发光装置

相关申请的交叉引用

本申请要求在韩国知识产权局于2022年2月25日提交的韩国专利申请第10-2022-0025503号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开的实施方式的一个或多个方面涉及发光装置和包括其的电子设备。

背景技术

发光装置是自发射装置，如与现有技术的装置相比，具有宽视角，高对比度，短响应时间，以及在亮度、驱动电压和/或响应速度方面的卓越的或适当的特性。

在发光装置中，第一电极布置在基板上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次形成在第一电极上。从第一电极提供的空穴通过空穴传输区朝着发射层移动，并且从第二电极提供的电子通过电子传输区朝着发射层移动。载流子，比如空穴和电子，在发射层中复合以产生光。

发明内容

本公开的实施方式的一个或多个方面涉及具有改善的效率和长寿命的发光装置。

另外的方面将部分在随后的描述中陈述，并且部分将从描述中显而易见，或可通过所呈现的本公开的实施方式的实践而了解到。

根据一个或多个实施方式，发光装置可包括：

第一电极；

面向第一电极的第二电极；

在第一电极和第二电极之间的夹层，夹层包括发射层，

其中夹层可包括由奇数个层组成的多层膜，并且

多层膜可通过交替堆叠彼此具有不同折射率的层来形成。

根据一个或多个实施方式，

电子设备可包括该发光装置。

附图说明

本公开的某些实施方式的上面的以及其他的方面、特征和优势将从结合所附附图的以下描述中更显而易见，在附图中：

图1是根据一个或多个实施方式的发光装置的示意图；

图2是根据一个或多个实施方式的电子设备的横截面图；并且

图3是根据本公开的一个或多个其他实施方式的电子设备的横截面图。

具体实施方式

现将更详细地参考其示例示出在所附附图中的实施方式，其中相同的附图标记通篇指相同的元件，并且可不提供其重复描述。就此而言，本实施方式可具有不同的形式，并且不应解释为限于本文陈述的描述。相应地，仅通过参照附图来描述实施方式，以解释本描述的各方面。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任意和所有组合。如本文使用的，表述比如“……中的至少一个”、“……中的一个”和“选自……”，当在元件的列表之前/之后时，修饰元素的整个列表而不修饰列表的单个元素。在整个公开中，表述“选自a、b和c中的至少一个”和“a、b和c中的至少一个”可指示仅a，仅b，仅c，a和b两者(例如，同时地)，a和c两者(例如，同时地)，b和c两者(例如，同时地)，所有的a、b和c，或其变型。进一步，当描述本公开的实施方式时，“可”的使用指“本公开的一个或多个实施方式”。

如本文使用的，单数形式“一个(a)”、“一个(an)”和“所述(the)”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。

将进一步理解，术语“包括(include)”、“包括(including)”、“包含(comprise)”和/或“包含(comprising)”在本说明书中使用时，指定存在陈述的特征、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征、步骤、操作、元件、组件和/或其组。

如本文使用的，术语“使用(use)”、“使用(using)”和“使用(used)”可视为分别与术语“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”和“利用(utilized)”同义。

将理解，当元件被称为“在”另一元件“上”、“连接至”或“耦合至”另一元件时，该元件可直接在另一元件上，连接至或耦合至另一元件，或者也可存在一个或多个居间元件。当元件被称为“直接在”另一元件“上”、“直接连接至”或“直接耦合至”另一元件时，则不存在居间元件。

为了易于描述，本文中可使用空间相对术语比如“之下”、“下面”、“下”、“上面”、“上”、“底部”、“顶部”等来描述如附图中示出的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。将理解，除了附图中描绘的定向之外，空间相对术语旨在囊括装置在使用或操作中的不同定向。例如，如果将附图中的装置翻转，那么被描述为在另一元件或特征“下面”或“之下”的元件将定向在另一元件或特征“上面”或“上方”。因此，术语“下面”可包括上面定向和下面定向二者。装置也可另外定向(旋转90度或处于其他定向)，并且本文使用的空间相对描述符应当相应地解释。

如本文使用的，术语“基本上”、“约”和类似的术语用作近似的术语，而不用作程度的术语，并且旨在说明本领域普通技术人员会认识到的测量或计算值的固有偏差。考虑到所讨论的测量和与特定数量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，如本文使用的“约”或“近似”包括所述值并意味着在如由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“约”可意味着在所述值的一个或多个标准偏差内，或在陈述值的±30％、±20％、±10％或±5％内。

本文叙述的任意数值范围旨在包括囊括在叙述的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括叙述的最小值1.0和叙述的最大值10.0之间(并且包括1.0和10.0)的所有子范围，也就是，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值的所有子范围，比如，例如，2.4至7.6。本文叙述的任意最大数值限制旨在包括囊括于其中的所有较低数值限制，并且本说明书中叙述的任意最小数值限制旨在包括囊括于其中的所有较高数值限制。因此，申请人保留修改本说明书，包括权利要求的权利，以明确地叙述囊括在本文明确地叙述的范围内的任意子范围。

本公开的一个或多个实施方式提供了发光装置，包括：

第一电极；

面向第一电极的第二电极；

布置在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层，

其中夹层包括由奇数个层组成的多层膜，并且

多层膜通过交替堆叠彼此具有不同折射率的层来形成。

荧光材料和磷光材料已用于现有技术领域的有机发光装置中，但是在蓝色发光装置的情况下，仍然仅使用荧光材料。与磷光材料或延迟荧光材料相比，理论量子效率为25％的荧光材料可能具有低(例如，不合适)效率性能的问题。因此，需要(或期望)通过开发蓝色磷光/延迟荧光装置来最大化或提高装置性能。然而，这种蓝色磷光/延迟荧光装置在确保长寿命方面仍有困难，所以应克服该问题。

示例性有机发光装置可包括发射层，发射层包括单层(例如，由单层组成)，并且通过控制发射层中的浓度梯度或发射层的主体/掺杂剂化合物(例如，主体和掺杂剂化合物的比例)，可改善装置的效率和寿命。在一些实施方式中，可将包括不同材料(例如，由不同材料组成)的辅助层引入邻近层中(例如，引入与发射层邻近的层中)。

在根据本公开的一个或多个实施方式的发光装置中，磷光或延迟荧光材料可以用作掺杂剂，以便可改善装置的内部量子效率。在一些实施方式中，在发射层之前，可以应用覆盖从空穴传输层到辅助层的区域的级联多层膜来促进空穴的注入。在一些实施方式中，通过调整多层膜的折射率，可以通过相长干涉来改善在发射层中生成的光的光效率。

在一个或多个实施方式中，多层膜可布置在第一电极和发射层之间。

在一个或多个实施方式中，第一电极可为阳极，第二电极可为阴极，并且夹层可进一步包括空穴传输区，该空穴传输区布置在第一电极和发射层之间且包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、辅助层或其任意组合。例如，多层膜可以包括在空穴传输区中。

在一个或多个实施方式中，第一电极可为阳极，第二电极可为阴极，并且夹层可进一步包括电子传输区，该电子传输区布置在第二电极和发射层之间且包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。

在一个或多个实施方式中，多层膜可以具有：三层结构，其中第一层、第二层和第三层依次堆叠；或五层结构，其中第一层、第二层、第三层、第四层和第五层依次堆叠。

在一个或多个实施方式中，夹层可进一步包括空穴注入层，并且多层膜可与空穴注入层和发射层直接接触。

例如，当多层膜具有三层结构时，第一层可与空穴注入层直接接触，并且第三层可与发射层直接接触；或第三层可与空穴注入层直接接触，并且第一层可与发射层直接接触。

例如，当多层膜具有五层结构时，第一层可与空穴注入层直接接触，并且第五层可与发射层直接接触；或第五层可与空穴注入层直接接触，并且第一层可与发射层直接接触。

在一个或多个实施方式中，多层膜可包括空穴传输层和辅助层。例如，多层膜可包括空穴传输层和辅助层(例如，由空穴传输层和辅助层组成)，并且空穴传输层和辅助层的总数可以是奇数。

下面将在本文中将更详细地描述空穴传输层和辅助层中包括的化合物。

在一个或多个实施方式中，多层膜具有三层结构，其中第一层、第二层和第三层依次堆叠，

其中第一层可为第一空穴传输层，且第二层可为第二空穴传输层，并且

第三层可为第一辅助层。

例如，第一层和第三层中每一层的折射率可小于第二层的折射率。例如，多层膜可具有第一空穴传输层[低折射率(相对于膜的其他层)]/第二空穴传输层[高折射率]/第一辅助层[低折射率]的结构。

在一个或多个实施方式中，多层膜可具有三层结构，其中第一层、第二层和第三层依次堆叠，其中，

第一层可为第一空穴传输层，并且

第二层可为第一辅助层，且第三层可为第二辅助层。

例如，第一层和第三层中每一层的折射率可小于第二层的折射率。例如，多层膜可具有第一空穴传输层[低折射率]/第一辅助层[高折射率]/第二辅助层[低折射率]的结构。

例如，第一层和第三层中包括的化合物可彼此相同或不同。

在一个或多个实施方式中，多层膜可具有五层结构，其中第一层、第二层、第三层、第四层和第五层依次堆叠，其中，

第一层可为第一空穴传输层，且第二层可为第二空穴传输层，并且

第三层可为第一辅助层，第四层可为第二辅助层，且第五层可为第三辅助层。

例如，第一层和第五层中每一层的折射率可小于第二层和第四层的折射率(例如，小于第二层和第四层中每一层的折射率)。例如，多层膜可具有第一空穴传输层[低折射率]/第二空穴传输层[高折射率]/第一辅助层[低折射率]/第二辅助层[高折射率]/第三辅助层[低折射率]的结构。

在一个或多个实施方式中，多层膜可具有五层结构，其中第一层、第二层、第三层、第四层和第五层依次堆叠，其中，

第一层可为第一空穴传输层，第二层可为第二空穴传输层，且第三层可为第三空穴传输层，并且

第四层可为第一辅助层，且第五层可为第二辅助层。

例如，第一层和第五层中每一层的折射率可小于第二层和第四层的折射率(例如，小于第二层和第四层中每一层的折射率)。例如，多层膜可具有第一空穴传输层[低折射率]/第二空穴传输层[高折射率]/第三空穴传输层[低折射率]/第一辅助层[高折射率]/第二辅助层[低折射率]的结构。

低折射率可例如是在1.7和1.9之间的值，并且高折射率可例如是大于1.9的值。高折射率可例如是在大于1.9的值和等于2.5的值之间。

例如，第一层、第三层和第五层中包括的化合物可彼此相同或不同。例如，第二层和第四层中包括的化合物可彼此相同或不同。

在一个或多个实施方式中，多层膜可具有三层结构，其中第一层、第二层和第三层依次堆叠，其中第二层的厚度大于第一层和第三层的厚度(例如，大于第一层和第三层中每一层的厚度)。第一层、第二层和第三层的厚度可各自独立地在约

在一个或多个实施方式中，多层膜可具有五层结构，其中第一层、第二层、第三层、第四层和第五层依次堆叠，

其中第二层、第三层和第四层中至少一层的厚度可大于第一层和第五层的厚度(例如，大于第一层和第五层中每一层的厚度)。第一层至第五层的厚度可各自独立地在约

在其中根据本公开的一个或多个实施方式的发光装置包括包含奇数个层(例如，由奇数个层组成)的多层膜的情况下，每层的折射率可如上所述。当多层膜的至少一个内层的厚度大于多层膜的外部的层(例如，多层膜的外层)的厚度时，由于产生共振效果，所以可改善发光装置的效率。

在一个或多个实施方式中，发射层可包括空穴传输主体、电子传输主体和掺杂剂。

空穴传输主体例如可以是咔唑类化合物和/或胺类化合物，每种化合物都包括给电子基团。

电子传输主体例如可以是包括吸电子基团的化合物或双极性类化合物。双极性类化合物指包括给电子基团和吸电子基团二者(例如，同时)的化合物。

本文下面将更详细地描述掺杂剂。

在一个或多个实施方式中，掺杂剂可包括荧光掺杂剂、延迟荧光掺杂剂、磷光掺杂剂或其任意组合。

本文下面将更详细地描述主体。

在一个或多个实施方式中，在发射层中，空穴传输主体的量可大于电子传输主体的量。例如，空穴传输主体与电子传输主体的量的比(重量比)可在约10:1.0至约5.0:4.9的范围内。当空穴传输主体与电子传输主体的量的比在上面的范围内时，发光装置可具有最佳或适当的寿命。

本公开的一个或多个实施方式提供了包括发光装置的电子设备。

在一个或多个实施方式中，电子设备可包括发光装置和薄膜晶体管，其中薄膜晶体管包括源电极和漏电极，其中，

发光装置的第一电极可电连接(例如，电耦接)到薄膜晶体管的源电极和漏电极中的至少一个。

在一个或多个实施方式中，电子设备可进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。

如本文使用的术语“夹层”指发光装置的第一电极和第二电极之间的单个层和/或多个层。

图1的描述

图1是根据一个或多个实施方式的发光装置10的示意性横截面图。发光装置10包括第一电极110、夹层130和第二电极150。

下文，将参考图1描述根据一个或多个实施方式的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。

第一电极110

在图1中，基板可另外布置在第一电极110下或第二电极150上。在一个或多个实施方式中，可使用玻璃基板和/或塑料基板作为基板。在一个或多个实施方式中，基板可为柔性基板，例如，可包括具有卓越的或适当的耐热性和耐久性的塑料，比如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳族酯(PAR)、聚醚酰亚胺或其任意组合。

第一电极110可通过，例如，在基板上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料而形成。当第一电极110为阳极时，用于形成第一电极110的材料可为利于空穴注入的高功函材料。

第一电极110可为反射电极、半透射电极或透射电极。在一个或多个实施方式中，当第一电极110为透射电极时，用于形成第一电极110的材料可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO

第一电极110可具有包括单个层(例如，由单个层组成)的单层结构或包括多个层的多层结构。例如，第一电极110可具有ITO/Ag/ITO的三层结构。

夹层130

夹层130布置在第一电极110上。夹层130可包括发射层。

夹层130可进一步包括在第一电极110和发射层之间的空穴传输区以及布置在发射层和第二电极150之间的电子传输区。

在一个或多个实施方式中，除了一种或多种适当的有机材料之外，夹层130可进一步包括含金属化合物(比如有机金属化合物)和/或无机材料(比如量子点)等。

在一个或多个实施方式中，夹层130可包括：i)在第一电极110和第二电极150之间依次堆叠的两个或更多个发射层；和ii)布置在两个或更多个发射层之间的电荷生成层。当夹层130包括如上所述的发射层和电荷生成层时，发光装置10可为串联发光装置。

夹层130中的空穴传输区

空穴传输区可具有：i)包括单个层(例如，由单个层组成)的单层结构，单个层包括单一材料(例如，由单一材料组成)，ii)包括单个层(例如，由单个层组成)的单层结构，单个层包括多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)，或iii)包括多个层的多层结构，多个层包括多种不同材料。

空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、辅助层、电子阻挡层或其任意组合。

例如，空穴传输区可具有包括空穴注入层/空穴传输层结构，空穴注入层/空穴传输层/辅助层结构，空穴注入层/辅助层结构，空穴传输层/辅助层结构，或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构，其中每种结构的构成层从第一电极110依次堆叠。

空穴传输层和辅助层可以各自与如上所述的相同。

空穴传输区(例如，空穴传输层和/或辅助层)可包括：由式201表示的化合物，由式202表示的化合物，或其任意组合：

式201

式202

其中，在式201和式202中，

L

L

xa1至xa4可各自独立地为选自0至5的整数，

xa5可为选自1至10的整数，

R

R

R

na1可为选自1至4的整数。

在一个或多个实施方式中，除了由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合之外，辅助层可进一步包括空穴传输主体化合物。

例如，式201和式202中的每一个可包括由式CY201至式CY217表示的基团中的至少一个：

式CY201至式CY217中的R

在一个或多个实施方式中，式CY201至式CY217中的环CY

在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个。

在一个或多个实施方式中，式201可包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个和由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。

在一个或多个实施方式中，在式201中，xa1可为1，R

在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括(例如，可排除)由式CY201至式CY203表示的基团。

在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括(例如，可排除)由式CY201至式CY203表示的基团，并且可包括由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。

在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括(例如，可排除)由式CY201至式CY217表示的基团。

例如，空穴传输层和辅助层可各自独立地包括下述化合物中的任意一种：

空穴传输区的厚度可在约

辅助层可根据由发射层发射的光的波长通过补偿光学共振距离来提高光发射效率，并且电子阻挡层可阻挡或减少来自发射层的电子泄漏到空穴传输区。可包括在空穴传输区中的任何材料可包括在辅助层和电子阻挡层中。

p-掺杂剂

除了如上所述的材料之外，空穴传输区(例如，空穴注入层)可进一步包括用于导电特性的提高的电荷生成材料。电荷生成材料可基本上均匀地或基本上非均匀地分散于空穴传输区中(例如，以由电荷生成材料组成的单层的形式)。

电荷生成材料可为，例如，p-掺杂剂。

例如，p-掺杂剂的最低未占分子轨道(LUMO)能级可为-3.5eV或更低。

在一个或多个实施方式中，p-掺杂剂可包括醌衍生物、含氰基化合物、包含元素EL1和元素EL2的化合物或其任意组合。

醌衍生物的示例可包括TCNQ和F4-TCNQ等。

含氰基化合物的示例可包括HAT-CN和由式221表示的化合物等：

其中，在式221中，

R

R

在包含元素EL1和元素EL2的化合物中，元素EL1可为金属、准金属或其任意组合，并且元素EL2可为非金属、准金属或其任意组合。

金属的示例可包括碱金属(例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)等)；碱土金属(例如，铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)等)；过渡金属(例如，钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)等)；后过渡金属(例如，锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)等)；和镧系金属(例如，镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等)等。

准金属的示例可包括硅(Si)、锑(Sb)和碲(Te)等。

非金属的示例可包括氧(O)和卤素(例如，F、Cl、Br、I等)等。

包含元素EL1和元素EL2的化合物的示例可包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物、金属碘化物等)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物、准金属碘化物等)、金属碲化物及其任意组合。

金属氧化物的示例可包括钨氧化物(例如，WO、W

金属卤化物的示例可包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和镧系金属卤化物等。

碱金属卤化物的示例可包括LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI和CsI等。

碱土金属卤化物的示例可包括BeF

过渡金属卤化物的示例可包括钛卤化物(例如，TiF

后过渡金属卤化物的示例可包括锌卤化物(例如，ZnF

镧系金属卤化物的示例可包括YbF、YbF

准金属卤化物的示例可包括锑卤化物(例如，SbCl

金属碲化物的示例可包括碱金属碲化物(例如，Li

夹层130中的发射层

当发光装置10为全色发光装置时，发射层可根据子像素被图案化为红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在一个或多个实施方式中，发射层可具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或更多个层的堆叠结构，其中两个或更多个层彼此接触或彼此分开以发射白光。在一个或多个实施方式中，发射层可包括红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的两种或更多种材料，其中两种或更多种材料在单层中彼此混合以发射白光。

发射层可包括主体和掺杂剂。掺杂剂可包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其任意组合。

在发射层中，基于100重量份的主体，掺杂剂的量可在约0.01重量份至约15重量份的范围内。

在一个或多个实施方式中，发射层可包括量子点。

在一个或多个实施方式中，发射层可包括延迟荧光材料。延迟荧光材料可充当发射层中的主体或掺杂剂。

发射层的厚度可在约

主体

在一个或多个实施方式中，空穴传输主体可包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其任意组合：

式301-1

式301-2

其中，在式301-1和式301-2中，

环A

X

xb22和xb23可各自独立地为0、1或2，

L

xb1至xb4可各自独立地为选自0至5的整数，

R

Q

在一个或多个实施方式中，主体可包括碱土金属复合物、后过渡金属复合物或其任意组合。例如，主体可包括Be复合物、Mg复合物、Zn复合物或其任意组合。

例如，空穴传输主体可包括下述化合物中的任意一种：

在一个或多个实施方式中，辅助层可包括例如空穴传输主体。例如，电子传输主体可包括下述化合物中的任意一种：

磷光掺杂剂

磷光掺杂剂可包括至少一种过渡金属作为中心金属。

磷光掺杂剂可包括单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任意组合。

磷光掺杂剂可为电中性的。

例如，磷光掺杂剂可包括由式401表示的有机金属化合物：

式401

M(L

其中，在式401中，

M可为过渡金属(例如，铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、金(Au)铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)、铼(Re)或铥(Tm))，

L

式402

L

在式402中，X

环A

T

-C(Q

X

Q

R

Q

xc11和xc12可各自独立地为选自0至10的整数，并且

式402中的*和*'各自指示与式401中的M的结合位点。

例如，在式402中，i)X

当式401中的xc1为2或更大时，在两个或更多个L

在式401中，L

磷光掺杂剂可包括例如下述化合物中的任意一种：

荧光掺杂剂和延迟荧光掺杂剂

发射层可包括荧光掺杂剂或延迟荧光材料。

例如，荧光掺杂剂和延迟荧光掺杂剂可包括下述化合物中的任意一种：

量子点

发射层可包括量子点。

如本文使用的术语“量子点”指半导体化合物的晶体，并且可包括能够根据晶体的尺寸发射一个或多个适当的发射波长的光的任意适当的材料。

量子点的直径(例如，尺寸)(例如，量子点的点尺寸，量子点可以是大体球形的，或可以不是大体球形的)可在例如约1nm到约10nm的范围内。量子点的直径可指平均直径，并可通过适当的技术测量，例如使用粒径分析仪、透射电子显微镜摄影术和/或扫描电子显微镜摄影术。

量子点可通过湿化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或类似它们的任意适当的工艺来合成。

湿化学工艺为这样的方法：包括将前体材料与有机溶剂混合并且然后使量子点颗粒晶体生长。当晶体生长时，有机溶剂自然地充当配位在量子点晶体的表面上的分散剂，并且控制晶体的生长，使得量子点颗粒的生长可通过比气相沉积方法(比如金属有机化学气相沉积(MOCVD)和/或分子束外延(MBE))成本更低且更容易(例如，更有效)的工艺来控制或选择。

量子点可包括：第II-VI族半导体化合物；第III-V族半导体化合物；第III-VI族半导体化合物；第I-III-VI族半导体化合物；第IV-VI族半导体化合物；第IV族元素；第IV族化合物；或其任意组合。

第II-VI族半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe和/或MgS等；三元化合物，比如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe和/或MgZnS等；四元化合物，比如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe和/或HgZnSTe等；及其任意组合。

第III-V族半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs和/或InSb等；三元化合物，比如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs和/或InPSb等；四元化合物，比如GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs和/或InAlPSb等；及其任意组合。在一个或多个实施方式中，第III-V族半导体化合物可进一步包括第II族元素。进一步包括第II族元素的第III-V族半导体化合物的示例可包括InZnP、InGaZnP和InAlZnP等。

第III-VI族半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如GaS、GaSe、Ga

第I-III-VI族半导体化合物的示例可包括：三元化合物，比如AgInS、AgInS

第IV-VI族半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe和/或PbTe等；三元化合物，比如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe和/或SnPbTe等；四元化合物，比如SnPbSSe、SnPbSeTe和/或SnPbSTe等；及其任意组合。

第IV族元素和第IV族化合物的示例可包括：单元素材料，比如Si和/或Ge等；二元化合物，比如SiC和/或SiGe等；及其任意组合。

多元化合物比如二元化合物、三元化合物和四元化合物中包含的每种元素可以以基本上均匀的浓度或基本上不均匀的浓度存在于颗粒中。

在一个或多个实施方式中，量子点可具有单一结构，其中量子点中每种元素的浓度基本均匀，或者可具有核-壳双重结构。例如，核中包括的材料和壳中包括的材料可彼此不同。

量子点的壳可充当防止或减少核的化学变性以保持半导体特性的保护层，和/或充当赋予量子点电泳特性的充电层。壳可为单层或多层。核和壳之间的界面可具有其中壳中存在的元素的浓度朝向核的中心减小的浓度梯度。

量子点的壳的示例可包括：金属、准金属和/或非金属的氧化物，半导体化合物，及其任意组合。金属、准金属和/或非金属的氧化物的示例可包括：二元化合物，比如SiO

量子点可具有约45nm或更小(约40nm或更小，或例如，约30nm或更小)的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)。当量子点的FWHM在任意的这些范围内时，量子点可具有改善的颜色纯度和/或颜色再现性。在一些实施方式中，因为通过量子点发射的光在所有方向上发射，所以可改善宽视角。

在一些实施方式中，量子点可为球形、锥体、多臂和/或立方体的纳米颗粒，纳米管，纳米线，纳米纤维，和/或纳米板的形式。

因为能带隙可通过控制量子点的尺寸来调节，所以可从量子点发射层获得具有一个或多个适当的波长带的光。相应地，通过使用不同尺寸的量子点，可实现发射一个或多个适当的波长的光的发光装置。在一个或多个实施方式中，可选择量子点的尺寸以发射红光、绿光和/或蓝光。在一些实施方式中，量子点的尺寸可被配置为通过组合各种颜色的光来发射白光。

夹层130中的电子传输区

电子传输区可具有：i)包括单个层(例如，由单个层组成)的单层结构，单个层包括单一材料(例如，由单一材料组成)，ii)包括单个层(例如，由单个层组成)的单层结构，单个层包括多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)，或iii)包括多个层的多层结构，多个层包括多种不同材料。

电子传输区可包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。

在一个或多个实施方式中，电子传输区可具有电子传输层/电子注入层结构或空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构，其中，在每种结构中，构成层从发射层依次堆叠。

在一个或多个实施方式中，电子传输区(例如，电子传输区中的空穴阻挡层和/或电子传输层)可包括无金属化合物，其包括至少一个缺π电子的含氮C

例如，电子传输区可包括由式601表示的化合物：

式601

[Ar

其中，在式601中，

Ar

xe11可为1、2或3，

xe1可为0、1、2、3、4或5，

R

Q

xe21可为1、2、3、4或5，并且

Ar

例如，当式601中的xe11为2或更大时，两个或更多个Ar

在一个或多个实施方式中，式601中的Ar

在一个或多个实施方式中，电子传输区可包括由式601-1表示的化合物：

式601-1

其中，在式601-1中，

X

L

xe611至xe613可各自与结合xe1描述的相同，

R

R

例如，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。

电子传输区可包括：化合物ET1至ET45中的至少一种，2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)，4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)，Alq

电子传输区的厚度可在约

除了上述材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可进一步包括含金属材料。

含金属材料可包括碱金属复合物、碱土金属复合物或其任意组合。碱金属复合物的金属离子可为Li离子、Na离子、K离子、Rb离子或Cs离子，并且碱土金属复合物的金属离子可为Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子或Ba离子。与碱金属复合物和/或碱土金属复合物的金属离子配位的配体可各自独立地包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。

例如，含金属材料可包括Li复合物。Li复合物可包括，例如，ET-D1(Liq)和/或化合物ET-D2：

电子传输区可包括利于电子从第二电极150注入的电子注入层。电子注入层可与第二电极150直接接触。

电子注入层可具有：i)包括单个层(例如，由单个层组成)的单层结构，单个层包括单一材料(例如，由单一材料组成)，ii)包括单个层(例如，由单个层组成)的单层结构，单个层包括多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)，或iii)包括多个层的多层结构，多个层包括多种不同材料。

电子注入层可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任意组合。

碱金属可包括Li、Na、K、Rb、Cs或其任意组合。碱土金属可包括Mg、Ca、Sr、Ba或其任意组合。稀土金属可包括Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或其任意组合。

含碱金属化合物、含碱土金属化合物和含稀土金属化合物可各自独立地为碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物、碘化物等)和/或碲化物，或其任意组合。

含碱金属化合物可包括：碱金属氧化物，比如Li

碱金属复合物、碱土金属复合物和稀土金属复合物可包括：i)碱金属、碱土金属和稀土金属的金属离子中的一种；和ii)与金属离子键合的配体，例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。

在一个或多个实施方式中，电子注入层可包括以下(例如，由以下组成)：如上所述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任意组合。在一个或多个实施方式中，电子注入层可进一步包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。

在一个或多个实施方式中，电子注入层可包括(例如，由以下组成)：i)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)，ii)a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)；和b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其任意组合。例如，电子注入层可为KI:Yb共沉积层、RbI:Yb共沉积层和/或LiF:Yb共沉积层等。

当电子注入层进一步包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任意组合可基本上均匀或基本上非均匀地分散于包括有机材料的基质中。

电子注入层的厚度可在约

第二电极150

第二电极150可布置在具有如上所述的结构的夹层130上。第二电极150可为作为电子注入电极的阴极，并且作为用于形成第二电极150的材料，可使用各自具有低功函的金属、合金、导电性化合物或其任意组合。

第二电极150可包括锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO、IZO或其任意组合。第二电极150可为透射电极、半透射电极或反射电极。

第二电极150可具有单层结构或包括多个层的多层结构。

封盖层

第一封盖层可布置在第一电极110外侧，和/或第二封盖层可布置在第二电极150外侧。例如，发光装置10可具有其中第一封盖层、第一电极110、夹层130和第二电极150以叙述的顺序依次堆叠的结构，其中第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以叙述的顺序依次堆叠的结构，或其中第一封盖层、第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以叙述的顺序依次堆叠的结构。

发光装置10的夹层130的发射层中生成的光可通过第一电极110(其为半透射电极或透射电极)和第一封盖层向外提取。发光装置10的夹层130的发射层中生成的光可通过第二电极150(其为半透射电极或透射电极)和第二封盖层向外提取。

第一封盖层和第二封盖层可根据相长干涉的原理来增加外部发射效率。相应地，增加发光装置10的光提取效率，使得发光装置10的发光效率可提高。

第一封盖层和第二封盖层可各自独立地包括折射率大于或等于1.6(在589nm处)的材料。

第一封盖层和第二封盖层可各自独立地为包括有机材料的有机封盖层，包括无机材料的无机封盖层，或包括有机材料和无机材料的有机-无机复合封盖层。

第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟吩衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属复合物、碱土金属复合物或其任意组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可任选地被包含O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或其任意组合的取代基取代。

在一个或多个实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括含胺基化合物。

在一个或多个实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括由式201表示的化合物，由式202表示的化合物，或其任意组合。

在一个或多个实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括：化合物CP1至CP6中的至少一种；β-NPB；或其任意组合：

电子设备

发光装置可包括在一个或多个适当的电子设备中。例如，包括发光装置的电子设备可为发光设备和/或认证设备等。

除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可进一步包括，i)滤色器，ii)颜色转换层，或iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可布置在从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。例如，从发光装置发射的光可为蓝光。发光装置可与本文描述的相同。在一个或多个实施方式中，颜色转换层可包括量子点。量子点可例如是本文描述的量子点。

电子设备可包括第一基板。第一基板可包括多个子像素区域，滤色器可包括分别对应于多个子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可包括分别对应于多个子像素区域的多个颜色转换区域。

像素限定层可布置在多个子像素区域之间以限定每个子像素区域。

滤色器可进一步包括多个滤色器区域和布置在多个滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色转换层可进一步包括多个颜色转换区域和布置在多个颜色转换区域之间的遮光图案。

多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可包括发射(例如，配置为发射)第一颜色光的第一区域、发射(例如，配置为发射)第二颜色光的第二区域和/或发射(例如，配置为发射)第三颜色光的第三区域，其中第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可具有彼此不同的最大发射波长。例如，第一颜色光可为红光，第二颜色光可为绿光，并且第三颜色光可为蓝光。例如，多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可包括量子点。在一些实施方式中，第一区域可包括红色量子点，第二区域可包括绿色量子点，并且第三区域可不包括(例如，可排除)量子点。量子点可与本文描述的相同。第一区域、第二区域和/或第三区域可各自包括散射体。

例如，发光装置可发射第一光，第一区域可吸收第一光以发射第一-第一颜色光，第二区域可吸收第一光以发射第二-第一颜色光，并且第三区域可吸收第一光以发射第三-第一颜色光。这里，第一-第一颜色光、第二-第一颜色光和第三-第一颜色光可具有不同的最大发射波长。例如，第一光可为蓝光，第一-第一颜色光可为红光，第二-第一颜色光可为绿光，并且第三-第一颜色光可为蓝光。

除了如上所述的发光装置之外，电子设备可进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极和漏电极中的任意一个可电连接到发光装置的第一电极和第二电极中的任意一个。

薄膜晶体管可进一步包括栅电极和/或栅绝缘膜等。

有源层可包括结晶硅、非晶硅、有机半导体和/或氧化物半导体等。

电子设备可进一步包括用于密封发光装置的密封部分。密封部分可布置在滤色器和/或颜色转换层与发光装置之间。密封部分允许来自发光装置的光被提取至外侧，并且同步地(例如，同时地)防止或减少环境空气和/或水分渗透到发光装置中。密封部分可为包括透明的玻璃基板或塑料基板的密封基板。密封部分可为包括有机层和无机层中的至少一层的薄膜封装层。当密封部分为薄膜封装层时，电子设备可为柔性的。

根据电子设备的预期用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，一个或多个适当的功能层可另外布置在密封部分上。功能层的示例可包括触摸屏层和偏振层等。触摸屏层可为压敏触摸屏层、电容式触摸屏层和/或红外触摸屏层。

认证设备可为，例如，通过使用活体(例如，指尖、瞳孔等)的生物测定信息来认证个体的生物测定认证设备。

除了如上所述的发光装置之外，认证设备可进一步包括生物测定信息收集器。

电子设备可应用于一个或多个适当的显示器、光源、照明设备、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数字照相机、电子记事簿、电子词典、电子游戏机、医学仪器(例如，电子体温计、血压计、血糖计、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器)、探鱼仪、一个或多个适当的测量仪器、仪表(例如，用于车辆、飞机和船只的仪表)和/或投影仪等。

图2和图3的描述

图2为根据一个或多个实施方式的电子设备的横截面图。

图2的电子设备包括基板100、薄膜晶体管(TFT)、发光装置和密封发光装置的封装部分300。

基板100可为柔性基板、玻璃基板和/或金属基板。缓冲层210可布置在基板100上。缓冲层210可防止或减少杂质通过基板100渗透并且可在基板100上提供基本上平坦的表面。

TFT可布置在缓冲层210上。TFT可包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。

有源层220可包括无机半导体(比如硅和/或多晶硅)、有机半导体和/或氧化物半导体，并且可包括源区、漏区和沟道区。

用于将有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可布置在有源层220上，并且栅电极240可布置在栅绝缘膜230上。

夹层绝缘膜250可布置在栅电极240上。夹层绝缘膜250可布置在栅电极240和源电极260之间以及在栅电极240和漏电极270之间，以使彼此绝缘。

源电极260和漏电极270可布置在夹层绝缘膜250上。夹层绝缘膜250和栅绝缘膜230可形成为暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可布置成接触有源层220的源区和漏区的暴露部分。

TFT可电连接至发光装置以驱动发光装置，并且可被钝化层280覆盖并保护。钝化层280可包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其任意组合。发光装置可提供在钝化层280上。发光装置可包括第一电极110、夹层130和第二电极150。

第一电极110可布置在钝化层280上。钝化层280可布置成暴露漏电极270的一部分，不完全覆盖漏电极270，并且第一电极110可布置成连接至漏电极270的暴露部分。

包括绝缘材料的像素限定层290可布置在第一电极110上。像素限定层290可暴露第一电极110的特定区，并且夹层130可形成在第一电极110的暴露区中。像素限定层290可为聚酰亚胺和/或聚丙烯酸有机膜。在一个或多个实施方式中，夹层130中的至少一些层可延伸超过像素限定层290的上部，以公共层的形式布置。

第二电极150可布置在夹层130上，并且封盖层170可另外形成在第二电极150上。封盖层170可形成为覆盖第二电极150。

封装部分300可布置在封盖层170上。封装部分300可布置在发光装置上以保护发光装置免受湿气和/或氧气的影响。封装部分300可包括：无机膜，包括硅氮化物(SiN

图3为根据本公开的一个或多个其他实施方式的电子设备的横截面图。

图3的电子设备与图2的电子设备基本上相同，除了遮光图案500和功能区400另外布置在封装部分300上。功能区400可为：i)滤色器区域，ii)颜色转换区域，或iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在一个或多个实施方式中，包括在图3的电子设备中的发光装置可为串联发光装置。

制造方法

包括在空穴传输区中的各个层、发射层和包括在电子传输区中的各个层可通过使用一种或多种适当的方法形成于特定区中，上述方法选自真空沉积、旋涂、浇铸、朗缪尔-布罗基特(LB)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像等。

当包括在空穴传输区中的各个层、发射层和包括在电子传输区中的各个层通过真空沉积形成时，根据包括在待形成的层中的材料和待形成的层的结构，沉积可在约100℃至约500℃的沉积温度、约10

当包括在空穴传输区中的各个层、发射层和包括在电子传输区中的各个层通过旋涂形成时，考虑待包括在待形成的层中的材料和待形成的层的结构，旋涂可在约2,000rpm至约5,000rpm的涂覆速度和约80℃至约200℃的热处理温度下进行。

术语的定义

如本文使用的术语“C

如本文使用的“环状基团”可包括C

如本文使用的术语“富π电子的C

例如，

C

C

富π电子的C

缺π电子的含氮C

T1基团可为环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、环丁烯基、环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基、环己二烯基、环庚烯基、金刚烷基、降冰片烷(或二环[2.2.1]庚烷)基、降冰片烯基、二环[1.1.1]戊烷基、二环[2.1.1]己烷基、二环[2.2.2]辛烷基和/或苯基，

T2基团可为呋喃基、噻吩基、1H-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2H-吡咯基、3H-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、吡咯烷基、咪唑烷基、二氢吡咯基、哌啶基、四氢吡啶基、二氢吡啶基、六氢嘧啶基、四氢嘧啶基、二氢嘧啶基、哌嗪基、四氢吡嗪基、二氢吡嗪基、四氢哒嗪基和/或二氢哒嗪基，

T3基团可为呋喃基、噻吩基、1H-吡咯基、噻咯基和/或硼杂环戊二烯基，并且

T4基团可为2H-吡咯基、3H-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基和/或四嗪基。

如本文使用的术语“环状基团”、“C

单价C

如本文使用的术语“C

如本文使用的术语“C

如本文使用的术语“C

如本文使用的术语“C

如本文使用的术语“C

如本文使用的术语“C

如本文使用的术语“C

如本文使用的术语“C

如本文使用的术语“C

如本文使用的术语“C

如本文使用的术语“单价非芳族稠合多环基团”指具有两个或更多个彼此稠合的环，仅碳原子作为成环原子(例如，具有8至60个碳原子)，且在其整个分子结构中无芳香性的单价基团。单价非芳族稠合多环基团的示例可包括茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基和茚并蒽基等。如本文使用的术语“二价非芳族稠合多环基团”指具有与上述单价非芳族稠合多环基团基本上相同结构的二价基团。

如本文使用的术语“单价非芳族稠合杂多环基团”指具有两个或更多个彼此稠合的环的单价基团，除了碳原子(例如，1至60个碳原子)之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子，并且在其整个分子结构中不具有芳香性。单价非芳族稠合杂多环基团的实例可包括吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和苯并噻吩并二苯并噻吩基等。如本文使用的术语“二价非芳族稠合杂多环基团”指具有与上述的单价非芳族稠合杂多环基团基本上相同结构的二价基团。

如本文使用的术语“C

本文使用的术语“C

如本文使用的术语“R

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

各自未被取代或被以下取代的C

各自未被取代或被以下取代的C

-Si(Q

在本说明书中，Q

未被取代或被以下取代的C

如本文使用的术语“杂原子”指除碳原子以外的任何原子。杂原子的示例可包括O、S、N、P、Si、B、Ge、Se及其任意组合。

如本文使用的术语“第三行过渡金属”包括Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt和/或Au等。

如本文使用的“Ph”指苯基，如本文使用的“Me”指甲基，如本文使用的“Et”指乙基，如本文使用的“tert-Bu”或“Bu

如本文使用的术语“联苯基”指“被苯基取代的苯基”。例如，“联苯基”可为具有C

如本文使用的术语“三联苯基”指“被联苯基取代的苯基”。例如，“三联苯基”可为具有被C

除非另外定义，否则如本文使用的*和*'各自指与相应的式或部分中的相邻原子的结合位点。

下文，将参考实施例更详细地描述根据实施方式的化合物和发光装置。

实施例

发光装置的制造

比较例1

将玻璃基板(阳极，ITO

在玻璃基板上，真空沉积作为空穴注入材料的HT1(95wt％)和作为p-掺杂剂的HAT-CN(5wt％)至厚度为5nm，以形成空穴注入层。

随后，在其上真空沉积HT1以形成厚度为100nm的空穴传输层。

将化合物1-3真空沉积在空穴传输层上以形成厚度为5nm的辅助层。

以重量比7:3:1:0.1共沉积作为空穴传输主体的化合物1-3、作为电子传输主体的化合物2-16以及作为掺杂剂的化合物3-11和化合物4-11，以形成厚度为30nm的发射层。

将ET-1沉积在发射层上以形成厚度为5nm的第一电子传输层。将ET-2和Liq以5:5的重量比沉积在第一电子传输层上以形成厚度为20nm的第二电子传输层。

将Liq真空沉积在第二电子传输层上以形成厚度为1nm的电子注入层，随后，真空沉积AgMg[Mg 5wt％]以形成厚度为10nm的阴极。然后，将CPL沉积在其上以形成厚度为70nm的封盖层，从而完成比较例1的发光装置的制造。

实施例1

以与比较例1基本上相同的方式制造实施例1的发光装置，除了将化合物1,1-双[(二-4-甲苯氨基)苯基]环己烷真空沉积在空穴注入层上至厚度为

实施例2

以与比较例1基本上相同的方式制造实施例2的发光装置，除了将化合物1,1-双[(二-4-甲苯氨基)苯基]环己烷真空沉积在空穴注入层上至厚度为

表1中示出实施例和比较例的多层膜的结构、折射率和厚度。

表1

测量根据实施例1和2以及比较例1中的每一个制造的发光装置的驱动电压、效率和寿命，在表2中示出结果。

这里，使用了由Hamamatsu Photonics制造的源表(Keithley Instruments,2400系列)和测量装置C9920-2-12来测量效率和寿命。实施例1-2的效率和寿命的值分别是基于100％的比较例1的效率和寿命的值的相对值。

表2

参考表2，证实了与比较例1的发光装置相比，实施例1和2的发光装置具有卓越的或适当的效率和长寿命结果。

根据一个或多个实施方式，发光装置在效率和寿命方面可具有改善的结果。

本文中描述的根据本发明的实施方式的电子设备和/或任意其他相关装置或部件可使用任意适当的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件或者软件、固件和硬件的组合来实施。例如，设备的各种部件可形成在一个集成电路(IC)芯片上或形成在独立IC芯片上。此外，设备的各种部件可在柔性印刷电路膜、带载封装(TCP)或印刷电路板(PCB)上实施，或在一个基板上形成。此外，设备的各种部件可为在一个或多个计算装置中一个或多个处理器上运行的、执行计算机程序指令并与其他系统部件交互以执行本文中描述的各种功能的进程或线程。计算机程序指令被存储在存储器中，该存储器可在计算装置中使用标准存储器装置，比如，例如，随机存取存储器(RAM)来实施。计算机程序指令也可被存储在其他非暂时性计算机可读介质，比如，例如CD-ROM或闪存驱动器等中。而且，本领域技术人员应认识到，在不背离本公开的实施方式的范围的情况下，各种计算装置的功能可结合或集成到单个计算装置中，或者专用计算装置的功能可分布在一个或多个其他计算装置上。

应理解，本文描述的实施方式应该仅以描述性意义考虑，而不是为了限制的目的。每个实施方式内的特征或方面的描述通常应该被认为可用于其他实施方式中的其他类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由所附权利要求及其等同方式限定的本公开的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上在其中进行一个或多个适当的改变。