谐振器的制作方法及谐振器

技术领域

本申请涉及微机电系统领域，具体涉及一种谐振器的制作方法及谐振器。

背景技术

谐振器包括压电谐振器，压电谐振器是一种基于压电效应的微电子机械系统(英文名称Micro-Electro-Mechanical System，简称MEMS)设备，具有高频率、低阻抗、低功耗等优点，在无线通信、传感器、时钟等领域有广泛的应用。其中，压电谐振器包括平板式压电谐振器。

利用现有标准中的在绝缘体上形成半导体薄膜(英文名称Silicon-On-Insulator，简称SOI)的工艺方法制备平板式压电谐振器时，由于谐振体较大的体表面积，一般需要在其表面设置释放孔以实现谐振体结构的快速高效释放，这种开释放孔的方法会导致谐振体表面的有效压电感应强度降低或驱动面积减少，从而降低了压电谐振器的性能，如频率、品质因子和频率-温度特性等。若不在谐振体表面设置释放孔，则需要延长数倍的氧化层刻蚀释放时间以实现谐振体的完全释放，同时由于氧化层刻蚀方向无选择性，谐振器的电连接部对应下的氧化层也会经历相同深度的横向刻蚀，从而大幅降低谐振器的可靠性。

发明内容

本申请的目的在于提供一种谐振器的制作方法及谐振器。

本申请提供一种谐振器的制作方法，包括：提供衬底；在所述衬底的表面上沉积复合层，所述复合层包括玻璃层和氧化层，所述玻璃层与所述氧化层处于所述衬底的同一平面，且所述氧化层环绕所述玻璃层；在所述复合层背离所述衬底的表面上沉积可动结构层，所述可动结构层包括谐振体、梁结构和电连接部，所述谐振体和所述电连接部在径向平面上间隔设置，所述梁结构设于所述谐振体和所述电连接部之间；在所述谐振体和所述电连接部的间隔处为刻蚀起点刻蚀所述玻璃层和部分所述氧化层以释放所述谐振体和梁结构。

在本申请的一种示例性实施例中，在竖直方向上所述谐振体的投影与所述玻璃层的投影至少部分重合，且在竖直方向上所述谐振体的中心点和所述玻璃层的中心点在同一直线上。

在本申请的一种示例性实施例中，当在竖直方向上所述谐振体的投影与所述玻璃层的投影部分重合时，在所述径向平面上所述谐振体的长度和宽度均小于所述玻璃层的长度和宽度。

在本申请的一种示例性实施例中，所述在所述衬底的表面上沉积复合层的步骤包括：在所述衬底的表面上氧化形成氧化层；在所述氧化层背离所述衬底的表面上设置涂胶层；在所述涂胶层上进行图形化处理形成所述玻璃层的结构区域，基于图形化处理后形成的所述玻璃层的结构区域刻蚀所述氧化层形成释放区域，并去除所述涂胶层；沉积所述玻璃层，所述玻璃层沉积于所述结构区域内和所述氧化层背离所述衬底的表面上；薄化处理所述玻璃层以使所述结构区域内的所述玻璃层的厚度等于所述氧化层的厚度。

在本申请的一种示例性实施例中，所述玻璃层的厚度介于5um和6um之间，所述玻璃层的沉积的速度介于1um/min和2um/min之间。

在本申请的一种示例性实施例中，所述在所述复合层背离所述衬底的表面上沉积可动结构层的步骤包括：在所述复合层背离所述衬底的表面上沉积器件层；在所述器件层背离所述复合层的表面上沉积压电结构层，在竖直方向上所述压电结构层的投影至少与所述谐振体的投影重合，在竖直方向上所述压电结构层的中线点与所述谐振体的中心点位于同一直线上。

在本申请的一种示例性实施例中，当在竖直方向上所述压电结构层的投影与所述谐振体的投影重合时，在所述径向平面所述谐振体的长度和宽度均等于所述压电结构层的长度和宽度。

在本申请的一种示例性实施例中，所述在所述器件层背离所述复合层的表面上沉积压电结构层之后，所述制作方法还包括：在所述压电结构层上设置第一涂胶层；在所述第一涂胶层上图形化处理形成所述谐振体的结构区域、所述梁结构的结构区域和所述电连接部的结构区域，基于图形化处理形成的所述谐振体的结构区域、所述梁结构的结构区域和所述电连接部的结构区域刻蚀所述压电结构层形成与所述谐振体、所述梁结构和所述电连接部对应的压电结构层；去除所述第一涂胶层，在压电结构层背离所述器件层的表面上设置第二涂胶层；在所述第二涂胶层上图形化处理形成所述谐振体的结构区域、所述梁结构的结构区域以及所述电连接部的结构区域，基于图形化处理后形成的所述谐振体的结构区域、所述梁结构的结构区域以及所述电连接部的结构区域刻蚀器件层形成对应的所述谐振体、所述梁结构以及所述电连接部；去除所述第二涂胶层。

本申请还提供一种谐振器，根据上述的谐振器的制作方法制得，包括：衬底、氧化层和可动结构层，所述氧化层设于所述衬底的表面上，所述氧化层设有所述释放区域；所述可动结构层设于所述氧化层背离所述衬底的表面上，所述可动结构层包括谐振体、梁结构和电连接部，所述谐振体和所述电连接部在径向平面上间隔设置，所述梁结构设于所述谐振体和所述电连接部之间。

在本申请的一种示例性实施例中，所述可动结构层包括器件层、压电结构层，所述器件层设于所述氧化层背离所述衬底的表面上；所述压电结构层设于所述器件层背离所述氧化层的表面上，在竖直方向上所述压电结构层的投影至少与所述谐振体的投影重合，在竖直方向上所述压电结构层的中心点与所述谐振体的中心点位于同一直线上。

在本申请的一种示例性实施例中，当在竖直方向上所述压电结构层的投影与所述谐振体的投影重合时，所述径向平面所述压电结构层的长度和宽度均等于所述谐振体的长度和宽度。

上述方案中，具有以下有益效果：可动结构层包括在径向平面上间隔设置的谐振体和电连接部，谐振体用于面内或面外振动，电连接部用于实现电流和信号的传输。将谐振体和电连接部间隔设置，并且通过梁结构连接谐振体和电连接部，通过以间隔处为刻蚀起点刻蚀处于衬底的同一平面的玻璃层和部分氧化层，并且保留另一部分氧化层从而释放谐振体和梁结构，这样释放结构的方法相比于现有技术中释放孔释放结构的方法由于避免了在谐振体上开释放孔，能够保证谐振体的结构整体性，从而保证谐振体表面的有效电压的强度或者更大的驱动面积。由于玻璃层的刻蚀速度大于氧化层的刻蚀速度，横向刻蚀时玻璃层的刻蚀的横向长度会大于氧化层的刻蚀的横向长度，玻璃层会先于氧化层完成刻蚀，对谐振体的结构进行释放的同时也保留足够横向长度的氧化层，避免氧化层被过度刻蚀，从而提高谐振器的可靠性。

本申请的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本申请的实践而习得。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例中一种示例实施例中谐振器制作方法的流程图；

图2是本发明实施例中一种示例实施例中复合层制作方法的流程图；

图3是本发明实施例中一种示例实施例中可动结构层制作方法的流程图；

图4是本发明实施例中在衬底上制备氧化层的示意图；

图5是本发明实施例中在氧化层上涂胶的示意图；

图6是本发明实施例中图形化处理涂胶层的示意图；

图7是本发明实施例中刻蚀氧化层的示意图；

图8是本发明实施例中去除涂胶层的示意图；

图9是本发明实施例中在氧化层上和结构区域中制备玻璃层的示意图；

图10是本发明实施例中研磨玻璃层的示意图；

图11是本发明实施例中复合层的平面示意图；

图12是本发明实施例中制备器件层的示意图；

图13是本发明实施例中在器件层上制备压电结构层的示意图；

图14是本发明实施例中在压电结构层上涂胶的示意图；

图15是本发明实施例中图形化处理压电结构层上的第一涂胶层的示意图；

图16是本发明实施例中刻蚀压电结构层的示意图；

图17是本发明实施例中去除压电结构层上的第一涂胶层的示意图；

图18是本发明实施例中在压电结构层上二次涂胶的示意图；

图19是本发明实施例中图形化处理压电结构层上第二涂胶层的示意图并刻蚀器件层的示意图；

图20是本发明实施例中去除压电结构层上第二涂胶层的示意图；

图21是本发明实施例中刻蚀玻璃层和部分氧化层的示意图；

图22是图21中的局部放大示意图；

图23是本发明实施例中一种实例实施例中谐振器的结构示意图；

图24是本发明实施例中一种实例实施例中谐振器的剖面图；

图25是本发明实施例中磷硅玻璃和氧化硅在常态下和退火状态下的刻蚀速度的对比示意图。

附图标记说明

11、电连接部；12、锚点；13、谐振体；14、梁结构；100、衬底；200、氧化层；210、涂胶层；300、玻璃层；400、器件层；500、压电结构层；510、第一涂胶层；520、第二涂胶层。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本申请将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。

此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本申请的技术方案而没有特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知方法、装置、实现或者操作以避免模糊本申请的各方面。

下面结合附图和具体实施例对本申请作进一步详述。在此需要说明的是，下面所描述的本申请各个实施例中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。

需要说明的是：在本文中提及的“多个”是指两个或两个以上。“和/或”描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

本申请实施例提供一种谐振器的制作方法，参照图1所示，制作方法包括：

S100、提供衬底100。

示例的，如图4所示，衬底100为半导电性的<100>单晶硅晶圆，具体的，<100>单晶硅为低阻硅，其成本更低。

S200、在衬底100的表面上沉积复合层，复合层包括玻璃层300和氧化层200，玻璃层300与氧化层200处于衬底100的同一平面，且氧化层200环绕玻璃层300。

示例的，如图5至图11所示，玻璃层300为磷硅玻璃(英文名称为Phospho SilicateGlass，简称PSG)或者硼硅玻璃(英文名称为Boro silicate glass，简称BSG)等。氧化层200为氧化硅(化学式用SiOx表示)。

其中，热氧化硅的刻蚀速度小于磷硅玻璃的刻蚀速度，以在执行步骤S400时能够刻蚀磷硅玻璃和部分热氧化层200。

S300、在复合层背离衬底100的表面上沉积可动结构层，可动结构层包括谐振体13、梁结构14和电连接部11。

在一些实施例中，如图12至图22所示，可动结构层是用于实现谐振器面内振动或者面外振动的结构层，一般包括在竖直方向上设置的器件层400和压电结构层500，且在径向平面内将可动结构层通过图形化处理和刻蚀形成谐振体13、梁结构14和电连接部11，其中谐振体13是具体实现面内振动和面外振动的结构，电连接部11是用于传输电信号的结构。梁结构14设于谐振体13和电连接部11的之间，以能够在电连接部11和谐振体13起连接作用。

在一些实施例中，如图21所示，在径向平面上，电连接部11设于谐振体13在长度方向或宽度方向上的相对侧，且至少保持电连接部11和谐振体13之间间隔设置，以能够在执行步骤S400时提供刻蚀通道。

S400、在谐振体13和电连接部11的间隔处为刻蚀起点刻蚀玻璃层300和部分氧化层200以释放谐振体13和梁结构14。

在一些实施例中，如图21所示，基于步骤S200和步骤S300，通过气相刻蚀工艺以间隔处为刻蚀起点刻蚀复合层，由于复合层中玻璃层300的刻蚀速度大于氧化层200的刻蚀速度，在相同的刻蚀时间内玻璃层300的刻蚀面积大于氧化层200的刻蚀面积，玻璃层300被刻蚀后能够释放谐振体13结构。

在一些实施例中，沉积的玻璃层300和氧化层200可以进行高温退火处理。

示例的，如图25所示，35℃条件下，高温退火后的磷硅玻璃的刻蚀速率为290±20nm/min，氧化硅的刻蚀速率为220±40nm/min，高温退火后的氧化硅的刻蚀速率为100±10nm/min，热氧化硅的刻蚀速率为15±1nm/min。

相同条件下，以MEMS压电谐振器为例，由于谐振体13和梁结构14在竖直方向对应的是复合层中的磷硅玻璃，刻蚀高温退火后的磷硅玻璃的刻蚀速率更快，约为300nm/min，而电连接部11竖直方向对应的是复合层中的热氧化硅，刻蚀热氧化硅刻蚀速率更慢，约为15nm/min。

如图22所示，在相同宽度和厚度的情况下，谐振体13的长度尺寸以100um为例，要将谐振体13完全释放，需要将复合层中的磷硅玻璃完全刻蚀，需要约160min，同时对于复合层中的热氧硅的长度方向上的刻蚀深度为2.4um，可保证梁结构14结构的有效释放，同时尽可能减小电连接部11下方的悬空尺寸。

进一步的，如图22及图25所示，谐振体13的横向刻蚀深度L与梁结构14的横向刻蚀深度M的比值大于15，锚点12下方的氧化层200被刻蚀掉的横向刻蚀深度N为M的宽度的1/2。谐振体13长宽尺寸均大于100um，且表面无释放用刻蚀孔。

由上可知，将谐振体13和电连接部11间隔设置，通过气相刻蚀工艺以间隔处为刻蚀起点刻蚀复合层，相同的刻蚀时间内玻璃层300的刻蚀面积大于氧化层200的刻蚀面积，当玻璃层300被刻蚀后以释放谐振体13和梁结构14。这样的释放结构的方法相比于现有技术中释放孔释放结构的方法由于避免了在谐振体13上开释放孔，能够保证谐振体13的结构整体性，从而保证谐振体13表面的有效电压的强度或者更大的驱动面积。由于玻璃层300的刻蚀速度大于氧化层200的刻蚀速度，横向刻蚀时玻璃层300的刻蚀的长度会大于氧化层200的刻蚀的长度，会先刻蚀玻璃层300，对谐振体13和梁结构14进行释放的同时也保留足够横向长度的氧化层200，避免氧化层200被过度刻蚀，从而提高谐振器的可靠性。

在一些实施例中，如图10和图11所示，在竖直方向上谐振体13的投影与玻璃层300的投影至少部分重合，且在竖直方向上谐振体13的中心点和玻璃层300的中心点在同一直线上。在玻璃层300刻蚀完成后对氧化层200进行刻蚀时能够避免氧化层200过度刻蚀，保留足够长度的氧化层。

在一些实施例中，在竖直方向上，谐振体13的投影与玻璃层300的投影可以完全重合，或者谐振体13的投影可小于玻璃层300的投影从而部分重合，再或者谐振体13的投影可大于玻璃层300的投影从而部分重合。

在一些实施例中，当在竖直方向上谐振体13的投影与玻璃层300的投影部分重合时，在径向平面上谐振体13的长度和宽度均小于玻璃层300的长度和宽度。

在一些实施例中，如图10和图11所示，竖直方向是以谐振器的截面为正视基础，在上下方向上的方向，径向平面是和竖直方向垂直的平面，在径向平面上于竖直方向上垂直的方向为径向方向。

参照图2所示，图2是本发明实施例中一种示例实施例中复合层的制作方法的流程图。在衬底100的表面上沉积复合层的步骤包括：

S210、在衬底100的表面上通过氧化形成氧化层200。

在一些实施例中，如图4所示，热氧化工艺为炉管热氧化工艺，硅在炉管中通过控制炉管内温度、氧气流量、纯氧气流速等工艺参数控制氧化层200的成膜质量。

示例的，炉管内温度为1000℃，再增大氧气流量、降低纯氧气流速等方式调节成膜质量，氧化层200的厚度为1～2um,降低掺磷SiOx晶体的结晶质量，提高后续其被刻蚀的速率。

S220、在氧化层200背离衬底100的表面上设置涂胶层210。

在一些实施例中，如图5所示，涂胶层210为光刻胶，其厚度约为2um。

S230、在涂胶层210上进行图形化处理形成玻璃层300的结构区域，基于图形化处理后形成的玻璃层300的结构区域刻蚀氧化层200形成释放区域，释放区域为玻璃层300的结构区域，并去除涂胶层210。

在一些实施例中，如图6至图8所示，结构区域在径向平面内的长度和宽度均小于氧化层200在径向平面上的长度和宽度，其中结构区域的深度与氧化层200的厚度相同，以供沉积玻璃层300。

示例的，以三明治型MEMS压电谐振器为例，结构区域的尺寸为305um，宽度为105um。

S240、沉积玻璃层300，玻璃层300沉积于结构区域内和氧化层200背离衬底100的表面上。

在一些实施例中，如图9所示，玻璃层300通过常压化学气相沉积工艺沉积形成，玻璃层300向结构区域中凸出且形成于氧化层200背离衬底100的表面上，即氧化层200的上表面。

示例的，玻璃层300具体为磷硅玻璃，其中氧化层200表面上的磷硅玻璃的厚度约为5～6um，玻璃层300的沉积的速度介于1um/min和2um/min之间。

S250、薄化处理玻璃层300使结构区域内的玻璃层300的厚度等于氧化层200的厚度。

在一些实施例中，如图10所示，通过平坦化抛光技术对玻璃进行薄化处理。去除氧化层200表面覆盖的磷硅玻璃，直至图形化的氧化层200完全露出，形成包括了玻璃层300和氧化层200的复合层。

示例的，玻璃层300的厚度介于5um和6um之间。

由上可知，如图11所示，复合层包括玻璃层300和氧化层200。氧化层200在衬底100的表面上通过热氧化形成，玻璃层300通过常压化学气相沉积工艺沉积形成，其沉积于结构区域内和氧化层200背离衬底100的表面上。

参照图3所示，图3是本发明实施例中一种示例实施例中可动结构层的制作方法的流程图。在衬底100的表面上沉积复合层的步骤包括：

S310、在复合层背离衬底100的表面上沉积器件层400；

在一些实施例中，如图12所示，器件层400是通过硅气相外延生长技术(英文名称为Silicon Vapor-Phase Epitaxy)在复合层背离衬底100的表面上沉积厚度为10～20um的多晶硅。

在另一实施例中，器件层400是先利用工艺键合(英文名称为Fusion bonding)技术形成的单晶硅层，再利用平坦化抛光技术将单晶硅层减薄至10～20um。

S320、在器件层400背离复合层的表面上沉积压电结构层500，在竖直方向上压电结构层500的投影至少与谐振体13的投影重合，在竖直方向上压电结构层500的中线点与谐振体13的中心点位于同一直线上。

在一些实施例中，在竖直方向上，谐振体13的投影与压电结构层500的投影可以完全重合，能够增强谐振体13的驱动效果；或者谐振体13的投影可小于压电结构层500的投影从而部分重合，能够减小压电结构层500的面积，从而使结构更紧凑且降低成本；再或者谐振体13的投影可大于压电结构层500的投影从而部分重合，能够同时驱动谐振体13以外的结构，如梁结构14，可进一步提升谐振体13的驱动效果。

在一些实施例中，当在竖直方向上谐振体13的投影与压电结构层500的投影重合时，在径向平面上谐振体13的长度和宽度均等于压电结构层500的长度和宽度。

在一些实施例中，如图13所示，压电结构层500通过物理气相沉积工艺(英文名称为Physical Vapor Deposition，简称PVD)或者溅射工艺(英文名称为Sputtering)形成。

示例的，压电结构层500包括电极层和材料层。电极层为钼(化学式为Mo)，其厚度为50～200nm；材料层为氮化铝(化学式为AlN)，其厚度为200～500nm。

本申请中，谐振器还包括梁结构14，在器件层400背离复合层的表面上沉积压电结构层500之后，制作方法还包括：

S330、在压电结构层500上设置第一涂胶层510；

在一些实施例中，如图14所示，第一涂胶层510为光刻胶，其厚度约为2um。

S340、在第一涂胶层510上图形化处理形成谐振体13的结构区域、梁结构14的结构区域和电连接部11的结构区域，基于图形化处理形成的谐振体13的结构区域、梁结构14的结构区域和电连接部11的结构区域刻蚀压电结构层500形成与谐振体13、梁结构14和电连接部11对应的压电结构层500。

S350、去除第一涂胶层510，在压电结构层背离所述器件层的表面上设置第二涂胶层在器件层400和压电结构上设置第二涂胶层520；

在一些实施例中，如图17和图18所示，第二涂胶层520为光刻胶，其厚度约为2um。

S360、在第二涂胶层520上图形化处理形成谐振体13的结构区域、梁结构14的结构区域以及电连接部11的结构区域，基于图形化处理后形成的谐振体13的结构区域、梁结构14的结构区域以及电连接部11的结构区域刻蚀器件层形成对应的谐振体13、梁结构14以及电连接部11。

在一些实施例中，如图19所示，通过反应离子刻蚀工艺(英文名称为Reactive ionetching，简称为RIE)刻蚀形成谐振体13、电连接部11以及梁结构14，谐振器的压电结构层500覆盖谐振体13以及部分梁结构14表面。

S370、去除第二涂胶层520，如图20所示，保留压电结构层和器件层400上形成的谐振体13、电连接部11以及梁结构14。

本申请还提供一种谐振器，根据上述的谐振器的制作方法制得，如图23至图24所示，谐振器包括衬底100、氧化层200以及可动结构层，氧化层200设于衬底100的表面上，氧化层200设有释放区域；可动结构层设于氧化层200背离衬底100的表面上，可动结构层包括谐振体13、梁结构14和电连接部11，谐振体13和电连接部11在径向平面上间隔设置，梁结构14设于谐振体13和电连接部11的之间。

在一些实施例中，将谐振体13和电连接部11间隔设置，通过气相刻蚀工艺以间隔处为刻蚀起点刻蚀氧化层200，通过氧化层200的释放区域能够避免了在谐振体13上开释放孔，能够保证谐振体13的结构整体性，从而保证谐振体13表面的有效电压的强度或者更大的驱动面积。

在一些实施例中，如图23至图24所示，可动结构层包括器件层400以及压电结构层500。器件层400设于氧化层200背离衬底100的表面上用于布控电路等。压电结构层500设于器件层400背离氧化层200的表面上用于压电驱动谐振体13，压电结构层500的投影在竖直方向上至少与谐振体13的投影重合以能够完全驱动谐振体13，竖直方向垂直于径向平面。

在一些实施例中，在竖直方向上压电结构层500的投影至少与谐振体13的投影重合，在竖直方向上压电结构层500的中线点与谐振体的中心点位于同一直线上。

在一些实施例中，当在竖直方向上压电结构层的投影与谐振体的投影重合时，径向平面压电结构层500的长度和宽度均等于谐振体13的长度和宽度。

在一些实施例中，如图23所示，压电结构层500能够延伸设置在部分梁结构14上，以加强驱动效果。

在一些实施例中，如图23所示，电连接部11上设有锚点12，锚点12的面积小于电连接部11，用于连接外部元器件。

需要说明的是，谐振器可以使用公知的技术由公知的材料制造。例如，谐振器可以由公知的半导体材料制作而成，具体可包括：1、由元素周期表第IV列中的一种或多种材料组成，例如硅、锗、碳、硅锗或碳化硅等；2、III-V化合物，例如磷化镓、磷化铝镓等；3、III、IV、V或VI材料的组合，例如氮化硅、氧化硅、碳化铝、氮化铝和/或氧化铝等；4、金属硅化物、锗化物和碳化物，例如硅化镍、硅化钴、碳化钨或硅化铂锗等；5、掺杂变体，例如磷、砷、锑、硼或铝掺杂的硅、锗、碳或组合(如硅锗、碳化硅等)；6、具有各种晶体结构的上述五种材料，这些晶体结构包括单晶、多晶、纳米晶以及无定形中的任意一种或任何组合，例如具有单晶和多晶结构的区域(无论是掺杂的还是未掺杂的)。谐振器也可以使用公知的光刻、蚀刻、沉积和/或掺杂技术形成在绝缘体中或上，该绝缘体具体可以是半导体(SOI)衬底100。

本申请中，谐振器包括谐振体13、梁结构14和电连接部11，谐振体13和电连接部11间隔设置，梁结构14设于谐振体13和电连接部11的间隔处用于连接谐振体13与电连接部11，谐振体13在竖直方向上的投影与玻璃层300在竖直方向上的投影至少部分重合，通过气相刻蚀工艺以间隔处为刻蚀起点刻蚀氧化层200，相同的刻蚀时间内玻璃层300的刻蚀面积大于氧化层200的刻蚀面积，当玻璃层300被刻蚀后以释放谐振体13结构，在刻蚀时能够释放谐振体13对应的玻璃层300形成释放区域，通过氧化层200的释放区域能够避免了在谐振体13上开释放孔，能够保证谐振体13的结构整体性，从而保证谐振体13表面的有效电压的强度或者更大的驱动面积。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“设置(设有)”、“连接”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本说明书的描述中，参考术语“一些实施例”等的描述意指结合该实施例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型，故但凡依本申请的权利要求和说明书所做的变化或修饰，皆应属于本申请专利涵盖的范围之内。