射频发生器

技术领域

本公开总体涉及一种射频发生器以及一种包括该射频发生器的等离子体处理系统。还公开了一种用于操作发生器控制器的方法、一种相关联的计算机程序元件、以及一种计算机可读介质。

背景技术

高功率射频(RF)发生器是众所周知的，例如用于半导体等离子体处理应用。发生器提供的功率用于例如使真空室中的处理气体电离，并且利用产生的等离子体，可以执行用于半导体制造的各种处理步骤。

射频发生器可用于为各种应用提供电力，包括半导体制造工具(例如使用等离子体对薄膜进行沉积、蚀刻和改性)，而且还包括医疗装置(例如电外科装置和医学成像机器，例如磁共振成像、MRI机器)、食品包装、工业表面改性和涂层。产生射频功率的发生器在上述每种应用中都很有用。在此，术语“射频”是指20千赫兹至300吉赫兹范围内的任何频率。

文章“Power supply and impedance matching to drive technologicalradio-frequency plasmas with customized voltage waveforms(电源和阻抗匹配以通过定制电压波形驱动技术射频等离子体)”(Franek等人，AIP Review of ScientificInstruments 86,053504(2015)；doi 10.1063/1.4921399)讨论了多频RF电源和例如用于三个连续谐波的阻抗匹配。这使得能使用多频带RF信号产生等离子体。

US2008/0251207A1讨论了一种用于等离子体制造系统的RF发生器，该等离子体制造系统具有由控制器控制的多个RF信号发生器。RF信号发生器的输出被组合。组合的RF信号在施加到等离子体处理室之前经过过滤。启用或停用每个RF信号发生器能够控制施加到等离子体处理室的波形。

US2013/0214682A1讨论了一种对多RF发生器系统进行调谐的方法。特别地，低频和高频RF发生器在“学习”阶段在相对较长的时间内进行调谐。在制造阶段，可以将在学习阶段学习的参数用于在制造过程中准确地设置低频和高频RF发生器的工作频率，其速度比没有学习阶段时可能的速度高得多。

US2014/0320013A1讨论了一种用于等离子体蚀刻系统的RF发生器，其中两个独立的RF电源以主/从模式进行频率和相位控制。

然而，上述文献中描述的系统可以进一步改进。

因此，希望提供一种能够更有效地控制多个RF频率的RF发生器控制方法。此外，根据结合附图和本发明的背景技术的本发明的随后详细描述和所附权利要求，本发明的其他期望的特征和特点将变得清楚。

发明内容

根据第一方面，提供了一种射频发生器，包括：功率放大器模块，其包括至少一个功率放大器；至少一个拾取模块，其与至少一个功率放大器的输出端连接以生成至少一个拾取信号；至少一个输出端，其被配置为与至少一个放大器的相应的输出端连接并被配置为输出至少一个射频输出信号；以及控制器。

控制器包括：测量模块，其被配置为接收至少一个拾取信号并基于至少一个拾取信号生成至少一个测量信号；以及射频信号生成模块，其被配置为生成不同频率的两个或更多个载波信号，并将至少一个驱动信号作为输入提供给功率放大器模块；以及调节模块，其被配置为接收至少一个测量信号，并基于至少一个测量信号调节至少一个射频输出信号的功率。

因此，可以使用发生器的单个控制器而不是分布在独立的发生器单元(独立意味着发生器作为独立机箱中的单独单元提供，例如具有独立的电源、外部接口和控制布置)上的多个控制器来向最终用途提供多频RF功率输出。这可以降低RF发生器的成本，因为避免了重复的AC电路(用于从AC主电源向放大器模块生成DC电源电压)、外部通信接口和外壳。

此外，对同一RF发生器内RF功率的多个频率的共同控制意味着需要同步的多个信号可以快速而有效地同步。这对于例如需要快速反馈回路的信号(例如，对于电弧的抑制或影响输出功率的其他故障状况的抑制)具有优势。如稍后将解释的，优势主要来自于比使用独立发生器时更快的通信协议。以前，提供多个频率的独立RF发生器已通过例如“PROFIBUS”(TM)接口进行控制，但这种协议的通信延迟意味着无法足够快地抵消电弧控制或高频应用中可能出现的其他故障。

优选地，调节模块被配置为通过基于至少一个测量信号调整两个或更多个载波信号中的至少一个载波信号的幅度和/或相位来调节至少一个射频输出信号的功率。

由于不同频率的信号由同一控制器生成，因此，单个控制器可以提供更准确且在需要时同步的信号控制。

优选地，功率放大器模块还包括至少一个第二功率放大器。

优选地，两个或更多个功率放大器被配置为以公共的DC电源电压工作。

因此，从AC市电(AC mains)生成必要的DC电源电压不如生成多个DC电源电压要复杂。

优选地，两个或更多个功率放大器被配置为以单独的DC电源电压工作。

因此，可以为每个功率放大器提供更高或更低的DC电源电压。这允许对射频发生器的每个功率放大器的输出功率进行额外控制。

优选地，调节模块被配置为以至少两个独立的调节回路(regulation loops)工作。

优选地，控制器被配置为基于来自调节模块的至少一个测量信号来调整至少一个功率放大器的DC电源电压。

优选地，至少一个功率放大器为宽频带功率放大器，射频信号生成模块还被配置为生成两个或更多个载波信号作为多载波驱动信号。

优选地，至少一个功率放大器为多频带功率放大器，射频信号生成模块还被配置为生成两个或多个载波信号作为多载波驱动信号。

优选地，功率放大器模块、至少一个拾取模块和控制器在公共(common)外壳内实现。

优选地，射频发生器包括第一外壳和与第一外壳物理分离的第二外壳，第一外壳包括至少两个功率放大器中的第一功率放大器，第二外壳包括至少两个功率放大器中的第二功率放大器。

优选地，射频信号生成模块中生成的载波信号的数量与射频发生器的输出端的数量相对应。

优选地，射频信号生成模块中生成的载波信号的数量与拾取模块的输出端的数量相对应。

优选地，射频信号生成模块中生成的载波信号的数量与功率放大器模块中的功率放大器的数量相对应。

优选地，射频发生模块还包括用于使射频输出功率与其他发生器同步的外部接口，所述其他发生器可以包括一个或多个其他射频发生器或DC发生器或中频发生器。

因此，各种信号可以在相位、频率或功率上同步。

优选地，射频发生器还包括公共的AC输入电路。

优选地，射频发生器具有至少100W的输出信号。

优选地，射频发生器具有至少200W的输出信号。

优选地，射频发生器具有至少250W的输出信号。

优选地，射频输出信号的频率在0.1MHz至200MHz的范围内，优选在1MHz至100MHz的范围内，更优选在5MHz至85MHz的范围内。

优选地，射频发生器适于向等离子体处理系统输出功率。

优选地，控制器被配置为检测至少一个RF输出中的故障事件，并基于故障事件的检测来调整一个或多个RF输出信号。

优选地，故障事件是等离子体系统中的电弧事件。

根据第二方面，提供了一种等离子体处理系统，其包括根据前述方面或其实施方式的射频发生器，以及被配置为从发生器接收RF信号的半导体处理工具。

根据第三方面，提供了一种用于操作射频发生器和/或RF发生器控制器的方法，包括：

-使用射频生成模块生成不同频率的至少两个载波信号，并为功率放大器模块提供至少一个驱动信号；

-使用控制器的测量模块测量至少一个射频输出信号，该测量模块被配置为从至少一个拾取模块接收至少一个拾取信号并基于至少一个拾取信号生成至少一个测量信号；

-使用调节模块调节至少一个射频输出信号的功率，调节模块被配置为从测量模块接收至少一个测量信号。

根据第四方面，提供了一种计算机程序元件，其包括指令，所述指令在由处理器运行时执行第三方面的方法。

根据第五方面，提供了一种包括第四方面的计算机程序元件的计算机可读介质。

通常，功率放大器被优化为在目标工作频率处或目标工作频率附近工作。在该频率下或该频率附近，功率放大器的效率将得到优化。根据包括功率放大器的RF发生器的精确应用，这样的目标工作频率可以是例如2MHz或6.78MHz或13.56MHz或27.12MHz或40.68MHz或任何其他频率。由于当在远离目标工作频率的频率下工作时，功率放大器的效率会降低，因此功率放大器默认(即没有采取适当的设计措施来以其他方式使其)为“窄频带功率放大器”。然而，对于某些应用而言有利的是具有效率在宽频范围内不会显著下降的功率放大器。这样的功率放大器被称为“宽频带功率放大器”。例如，可能有利的是使功率放大器在从10.2MHz到16.8MHz的频率范围内工作，而在这整个频率范围内效率没有显著下降。对于其他应用，可能有利的是具有可在两个或更多个频率下以良好效率工作而这些频率之间的大部分频率范围不太适合的功率放大器。例如，可能希望功率放大器在13.56MHz附近以及2MHz附近和40.68MHz附近具有良好的效率，但在10.2MHz和16.8MHz处没有特别的效率要求。

在以下申请中，术语“宽频带功率放大器”被理解为是指在大于或等于40％的相对带宽上工作的射频功率放大器，其中相对带宽被定义为其中额定功率下的效率下降小于10％的频率范围(归一化到中心频率)。

在以下申请中，术语“多频带功率放大器”被理解为指同时在两个或更多个频率下操作的RF功率放大器，其中至少两个频率值之间的比率超过1.2。

在以下申请中，术语“驱动信号”是指正在驱动功率放大器的信号。因此，驱动信号是提供给功率放大器以被放大为具有实质相同频谱的更高的功率信号的小(低功率)信号。这种驱动信号可以是单载波信号(具有单个频率分量)或多载波信号(具有不同的多个频率分量)。因此，驱动信号可以由一个或多个(算术组合)载波信号组成。

附图说明

下文将结合以下附图描述本发明，其中相同的附图标记表示相同的元件。

图1是包括多个独立发生器的常规发生器系统的框图。

图2是根据各种实施方式的具有功率放大器的发生器的框图。

图3是根据各种实施方式的具有多个功率放大器的发生器的框图。

图4是根据另外的各种实施方式的具有多个功率放大器的发生器的框图。

图5是根据第二方面的等离子体处理系统的框图。

图6是根据第三方面的方法的框图。

具体实施方式

下面的详细描述本质上仅是示例性的，并不旨在限制本发明或本发明的应用和用途。此外，不意在受在前述背景技术或以下详细描述中提出的任何理论的束缚。

现有的等离子体处理系统可选地可被配置为向等离子体处理室施加多个频率，因为这能够对室中的离子种类进行精细控制，从而能够改进对等离子体处理(例如等离子体蚀刻或等离子体沉积)的控制。例如，常规的多频等离子体处理可以应用2MHz、13.56MHz、27.12Mhz、60MHz的窄频带频率，或者具有在较宽的频率范围内的定制频谱的宽频带信号。单独的(独立的)射频(RF)发生器通常被提供用于每个频率通道以应用于等离子体处理室。

图1图示了包括第一常规RF发生器10、第二常规RF发生器32和第三常规RF发生器34的常规多频电源布置。第一常规RF发生器10包括外部通信接口EXT

外部通信接口EXT

特别地，外部通信接口EXT

第一常规RF发生器10包括具有信号发生器30的控制器22，该信号发生器30被配置为在例如用于半导体等离子体沉积或蚀刻工艺的频率下生成RF信号(具有低功率的小信号)。信号发生器30被提供为可选地结合相位锁定环以增强稳定性的模拟或数字振荡器，和/或宽频带信号源。信号发生器的输出被提供给第一功率放大器14，该第一功率放大器能够将小信号放大到用于等离子体处理的高功率电平。第一功率放大器14的输出端与第一RF输出端RF

第一功率放大器14的输出端与第一拾取模块16连接，第一拾取模块16能够监控第一功率放大器14的输出端处的信号幅度和/或电流。例如，拾取模块16是定向耦合器或电压-电流探针。它基本上采集信号信息以对第一功率放大器14的输出进行采样。拾取模块16的输出20被提供给同样设置在控制器22中的测量单元26。因此，测量单元26能够监控第一功率放大器14的输出端处的电压和/或电流水平并将监控到的信号馈入调节模块28。

调节模块28是数字和/或模拟电路，其能够基于监控到的信号计算是否应该对第一常规RF发生器10的控制器22做出改变。例如，调节模块28可以调整射频信号生成模块30的频率、幅度、相移或可选的滤波器特性。另外，例如，调节模块28可以调整第一功率放大器的增益18。

图1图示了另外两个RF发生器32和34。这些RF发生器可以具有相同的设计或型号，或不同的设计或型号。然而，在所示的常规情况下，另外的RF发生器被提供为完全分开的、独立的RF发生器。换言之，发生器10与发生器32和发生器34位于单独的外壳中，例如单独的机架安装单元中。发生器与电源接口S

RF发生器10、32和34可以通过它们各自的外部接口24a、24b、24c连接至同一控制系统。然而，技术人员将理解，由于诸如“PROFIBUS”(TM)的接口系统中的寻址或争用要求引起的内置时序约束，在三个RF发生器之间可能发生显著的延迟和时间同步问题，由于通信协议需要约几毫秒(千分之几秒)到大约0.1秒的时间，这些问题会在等离子体处理系统的上下文中导致问题。

问题的一个示例是控制和解决可能发生在使用多个电源激发的等离子体中的电弧事件。电弧事件通常发生在比毫秒短得多的时间尺度上。如果第一RF发生器10的调节模块28检测到电弧事件并采取补救措施(例如通过调整第一功率放大器14的增益或调整来自射频信号生成模块30的信号来改变信号RF

此外，多频RF发生器系统中许多不同的单独RF发生器的共同设置还导致AC输入电路、外部输入接口电路、外壳和冷却系统等的重复。

图2图示了根据第一方面的RF发生器。

因此，根据第一方面，提出提供图2所示的射频发生器40，其包括功率放大器模块41，该功率放大器模块41包括至少一个功率放大器42。射频发生器还包括与功率放大器模块41的至少一个功率放大器42的输出端连接的至少一个拾取模块44、与至少一个放大器42的输出端连接并被配置为输出至少一个射频功率信号的至少一个RF输出端RF

发生器包括AC输入电路60和外部通信接口电路58。在图2的实施方式中，功率放大器42为宽频带或多频带功率放大器，射频信号生成模块48被配置为生成n个多个载波信号频率并通过算术组合n个载波信号向功率放大器42提供驱动信号。换言之，不是使用n个不同的独立单元提供n个不同频率的RF功率，而是使用一个独立单元提供n个RF频率。对在功率放大器42的输出端处提供给RF发生器的RF输出端RF

有利地，如果测量模块50检测到故障状况(例如电弧状况)，则调节模块54能够调整受影响的频率分量(例如，使具有对应频率f

优选地，测量模块50包括电弧检测器(未被示出)。电弧检测器可以监控一个或多个拾取信号以确定电弧状况。例如，可以通过将拾取模块44处的RF电流和电压与RF发生器的操作模式中的预期状况进行比较来检测电弧状况。可选地，可以使用拾取模块的一个或多个信号的信号处理来检测电弧状况。可选地，可以安装一个或多个拾取模块来监控正向和/或反射功率。

优选地，这样的电弧检测器可以在诸如FPGA(现场可编程门阵列)的快速定制逻辑中或具有快速中断的实时处理器中实现。可选地，电弧检测器是快速模拟电路。

因此，一个实施方式涉及至少一个公共控制电路，该公共控制电路生成多个载波信号并基于该多个载波信号提供驱动信号以驱动至少一个RF放大器42。驱动信号可以包括至少两个载波信号(2个频率分量)或多于两个载波信号或两个或更多个载波信号的算术运算。与多拾取测量系统一起，这可以实现多个控制回路，以优化在RF发生器的输出端处提供的RF功率信号。

优选地，一个或多个功率放大器可以有利地实现为多频带功率放大器。

优选地，一个或多个功率放大器可以有利地实现为宽频带功率放大器。

优选地，功率放大器可以由公共的DC电压电源供电。

优选地，功率放大器可以由从与市电连接的公共的AC供应电路60获得的不同的DC电压电源供电。

优选地，诸如断路器、连接器和/或外部通信接口58的辅助电路部件可以经由单个控制器46由测量模块、射频生成模块48和调节模块54共用

优选地，调节模块54包括多个控制元件54a、54b、54c。第一控制元件54a被配置为接收经由拾取模块44从RF输出端拾取的测量信号52，该测量信号52具有频率f

换言之，从拾取模块44经由测量模块50、调节模块54、射频信号生成模块48和第一功率放大器42的回路形成用于射频功率发生器的第一频率的控制回路。控制器46的控制回路可以被实现为诸如微控制器、数字信号处理器和/或FPGA或其他可编程逻辑等的数字处理元件，或模拟控制电路。

优选地，调节模块的控制回路用于例如识别利用拾取模块44在第一频率f

优选地，控制器46包括第二控制元件54b以识别和校正在第二频率f

优选地，控制器46被配置为通过基于来自测量模块50的测量信号调整载波信号来调整第一功率放大器42的射频输出的输出功率。替代地或组合地，控制器46被配置为基于来自测量模块的测量信号调整第一功率放大器的DC电压电源55。例如，在测量模块检测到灾难性故障状况的情况下(这可能是例如与等离子体处理室连接的电源电缆中的绝缘故障，未在图2中示出)，调节模块54将通过关闭功率放大器42的DC电压电源55将功率迅速调节降至零。

因此，根据图2中所示的射频发生器能够生成多个载波信号(两个被图示为f

图3是射频发生器40的实施方式的框图，该射频发生器40具有包括两个功率放大器42a和42b的功率放大器模块41、由射频生成模块48生成的三个载波信号f

第一功率放大器和第二功率放大器可以是窄频带功率放大器，也可以是窄频带功率放大器(图3中的42a)和多频带功率放大器(图3中的42b)的组合。拾取模块44a被配置为获得第一RF输出信号RF

控制器46的调节模块54被配置为从包括第一拾取模块44a和第二拾取模块44b的表示的测量模块50接收测量信号52。

控制器还包括被配置为从拾取模块44a接收至少一个拾取信号并基于至少一个拾取信号生成至少一个测量信号52的测量模块50，并且还包括被配置为从测量模块接收至少一个测量信号52并调节射频输出信号的功率的调节模块54。控制器46被配置为通过信号56调整射频生成模块，使得其生成载波信号f

优选地，调节模块54包括多个控制元件54a、54b、54c。第一控制元件54a被配置为基于由第一拾取模块44a生成的拾取信号来接收测量信号52。第一控制元件将拾取信号与预期的值或值范围进行比较。如果测量信号52的状况(幅度、相移、频率偏移、谐波含量、变化率)是预期的，则第一控制元件54a不调节(不修改)一个或多个对应的载波信号。

如果第一测量信号52的状况不是预期的，则第一控制元件通过改变对应的载波信号f

在图3的实施方式中，一个驱动信号包括两个或更多个窄频带载波信号f

类似于图2描述的方式，控制回路可以用图3的射频发生器实现。控制器46的控制回路可以实现为数字处理元件，例如微控制器、数字信号处理器和/或现场可编程门阵列或其他可编程逻辑等，或模拟控制电路。

该方法不限于所示的两个功率放大器，因为更多数量的功率放大器将在射频发生器的输出频谱中提供更多选择。因此，更多数量的功率放大器将允许对等离子体处理室或任何其他高频应用的输出功率进行更精细的控制(在功率和频率上)。

图4图示了多放大器RF发生器40的另外的实施方式。在图4中，与图2或图3相同解释的特征具有相同的附图标记。

图4图示了包括功率放大器模块41的多放大器RF发生器40的实施方式，该功率放大器模块41还包括第一功率放大器42a、第二功率放大器42b和第m功率放大器42m。可选地，一个或多个功率放大器是由驱动信号驱动的多频带功率放大器，所述驱动信号包括由射频生成模块48生成的两个或更多个载波信号。

替代地，每个功率放大器都是窄频带的，例如，第一功率放大器42a针对13.56MHz中心频率进行优化，第二功率放大器42b针对27.12MHz中心频率进行优化，而第三功率放大器针对60MHz中心频率进行优化。这样的频率值是指示性的并且技术人员将能够针对不同的RF发生器应用使用不同的频率值。

在图4的实施方式中，每个功率放大器分别由单独的DC电源55a、55b、……、55m供电。替代地，一个或多个功率放大器由共用的DC电源供电。

在以上讨论的实施方式中，其中控制器46被实现为数字处理元件，例如微控制器或数字信号处理器和/或现场可编程门阵列或其他可编程逻辑等，计算机代码或现场可编程门阵列逻辑定义可用于定义控制单元所执行的处理。在启用RF发生器时，计算机代码被加载到相应的数字处理元件中，使得控制器被配置为执行上面讨论的控制功能。

上述实施方式中讨论的控制器46的信号发生器48可以自然地生成信号。替代地，信号发生器48可以连接至一个或多个模拟信号发生器电路(未被示出)，使得信号发生器48控制模拟信号发生器。

因此，根据第四方面，提供了一种用于控制控制器46的计算机程序元件。

根据第五方面，提供了一种包括第四方面的计算机程序元件的计算机可读介质。

总体上，上述实施方式涉及一种具有一个控制器46的RF发生器，控制器46具有射频信号生成模块48，该射频信号生成模块48生成两个或更多个(最多n个)载波信号，这些载波信号被分配给一个放大器到m个放大器(m小于或等于n)。每个放大的信号在射频发生器的输出端处提供并且分别连接至对应的拾取模块44(例如定向耦合器、V/I探针)。控制器46包括多通道测量模块50、射频生成模块48和调节模块54，以通过生成载波信号驱动各个功率放大器来调节多个功率放大器的功率。实施控制回路以在射频发生器的输出端处提供最佳功率和频谱。

每个信号都以频率、幅度和相位来定义。功率放大器可以是指窄频带、多频带或宽频带放大器。

每个功率放大器44可以用单独的DC电压电源55供电，或者与功率放大器的子组共用DC电压电源，从而能够节省所需的DC电压电源的数量，并且能够节省用于从AC市电获得DC电压电源的AC电路的数量(所需)。

优选地，功率放大器的输出功率的控制通过(i)控制为每个功率放大器供电的DC电压，(ii)在频率、相位和/或幅度上控制用于驱动每个功率放大器的载波信号或(iii)(i)和(ii)两者结合来实现。

综上所述，实施方式的组合至少包括以下仅为示例性目的而提供的可选情况：

一种射频发生器，其中至少第一驱动信号和第二驱动信号是窄频带信号并且因此可以使用由射频发生器的控制器的射频生成模块生成的各个载波信号生成。

一种射频发生器，其中一个驱动信号被提供给一个功率放大器，该驱动信号是由射频发生器的控制器的射频生成模块生成的两个载波信号的算术组合。

一种射频发生器，其中驱动信号提供将由功率放大器模块的宽频带功率放大器放大的宽频带信号，该宽频带信号由宽频率范围内的各种载波信号组成。

一种射频发生器，其中第一窄频带驱动信号由第一窄频带功率放大器放大，第二多频带驱动信号由第二多频带功率放大器放大。

一种射频发生器，其中第一窄频带驱动信号在第一窄频带功率放大器通道中放大，第二宽频带驱动信号由第二宽频带放大器放大。

一种射频发生器，其中第一多频带驱动信号、第二宽频带驱动信号和第三窄频带驱动信号如下被放大：第一多频带驱动信号由第一多频带放大器放大。第二宽频带驱动信号由宽频带放大器放大，第三窄频带驱动信号由第三窄频带放大器放大。

发生器可以将输出以多种不同的方式组合。例如，发生器可以被配置为同时将两个窄频带RF功率信号施加到组合的输出。替代地，发生器可以被配置为使窄频带功率信号的应用交替。

图5图示了等离子体处理系统68，其包括根据上述实施方式的发生器70和被配置为从发生器接收两个或更多个RF信号的半导体处理模块72。

半导体处理模块包括用于例如硅晶片的等离子体处理(等离子体蚀刻或等离子体沉积)的等离子体室72。因此，等离子体室是能够在硅晶片附近包含处理气体的气密模块。等离子体室通常设有能够与晶片传送系统配合的可密封孔。在适当的位置提供第一电极和第二电极。第一电极和第二电极与发生器70连接。例如，发生器通过高功率同轴连接器与射频发生器连接。高功率RF信号在第一电极和第二电极之间感应出快速变化的电场，在适当的工艺气体存在的情况下，这使得能够形成处理等离子体。

图6图示了根据第三方面的用于操作发生器控制器的方法。该方法包括：

使用射频生成模块生成80不同频率的至少两个载波信号，并为功率放大器模块提供至少一个驱动信号。

使用控制器的测量模块测量82至少一个射频输出信号，该测量模块被配置为从至少一个拾取模块接收至少一个拾取信号并基于该至少一个拾取信号生成至少一个测量信号。

使用调节模块调节84至少一个射频输出信号的功率，调节模块被配置为从测量模块接收至少一个测量信号。

优选地，控制器的调节模块从控制器的测量模块接收至少一个测量信号并基于至少一个测量信号调节射频信号生成模块以改变两个或更多个载波信号中的至少一个载波信号的幅度、相位和/或频率。

优选地，控制器从测量模块接收至少一个测量信号，并基于至少一个测量信号调整至少一个功率放大器的增益。

优选地，控制器从测量模块接收至少一个测量信号并调整至少一个功率放大器的DC电源电压。

优选地，射频信号生成模块还被配置为生成两个或更个载波信号，并将多载波驱动信号提供给至少一个功率放大器，该功率放大器为多频带或宽频带功率放大器。

优选地，功率放大器模块还包括与发生器的RF输出总数相对应的功率放大器总数。

优选地，至少一个功率放大器为宽频带功率放大器，第二功率放大器为窄频带功率放大器，射频信号生成模块生成多个载波信号和这些载波信号的多个驱动信号，其中至少一个驱动信号为多载波且至少一个驱动信号为单载波。

优选地，至少一个和第二功率放大器共用公共电源电压。

优选地，至少一个和第二功率放大器分别由第一电源电压和第二电源电压供电。

优选地，发生器的外部接口输出包括由至少一个拾取模块获得的值的数据。

优选地，控制器控制至少两个载波信号之间的时间同步。

特别地，在至少两个RF输出端提供的两个RF功率信号的两个相位可以被进行相位锁定。

优选地，控制器控制至少两个载波信号之间的频率同步。

优选地，控制器利用第一拾取模块检测故障事件，并基于故障事件的检测来调整第一RF输出信号的功率。

优选地，故障事件是等离子体系统中的电弧事件。

尽管在本发明的前述详细描述中已经呈现了至少一个示例性方面，但是应当理解存在大量变化。特别地，功率放大器可以被认为包括单个放大器级、多个串联的放大器和/或多个并联的放大器。还应当理解，一个或多个示例性方面仅是示例，并不旨在以任何方式限制本发明的范围、适用性或配置。相反，前述详细描述将为本领域技术人员提供用于实施本发明的示例性方面的便利指南。应当理解，在不脱离所附权利要求中阐述的本发明的范围的情况下，可以对示例性方面中描述的元件的功能和布置进行各种改变。