一种外延设备监测方法和相应的外延设备监测装置

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种外延设备监测方法和一种外延设备监测装置。

背景技术

化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，简称CVD)指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是一种在工艺腔室内，通过高温加热等方式，将气态反应物经化学反应生成固态物质并沉积在晶片表面的薄膜沉积技术。

加热系统在CVD设备中起着极为重要的作用，现有CVD设备采用红外加热方式，加热系统主要由红外卤素灯和镀金反射屏组成，红外卤素灯发射的红外线通过镀金反射屏的反射作用，照射在石墨托盘，对托盘进行加热并形成均匀的温场，从而实现对托盘上的晶圆进行均匀加热，以生成一层电阻率均匀的外延层。然而，镀金反射屏在使用过程中会出现表面金层脱落或表面烧黑的现象，造成反射屏反射性能变差，若在这种情况下继续CVD工艺，完成同样工艺需要的加热灯管总功率会增大，从而影响加热灯管和其他部件的使用寿命，增加机台维护成本。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本发明实施例以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种外延设备监测方法和相应的一种外延设备监测装置。

为了解决上述问题，本发明实施例公开了一种外延设备监测方法，所述外延设备包括反射屏和加热元件，所述方法包括：

确定所述外延设备的当前工作状态；

若所述当前工作状态为预设工作状态，则获取在所述当前工作状态下的所述加热元件的实际功率信息；

根据所述实际功率信息判断所述反射屏是否损坏。

可选地，所述预设工作状态包括外延状态和蚀刻状态，所述若所述当前工作状态为预设工作状态，则获取在所述当前工作状态下的所述加热元件的实际功率信息，包括：

若所述当前工作状态为所述外延状态，则获取在所述外延状态下的所述加热元件的所述实际功率信息；

或，

若所述当前工作状态为所述蚀刻状态，则获取在所述蚀刻状态下的所述加热元件的所述实际功率信息。

可选地，所述获取在所述当前工作状态下的所述加热元件的实际功率信息，包括：

在所述当前工作状态下，记录所述加热元件的功率值，并在所述加热元件的功率值每发生一次变化后，记录变化后的功率值；

若所述外延设备结束所述当前工作状态，则根据所记录的所有功率值确定在所述当前工作状态下的所述加热元件的所述实际功率信息。

可选地，所述根据所述实际功率信息判断所述反射屏是否损坏，包括：

获取与所述当前工作状态对应的预设功率信息；

比较所述实际功率信息和所述预设功率信息，确定功率差异信息；根据所述功率差异信息判断所述反射屏是否损坏。

可选地，所述根据所记录的所有功率值确定在所述当前工作状态下的所述加热元件的所述实际功率信息，包括：

计算所述所记录的所有功率值的平均功率值，并将所述平均功率值作为在所述当前工作状态下的所述加热元件的所述实际功率信息。

可选地，所述预设功率信息为预设功率阈值，所述比较所述实际功率信息和所述预设功率信息，确定功率差异信息，包括：

比较所述平均功率值和所述预设功率阈值，确定所述功率差异值。

可选地，所述方法还包括：

若判断所述反射屏发生损坏，则控制所述外延设备发出报警信息，以提醒用户对所述反射屏进行维护。

本发明实施例还公开了一种外延设备监测装置，所述外延设备包括反射屏和加热元件，所述装置包括：

确定模块，用于确定所述外延设备的当前工作状态；

实际功率信息获取模块，用于若所述当前工作状态为预设工作状态，则获取在所述当前工作状态下的所述加热元件的实际功率信息；

判断模块，用于根据所述实际功率信息判断所述反射屏是否损坏。

可选地，所述预设工作状态包括外延状态和蚀刻状态，所述实际功率信息获取模块，包括：

实际功率信息获取子模块，用于若所述当前工作状态为所述外延状态，则获取在所述外延状态下的所述加热元件的所述实际功率信息；或，若所述当前工作状态为所述蚀刻状态，则获取在所述蚀刻状态下的所述加热元件的所述实际功率信息。

可选地，所述实际功率信息获取模块，包括：

记录子模块，用于在所述当前工作状态下，记录所述加热元件的功率值，并在所述加热元件的功率值每发生一次变化后，记录变化后的功率值；

确定子模块，用于若所述外延设备结束所述当前工作状态，则根据所记录的所有功率值确定在所述当前工作状态下的所述加热元件的所述实际功率信息。

可选地，所述判断模块，包括：

预设功率信息获取子模块，用于获取与所述当前工作状态对应的预设功率信息；

比较子模块，用于比较所述实际功率信息和所述预设功率信息，确定功率差异信息；

判断子模块，用于根据所述功率差异信息判断所述反射屏是否损坏。

可选地，所述确定子模块，包括：

计算单元，用于计算所述所记录的所有功率值的平均功率值，并将所述平均功率值作为在所述当前工作状态下的所述加热元件的所述实际功率信息。

可选地，所述预设功率信息为预设功率阈值，所述比较子模块，包括：

比较单元，用于比较所述平均功率值和所述预设功率阈值，确定所述功率差异值。

可选地，所述装置还包括：

报警模块，用于若判断所述反射屏发生损坏，则控制所述外延设备发出报警信息，以提醒用户对所述反射屏进行维护。

本发明实施例包括以下优点：

在本发明实施例中，当晶片在外延设备进行相应的工艺处理时，可以确定外延设备的当前工作状态，如果当前工作状态为预设工作状态，则获取在该状态下的外延设备中的加热元件的实际功率信息，并根据该实际功率信息判断外延设备中的反射屏是否损坏。通过采用上述方法，监测外延设备在进行晶片处理工艺时的实际功率信息，并根据其判断反射屏是否损坏，能够有效避免在反射屏损坏的情况下继续进行晶片工艺处理给外延设备中的其他部件带来的负面影响，保护其他部件的使用寿命，进而降低外延设备的维护成本。

附图说明

图1是一种单片CVD设备镀金反射屏的结构示意图；

图2是本发明实施例的一种外延设备监测方法的步骤流程图；

图3是本发明实施例的另一种外延设备监测方法的步骤流程图；

图4是反射屏在正常和损坏情况下加热灯管处于外延阶段的功率-时间曲线图；

图5是反射屏在正常和损坏情况下加热灯管处于蚀刻阶段的功率-时间曲线图；

图6是本发明实施例的一种外延设备监测方法的流程图；

图7是本发明实施例的一种外延设备监测装置的结构框图；

图8是本发明实施例的另一种外延设备监测装置的结构框图；

图9是本发明实施例的又一种外延设备监测装置的结构框图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

化学气相沉积技术是用来制备高纯、高性能固体薄膜的主要技术。在典型的CVD工艺过程中，把一种或多种蒸汽源原子或分子引入腔室中，在外部能量作用下发生化学反应并在衬底表面形成需要的薄膜。

参照图1所示为一种单片CVD设备镀金反射屏的结构示意图，该单片CVD设备分为上、下两部分加热模块，上加热模块包括上均匀反射屏、上加热灯管和上中心反射屏；下加热模块包括下中心反射屏、下加热灯管和下均匀反射屏。在一种情况下，该加热灯管为红外卤素灯管，该设备的工作原理为红外卤素灯管发出的直射光以及通过固定安装的圆环形镀金反射屏反射的反射光，照射在位于石墨基底的硅衬底上，实现对硅衬底的加热。

在实际应用中，镀金反射屏在使用一段时间后会出现表面金层脱落或者表面烧黑的现象，导致反射屏的反射性能变差，若在此情况下继续进行晶片工艺处理，完成同样工艺需要的加热灯管总功率会增大，从而影响加热灯管的使用寿命，对设备腔室的其他部件也会造成一定的负面影响。

现有对镀金反射屏的使用状态进行监测的方法，为人工定期查看反射屏状态，如发现镀金反射屏损坏则进行更换，如无损坏，则继续使用。通过定期维护来检测镀金反射屏使用状况无法及时发现镀金反射屏是否损坏，若镀金反射屏使用中已损坏，但没有到机台维护周期，则会继续使用，此时反射屏的反射性能变差，加热灯管会通过增加总功率来达到工艺所需温度，功率增大将会影响加热灯管以及周围腔室其他部件的使用寿命，极大地增加机台维护成本。

基于此，本发明拟提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种外延设备监测方法和相应的一种外延设备监测装置。

本发明实施例的核心构思之一在于，当晶片在外延设备进行相应的工艺处理时，可以确定外延设备的当前工作状态，如果当前工作状态为预设工作状态，则获取在该状态下的外延设备中的加热元件的实际功率信息，并根据该实际功率信息判断外延设备中的反射屏是否损坏。通过采用上述方法，监测外延设备在进行晶片处理工艺时的实际功率信息，并根据其判断反射屏是否损坏，能够有效避免在反射屏损坏的情况下继续进行晶片工艺处理给外延设备中的其他部件带来的负面影响，保护其他部件的使用寿命，进而降低外延设备的维护成本。

参照图2，示出了本发明实施例的一种外延设备监测方法的步骤流程图，其中，外延设备包括反射屏和加热元件，具体可以包括如下步骤：

步骤201，确定所述外延设备的当前工作状态。

当在外延设备对晶片进行工艺处理时，可以确定外延设备的当前工作状态。在本发明实施例中，外延设备是指进行化学气相沉积工艺的反应设备，即外延设备可以为CVD设备。在CVD设备可以对晶片进行外延或者蚀刻工艺，当对晶片进行外延工艺处理时，通常情况下可以分为三个工作阶段，即工艺腔室升温阶段、外延阶段以及工艺腔室降温阶段；此外，当对晶片进行蚀刻工艺处理时，通常情况下也可以分为三个工作阶段，即工艺腔室升温阶段、蚀刻阶段以及工艺腔室降温阶段。在实际应用中，在工艺腔室的升温和降温阶段，为了控制腔室温度的上升或者下降，外延设备中的加热元件的功率处于快速变化中，而在外延阶段或者蚀刻阶段，工艺腔室内的温度趋于稳定，加热元件的功率也趋于稳定。因此，确定外延设备的当前工作状态，可以根据外延设备的工艺腔室的温度信息确定其当前工作状态。此外，还可以通过其他的方式确定外延设备的工作状态，对此，本发明实施例不加以限制。

在一种情况下，加热元件为加热灯管，加热灯管为红外卤素灯管；反射屏为镀金反射屏。

步骤202，若所述当前工作状态为预设工作状态，则获取在所述当前工作状态下的所述加热元件的实际功率信息。

在实际工艺过程中，加热元件的功率会根据反射屏的反射性能的变化而变化。当反射屏损坏时，反射性能变差，在工艺过程中为了达到工艺所需的目标温度，加热元件需要增大加热功率。在本发明实施例中，可以预先存储反射屏正常时外延设备的加热元件在预设工作状态下测得的正常功率信息，当确定当前工作状态为预设工作状态时，获取在当前工作状态下的加热元件的实际功率信息。

步骤203，根据所述实际功率信息判断所述反射屏是否损坏。

在本发明实施例中，根据在当前工作状态下的实际功率信息可以判断反射屏是否损坏。在一种情况下，可以将实际功率信息和正常功率信息作比较，从而确定反射屏的损坏情况。

综上，在本发明实施例中，当晶片在外延设备进行相应的工艺处理时，可以确定外延设备的当前工作状态，如果当前工作状态为预设工作状态，则获取在该状态下的外延设备中的加热元件的实际功率信息，并根据该实际功率信息判断外延设备中的反射屏是否损坏。通过采用上述方法，监测外延设备在进行晶片处理工艺时的实际功率信息，并根据其判断反射屏是否损坏，能够有效避免在反射屏损坏的情况下继续进行晶片工艺处理给外延设备中的其他部件带来的负面影响，保护其他部件的使用寿命，进而降低外延设备的维护成本。

参照图3，示出了本发明实施例的另一种外延设备监测方法的步骤流程图，其中，外延设备包括反射屏和加热元件，具体可以包括如下步骤：

步骤301，确定所述外延设备的当前工作状态。

步骤302，若所述当前工作状态为预设工作状态，则获取在所述当前工作状态下的所述加热元件的实际功率信息。

其中，预设工作状态包括外延状态和蚀刻状态，针对步骤302，可以执行以下步骤：

子步骤S11，若所述当前工作状态为所述外延状态，则获取在所述外延状态下的所述加热元件的所述实际功率信息；或，若所述当前工作状态为所述蚀刻状态，则获取在所述蚀刻状态下的所述加热元件的所述实际功率信息。

在本发明实施例中，当外延设备处于外延状态时，外延设备中的加热元件相应地处于外延阶段，以对外延设备中的晶片进行外延处理；当外延设备处于蚀刻状态时，外延设备中的加热元件相应地处于蚀刻阶段，以对外延设备中的晶片进行蚀刻处理。其中，加热元件可以为加热灯管。

当反射屏损坏时，外延设备中的加热元件的功率会出现异常增大。参照图4所示为反射屏在正常和损坏情况下加热灯管处于外延阶段的功率-时间曲线图；参照图5所示为反射屏在正常和损坏情况下加热灯管处于蚀刻阶段的功率-时间曲线图。Epi阶段(Epitaxy，即外延阶段)和Etch阶段(即蚀刻阶段)属于工艺稳定阶段，在工艺稳定阶段，工艺腔室内的温度趋于稳定，加热灯管的功率也趋于稳定，通过监控工艺稳定阶段的功率变化数据，可以准确判断反射屏是否损坏。而在工艺腔室的升温或者降温阶段，加热元件的功率处于快速变化中，监控这两个阶段的功率是没有意义的。从图中可以看出，反射屏正常时加热灯管的功率数据整体水平小于反射屏异常时的功率数据，因此可以通过比较实际功率和正常功率来达到监测反射屏状态的目的。由于刻蚀阶段的工艺温度高于外延阶段的工艺温度，刻蚀阶段的加热灯管的功率高于外延阶段的功率。

在本发明实施例中，预设工作状态包括外延状态和蚀刻状态，外延状态对应工艺外延阶段，蚀刻状态对应工艺蚀刻阶段，通过监测外延状态或者蚀刻状态下的加热元件的功率信息可达到判断发射屏是否损坏的目的。具体的，当确定外延设备的当前工作状态为外延状态时，获取在外延状态的加热元件的实际功率信息；当确定外延设备的当前工作状态为蚀刻状态时，获取在蚀刻状态的加热元件的实际功率信息。

此外，针对步骤302，获取实际功率信息的步骤可以包括：

子步骤S21，在所述当前工作状态下，记录所述加热元件的功率值，并在所述加热元件的功率值每发生一次变化后，记录变化后的功率值。

当确定工艺进入Epi阶段或刻蚀阶段时，可以开始实时采集功率数据，记录进入Epi阶段或刻蚀阶段加热元件的初始的功率值，并在加热元件的功率值发生变化后，记录变化后的功率值。即在Epi阶段或刻蚀阶段，在加热元件的功率值每发生一次变化后采集一次功率数据，其中该变化可以是加热元件在功率上的数值变化，在一种示例中，可以设置预设功率变化阈值，若当前加热元件的功率值相对于上一次记录的功率值的变化幅度大于该预设功率变化阈值时，即记录当前加热元件的功率值。

在实际应用中，该数据采集过程可以是通过软件实现的，软件在晶片进入外延设备进行工艺处理时会在工艺处理过程中一直监控加热元件的功率变化情况，当确定进入Epi阶段或刻蚀阶段时，开始进行数据采集，即确定进入Epi阶段或刻蚀阶段时加热元件的初始功率值，当加热元件的功率值发生变化时，记录变化后的功率值，当再次发生变化，即继续记录变化后的功率值，例如，功率值从45变为46，则采集46的功率数据。在一种情况下，可以设置功率变化阈值，当功率变化值大于该功率变化阈值时，才记录该次功率变化数据。

子步骤S22，若所述外延设备结束所述当前工作状态，则根据所记录的所有功率值确定在所述当前工作状态下的所述加热元件的所述实际功率信息。

当外延设备结束当前工作状态时，则停止采集功率数据，并根据所记录的所有功率值确定在该工作状态下的加热元件的实际功率信息。在一种情况下，可以对所记录的多个功率值进行求和；在另一种情况下，可以对所记录的多个功率值进行求平均值。

针对子步骤S22，根据所记录的所有功率值确定实际功率信息的步骤可以包括：

计算所述所记录的所有功率值的平均功率值，并将所述平均功率值作为在所述当前工作状态下的所述加热元件的所述实际功率信息。

在本发明实施例中，可以计算所记录的多个功率值的平均功率值，并将其作为在该工作状态下的实际功率信息。通过计算平均功率值来达到监测反射屏损坏情况的目的，平均功率值可过滤功率偶发值，增加监控的可靠性，避免误判反射屏损坏情况。

步骤303，获取与所述当前工作状态对应的预设功率信息。

不同工作状态对应不同的预设功率信息，若当前工作状态为外延状态，则获取外延状态对应的预设功率信息；若当前工作状态为蚀刻状态，则获取蚀刻状态对应的预设功率信息。该预设功率信息用于与实际功率信息作比较，从而确定反射屏的损坏情况。在一种情况下，预设功率信息可以是在反射屏在正常情况下测得的正常功率信息；在另一种情况下，预设功率信息还可以是反射屏在损坏情况下测得的异常功率信息。

步骤304，比较所述实际功率信息和所述预设功率信息，确定功率差异信息。

确定实际功率信息和预设功率信息之间的差异信息。

在一种情况下，预设功率信息为预设功率阈值，针对步骤304，可以执行以下步骤：

子步骤S31，比较所述平均功率值和所述预设功率阈值，确定所述功率差异值。

在本发明实施例中，预设功率阈值是根据反射屏损坏时加热元件的功率数据为依据进行设置的。

步骤305，根据所述功率差异信息判断所述反射屏是否损坏。

根据功率差异信息判断反射屏的损坏情况，在一种情况下，可以比较平均功率值以及预设功率阈值，当平均功率值大于预设功率阈值时，则可以判断反射屏发生损坏；当平均功率值不大于预设功率阈值时，则可以判断反射屏未发生损坏。

步骤306，若判断所述反射屏发生损坏，则控制所述外延设备发出报警信息，以提醒用户对所述反射屏进行维护。

当确定反射屏发生损坏，则控制外延设备抛出报警信息，提醒用户打开工艺腔查看反射屏情况，以对反射屏进行维护或更换，进一步地，可以终止外延设备进行下次工艺。

为了使本领域技术人员能够更好地理解本发明实施例步骤301至步骤306，下面通过一个例子加以说明：

参照图6所示，为本发明实施例的一种外延设备监测方法的流程图，该流程可以包括：

1、外延设备开始进行晶片处理工艺；

2、判断当前工艺处理阶段是否为外延阶段或者蚀刻阶段，若确定为外延阶段或者蚀刻阶段，则开始采集外延设备中的加热元件的功率数据；

3、采集加热元件的功率数据，具体的，采集进入外延阶段或者蚀刻阶段时加热元件的初始功率值，并在当加热元件的功率值每发生一次变化时即采集一次功率值，并将采集到的所有功率值进行求和；

4、若当前工艺阶段结束，则计算采集得到的N个功率值的平均功率值，得到实际平均功率值；

5、获取与当前工艺阶段对应的预设功率报警值，判断计算得到的实际平均功率值是否大于预设功率报警值；

6、若实际平均功率值大于预设功率报警值，则确定反射屏发生损坏，控制外延设备抛出报警，提醒用户检查反射屏，并终止外延设备进行下一炉工艺；若实际平均功率值不大于预设功率报警值，则确定反射屏未发生损坏，外延设备可以继续进行下一炉晶片处理工艺。

综上，在本发明实施例中，当晶片在外延设备进行相应的工艺处理时，可以确定外延设备的当前工作状态，如果当前工作状态为预设工作状态，则获取在该状态下的外延设备中的加热元件的实际功率信息，并根据该实际功率信息判断外延设备中的反射屏是否损坏。通过采用上述方法，监测外延设备在进行晶片处理工艺时的实际功率信息，并根据其判断反射屏是否损坏，在监测到反射屏损坏时及时维修或更换反射屏，能够有效避免在反射屏损坏的情况下继续进行晶片工艺处理给外延设备中的其他部件带来的负面影响，保护其他部件的使用寿命，进而降低外延设备的维护成本。此外，通过监测工艺稳定阶段中加热元件的平均功率值是否异常增大来达到监测反射屏损坏情况的目的，平均功率值可过滤功率偶发值，增加监控的可靠性。

在外延设备结束当前工作状态时才计算平均功率值可以有效过滤偶发较大功率值。例如，在外延阶段或刻蚀阶段刚开始时，可能会出现功率较大的情况(工艺升温阶段时间太短，到外延或者刻蚀时还未升到目标温度，此时加热元件功率较大)，假如只选择在外延或者蚀刻阶段的某段时间的功率数据计算平均值，而不采用完整的工艺稳定阶段的功率数据计算平均值，当工艺开始阶段采集了两个较大的功率值，而选取的时间段包含这两个偶发的较大功率值时，计算的平均功率值可能就会超出设定的报警值，但是此时反射屏处于正常状态，就会导致误抛报警。因此，当外延或者蚀刻阶段结束时才计算平均功率值可以有效过滤偶发较大功率值的情况。

需要说明的是，对于方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明实施例并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明实施例，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作并不一定是本发明实施例所必须的。

参照图7，示出了本发明实施例的一种外延设备监测装置的结构框图，其中，外延设备包括反射屏和加热元件，具体可以包括如下模块：

确定模块701，用于确定所述外延设备的当前工作状态；

实际功率信息获取模块702，用于若所述当前工作状态为预设工作状态，则获取在所述当前工作状态下的所述加热元件的实际功率信息；

判断模块703，用于根据所述实际功率信息判断所述反射屏是否损坏。

参照图8，示出了本发明的一种外延设备监测装置可选实施例的结构框图。

在本发明一个可选的实施例中，所述预设工作状态包括外延状态和蚀刻状态，所述实际功率信息获取模块702可以包括：

实际功率信息获取子模块7021，用于若所述当前工作状态为所述外延状态，则获取在所述外延状态下的所述加热元件的所述实际功率信息；或，若所述当前工作状态为所述蚀刻状态，则获取在所述蚀刻状态下的所述加热元件的所述实际功率信息。

参照图9，示出了本发明的一种外延设备监测装置可选实施例的结构框图。

在本发明一个可选的实施例中，所述实际功率信息获取模块702可以包括：

记录子模块7022，用于在所述当前工作状态下，记录所述加热元件的功率值，并在所述加热元件的功率值每发生一次变化后，记录变化后的功率值；

确定子模块7023，用于若所述外延设备结束所述当前工作状态，则根据所记录的所有功率值确定在所述当前工作状态下的所述加热元件的所述实际功率信息。

在本发明一个可选的实施例中，所述判断模块703可以包括：

预设功率信息获取子模块7031，用于获取与所述当前工作状态对应的预设功率信息；

比较子模块7032，用于比较所述实际功率信息和所述预设功率信息，确定功率差异信息；

判断子模块7033，用于根据所述功率差异信息判断所述反射屏是否损坏。

在本发明一个可选的实施例中，所述确定子模块可以包括：

计算单元，用于计算所述所记录的所有功率值的平均功率值，并将所述平均功率值作为在所述当前工作状态下的所述加热元件的所述实际功率信息。

在本发明一个可选的实施例中，所述预设功率信息为预设功率阈值，所述比较子模块可以包括：

比较单元，用于比较所述平均功率值和所述预设功率阈值，确定所述功率差异值。

在本发明一个可选的实施例中，所述装置还可以包括：

报警模块，用于若判断所述反射屏发生损坏，则控制所述外延设备发出报警信息，以提醒用户对所述反射屏进行维护。

综上，在本发明实施例中，当晶片在外延设备进行相应的工艺处理时，可以确定外延设备的当前工作状态，如果当前工作状态为预设工作状态，则获取在该状态下的外延设备中的加热元件的实际功率信息，并根据该实际功率信息判断外延设备中的反射屏是否损坏。通过采用上述方法，监测外延设备在进行晶片处理工艺时的实际功率信息，并根据其判断反射屏是否损坏，在监测到反射屏损坏时及时维修或更换反射屏，能够有效避免在反射屏损坏的情况下继续进行晶片工艺处理给外延设备中的其他部件带来的负面影响，保护其他部件的使用寿命，进而降低外延设备的维护成本。此外，通过监测工艺稳定阶段中加热元件的平均功率值是否异常增大来达到监测反射屏损坏情况的目的，平均功率值可过滤功率偶发值，增加监控的可靠性。

对于装置实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

本发明实施例还提供了一种电子设备，包括：处理器、存储器及存储在所述存储器上并能够在所述处理器上运行的计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时实现上述一种外延设备监测方法实施例的各个过程，且能达到相同的技术效果，为避免重复，这里不再赘述。

本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质上存储计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述一种外延设备监测方法实施例的各个过程，且能达到相同的技术效果，为避免重复，这里不再赘述。

对于装置实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

本领域内的技术人员应明白，本发明实施例的实施例可提供为方法、装置、或计算机程序产品。因此，本发明实施例可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明实施例可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。

本发明实施例是参照根据本发明实施例的方法、终端设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理终端设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理终端设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。

这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理终端设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。

这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理终端设备上，使得在计算机或其他可编程终端设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程终端设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。

尽管已描述了本发明实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个......”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。

以上对本发明所提供的一种外延设备监测方法和一种外延设备监测装置，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。