芯片的自识别方法、装置、存储介质和电池管理系统

技术领域

本申请涉及电池管理系统技术领域，特别是涉及一种芯片的自识别方法、装置、存储介质和电池管理系统。

背景技术

目前电池管理系统(Battery Management System，BMS)中通常采用模拟前端(Analog Front End，AFE)芯片来采集电池的电压、温度等信息。

由于实际需求、供应链等原因，需要生产用于支持多种类型的AFE芯片的多种电池管理系统，其中，一种电池管理系统中烧录一个对应的版本软件，一个版本软件匹配一种类型的AFE芯片。由于目前市场上各种类型的AFE芯片相互之间基本无明显特性识别区分，相应的各个软件版本相互之间相似度高，这使得在生产该多种电池管理系统的过程中，容易出现电池管理系统中软件版本烧录混淆、错误的情况，最终电池管理系统中烧录的软件版本无法匹配对应类型的AFE芯片，造成返工，导致成本增加。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种芯片的自识别方法、装置、存储介质和电池管理系统。

第一方面，本申请提供了一种芯片的自识别方法，应用于电池管理系统，所述电池管理系统包括芯片和多个识别端口，所述方法包括：：

在所述电池管理系统上电后，读取自识别标志位的状态；

在所述自识别标志位的状态为第一状态的情况下，读取各个所述识别端口的电平状态；

根据各个所述识别端口的电平状态，确定所述芯片的目标芯片类型；

加载控制软件中与所述目标芯片类型相匹配的目标软件代码，以控制所述芯片工作；其中，所述控制软件中集成有与N个预设芯片类型一一对应的N个软件代码，所述N为大于1的自然数。

在其中一个实施例中，所述电池管理系统还包括类型存储单元，所述方法还包括：

在所述自识别标志位的状态为第二状态的情况下，读取所述类型存储单元中存储的类型值作为所述芯片的目标芯片类型，其中，所述第二状态与所述第一状态不同。

在其中一个实施例中，所述电池管理系统还包括类型存储单元，在所述根据各个所述识别端口的电平状态，确定所述芯片的目标芯片类型之后，所述方法还包括：

将所述芯片的目标芯片类型存储于所述类型存储单元中。

在其中一个实施例中，所述方法还包括：

将所述自识别标志位的状态由所述第一状态更改至第二状态，其中，所述第二状态与所述第一状态不同。

在其中一个实施例中，加载控制软件中与所述目标芯片类型相匹配的目标软件代码之前，所述方法还包括：

判断所述芯片的目标芯片类型是否属于预设芯片类型；

在所述芯片的目标芯片类型为其中一个预设芯片类型的情况下，执行所述加载控制软件中与所述目标芯片类型相匹配的目标软件代码的步骤。

在其中一个实施例中，所述电池管理系统还包括类型存储单元，所述方法还包括：

在所述芯片的目标芯片类型不属于所述预设芯片类型的情况下，接收上位机发送的芯片类型；

在所述上位机发送的芯片类型属于所述预设芯片类型的情况下，将所述上位机发送的芯片类型作为所述芯片的目标芯片类型，并将所述上位机发送的芯片类型存储于所述类型存储单元中。

第二方面，本申请还提供了一种芯片的自识别装置。所述装置包括：

标志读取模块，用于在电池管理系统上电后，读取自识别标志位的状态；

端口读取模块，用于在所述自识别标志位的状态为第一状态的情况下，读取所述电池管理系统中的各个所述识别端口的电平状态；

类型确定模块，用于根据各个所述识别端口的电平状态，确定所述芯片的目标芯片类型；

自适应模块，用于加载控制软件中与所述目标芯片类型相匹配的目标软件代码，以控制所述芯片工作；其中，所述控制软件中集成有与N个预设芯片类型一一对应的N个软件代码，所述N为大于1的自然数。

第三方面，本申请还提供了一种计算机可读存储介质。所述计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：

在电池管理系统上电后，读取自识别标志位的状态；

在所述自识别标志位的状态为第一状态的情况下，读取所述电池管理系统中的各个识别端口的电平状态；

根据各个所述识别端口的电平状态，确定所述芯片的目标芯片类型；

加载控制软件中与所述目标芯片类型相匹配的目标软件代码，以控制所述芯片工作；其中，所述控制软件中集成有与N个预设芯片类型一一对应的N个软件代码，所述N为大于1的自然数。

第四方面，本申请还提供了一种电池管理系统。所述电池管理系统包括：芯片、微控制单元和多个识别端口；其中，

各所述识别端口的电平状态是基于所述芯片的类型而预先配置；

所述微控制单元分别与各所述识别端口连接，所述微控制单元用于在所述电池管理系统上电后，读取自识别标志位的状态；在所述自识别标志位的状态为第一状态的情况下，读取各个所述识别端口的电平状态；根据各个所述识别端口的电平状态，确定所述芯片的目标芯片类型；加载控制软件中与所述目标芯片类型相匹配的目标软件代码，以控制所述芯片工作；其中，所述控制软件中集成有与N个预设芯片类型一一对应的N个软件代码，所述N为大于1的自然数。

在其中一个实施例中，所述识别端口包括通用输入输出端口。

上述芯片的自识别方法、装置、存储介质和电池管理系统，其中芯片的自识别方法可以应用于电池管理系统。电池管理系统包括芯片和多个识别端口，其中芯片可以为AFE芯片。电池管理系统上电后，读取自识别标志位的状态；继而，在自识别标志位的状态为第一状态的情况下，读取各个识别端口的电平状态，并根据各个识别端口的电平状态确定AFE芯片的目标芯片类型；最后，加载控制软件中与目标芯片类型相匹配的目标软件代码，以控制AFE芯片工作，其中控制软件中集成有与N个预设芯片类型一一对应的N个软件代码。

如此，本申请实施例的方案，是将一控制软件烧录在一电池管理系统中，该控制软件中集成有与N个预设芯片类型一一对应的N个软件代码，基于此，该电池管理系统可以根据识别到的AFE芯片的类型，即目标芯片类型，加载控制软件中与目标芯片类型相匹配的目标软件代码，以控制AFE芯片工作。这样，将集成有与N个预设芯片类型一一对应的N个软件代码的控制软件烧录于电池管理系统中，使得在生产用于支持多种类型的AFE芯片的多种电池管理系统的过程中，再无需是一种电池管理系统中烧录一个对应的版本软件，而是只需各电池管理系统均烧录一相同的控制软件即可，既能够保证各电池管理系统能够分别支持对应类型的AFE芯片，又由于是各电池管理系统均烧录一相同的控制软件，从而能够避免电池管理系统中软件版本烧录混淆、错误的情况，减少返工，降低了成本。

附图说明

图1为一个实施例中芯片的自识别方法的流程示意图；

图2为一个实施例中芯片的自识别方法的流程示意图；

图3为一个实施例中电池管理系统的结构框图；

图4为一个实施例中芯片的自识别装置的结构框图。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

本申请实施例提供的芯片的自识别方法，可应用于电池管理系统。电池管理系统包括芯片和多个识别端口，在此基础上，电池管理系统可还包括微控制单元(Microcontroller Unit，MCU)。其中，芯片可以是AFE芯片。识别端口的数目可以根据实际需要设置。识别端口的电平状态可以表征芯片的类型，电平状态可包括高电平状态和低电平状态。示例性的，识别端口为GPIO(General Purpose Input Output，通用输入输出)。

在一个实施例中，如图1所示，提供了一种芯片的自识别方法，包括以下步骤102～步骤108：

步骤102，在电池管理系统上电后，读取自识别标志位的状态。

其中，电池管理系统中配置有自识别标志位，具体可以是微控制单元中配置有自识别标志位。自识别标志位的状态可以表征是否有识别到芯片的类型。自识别标志位的状态可以包括第一状态和第二状态，第一状态和第二状态不同。示例性的，第一状态可以表征尚未识别到芯片的类型，第二状态可以表征已经识别到芯片的类型。示例性的，第一状态可以采用二进制数“0”表示，相应的第二状态可以采用“1”表示。

本步骤中，可以是在电池管理系统上电后，电池管理系统开始读取自识别标志位的状态，具体可以是在微控制单元上电后，微控制单元开始读取自识别标志位的状态。其中，电池管理系统或者微控制单元上电是指电池管理系统或者微控制单元的电源端口有被供电。

步骤104，在自识别标志位的状态为第一状态的情况下，读取各个识别端口的电平状态。

具体的，可以是微控制单元在读取到自识别标志位的状态为第一状态的情况下，说明芯片的类型尚未识别到，从而微控制单元读取各个识别端口的电平状态，以识别芯片的类型。

其中，一电池管理系统中各个识别端口的电平状态，可以是在芯片上电之前，就已经人为预先配置为既定状态。由于芯片的类型是人为可以预先知晓的，因此各个识别端口的电平状态，是可以人为根据芯片的类型预先配置为既定状态的。各识别端口的电平状态预先一旦配置完成，后续不再更改，既定状态与芯片的类型相对应，由此使得电池管理系统与所适用的芯片的类型一一对应。

示例性的，电池管理系统1、电池管理系统2和电池管理系统3均包括五个识别端口。五个识别端口中，可以用两个识别端口表征芯片的生产厂商，剩余三个识别端口表征芯片的详细类型。在电池管理系统1的五个识别端口的电平状态被预先配置为“11001”的情况下，电池管理系统1所适用的芯片的类型仅为与“11001”相一一对应的类型。在电池管理系统2的五个识别端口的电平状态被预先配置为“10001”的情况下，电池管理系统2所适用的芯片的类型仅为与“10001”相一一对应的类型。在电池管理系统3的五个识别端口的电平状态被预先配置为“10111”的情况下，电池管理系统3所适用的芯片的类型仅为与“10111”相一一对应的类型。

步骤106，根据各个识别端口的电平状态，确定芯片的目标芯片类型。

其中，目标芯片类型为微控制单元根据各个识别端口的电平状态，所确定出的芯片的类型。微控制单元中可以存储有类型查询表格。类型查询表格中可以存储有各识别端口的电平状态与芯片的目标芯片类型的一一对应关系。如此，微控制单元根据当前各个识别端口的电平状态，可以在类型查询表格中查询到芯片的类型。

示例性的，电池管理单元包括五个识别端口，类型查询表格见如下表一：

表一

示例性的，若当前五个识别端口的电平状态为“10001”，则芯片的目标芯片类型为AFE_TYPE_VALUE2。

步骤108，加载控制软件中与目标芯片类型相匹配的目标软件代码，以控制芯片工作；其中，控制软件中集成有与N个预设芯片类型一一对应的N个软件代码，N为大于1的自然数。

具体的，相较于相关技术的电池管理系统中烧录的只对应一种类型AFE芯片的一个版本软件，本申请实施例的电池管理系统中烧录的控制软件是一个综合、融合的软件，控制软件中集成有与N个预设芯片类型一一对应的N个软件代码，从而电池管理系统可以从控制软件中调取并加载与目标芯片类型一一对应的目标软件代码，以控制芯片工作。

示例性的，N＝3，3个预设芯片类型分别为AFE_TYPE_VALUE1、AFE_TYPE_VALUE2和AFE_TYPE_VALUE3，控制软件中可以集成有与预设芯片类型AFE_TYPE_VALUE1一一对应的软件代码1、与预设芯片类型AFE_TYPE_VALUE2一一对应的软件代码2以及与预设芯片类型AFE_TYPE_VALUE3一一对应的软件代码3。

示例性的，若电池管理系统检测到当前自身的五个识别端口的电平状态为“10001”，则电池管理系统可根据表一查询到芯片的目标芯片类型为AFE_TYPE_VALUE2，进而电池管理系统可以从控制软件中调取并加载与目标芯片类型AFE_TYPE_VALUE2一一对应的软件代码2。

本申请实施例的方案，将集成有与N个预设芯片类型一一对应的N个软件代码的控制软件烧录于电池管理系统中，使得在生产用于支持多种类型的AFE芯片的多种电池管理系统的过程中，再无需是一种电池管理系统中烧录一个对应的版本软件，而是只需各电池管理系统均烧录一相同的控制软件即可，既能够保证各电池管理系统能够分别支持对应类型的AFE芯片，又由于是各电池管理系统均烧录一相同的控制软件，从而能够避免电池管理系统中软件版本烧录混淆、错误的情况，减少返工，降低了成本。即本申请实施例，设计控制软件使得芯片的版本软件平台化，提高了软件的兼容性，方便版本管控，也有利于提高生产及维护效率。

在一个实施例中，电池管理系统还包括类型存储单元，芯片的自识别方法还包括：在自识别标志位的状态为第二状态的情况下，读取类型存储单元中存储的类型值作为芯片的目标芯片类型。

其中，类型存储单元可以是电池管理系统中一独立的存储器，也可以是微控制单元自带的存储器。示例性的，类型存储单元为铁电存储器，可以在铁电存储器中划分出一块区域专门用来存储识别到的芯片的类型值。

具体的，自识别标志位的状态为第二状态的情况下，说明芯片的目标芯片类型在上一次类型自识别过程中已经识别到了。由于识别到的目标芯片类型一般可以存储于类型存储单元中，因此当电池管理系统根据自识别标志位的状态，得知芯片的目标芯片类型已经识别到了的情况下，电池管理系统可以直接从类型存储单元中读取到芯片的目标芯片类型，而无需再执行类型自识别，本实施例由此减少了类型自识别次数，从而提升了芯片的类型识别效率，节约了成本。

在一个实施例中，步骤106之后可还包括步骤：将芯片的目标芯片类型存储于类型存储单元中。

具体的，可以由电池管理系统将识别到的芯片的目标芯片类型存储于类型存储单元中，以在电池管理系统或者芯片下次上电之后，电池管理系统可直接从类型存储单元中读取芯片的类型值，而无需再执行类型自识别，本实施例由此减少了类型自识别次数，从而提升了芯片的类型识别效率，节约了成本。

在一个实施例中，步骤106之后可还包括步骤：将自识别标志位的状态由第一状态更改至第二状态。

具体的，可以由电池管理系统在识别到芯片的目标芯片类型之后，将自识别标志位的状态由第一状态更改为第二状态，从而在电池管理系统或者芯片下次上电之后，电池管理系统读取到自识别标志位的状态为第二状态时，说明芯片的目标芯片类型在上一次类型自识别过程中已经识别到了，此时电池管理系统不再对芯片进行类型自识别，而是直接从类型存储单元中读取芯片的类型值，本实施例由此使得芯片的自识别方法可靠性高。

在一个实施例中，还可先判断芯片的目标芯片类型是否属于预设芯片类型，在芯片的目标芯片类型为其中一个预设芯片类型的情况下，再执行步骤108。

具体的，控制软件中集成有与N个预设芯片类型一一对应的N个软件代码。然而，在人为对电池管理系统的各识别端口预先配置电平状态的过程中，有可能会出现预先配置的各识别端口的电平状态所对应的目标芯片类型不属于控制软件中的预设芯片类型，即预先配置各识别端口的电平状态时出现配置错误的问题，这会导致控制软件无法提供匹配目标芯片类型的目标软件代码。

因此，本步骤中，电池管理系统根据各识别端口的电平状态确定到一目标芯片类型之后，可先判断该目标芯片类型是否属于控制软件中的预设芯片类型，在该目标芯片类型为其中一个预设芯片类型的情况下，电池管理系统再加载控制软件中与目标芯片类型相匹配的目标软件代码，以控制芯片工作，本实施例由此可以避免芯片的自识别过程出错、报错，使得芯片的自识别方法可靠性高。

在一个实施例中，在芯片的目标芯片类型不属于预设芯片类型的情况下，接收上位机发送的芯片类型，在上位机发送的芯片类型属于预设芯片类型的情况下，将上位机发送的芯片类型作为芯片的最终的目标芯片类型，并将上位机发送的芯片类型存储于类型存储单元中。

具体的，根据各识别端口的电平状态确定到一目标芯片类型之后，可先判断该目标芯片类型是否属于控制软件中的预设芯片类型，在该目标芯片类型不为其中任一个预设芯片类型的情况下，说明芯片自识别错误。

对此，本步骤中，在芯片自识别错误的情况下，电池管理系统能够接收上位机发送的芯片类型，并在接收到上位机发送的芯片类型，电池管理系统再次确认上位机发送的芯片类型是否属于控制软件中预设芯片类型。而在上位机发送的芯片类型属于预设芯片类型的情况下，电池管理系统将上位机发送的芯片类型作为芯片的最终的正确的目标芯片类型，电池管理系统可以根据该最终的正确的目标芯片类型加载对应的目标软件代码，并将上位机发送的芯片类型存储于类型存储单元中，以在下次上电之后直接从类型存储单元中读取。

本实施例，在芯片自识别错误的情况下，利用上位机直接配置芯片的目标芯片类型，从而提高了芯片自识别的容错率，进而提高了电池管理系统的芯片自识别容错率。

下面参考图2，示例性的对本申请实施例提供的芯片的自识别方法，做进一步的说明，本申请实施例提供的芯片的自识别方法包括：

步骤201，开始。

步骤202，读取自识别标志位的状态。

步骤202，判断自识别标志位的状态是否为第一状态。

步骤203，若自识别标志位的状态是第一状态，则读取各个识别端口的电平状态，并根据各个识别端口的电平状态确定芯片的目标芯片类型。

步骤204，若自识别标志位的状态是第二状态，则读取类型存储单元中的类型值作为芯片的目标芯片类型。

步骤205，判断目标芯片类型是否属于控制软件中的预设芯片类型。

步骤207，若目标芯片类型属于控制软件中的预设芯片类型，则加载控制软件中与目标芯片类型相匹配的目标软件代码，以控制芯片工作，并将目标芯片类型存储于类型存储单元中，以及将自识别标志位的状态更改为第二状态。

步骤208，若目标芯片类型不属于控制软件中的预设芯片类型，则接收上位机发送的芯片类型。

步骤209，判断上位机发送的芯片类型是否属于控制软件中的预设芯片类型。

步骤210，若上位机发送的芯片类型属于控制软件中的预设芯片类型，则加载控制软件中与上位机发送的芯片类型相匹配的目标软件代码，以控制芯片工作，并将上位机发送的芯片类型存储于类型存储单元中，以及将自识别标志位的状态更改为第二状态。

本申请实施例提供的芯片的自识别方法，在芯片初次上电时，默认没有进行相关配置，也未进行自识别，即自识别标志位的状态为第一状态，此时程序会读取各识别端口的电平状态，将读取到的各识别端口的电平状态进行拼接，作为芯片的目标芯片类型，并到预设芯片类型中进行匹配，即可实现芯片的类型的识别。以及，芯片初次上电进行自适应识别后，会将读取到的目标芯片类型存储于类型存储单元，并将自识别标志位的状态更改为第二状态。待下次再上电时，无须再进行自识别，读取存储于类型存储单元中的类型值，进行目标软件代码的匹配即可。由于自适应识别的方法需要和硬件搭配使用，在预先配置各识别端口的电平状态时，存在操作预先配置错误的风险，进而导致自识别错误，对此，提供了芯片类型可配置方法，该方法可以通过上位机下发芯片类型，若上位机下发的芯片类型属于预设芯片类型，则将上位机下发的芯片类型存储于类型存储单元中，待下次读取到的类型值即为上位机下发的芯片类型。

应该理解的是，虽然如上所述的各实施例所涉及的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，如上所述的各实施例所涉及的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

基于同样的发明构思，本申请实施例还提供了一种用于实现上述所涉及的芯片的自识别方法的电池管理系统。该电池管理系统所提供的解决问题的实现方案与上述方法中所记载的实现方案相似，故下面所提供的一个或多个电池管理系统实施例中的具体限定可以参见上文中对于芯片的自识别方法的限定，在此不再赘述。

在一个实施例中，如图3所示，提供了一种电池管理系统，包括：芯片301、微控制单元302和多个识别端口303；其中，

各识别端口303的电平状态是基于芯片301的类型而预先配置；

微控制单元302分别与各识别端口303连接，微控制单元302用于在电池管理系统上电后，读取自识别标志位的状态；在自识别标志位的状态为第一状态的情况下，读取各个识别端口303的电平状态；根据各个识别端口303的电平状态，确定芯片301的目标芯片类型；加载控制软件中与目标芯片类型相匹配的目标软件代码，以控制芯片301工作；其中，控制软件中集成有与N个预设芯片类型一一对应的N个软件代码，N为大于1的自然数。

在一个实施例中，识别端口303包括通用输入输出端口。

基于同样的发明构思，本申请实施例还提供了一种用于实现上述所涉及的芯片的自识别方法的芯片的自识别装置。该装置所提供的解决问题的实现方案与上述方法中所记载的实现方案相似，故下面所提供的一个或多个芯片的自识别装置实施例中的具体限定可以参见上文中对于芯片的自识别方法的限定，在此不再赘述。

在一个实施例中，如图4所示，提供了一种芯片的自识别装置，包括：标志读取模块401、端口读取模块402、类型确定模块403和自适应模块404，其中：

标志读取模块401，用于在电池管理系统上电后，读取自识别标志位的状态；

端口读取模块402，用于在自识别标志位的状态为第一状态的情况下，读取电池管理系统中的各个识别端口的电平状态；

类型确定模块403，用于根据各个识别端口的电平状态，确定芯片的目标芯片类型；

自适应模块404，用于加载控制软件中与目标芯片类型相匹配的目标软件代码，以控制芯片工作；其中，控制软件中集成有与N个预设芯片类型一一对应的N个软件代码，N为大于1的自然数。

在一个实施例中，类型确定模块403还用于在自识别标志位的状态为第二状态的情况下，读取类型存储单元中存储的类型值作为芯片的目标芯片类型，其中，第二状态与第一状态不同。

在一个实施例中，类型确定模块403还用于将芯片的目标芯片类型存储于类型存储单元中。

在一个实施例中，类型确定模块403还用于将自识别标志位的状态由第一状态更改至第二状态，其中，第二状态与第一状态不同。

在一个实施例中，自适应模块404还用于判断芯片的目标芯片类型是否属于预设芯片类型；在芯片的目标芯片类型为其中一个预设芯片类型的情况下，执行加载控制软件中与目标芯片类型相匹配的目标软件代码的步骤。

在一个实施例中，自适应模块404还用于在芯片的目标芯片类型不属于预设芯片类型的情况下，接收上位机发送的芯片类型；在上位机发送的芯片类型属于预设芯片类型的情况下，将上位机发送的芯片类型作为芯片的目标芯片类型，并将上位机发送的芯片类型存储于类型存储单元中。

上述芯片的自识别装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。

在一个实施例中，还提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现上述各方法实施例中的步骤。

在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述各方法实施例中的步骤。

在一个实施例中，提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述各方法实施例中的步骤。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器(Read-OnlyMemory，ROM)、磁带、软盘、闪存、光存储器、高密度嵌入式非易失性存储器、阻变存储器(ReRAM)、磁变存储器(Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM)、铁电存储器(Ferroelectric Random Access Memory，FRAM)、相变存储器(Phase Change Memory，PCM)、石墨烯存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)或外部高速缓冲存储器等。作为说明而非局限，RAM可以是多种形式，比如静态随机存取存储器(Static Random Access Memory，SRAM)或动态随机存取存储器(Dynamic RandomAccess Memory，DRAM)等。本申请所提供的各实施例中所涉及的数据库可包括关系型数据库和非关系型数据库中至少一种。非关系型数据库可包括基于区块链的分布式数据库等，不限于此。本申请所提供的各实施例中所涉及的处理器可为通用处理器、中央处理器、图形处理器、数字信号处理器、可编程逻辑器、基于量子计算的数据处理逻辑器等，不限于此。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请的保护范围应以所附权利要求为准。