光模块高低温冷启动的控制方法、装置、设备及介质

技术领域

本发明涉及光通信技术领域，尤其涉及一种光模块高低温冷启动的控制方法、装置、设备及介质。

背景技术

稠密波分复用(Dense Wavelength Division Multiplexing，DWDM)光模块是用于光纤通信系统中的一种设备，利用光的波长分离和复用技术，将多个光信号以不同的波长同时传输在同一根光纤上，从而实现高密度的光信号复用。DWDM光模块的通道间隔通常为100GHz或50GHz，相邻通道之间的波长间隔为0.8nm或0.4nm，这意味着其激光器需要稳定的工作温度来控制波长的相对变化量，一般需要用到半导体制冷器TEC来进行控温。在实际使用中，对于支持工业级温度工作的该类型模块，在面对极低温和极高温下突然启动时，可能存在过高的电流浪涌、漏光、波长不稳定带来的窜通道等情况。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种光模块高低温冷启动的控制方法、装置、设备及介质，旨在解决现有光模块在面对极低温和极高温下突然启动时，存在过高的电流浪涌等问题。

为实现上述目的，本发明提供了一种光模块高低温冷启动的控制方法，包括：

获取半导体制冷器的当前温度值，确定所述当前温度值与目标温度值的温度差值；

判断所述温度差值是否小于或等于预设温度差值；

若否，启用PID算法的第一组参数进行温度调节；

获取基于所述第一组参数调节后的所述半导体制冷器的更新温度值；

判断所述更新温度值与所述目标温度值的温度差值是否小于或等于所述预设温度差值；

若是，启用所述PID算法的第二组参数进行温度调节，以实现光模块高低温冷启动。

在一些实施例中，所述启用PID算法的第一组参数进行温度调节，包括：

分别获取所述当前温度值和所述目标温度值对应的模数转换值；

将所述模数转换值作为参数传递至PID算法，启用所述PID算法的第一组参数进行温度调节；其中，所述第一组参数包括比列系数2、积分系数3、微分系数2。

在一些实施例中，所述启用所述PID算法的第二组参数进行温度调节，包括：

分别获取所述更新温度值和所述目标温度值对应的模数转换值；

将所述模数转换值作为参数传递至PID算法，启用所述PID算法的第二组参数进行温度调节；其中，所述第二组参数包括比列系数20、积分系数30、微分系数20。

在一些实施例中，所述判断所述温度差值是否小于或等于预设温度差值，包括：

在高温冷启动TEC进行制冷时，判断所述温度差值是否小于或等于第一预设温度差值；

在低温冷启动TEC进行制热时，判断所述温度差值是否小于或等于第二预设温度差值；其中，所述第一预设温度差值小于所述第二预设温度差值。

在一些实施例中，所述方法，还包括：

在启用所述PID算法的第二组参数进行温度调节之后，确定所述半导体制冷器的当前温度值与所述目标温度值的当前温度差值；

根据所述目标温度值设置稳定温度范围；

判断所述当前温度差值是否满足所述稳定温度范围；

若是，基于所述第二组参数启用所述PID算法进行温度调节，并逐步施加偏置电流和调制电流，以实现激光器温度稳定发光正常。

在一些实施例中，所述若是，基于所述第二组参数启用所述PID算法进行温度调节，并逐步施加偏置电流和调制电流，包括：

在所述当前温度差值达到所述稳定温度范围内并稳定预设周期的时长时，将光器件的电场吸收电压设置成预设最小值；

再逐步增大偏置电流和调制电流，并读取当前偏置电流；

当所述当前偏置电流在预设周期内的变化量小于设定设定的电流值后，将所述电场吸收电压设置为目标电场吸收电压值，以实现所述光模块进展到正常状态。

在一些实施例中，所述判断所述当前温度差值是否满足所述稳定温度范围之后，还包括：

在所述当前温度差值未达到所述稳定温度范围内并稳定预设周期的时长时，将不会使能激光器上的偏置电流和调制电流，基于所述PID算法的第二组参数进行温度调节直至当前温度差值满足所述稳定温度范围。

在一些实施例中，所述分温度段的两组PID参数调节，可以更加细致的划分多组温度段与对应的多组PID参数，以适应不同的光器件和使用环境。

此外，为实现上述目的，本发明还提出一种光模块高低温冷启动的控制装置，包括：

采集温度模块，用于获取半导体制冷器的当前温度值，确定所述当前温度值与目标温度值的温度差值；

判断模块，用于判断所述温度差值是否小于或等于预设温度差值；

第一阶段温度调节模块，用于若否，启用PID算法的第一组参数进行温度调节；

第二采集温度模块，用于获取基于所述第一组参数调节后的所述半导体制冷器的更新温度值；

第二判断模块，用于判断所述更新温度值与所述目标温度值的温度差值是否小于或等于所述预设温度差值；

第二阶段温度调节模块，用于若是，启用所述PID算法的第二组参数进行温度调节，以实现光模块高低温冷启动。

此外，为实现上述目的，本发明还提出一种光模块高低温冷启动的控制设备，所述光模块高低温冷启动的控制设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的光模块高低温冷启动的控制程序，所述光模块高低温冷启动的控制程序配置为实现如上文所述的光模块高低温冷启动的控制方法。

此外，为实现上述目的，本发明还提出一种存储介质，所述存储介质存储有光模块高低温冷启动的控制程序，所述光模块高低温冷启动的控制程序用于使处理器执行时实现如上文所述的光模块高低温冷启动的控制方法。

本发明提供了一种光模块高低温冷启动的控制方法，包括：获取半导体制冷器的当前温度值，确定所述当前温度值与目标温度值的温度差值；判断所述温度差值是否小于或等于预设温度差值；若否，启用PID算法的第一组参数进行温度调节；获取基于所述第一组参数调节后的所述半导体制冷器的更新温度值；判断所述更新温度值与所述目标温度值的温度差值是否小于或等于所述预设温度差值；若是，启用所述PID算法的第二组参数进行温度调节，以实现光模块高低温冷启动。本发明中分温度段启用PID算法进行两组PID参数的调控，避免在温差较大情况下冷启动出现超过可接受范围的电流浪涌，从而解决了现有光模块在面对极低温和极高温下突然启动时，存在过高的电流浪涌等问题。

附图说明

图1为本发明实施例方案涉及的硬件运行环境的光模块高低温冷启动的控制设备的结构示意图；

图2为本发明光模块高低温冷启动的控制方法一实施例的流程示意图；

图3为本发明光模块高低温冷启动的控制方法的实施流程示意图；

图4为本发明光模块高低温冷启动的控制装置一实施例的结构框图。

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，在本发明中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

参照图1，图1为本发明实施例方案涉及的硬件运行环境的光模块高低温冷启动的控制设备结构示意图。

如图1所示，该光模块高低温冷启动的控制设备可以包括：处理器1001，例如中央处理器(Central Processing Unit，CPU)，通信总线1002、用户接口1003，网络接口1004，存储器1005。其中，通信总线1002用于实现这些组件之间的连接通信。用户接口1003可以包括显示屏(Display)、输入单元比如键盘(Keyboard)，可选用户接口1003还可以包括标准的有线接口、无线接口。网络接口1004可选的可以包括标准的有线接口、无线接口(如无线保真(Wireless-Fidelity，Wi-Fi)接口)。存储器1005可以是高速的随机存取存储器(RandomAccess Memory，RAM存储器)，也可以是稳定的非易失性存储器(Non-VolatileMemory，NVM)，例如磁盘存储器。存储器1005可选的还可以是独立于前述处理器1001的存储装置。

本领域技术人员可以理解，图1中示出的结构并不构成对光模块高低温冷启动的控制设备的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。

如图1所示，作为一种存储介质的存储器1005中可以包括操作系统、网络通信模块、用户接口模块以及光模块高低温冷启动的控制程序。

在图1所示的光模块高低温冷启动的控制设备中，网络接口1004主要用于与网络服务器进行数据通信；用户接口1003主要用于与用户进行数据交互；本发明光模块高低温冷启动的控制设备中的处理器1001、存储器1005可以设置在光模块高低温冷启动的控制设备中，所述光模块高低温冷启动的控制设备通过处理器1001调用存储器1005中存储的光模块高低温冷启动的控制程序，并执行本发明实施例提供的光模块高低温冷启动的控制方法。

DWDM光模块的通道间隔通常为100GHz或50GHz，相邻通道之间的波长间隔为0.8nm或0.4nm，这意味着其激光器需要稳定的工作温度来控制波长的相对变化量，一般需要用到半导体制冷器(TEC)来进行控温。在实际使用中，对于支持工业级温度工作的该类型模块，在面对极低温和极高温下突然启动时，可能存在过高的电流浪涌、漏光、波长不稳定带来的窜通道等情况。例如：温差较大的冷启动会出现超过可接受范围的电流浪涌；TEC的超调可能会引起偏离目标温度的时刻出现，导致激光器在温度不稳定的时刻发光；突然工作的激光器带来的热量，造成局部温度的突变带来波长偏移；激光器开始工作的非稳态过程导致的长时间误码。

鉴于上述问题，本发明实施例提供了一种光模块高低温冷启动的控制方法，参照图2，图2为本发明一种光模块高低温冷启动的控制方法一实施例的流程示意图。

如图2所示，所述光模块高低温冷启动的控制方法，包括：

步骤S100：获取半导体制冷器的当前温度值，确定所述当前温度值与目标温度值的温度差值；

步骤S200：判断所述温度差值是否小于或等于预设温度差值；

步骤S300：若否，启用PID算法的第一组参数进行温度调节；

步骤S400：获取基于所述第一组参数调节后的所述半导体制冷器的更新温度值；

步骤S500：判断所述更新温度值与所述目标温度值的温度差值是否小于或等于所述预设温度差值；

步骤S600：若是，启用所述PID算法的第二组参数进行温度调节，以实现光模块高低温冷启动。

需要说明的是，本实施例中的执行主体可为光模块高低温冷启动的控制设备，该光模块高低温冷启动的控制设备可为具有数据处理功能的计算机设备，还可为其他可实现相同或相似功能的设备，本实施例对此不作限制，在本实施例中，以计算机设备为例进行说明。本实施例以应用于DWDM光模块高低温冷启动的控制方法为例进行说明。

可以理解的是，一般DWDM光模块采用EML激光器，EML激光器工作原理是利用外部调制器对激光器的光强进行调制。当光信号通过电吸收调制器时，光信号的能量将被部分吸收。通过在半导体材料中施加电场(Vea)，可以改变半导体材料的吸收特性。通过调制器，可以改变激光器输出的光强，实现高速的光信号调制。光器件内部激光器被放置在半导体制冷器TEC基板上，TEC基板有两极分别为热极与冷极，通入的电流方向决定了单极进行制热还是制冷工作，电流的大小决定其制热和制冷的能力。当光模块被长时间放置在低温或高温环境中且未工作时，TEC基板和激光器的温度将靠近环境温度。一般光器件的工作温度被规定在40～50℃内，当处于高温或低温下的模块被冷启动时，此时光组件的温度与预期目标温度存在着一个巨大的差值。

需要说明的是，半导体制冷器TEC的控温采用PID算法，其由比例Kp、积分Ki、微分Kd三组参数进行调节。比例系数Kp反映系统的基本误差(越大调节步进与速度愈快，甚至超调)；积分系数Ki反映系统累积偏差(消除稳态误差)；微分系数Kd反映系统偏差的变化率(改善系统动态性能)。

在面对半导体制冷器TEC与设定值巨大的温差(误差)时：较大的比例和积分参数(例如Kp＝20、Ki＝30、Kd＝20)计算得到的PID输出，将在短时间内给予TEC较大的工作电流，虽然TEC温度能迅速稳定，但也给系统生成了不可接受的电流过冲。较小的比例和积分参数(例如Kp＝2、Ki＝3、Kd＝2)虽能减缓TEC温度调节的过程来降低电流过冲，但会出现调节速度过慢以及温度无法收敛到目标值的情况。

本实施例中，分温度段进行两组PID参数的调控。具体地，本实施例所实施的方法是将模块冷启动的温差划分为依次进行的两个步骤。

在一实施例中，获取半导体制冷器TEC的当前温度值T1，确定所述当前温度值T1与目标温度值T2的温度差值T3；判断所述温度差值T3是否小于或等于预设温度差值T4；若否，启用PID算法的第一组参数进行温度调节。

具体地，启用PID算法的第一组参数进行温度调节，包括：分别获取所述当前温度值和所述目标温度值对应的模数转换值(ADC数值)；将所述模数转换值作为参数传递至PID算法，启用所述PID算法的第一组参数进行温度调节；其中，所述第一组参数包括比列系数2、积分系数3、微分系数2。

在一实施例中，获取基于所述第一组参数调节后的所述半导体制冷器的更新温度值(TEC当前温度值T1)；判断所述更新温度值T1与所述目标温度值T2的温度差值T3是否小于或等于所述预设温度差值T4；若是，启用所述PID算法的第二组参数进行温度调节，以实现光模块高低温冷启动。

具体地，启用所述PID算法的第二组参数进行温度调节，包括：分别获取所述更新温度值和所述目标温度值对应的模数转换值；将所述模数转换值作为参数传递至PID算法，启用所述PID算法的第二组参数进行温度调节；其中，所述第二组参数包括比列系数20、积分系数30、微分系数20。

需要说明的是，将模块冷启动的温差划分为依次进行的两个步骤：第一部分被确认在TEC温度T1距离目标温度T2的差值位于目标温度T2±T4的区间之外，在该区间的PID参数(Kp＝2、Ki＝3、Kd＝2)的输出对TEC的驱动又少又缓，以降低冲击电流。第二部分被确认TEC温度T1距离目标温度T2的差值位于目标温度T2±T4的区间内，在该区间的PID参数(Kp＝20、Ki＝30、Kd＝20)的输出对TEC的驱动又快又稳，以缩短调节时长并收敛温度到目标值，同时提升了系统对温变的响应能力。

本实施例中，当温差数值小于等于预设温度差值T4时，即可由第一阶段切换到第二阶段。由于存在第一阶段的温度调整，在启用第二阶段的参数进行PID输出调节时，所面对的温差较小，产生的冲击电流被压低到较低的水平。

在一实施例中，判断所述温度差值是否小于或等于预设温度差值，包括：在高温冷启动TEC进行制冷时，判断所述温度差值是否小于或等于第一预设温度差值；在低温冷启动TEC进行制热时，判断所述温度差值是否小于或等于第二预设温度差值；其中，所述第一预设温度差值小于所述第二预设温度差值。

可以理解的是，考虑到一般情况下半导体制冷器TEC制热效能高于制冷效能，可有选择的将切换到第二阶段的温差设定数值T4进行区别化设置：“高温冷启动TEC进行制冷，切换到第二组参数调节的设定温差T4a”小于“低温冷启动TEC进行制热，切换到第二组参数调节的设定温差T4b”。

示例性地，获取半导体制冷器TEC的当前温度值T1例如-40℃，当前温度值-40℃与目标温度值T2例如50℃的温度差值T3为90℃，预设温度差值T4例如5℃，T2±T4的区间为45℃至55℃。判断出当前的温度差值T3即90℃位于目标温度T2±T4的区间之外，启用PID算法的第一组参数进行温度调节，直至第一组参数调节后的半导体制冷器TEC的更新温度值(TEC当前温度值T1)位于目标温度T2±T4的区间内，启用所述PID算法的第二组参数进行温度调节，以实现光模块高低温冷启动。

需要说明的是，所述方法，还包括：在启用所述PID算法的第二组参数进行温度调节之后，确定所述半导体制冷器的当前温度值与所述目标温度值的当前温度差值；根据所述目标温度值设置稳定温度范围；判断所述当前温度差值是否满足所述稳定温度范围；若是，基于所述第二组参数启用所述PID算法进行温度调节，并逐步施加偏置电流和调制电流，以实现激光器温度稳定发光正常。

其中，若是，基于所述第二组参数启用所述PID算法进行温度调节，并逐步施加偏置电流和调制电流，具体包括：在所述当前温度差值达到所述稳定温度范围内并稳定预设周期的时长时，将光器件的电场吸收电压设置成预设最小值；逐步增大偏置电流和调制电流，并读取当前偏置电流；当所述当前偏置电流在预设周期内的变化量小于设定的电流值后，将所述电场吸收电压设置为目标电场吸收电压值，以实现所述光模块进展到正常状态。其中，电场吸收电压被设置成最小值(相对值最大)可以是开始施加偏置电流和调制电流之前，模块初始化完成之后的任一时刻。这里，施加电场吸收电压在逐步增大偏置电流和调制电流之前。

在一示例中，所述判断所述当前温度差值是否满足所述稳定温度范围之后，还包括：

在所述当前温度差值未达到所述稳定温度范围内并稳定预设周期的时长时，将不会使能激光器上的偏置电流和调制电流，基于所述PID算法的第二组参数进行温度调节直至当前温度差值满足所述稳定温度范围。

在一示例中，所述分温度段的两组PID参数调节，可以更加细致的划分多组温度段与对应的多组PID参数，以适应不同的光器件和使用环境。

需要说明的是，本实施例中，将模块冷启动的温差划分为依次进行的两个步骤，同时DWDM的模块在发光时必须保持激光器温度的相对稳定，以通道间隔100GHz举例，波长间隔0.8nm。激光器的温漂系数一般取0.09nm/℃，为安全考虑，波长漂移控制在0.4nm以内，则温漂必须控制在4℃以内。模块在使用开环调节电流发光的瞬间，激光器的温度会急剧的升高10℃以上，TEC的调节算法无法应对这个快速变化的过程。温度偏移目标值的情况将导致出光波长的漂移，以致窜入相邻的通道影响整个系统传输性能。

本实施例中，在半导体制冷器TEC温度开始达到目标温度T2±T5内并稳定x个周期的时长后，将模块光器件的电场吸收电压(Vea电压)设置成可设定的最小值(例如-3.3V或-2.5V)，再将偏置电流和调制电流缓慢增加；当偏置电流在y个周期内变化量小于设定值Ib(变化量是相对值，例如“2或3毫安”)后，模块进展到正常状态，再将Vea设置为目标值(例如-1V)。其中，T5可以设置为较小的数值(例如0.8℃)。示例性地，一个软件周期可以为20毫秒，本实施例对x个周期和y个周期的具体时长并不加以限制，可以根据实际情况进行设置。

可以理解的是，在偏置电流和调制电流缓慢施加的过程中，一方面温度的变化不再急剧有利于半导体制冷器TEC的控温。但另一方面模块的眼图(mask margin)无法正常建立，对应回路将产生误码且持续时间较长。本实施例中，将电场吸收电压(Vea电压)调节到最小是为了降低此阶段的发光和可能存在的异常波长信号的光功率，可避免或者缩短产生误码的过程。当系统趋于稳定，则模块开始正常发光。

需要说明的是，针对光模块在面对极低温和极高温下突然启动时，存在：温差较大的冷启动会出现超过可接受范围的电流浪涌；TEC的超调可能会引起偏离目标温度的时刻出现，导致激光器在温度不稳定的时刻发光；突然工作的激光器带来的热量，造成局部温度的突变带来波长偏移以及激光器开始工作的非稳态过程导致的长时间误码等问题。本实施例通过：分温度段进行两组PID参数的调控；TEC温度稳定固定时长后的发光；偏置电流和调制电流的逐步施加以及电流稳定前的电场吸收电压控制，解决了冷启动电流浪涌大的问题以及冷启动发光前的漏光问题，实现了冷启动上电过程TEC与激光器温度稳定，发光波长偏移小以及冷启动时模块建立光电通路非稳态过程，减小或消除误码。

本实施例提供了一种光模块高低温冷启动的控制方法，包括：获取半导体制冷器的当前温度值，确定所述当前温度值与目标温度值的温度差值；判断所述温度差值是否小于或等于预设温度差值；若否，启用PID算法的第一组参数进行温度调节；获取基于所述第一组参数调节后的所述半导体制冷器的更新温度值；判断所述更新温度值与所述目标温度值的温度差值是否小于或等于所述预设温度差值；若是，启用所述PID算法的第二组参数进行温度调节，以实现光模块高低温冷启动。本实施例中，分温度段启用PID算法进行两组PID参数的调控，避免在温差较大情况下冷启动出现超过可接受范围的电流浪涌，加之对电场吸收电压、偏置电流和调制电流的控制，从而解决了现有光模块在面对极低温和极高温下突然启动时，存在过高的电流浪涌、漏光、波长不稳定带来的窜通道等问题。

此外，本发明实施例还提出一种存储介质，所述存储介质上存储有光模块高低温冷启动的控制程序，所述光模块高低温冷启动的控制程序被处理器执行时实现如上文所述的光模块高低温冷启动的控制方法的步骤。

参照图4，图4为本发明光模块高低温冷启动的控制装置一实施例的结构框图。

如图4所示，所述光模块高低温冷启动的控制装置，包括：

采集温度模块10，用于获取半导体制冷器的当前温度值，确定所述当前温度值与目标温度值的温度差值；

判断模块20，用于判断所述温度差值是否小于或等于预设温度差值；

第一阶段温度调节模块30，用于若否，启用PID算法的第一组参数进行温度调节；

第二采集温度模块40，用于获取基于所述第一组参数调节后的所述半导体制冷器的更新温度值；

第二判断模块50，用于判断所述更新温度值与所述目标温度值的温度差值是否小于或等于所述预设温度差值；

第二阶段温度调节模块60，用于若是，启用所述PID算法的第二组参数进行温度调节，以实现光模块高低温冷启动。

需要说明的是，针对光模块在面对极低温和极高温下突然启动时，存在：温差较大的冷启动会出现超过可接受范围的电流浪涌；TEC的超调可能会引起偏离目标温度的时刻出现，导致激光器在温度不稳定的时刻发光；突然工作的激光器带来的热量，造成局部温度的突变带来波长偏移以及激光器开始工作的非稳态过程导致的长时间误码等问题。本实施例通过：分温度段进行两组PID参数的调控；TEC温度稳定固定时长后的发光；偏置电流和调制电流的逐步施加以及电流稳定前的电场吸收电压控制，解决了冷启动电流浪涌大的问题以及冷启动发光前的漏光问题，实现了冷启动上电过程TEC与激光器温度稳定，发光波长偏移小以及冷启动时模块建立光电通路非稳态过程，减小或消除误码。

本实施例提供了一种光模块高低温冷启动的控制装置，包括：采集温度模块10，用于获取半导体制冷器的当前温度值，确定所述当前温度值与目标温度值的温度差值；判断模块20，用于判断所述温度差值是否小于或等于预设温度差值；第一阶段温度调节模块30，用于若否，启用PID算法的第一组参数进行温度调节；第二采集温度模块40，用于获取基于所述第一组参数调节后的所述半导体制冷器的更新温度值；第二判断模块50，用于判断所述更新温度值与所述目标温度值的温度差值是否小于或等于所述预设温度差值；第二阶段温度调节模块60，用于若是，启用所述PID算法的第二组参数进行温度调节，以实现光模块高低温冷启动。本实施例中，分温度段启用PID算法进行两组PID参数的调控，避免在温差较大情况下冷启动出现超过可接受范围的电流浪涌，加之对电场吸收电压、偏置电流和调制电流的控制，从而解决了现有光模块在面对极低温和极高温下突然启动时，存在过高的电流浪涌、漏光、波长不稳定带来的窜通道等问题。

另外，未在本光模块高低温冷启动的控制装置实施例中详尽描述的技术细节，可参见本发明任意实施例所提供的应用于如上文所述的光模块高低温冷启动的控制方法，此处不再赘述。

应当理解的是，以上仅为举例说明，对本发明的技术方案并不构成任何限定，在具体应用中，本领域的技术人员可以根据需要进行设置，本发明对此不做限制。

需要说明的是，以上所描述的工作流程仅仅是示意性的，并不对本发明的保护范围构成限定，在实际应用中，本领域的技术人员可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部来实现本实施例方案的目的，此处不做限制。

此外，需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者系统不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者系统所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者系统中还存在另外的相同要素。

上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。

通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质(如只读存储器(Read Only Memory，ROM)/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端设备(可以是手机，计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。

以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。