显示面板、显示装置及显示面板的制作方法

技术领域

本申请涉及显示领域，具体涉及一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法。

背景技术

随着显示技术的发展，喷墨打印技术逐渐受到人们的青睐，其中，墨水打印到像素区后是流动的，像素区基底的平坦度是墨水能否均匀良好铺展的重要影响因素，即像素区基底的最大断差越小越好。在显示面板制作过程中，当阵列基板制作完成后会形成高低不一的非平坦表面，目前常通过在阵列基板表面制作平坦化层，以对阵列基板表面进行平坦化处理，并通过增大平坦化层的厚度来改善平坦化效果。但是平坦化层的平坦化效果有限，当阵列基板表面段差较大时，即使增大平坦化层厚度也无法有效改善阵列基板表面的平坦度，从而导致显示面板的显示效果较差。

发明内容

本申请实施例提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法，可以解决现有显示面板中平坦化层的平坦化效果较差的问题。

本申请实施例提供一种显示面板，包括：

衬底基板；

薄膜晶体管层，设置在所述衬底基板上；

钝化层，设置在所述薄膜晶体管层上，所述钝化层背离所述衬底基板的一侧形成有多个凹陷区域；

第一平坦化层，设置在所述钝化层上，所述第一平坦化层至少部分位于所述凹陷区域内；所述第一平坦化层相对所述衬底基板的高度的最大值小于或等于所述钝化层相对所述衬底基板的高度的最大值。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述薄膜晶体管层包括有源层、栅极绝缘层、栅极层和源漏极层；所述有源层、所述栅极层和所述源漏极层中的任意两个交叠设置并形成多个交叠区域，所述钝化层背离所述衬底基板的一侧对应所述交叠区域的位置形成有凸起，相邻两个所述凸起之间形成所述凹陷区域。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述栅极层和所述源漏极层交叠设置并形成第一交叠区域，所述钝化层背离所述衬底基板的一侧对应所述第一交叠区域的位置形成有第一凸起；所述有源层和所述源漏极层交叠设置并形成第二交叠区域，所述钝化层背离所述衬底基板的一侧对应所述第二交叠区域的位置形成有第二凸起；所述有源层与所述栅极层交叠设置并形成第三交叠区域，所述钝化层背离所述衬底基板的一侧对应所述第三交叠区域的位置形成有第三凸起。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括依次设置在所述衬底基板上的遮光层和缓冲层，所述薄膜晶体管层设置在所述缓冲层上，所述遮光层、所述栅极层和所述源漏极层交叠设置并形成所述第一交叠区域；所述遮光层、所述有源层和所述源漏极层交叠设置并形成所述第二交叠区域；所述遮光层、所述有源层与所述栅极层交叠设置并形成所述第三交叠区域。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一平坦化层相对所述衬底基板的高度的最大值小于或等于所述第一凸起相对所述衬底基板的高度。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一平坦化层相对所述衬底基板的高度的最大值小于或等于所述第二凸起相对所述衬底基板的高度；或，

所述第二凸起背离所述衬底基板的一侧设置有所述第一平坦化层。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一平坦化层相对所述衬底基板的高度的最大值小于或等于所述第三凸起相对所述衬底基板的高度；或，

所述第三凸起背离所述衬底基板的一侧设置有所述第一平坦化层。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一平坦化层的厚度大于或等于0.2微米且小于或等于2.5微米。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一平坦化层的材质包括正性有机光阻、负性有机光阻或无机材料。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述显示面板包括第二平坦化层，所述第二平坦化层位于所述第一平坦化层和所述钝化层上。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二平坦化层的厚度大于或等于1.5微米且小于或等于6微米。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括：

阳极层，设置在所述第一平坦化层上，所述阳极层与所述薄膜晶体管层电连接；

像素定义层，设置在所述阳极层上，所述像素定义层上开设有像素开口，所述像素开口露出部分所述阳极层；

发光层，设置在所述阳极层上，所述发光层位于所述像素开口内。

相应的，本申请实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括上述任一项所述的显示面板。

相应的，本申请实施例还提供一种显示面板的制作方法，所述方法包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成薄膜晶体管层；

在所述薄膜晶体管层上形成钝化层，所述钝化层背离所述衬底基板的一侧形成有多个凹陷区域；

在所述钝化层上形成第一平坦化层，使所述第一平坦化层至少部分位于多个所述凹陷区域内，所述第一平坦化层相对所述衬底基板的高度的最大值小于或等于所述钝化层相对所述衬底基板的高度的最大值。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述方法还包括：

在所述第一平坦化层和所述钝化层上形成第二平坦化层；

在所述第二平坦化层上形成阳极层，使所述阳极层与所述薄膜晶体管层电连接；

在所述阳极层上形成像素定义层，并在所述像素定义层上形成像素开口，使所述像素开口露出部分所述阳极层；

在所述阳极层上打印一层发光层，使所述发光层位于所述像素开口内。

本申请实施例中显示面板包括依次设置的衬底基板、薄膜晶体管层、钝化层和第一平坦化层，钝化层背离衬底基板的一侧形成有多个凹陷区域，第一平坦化层至少部分位于凹陷区域内，第一平坦化层相对衬底基板的高度的最大值小于或等于钝化层相对衬底基板的高度的最大值。本申请通过在钝化层的凹陷区域内设置第一平坦化层，且使第一平坦化层的最大高度小于或等于钝化层的最大高度，能够减小钝化层上凹陷区域产生的段差，提高钝化层表面的平坦度，有助于后续膜层的制作，提高后续膜层的结构均匀性。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图2是本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；

图3是本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图

图4是本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图；

图5是本申请实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程图；

图6是本申请实施例提供的图5中步骤S300的结构示意图

图7是本申请实施例提供的一种图5中步骤S400的结构示意图；

图8是本申请实施例提供的另一种图5中步骤S400的结构示意图。

附图标记说明：

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。

本申请实施例提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法，以下进行详细说明。需要说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。

如图1和图2所示，显示面板100包括衬底基板110，衬底基板110作为显示面板100的支撑结构，用于支撑显示面板100中的其他膜层结构，以保证显示面板100的结构稳定性。其中，衬底基板110可以为玻璃基板或者其他材质类型，此处不做特殊限制。

显示面板100包括薄膜晶体管层140，薄膜晶体管层140设置在衬底基板110上，薄膜晶体管层140作为显示面板100的控制开关功能层，用于对显示面板100的其他功能结构层进行控制，以对显示面板100的显示方式进行调控。

如图6所示，显示面板100包括钝化层150，钝化层150设置在薄膜晶体管层140上，用于对薄膜晶体管层140进行绝缘，避免薄膜晶体管层140与后续膜层发生干扰。其中，钝化层150背离衬底基板110的一侧形成有多个凹陷区域151，即钝化层150表面为不平整表面且存在段差。

需要说明的是，薄膜晶体管层140包括金属层和绝缘层，在形成金属层时，会对金属层进行图案化处理，以形成目标图案，即图案化之后的金属层所在的位置会形成凸起。对于整个薄膜晶体管层140而言，仅由绝缘层叠加而成的区域为薄膜晶体管层140表面相对衬底基板110的高度较小的区域，反之，叠加的金属层越多，则薄膜晶体管层140对应区域表面相对衬底基板110的高度越高，从而在薄膜晶体管层140表面形成不同高度的凸起。在薄膜晶体管层140上形成钝化层150时，钝化层150表面形状与薄膜晶体管层140的表面形状直接相关，故钝化层150表面会在对应区域形成凸起，相邻凸起之间则形成凹陷区域151。

如图7和图8所示，显示面板100包括第一平坦化层160，第一平坦化层160设置在钝化层150上，且第一平坦化层160至少部分位于钝化层150上的凹陷区域151内。通过在钝化层150的凹陷区域151内设置第一平坦化层160，能够减小钝化层150上凹陷区域151产生的段差，提高钝化层150表面的平坦度，有助于后续膜层的制作，提高后续膜层的结构均匀性。

其中，第一平坦化层160相对衬底基板110的高度的最大值小于或等于钝化层150相对衬底基板110的高度的最大值，即第一平坦化层160背离衬底基板110的一侧表面的最高点低于钝化层150背离衬底基板110的一侧表面的最高点，或者第一平坦化层160背离衬底基板110的一侧表面的最高点与钝化层150背离衬底基板110的一侧表面的最高点平齐。此种结构设计使得在减小钝化层150表面段差的同时，避免第一平坦化层160与钝化层150之间产生新的段差，同时也能够节省第一平坦化层160的使用，降低生产成本。

本申请实施例中显示面板100包括依次设置的衬底基板110、薄膜晶体管层140、钝化层150和第一平坦化层160，钝化层150背离衬底基板110的一侧形成有多个凹陷区域151，第一平坦化层160至少部分位于凹陷区域151内，第一平坦化层160相对衬底基板110的高度的最大值小于或等于钝化层150相对衬底基板110的高度的最大值。本申请通过在钝化层150的凹陷区域151内设置第一平坦化层160，且使第一平坦化层160的最大高度小于或等于钝化层150的最大高度，能够减小钝化层150上凹陷区域151产生的段差，提高钝化层150表面的平坦度，有助于后续膜层的制作，提高后续膜层的结构均匀性。

如图3、图6至图8所示，薄膜晶体管层140包括有源层141、栅极层143和源漏极层145。在制作薄膜晶体管层140时，会对相应膜层进行图案化处理，以形成薄膜晶体管或金属走线等结构。例如，栅极层143经图案化之后能够形成栅极1431和扫描线1432等，源漏极层145图案化之后能够形成源漏极1451和数据线1452等。

其中，有源层141、栅极层143和源漏极层145中的任意两个交叠设置并形成多个交叠区域，钝化层150背离衬底基板110的一侧对应交叠区域的位置形成有凸起，相邻两个凸起之间则形成钝化层150的凹陷区域151。通过对有源层141、栅极层143和源漏极层145交叠方式的调整，钝化层150上凸起结构的形成位置也会随之变化，进而实现对第一平坦化层160的具体结构的调整。

需要说明的是，当薄膜晶体管层140中的薄膜晶体管为顶栅结构时，有源层141、栅极层143和源漏极层145沿远离衬底基板110的方向层叠设置；当薄膜晶体管层140中的薄膜晶体管为底栅结构时，栅极层143、有源层141和源漏极层145沿远离衬底基板110的方向层叠设置。

如图3所示，栅极层143和源漏极层145交叠设置并形成第一交叠区域146，钝化层150背离衬底基板110的一侧对应第一交叠区域146的位置形成第一凸起152，即第一凸起152对应薄膜晶体管层140中交叠设置的金属层最多的区域。例如，栅极层143经图案化处理之后形成扫描线1432，源漏极层145经图案化之后形成数据线1452，第一凸起152则对应扫描线1432与数据线1452交叠设置的区域。

在一些实施例中，如图3和图7所示，有源层141和源漏极层145交叠设置并形成第二交叠区域147，钝化层150背离衬底基板110的一侧对应第二交叠区域147的位置形成第二凸起153。在形成有源层141时，会对有源层141进行图案化处理，以形成半导体区域；源漏极层145经图案化处理之后形成源漏极1451，源漏极1451则与有源层141电连接并交叠设置形成第二交叠区域147。

在另一些实施例中，如图7和图8所示，有源层141和栅极层143交叠设置并形成第三交叠区域148，钝化层150背离衬底基板110的一侧对应第三交叠区域148的位置形成第三凸起154。栅极层143经图案化处理之后形成栅极1431，栅极1431与图案化之后的有源层141对应设置，以在有源层141上形成导电沟道，栅极1431则与有源层141交叠设置形成第三交叠区域148。

可选的，如图7和图8所示，当显示面板100中的薄膜晶体管层140为顶栅结构时，显示面板100还包括依次设置在衬底基板110上的遮光层120和缓冲层130，遮光层120用于对薄膜晶体管层140中的有源层进行遮光处理，避免光线直接照射影响薄膜晶体管层140的稳定性；缓冲层130则用于将遮光层120与薄膜晶体管层140隔开，避免薄膜晶体管层140与遮光层120之间产生相互干扰，影响薄膜晶体管层140的正常工作。

在形成遮光层120时，需要对遮光层120进行图案化处理，以形成目标图案，图案化之后的遮光层120也会与薄膜晶体管层140中的相关膜层交叠设置，即上述实施例中的第一交叠区域146、第二交叠区域147和第三交叠区域148同样包括图案化之后的遮光层120，使得对应的第一凸起152、第二凸起153和第三凸起154产生的段差更大。

其中，薄膜晶体管层140设置在缓冲层130上，薄膜晶体管层140包括沿远离缓冲层130的方向依次设置的有源层141、栅极绝缘层142、栅极层143、层间介质层144和源漏极层145。遮光层120、栅极层143和源漏极层145交叠设置并形成第一交叠区域146。即钝化层150上对应第一交叠区域146的第一凸起152由三层金属层交叠设置形成。

需要说明的是，在对栅极绝缘层142和栅极层143进行图案化处理时，采用先对栅极层143进行图案化处理，然后以图案化的栅极层143为掩模版对栅极绝缘层142进行图案化处理，因此，图案化的栅极层143下方均设置有栅极绝缘层142，即第一交叠区域146还包括栅极绝缘层142。而相对于三层金属层交叠设置产生的段差而言，栅极绝缘层142对段差的影响较小。

可选的，在形成薄膜晶体管层140时，栅极层143图案化之后能够形成栅极1431和扫描线1432，源漏极层145图案化之后能够形成源漏极1451和数据线1452，遮光层120、扫描线1432和数据线1452交叠设置并形成第一交叠区域146，钝化层150背离衬底基板110的一侧对应第一交叠区域146的位置形成有第一凸起152，即第一凸起152主要由遮光层120、扫描线1432和数据线1452共三层金属层叠加产生的段差而形成。

其中，扫描线1432也能够形成于图案化的遮光层120中，即第一交叠区域146指的是遮光层120、栅极层143和源漏极层145这三层金属层图案化之后形成的交叠区域，但对其交叠产生的具体位置并不做限定，也就是说钝化层150上对应三层金属层交叠设置的区域均形成第一凸起152。

需要说明的是，本申请实施例中薄膜晶体管层140表面段差的产生主要来源于遮光层120与薄膜晶体管层140中金属层的交叠设置，而薄膜晶体管层140中的金属层包括栅极层143和源漏极层145，即薄膜晶体管层140表面的最大段差来源于三层金属层的交叠设置，也就是说，第一凸起152相对衬底基板110的高度即为钝化层150相对衬底基板110的高度的最大值。

其中，第一平坦化层160相对衬底基板110的高度的最大值小于或等于第一凸起152相对衬底基板110的高度，即第一平坦化层160相对衬底基板110的高度的最大值小于或等于钝化层150相对衬底基板110的高度的最大值。通过设置第一平坦化层160，并使第一平坦化层160相对衬底基板110的高度的最大值小于或等于第一凸起152相对衬底基板110的高度，能够提高钝化层150表面的平坦度，有助于后续膜层的制作，提高后续膜层的结构均匀性；同时也能避免第一平坦化层160高于第一凸起152而产生新的段差，节省第一平坦化层160的使用，降低生产成本。

可选的，如图7和8所示，遮光层120、有源层141和源漏极层145交叠设置并形成第二交叠区域147。其中，源漏极层145包括源漏极1451，源漏极1451与有源层141电连接并交叠设置，即遮光层120、有源层141与源漏极1451交叠设置并形成第二交叠区域147，钝化层150背离衬底基板110的一侧对应第二交叠区域147的位置形成有第二凸起153，即第二凸起153主要由遮光层120和源漏极1451两层金属层以及一层有源层141叠加产生的段差而形成。相对于金属层而言，有源层141对段差产生的影响较小，因此，第二凸起153相对衬底基板110的高度小于第一凸起152相对衬底基板110的高度。

需要说明的是，图案化的源漏极层145还能够形成第一电容线(图中未示出)，图案化的遮光层120能够形成第二电容线(图中未示出)，第一电容线与第二电容线交叠设置并形成对应的第二交叠区域147，即钝化层150上对应遮光层120与源漏极层145两层金属层交叠设置的区域均形成第二凸起153，对其具体交叠设置的位置并不做限定。

在一些实施例中，第一平坦化层160相对衬底基板110的高度的最大值小于或等于第二凸起153相对衬底基板110的高度，即第一平坦化层160仅位于钝化层150的凹陷区域151，将第一平坦化层160相对衬底基板110的高度的最大值设置为小于或等于第二凸起153相对衬底基板110的高度，既能减小第二凸起153产生的段差，也能避免第一平坦化层160高于第二凸起153而产生新的段差，节省第一平坦化层160的使用，降低生产成本。

在另一些实施例中，当钝化层150表面段差较大时，第二凸起153背离衬底基板110的一侧设置有第一平坦化层160，即第一平坦化层160除位于钝化层150的凹陷区域151外，还能够设置在钝化层150的凸起上，但此时第一平坦化层160相对衬底基板110的高度的最大值仍然小于钝化层150相对衬底基板110的高度的最大值，避免第一平坦化层160过高而产生新的段差。通过在第二凸起153背离衬底基板110的一侧设置第一平坦化层160，能够进一步减小钝化层150表面凹陷区域151的段差，提高钝化层150表面的平坦度，有助于后续膜层的制作，提高后续膜层的结构均匀性。

可选的，如图7和图8所示，遮光层120、有源层141和栅极层143交叠设置并形成第三交叠区域148。其中，栅极层143包括栅极1431，栅极1431与有源层141之间还设置有栅极绝缘层142，即遮光层120、有源层141、栅极绝缘层142与栅极1431交叠设置并形成第三交叠区域148，钝化层150背离衬底基板110的一侧对应第三交叠区域148的位置形成有第三凸起154。相对于金属层而言，有源层141和栅极绝缘层142对段差产生的影响较小，即第三凸起154主要由遮光层120和栅极层143两层金属层叠加产生的段差而形成。其中，第三凸起154相对衬底基板110的高度小于第一凸起152相对衬底基板110的高度。

在一些实施例中，第一平坦化层160相对衬底基板110的高度的最大值小于或等于第三凸起154相对衬底基板110的高度，即第一平坦化层160仅位于钝化层150的凹陷区域151，将第一平坦化层160相对衬底基板110的高度的最大值设置为小于或等于第三凸起154相对衬底基板110的高度，既能减小第三凸起154产生的段差，也能避免第一平坦化层160高于第三凸起154而产生新的段差，节省第一平坦化层160的使用，降低生产成本。

在另一些实施例中，当钝化层150表面段差较大时，第三凸起154背离衬底基板110的一侧设置有第一平坦化层160，即第一平坦化层160除位于钝化层150的凹陷区域151外，还能够设置在钝化层150的凸起上，但此时第一平坦化层160相对衬底基板110的高度的最大值仍然小于钝化层150相对衬底基板110的高度的最大值，避免第一平坦化层160过高而产生新的段差。通过在第三凸起154背离衬底基板110的一侧设置第一平坦化层160，能够进一步减小钝化层150表面凹陷区域151的段差，提高钝化层150表面的平坦度，有助于后续膜层的制作，提高后续膜层的结构均匀性。

此外，第二凸起153和第三凸起154相对衬底基板110的高度能够相同或不同，其高度的相对关系与遮光层120、栅极层143和源漏极层145之间的厚度关系直接相关，通过对遮光层120、栅极层143和源漏极层145厚度的调节，即可对第二凸起153和第三凸起154之间的高度关系进行调节，从而实现对第一平坦化层160厚度的设计调节。

需要说明的是，遮光层120与栅极层143之间设置的有源层141和栅极绝缘层142也可能造成段差的产生，但有源层141和栅极绝缘层142的膜厚较小，相对于遮光层120与栅极层143叠加产生的段差而言，有源层141和栅极绝缘层142产生的段差能够忽略不计。

可选的，第一平坦化层160的厚度大于或等于0.2微米且小于或等于2.5微米。若第一平坦化层160的厚度过小，则会导致第一平坦化层160对钝化层150表面凹陷区域151产生的段差的平坦化效果较差，不利于后续膜层的制作；若第一平坦化层160的厚度过大，则可能会导致第一平坦化层160与钝化层150表面产生新的段差，既不利于后续膜层的制作，也会导致第一平坦化层160使用过剩，从而增大生产成本。

在实际制作过程中，能够将第一平坦化层160的厚度设置为0.2微米、0.5微米、1.0微米、1.5微米、2微米或者2.5微米，既能保证第一平坦化层160对钝化层150表面凹陷区域151产生的段差的有效平坦化，又能避免第一平坦化层160厚度过大而导致产生新的段差。其中，第一平坦化层160的厚度的具体值能够根据实际情况进行相应调整，此处不做特殊限制。

可选的，第一平坦化层160的材质包括正性有机光阻、负性有机光阻或无机材料。当第一平坦化层160的材质为正性有机光阻或负性有机光阻时，第一平坦化层160在涂覆过程中能够从较高位置流动至较低位置，以减小第一平坦化层160自身的高度差。同时，通过曝光显影的方式除去相应位置的第一平坦化层160，如钝化层150第一凸起152表面的第一平坦化层160，以使第一平坦化层160相对衬底基板110的高度的最大值小于或等于钝化层150相对衬底基板110的高度的最大值。

当第一平坦化层160的材质为无机材料时，第一平坦化层160采用沉积的方式形成在钝化层150上，同样的，在第一平坦化层160沉积完成后，需要至少将钝化层150第一凸起152表面的第一平坦化层160蚀刻掉，以使第一平坦化层160相对衬底基板110的高度的最大值小于或等于钝化层150相对衬底基板110的高度的最大值。

可选的，如图1和图2所示，显示面板100包括第二平坦化层170，第二平坦化层170位于第一平坦化层160和钝化层150上。在钝化层150上设置第一平坦化层160后，第一平坦化层160有效缓解了钝化层150上凹陷区域151的段差，但当第一平坦化层160相对衬底基板110的高度的最大值小于钝化层150相对衬底基板110的高度的最大值时，钝化层150表面仍然存在剩余段差。通过在第一平坦化层160和钝化层150上设置第二平坦化层170，能够对钝化层150表面剩余的段差继续进行平坦化，以进一步改善钝化层150表面的平坦度，有助于后续膜层的制作，提高后续膜层的结构均匀性。

其中，第二平坦化层170的厚度大于或等于1.5微米且小于或等于6微米。若第二平坦化层170的厚度过小，则会导致第二平坦化层170无法对钝化层150表面剩余段差进行有效的平坦化，不利于后续膜层的制作；若第二平坦化层170的厚度过大，则会导致在后续开孔设计过程中，开孔深度过大，从而导致后续膜层制作时出现断裂的风险。

在实际制作过程中，能够将第二平坦化层170的厚度设置为1.5微米、2微米、3微米、4微米、5微米或者6微米等，既能保证第二平坦化层170起到有效的平坦化作用，又能避免第二平坦化层170厚度过大而导致后续膜层在开孔处发生断裂，从而保证后续膜层的稳定性。其中，第二平坦化层170的厚度的具体值能够根据实际情况进行相应调整，此处不做特殊限制。

需要说明的是，第二平坦化层170与第一平坦化层160的材质能够相同或者不同，此处不做限制，只需保证第二平坦化层170能够有效改善钝化层150表面的剩余段差即可。其中，当第二平坦化层170与第一平坦化层160的材质相同时，还能够改善第二平坦化层170与第一平坦化层160之间的连接强度，从而提高显示面板100结构的稳定性。

可选的，显示面板100还包括阳极层180，阳极层180设置在第一平坦化层160上，阳极层180与薄膜晶体管层140电连接。其中，阳极层180包括阳极，薄膜晶体管层140包括薄膜晶体管，薄膜晶体管包括源极和漏极，阳极与源极或漏极电连接。在显示面板100工作过程中，通过薄膜晶体管的导通与断开即可控制对应阳极上信号的导通与断开。

显示面板100包括像素定义层190，像素定义层190设置在阳极层180上，像素定义层190上开设有像素开口191，像素开口191用于限定发光像素的位置，且像素开口191露出部分阳极层180，以便于后续膜层在阳极层180上的制作。

显示面板100包括发光层200，发光层200设置在阳极层180上，且发光层200位于像素开口191内，即发光层200设置在露出的阳极层180上，以与阳极层180连接，通过阳极层180上信号的导通与断开能够对发光层200的发光方式进行调控，从而实现对显示面板100显示方式的调控。

其中，显示面板100的显示效果与发光层200的厚度均匀性有关，发光层200的厚度均匀性则与阳极层180表面的平坦度有关，而阳极层180的平坦度与钝化层150表面的平坦度直接相关，因此，通过在钝化层150上设置第一平坦化层160和第二平坦化层170，能够有效改善钝化层150表面的平坦度，从而改善阳极层180表面的平坦度，进而改善发光层200的厚度均匀性，提高显示面板100的显示效果。

显示面板100还包括阴极层和封装层，阴极层设置在像素定义层190和发光层200上，且阴极层与发光层200连接，通过阳极层180和阴极层上输入信号的共同控制能够实现对发光层200发光方式的调控，从而实现对显示面板100显示方式的调控。

封装层则设置在阴极层上，且填充像素开口191，以对发光层200及薄膜晶体管层140的内部结构进行封装保护，防止外部环境中的水分或氧气等侵蚀显示面板100的内部结构，从而保证显示面板100的正常使用。

其次，本申请实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括显示面板，该显示面板的具体结构参照上述实施例，由于本显示装置采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。

如图4所示，显示装置10包括显示面板100、控制电路300及壳体400。其中，壳体400与显示面板100连接以对显示面板100进行支撑和固定，控制电路300设置在壳体400内，且控制电路300与显示面板100电连接，以控制显示面板100进行画面显示。

其中，显示面板100可以固定到壳体400上，与壳体400形成一个整体，显示面板100和壳体400形成密闭空间，用以容纳控制电路300。控制电路300可以为显示装置10的主板，同时，控制电路300上还可以集成有电池、天线结构、麦克风、扬声器、耳机接口、通用串行总线接口、摄像头、距离传感器、环境光传感器以及处理器等功能组件中的一个或多个，以使显示装置10能适应于各种应用领域。

需要说明的是，显示装置10并不限于以上内容，其还可以包括其他器件，比如还可以包括摄像头、天线结构、指纹解锁模块等，以扩大其使用范围，此处不作限制。

本申请实施例中的显示装置10应用范围十分广泛，包括电视机、电脑、移动电话、可折叠以及可卷曲显示屏等柔性显示及照明，以及可穿戴设备如智能手环、智能手表等，均在本申请实施例中的显示装置10所属应用领域范围内。

最后，本申请实施例还提供一种显示面板的制作方法，能够用于制作上述实施例中的显示面板，如图5所示，显示面板的制作方法主要包括以下步骤：

S100、提供一衬底基板110。

在制作显示面板100时，需要先提供一衬底基板110，并对衬底基板110进行清洗，以除去衬底基板110表面的污渍，便于后续膜层的制作。衬底基板110作为显示面板100的支撑结构，用于支撑显示面板100中的其他膜层结构，以保证显示面板100的结构稳定性。其中，衬底基板110可以为玻璃基板或者其他材质类型，此处不做特殊限制。

S200、在衬底基板110上形成薄膜晶体管层140。

准备好衬底基板110之后，在衬底基板110上形成薄膜晶体管层140，薄膜晶体管层140作为显示面板100的控制开关功能层，用于对显示面板100的其他功能结构层进行控制，以对显示面板100的显示方式进行调控。

其中，薄膜晶体管层140包括有源层141、栅极层143和源漏极层145。在制作薄膜晶体管层140时，会对相应膜层进行图案化处理，以形成薄膜晶体管或金属走线等结构。例如，栅极层143经图案化之后能够形成栅极1431和扫描线1432等，源漏极层145图案化之后能够形成源漏极1451和数据线1452等。

需要说明的是，当薄膜晶体管层140中的薄膜晶体管为顶栅结构时，有源层141、栅极层143和源漏极层145沿远离衬底基板110的方向层叠设置；当薄膜晶体管层140中的薄膜晶体管为底栅结构时，栅极层143、有源层141和源漏极层145沿远离衬底基板110的方向层叠设置。

当薄膜晶体管层140中的薄膜晶体管为顶栅结构时，在衬底基板110上形成薄膜晶体管层140之间，能够先在衬底基板110上依次形成遮光层120和缓冲层130，遮光层120用于对薄膜晶体管层140中的有源层141等结构进行遮光处理，避免光线直接照射影响薄膜晶体管层140的结构稳定性；缓冲层130则用于将遮光层120与薄膜晶体管层140隔开，避免薄膜晶体管层140与遮光层120之间产生相互干扰，影响薄膜晶体管层140的正常工作。

S300、在薄膜晶体管层140上形成钝化层150，钝化层150背离衬底基板110的一侧形成有多个凹陷区域151。

如图6所示，制作完薄膜晶体管层140之后，在薄膜晶体管层140上形成钝化层150，用于对薄膜晶体管层140进行绝缘，避免薄膜晶体管层140与后续膜层发生干扰。其中，钝化层150背离衬底基板110的一侧形成有多个凹陷区域151，相邻的凹陷区域151之间则会对应形成凸起结构，即钝化层150表面为不平整表面且存在段差。

需要说明的是，薄膜晶体管层140包括金属层和绝缘层，在形成金属层时，会对金属层进行图案化处理，以形成目标图案，即图案化之后的金属层所在的位置会形成凸起。对于整个薄膜晶体管层140而言，仅由绝缘层叠加而成的区域为薄膜晶体管层140表面相对衬底基板110的高度较小的区域，反之，叠加的金属层越多，则薄膜晶体管层140对应区域表面相对衬底基板110的高度越高，从而在薄膜晶体管层140表面形成不同高度的凸起。在薄膜晶体管层140上形成钝化层150时，钝化层150表面形状与薄膜晶体管层140的表面形状直接相关，故钝化层150表面会在对应区域形成凸起，相邻凸起之间则形成凹陷区域151。

在一些实施例中，在形成薄膜晶体管层140时，遮光层120、栅极层143和源漏极层145交叠设置并形成第一交叠区域146。例如，栅极层143图案化之后能够形成栅极1431和扫描线1432，源漏极层145图案化之后能够形成源漏极1451和数据线1452，遮光层120、扫描线1432和数据线1452交叠设置并形成第一交叠区域146，钝化层150背离衬底基板110的一侧对应第一交叠区域146的位置形成有第一凸起152，即第一凸起152主要由遮光层120、扫描线1432和数据线1452共三层金属层叠加产生的段差而形成。

其中，扫描线1432也能够形成于图案化的遮光层120中，即第一交叠区域146指的是遮光层120、栅极层143和源漏极层145这三层金属层图案化之后形成的交叠区域，但对其交叠产生的具体位置并不做限定，也就是说钝化层150上对应三层金属层交叠设置的区域均形成第一凸起152。

需要说明的是，栅极层143与有源层141之间还设置有栅极绝缘层142，在对栅极绝缘层142和栅极层143进行图案化处理时，采用先对栅极层143进行图案化处理，然后以图案化的栅极层143为掩模版对栅极绝缘层142进行图案化处理，因此，图案化的栅极层143下方均设置有栅极绝缘层142，即第一交叠区域146还包括栅极绝缘层142。而相对于三层金属层交叠设置产生的段差而言，栅极绝缘层142对段差的影响较小。

在另一些实施例中，遮光层120、有源层141和源漏极层145交叠设置并形成第二交叠区域147。其中，源漏极层145包括源漏极1451，源漏极1451与有源层电连接并交叠设置，即遮光层120、有源层141与源漏极1451交叠设置并形成第二交叠区域147，钝化层150背离衬底基板110的一侧对应第二交叠区域147的位置形成有第二凸起153，即第二凸起153主要由遮光层120和源漏极1451两层金属层以及一层有源层141叠加产生的段差而形成。相对于金属层而言，有源层141对段差产生的影响较小，因此，其中，第二凸起153相对衬底基板110的高度小于第一凸起152相对衬底基板110的高度。

需要说明的是，图案化的源漏极层145还能够形成第一电容线(图中未示出)，图案化的遮光层120能够形成第二电容线(图中未示出)，第一电容线与第二电容线交叠设置并形成对应的第二交叠区域147，即钝化层150上对应遮光层120与源漏极层145两层金属层交叠设置的区域均形成第二凸起153，对其具体交叠设置的位置并不做限定。

在又一些实施例中，遮光层120、有源层141和栅极层143交叠设置并形成第三交叠区域148。其中，栅极层143包括栅极1431，栅极1431与有源层141之间还设置有栅极绝缘层142，即遮光层120、有源层141、栅极绝缘层142与栅极1431交叠设置并形成第三交叠区域148，钝化层150背离衬底基板110的一侧对应第三交叠区域148的位置形成有第三凸起154。相对于金属层而言，有源层141和栅极绝缘层142对段差产生的影响较小，即第三凸起154主要由遮光层120和栅极层143两层金属层叠加产生的段差而形成。其中，第三凸起154相对衬底基板110的高度小于第一凸起152相对衬底基板110的高度。

需要说明的是，第二凸起153和第三凸起154相对衬底基板110的高度能够相同或不同，其高度的相对关系与遮光层120、栅极层143和源漏极层145之间的厚度关系直接相关，通过对遮光层120、栅极层143和源漏极层145厚度的调节，即可对第二凸起153和第三凸起154之间的高度关系进行调节。

S400、在钝化层150上形成第一平坦化层160，使第一平坦化层160至少部分位于多个凹陷区域151内，第一平坦化层160相对衬底基板110的高度的最大值小于或等于钝化层150相对衬底基板110的高度的最大值。

如图7和图8所示，制作完钝化层150之后，在钝化层150上形成第一平坦化层160，使第一平坦化层160至少部分位于多个凹陷区域151内，通过在钝化层150的凹陷区域151内设置第一平坦化层160，能够减小钝化层150上凹陷区域151产生的段差，提高钝化层150表面的平坦度，有助于后续膜层的制作，提高后续膜层的结构均匀性。

其中，第一平坦化层160相对衬底基板110的高度的最大值小于或等于钝化层150相对衬底基板110的高度的最大值，即第一平坦化层160背离衬底基板110的一侧表面的最高点低于钝化层150背离衬底基板110的一侧表面的最高点，或者第一平坦化层160背离衬底基板110的一侧表面的最高点与钝化层150背离衬底基板110的一侧表面的最高点平齐。此种结构设计使得在减小钝化层150表面段差的同时，避免第一平坦化层160与钝化层150之间产生新的段差，同时也能够节省第一平坦化层160的使用，降低生产成本。

需要说明的是，本申请实施例中薄膜晶体管层140表面段差的产生主要来源于遮光层120与薄膜晶体管层140中金属层的交叠设置，而薄膜晶体管层140中的金属层包括栅极层143和源漏极层145，即薄膜晶体管层140表面的最大段差来源于三层金属层的交叠设置，也就是说，第一凸起152相对衬底基板110的高度即为钝化层150相对衬底基板110的高度的最大值。

在形成第一平坦化层160时，能够将第一平坦化层160全部设置在钝化层150上的凹陷区域151，即钝化层150上第一凸起152、第二凸起153和第三凸起154的表面均未设置第一平坦化层160，此时第一平坦化层160相对衬底基板110的高度的最大值小于或等于第一凸起152相对衬底基板110的高度，或者第一平坦化层160相对衬底基板110的高度的最大值小于或等于第二凸起153相对衬底基板110的高度，或者第一平坦化层160相对衬底基板110的高度的最大值小于或等于第三凸起154相对衬底基板110的高度。

其中，第一平坦化层160的具体高度能够根据各个凸起结构的高度关系进行调整设计。此种结构设计在保证第一平坦化层160减小钝化层150表面段差的同时，能够避免第一平坦化层160与凸起结构之间产生新的段差。

在一些实施例中，第一平坦化层160除位于钝化层150的凹陷区域151外，还能够设置在部分凸起结构的表面。例如，当钝化层150同时包括第一凸起152、第二凸起153和第三凸起154时，第一平坦化层160能够同时设置在第二凸起153和第三凸起154的表面，仅露出位于最高点的第一凸起152的表面。

也就是说，在钝化层150上形成第一平坦化层160时，根据钝化层150上凸起结构的分布情况，仅将钝化层150上相对衬底基板110最高的凸起结构的表面露出，此种结构设计能够最大程度的减小钝化层150表面的段差，提高钝化层150表面的平坦度，有助于后续膜层的制作，提高后续膜层的结构均匀性。

其中，第一平坦化层160的材质包括正性有机光阻、负性有机光阻或无机材料。当第一平坦化层160的材质为正性有机光阻或负性有机光阻时，第一平坦化层160可以采用涂覆的方式，在涂覆过程中第一平坦化层160能够从较高位置流动至较低位置，以减小第一平坦化层160自身的高度差；然后，通过曝光显影的方式除去相应位置的第一平坦化层160，如钝化层150第一凸起152表面的第一平坦化层160，以使第一平坦化层160相对衬底基板110的高度的最大值小于或等于钝化层150相对衬底基板110的高度的最大值。

当第一平坦化层160的材质为无机材料时，第一平坦化层160采用沉积的方式形成在钝化层150上，同样的，在第一平坦化层160沉积完成后，需要至少将钝化层150第一凸起152表面的第一平坦化层160蚀刻掉，以使第一平坦化层160相对衬底基板110的高度的最大值小于或等于钝化层150相对衬底基板110的高度的最大值。

可选的，本申请实施例中显示面板100的制作方法还包括以下内容：

如图1和图2所示，在第一平坦化层160和钝化层150上形成第二平坦化层170；在第二平坦化层170上形成阳极层180，使阳极层180与薄膜晶体管层140电连接；在阳极层180上形成像素定义层190，并在像素定义层190上形成像素开口191，使像素开口191露出部分阳极层180；在阳极层180上打印一层发光层200，使发光层200位于像素开口191内。

在钝化层150上设置第一平坦化层160后，第一平坦化层160有效缓解了钝化层150上凹陷区域151的段差，但当第一平坦化层160相对衬底基板110的高度的最大值小于钝化层150相对衬底基板110的高度的最大值时，钝化层150表面仍然存在剩余段差。通过在第一平坦化层160和钝化层150上设置第二平坦化层170，能够对钝化层150表面剩余的段差继续进行平坦化，以进一步改善钝化层150表面的平坦度，有助于后续膜层的制作，提高后续膜层的结构均匀性。

具体的，阳极层180包括阳极，薄膜晶体管层140包括薄膜晶体管，薄膜晶体管包括源极和漏极，阳极与源极或漏极电连接。在显示面板100工作过程中，通过薄膜晶体管的导通与断开即可控制对应阳极上信号的导通与断开。像素定义层190上的像素开口191用于限定发光像素的位置，且像素开口191露出部分阳极层180，发光层200则设置在露出的阳极层180上，以与阳极层180连接，通过阳极层180上信号的导通与断开能够对发光层200的发光方式进行调控，从而实现对显示面板100显示方式的调控。

其中，显示面板100的显示效果与发光层200的厚度均匀性有关，发光层200的厚度均匀性则与阳极层180表面的平坦度有关，而阳极层180的平坦度与钝化层150表面的平坦度直接相关，因此，通过在钝化层150上设置第一平坦化层160和第二平坦化层170，能够有效改善钝化层150表面的平坦度，从而改善阳极层180表面的平坦度，进而改善发光层200的厚度均匀性，提高显示面板100的显示效果。

显示面板100的制作方法还包括在像素定义层190上依次形成阴极层和封装层，且阴极层与发光层200连接，通过阳极层180和阴极层上输入信号的共同控制能够实现对发光层200发光方式的调控，从而实现对显示面板100显示方式的调控。封装层则设置在阴极层上，且填充像素开口191，以对发光层200及薄膜晶体管层140的内部结构进行封装保护，防止外部环境中的水分或氧气等侵蚀显示面板100的内部结构，从而保证显示面板100的正常使用。

以上对本申请实施例所提供的一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。