由于减少的吸收贡献而具有减少的衰减的光纤

本申请要求于2021年3月3日提交的美国临时专利申请序列第63/155,935号的优先权的权益，本申请依据该临时申请的内容并且该临时申请的内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开涉及光纤。更具体地，本公开涉及具有减少的衰减并且具有对衰减的减少的吸收贡献的光纤。

背景技术

光纤已经在通信领域中取得了越来越重要的作用并且通过传播光束来工作。通常，光纤包括芯和包层。芯用于传播光，并且包层用于通过反射将光限制在芯内。芯中的杂质和缺陷至关重要，因为此类杂质和缺陷会阻碍光的传播，从而导致通过光纤的光的损耗，从而减小了光在无需放大的情况下可传播的距离。

衰减是由于外部或内部因素导致的光纤内的信号损耗。光纤的衰减是光纤的吸收、散射特性和弯曲损耗的结果，这些中的每一者都受到光纤材料和光纤结构本身的影响。吸收可由外来和/或本征因素引起。外来吸收包括玻璃成分中的原子缺陷，诸如移位且不在晶格结构中正确位置的原子。外来吸收还包括玻璃材料中的杂质。本征吸收是由光纤材料的基本组成原子引起的，诸如光纤材料本身的固有吸收。例如，对于由熔融二氧化硅形成的光纤，本征吸收损耗与熔融二氧化硅本身的吸收有关，而外来吸收损耗是由熔融二氧化硅内的杂质和/或缺陷引起的。

光纤必须以非常特定的波导参数(包括低衰减损耗)操作，从而在长距离且在短时段内传输信号。

发明内容

通常，在制造光纤的过程中，首先由烟灰毛坯生产光纤预形成物。例如，使用气相沉积方法，通过将含二氧化硅的烟灰层沉积到旋转的沉积表面上来形成烟灰毛坯。然后在固结炉中在干燥气体气氛中干燥烟灰毛坯。一旦干燥，就可以对烟灰毛坯进行掺杂，以与纯二氧化硅相比提高或降低烟灰毛坯的一个或多个部分的折射率。一旦烟灰毛坯被充分掺杂，烟灰毛坯就被加热到升高的温度，直到烟灰毛坯玻璃化并产生固结的玻璃预形成物。然后使用拉丝炉将预形成物拉制成光纤。

杂质可能在制造过程的任何阶段期间被引入。例如，固结炉中的工艺气体可包括一种或多种杂质，这些杂质可被光纤预形成物吸收并合并到经拉制的光纤中。这会增加经拉制的光纤中的衰减，这阻碍光在经拉制的光纤内的传播。

在光纤制造过程的早期阶段，杂质往往高度集中并集中在光纤预形成物的某些区域中，从而使得更容易筛选预形成物以检测预形成物中具有增加的吸收的这些部分。

附加地，光纤结构中的缺陷也可增加衰减。例如，光纤预形成物的二氧化硅或掺杂二氧化硅网络中具有结构缺陷的部分可增加经拉制的光纤的衰减。

本公开的各方面包括筛选过程，用于在将光纤预形成物拉制成光纤之前，针对由于杂质和/或缺陷而导致吸收增加的局部区域对光纤预形成物进行筛选，以及在拉制过程之前移除这些区域。这有利地改善了从中拉制的光纤的衰减。在一些实施例中，对第一预形成物进行筛选以确定在第一预形成物的生产期间的哪个(哪些)阶段引入杂质和/或缺陷。然后在后续预形成物的生产期间从后续预形成物移除具有这些杂质和/或缺陷的局部区域。因此，由后续预形成物拉制的光纤的衰减得到极大改善。

局部区域的移除可包括蚀刻过程。如下文进一步讨论的，蚀刻可在未塌陷的预形成物或部分塌陷的预形成物上进行。在蚀刻步骤期间，蚀刻剂气体流过预形成物的中心开口和/或围绕预形成物的外表面流动，以从预形成物移除沉积的材料。在其他实施例中，将预形成物暴露于试剂以处理局部区域。

在第一方面，本公开包括一种单模光纤，其包括芯区域，该芯区域包括掺杂有碱金属的二氧化硅玻璃。光纤具有在1550nm下约0.155dB/km或更小的总衰减，使得光纤中的外来吸收贡献0.004dB/km或更小的总衰减。

在另一方面，本公开包括一种制造碱掺杂二氧化硅芯光纤的方法，该方法包括：确定第一光纤预形成物中与没有任何杂质和缺陷的纯二氧化硅的基线相比具有增加的外在吸收的一个或多个部分。该方法进一步包括：确定第一光纤预形成物的生产过程中的对第一光纤预形成物中的具有增加的外在吸收的一个或多个部分有贡献的一个或多个生产步骤。附加地，该方法包括：处理由与第一光纤预形成物相同的生产过程制成的第二光纤预形成物中的一个或多个部分，以及将第二光纤预形成物拉制成光纤，其中该光纤具有1550nm下约0.155dB/km或更小的总衰减，使得光纤中的外来吸收贡献0.004dB/km或更小的总衰减。

将在随后的详细描述中阐述附加特征以及优点，通过描述这些特征以及优点部分地对所属领域的技术人员显而易见，或通过实施如书面描述所描述以及此处的权利要求以及附图所描述的实施例识别这些特征以及优点。

应当理解的是，前述的大体描述和以下的详细描述两者仅为示例性的，并且它们旨在提供用于理解权利要求书的本质和特性的概述或框架。

各个附图被包括以提供进一步理解，各个附图被收入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图对于本公开的选定方面是说明性的，并与描述一起用于解释本公开所包含的方法、产品和组成物的原理和操作。

附图说明

图1A和图1B是根据本公开的实施例的形成光纤预形成物的过程的示意图；

图2描绘了根据本公开的实施例的形成具有减少的衰减的光纤的过程；

图3A和图3B是根据本公开的实施例的包括具有增加的吸收的部分的光纤预形成物的示意图；

图4是根据本公开的实施例的筛选光纤预形成物的过程的示意图；

图5描绘了根据本公开的实施例的针对光纤预形成物的一部分的径向位置与吸收的关系的曲线图；

图6描绘了根据本公开的实施例的针对两个光纤样品的径向位置与衰减损耗的关系的曲线图；以及

图7描绘了根据本公开的实施例的形成具有减少的衰减的光纤的过程。

具体实施方式

本公开被提供作为可行的教导并且可以通过参考以下描述、附图、示例和权利要求更容易地理解。为此，相关领域技术人员将认识到并理解，可以对本文描述的实施例的各个方面进行许多改变，同时仍然获得有益的结果。还显而易见的是，可以通过选择特征中的一些特征而不利用其他特征来获得本实施例的一些期望益处。因此，本领域技术人员将认识到，许多修改和适应是可能的，甚至在某些情况下可能是期望的，并且是本公开的一部分。因此，应当理解，除非另有说明，否则本公开不限于所公开的具体组成物、制品、设备和方法。还应理解，本文中使用的术语只是出于描述具体方面的目的，而不旨在是限制性的。

在本说明书和随后的权利要求中，将参考许多术语，这些术语应被定义为具有以下含义：

“光纤”是指具有被涂层包围的玻璃部分的波导。玻璃部分包括芯和包层，并且在本文中被称为“玻璃光纤”。

“径向位置”、“半径”或径向坐标“r”是指相对于光纤的中心线(r＝0)的径向位置。

除非另外指定，否则“折射率”是指1550nm波长下的折射率。

光纤的“模场直径”或“MFD”在等式(1)中定义如下：

其中f(r)是引导光信号的电场分布的横向分量并且是根据光纤的折射率分布计算的，如本领域已知的，并且r是光纤中的径向位置。“模场直径”或“MFD”取决于光学信号的波长，并且在本文中针对1310nm和1550nm的波长来报告。当提及本文中的模场直径时，将对波长进行具体指示。除非另有指定，否则模场直径指的是指定波长下的LP

光纤的“有效面积”在等式(2)中定义如下：

其中f(r)是被引导的光学信号的电场的横向分量，并且r是光纤中的径向位置。“有效面积”或“A

本文中使用的术语“衰减”是信号沿光纤行进时的光功率损失。衰减如由IEC-60793-1-40标准“衰减测量方法”所规定地被测量。

如本文所使用的“线缆截止波长”或“线缆截止”是指由IEC60793-1-44标准“测量方法和测试程序-截止波长”规定的22m线缆截止测试。

本文公开的光纤包括芯区域并且可进一步包括围绕芯区域的包层区域和围绕包层区域的涂层。芯区域和包层区域每一者均由玻璃形成。包层区域可包括多个同心区域。在一些实施例中，多个区域包括一个或多个沟槽区域，该一个或多个沟槽区域包括凹陷折射率包层区域。涂层可至少包括一次涂层和二次涂层。此外，本文公开的光纤可以是单模光纤或多模光纤。如下文进一步讨论的，本文公开的光纤是使用拉制过程由光纤预形成物形成的。

图1A和图1B描绘了使用外部气相沉积(OVD)方法形成光纤预形成物的过程。如图1A所示，首先将硅氧化物20的烟灰沉积层沉积在基底棒30上，随后移除棒30以形成玻璃管10。如图1B所示，棒30的移除在玻璃管中形成孔或开口35(也称为中心线孔)。然后通过烧结将硅氧化物20固结成二氧化硅管，并且硅氧化物20可进一步掺杂一种或多种掺杂剂，诸如例如碱金属氧化物，如下文进一步讨论的。

根据本公开的实施例，通过将碱金属氧化物扩散到作为光纤预形成物的前驱物的二氧化硅玻璃管(例如，玻璃管10)中来生产碱掺杂光纤。使用下述过程对经固结的玻璃管进行碱掺杂。例如，首先将玻璃管安装在车床的卡盘之间，该车床具有通过以下方式在玻璃管的一端附近形成的用于接收碱金属源化合物的环形贮槽：通过火焰加工或以其他方式将贮槽焊接到玻璃管上来在玻璃管的壁中锻制两个环形颈状变形。还构想可使用其他类型的贮槽。优选地，为了防止碱金属结晶，玻璃管和沉积在玻璃管内部的任何附加玻璃“实质上不含氯”。“实质上不含氯”是指氯含量足够低，以避免由于碱金属氯化物结晶导致的光学损耗。在一些实施例中，玻璃管具有小于按重量计约500ppm，或小于按重量计约100ppm，或小于按重量计约50ppm的氯含量。

此外，二氧化硅玻璃管和沉积在其中的任何附加玻璃应当“实质上不含水”，其中“水”指羟基OH。水负责在1383nm下或约1383nm产生吸收峰，该吸收峰可延伸到光纤的操作波长区域中。该峰可对光纤衰减产生不利影响。因此，期望通过尽可能地降低玻璃管的OH含量来降低吸收峰，也称为水峰。优选地，玻璃管包含小于按重量计约100ppb的OH，更优选地小于按重量计约20ppb的OH。

为了确保玻璃管在扩散碱金属氧化物掺杂剂之前实质上不含水，可以在玻璃管的制造期间采用常规的氯干燥技术。然后将碱源化合物引入贮槽端部处的玻璃管中，并在玻璃管旋转时通过热源加热以形成蒸汽。然后使氧气或载气(例如，通过开口35)流入玻璃管的入口，并且加热碱金属氧化物源化合物下游的玻璃管的一部分以促进碱金属氧化物扩散到玻璃管的内表面中。碱金属氧化物源化合物下游的玻璃管部分被加热至足以促进碱金属快速扩散到玻璃管内表面中并防止玻璃失透的温度。优选地，玻璃管的部分被加热至高于约1500℃的温度，并且更具体地在约1500℃与约2000℃之间的温度。热源沿着玻璃管的部分的长度穿过。

碱金属氧化物源化合物包括钾(K)、钠(Na)、锂(Li)、铯(Cs)、铷(Rb)或其组合。附加地或替代地，碱金属氧化物源包括溴化物、碘化物、氟化物或其组合。用于碱金属氧化物的一些示例性化合物包括KBr、KI、KNO

根据本领域已知的常规方法，扩散过程之后可以是进一步加热玻璃管以使玻璃管塌陷的步骤。在塌陷步骤之后，将掺杂玻璃棒在重新拉制炉中加热并以约15cm/分钟至约23cm/分钟的速率拉制成较小直径的玻璃棒。拉制的较小直径玻璃棒具有在约3mm至约10mm的范围内，或在小于约6mm的范围内的外径。

此外，在拉制光纤时，小直径玻璃棒应具有在光纤的芯中所期望的峰值K

例如，如图1A和图1B所示，小直径碱掺杂玻璃棒10可用作起始棒，在该起始棒上使用本领域已知的OVD方法沉积附加的多孔玻璃烟灰作为外芯层和过包覆层，以形成光纤预形成物。如本领域已知的，预形成物还可以是氟掺杂的。然后通过将预形成物加热至用于固结预形成物的合适温度来固结预形成物。然后可以将所得透明玻璃芯预形成物重新拉制以形成第二芯棒，即包含由其拉制的光纤的芯的至少一部分的玻璃棒。然后可以通过添加附加的玻璃来进一步加工第二芯棒，通过用玻璃管(玻璃管或烟灰管)进行套管、通过化学气相沉积(例如通过套管和化学沉积两者)来沉积玻璃烟灰、或者通过本领域已知的其他方法，以形成准备好拉制成光纤的完整光纤预形成物。附加玻璃可包括芯玻璃、包层玻璃或芯玻璃和包层玻璃两者。此外，附加玻璃可采取若干附加沉积步骤来实现所期望的厚度，其中在每个步骤之后，将烟灰干燥、掺氟、固结并重新拉制成更小直径的棒。

完整光纤预形成物的最外包层(其是邻近芯的包层)是已经通过溢流掺杂充分向下掺杂氟的二氧化硅玻璃。掺杂足以实现芯和包层之间的例如大于0.2％，并且更优选地在0.30％与0.50％之间的相对折射率增量％。具体地，对于其中通过沉积到第二棒来添加护槽(moat)二氧化硅(对应于光纤包层的附加玻璃)的每个附加步骤，这种护槽二氧化硅掺杂有氟。首先通过使护槽烟灰受到含氯气体的影响来对护槽烟灰进行干燥，然后在1225℃下将其暴露于含氟气体(例如，SiF4或CF4)达60-120分钟。然后，通过优选地在含氟气体存在的情况下，以7-10mm/分钟的速率向下驱动穿过热区(1400-1500℃)，护槽烟灰被固结。该预形成物可被重新拉制以形成第三棒，并再次重复步骤，即沉积、干燥、氟掺杂和固结，直到达到适当直径的最终预形成物。优选地，包层中附加玻璃的每个连续层中的氟重量％大致相同，或者更优选地，在最外包层中稍微少一些(大致少0.1至0.5重量％)，以将应力效应最小化。

在制造出完整的光纤预形成物之后，将完成的光纤预形成物拉制成碱金属氧化物掺杂光纤。完整光纤预形成物中的二氧化硅玻璃可具有约10ppm至约1000ppm，或约20ppm至约800ppm，或约50ppm至约500ppm，或约10ppm至约300ppm，或约10ppm至约250ppm范围内的峰值碱浓度。在美国专利第7,524,780号、美国专利第7,469,559号和美国专利公布第2007/0297735号中公开了形成碱掺杂二氧化硅光纤的附加方法，这些专利在此通过引用以其整体并入本文。

在一些实施例中，完整光纤预形成物中增加的吸收(由于杂质和/或缺陷)的局部区域在玻璃管的内表面或外表面上或者在施加到塌陷管上的后续玻璃层中的任一者的表面处的光纤预形成物的处理期间被合并。当光纤用于电信系统时，这些吸收区域与光纤中所发射的光相互作用，导致传输损耗增加。重要的是标识光学预形成物位置中对增加的吸收损耗有贡献的这些区域以及用于移除这些位置或处理这些位置以实现光纤中的低衰减的方法。

如上所述，完整的光纤预形成物在拉制炉中进行拉制。在预形成物的拉制期间，向预形成物施加张力以将光纤直径维持在预定的设定点。然后可以用一个或多个涂层涂覆经拉制的光纤，然后将经拉制的光纤缠绕在光纤缠绕线轴上。

一旦光纤被拉制，它就具有一定的衰减，这决定了当光穿过光纤传播时光功率的损耗。本公开的实施例筛选预形成物以供吸收，并在将预制棒拉制成光纤之前移除预制棒的这些部分，从而降低经拉制的光纤中的衰减。

图2示出了根据本公开的实施例的形成具有减少的衰减的光纤的示例性过程100。在步骤110处，该过程包括确定光纤预形成物的具有增加的吸收的一个或多个部分。在步骤120处，接着，从光纤预形成物移除该一个或多个部分。接着，在步骤130处，将光纤预形成物拉制成光纤。如下文进一步讨论的，在一些实施例中，过程100包括确定同一预形成物上从其移除部分(步骤120中)的部分(步骤110中)。然而，在其他实施例中，诸如参考图7，该过程包括确定第一预形成物上的部分并移除第二预形成物上的部分。接着，将第二预形成物拉制成光纤。如下面参考图7进一步讨论的，本文公开的过程包括：利用第一预形成物标识预形成物中添加外来吸收物的位置，以及移除用与第一预形成物相同的过程制作的第二预形成物中的外来吸收物。

此外，在一些实施例中，过程100包括仅在确定外来吸收低于预定阈值之后拉制光纤预形成物。还如下文进一步讨论的，在一些实施例中，在光纤预形成物的形成期间重复步骤110和120。

在步骤110处，预形成物被筛选以确定光纤预形成物的具有增加的吸收的一个或多个部分。具有增加的吸收的一个或多个部分可包括具有外来吸收的部分并且是与没有任何杂质或缺陷的纯二氧化硅光纤的基线相比来确定的，如下文进一步讨论的。预形成物中具有增加的外来吸收的一个或多个部分可由(i)玻璃组成结构中的缺陷和/或(ii)玻璃材料中的杂质引起。玻璃组成结构中的缺陷包括材料缺陷，诸如玻璃材料的晶格结构中的结构缺陷。在制造过程的任何阶段期间，例如在芯杖的掺杂期间或在存在加工气体的情况下的预形成物的固结加热期间，玻璃材料中的杂志可潜在地被吸收在光纤预形成物的玻璃材料中。

应注意，外来吸收(即，玻璃材料中的缺陷和杂质)与本征吸收不同，本征吸收是指由玻璃材料的基本组成引起的吸收。换句话说，本征吸收是指材料本身的固有吸收，例如二氧化硅的固有吸收。在光纤中，二氧化硅是优选的材料，因为它在操作波长下具有固有的低吸收性。例如，在1550nm波长下，二氧化硅玻璃的本征吸收为约0.015dB/km。

本公开的实施例针对由(i)玻璃组成结构中的缺陷和/或(ii)玻璃材料中的杂质引起的具有增加的外来吸收的部分对预形成物进行筛选，因为这些与玻璃的固有材料本身不直接相关。因此，预形成物的这些部分通常是孤立的部分，可以通过将这些部分的吸收与预形成物的其他部分进行比较来对这些部分进行筛选和检测。玻璃组成结构中的缺陷包括例如二氧化硅缺陷，诸如NBO(非桥接氧)和ODC(缺氧中心)。示例性杂质包括例如铁(Fe)、钛(Ti)、铝(Al)、铜(Cu)、钴(Co)、镍(Ni)、锰(Mn)、铬(Cr)和水蒸气。

图3A和图3B各自示出了具有中心开口35和具有增加的外来吸收的部分220的示例性预形成物200。在图3A和图3B的示例性实施例中，部分220被描绘为预形成物200的局部区域，其包括与预形成物200的中心纵轴共线的环形圈。在图3A中，部分220位于预形成物200的主体内，使得部分220设置在预形成物的外表面和内表面之间，并且部分220延伸达预形成物200的基本上整个长度。在图3B中，部分220包括预形成物200的最外表面。虽然图3A和图3B仅示出了一个部分220，但是还构想了预形成物200可包括具有增加的外来吸收的两个或更多个部分220。部分220可包括预形成物的单独且离散的部分或相交和连接的部分。此外，部分220可包括预形成物的主体和/或表面部分，诸如预形成物的最内表面。在一些实施例中，部分220至少部分地沿着塌陷的预形成物的中心线定位。此外，在一些实施例中，部分220延伸达预形成物的整个纵向长度。在其他实施例中，一个或多个部分220延伸达小于预形成物的整个纵向长度的长度。

如上所述，与基线相比，确定预形成物中具有增加的吸收的一个或多个部分。在一些实施例中，基线是没有任何杂质或缺陷的纯二氧化硅光纤的吸收，并且具有增加的吸收的部分具有大于基线吸收的吸收。因此，在一些实施例中，外来吸收的基线是0.00ppm/cm加上来自测量设备的任何噪声。如下文进一步讨论的，噪声可贡献约0.5ppm/cm的吸收，从而将基线从0.00ppm/cm提高到0.5ppm/cm。对于1000nm至1600nm的波长范围，具有增加的吸收的一个或多个部分可具有约0.05ppm/cm或更大的外来吸收。在一些实施例中，对于1000nm至1600nm的波长范围，一个或多个部分具有约0.1ppm/cm或更大、或约0.2ppm/cm或更大、或约0.5ppm/cm或更大、或约0.7ppm/cm或更大、或约1.0ppm/cm或更大的外来吸收。附加地或替代地，对于1000nm至1600nm的波长范围，一个或多个部分具有约1.5ppm/cm或更小、或约1.3ppm/cm或更小、或约1.1ppm/cm或更小、或约1.0ppm/cm或更小、或约0.8ppm/cm或更小、或约0.6ppm/cm或更小、或约0.4ppm/cm或更小、或约0.2ppm/cm或更小的外来吸收。

外来吸收的基线可取决于测量设备的噪声，测量设备的噪声可取决于测量设备的功率。该功率是指泵浦波束320的功率，如下面参考图4进一步讨论的。也正如下面进一步讨论的，较高的功率可产生较少的噪声，这会降低基线。例如，25瓦的功率可提供0.1ppm/cm的基线，而2.5瓦的功率可提供1.0ppm/cm的更高基线。

确定光纤预形成物的具有增加的吸收一个或多个部分可包括使用光热过程。图4描绘了用于筛选光纤预形成物310的样品的示例性光热系统300。在图4的实施例中，系统300使用光热共路径干涉测量(PCI)技术。如图4所示，用泵浦波束320加热预形成物样品310，并且产生的预形成物样品310的温度的增加影响相交的探测波束330。泵浦波束320是高功率波束，而探测波束330是低功率波束，使得泵浦波束320的功率大于探测波束330的功率。

泵浦波束320被聚焦到预形成物样品310中并被预形成物样品310吸收，这导致预形成物样品310的局部加热。预形成物样品310的温度升高导致样品的折射率的局部变化。结果，预形成物样品310的折射率的局部变化导致探测波束330的辐射在预形成物样品310的局部部分内折射。因此，探测波束330在其与泵浦波束320相交处经历相移。更具体地，探测波束330由于预形成物样品310的折射率的变化而经历相位畸变，并且探测波束330的相位畸变转变成波束的强度畸变。检测器340检测探测波束330中所产生的强度变化。检测器340检测到的信号与预形成物样品的吸收成比例，如下文进一步讨论的。

在一些实施例中，检测器340是光电二极管。泵浦波束322与探测波束330之间的交叉角可为约20°或更小、或约10°或更小、或约7°或更小、或约5°或更小、或约2°或更小、或约0°。虽然图4示出了泵浦波束320和探测波束330以不同角度穿过预形成物样品310，还应当注意的是，泵浦波束320和探测波束330可以是以相同角度穿过预形成物样品310的重叠且平行的波束。此外，泵浦波束320可具有在约0.5W至约100W、或约5.0W至约80W、或约25W、或约30W、或约35W、或约40W范围内的功率。如下文进一步讨论的，泵浦波束320的较高功率提供对预形成物中的吸收的更灵敏的检测。相反，探测波束330可具有低得多的功率，诸如在约10mW或更小的范围内，或约0.1mW至约30mW，或约3mW至约5mW，或约1mW至约10mW的范围内。

预形成物样品310仅是整个预形成物的一部分，但在杂质和缺陷的浓度方面代表整个预形成物。在一些实施例中，预形成物样品310具有约10mm或更小、或约5mm或更小、或约4mm或更小的长度。然而，在其他实施例中，还构想预形成物样品310构成整个预形成物。

如上所述，检测器340检测由预形成物样品310的温度增加导致的探测波束330的强度变化。然后将探测波束330的强度变化与参考样品进行比较，该参考样品与预形成物样品310具有相同材料并且具有已知的吸收系数。基于该比较，导出预形成物样品310的吸收。

更具体地，在由系统处理预形成物样品310之前，具有已知吸收的参考样品首先由图4的系统300处理。参考样品由与预形成物样品310相同的材料组成。在一个示例中，参考样品和预形成物样品310两者均由二氧化硅玻璃组成。此外，参考样品的吸收在之前使用公知的技术(诸如分光光度法)确定。因此，在由系统300处理参考样品之前，参考样品的吸收(A

接下来，将参考样品从系统300移除，并将预形成物样品310放置在系统中进行处理。如上所述，此时预形成物样品310的吸收是未知的。然后改变(例如，增加)泵浦波束320的功率，直到检测器340检测到探测波束330的强度变化，使得检测器340检测到信号(S

A

其中A

使用预形成物样品310的径向吸收，由该预形成物制成的光纤的衰减(dB/km)可以使用以下等式(4)来确定：

其中A

在一些实施例中，如果根据等式(4)计算的光纤衰减高于预定阈值，则确定预形成物中的吸收升高并且预形成物不被进一步处理而不是被拉制成光纤。因此，在一些实施例中，过程100包括仅在确定预形成物中的吸收低于预定阈值之后拉制光纤。在一些实施例中，仅在确定预形成物中的总吸收(本征加外来吸收)低于预定阈值之后才拉制光纤。在又一些实施例中，仅在确定预形成物中的外来吸收低于预定阈值之后才拉制光纤。对于1550nm波长，二氧化硅基光纤中的本征吸收为约0.015dB/km，使得外来吸收的阈值不应超过0.005dB/km，并且优选地不应超过0.004dB/km。

在又其他实施例中，仅从预形成物移除具有增加的吸收的部分，然后将预形成物拉制成光纤。如上所述，确定与基线相比具有增加的吸收的部分。

在一个示例中，系统300在1550nm的波长下测量预形成物样品中沿着样品的径向位置的外来吸收(如由杂质和缺陷引起的)的分布。图5描绘了针对该示例的径向位置与吸收的关系的曲线图。注意，图5中所描绘的样品仅包括预形成物的总横截面的一部分，而不是预形成物的整个横截面分布。在图5的示例中，吸收沿着样品的径向位置从约0.8ppm/cm变化至约52ppm/cm。因此，可确定图5中所描绘的整个样品高于0.005dB/km的吸收阈值，使得整个样品将被确定为具有增加的吸收的部分并从预形成物移除。

在一个示例中，针对具有增加的吸收的部分对掺杂有钾(使用碘化钾作为前驱物)的预形成物样品进行筛选。样品具有15mm的直径和6mm的长度。在该示例中，泵浦波束320是功率为3W的1064nm下的YAG激光。探测波束330是功率为1mW的HeNe激光并且与探测波束320以5度的角度相交。泵浦波束320的加热导致样品的温度升高约0.1℃，从而导致样品的折射率发生变化。这导致样品的吸收计算为20ppm/cm，该样品被确定为具有增加的吸收的部分。

尽管图4的系统使用PCI技术，但是可以使用其他系统和过程来确定预形成物样品310中的吸收。其他过程包括例如光热晕染、光热射束偏转以及用热相机和热干涉测量，如在以下文献中所讨论的：Bialkowsi S.E(1997)的“Diffraction Effects in Single-andTwo-Laser Photothermal Lens Spectroscopy(单激光和双激光光热透镜光谱中的衍射效应)”，美国光学学会(OpticalSociety of America)，第36卷，第27期，第6711-6721页；Muhlig T.W.(2005)的“Application of the laser induced deflection(LID)techniquefor low absorptionmeasurements in bulk materials and coatings(激光诱导偏转(LID)技术对散装材料和涂层中的低吸收测量的应用)”，SPIE会议录5965，光学制造、测试和计量II(Optical Fabrication,Testing,and Metrology II)59651J；Vlasova K.V.(2018)等人的“High-sensitive absorption measurement in transparentisotropicdielectrics with time-resolved photothermal common-pathinterferometry(利用时间分辨光热共路干涉测量的透明各向同性电介质的高灵敏度吸收测量)”，美国光学学会(Optical Society of America)，第57卷，第22期，第6318-6328页；以及Alexandrovski A.L.(1999)的“Photothermal absorption measurementsin opticalmaterials(光学材料中的光热吸收测量)”，CWK43，所述文献通过引用并入本文。

如上所述，泵浦波束320具有比探测波束330更高的功率。泵浦波束320的高功率有助于提供更少的噪声，并且因此在确定由于预形成物中的杂质和缺陷而导致的吸收时提供更高的灵敏度。例如，具有约25W功率的泵浦波束320提供约0.1ppm/cm的灵敏度。因此，当使用25W泵浦波束时，可以检测到约0.1ppm/cm量级的预形成物中的杂质和缺陷的浓度。灵敏度为0.1ppm/cm时，假设任何低于0.1ppm/cm的信号均被视为来自测量设备的噪声。因此，当灵敏度为0.1ppm/cm时，基线(与具有增加的吸收的部分进行比较)从0.00ppm/cm增加到0.1ppm/cm。更高水平的灵敏度(即，更灵敏的系统)有利于以提高的准确度确定吸收。

在一些实施例中，选择泵浦波束320的功率以便提供约1ppm/cm或更小(来自泵浦波束320的2.5W)、或约0.5ppm/cm或更小(来自泵浦波束320的5W)、或约0.25ppm/cm或更小(来自泵浦波束320的10W)、或约0.20ppm/cm或更小(来自泵浦波束320的12.5W)、或约0.10ppm/cm或更小(来自泵浦波束320的25W)、或约0.005ppm/cm或更小(来自泵浦波束的50W)的灵敏度。如上所述，具有更灵敏的系统允许以提高的准确度确定经拉制的光纤中产生的衰减。在一些实施例中，衰减被确定为约0.1dB/km或更小、或约0.05dB/km或更小、或约0.01dB/km或更小、或约0.005dB/km或更小、或约0.001dB/km或更小、或约0.0005dB/km或更小、或约0.0001dB/km或更小的量级。

如上所述，预形成物样品310中的吸收可导致经拉制的光纤中的增加的衰减。例如，预形成物中每1ppm/cm的吸收可导致经拉制的光纤的总衰减增加0.45dB/km(如果吸收均匀分布在光纤的模场直径上)。

图6示出了两个预形成物样品沿径向位置的总衰减损耗。如图6所示，样品410具有1ppm/cm的吸收，而样品510具有0.2ppm/cm的吸收。样品410的杂质比样品510多约5倍，从而导致样品410的吸收较高。由于样品510的较低吸收，样品510与样品410相比，跨光纤的径向位置具有较低的总体衰减。

还发现，与如果预形成物的具有增加的吸收的部分沿着预形成物的从中心线径向偏移的部分(沿着未掺杂碱金属的预形成物的区域)定位相比，如果预形成物的具有增加的吸收的部分沿着预形成物的中心线(沿着具有碱掺杂的预形成物的区域)定位，则对总衰减产生的影响显著较小。例如，与在约0mm的径向位置处的相同杂质浓度相比，在约15-20mm的径向位置处的杂质浓度可导致对总衰减的更高的外来吸收贡献。15-20mm径向位置处的吸收可以是0mm径向位置处的吸收的约2倍或更高，或约2.5倍或更高，或约5倍。再次参考图6，样品410和510的衰减在约16mm径向位置处最高，该位置径向偏离预形成物的中心线。

在(过程100的)步骤110中筛选预形成物样品310以确定预形成物的具有增加的吸收的一个或多个部分之后，接着修改该一个或多个部分，诸如在步骤120处将该一个或多个部分从预形成物移除。部分被移除以降低经拉制的光纤的衰减。在一些实施例中，使用气相蚀刻过程将预形成物蚀刻至足以移除一个或多个部分中的杂质和/或缺陷的深度。在其他实施例中，用试剂处理杂质和/或缺陷。

在使用蚀刻过程的实施例中，可以使用HF水溶液或氟化物气体作为蚀刻剂。在一些实施例中，氟化物气体为CF

蚀刻可在未塌陷的预形成物或部分塌陷的预形成物上进行。在实施例中，在蚀刻步骤期间，蚀刻剂气体流过预形成物的中心开口(开口35)以从预形成物的内表面移除材料。附加地或替代地，蚀刻剂气体沿着预形成物的外表面流动以从预形成物的外表面移除材料。因此，可以在蚀刻步骤期间从预形成物移除预形成物的具有增加的吸收的一个或多个部分。

在一些实施例中，在形成预形成物时执行蚀刻步骤。因此，在一层或多层二氧化硅烟灰沉积在基底棒30上(如图1A所示)并固结之后，预形成物经历图4的光热过程。如果确定预形成物具有高于预定阈值的吸收，则预形成物随后被蚀刻，使得从预形成物移除至少一层经固结玻璃(或至少一个部分层)。然而，如果确定预形成物的吸收低于预定阈值，则可以在预形成物上沉积一层或多层附加的二氧化硅烟灰并固结。然后，使预形成物再次经历光热过程，并且如果预形成物(具有附加的经固结玻璃层)的吸收高于预定阈值，则随后对预形成物进行蚀刻。并且，该过程持续直到形成最终预形成物。因此，过程100(图2)的步骤110和120在形成预形成物的过程期间重复并与形成预形成物的过程混合。

在蚀刻步骤期间，蚀刻剂气体可具有约25标准立方厘米每分钟(sccm)或更大、约50sccm或更大、约90sccm或更大、约150sccm或更大、约200sccm或更大、约300sccm或更大、约500sccm或更大、约1000sccm或更大、或约3000sccm或更大的流速。此外，在蚀刻步骤期间可以通过外部热源加热蚀刻剂气体。接触预形成物的蚀刻剂气体的温度可以为约1700℃或更低、或约1600℃或更低、或约1550℃或更低、或约1500℃或更低、或约1400℃或更低、或约1300℃或更低。在一些实施例中，温度为约800℃至约1700℃，或约1000℃至约1600℃，或约1200℃至约1600℃。

蚀刻剂气体可以穿过或沿着预形成物传送足够的时间以(从预形成物的内表面和/或外表面，如上所述)移除预形成物的约100微米或更大的深度，或约200微米或更大、或约300微米或更大、或约400微米或更大、或约500微米或更大、或约600微米或更大、或约700微米或更大、或约900微米或更大。在一些实施例中，从预形成物移除约200微米至约1000微米的深度，或移除约400微米至约800微米的深度。然而，移除的材料量取决于扩散期间的加工条件和任何部分管塌陷。在一些实施例中，蚀刻过程移除玻璃至碱金属扩散深度的至少约5％的深度。

本文公开的蚀刻过程可包括诸如Ball等人的美国专利第7,524,780号和Ball等人的美国专利第7,469,559号中公开的那些工艺参数，所述专利中的每一者通过引用以其整体并入本文。

在使用试剂来处理具有增加的吸收的部分的实施例中，经固结的预形成物可以暴露于诸如氯试剂之类的试剂。示例性试剂包括例如Cl、SOCl

在玻璃预形成物固结之前，可以将预形成物暴露于试剂。此外，在具有约0.005atm至约0.1atm的分压的处理环境中，试剂处理步骤在约1000℃至约1250℃的温度下。试剂的浓度和暴露的持续时间取决于部分在预形成物内的深度。

如上所述，试剂能够处理位于预形成物主体内的具有增加的吸收的部分。相反，上面讨论的蚀刻过程可能更有利于移除特定部分，诸如例如预形成物前驱物的最内或最外表面或预形成物的中间表面。

在蚀刻和/或试剂步骤之后，可以通过添加玻璃材料来进一步处理预形成物，这是通过玻璃管套管、通过化学气相沉积、或者通过其他方式进行的，以形成整个光纤预形成物。该附加玻璃材料可构成芯材料、包层材料或两者。

接下来，在(过程100的)步骤130中将预形成物拉制成光纤。在拉制步骤期间，光纤被拉制至预定直径。拉制过程的各种拉制参数(拉制速度、温度、张力、冷却速率等)规定了光纤的最终直径。此外，光纤可以经历涂覆过程，其中光纤涂覆有一次涂层、二次涂层，并且在一些实施例中，涂覆有三次涂层。

在一些实施例中，对第一预形成物进行筛选(例如，使用图4的光热过程)以确定在第一预形成物的生产期间的哪个(哪些)阶段引入杂质和/或缺陷。然后在后续预形成物的生产期间从后续预形成物移除(或处理)杂质和/或缺陷。因此，第一预形成物被用作对后续预形成物的生产的引导。更具体地，并且参考图7的过程700，在步骤710中，在第一预形成物中确定具有增加的吸收的一个或多个部分。例如，可以确定，第一预形成物在10-11mm径向位置和30-31mm径向位置处具有吸收增加的部分。因此，这些部分中的每一者都具有约1mm的径向厚度。

接下来，在步骤720处，确定形成具有增加的吸收的这些部分(第一预形成物的10-11mm和30-31mm径向位置)的生产步骤。例如，生产步骤可以是在这些径向位置处沉积二氧化硅烟灰或者在这些径向位置处固结过覆层。例如，可以确定在这些生产步骤期间杂质被引入到预形成物生产过程中。因此，这些部分贡献于经拉制的光纤中的增加的衰减，并在后续预形成物中被移除。

在步骤730处，从第二预形成物移除一个或多个部分，第二预形成物使用与第一预形成物相同的光纤生产过程。从第二预形成物移除的部分对应于第一预形成物中具有增加的吸收的部分(例如，10-11毫米和30-31毫米径向位置)。因此，从第二预形成物移除的部分也可具有与在第一预形成物中检测到的具有增加的吸收的部分相同的杂质和/或缺陷。当形成第二预形成物时，可将一个或多个部分从第二预形成物移除。例如，在将二氧化硅烟灰沉积到对应于10-11mm径向位置的第二预形成物上之后，接着蚀刻第二预形成物，使得对应于10-11mm径向位置的经固结玻璃层从第二预形成物被移除。然后将一个或多个二氧化硅烟灰附加层沉积在第二预形成物上。然而，在将二氧化硅烟灰沉积到对应于30-31mm径向位置的第二预形成物上之后，再次蚀刻第二预形成物，使得对应于30-31mm径向位置的经固结玻璃层从第二预形成物被移除。然后将一个或多个二氧化硅烟灰附加层沉积在第二预形成物上，直到预形成物完全形成。

接下来，在过程700的步骤740处将第二预形成物拉制成光纤。因为从第二预形成物移除了具有增加的吸收的部分，所以从其拉制的光纤具有降低的衰减。第一预形成物可能永远不会被拉制成光纤。相反，该预形成物可仅用作引导件，从而确定杂质和/或缺陷被引入到何处以及在第二预形成物中的何处进行蚀刻。

尽管过程700的上述公开描述了其中第二预形成物被蚀刻以移除预形成物的部分的实施例，但还应注意，过程700涵盖用试剂处理第二预形成物的部分的情况(如上所述)。

本公开的实施例针对具有增加的外来吸收的部分对预形成物进行筛选，并且在拉制预形成物之前移除和/或处理这些部分，因此与传统光纤相比，所得光纤具有减少的衰减。本公开的经拉制的光纤在1550nm波长下的总衰减小于或等于0.155dB/km、或小于或等于0.154dB/km、或小于或等于0.153dB/km、或小于或等于0.152dB/km、或小于或等于0.151dB/km、或小于或等于0.150dB/km、或小于或等于0.149dB/km、或小于或等于0.148dB/km。例如，本公开的经拉制的光纤在1550nm波长下的总衰减大于或等于0.140dB/km且小于或等于0.155dB/km，或大于或等于0.142dB/km且小于或等于0.155dB/km，或大于或等于0.145dB/km且小于或等于0.155dB/km，或大于或等于0.146dB/km且小于或等于0.155dB/km，或大于或等于0.148dB/km且小于或等于0.155dB/km，或大于或等于0.150dB/km且小于或等于0.155dB/km。

由于光纤预形成物的筛选以及具有增加的吸收的一个或多个部分的移除，经拉制的光纤中的外来吸收贡献0.007dB/km或更小的总衰减，或0.006dB/km或更小的总衰减，或0.005dB/km或更小的总衰减，或0.004dB/km或更小的总衰减，或0.003dB/km或更小的总衰减，或0.002dB/km或更小的总衰减，或0.001dB/km或更小的总衰减，或0.0009dB/km或更小的总衰减，或0.0005dB/km或更小的总衰减，或0.0002dB/km或更小的总衰减，或0.0000dB/km的总衰减。例如，经拉制的光纤中的外来吸收贡献0.0000dB/km或更大且0.007dB/km或更小的总衰减，或者0.0002dB/km或更大且0.007dB/km或更小的总衰减，或者0.0005dB/km或更大且0.007dB/km或更小的总衰减。

光纤的总衰减(在没有任何诱导弯曲的情况下)由散射损耗和吸收(本征和外来的两者)组成。散射损耗是瑞利散射、拉曼散射、布里渊散射以及小角散射(SAS)的组合。因此，通过确定光纤的总衰减、散射损耗和玻璃材料的本征吸收，可计算出外来吸收对总衰减的贡献，如以下等式(5)中所示。注意，在等式(5)中，出于本公开的目的，瑞利散射损耗实际上是瑞利散射损耗、拉曼散射损耗和布里渊散射损耗的组合。然而，在下文中将其描述为瑞利散射损耗，因为瑞利是拉曼和布里渊散射损耗的主要贡献者。

外来吸收贡献＝(总衰减)–(瑞利散射损耗)–(SAS)–(本征吸收)

(5)

等式(5)中的总衰减是使用光学时域反射计(OTDR)方法在1550nm下测量的，如本领域众所周知的。

等式(5)中的瑞利散射损耗是瑞利、拉曼和布里渊散射损耗的组合，如上所述，并且首先在可见光波长范围(400nm-1000nm)下计算。基于该计算，然后外推红外波长范围(1550nm)的瑞利散射损耗，如下文进一步讨论。

首先使用等式(6)计算可见波长范围(400nm-1000nm)下的瑞利散射损耗α(dB/km)。

α＝R/λ

其中R是瑞利系数(dB/km/μm

等式6中的瑞利系数R在可见光波长范围内，因此表示光纤芯的瑞利系数R，因为光在可见光波长范围内基本上被限制在芯内。然而，在1550nm下，光纤的模场直径较大，因此包层中也存在有限量的光。因此，等式(6)中计算的瑞利散射损耗α假设光仅在光纤芯内传播，而不考虑光在包层内的传播。下面的等式(7)确定了在考虑了光在芯和包层两者内的传播的情况下的光纤的瑞利散射损耗。因此，等式(7)用于确定1550nm下的瑞利散射损耗。

其中α’是1550nm下的瑞利散射损耗(dB/km/μm

等式(5)中的SAS是光纤中总散射的一部分，并且提供光纤轴非常小的角度范围内的微结构信息。SAS是通过将待测光纤放置在两个独立的角散射测量设置中来测量的。第一设置测量广角分量，而第二设置测量小角度分量。

广角设置由由高纯度熔融二氧化硅(HPFS)制成的半圆柱体组成。半圆柱体的所有侧上都被彻底抛光，以最小化表面粗糙度。除了中心处的小孔外，圆柱体的平坦部分被涂成黑色。所研究的光纤被剥去其保护性聚合物涂层，并放置在黑色钢板的凹槽内。然后用HPFS半圆柱体覆盖光纤钢板组件。使用折射率匹配凝胶来消除半圆柱体和光纤之间的气隙(如果存在)。散射的角分布是通过在包含光纤的平面中以半圆运动移动的InGaAs光学检测器来测量的。该第一设置中测量的广角范围为20度至160度。

使用完全不同的设置来测量从0度至30度的小角度范围。在此设置中，光纤放置在两个HPFS堆叠屋脊棱镜之间，每个棱镜具有90°的第一底侧角和135°的第二底侧角，底侧角是相对于棱镜的底表面测量的。棱柱的长度和高度分别为10cm和5cm。平凸HPFS透镜定位在上棱镜的顶上。通过折射率匹配凝胶消除了两个棱镜、光纤与透镜之间的所有气隙。由135°的第二底侧角形成的底部棱镜的成角度表面涂覆有银以使其具有反射性。从光纤散射的光从成角度表面反射，随后被平凸HPFS透镜折射。InGaAs光学检测器放置在透镜的焦平面上并沿光纤进行扫描。相对于光在光纤中传播方向的0至30度范围内的前向和后向角度被聚焦到焦平面上的不同位置上。检测器直接读取并存储因变于距透镜中心距离的散射强度。

接下来，将来自第一和第二设置的数据绘制为散射角(度)与1550nm下的散射(任意单位)的函数。在该示例中，对于本文公开的光纤，来自第一和第二设置的绘制数据在15度至30度的角度范围内重叠。注意，由于收集测量的尺度不同，上述两种设置的数据彼此非常不同。因此，15度至30度重叠角度范围内的散射用于将两个函数一起缩放以构建0度至180度范围内的完整散射函数。这提供了经测量散射角函数(ψ(Θ))，在下文参考等式(10)使用该函数来确定总散射损耗的SAS分数。

如本领域已知的，光纤的总散射损耗是瑞利散射损耗和SAS之和。在本文公开的过程中，首先计算瑞利散射对总散射损耗的贡献，从而随后确定SAS对总散射损耗的贡献。瑞利散射的贡献(也是瑞利散射分量)是使用等式(8)在40度至140度的角度范围内计算的。

S(Θ)＝K*(1+cos

其中，S是瑞利散射分量(瓦)，Θ是相对于光传播方向(在40度到140度的角度范围内)的散射角，K是取决于瑞利散射幅度的固定系数。

注意，在本文公开的实施例中使用40度至140度的角度范围，因为在该角度范围内，SAS对总散射损耗没有贡献。因此，在这个角度范围内，总散射损耗等于瑞利散射分量(S)。在使用等式(8)确定在40度至140度范围内的瑞利散射分量(S)后，使用下面的等式(9)来确定0度至180度全范围内的瑞利散射分量。注意，在该全范围内，SAS和瑞利散射都会对光纤的总散射损耗产生影响。

其中R0是瑞利散射对1550nm下的总散射损耗的贡献的积分函数，S是上面参考等式(8)确定的瑞利散射分量(瓦)，并且Θ是相对于光传播方向(在0度至180度的角度范围内)的散射角度。

接下来，使用等式(10)计算总散射损耗。

其中F0是总散射损耗(即，1550nm下瑞利散射损耗和SAS的组合)的积分函数，并且ψ(Θ)是如上所述的经测量的散射角度函数。

因此，根据等式(11)确定总散射损耗的SAS分数。

SAS＝(F0-R0)/R0(11)

在Mazumder P.等人(2004)的“Analysis of excess scattering inopticalfibers(光纤中过量散射的分析)”，应用物理杂志(Journal of AppliedPhysics)J.Appl.Phys 96，4042中可以找到对计算SAS的进一步描述，该文献通过引用并入本文。本公开的光纤的SAS在1550nm下从约0.009dB/km变化至约0.0025dB/km。

根据等式(12)确定玻璃材料的本征吸收。

本征吸收＝1.17*10^12*exp(-50000/λ) (12)

其中λ是波长(nm)。对于碱掺杂的二氧化硅光纤，1550nm下的本征吸收是0.015dB/km。

下面在表1中提供了示例性光纤，其中光纤是根据本公开的实施例制备的。

表1

本文公开的光纤还具有在1310nm波长下在约8.9微米或更大、或约9.0微米或更大、或约9.1微米或更大、或约9.2微米或更大、或约9.3微米或更大、或约9.4微米或更大、或约9.5微米或更大的范围内的模场直径。在一些实施例中，模场直径在约8.9微米至约9.7微米、或约9.0微米至约9.6微米的范围内。例如，1310nm波长下的模场直径为约9.07微米、约9.08微米、约9.23微米、约9.26微米或约9.27微米。

此外，本文公开的光纤具有在1550nm波长下在约10.0微米至约10.5微米、或约10.1微米至约10.4微米、或约10.2微米至约10.3微米的范围内的模场直径。在一些实施例中，1550nm波长下的模场直径为约10.08微米、或约10.27微米、或约10.48微米。

本文公开的光纤的线缆截止为约1600nm或更小、或约1550nm或更小、或约1530nm或更小、或约1300nm或更小、或约1260nm或更小、或约1250nm或更小、或约1240nm或更小、或约1230nm或更小、或约1220nm或更小、或约1210nm或更小、或约1205nm或更小、或约1200nm或更小、或约1195nm或更小、或约1190nm或更小、或约1185nm或更小、或约1180nm或更小、或约1175nm或更小、或约1170nm或更小。例如，线缆截止为约1227nm、约1226nm、约1222nm、约1220nm、约1218nm、约1216nm、约1215nm、约1205nm、约1203nm、约1200nm、约1180nm或约1176nm。

此外，本文公开的光纤在1310nm波长下具有约70.0微米

光纤在1550nm波长下还具有约70微米

本文公开的光纤还具有从约1290nm至约1330nm的零色散波长。例如，零色散波长可为约1295nm至约1325nm、约1300nm至约1324nm、或约1305nm至约1315nm。例如，零色散波长可为约1280nm、约1285nm、约1289nm、约1290nm、约1300nm、约1301nm、约1305nm、约1306nm、约1310nm、约1315nm、或约1320nm。

根据本公开的方面，光纤具有在1310nm下绝对值在约-3ps/nm/km和约3ps/nm/km之间的范围内的色散以及在1310nm下在约0.085ps/nm

根据本公开的方面，光纤具有在1550nm下小于22ps/nm/km的色散以及在1550nm下小于0.1ps/nm

除非另外明确地指出，本文所阐述的任何方法决不会被解释为要求其步骤以特定的顺序执行。因此，在方法权利要求实际上未叙述要遵循其步骤的顺序、或者在权利要求或说明书中未以其他方式特别陈述这些步骤限于特定顺序的情况下，不打算推断出任何特定顺序。

对本领域技术人员显而易见的是在不背离本发明的精神或范围的情况下可以作出各种修改和变化。由于所属技术领域的技术人员可以想到包括本发明的精神和实质的所公开的各实施例的修改、组合、子组合和变体，因此，本发明应当被理解为包括所附权利要求书以及它们的等效内容的范围的一切。