，因此即使形成相同的图17的结构，由于面积的差异，实质上存在差异。另一方面，与第三驱动电路部形成在第一显示区域中的情况相比，在第三驱动电路部形成在第二显示区域中的情况下，图18的结构形成在大的面积中，因此这两种情况的结构也可能存在实质性差异。

以下，通过图17，首先观察第一驱动电路部PC1或者第二驱动电路部PC2的结构。

图17是根据一实施例的显示面板中的位于第一显示区域的驱动电路部的平面图。

在基板110之上配置有由硅半导体形成的第一半导体层(以下，也称为多晶半导体层)。第一半导体层包括驱动晶体管T1的沟道1132、第一区域1131以及第二区域1133。另外，第一半导体层不仅包括驱动晶体管T1，而且包括第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6以及第七晶体管T7的沟道，在各沟道的两侧具有由于等离子体处理或者掺杂而具有导电层特性的区域，从而执行第一电极以及第二电极的作用。基板110可以包含玻璃等具有硬性(rigid)特性而不弯曲的物质，或者可以包含塑料或聚酰亚胺(Polyimide)之类可以弯曲的柔性物质。

驱动晶体管T1的沟道1132可以在平面上构成为以U字形状弯曲的形状。然而，驱动晶体管T1的沟道1132的形状不限于此，可以进行各种改变。例如，驱动晶体管T1的沟道1132也可以弯曲为其它形状，也可以构成为棒形状。在驱动晶体管T1的沟道1132的两侧可以配置有驱动晶体管T1的第一区域1131以及第二区域1133。位于第一半导体层的第一区域1131以及第二区域1133执行驱动晶体管T1的第一电极以及第二电极的作用。驱动晶体管T1的第一区域1131在上下方向(第二方向)上延伸，向下侧延伸的部分与第二晶体管T2的第二电极连接，向上侧延伸的部分与第五晶体管T5的第二电极连接。驱动晶体管T1的第二区域1133在平面上向上延伸而与第六晶体管T6的第一电极1161连接，并向下延伸而与第三晶体管T3连接。

在包括驱动晶体管T1的沟道1132、第一区域1131以及第二区域1133的第一半导体层之上可以配置有第一栅极绝缘膜141。第一栅极绝缘膜141可以包含氮化硅(SiN

在第一栅极绝缘膜141之上可以配置有包括驱动晶体管T1的栅极电极1151的第一栅极导电层。第一栅极导电层不仅包括驱动晶体管T1，而且包括第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6以及第七晶体管T7各自的栅极电极以及附加升压电容器Cboost的下升压电极。驱动晶体管T1的栅极电极1151可以与驱动晶体管T1的沟道1132重叠。驱动晶体管T1的沟道1132被驱动晶体管T1的栅极电极1151覆盖。

第一栅极导电层可以还包括第一扫描线151以及发光控制线155。第一扫描线151以及发光控制线155可以在大致横向方向(第一方向)上延伸。第一扫描线151可以与第二晶体管T2的栅极电极连接。第一扫描线151可以与第二晶体管T2的栅极电极构成为一体。第一扫描线151还与第七晶体管T7的栅极电极连接，第五晶体管T5的栅极电极以及第六晶体管T6的栅极电极与发光控制线155连接。

在形成包括驱动晶体管T1的栅极电极1151的第一栅极导电层之后，可以通过执行等离子体处理或者掺杂工艺来导体化第一半导体层的暴露的区域。即，可以是，被第一栅极导电层覆盖的第一半导体层不被导体化，未被第一栅极导电层覆盖的第一半导体层的部分具有与导电层相同的特性。其结果，包括导体化的部分的晶体管可以具有p型晶体管特性，从而驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7是p型晶体管。

在包括驱动晶体管T1的栅极电极1151的第一栅极导电层以及第一栅极绝缘膜141之上可以配置有第二栅极绝缘膜142。第二栅极绝缘膜142可以包含氮化硅(SiN

在第二栅极绝缘膜142之上可以配置有包括保持电容器Cst的第一保持电极1153、第三晶体管T3的下屏蔽层3155以及第四晶体管T4的下屏蔽层4155的第二栅极导电层。下屏蔽层3155、4155可以通过分别位于第三晶体管T3以及第四晶体管T4的沟道的下方来起到屏蔽(shielding)从下侧提供到沟道的光或者电磁干扰等的作用。

第一保持电极1153通过与驱动晶体管T1的栅极电极1151重叠来构成保持电容器Cst。在保持电容器Cst的第一保持电极1153中形成有开口1152，并与在横向方向(第一方向)上延伸而相邻的第一保持电极1153连接。保持电容器Cst的第一保持电极1153的开口1152可以与驱动晶体管T1的栅极电极1151重叠。第三晶体管T3的下屏蔽层3155可以与第三晶体管T3的沟道3137以及栅极电极3151重叠。第四晶体管T4的下屏蔽层4155可以与第四晶体管T4的沟道4137以及栅极电极4151重叠。

第二栅极导电层可以还包括下第二扫描线152a、下初始化控制线153a以及第一初始化电压线127。下第二扫描线152a、下初始化控制线153a以及第一初始化电压线127可以在大致横向方向(第一方向)上延伸。下第二扫描线152a可以与第三晶体管T3的下屏蔽层3155连接。下第二扫描线152a可以与第三晶体管T3的下屏蔽层3155构成为一体。下初始化控制线153a可以与第四晶体管T4的下屏蔽层4155连接。下初始化控制线153a可以与第四晶体管T4的下屏蔽层4155构成为一体。

在包括保持电容器Cst的第一保持电极1153、第三晶体管T3的下屏蔽层3155以及第四晶体管T4的下屏蔽层4155的第二栅极导电层之上可以配置有第一层间绝缘膜161。第一层间绝缘膜161可以包含氮化硅(SiN

在第一层间绝缘膜161之上可以配置有包括第三晶体管T3的沟道3137、第一区域3136以及第二区域3138、第四晶体管T4的沟道4137、第一区域4136以及第二区域4138的氧化物半导体层。另外，氧化物半导体层可以包括附加升压电容器Cboost的上升压电极3138t。

第三晶体管T3的沟道3137、第一区域3136以及第二区域3138、第四晶体管T4的沟道4137、第一区域4136以及第二区域4138可以彼此连接而构成为一体。在第三晶体管T3的沟道3137的两侧配置有第三晶体管T3的第一区域3136以及第二区域3138，在第四晶体管T4的沟道4137的两侧配置有第四晶体管T4的第一区域4136以及第二区域4138。第三晶体管T3的第二区域3138与第四晶体管T4的第二区域4138连接。第三晶体管T3的沟道3137与下屏蔽层3155重叠，第四晶体管T4的沟道4137与下屏蔽层4155重叠。

附加升压电容器Cboost位于氧化物半导体层和第一扫描线151重叠的部分。

在包括第三晶体管T3的沟道3137、第一区域3136以及第二区域3138、第四晶体管T4的沟道4137、第一区域4136以及第二区域4138以及附加升压电容器Cboost的上升压电极3138t的氧化物半导体层之上可以配置有第三栅极绝缘膜143。

第三栅极绝缘膜143可以配置于氧化物半导体层以及第一层间绝缘膜161之上的整个面。因此，第三栅极绝缘膜143可以覆盖第三晶体管T3的沟道3137、第一区域3136以及第二区域3138、第四晶体管T4的沟道4137、第一区域4136以及第二区域4138、附加升压电容器Cboost的上升压电极3138t的上面以及侧面。然而，本实施例不限于此，第三栅极绝缘膜143也可以不配置于氧化物半导体层以及第一层间绝缘膜161之上的整个面。例如，第三栅极绝缘膜143也可以与第三晶体管T3的沟道3137重叠，而与第一区域3136以及第二区域3138不重叠。另外，第三栅极绝缘膜143也可以与第四晶体管T4的沟道4137重叠，而与第一区域4136以及第二区域4138不重叠。

在第三栅极绝缘膜143之上可以配置有包括第三晶体管T3的栅极电极3151、第四晶体管T4的栅极电极4151以及升压电容器Cnb-1、Cnb-2的下电极的第三栅极导电层。

第三晶体管T3的栅极电极3151可以与第三晶体管T3的沟道3137重叠。第三晶体管T3的栅极电极3151可以与第三晶体管T3的下屏蔽层3155重叠。

第四晶体管T4的栅极电极4151可以与第四晶体管T4的沟道4137重叠。第四晶体管T4的栅极电极4151可以与第四晶体管T4的下屏蔽层4155重叠。

第三栅极导电层可以还包括上第二扫描线152b以及上初始化控制线153b。

上第二扫描线152b以及上初始化控制线153b可以在大致横向方向(第一方向)上延伸。上第二扫描线152b与下第二扫描线152a一起构成第二扫描线152。上第二扫描线152b可以与第三晶体管T3的栅极电极3151连接。上第二扫描线152b可以与第三晶体管T3的栅极电极3151构成为一体。上第二扫描线152b的一部分构成升压电容器Cnb-1、Cnb-2的下电极。上初始化控制线153b与下初始化控制线153a一起构成初始化控制线153。上初始化控制线153b可以与第四晶体管T4的栅极电极4151连接。上初始化控制线153b可以与第四晶体管T4的栅极电极4151构成为一体。

在形成包括第三晶体管T3的栅极电极3151以及第四晶体管T4的栅极电极4151的第三栅极导电层之后，通过等离子体处理或者掺杂工艺，被第三栅极导电层覆盖的氧化物半导体层的部分形成为沟道，未被第三栅极导电层覆盖的氧化物半导体层的部分被导体化。第三晶体管T3的沟道3137可以位于栅极电极3151之下以与栅极电极3151重叠。第三晶体管T3的第一区域3136以及第二区域3138可以与栅极电极3151不重叠。第四晶体管T4的沟道4137可以位于栅极电极4151之下以与栅极电极4151重叠。第四晶体管T4的第一区域4136以及第二区域4138可以与栅极电极4151不重叠。上升压电极3138t可以与第三栅极导电层不重叠。包含氧化物半导体层的晶体管可以具有n型晶体管的特性。

包括第三晶体管T3的栅极电极3151以及第四晶体管T4的栅极电极4151的第三栅极导电层之上可以配置有第二层间绝缘膜162。第二层间绝缘膜162可以具有单层或者多层结构。第二层间绝缘膜162可以包含氮化硅(SiN

第一开口1165可以与驱动晶体管T1的栅极电极1151的至少一部分重叠。第一开口1165也可以形成在第三栅极绝缘膜143、第一层间绝缘膜161以及第二栅极绝缘膜142中。第一开口1165可以与第一保持电极1153的开口1152重叠。第一开口1165可以位于第一保持电极1153的开口1152的内侧。

第二开口1166可以与附加升压电容器Cboost的至少一部分重叠。第二开口1166可以还形成在第三栅极绝缘膜143中。

第三开口3165可以与驱动晶体管T1的第二区域1133的至少一部分重叠。第三开口3165可以还形成在第三栅极绝缘膜143、第一层间绝缘膜161、第二栅极绝缘膜142以及第一栅极绝缘膜141中。

第四开口3166可以与第三晶体管T3的第一区域3136的至少一部分重叠。第四开口3166可以还形成在第三栅极绝缘膜143中。

在第二层间绝缘膜162之上可以配置有包括第一连接电极1175、第二连接电极3175以及升压电容器Cnb-1、Cnb-2的上电极的第一数据导电层。

第一连接电极1175可以与驱动晶体管T1的栅极电极1151重叠。第一连接电极1175可以通过第一开口1165以及第一保持电极1153的开口1152与驱动晶体管T1的栅极电极1151连接。

第一连接电极1175的一部分与上第二扫描线152b重叠的同时构成升压电容器Cnb-1、Cnb-2。其结果，上第二扫描线152b的一部分构成升压电容器Cnb-1、Cnb-2的下电极，第一连接电极1175的一部分构成升压电容器Cnb-1、Cnb-2的上电极。

第二连接电极3175可以与驱动晶体管T1的第二区域1133重叠。第二连接电极3175可以通过第三开口3165与驱动晶体管T1的第二区域1133连接。第二连接电极3175可以与第三晶体管T3的第一区域3136重叠。第二连接电极3175可以通过第四开口3166与第三晶体管T3的第一区域3136连接。因此，驱动晶体管T1的第二区域1133和第三晶体管T3的第一区域3136可以通过第二连接电极3175连接。

第一数据导电层可以还包括第二初始化电压线128。第二初始化电压线128可以在大致横向方向(第一方向)上延伸。

在包括第一连接电极1175、第二连接电极3175以及升压电容器Cnb-1、Cnb-2的上电极的第一数据导电层之上可以配置有第一有机膜180。第一有机膜180可以由有机物质形成。

在第一有机膜180之上可以配置有包括数据线171以及驱动电压线172的第二数据导电层。数据线171以及驱动电压线172可以在大致纵向方向(第二方向)上延伸。数据线171可以与第二晶体管T2连接。驱动电压线172可以与第五晶体管T5连接。另外，驱动电压线172可以与第一保持电极1153连接。

参考图17，第二数据导电层可以追加地包括阳极连接部件ACL1。阳极连接部件ACL1与由形成在第一有机膜180以及其之下的绝缘膜中的开口3261暴露的第六晶体管T6的第二电极1163连接。阳极连接部件ACL1通过开口CNT1暴露而与阳极电连接。

在包括数据线171、驱动电压线172以及阳极连接部件ACL1的第二数据导电层之上可以配置有第二有机膜181以及第三有机膜182。第二有机膜181以及第三有机膜182可以由有机物质形成。

虽然在图17中省略了示出，但是可以在第三有机膜182之上形成阳极、发光层、阴极而形成发光元件，也可以配置有划分相邻的发光元件的分隔壁。更具体地，在第三有机膜182之上可以配置有阳极。像素界定膜可以形成在阳极之上且与阳极的一端重叠。形成在像素界定膜中的开口暴露阳极，在开口中形成发光层，在像素界定膜和发光层之上形成阴极，从而完成包括阳极、发光层、阴极的发光元件。另一方面，在阴极之上可以还包括覆盖其的封装层。

以上，通过图17，观察了第一显示区域DA1的第一驱动电路部PC1或者第二显示区域DA2的第二驱动电路部PC2的平面结构。

以下，通过图18以及图19，观察形成在第一显示区域DA1或者第二显示区域DA2中的第三显示区域DA1-2、DA2-2的第三驱动电路部PC1-2、PC2-2的结构。

图18是根据一实施例的显示面板中的位于中间区域的驱动电路部的平面图，图19是沿着图18的XIX-XIX'的截面线的截面图。

图18的平面结构与图17几乎相同，仅在配置有升压电容器Cnb-1、Cnb-2、Cnb-3的部分的结构即第一连接电极1175的结构上存在区别。

具体地仅观察与图17存在区别的第三升压电容器Cnb-3部分如下。

与图17不同地，在图18中形成有第一连接电极1175追加地沿着上第二扫描线152b在横向方向(第一方向)上凸出的凸出部1175-p。在图18中凸出部1175-p全部在平面上与上第二扫描线152b重叠的同时使得第三升压电容器Cnb-3的电容值变大。即，第三升压电容器Cnb-3的下电极是上第二扫描线152b中的与第一连接电极1175和凸出部1175-p在平面上重叠的部分，上电极位于第一连接电极1175中的与上第二扫描线152b在平面上重叠的区域和凸出部1175-p。

参考图19，第三升压电容器Cnb-3将上第二扫描线152b中的一部分与第一连接电极1175和凸出部1175-p作为下电极以及上电极，并将位于其之间的第二层间绝缘膜162构成为介电层。

图17中的升压电容器Cnb-1、Cnb-2的下电极以及上电极分别位于上第二扫描线152b和第一连接电极1175在平面上重叠的部分。因此，图18的第三驱动电路部PC1-2、PC2-2的第三升压电容器Cnb-3的电容值具有更大相当于从第一连接电极1175凸出的凸出部1175-p的值。

以上，如图18那样将具有向一方向凸出的升压电容器的驱动电路部限定为第三驱动电路部进行了说明，但是根据实施例，第一驱动电路部或第二驱动电路部也可以具有凸出的升压电容器。然而，包括在第三驱动电路部中的升压电容器的电容大小需要形成为大于包括在第一驱动电路部以及第二驱动电路部中的升压电容器中的一个。

以下，通过图20至图22，观察根据构成升压电容器的凸出部的大小的三个实施例的亮度差异。

首先，通过图20，分别观察三个实施例。

图20是示出位于中间区域的驱动电路部的各种实施例的图。

在图20中示出的实施例1、实施例2以及实施例3中，第一连接电极1175逐渐具有大的凸出部1175-p(1)、1175-p(2)、1175-p(3)，从而包括在第三驱动电路部PC1-2、PC2-2中的升压电容器的电容的值变大。此时，包括在第三驱动电路部PC1-2、PC2-2中的驱动晶体管T1的大小相同，保持电容器Cst的电容的大小也相同，除此之外的其它的元件的大小也相同。

通过图21以及图22，观察针对如上所述的三个实施例的特征的差异。

图21是示出针对图20的实施例的发光亮度的曲线图，图22是拍摄包括图20的实施例的显示面板中的边界部的黑色的显示的图。

在图21中，用曲线示出了在针对三个实施例显示127灰度级、192灰度级、255灰度级时的亮度的差异。通过图21可以确认到，当驱动电路部的所有元件的大小相同时，随着升压电容器Cnb的电容的值变大，针对各灰度级的亮度也变大。其原因在于，在为了使得第三晶体管T3从导通状态改变为截止状态而以第二扫描信号GC[N]施加低的电压时，升压电容器Cnb也会使驱动晶体管T1的栅极电极的电压降低，因此升压电容器Cnb的电容值越大，驱动晶体管T1生成更大的输出电流。

通过图22，观察将如上所述的三个实施例分别形成在第三显示区域中的显示面板。

在图22中拍摄了显示面板显示黑色(black)时的显示面板，当显示黑色时，由于升压电容器Cnb的电容而显示亮度，但是可以确认到，升压电容器Cnb的电容越大，在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2之间显示地越模糊。图22是显示黑色的情况，因此存在相应部分发出微弱的光而被识别的可能性，但是在除此之外的灰度级中随着改变为中间灰度级而无法识别到边界。

以上，针对本发明的实施例详细地进行了说明，但是本发明的权利范围不限于此，本领域技术人员利用权利要求书中所定义的本发明的基本概念进行的多种变形和改良形式也属于本发明的权利范围。