一种宽禁带半导体异质结渡越时间二极管噪声检测方法及系统

技术领域

本发明涉及二极管检测技术领域，尤其涉及一种宽禁带半导体异质结渡越时间二极管噪声检测方法。

背景技术

碰撞电离雪崩渡越时间(Impact Ionization Avalanche Transit Time,IMPATT)二极管、混合隧穿雪崩渡越时间(Mixed Tunneling Avalanche Transit Time,MITATT)二极管是效率高、成本低、应用前景广泛的太赫兹(THz)波固态功率源。IMPATT二极管是利用电离雪崩倍增载流子的注入延迟效应与载流子漂移渡越延迟效应相结合产生负阻效应的半导体器件；MITATT二极管是利用场致隧穿和电离雪崩倍增载流子的注入延迟效应与载流子漂移渡越延迟效应相结合而产生负阻效应的半导体器件。电离雪崩在两种二极管中起主要作用，不仅输出交流信号功率，同时伴随噪声。IMPATT二极管不考虑场致隧穿效应，MITATT二极管的场致隧穿效应主要体现在载流子连续性方程中，使得MITATT二极管的载流子分布与IMPATT二极管的不同。低噪声的IMPATT、MITATT二极管将推动THz波技术在雷达、天文探测、生物医学信息处理、通信等领域的广泛应用。

噪声是衡量IMPATT、MITATT二极管等器件性能的重要指标。过去，在IMPATT、MITATT二极管噪声的研究中，一般把噪声当作大信号来对待，适合Si、GaAs等窄禁带半导体IMPATT、MITATT二极管。例如，Reidar.L.

从上面的对比文献分析可见，大信号噪声理论比较适用于Si材料低频IMPATT器件；大信号噪声理论可以计算AM、FM噪声随频率的变化，突出噪声功率与载波功率之比——载噪比，没有展示噪声本身的强弱。

由于临界击穿场强等材料特征参数的限制，高频特别是太赫兹(THz)频段IMPATT二极管、MITATT二极管必须采用临界击穿场强更高的宽禁带半导体材料(SiC、GaN等)。与Si材料中电子、空穴电离率的大小关系不同，SiC、GaN等宽禁带半导体的电子电离率(α

在现有技术中，由于IMPATT二极管、MITATT二极管的散粒噪声σ

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种宽禁带半导体异质结渡越时间二极管噪声检测方法及系统，能克服现有技术对二极管噪声检测精度较低及误差大的问题。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种宽禁带半导体异质结渡越时间二极管噪声检测方法，包括以下步骤：

S1、获取被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管，并结合被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管的噪声影响因素，对被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管预设的连续性方程、电流密度方程及泊松方程进行修正；其中，所述被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管为碰撞电离雪崩渡越时间IMPATT二极管或混合隧穿雪崩渡越时间MITATT二极管；IMPATT二极管的噪声影响因素包括电离雪崩效应和量子效应；MITATT二极管的噪声影响因素包括电离雪崩效应、量子效应和场致隧穿效应；

S2、对被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管模型网格化，并基于网格化的被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管模型，对被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管的修正后的连续性方程、电流密度方程及泊松方程组成的方程组进行离散化；

S3、求解离散化后的方程组，得到被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管的结构参数值、稳态性能参数值、交流性能参数值；

S4、构建被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管的噪声模型，并将所述稳态参数值、交流参数值导入所述噪声模型中进行迭代计算，得到被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管的噪声参数值。

其中，所述步骤S2具体包括：

将被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管有源区的一维空间(x)、一维时间(t)分别均匀分隔，形成均匀网格；其中，1、2、……、i、……、N代表电子、空穴浓度位置的空间节点；1、2、……、j、……、N代表电场强度、电流密度、产生率位置的空间节点，相邻点之间的位置差Δx为一维空间的步长；1、2、……、k、……、N为时间节点，相邻点之间的时间差Δt为一维时间的步长，其中i、j、k、N都为自然数，而且i、j、k均小于N，N小于10000；

将修正后的连续性方程、电流密度方程及泊松方程分别进行离散化处理，并将离散化的空穴电流密度、电子电流密度分别代入到离散化的空穴连续性方程、电子连续性方程中，得到对应空穴、电子的三对角元素方程组的标准差分形式，且进一步与离散化的泊松方程相结合，得到离散化处理后的方程组。

其中，所述宽禁带半导体异质结渡越时间二极管的结构参数包括异质结面积、漂移区宽度、雪崩区宽度。

其中，所述被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管的稳态性能参数包括空穴或电子分布、空穴或电子电流密度分布，以及峰值电场强度、击穿电压、雪崩电压、最大雪崩产生率、最大隧穿产生率、直流功率。

其中，所述被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管的交流性能参数包括二极管负阻、电导、电纳。

其中，所述被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管的噪声参数包括噪声场强分布、单位带宽的均方噪声电压、噪声测度。

本发明实施例还提供了一种宽禁带半导体异质结渡越时间二极管噪声检测系统，包括方程修正单元、方程离散单元、方程求解单元和噪声结果输出单元；其中，

所述方程修正单元，用于获取被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管，并结合被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管的噪声影响因素，对被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管预设的连续性方程、电流密度方程及泊松方程进行修正；其中，所述被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管为IMPATT二极管或MITATT二极管；IMPATT二极管的噪声因素包括电离雪崩效应和量子效应；MITATT二极管的噪声因素包括电离雪崩效应、量子效应和场致隧穿效应；

所述方程离散单元，用于对被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管模型网格化，并基于网格化的被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管模型，对被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管的修正后的连续性方程、电流密度方程及泊松方程组成的方程组进行离散化；

所述方程求解单元，用于求解离散化处理后的方程组，得到被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管的结构参数值、稳性能态参数值、交流性能参数值；

所述噪声结果输出单元，用于构建被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管的噪声模型，并将所述稳态参数值导入所述噪声模型和所述边界条件中进行迭代计算，得到被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管的噪声参数值。

其中，所述宽禁带半导体异质结渡越时间二极管的结构参数包括异质结面积、漂移区宽度、雪崩区宽度。

其中，所述被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管的稳态性能参数包括空穴或电子分布、空穴或电子电流密度分布，以及峰值电场强度、击穿电压、雪崩电压、最大雪崩产生率、最大隧穿产生率、直流功率。

其中，所述被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管的交流性能参数包括二极管负阻、电导、电纳。

其中，所述被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管的噪声参数包括噪声场强分布、单位带宽的均方噪声电压、噪声测度。

实施本发明实施例，具有如下有益效果：

1、本发明便捷地获得宽禁带半导体异质结IMPATT、MITATT二极管的稳态参数、交流参数、噪声参数，通过反映噪声电场强度在IMPATT、MITATT二极管有源区的分布，进而计算单位带宽的均方噪声电压、噪声测度随着频率变化的规律，克服了现有技术对二极管噪声检测精度较低及误差大的问题；

2、本发明获得的单位带宽的均方噪声电压、噪声测度不依赖于输入的信号功率，能够准确反映IMPATT、MITATT二极管的噪声性能，因此可以开展逆向优化设计，得到性能优越的宽禁带半导体异质结IMPATT、MITATT二极管。

3、本发明实施例选区的是双漂移区、单雪崩区IMPATT、MITATT二极管，但也适用于单漂移区、单雪崩区或者双漂移区、双单雪崩区IMPATT、MITATT二极管。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，根据这些附图获得其它的附图仍属于本发明的范畴。

图1为本发明实施例提供的宽禁带半导体异质结渡越时间二极管噪声检测方法的流程图；

图2为本发明实施例提供的宽禁带半导体异质结渡越时间二极管噪声检测方法的应用场景中IMPATT、MITATT二极管结构及能带示意图；

图3为本发明实施例提供的宽禁带半导体异质结渡越时间二极管噪声检测方法的应用场景中宽禁带半导体GaN、SiC的空穴电离率(α

图4为本发明实施例提供的宽禁带半导体异质结渡越时间二极管噪声检测方法的应用场景中GaN/SiC异质结IMPATT、MITATT二极管的噪声电场分布结果示意图；

图5为本发明实施例提供的宽禁带半导体异质结渡越时间二极管噪声检测方法的应用场景中GaN/SiC异质结IMPATT、MITATT二极管的单位带宽的均方噪声电压结果示意图；

图6为本发明实施例提供的宽禁带半导体异质结渡越时间二极管噪声检测方法的应用场景中GaN/SiC异质结IMPATT、MITATT二极管的噪声测度结果示意图；

图7为本发明实施例提供的宽禁带半导体异质结渡越时间二极管噪声检测系统的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步的详细描述。

如图1所示，为本发明实施例中，提供的一种宽禁带半导体异质结渡越时间二极管噪声检测方法，包括以下步骤：

S1、获取被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管，并结合被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管的噪声影响因素，对被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管预设的连续性方程、电流密度方程及泊松方程进行修正；其中，被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管为碰撞电离雪崩渡越时间IMPATT二极管或混合隧穿雪崩渡越时间MITATT二极管；IMPATT二极管的噪声影响因素包括电离雪崩效应和量子效应；MITATT二极管的噪声影响因素包括电离雪崩效应、量子效应和场致隧穿效应；

S2、对被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管模型网格化，并基于网格化的被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管模型，对被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管的修正后的连续性方程、电流密度方程及泊松方程组成的方程组进行离散化；

S3、求解离散化处理后的方程组，得到被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管的结构参数值、稳态性能参数值、交流性能参数值；

S4、构建被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管的噪声模型，并将所述稳态参数值、交流参数值导入所述噪声模型中进行迭代计算，得到被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管的噪声参数值，该噪声参数包括噪声场强分布、单位带宽的均方噪声电压、噪声测度。

具体过程为，发明人发现，当IMPATT二极管、MITATT二极管的工作频率达到THz频段，IMPATT二极管、MITATT二极管的尺寸接近GaN、SiC材料中空穴、电子的德布罗意波长λ

以MITATT二极管为例对整个方法的流程进行详细说明，具体过程如下：

在步骤S1中，在根据施敏的经验公式(W

其中，MITATT二极管的空穴、电子的连续性方程(1)、(1′)以及电流密度方程(2)、(2′)必须考虑电离雪崩效应、场致隧穿效应、量子效应，分别修正为：

式中q为基本电荷量，

在式(1)、(1′)中的空穴、电子电离雪崩产生率G

G

G

式中α

当MITATT二极管工作在THz频段时，它内部有源区的电场强度(E)很高，α

式中P

空穴、电子速率v

式中v

在MITATT二极管中，空穴、电子隧穿同时发生，空穴、电子隧穿产生率相同，即G

g

式中的系数A

式中m

位置x、x

x

x

式中E

当MITATT二极管的工作波长进入THz频段，二极管的尺寸接近GaN、SiC等宽禁带半导体中空穴、电子的德布罗意波长λ

式中

在步骤S2中，首先，将MITATT二极管(即被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管)有源区的一维空间(x)、一维时间(t)分别均匀分隔，形成均匀网格；其中，1、2、……、i、……、N代表电子、空穴浓度位置的空间节点；1、2、……、j、……、N代表电场强度、电流密度、产生率位置的空间节点，相邻点之间的位置差Δx为一维空间的步长；1、2、……、k、……、N为时间节点，相邻点之间的时间差Δt为一维时间的步长，其中i、j、k、N都为自然数，而且i、j、k均小于N，N小于10000；

然后，将修正后的连续性方程、电流密度方程及泊松方程分别进行离散化处理，并将离散化的空穴电流密度J

此时，空穴浓度(P)、电子浓度(N)的三对角元素方程组的标准差分形式如下：

-A

-A

式中P

式(8)、(8′)中的系数

其中，

J

此时，离散化的泊松方程为：

式中E

由此可见，离散化后的方程组由上式(8)、(8′)、(9)组成。

在步骤S3中，式(8)、(8′)中，除了k+1时刻的空穴浓度、电子浓度分布是未知量外，其余的都是已知量，利用此二式即可求得k+1时刻的空穴浓度、电子浓度分布。

利用k+1时刻的空穴浓度、电子浓度分布，通过泊松方程可求得k+1时刻所述MITATT二极管内部电场强度分布。将k+1时刻的电场分布、载流子分布作为条件再次代入式(8)、(8′)、(9)即可获得k+2时刻的电场分布。依此类推，完成所有时刻的计算。

通过式(8)、(8′)、(9)以及设定的初始空穴、电子分布P(x,t

如果以上各个方程的参量不随时间(t)变化，求解方程可得MITATT二极管的稳态参数值，如空穴分布或电子分布[P(x,t

另外，由于热阻与输出功率的制约关系，即使选用了低热阻率的SiC来制造MITATT二极管，为发射更高的功率，也需要优化SiC异构结的面积S。工作频率处的输出功率P

式中γ为常数，R

在步骤S4中，首先，构建MITATT二极管的噪声模型。假设理想情况，MITATT二极管的噪声来自于材料在偏置电压下电离雪崩的随机波动，造成了MITATT二极管内部的电场的波动。分析可知，THz频段MITATT二极管必须采用SiC、GaN等宽禁带半导体材料。SiC、GaN的电子电离率(α

式中

噪声场强ζ(x,x′)在MITATT二极管两端n

噪声场强ζ(x,x′)在所述MITATT二极管内形成的端电压V

另一方面，根据散粒噪声理论，在频率间隔df内由噪声源γ(x′)在dx′范围产生的均方噪声电流密度元

式中A为MITATT二极管的结面积。

MITATT二极管的转移阻抗Z

Z

单位带宽的均方噪声电压

噪声测度(NM)的表示为：

NM＝[V

式中k为玻尔兹曼常数，T为热力学温度。

其次，利用双迭代技术，数值求解满足边界条件(12)、(13′)的二阶偏微分方程(11)、(11′)。噪声源γ(x′)中的x′从MITATT二极管内雪崩区的左边界开始，在MITATT二极管内有源区的每个空间点都执行二阶偏微分方程(11)、(11′)的双迭代计算，可以分别得到噪声电场强度的实部[ζ

应当指出，IMPATT二极管的噪声参数值计算，除了在步骤S1中连续性方程(1)、(1′)和电流密度方程(2)、(2′)中不考虑场致隧穿效应之外，其它计算过程可参照上述MITATT二极管的计算步骤S1～步骤S5，但不包含场致隧穿效应。

在此不再赘述。

本发明实施例选择纤锌矿GaN及常用的6H-SiC、6H-SiC、3C-SiC三种SiC。

如图2至图6，对本发明实施例提供的宽禁带半导体异质结渡越时间二极管噪声检测方法的应用场景做进一步说明：

在图2中，图2(a)、图2(b)为IMPATT二极管的结构及能带示意图；图2(c)、图2(d)为MITATT二极管的结构及能带示意图。

利用公式(4)、(4′)得到宽禁带半导体GaN、SiC的空穴电离率(α

本发明实施例设计的IMPATT二极管、MITATT二极管的工作频率为f

在图4中，以纤锌矿GaN及常用的6H-SiC、6H-SiC、3C-SiC构成的GaN/SiC异质结IMPATT、MITATT二极管为例，有(n)GaN/(p)6H-SiC、(n)GaN/(p)4H-SiC、(n)GaN/(p)3C-SiC以及(n)6H-SiC/(p)GaN、(n)4H-SiC/(p)GaN、(n)3C-SiC/(p)GaN共6种IMPATT二极管以及对应的6种MITATT二极管。图4展示了IMPATT二极管、MITATT二极管的噪声场强分布。

对比图4中的(a)与(b)、(c)与(d)可见，IMPATT二极管噪声场强比MITATT二极管的场强高，说明场致隧穿效应不会造成电离电子-空穴对的涨落，抑制了噪声电场的形成。

图4(a)、图4(b)中的(n)GaN/(p)6H-SiC、(n)GaN/(p)4H-SiC、(n)GaN/(p)3C-SiC异质结IMPATT、MITATT二极管而言，(n)GaN/(p)6H-SiC异质结IMPATT、MITATT二极管在n区的噪声场强相对于其它二极管的噪声场强更高一些。这主要是因为GaN的电子饱和漂移速度显著大于6H-SiC、6H-SiC、3C-SiC的空穴饱和漂移速度，计算发现(n)GaN/(p)6H-SiC异质结IMPATT、MITATT二极管的(n)GaN层很厚，(n)GaN侧的场强(E)显著高于其它二极管的对应值。因此，(n)GaN/(p)6H-SiC异质结IMPATT、MITATT二极管在(n)GaN的电离雪崩更强，噪声场强也更强。因为(n)GaN/(p)4H-SiC、(n)GaN/(p)6H-SiC异质结IMPATT、MITATT二极管的结构参数相近，所以，它们的噪声场强分布相差不大。但在p型区，(p)4H-SiC的空穴电离率比(p)6H-SiC的高，所以(p)4H-SiC的噪声场强更高一些。相对而言，(n)GaN/(p)3C-SiC异质结渡越时间二极管的场强远低于(n)GaN/(p)4H-SiC、(n)GaN/(p)6H-SiC异质结渡越时间二极管的对应值，(n)GaN/(p)3C-SiC异质结IMPATT、MITATT二极管在(n)GaN的电离很弱，因此其中(n)GaN区域的噪声场强很弱。但是，(p)3C-SiC的空穴电离率很高而(n)GaN的电子电离率很低，两者相差很大，因此(n)GaN/(p)3C-SiC异质结IMPATT、MITATT二极管在异质结附近的噪声场强很弱。尽管(p)3C-SiC层的场强很低，但空穴电离率很高，(n)GaN/(p)3C-SiC异质结IMPATT、MITATT二极管在(p)3C-SiC层p/p

图4(c)、图4(d)中的(n)6H-SiC/(p)GaN、(n)4H-SiC/(p)GaN、(n)3C-SiC/(p)GaN异质结IMPATT、MITATT二极管，因为(n)GaN/(p)4H-SiC、(n)GaN/(p)6H-SiC异质结IMPATT、MITATT二极管的结构参数相近，所以它们的噪声电场分布相差不大。(n)6H-SiC/(p)GaN二极管在异质结附近的电场最强，所以该处附近的噪声场强也最强。对于(n)3C-SiC/(p)GaN异质结IMPATT、MITATT二极管，(n)3C-SiC的电离率远大于(p)GaN的电离率，所以，(n)3C-SiC/(p)GaN异质结IMPATT、MITATT二极管在异质结附近的噪声场强很弱。

图5展示了GaN/SiC异质结IMPATT、MITATT二极管的单位带宽的均方噪声电压(

在图5中，在所计算的频率范围，GaN/SiC异质结IMPATT、MITATT二极管的

图6描述GaN/SiC异质结IMPATT、MITATT二极管的噪声测度(NM)。其中可见，NM的值在0.65THz到1.10THz的频率范围内先减小后增大，在0.85THz频率处出现极小值。根据散粒噪声理论可知，NM值与

通过对比纤锌矿结构GaN分别与6H-SiC、6H-SiC、3C-SiC构成的IMPATT、MITATT二极管的噪声场强分布、单位带宽的均方噪声电压、噪声测度，可以全面准确反映IMPATT、MITATT二极管的噪声性能，找出噪声性能最优的IMPATT、MITATT二极管。反之，可以开展逆向优化设计，寻找什么样的材料适合制造IMPATT、MITATT二极管，减少盲目性，提供效率，降低成本。

如图7所示，为本发明实施例中提供的一种宽禁带半导体异质结渡越时间二极管噪声检测系统，包括方程修正单元110、方程离散单元120、方程求解单元130和噪声结果输出单元140；其中，

所述方程修正单元110，用于获取被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管，并结合被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管的噪声影响因素，对被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管预设的连续性方程、电流密度方程及泊松方程进行修正；其中，所述被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管为碰撞电离雪崩渡越时间IMPATT二极管或混合隧穿雪崩渡越时间MITATT二极管；IMPATT二极管的噪声影响因素包括电离雪崩效应和量子效应；MITATT二极管的噪声影响因素包括电离雪崩效应、量子效应和场致隧穿效应；

所述方程离散单元120，用于对被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管模型网格化，并基于网格化的被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管模型，对被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管的修正后的连续性方程、电流密度方程及泊松方程组成的方程组进行离散化；

所述方程求解单元130，用于求解离散化处理后的方程组，得到被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管的稳态参数值；

所述噪声结果输出单元140，用于构建被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管的噪声模型，并将所述稳态参数值导入所述噪声模型中进行迭代计算，得到被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管的噪声参数值。

其中，所述宽禁带半导体异质结渡越时间二极管的结构参数包括异质结面积、漂移区宽度、雪崩区宽度。

其中，所述被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管的稳态性能参数包括空穴分布、电子分布，以及峰值电场强度、击穿电压、雪崩电压、最大雪崩产生率、最大隧穿产生率、直流功率。

其中，所述被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管的交流性能参数包括二极管负阻、电导、电纳。

其中，所述被测宽禁带半导体异质结渡越时间二极管的噪声参数包括噪声场强分布、单位带宽的均方噪声电压、噪声测度。

实施本发明实施例，具有如下有益效果：

1、本发明便捷地获得宽禁带半导体异质结IMPATT二极管、MITATT二极管的稳态参数、交流参数、噪声参数，通过反映噪声场强在IMPATT二极管、MITATT二极管有源区的分布，进而计算单位带宽的均方噪声电压随着频率变化的趋势，噪声测度随着频率变化的规律，克服了现有技术对二极管噪声检测精度较低及误差大的问题；

2、本发明单位带宽的均方噪声电压、噪声测度不依赖于输入的信号功率，能够准确反映IMPATT二极管、MITATT二极管的噪声性能，因此可以开展逆向优化设计，寻找合适的材料研制性能优越的宽禁带半导体异质结IMPATT二极管、MITATT二极管。

3、本发明实施例选区的是双漂移区、单雪崩区IMPATT、MITATT二极管，但也适用于单漂移区、单雪崩区或者双漂移区、双单雪崩区IMPATT、MITATT二极管。

值得注意的是，上述系统实施例所包括的各个单元只是按照功能逻辑进行划分，但并不局限于上述的划分，只要能够实现相应的功能即可；另外，各功能单元的具体名称只是为了便于相互区分，并不用于限制本发明的保护范围。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件来完成，所述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中，所述的存储介质，如ROM/RAM、磁盘、光盘等。

以上所揭露的仅为本发明较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。