电子零件搭载基板及电子机器

技术领域

本发明涉及一种具有电磁波屏蔽构件的电子零件搭载基板。另外，本发明涉及一种适合于形成所述电子零件搭载基板的电磁波屏蔽构件的电磁波屏蔽用层叠体、以及搭载有所述电子零件搭载基板的电子机器。

背景技术

搭载有集成电路(Integrated Circuit，IC)芯片等的电子零件为了防止由来自外部的磁场或电波所引起的误动作，通常设置有电磁波屏蔽结构。例如，公开有将包含等方导电性接着剂与异方导电性接着剂的导电性接着膜包覆于搭载有电子零件的基板的方法(专利文献1)。另外，公开有将包含导电性接着剂层及具有特定的储存弹性模量的基材层的电磁波屏蔽用膜包覆于搭载有电子零件的基板的方法(专利文献2)，或将包含表现出等方导电性的含鳞片状粒子的层、且具有特定的拉伸断裂应变的电磁波屏蔽构件包覆于搭载有电子零件的基板的方法(专利文献3)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2015/186624号

专利文献2：日本专利特开2014-57041号公报

专利文献3：国际公开第2018/147355号

发明内容

发明所要解决的问题

例如，通过以下的方法来将电磁波屏蔽构件包覆于搭载有电子零件的基板，而制造电子零件搭载基板。首先，如图18所示，在搭载于基板120的多个电子零件130的顶面，载置作为电磁波屏蔽用构件102与脱模性缓冲构件103的层叠体的电磁波屏蔽用层叠体104。其次，如图19所示，将电磁波屏蔽用层叠体104热压接，通过电磁波屏蔽构件101来包覆电子零件130及基板120的一部分。其后，如图20所示，将脱模性缓冲构件103剥离，继而，如图21所示，进行将基板120单片化成制品单位的步骤。所述单片化步骤例如通过如下方式来进行：使电磁波屏蔽构件101抵接于切割台141，一面维持所述抵接状态，一面针对与作为电子零件130的间隙的槽125相向的位置，利用切断工具142自基板120侧切断基板120及电磁波屏蔽构件101。

伴随最近的电子零件的高性能化的严格要求，需要一种使电子零件搭载基板的电磁波屏蔽构件101的性能高品质化的技术。

本发明是鉴于所述背景而成者，其目的在于提供一种具有可靠性高的电磁波屏蔽构件的电子零件搭载基板及电子机器。

解决问题的技术手段

本发明人等人反复努力研究后，发现在以下的形态中可解决本发明的课题，从而完成了本发明。

[1]：一种电子零件搭载基板，其包括：基板；电子零件，搭载于所述基板的至少一侧的面；以及电磁波屏蔽构件，自所述电子零件上表面起遍及所述基板进行包覆，且包覆因所述电子零件的搭载而形成的段差部的侧面及所述基板的至少一部分；所述电磁波屏蔽构件具有包含粘合剂树脂与导电性填料的电磁波屏蔽层，所述电磁波屏蔽构件的表层的依据日本工业标准(Japanese Industrial Standards，JIS)B0601：2001所测定的峰度(kurtosis)为1～8。

[2]：根据[1]中记载的电子零件搭载基板，其中所述电磁波屏蔽构件的表层的依据JISB0601：2001所测定的均方根高度Rq成为0.3μm～1.7μm。

[3]：根据[1]或[2]中记载的电子零件搭载基板，其中所述导电性填料含有树枝状及针状的导电性填料的至少一者。

[4]：一种电子零件搭载基板，其包括：基板；电子零件，搭载于所述基板的至少一侧的面；以及电磁波屏蔽构件，自所述电子零件上表面起遍及所述基板进行包覆，且包覆因所述电子零件的搭载而形成的段差部的侧面及所述基板的至少一部分；

所述电磁波屏蔽构件具有包含粘合剂树脂与导电性填料的电磁波屏蔽层，且压入弹性模量为1GPa～10GPa。

[5]：根据[4]中记载的电子零件搭载基板，其中所述电磁波屏蔽构件的表层的水接触角为70°～110°。

[6]：根据[4]或[5]中记载的电子零件搭载基板，其中在所述电磁波屏蔽构件的基于JIS K5600的压力锅试验后的带密接试验中，所述电子零件上的所述电磁波屏蔽构件表现出23/25以上的横切残存率。

[7]：根据[4]～[6]的任一者中记载的电子零件搭载基板，其中所述电磁波屏蔽构件的表层的依据JISB0601：2001所测定的峰度成为1～8。

[8]：根据[4]～[7]的任一者中记载的电子零件搭载基板，其中所述电磁波屏蔽构件的表面的均方根高度为0.4μm～1.6μm的范围。

[9]：根据[4]～[8]的任一者中记载的电子零件搭载基板，其中所述电磁波屏蔽构件的马氏硬度(martens hardness)为50N/mm

[10]：根据[4]～[9]的任一者中记载的电子零件搭载基板，其中所述粘合剂树脂是将含有热硬化性树脂及硬化性化合物的粘合剂树脂前体热压接而获得，所述硬化性化合物具有可与所述热硬化性树脂的反应性官能基进行交联的官能基。

[11]：根据[4]～[10]的任一者中记载的电子零件搭载基板，其中所述电磁波屏蔽构件的膜厚为10μm～200μm。

[12]：一种电子零件搭载基板，其包括：基板；电子零件，搭载于所述基板的至少一侧的面；以及电磁波屏蔽构件，自所述电子零件上表面起遍及所述基板进行包覆，且包覆因所述电子零件的搭载而形成的段差部的侧面及所述基板的至少一部分；所述电磁波屏蔽构件具有包含粘合剂树脂与导电性填料的电磁波屏蔽层，所述电磁波屏蔽构件的表层的均方根高度Rq为0.05μm以上、未满0.3μm。

[13]：根据[12]中记载的电子零件搭载基板，其中所述电磁波屏蔽构件的表层的均方根斜率Rdq为0.05～0.4。

[14]：根据[12]或[13]中记载的电子零件搭载基板，其中所述电磁波屏蔽构件的表层的水接触角为90°～130°。

[15]：根据[12]～[14]的任一者中记载的电子零件搭载基板，其中所述导电性填料含有树枝状及针状的导电性填料的至少一者、以及鳞片状的导电性填料。

[16]：一种电子机器，其搭载有根据[1]～[15]的任一者中记载的电子零件搭载基板。

发明的效果

根据本发明，取得如下的优异的效果，即可提供具有可靠性高的电磁波屏蔽构件的电子零件搭载基板及电子机器。

附图说明

图1是表示实施方式A1、实施方式B1、实施方式C1的电子零件搭载基板的一例的示意性立体图。

图2是图1的II-II切断部剖面图。

图3是表示实施方式A1、实施方式B1、实施方式C1的电子零件搭载基板的另一例的示意性剖面图。

图4是表示实施方式A1、实施方式B1、实施方式C1的电磁波屏蔽用层叠体的一例的示意性剖面图。

图5是表示实施方式A1、实施方式B1、实施方式C1的电子零件搭载基板的制造步骤的一例的示意性剖面图。

图6是表示实施方式A1、实施方式B1、实施方式C1的电子零件搭载基板的制造步骤的一例的示意性剖面图。

图7是表示实施方式A1、实施方式B1、实施方式C1的电子零件搭载基板的制造步骤的一例的示意性剖面图。

图8是表示实施方式A1、实施方式B1、实施方式C1的电子零件搭载基板的制造步骤的一例的示意性剖面图。

图9是用于说明电磁波屏蔽构件的表层的峰度的变动因素的示意性说明图。

图10是用于说明电磁波屏蔽构件的表层的峰度的变动因素的示意性说明图。

图11是表示实施方式A2、实施方式B2、实施方式C2的电磁波屏蔽用层叠体的一例的示意性剖面图。

图12是表示实施方式A3、实施方式B3、实施方式C3的电磁波屏蔽用层叠体的一例的示意性剖面图。

图13是表示实施方式A4、实施方式B4、实施方式C4的电磁波屏蔽用层叠体的一例的示意性剖面图。

图14A是表示实施方式A4、实施方式B4、实施方式C4的电子零件搭载基板的制造步骤的一例的示意性剖面图。

图14B是表示实施方式A4、实施方式B4、实施方式C4的电子零件搭载基板的制造步骤的一例的示意性剖面图。

图14C是表示实施方式A4、实施方式B4、实施方式C4的电子零件搭载基板的制造步骤的一例的示意性剖面图。

图15A是表示实施方式A5、实施方式B5、实施方式C5的电子零件搭载基板的制造步骤的一例的示意性剖面图。

图15B是表示实施方式A5、实施方式B5、实施方式C5的电子零件搭载基板的制造步骤的一例的示意性剖面图。

图15C是表示实施方式A5、实施方式B5、实施方式C5的电子零件搭载基板的制造步骤的一例的示意性剖面图。

图16A是表示变形例的电子零件搭载基板的制造步骤的一例的示意性剖面图。

图16B是表示变形例的电子零件搭载基板的制造步骤的一例的示意性剖面图。

图16C是表示变形例的电子零件搭载基板的制造步骤的一例的示意性剖面图。

图16D是表示变形例的电子零件搭载基板的制造步骤的一例的示意性剖面图。

图17是表示本实施例的电子零件搭载基板的一例的示意性剖面图。

图18是说明将电磁波屏蔽构件包覆于电子零件等的步骤的示意性剖面图。

图19是说明将电磁波屏蔽构件包覆于电子零件等的步骤的示意性剖面图。

图20是说明将电磁波屏蔽构件包覆于电子零件等的步骤的示意性剖面图。

图21是说明将电磁波屏蔽构件包覆于电子零件等的步骤的示意性剖面图。

图22是本实施例B3的电子零件搭载基板的侧面的光学显微镜照片。

图23是本参考例B1的电子零件搭载基板的侧面的光学显微镜照片。

图24是本实施例C的电子零件搭载基板的评估方法的说明图。

具体实施方式

以下，对应用了本发明的实施方式的一例进行说明。再者，在本说明书中特别规定的数值是通过实施方式或实施例中公开的方法所求出的值。另外，在本说明书中特别规定的数值“A～B”是指满足数值A与大于数值A的值、及数值B与小于数值B的值的范围。另外，本说明书的片不仅包含JIS中所定义的片，也包含膜。为了使说明变得明确，以下的记载及附图适宜进行简化。在本说明书中出现的各种成分只要不特别加以注释，则分别可独立地单独使用一种，也可并用两种以上。另外，为了便于说明，即便在不同的实施方式中，同一个部件构件也标注同一个符号。

作为本发明的电子零件搭载基板，公开实施方式A～实施方式C的电子零件搭载基板。

[[实施方式A]]

实施方式A的电子零件搭载基板包括：基板；电子零件，搭载于所述基板的至少一侧的面；以及电磁波屏蔽构件，自所述电子零件上表面起遍及所述基板进行包覆，且包覆因所述电子零件的搭载而形成的段差部的侧面及所述基板的至少一部分。所述电磁波屏蔽构件具有包含粘合剂树脂与导电性填料的电磁波屏蔽层。而且，将所述电磁波屏蔽构件的表层的依据JISB0601：2001所测定的峰度设为1～8。

根据现有的技术，有时在电子零件搭载基板的电磁波屏蔽构件101上附着有如图20的(i)所示的残渣。所述残渣是源自作为用于形成电磁波屏蔽构件101的电磁波屏蔽用层叠体104的构成构件的脱模性缓冲构件103的残渣。在将电磁波屏蔽用层叠体104热压接后的剥离脱模性缓冲构件103的阶段，因形成于电子零件130的间隙的槽125的定锚效应而产生所述残渣。所述残渣是脱模性缓冲构件103的碎片。所述碎片成为即便经过单片化步骤，也作为残渣而残存的因素。此种电磁波屏蔽构件101上的残渣不仅导致外观不良，而且导致电子机器的电磁波屏蔽性的可靠性下降，可能成为封装于电路基板时的障碍。

作为避免所述问题的方法，可考虑为了减少槽125的定锚效应，而扩大电子零件130彼此的间隙的宽度、或降低电子零件130的高度的方法。但是，在所述方法中，存在电子零件130的形状受到限定，无法应用于具有复杂的凹凸的电子零件130的问题。另外，只要可缩小搭载于基板120的电子零件130彼此的间隙，则自一个基板120获得的电子零件130的产量提升，可对制造的效率化作出贡献。另外，为了在电子零件130的搬送或封装时防止电磁波屏蔽构件101的由擦伤所引起的可靠性下降，而要求电磁波屏蔽构件101的耐擦伤性高。

根据实施方式A的电子零件搭载基板，可提供具有设计自由度高、抑制残渣的附着、且耐擦伤性优异的可靠性高的电磁波屏蔽构件的电子零件搭载基板。因此，特别适合于想要提高设计自由度的电子零件搭载基板、或容易擦伤的电子零件搭载基板的用途。

[[实施方式B]]

实施方式B的电子零件搭载基板包括：基板；电子零件，搭载于所述基板的至少一侧的面；以及电磁波屏蔽构件，自所述电子零件上表面起遍及所述基板进行包覆，且包覆因所述电子零件的搭载而形成的段差部的侧面及所述基板的至少一部分。所述电磁波屏蔽构件具有包含粘合剂树脂与导电性填料的电磁波屏蔽层，且将压入弹性模量设为1GPa～10GPa。

根据现有的技术，存在如下的问题：在电子零件搭载基板的制造步骤的所述单片化步骤中，容易产生将电磁波屏蔽构件101的切断面作为基点的电磁波屏蔽构件101的卷起即毛刺(参照图21的部分放大图(ii))。电磁波屏蔽构件101的毛刺的因素是单片化步骤的切割时的高压水洗等。另外，制造后的电子零件搭载基板在高湿热条件下，存在电磁波屏蔽构件101与基板120等的密接性下降的情况。此种电磁波屏蔽构件101的毛刺的产生及密接性下降导致电子机器的电磁波屏蔽性的可靠性下降，可能成为封装于电路基板时的障碍。

根据实施方式B的电子零件搭载基板，可提供具有可抑制毛刺的产生、且耐压力锅试验(Pressure Cooker Test，PCT)性优异的可靠性高的可靠性高的电磁波屏蔽构件的电子零件搭载基板。因此，特别适合于单片化步骤中高压水线等条件的严格的用途、或要求高湿热条件下的耐久性的电子零件搭载基板的用途。

[[实施方式C]]

实施方式C的电子零件搭载基板包括：基板；电子零件，搭载于所述基板的至少一侧的面；以及电磁波屏蔽构件，自所述电子零件上表面起遍及所述基板进行包覆，且包覆因所述电子零件的搭载而形成的段差部的侧面及所述基板的至少一部分。所述电磁波屏蔽构件具有包含粘合剂树脂与导电性填料的电磁波屏蔽层，将电磁波屏蔽构件的表层的均方根高度Rq设为0.05μm以上、未满0.3μm。

根据现有的技术，存在如下的情况：在单片化步骤中，经由切割带(未图示)而使电磁波屏蔽构件101抵接于切割台141(参照图21)，一面维持所述抵接状态，一面针对与作为电子零件130的间隙的槽125相向的位置，利用切断工具142自基板120侧切断基板120及电磁波屏蔽构件101。在此情况下，在单片化后经过将切割带与电磁波屏蔽构件101剥离的步骤来制造电子零件搭载基板。然而，在单片化后剥离切割带时，存在于电磁波屏蔽构件101产生浮起的情况。另外，也存在电磁波屏蔽构件的一部分剥离的情况。另外，若实施冷热循环试验(-50℃～125℃)，则有时在电磁波屏蔽构件产生裂纹。

此种电磁波屏蔽构件101的浮起、裂纹不仅引起外观不良，有时引起各种问题。例如，当利用导电性接着剂或导电性粘着剂将电磁波屏蔽构件101及框体与地面连接时，接着力或连接电阻恶化，导致电子机器的电磁波屏蔽性的可靠性下降，可能成为封装于电路基板时的障碍。另外，有时在经时的可靠性方面存在课题。

根据实施方式C的电子零件搭载基板，可提供具有包覆性优异的可靠性高的可靠性高的电磁波屏蔽构件的电子零件搭载基板。因此，特别适合于包括利用切割带将电磁波屏蔽构件与切割台抵接的步骤的用途，或需要通过冷热循环试验的用途，例如如搭载于汽车的电子零件搭载基板那样要求经得起严酷的温度变化的性能的用途。

[[实施方式A]]

以下，对实施方式A的电子零件搭载基板的具体例进行说明。

[实施方式A1]

＜电子零件搭载基板＞

将表示实施方式A1的电子零件搭载基板的一例的示意性立体图示于图1，将图1的II-II切断部剖面图示于图2。电子零件搭载基板51具有基板20、电子零件30及电磁波屏蔽构件1等。

基板20只要是可搭载电子零件30、且经得起后述的热压接步骤的基板即可，可任意地选择。例如可列举：在表面或内部形成有包含铜箔等的导电图案的工作板、封装模块基板、印刷配线板或通过增层法等所形成的增层基板。另外，也可使用膜或片状的柔性基板。所述导电图案例如为用于与电子零件30电性连接的电极/配线图案(未图示)、用于与电磁波屏蔽构件1电性连接的接地图案22。可在基板20内部任意地设置电极/配线图案、通孔(未图示)等。基板20不仅可为刚性基板，也可为柔性基板。

在图1的例子中，电子零件30呈5×4个阵列状地配置于基板20上。而且，以包覆基板20及电子零件30的露出面的方式设置有电磁波屏蔽构件1。即，电磁波屏蔽构件1以追随由电子零件30所形成的凹凸的方式包覆。通过电磁波屏蔽构件1来遮蔽自内置于电子零件30和/或基板20的信号配线等产生的不需要的辐射，另外，可防止由来自外部的磁场或电波所引起的误动作。

电子零件30的个数、配置、形状及种类任意。也可将电子零件30配置于任意的位置来代替呈阵列状地配置电子零件30的形态。在将电子零件搭载基板51单片化成单位模块的情况下，如图2所示，也能够以自基板上表面起在基板的厚度方向上划分单位模块的方式设置半切割槽25。再者，实施方式A1的电子零件搭载基板包含单片化成单位模块前的基板、及单片化成单位模块后的基板两者。即，除如图1、图2那样的搭载有多个单位模块(电子零件30)的电子零件搭载基板51以外，也包含如图3那样的单片化成单位模块后的电子零件搭载基板52。当然，也包含不经过单片化步骤，将一个电子零件30搭载于基板20上，并利用电磁波屏蔽构件包覆的电子零件搭载基板。即，实施方式A1的电子零件搭载基板包括如下的结构：在基板上搭载有至少一个电子零件，且电磁波屏蔽构件包覆于因电子零件的搭载而形成的段差部的至少一部分。

电子零件30包含利用绝缘体来一体地包覆半导体集成电路等电子元件的所有零件。例如有利用密封材料(模压树脂32)来将形成有集成电路(未图示)的半导体芯片31(参照图3)模压成型的形态。基板20与半导体芯片31经由两者的抵接区域、或经由接合线33、焊球(未图示)等而与形成于基板20的配线或电极21电性连接。电子零件除半导体芯片以外，可例示电感器、热阻器、电容器及电阻器等。

实施方式A1的电子零件30及基板20可广泛应用于公知的形态。在图3的例子中，半导体芯片31经由内部通孔23而在基板20的背面与焊球24连接。另外，在基板20内形成有用于与电磁波屏蔽构件1电性连接的接地图案22。另外，也可如后述的实施方式A4那样，在单片化后的电子零件搭载基板或未单片化的电子零件搭载基板搭载多个电子零件30(参照图14C)。另外，可在电子零件30内搭载一个或多个电子元件等。

＜电磁波屏蔽构件＞

电磁波屏蔽构件1通过如下方式来获得：在搭载于基板20上的电子零件30的顶面载置电磁波屏蔽用层叠体后，通过热压接来包覆电子零件30及基板20。电磁波屏蔽构件1自电子零件30上表面起遍及基板20进行包覆，且包覆因电子零件30的搭载而形成的段差部的侧面及基板20的至少一部分。为了充分地发挥屏蔽效果，电磁波屏蔽构件1优选为与在基板20的侧面或上表面露出的接地图案22和/或电子零件30的连接用配线等接地图案(未图示)连接的构成。

电磁波屏蔽构件1可使用电磁波屏蔽用层叠体来形成。图4中表示电磁波屏蔽用层叠体的示意性剖面图。实施方式A1的电磁波屏蔽用层叠体4包含电磁波屏蔽用构件2与脱模性缓冲构件3。在实施方式A1中，所述电磁波屏蔽用构件2包含单层的导电性接着剂层6。导电性接着剂层6通过热压接而与电子零件30及基板20接合来形成电磁波屏蔽层5。在实施方式A1中，所述电磁波屏蔽层5作为电磁波屏蔽构件1发挥功能。

电磁波屏蔽用构件2也可如后述的实施方式A2那样由两层以上的导电性接着剂层的层叠体形成、或如实施方式A3那样由导电性接着剂层与硬涂层的层叠体形成、或如实施方式A4那样由绝缘性接着剂层与导电性接着剂层的层叠体形成等由其他层的层叠体形成。将电磁波屏蔽用构件2热压接所获得的电磁波屏蔽构件1在实施方式A2中包含两层以上的电磁波屏蔽层的层叠体，在实施方式A3中包含电磁波屏蔽层与硬涂层的层叠体，在实施方式A4中包含绝缘包覆层与电磁波屏蔽层的层叠体。如此，电磁波屏蔽构件也可包含电磁波屏蔽层与其他层的层叠体。

在电磁波屏蔽层5中包含粘合剂树脂与导电性填料。电磁波屏蔽层5中的导电性填料连续地被接触并表现出导电性。就提高电磁波屏蔽性的观点而言，电磁波屏蔽层5的片电阻值优选为1Ω/□以下。

电磁波屏蔽构件1将其表层的依据JISB0601：2001所测定的峰度设为1～8。峰度是由数学式(1)表示的表示表面凹凸的粗糙度曲线的指标，表示高度分布的平坦度、尖峰度。

[数学式1]

此处，L为基准长度。另外，Rq为均方根高度，将沿着一个轴(x轴)的表面的高度变化设为Z(x)而由以下的数学式(2)表示。

[数学式2]

峰度在通过均方根高度Rq的四次方而无量纲化的基准长度中，表示Z(x)的四次方的平均值。当峰度为3时，表示凸部(或凹部)的尖峰的分布接近正规分布。随着峰度变得较3大，表示相对于基准高度Rq陡峭的尖的凸部(或凹部)的数量增加，随着峰度变得较3小，表示陡峭的尖的凸部(或凹部)的数量变少。

关于制造方法，其后进行叙述，但在将电磁波屏蔽用层叠体4热压接于搭载有电子零件30的基板后，自电磁波屏蔽构件1剥离脱模性缓冲构件3时，一面大致垂直地摩擦半切割槽25的脱模性缓冲构件3一面将其剥下。由于脱模性缓冲构件3容易因定锚效应而断裂，因此需要抑制其断裂的技术。本发明人等人反复努力研究的结果，发现重要的是电磁波屏蔽构件1的接触界面的形状控制，作为所述形状，适宜的是所述峰度的范围。

通过将峰度设为8以下，可自电磁波屏蔽构件1良好地剥离已被填充至电子零件30的半切割槽25的脱模性缓冲构件3。可认为其原因在于：电磁波屏蔽构件1的表面形状的尖峰度成为适当的尖峰度，脱模性缓冲构件3与电磁波屏蔽构件1的剥离变得容易。另一方面，通过将电磁波屏蔽构件1的表层的峰度设为1以上，可提升耐钢丝绒性。其结果，可提高耐擦伤性，而提供可靠性高的电子零件搭载基板。电磁波屏蔽构件的峰度的优选的范围为1.5～6.5，更优选的范围为2～4。

电磁波屏蔽构件1的表面的均方根高度优选为设为0.4μm～1.6μm的范围，更优选为设为0.5μm～1.5μm，进而更优选为设为0.7μm～1.2μm。在本说明书中，峰度与均方根高度是指通过后述的实施例中记载的方法所求出的值。

电磁波屏蔽构件1的表面的峰度可通过电磁波屏蔽用层叠体4中的电磁波屏蔽用构件2的制造步骤来调整。另外，可通过用于形成电磁波屏蔽构件1的热压接前的电磁波屏蔽用构件的组合物中的各成分的种类或其调配量来调整。详细情况将后述。再者，本发明人等人反复研究后，已确认通过调配可作为电磁波屏蔽层发挥功能的量的导电性填料，峰度的值在回流焊处理前后实质上不变动，或即使变动，其变化量也小。

＜电子零件搭载基板的制造方法＞

以下，使用图5～图8对实施方式A1的电子零件搭载基板的制造方法的一例进行说明。但是，本发明的电子零件搭载基板的制造方法并不限定于以下的制造方法。

实施方式A1的电子零件搭载基板51的制造方法包括：[a]将电子零件30搭载于基板的步骤；[b]将电磁波屏蔽用层叠体4载置于搭载有电子零件30的基板20上的步骤；[c]以追随因电子零件30的搭载而形成的段差部的侧面及基板的露出面的至少一部分的方式，通过热压接来接合电磁波屏蔽构件1的步骤；[d]剥离脱模性缓冲构件3的步骤；以及[e]将电子零件搭载基板51单片化的步骤。以下，对各步骤进行说明。

[a]将电子零件搭载于基板的步骤：

首先，将电子零件30搭载于基板20。例如，将半导体芯片(未图示)搭载于基板20上，利用密封树脂在形成有半导体芯片的基板20上进行模压成形，以自电子零件30间的上方到达基板20内部为止的方式，通过切割等来对模压树脂及基板20进行半切割。也可为将电子零件30呈阵列状地配置于事先经半切割的基板20上的方法。经过这些步骤，例如可获得如图5所示的搭载有电子零件30的基板。再者，所谓电子零件30，在图5的例子中是指将半导体芯片模压成形而成的一体物，且是指由绝缘体保护的所有电子元件。半切割除了到达基板20内部为止的形态以外，有切割至基板20的表面为止的形态。另外，也可在所述阶段切割基板20整体。在此情况下，优选为将基板20载置于带有粘着带的基体上，以不产生位置偏离。进行模压成形时的密封树脂的材料并无特别限定，但通常使用热硬化性树脂。密封树脂的形成方法并无特别限定，可列举：印刷、层叠、转注成形、压缩、浇铸等。模压成形任意，电子零件30的搭载方法也可任意地变更。

[b]将电磁波屏蔽用层叠体载置于基板上的步骤：

其次，准备通过热压接而熔融并包覆搭载有电子零件30的基板20的电磁波屏蔽用层叠体4(参照图4)。以电磁波屏蔽用层叠体4的导电性接着剂层6成为电子零件30侧的方式，将电磁波屏蔽用层叠体4载置于电子零件30的顶面上。此时，也可将电磁波屏蔽用层叠体4暂时粘附于电子零件30的一部分或整个面。所谓暂时粘附，是指以与电子零件30的至少一部分的上表面接触的方式暂时接合者，且是指导电性接着剂层6以B阶段固定于被粘着体的状态。作为剥离力，在90°剥离试验中，对于卡普顿(Kapton)200的剥离力优选为1N/cm～5N/cm左右。作为暂时粘附的方法，可例示：将电磁波屏蔽用层叠体4载置于搭载有电子零件30的基板20上，利用熨斗等热源轻轻地将整个面或端部热压接来暂时粘附的方法。也可对应于制造设备或基板20的尺寸等，在基板20的各区域使用多个电磁波屏蔽用层叠体4。另外，也可对各电子零件30使用电磁波屏蔽用层叠体4。就制造步骤的简化的观点而言，优选为对搭载于基板20上的多个电子零件30整体使用一片电磁波屏蔽用层叠体4。

[c]形成电磁波屏蔽构件的步骤：

继而，在搭载有电子零件30的基板20上，将电磁波屏蔽用层叠体4夹持于一对按压基板40间来进行热压接(参照图6)。电磁波屏蔽用层叠体4中，导电性接着剂层6及脱模性缓冲构件3因热而熔融，通过按压而以沿着设置于制造基板的半切割槽的方式延伸，并追随电子零件30及基板20进行包覆。导电性接着剂层6与电子零件30或基板20接合，并且通过热压接而作为电磁波屏蔽层5发挥功能。在实施方式A1中，电磁波屏蔽构件1包含单层的电磁波屏蔽层5，因此将导电性接着剂层6热压接而成者成为作为电磁波屏蔽构件1的电磁波屏蔽层5。在热压接后，也能够以促进热硬化等为目的而另外进行加热处理。

当对电磁波屏蔽用层叠体4进行加热按压时，在所述电磁波屏蔽用层叠体4与按压基板40之间，视需要也可使用热软化性构件或缓冲纸等。

热压接步骤的温度及压力可对应于电子零件30的耐热性、耐久性、制造设备或需求，在可确保导电性接着剂层6的包覆性的范围内分别独立地任意设定。作为压力范围，并无限定，但优选为0.1MPa～5.0MPa左右，更优选为0.5MPa～2.0MPa的范围。通过松开按压基板40，可获得如图7所示的制造基板。如此，通过电磁波屏蔽构件1来包覆电子零件的顶面及侧面与基板的露出面。

热压接步骤的加热温度优选为100℃以上，更优选为110℃以上，进而更优选为120℃以上。另外，作为上限值，依存于电子零件30的耐热性，但优选为220℃，更优选为200℃，进而更优选为180℃。

热压接时间可对应于电子零件30的耐热性、用于电磁波屏蔽构件1的粘合剂树脂、及生产步骤等来设定。在将热硬化性树脂用作粘合剂树脂前体的情况下，适宜的是1分钟～2小时左右的范围。再者，热压接时间更优选为1分钟～1小时左右。热硬化性树脂通过所述热压接而硬化。但是，热硬化性树脂只要可流动，则也可在热压接前部分地完成硬化或实质上完成硬化。

将导电性接着剂层6的厚度设为可包覆于电子零件30的顶面及侧面及基板20的露出面，形成电磁波屏蔽层5的厚度。虽然可因使用的粘合剂树脂前体的流动性、或电子零件30间的距离及尺寸而变动，但通常优选为10μm～200μm左右。由此，可使对于密封树脂的包覆性变得良好，并有效地发挥电磁波屏蔽性。

脱模性缓冲构件3可使用如下的材料：软化来促进导电性接着剂层6的包覆，具有包覆电子零件30的顶面及侧面以及基板20的露出面的功能，并且在剥离步骤中脱模性优异。在脱模性缓冲构件3的上层，视需要也可使用作为缓冲材料发挥功能的热软化性构件。在实施方式A1的例子中，通过电磁波屏蔽构件1的包覆，而使形成于基板20内的接地图案22与电磁波屏蔽构件1电性连接(参照图7)。

导电性接着剂层6含有粘合剂树脂前体与导电性填料。作为粘合剂树脂前体，可例示：热塑性树脂、自交联性树脂、多种反应性树脂及硬化性树脂与交联剂的混合物。这些也可组合使用。当专门将热塑性树脂用作粘合剂树脂前体时，就不具有交联结构的意思而言，粘合剂树脂前体与粘合剂树脂可以说实质上相同。

[d]剥离脱模性缓冲构件的步骤：

将包覆于电磁波屏蔽构件1的上层的脱模性缓冲构件3剥离。由此，获得具有包覆电子零件30的电磁波屏蔽构件1的电子零件搭载基板51(参照图1、图2)。例如，脱模性缓冲构件3的剥离可通过人力而自端部剥下，也可吸引脱模性缓冲构件3的外表面而自电磁波屏蔽构件1剥下。就通过自动化来提升良率的观点而言，优选为利用吸引的剥离。

[e]进行单片化的步骤：

使用切割刀片等切削工具，在电子零件搭载基板51的与单个的制品区域对应的位置，在X方向及Y方向上进行切割(参照图2)。经过这些步骤，可获得电子零件30由电磁波屏蔽构件1包覆、且形成于基板20的接地图案22与电磁波屏蔽构件1电性连接的经单片化的电子零件搭载基板51。切割的方法只要可进行单片化即可，并无特别限定。切割可自基板20侧或电磁波屏蔽用层叠体4侧进行。

步骤(d)的脱模性缓冲构件3的剥离是相对于基板面，例如以90°的角度进行剥离，因此在半切割槽25的脱模性缓冲构件3与半切割槽25侧面的电磁波屏蔽构件1的接触界面产生大的摩擦。因此，在技术上难以自电磁波屏蔽构件1干净地剥离脱模性缓冲构件3，如使用图20所说明那样，存在脱模性缓冲构件3在半切割槽25中破碎而残留残渣的情况。即便在单片化步骤后，所述残渣也根据位置而残存，因此导致可靠性下降。

根据本实施方式A1，将电磁波屏蔽构件1的峰度设为1～8，由此在形成电子零件搭载基板的电磁波屏蔽构件的步骤中，在将电磁波屏蔽用层叠体热压接于电子零件搭载基板后，可提高脱模性缓冲构件对于电磁波屏蔽构件的脱模性。另外，电磁波屏蔽构件的一部分与脱模性缓冲构件一同被剥离，可有效地抑制电磁波屏蔽构件的一部分受损的现象。因此，可提供可靠性高的电子零件搭载基板。另外，可提高搭载于基板的电子零件的高度的设计自由度、或电子零件彼此的间隙的宽度的设计自由度。

＜电磁波屏蔽用层叠体＞

实施方式A1的电磁波屏蔽用层叠体如在图4中所说明那样，包含电磁波屏蔽用构件2与脱模性缓冲构件3这两层。在实施方式A1中，电磁波屏蔽用构件2包含单层的导电性接着剂层6。导电性接着剂层6经过热压接步骤而与电子零件30或基板20接合，作为电磁波屏蔽层5发挥功能。

(导电性接着剂层)

导电性接着剂层6是由含有粘合剂树脂前体与导电性填料的树脂组合物形成的层。粘合剂树脂前体至少包含热软化性树脂。热软化性树脂可例示热塑性树脂、热硬化性树脂及光化射线硬化性树脂。热硬化性树脂及光化射线硬化性树脂通常具有反应性官能基。在使用热硬化性树脂的情况下，可并用硬化性化合物或热硬化助剂。另外，在使用光化射线硬化性树脂的情况下，可并用光聚合引发剂、增感剂等。就制造步骤的简便性而言，优选为在热压接时硬化的热硬化型。

另外，也可使用自交联性树脂或相互进行交联的多种树脂。另外，除这些树脂以外，也可混合热塑性树脂。树脂及硬化性化合物等调配成分分别可独立地单独使用、或并用多种。

再者，也可在导电性接着剂层6的阶段形成部分交联来成为B阶段(半硬化的状态)。例如，也可包含热硬化性树脂与硬化性化合物的一部分进行反应而半硬化的状态。

热软化性树脂的适宜例可列举：聚氨基甲酸酯树脂、聚碳酸酯树脂、苯乙烯弹性体树脂、苯氧基树脂、聚氨基甲酸酯脲树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚碳酸酯酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、环氧系树脂、环氧酯系树脂、丙烯酸系树脂、聚酯树脂、聚苯乙烯、聚酯酰胺树脂及聚醚酯树脂。作为在回流焊时的严酷的条件下使用的情况下的热硬化性树脂，优选为包含环氧系树脂、环氧酯系树脂、氨基甲酸酯系树脂、氨基甲酸酯脲系树脂、及聚酰胺中的至少一者。

这些树脂之中，优选为聚氨基甲酸酯树脂、聚碳酸酯树脂、苯乙烯弹性体树脂、苯氧基树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂。另外，优选为在树脂中具有由通式(1)表示的聚碳酸酯骨架的树脂。

-R-O-CO-O-…通式(1)

式中，R为二价的有机基。

热软化性树脂可单独使用一种、或以任意的比率混合使用两种以上。

作为具有聚碳酸酯骨架的树脂，除聚碳酸酯树脂以外，可例示：具有聚碳酸酯骨架的聚氨基甲酸酯树脂、聚酰胺树脂及聚酰亚胺树脂。例如，根据聚碳酸酯酰亚胺树脂，通过具有聚酰亚胺骨架，可提高耐热性、绝缘性及耐化学品性。另一方面，通过具有聚碳酸酯骨架，可有效地提高柔软性、密接性。

作为聚碳酸酯氨基甲酸酯树脂，可将以1,6-己二醇、3-甲基-1,5-戊二醇、1,4-环己烷二甲醇、1,9-壬二醇、或2-甲基-1,8-辛二醇等二醇一种或两种以上为基础的聚碳酸酯多元醇用作多元醇成分。

所述热软化性树脂作为热硬化性树脂，也可具有多个可用于利用加热的交联反应的官能基。官能基例如可列举：羟基、酚性羟基、羧基、氨基、环氧基、氧杂环丁基、噁唑啉基、噁嗪基、氮丙啶基、硫醇基、异氰酸酯基、嵌段化异氰酸酯基、硅醇基等。

硬化性化合物具有可与热硬化性树脂的反应性官能基进行交联的官能基。硬化性化合物优选为环氧化合物、含有酸酐基的化合物、异氰酸酯化合物、聚碳二酰亚胺化合物、氮丙啶化合物、二氰二胺化合物、芳香族二胺化合物等胺化合物、苯酚酚醛清漆树脂等酚化合物、有机金属化合物等。硬化性化合物也可为树脂。在此情况下，热硬化性树脂与硬化性化合物的区分是将含量多者设为热硬化性树脂，将含量少者设为硬化性化合物来进行区分。

相对于热硬化性树脂100质量份，硬化性化合物优选为含有1质量份～70质量份，更优选为3质量份～65质量份，进而更优选为3质量份～60质量份。硬化性化合物可单独使用一种、或并用多种来使用。

热塑性树脂的适宜例可例示：聚酯、丙烯酸系树脂、聚醚、氨基甲酸酯系树脂、苯乙烯弹性体、聚碳酸酯、丁二烯橡胶、聚酰胺、酯酰胺系树脂、聚异戊二烯、及纤维素。作为粘着赋予树脂，可例示：松香系树脂、萜烯系树脂、脂环式系石油树脂、及芳香族系石油树脂等。另外，可使用导电性聚合物。作为导电性聚合物，可例示：聚乙烯二氧噻吩、聚乙炔、聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺。热塑性树脂的适宜例可例示：聚酯、丙烯酸系树脂、聚醚、氨基甲酸酯系树脂、苯乙烯弹性体、聚碳酸酯、丁二烯橡胶、聚酰胺、酯酰胺系树脂、聚异戊二烯、及纤维素。

导电性填料可例示：金属填料、导电性陶瓷粒子及这些的混合物。金属填料可例示：金、银、铜、镍等的金属粉，焊料等的合金粉，镀银铜粉、镀金铜粉、镀银镍粉、镀金镍粉的核壳型粒子。就获得优异的导电特性的观点而言，优选为含有银的导电性填料。就成本的观点而言，特别优选为利用银包覆铜粉的镀银铜粉。

镀银铜中的银的含量在银及铜的合计100质量％中，优选为3质量％～20质量％，更优选为8质量％～17质量％，进而更优选为10质量％～15质量％。在核壳型粒子的情况下，涂层对于芯部的包覆率以平均计，优选为60％以上，更优选为70％以上，进而更优选为80％以上。芯部也可为非金属，但就导电性的观点而言，优选为导电性物质，更优选为金属粒子。

作为导电性填料，也可使用电磁波吸收填料。例如可列举：铁，Fe-Ni合金、Fe-Co合金、Fe-Cr合金、Fe-Si合金、Fe-Al合金、Fe-Cr-Si合金、Fe-Cr-Al合金、Fe-Si-Al合金等铁合金，Mg-Zn铁氧体、Mn-Zn铁氧体、Mn-Mg铁氧体、Cu-Zn铁氧体、Mg-Mn-Sr铁氧体、Ni-Zn铁氧体等铁氧体系物质，以及碳填料等。碳填料可例示：乙炔黑、科琴黑、炉黑、碳黑、碳纤维、包含纳米碳管的粒子、石墨烯粒子、石墨粒子及纳米碳片。

用于导电性接着剂层的导电性填料的形状可例示鳞片状粒子、树枝(dendrite)状粒子、针状粒子、板状粒子、葡萄状粒子、纤维状粒子、球状粒子，但就调整所期望的峰度的数值的观点而言，优选为含有针状粒子和/或树枝状粒子的导电性填料。此处，所谓针状，是指长径为短径的三倍以上的形状，除所谓的针形状以外，也包含纺锤形状、圆柱形状等。另外，所谓树枝状，是指在利用电子显微镜(500倍～20,000倍)进行观察时，多个分枝自棒状的主轴二维地或三维地延伸的形状。在树枝状中，所述分枝也可弯折、或自分枝进一步延伸出分枝。

另外，通过含有鳞片状粒子作为导电性填料，可提供包覆性优异的电磁波屏蔽构件。此处，鳞片状也包含薄片状、板状。导电性填料只要粒子整体为鳞片状即可，也可为椭圆状、圆状或在微粒子的周围存在切口等。

导电性填料可单独使用、或混合使用。在并用导电性填料的情况下，就获得所期望的峰度，提供可靠性高的电磁波屏蔽构件的观点而言，适宜的是鳞片状粒子与树枝状粒子的组合，鳞片状粒子与针状粒子的组合，鳞片状粒子、树枝状粒子及针状粒子的组合。特别优选为鳞片状粒子与针状粒子的组合。

在热软化性树脂组合物层的固体成分(100质量％)中，导电性填料的含量优选为40质量％～85质量％，更优选为50质量％～80质量％。

优选为相对于导电性接着剂层中的导电性填料100质量％，将针状粒子和/或树枝状粒子设为50质量％以下。更优选为0.5质量％～40质量％，进而更优选为2质量％～27质量％。通过设为50质量％以下，可提高脱模性缓冲构件的剥离性，进而，可有效地提高耐擦伤性。

针状粒子的平均粒径D50优选为2μm～100μm，更优选为2μm～80μm。进而更优选为3μm～50μm，特别优选为5μm～20μm。树枝状粒子的平均粒径D50的优选的范围也同样地优选为2μm～100μm，更优选为2μm～80μm。进而更优选为3μm～50μm，特别优选为5μm～20μm。鳞片状粒子的平均粒径D50优选为2μm～100μm，更优选为2μm～80μm。进而更优选为3μm～50μm，特别优选为5μm～20μm。

平均粒径D50可通过激光衍射/散射法来测定。具体而言，例如为使用激光衍射/散射法粒度分布测定装置LS 13320(贝克曼库尔特(Beckman Coulter)公司制造)，通过旋风式干燥粉末样品模块来测定各导电性微粒子所获得的数值，且是粒子的累计值为50％的粒度的直径的平均粒径。再者，将折射率的设定设为1.6来进行测定。电磁波屏蔽构件1中的各粒子的平均粒径D50可使用扫描式电子显微镜(Scanning Electron Microscope，SEM)来测定100个粒径，并求出度数分布。在针状粒子及树枝状粒子的情况下，粒径使用各粒子的最长的长度。

通过并用树枝状粒子和/或针状粒子与鳞片状粒子，可增多导电性填料彼此的接触点，并提升屏蔽特性。另外，通过并用树枝状粒子和/或针状粒子，可增加与粘合剂成分的接触面积，容易调整峰度的值，进而，可提高耐擦伤性。因此，可提供可靠性高的电磁波屏蔽构件。

在构成导电性接着剂层的组合物中，可进而含有着色剂、阻燃剂、无机添加剂、润滑剂、抗结块剂等。

作为着色剂，例如可列举：有机颜料、碳黑、群青、红铁粉(red iron oxide)、氧化锌、氧化钛、石墨等。其中，通过含有黑色系的着色剂，屏蔽层的印字可见性提升。

作为阻燃剂，例如可列举：含有卤素的阻燃剂、含有磷的阻燃剂、含有氮的阻燃剂、无机阻燃剂等。

作为无机添加剂，例如可列举：玻璃纤维、二氧化硅、滑石、陶瓷等。

作为润滑剂，例如可列举：脂肪酸酯、烃树脂、石蜡、高级脂肪酸、脂肪酰胺、脂肪族醇、金属皂、改性硅酮等。

作为抗结块剂，例如可列举：碳酸钙、二氧化硅、聚甲基硅倍半氧烷、硅酸铝盐等。

导电性接着剂层只要是导电性填料通过热压接而连续地接触并具有导电性的层即可，在热压接前的阶段也可不必具有导电性。导电性接着剂层可通过将含有所述导电性填料与粘合剂树脂前体的组合物混合搅拌，涂敷于脱模性基材上后进行干燥而形成。另外，也可通过直接涂敷于脱模性缓冲构件3并进行干燥的方法而形成。

在涂敷导电性接着剂层的涂液后，进行干燥而在脱模性基材上形成导电性接着剂层。干燥步骤优选为进行加热(例如，80℃～120℃)。为了调整电磁波屏蔽构件的峰度，优选为在涂敷涂液后、加热干燥前，在25℃(室温)、常压下进行1分钟～10分钟的干燥。加热干燥前的25℃(室温)下的干燥时间更优选为2分钟～6分钟。通过在加热干燥前设置在室温下进行干燥的工艺，可调整峰度的值。

使用图9的示意图对涂液的粘度与加热干燥前的25℃下的干燥时间给电磁波屏蔽构件1的峰度带来的影响进行说明。如所述图所示，为了在脱模性基材15上形成导电性接着剂层6而涂布涂液。可获得包含溶剂的干燥途中的导电性接着剂层6P。

针对加热途中的导电性接着剂层6P，将25℃下的干燥时间设定得长，由此如图9所示，有意地延长溶剂的蒸发速度慢的状态，由此可促进粘合剂树脂前体10的朝下方的下沉。另一方面，将25℃下的干燥时间设定得短，由此如图9所示，抑制粘合剂树脂前体10的朝下方的下沉，在所述阶段进行加热干燥，由此导电性填料11容易立起。另外，容易产生伴随溶剂的蒸发的发泡，成为表面皲裂的倾向。

为了使电磁波屏蔽构件1的峰度的值成为1～8，优选为将所述涂液的固体成分设为20％～50％。另外，为了调整电磁波屏蔽构件的峰度，优选为将所述涂液的通过B型粘度计所测定的涂液粘度设为200MPa·s～5000MPa·s的范围。进而，为了调整电磁波屏蔽构件的峰度，优选为将所述涂液的触变指数设为1.2～2.0。再者，图9及后述的图10的导电性填料11为鳞片状粒子，图并非针对主面的俯视，表示厚度方向的切断部剖面图。

峰度的值也根据用于形成导电性接着剂层的涂液的粘度而变化。存在涂液的粘度高会抑制导电性填料的流动性的倾向。因此，在粘度高的情况下，存在导电性填料11不进行取向而成为无规的倾向。另一方面，在粘度低的情况下，存在鳞片状粒子以主面大概与基板面相向的方式进行取向的倾向。另外，若缩短25℃下的干燥时间来进行加热干燥，则在粘度高时存在由发泡所引起的表面皲裂变大的倾向，在粘度低时成为导电性填料容易在纵向上移动的倾向。

如此，通过调整涂液的粘度及25℃下的干燥时间，可调整峰度。

另外，电磁波屏蔽构件1的峰度也可通过树枝状粒子和/或针状粒子的粒径来调整。使用图10的示意性的说明图对树枝状粒子和/或针状粒子的粒径给电磁波屏蔽构件1的峰度带来的影响进行说明。与图9同样地，为了在脱模性基材15上形成导电性接着剂层6而涂布涂液，由此可获得干燥途中的导电性接着剂层6P。在图10中，对与图9相同的构件或成分标注同一个符号。如图10所示，存在若作为导电性填料的一种的树枝状粒子12的平均粒径D50小，则峰度的值下降的倾向，相反地，存在若树枝状粒子12的平均粒径D50大，则峰度的值变大的倾向。虽然也取决于导电性接着剂层6的厚度，但在想要减小峰度的值的情况下，例如可将平均粒径D50设定成2μm～5μm，在想要增大峰度的值的情况下，例如可将平均粒径D50设定成20μm～50μm，在想要设定成两者的中间值的情况下，可将平均粒径D50设定成超过5μm、未满20μm。

另外，为了调整电磁波屏蔽构件1的峰度，优选为在涂敷用于形成作为电磁波屏蔽用构件2的最表层的导电性接着剂层6的导电性接着剂组合物，并进行干燥后，进行电晕处理或等离子体处理。电晕处理优选为电晕放电电子的照射量为1W/m

电磁波屏蔽构件1的峰度可通过在形成热压接前的电磁波屏蔽用构件2的组合物中，增多针状或树枝状的导电性填料的添加量来调整其数值。另外，电磁波屏蔽构件1的峰度也可通过导电性填料的平均粒径D50及平均粒径D90来调整。

在实施方式A1中，电磁波屏蔽用构件2包含单层的导电性接着剂层6，因此将脱模性缓冲构件3层叠于所述导电性接着剂层6上。层叠方法有利用层叠的方法等。

脱模性基材是一面或两面具有脱模性的基材，且为150℃下的拉伸断裂应变未满50％的片材。脱模性基材例如可列举：聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚氟乙烯、聚偏二氟乙烯、硬质聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、尼龙、聚酰亚胺、聚苯乙烯、聚乙烯醇、乙烯·乙烯醇共聚物、聚碳酸酯、聚丙烯腈、聚丁烯、软质聚氯乙烯、聚偏二氟乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚氨基甲酸酯树脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙酸乙烯酯等的塑料片等，玻璃纸、道林纸、牛皮纸、涂布纸等纸类，各种不织布，合成纸，金属箔，或将这些组合而成的复合膜等。

(脱模性缓冲构件)

脱模性缓冲构件是作为促进导电性接着剂层对于电子零件的追随性的缓冲材料发挥功能、且具有脱模性的片材。即，其是在热压接步骤后可自电磁波屏蔽构件1剥离的层。另外，优选为150℃下的拉伸断裂应变为50％以上、且在热压接时熔融的层。

再者，脱模性基材及脱模性缓冲构件3的拉伸断裂应变是通过以下的方法所求出的值。将脱模性基材及脱模性缓冲构件切断成宽度200mm×长度600mm的大小来作为测定试样。使用小型台式试验机EZ-TEST(岛津制作所公司制造)，在温度25℃、相对湿度50％的条件下对测定试样实施拉伸试验(试验速度50mm/min)。根据所获得的S-S曲线(应力(Stress)-应变(Strain)曲线)来算出拉伸断裂应变(％)。

作为脱模性缓冲构件3，优选为聚乙烯、聚丙烯、聚醚砜、聚苯硫醚、聚苯乙烯、聚甲基戊烯、聚对苯二甲酸丁二酯、环状烯烃聚合物、硅酮。其中，就使埋入性与剥离性并存的观点而言，更优选为聚丙烯、聚甲基戊烯、聚对苯二甲酸丁二酯、硅酮。脱模性缓冲构件能够以单层来使用，也能够以多层来使用。在设为多层的情况下，可将相同或不同的种类的片材层叠。

脱模性缓冲构件3与导电性接着剂层6的层叠方法并无特别限定，可列举将这些片材层叠的方法。脱模性缓冲构件3最终进行剥离，因此优选为脱模性优异的材料。脱模性缓冲构件的厚度例如为50μm～3mm左右，更优选为100μm～1mm左右。

[实施方式A2]

继而，对与实施方式A1不同的电子零件搭载基板的例子进行说明。实施方式A2的电子零件搭载基板在电磁波屏蔽构件包含两层的电磁波屏蔽层这一点上，与使用包含单层的电磁波屏蔽层的电磁波屏蔽构件的实施方式A1不同，其他基本的构成及制造方法与实施方式A1相同。再者，适宜省略与实施方式A1重复的记载。

如图11所示，实施方式A2的电磁波屏蔽构件使用包含电磁波屏蔽用构件2a与脱模性缓冲构件3a的电磁波屏蔽用层叠体4a来形成，所述电磁波屏蔽用构件2a是包含第一导电性接着剂层6a1及第二导电性接着剂层6a2这两层的导电性接着剂层6a。通过将所述电磁波屏蔽用层叠体4a热压接，而将包含第一电磁波屏蔽层与第二电磁波屏蔽层的电磁波屏蔽构件包覆于搭载有电子零件的基板上。通过包含两层的电磁波屏蔽层，可提高电磁波屏蔽构件的设计自由度。上层的第二导电性接着剂层6a2通过与实施方式A1相同的组成或步骤来制造，下层的第一导电性接着剂层6a1不受峰度的范围限定，可设为对应于需求的设计。例如，可设为使用纤维状粒子、球状粒子等填料作为第一导电性接着剂层6a1中所含有的导电性填料的层。另外，也可设为将第一导电性接着剂层6a1作为异方导电性接着剂层，将第二导电性接着剂层6a2作为等方导电性接着剂层等的设计。另外，设为电磁波反射层与电磁波吸收层的层叠体的形态也优选。也可层叠三层以上的电磁波屏蔽层。

根据实施方式A2的电子零件搭载基板，通过使用包含两层的电磁波屏蔽层的电磁波屏蔽构件，可获得与实施方式A1相同的效果。另外，通过层叠两层的电磁波屏蔽层，可提高各层的设计自由度，因此具有容易提供对应于需求的电磁波屏蔽构件的优点。

[实施方式A3]

实施方式A3的电子零件搭载基板在电磁波屏蔽构件包含电磁波屏蔽层与硬涂层的层叠体这一点上，与使用包含单层的电磁波屏蔽层的电磁波屏蔽构件的实施方式A1不同，其他基本的构成及制造方法相同。

如图12所示，实施方式A3的电磁波屏蔽构件使用包含电磁波屏蔽用构件2b及脱模性缓冲构件3b的电磁波屏蔽用层叠体4b来形成，所述电磁波屏蔽用构件2b是一层的导电性接着剂层6b与绝缘性树脂层7b的层叠体。通过将所述电磁波屏蔽用层叠体4b热压接，可在搭载有电子零件的基板上获得包含由导电性接着剂层6b形成的电磁波屏蔽层、及由绝缘性树脂层7b形成的硬涂层的电磁波屏蔽构件。实施方式A3的电磁波屏蔽构件将自硬涂层侧进行测定时的峰度设为1～8。

绝缘性树脂层7b是由含有粘合剂树脂前体与无机填料的树脂组合物形成的层。粘合剂树脂前体至少包含热软化性树脂。热软化性树脂的例示、以及粘合剂树脂前体的例示及适宜例与实施方式A1中所述的电磁波屏蔽用构件的导电性接着剂层的组成相同。导电性接着剂层与绝缘性树脂层的粘合剂树脂前体可相同，也可不同。

无机填料与实施方式A1的导电性接着剂层不同，不具有导电性，但优选的无机填料的特性，例如形状、调配量、D50、D90等与导电性填料中所列举的例子相同。作为无机填料，例如可列举：二氧化硅、氧化铝、氢氧化镁、硫酸钡、碳酸钙、氧化钛、氧化锌、三氧化锑、氧化镁、滑石、高岭石、云母、碱式碳酸镁、绢云母、蒙脱石、高岭石、膨土等无机化合物。

热软化性树脂组合物、及热软化性树脂组合物层视需要可包含着色剂、硅烷偶合剂、离子捕获剂、抗氧化剂、粘着赋予树脂、塑化剂、紫外线吸收剂、流平调整剂、阻燃剂等。

根据实施方式A3的电子零件搭载基板，通过使用具有硬涂层的电磁波屏蔽构件，可提供除实施方式A1中所述的效果以外，因利用硬涂层包覆电磁波屏蔽层而具有更优异的耐久性的电磁波屏蔽构件。

[实施方式A4]

实施方式A4的电子零件搭载基板在电磁波屏蔽构件包含电磁波屏蔽层与绝缘包覆层的层叠体这一点上，与使用包含单层的电磁波屏蔽层的电磁波屏蔽构件的实施方式A1不同，其他基本的构成及制造方法与实施方式A1相同。

如图13所示，实施方式A4的电磁波屏蔽构件使用包含电磁波屏蔽用构件2c及脱模性缓冲构件3c的电磁波屏蔽用层叠体4c来形成，所述电磁波屏蔽用构件2c是绝缘性接着剂层8c与导电性接着剂层6c的层叠体。

在实施方式A4中，对将电磁波屏蔽构件包覆于不进行单片化步骤或完成单片化的形成有多个电子零件(例如半导体封装体)的基板上的例子进行说明。如图14A所示，在搭载有具有作为与基板20的连接端子发挥功能的焊球24的电子零件30的基板20的上方，配置电磁波屏蔽用层叠体4c，并自脱模性缓冲构件3c侧朝搭载有电子零件30的基板20进行热压接(图14B)。其后，将脱模性缓冲构件3c剥离，由此可获得图14C的层叠有电磁波屏蔽构件1c的电子零件搭载基板53。

所获得的电子零件搭载基板53可自电磁波屏蔽层5c的上表面进行接地。也可代替所述方法，在基板20上设置接地图案，为了使所述接地图案与电磁波屏蔽层5c导通，而刺破绝缘包覆层9c，在接地图案上设置与电磁波屏蔽层5c导通的导电性的连接器部。

在实施方式A4中，对不需要单片化步骤的电子零件搭载基板的制造方法的一例进行了说明，但也可将图14C的制品单位的单元呈阵列状地形成于母板上，载置电磁波屏蔽用层叠体4c并进行热压接来形成电磁波屏蔽层，其后进行单片化步骤，由此获得图14C所示的电子零件搭载基板。

绝缘性接着剂层8c是由含有粘合剂树脂前体的树脂组合物形成的层。粘合剂树脂前体至少包含热软化性树脂。粘合剂树脂前体的例示及适宜例可列举实施方式A1中所述的电性接着剂层的粘合剂树脂前体。绝缘性接着剂层8c与导电性接着剂层6c的粘合剂树脂前体可相同，也可不同。

热软化性树脂组合物及热软化性树脂组合物层视需要可包含着色剂、硅烷偶合剂、离子捕获剂、抗氧化剂、粘着赋予树脂、塑化剂、紫外线吸收剂、流平调整剂、阻燃剂、无机填料等。

根据实施方式A4的电子零件搭载基板，通过使用具有绝缘包覆层9c的电磁波屏蔽构件1c，除实施方式A1中所述的效果以外，可防止接地图案以外的电路或电极图案等导体部与电磁波屏蔽构件的短路，提高电子零件与电磁波屏蔽层的接合可靠性。另外，可提高电子零件的绝缘可靠性。因此，可提供具有优异的耐久性的电磁波屏蔽构件。其结果，可提供具有优异的电磁波屏蔽性的电子零件搭载基板。另外，可一次性将屏蔽层形成于整个基板，因此具有制造步骤简便，与屏蔽罩等相比可显著地缩小厚度的优点。

再者，在实施方式A4中，列举了将绝缘包覆层9c主要用于强化电子零件与电磁波屏蔽构件的接合的例子，但也可将绝缘包覆层9c应用于密封材料。当将绝缘包覆层9c应用于密封材料时，具有能够以同一步骤进行半导体芯片等的密封步骤与电磁波屏蔽构件的包覆的优点。即，实施方式A4的电磁波屏蔽构件也可应用于未由绝缘体一体地包覆的电子零件，自绝缘性接着剂层获得与密封材料(模压树脂)对应的绝缘包覆层。在此情况下，为了将电磁波屏蔽构件包覆于电子零件的侧面，也可使用呈阵列状地形成有与电子零件对应的凹部的压板(形成有将电磁波屏蔽构件埋入电子零件的间隙的凸部的压板)。

[实施方式A5]

实施方式A5的电子零件搭载基板使用如下的电磁波屏蔽用层叠体：电磁波屏蔽层与接地图案直接接触并导通，位于电磁波屏蔽用层叠体的内部层的导电性接着剂层具有在所述层叠体的阶段露出的区域。所述露出区域是为了形成于基板等的接地图案等导电图案与电磁波屏蔽层接触并导通而设置。实施方式A5在这些方面与实施方式A4不同，其他基本的构成及制造方法相同。

实施方式A5的电磁波屏蔽用层叠体的层叠构成与实施方式A4相同，但如图15A所示，在与包覆形成于基板20上的接地图案22的区域对应的位置的电磁波屏蔽用层叠体4d中，导电性接着剂层6d露出。具体而言，在自绝缘性接着剂层8d侧的俯视中，设置有导电性接着剂层6d的露出区域。在图15A的电磁波屏蔽用层叠体4d的例子中，使绝缘性接着剂层8d的尺寸较电磁波屏蔽用层叠体4d的尺寸小一圈，使导电性接着剂层6d在电磁波屏蔽用层叠体4d的边缘区域中露出。通过所述构成，如图15B、图15C所示，可获得接地图案22与电磁波屏蔽层5d通过热压接而接触并导通的电子零件搭载基板54。电磁波屏蔽用层叠体4d的导电性接着剂层6d的露出部的位置并不限定于图15A的例子，也可将露出部作为开口图案来形成。

[[实施方式B]]

以下，对实施方式B的电子零件搭载基板的具体例进行说明。

[实施方式B1]

＜电子零件搭载基板＞

实施方式B1的电子零件搭载基板使用所述实施方式B中特别规定的电磁波屏蔽构件来代替所述实施方式A中特别规定的电磁波屏蔽构件。实施方式B1的电子零件搭载基板及其制造方法除使用实施方式B的电磁波屏蔽构件这一点、及另外记载的点以外，基本的构成及制造方法与实施方式A1相同。因此，适宜省略重复的部分的说明。

作为实施方式B1的电子零件搭载基板的基本构成的适宜例，可例示所述图1～图10中所说明的实施方式A1的电子零件搭载基板的基本构成。以下，使用这些图对实施方式B1的特征部进行说明。

＜电磁波屏蔽构件＞

实施方式B1的电磁波屏蔽构件1如在实施方式A1中所说明那样，通过如下方式来获得：在搭载于基板20上的电子零件30的顶面载置电磁波屏蔽用层叠体后，通过热压接来包覆电子零件30及基板20。电磁波屏蔽构件1的包覆形态与实施方式A1相同，因此省略。

与实施方式A1同样地，实施方式B1的电磁波屏蔽构件1可使用电磁波屏蔽用层叠体来形成。而且，如图4所示，电磁波屏蔽用层叠体4包含电磁波屏蔽用构件2与脱模性缓冲构件3。与实施方式A1同样地，所述电磁波屏蔽用构件2包含单层的导电性接着剂层6。导电性接着剂层6通过热压接而与电子零件30及基板20接合来形成电磁波屏蔽层5。在实施方式A1中，所述电磁波屏蔽层5作为电磁波屏蔽构件1发挥功能。

实施方式B1的电磁波屏蔽用构件2如在实施方式A1中所说明那样，也可由两层以上的导电性接着剂层的层叠体形成、或由导电性接着剂层与硬涂层的层叠体形成、或由绝缘性接着剂层与导电性接着剂层的层叠体形成等由其他层的层叠体形成。

在实施方式B1的电磁波屏蔽层5中包含粘合剂树脂与导电性填料。电磁波屏蔽层5中的导电性填料连续地被接触并表现出导电性。就提高电磁波屏蔽性的观点而言，电磁波屏蔽层5的片电阻值优选为1Ω/□以下。

实施方式B1的电磁波屏蔽构件1将其压入弹性模量设为1GPa～10GPa。通过将压入弹性模量设为所述范围，可抑制电磁波屏蔽构件1的相对于应力的局部的微小变形，作为其结果，可有效地抑制电磁波屏蔽构件1的由毛刺产生所引起的损伤。进而，耐PCT性优异，因此可有效地抑制回流焊步骤后的密接性下降。因此，可提供品质高的电子零件搭载基板。

通过将实施方式B1的电磁波屏蔽构件1的压入弹性模量设为1GPa以上，可相对于自切断步骤的切割刀片等切削工具受到的应力抑制电磁波屏蔽构件1的变形，并有效地抑制因制造步骤而产生的电磁波屏蔽构件1的毛刺(参照图23的(i))。再者，本说明书中所述的毛刺是指将电磁波屏蔽构件1的切断面作为基点的电磁波屏蔽构件的卷起。

实施方式B1的电磁波屏蔽构件1的压入弹性模量可通过热压接前的后述的电磁波屏蔽用层叠体4中的电磁波屏蔽用构件2的组合物来调整。更具体而言，可通过用于形成电磁波屏蔽构件1的热压接前的电磁波屏蔽用构件2的组合物中的粘合剂树脂前体的种类、各成分的调配量等来调整。具体而言，存在填料的含量变得越多，压入弹性模量变得越大的倾向。另外，存在通过增加用作粘合剂树脂前体的树脂的官能基数或硬化性化合物的含量，压入弹性模量也变大的倾向。另外，存在粘合剂树脂的硬度越高，压入弹性模量变得越大的倾向。因此，适宜的是使用于形成粘合剂树脂的粘合剂树脂前体的种类、或粘合剂树脂的交联密度变得适当。交联密度可通过树脂及硬化性化合物的种类或官能基数而容易地调整。

再者，压入弹性模量也可认为是表示与由外部应力所引起的材料的变形对应的性质的杨式模数。本说明书的“压入弹性模量”是指通过后述的实施例中记载的测定方法及测定条件所获得的值。

实施方式B1的电磁波屏蔽构件1的压入弹性模量的更优选的范围为超过1.5GPa、且8GPa以下，进而更优选的范围为2GPa以上、7.4GPa以下。

实施方式B1的电磁波屏蔽构件1的膜厚可根据用途而适宜选定。在要求薄型化的用途中，将包覆电子零件的上表面的电磁波屏蔽构件1的厚度T1及厚度T2例如设为10μm～200μm左右。

有时在电子零件30上刻印制品信息。在此情况下，有刻印于电子零件30后形成电磁波屏蔽构件1方法、在电子零件30形成电磁波屏蔽构件1后刻印于电磁波屏蔽构件的方法。在任一种情况下，均一面保持高屏蔽性一面要求所述刻印的良好的可见性。就满足两特性的观点而言，电磁波屏蔽构件的膜厚T1优选为10μm以上，更优选为20μm以上。在后者的刻印方法，即刻印于电磁波屏蔽构件上的情况下，电磁波屏蔽构件的膜厚无上限。另一方面，在前者的刻印方法，即直接刻印于电子零件的情况下，为了保持刻印的可见性，电磁波屏蔽构件的膜厚T1的上限优选为50μm以下，更优选为30μm以下。

实施方式B1的电磁波屏蔽构件1的表层的水接触角优选为设为70°～110°。通过设为所述范围，可更有效地抑制制造步骤时的电磁波屏蔽层的损伤。另外，当自电磁波屏蔽构件1剥下已被填充至形成于电子零件30的半切割槽25的槽状的凹部的脱模性缓冲构件时，可抑制毛刺的产生。电磁波屏蔽构件的水接触角的更优选的范围为75°～105°，进而更优选的范围为80°～100°。可在形成电磁波屏蔽构件的组合物中，通过表面调整剂的添加量来调整电磁波屏蔽构件的水接触角的数值。存在随着电磁波屏蔽构件1的表面调整剂的添加量增加，水接触角的值变大的倾向。

为了使耐压力锅(以下，也称为PCT)试验性变得更优异，优选为将实施方式B1的电磁波屏蔽构件1的马氏硬度设为50N/mm

马氏硬度可通过导电性填料及粘合剂成分的硬度来调整。粘合剂成分的硬度主要取决于热硬化性树脂与硬化性化合物的硬化物的硬度。具体而言，存在马氏硬度因鳞片状粒子的添加而变大的倾向，且存在马氏硬度因球状、树枝状粒子的添加而变低的倾向。另外，存在若导电性填料量变多，则马氏硬度变大的倾向。另外，硬化后的树脂的硬度越高，马氏硬度也变得越硬。

关于制造方法，其后进行叙述，但就提高将电磁波屏蔽用层叠体4热压接于搭载有电子零件30的基板20后，自电磁波屏蔽构件1剥离脱模性缓冲构件时的脱模性的观点而言，优选为将电磁波屏蔽构件1的表层的依据JISB0601：2001所测定的峰度设为8以下。可认为通过设为8以下，电磁波屏蔽构件1的表面形状的尖峰度成为适当的尖峰度，脱模性缓冲构件3与电磁波屏蔽构件1的剥离变得容易。其结果，可有效地抑制脱模性缓冲构件3在电子零件彼此的间隙的半切割槽25破碎而作为残渣残存的现象。再者，在本说明书中，所谓碎片，是指在剥离脱模性缓冲构件时破碎，并残存于作为电子零件的间隙的槽的脱模性缓冲构件。

另外，就提高耐擦伤性的观点而言，优选为将实施方式B1的电磁波屏蔽构件1的峰度设为1以上。通过设为1以上，可提升耐钢丝绒性。电磁波屏蔽构件的峰度的更优选的范围为1.5～6.5，进而更优选的范围为2～4。再者，电磁波屏蔽构件1的表面的峰度的调整方法如实施方式A1中所述那样。

实施方式B1的电磁波屏蔽构件1的表面的均方根高度Rq优选为设为0.4μm～1.6μm的范围，更优选为设为0.5μm～1.5μm，进而更优选为设为0.7μm～1.2μm。在本说明书中，峰度与均方根高度是指通过后述的实施例中记载的方法所求出的值。

＜电子零件搭载基板的制造方法＞

实施方式B1的电磁波屏蔽构件1的制造方法基本上与实施方式A1的电磁波屏蔽构件1的制造方法相同。在步骤(c)中，就提高PCT后的带密接性的观点而言，构成电磁波屏蔽层5的粘合剂树脂优选为构筑有三维交联结构。当在步骤(e)的单片化步骤中进行切割时，有时为了冷却由切割所产生的摩擦热、且冲走由切割所产生的切割屑而进行高压水洗。在实施方式B的电子零件搭载基板51中，将压入弹性模量设为1GPa～10GPa，由此可显著改善由高压水洗的冲击所引起的电磁波屏蔽构件1的剥离。

＜电磁波屏蔽用层叠体＞

实施方式B1的电磁波屏蔽用层叠体如在图4中所说明那样，包含电磁波屏蔽用构件2与脱模性缓冲构件3这两层。在实施方式B1中，电磁波屏蔽用构件2包含单层的导电性接着剂层6。导电性接着剂层6经过热压接步骤而与电子零件30或基板20接合，作为电磁波屏蔽层5发挥功能。

(导电性接着剂层)

导电性接着剂层6是由含有粘合剂树脂前体与导电性填料的树脂组合物形成的层。粘合剂树脂前体至少包含热软化性树脂。热软化性树脂可例示热塑性树脂、热硬化性树脂及光化射线硬化性树脂。热硬化性树脂及光化射线硬化性树脂通常具有反应性官能基。在使用热硬化性树脂的情况下，可并用硬化性化合物或热硬化助剂。另外，在使用光化射线硬化性树脂的情况下，可并用光聚合引发剂、增感剂等。就制造步骤的简便性而言，优选为在热压接时硬化的热硬化型。

另外，也可使用自交联性树脂或相互进行交联的多种树脂。另外，除这些树脂以外，也可混合热塑性树脂。树脂及硬化性化合物等调配成分分别可独立地单独使用、或并用多种。

再者，也可在导电性接着剂层6的阶段形成部分交联来成为B阶段(半硬化的状态)。例如，也可包含热硬化性树脂与硬化性化合物的一部分进行反应而半硬化的状态。

热软化性树脂的适宜例与实施方式A1相同。所述热软化性树脂作为热硬化性树脂，也可具有多个可用于利用加热的交联反应的官能基。官能基的具体例与实施方式A1相同。

硬化性化合物具有可与热硬化性树脂的反应性官能基进行交联的官能基。通过进行交联，可使密接性更牢固，也提升耐水性。硬化性化合物优选为环氧化合物、含有酸酐基的化合物、异氰酸酯化合物、聚碳二酰亚胺化合物、氮丙啶化合物、二氰二胺化合物、芳香族二胺化合物等胺化合物、苯酚酚醛清漆树脂等酚化合物、有机金属化合物等。硬化性化合物也可为树脂。在此情况下，热硬化性树脂与硬化性化合物的区分是将含量多者设为热硬化性树脂，将含量少者设为硬化性化合物来进行区分。

所述环氧化合物是在1分子中具有两个以上的环氧基的化合物。作为环氧化合物的性状，液状及固体状均可。作为环氧化合物，例如优选为缩水甘油醚型环氧化合物、缩水甘油胺型环氧化合物、缩水甘油酯型环氧化合物、环状脂肪族(脂环型)环氧化合物等。

作为缩水甘油醚型环氧化合物，例如可列举：双酚A型环氧化合物、双酚F型环氧化合物、双酚S型环氧化合物、双酚AD型环氧化合物、甲酚酚醛清漆型环氧化合物、苯酚酚醛清漆型环氧化合物、α-萘酚酚醛清漆型环氧化合物、双酚A型酚醛清漆型环氧化合物、二环戊二烯型环氧化合物、四溴双酚A型环氧化合物、溴化苯酚酚醛清漆型环氧化合物、三(缩水甘油氧基苯基)甲烷、四(缩水甘油氧基苯基)乙烷等。

作为缩水甘油胺型环氧化合物，例如可列举：四缩水甘油基二氨基二苯基甲烷、三缩水甘油基对氨基苯酚、三缩水甘油基间氨基苯酚、四缩水甘油基间苯二甲胺等。

作为缩水甘油酯型环氧化合物，例如可列举：邻苯二甲酸二缩水甘油酯、六氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯、四氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯等。

作为环状脂肪族(脂环型)环氧化合物，例如可列举：环氧环己基甲基-环氧环己烷羧酸酯、双(环氧环己基)己二酸酯等。另外，可适宜地使用液状的环氧化合物。

咪唑化合物可列举2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2,4-二甲基咪唑、2-苯基咪唑等咪唑化合物，进而可列举使咪唑化合物与环氧树脂反应而不溶于溶剂的类型、或将咪唑化合物封入微胶囊的类型等改良了保存稳定性的潜伏性硬化促进剂，这些之中，就在导电性接着剂层的热熔融后开始硬化的观点而言，优选为潜伏性硬化促进剂。

硬化性化合物的结构、分子量可对应于用途而适宜设计。就将压入弹性模量调整成1GPa～10GPa的范围，而有效地抑制毛刺的观点而言，优选为使用分子量不同的两种以上的硬化性化合物。通过使用第一硬化性化合物与第二硬化性化合物，也具有提高电磁波屏蔽层的拉伸断裂应变的效果。

相对于热硬化性树脂100质量份，硬化性化合物优选为含有1质量份～70质量份，更优选为3质量份～65质量份，进而更优选为3质量份～60质量份。在并用第一硬化性化合物与第二硬化性化合物的情况下，相对于热硬化性树脂100质量份，第一硬化性化合物优选为含有5质量份～50质量份，更优选为含有10质量份～40质量份，进而更优选为含有20质量份～30质量份。另一方面，相对于热硬化性树脂100质量份，第二硬化性化合物优选为含有0质量份～40质量份，更优选为含有5质量份～30质量份，进而更优选为含有10质量份～20质量份。

热塑性树脂的适宜例与实施方式A1相同。另外，导电性填料可例示金属填料、导电性陶瓷粒子及这些的混合物。金属填料的适宜例与实施方式A1相同。另外，所述镀银铜的银的含量也与实施方式A1相同。进而，在核壳型粒子的情况下，涂层对于芯部的包覆率的适宜范围也与实施方式A1相同。芯部也可为非金属，但就导电性的观点而言，优选为导电性物质，更优选为金属粒子。

作为导电性填料，也可使用电磁波吸收填料，其具体例与实施方式A1相同。

用于导电性接着剂层的导电性填料的形状可例示鳞片状粒子、树枝(dendrite)状粒子、针状粒子、板状粒子、葡萄状粒子、纤维状粒子、球状粒子。就调整峰度的数值的观点而言，优选为含有针状粒子和/或树枝状粒子的导电性填料。此处，所谓针状，是指长径为短径的三倍以上的形状，除所谓的针形状以外，也包含纺锤形状、圆柱形状等。另外，所谓树枝状，是指在利用电子显微镜(500倍～20,000倍)进行观察时，多个分枝自棒状的主轴二维地或三维地延伸的形状。在树枝状中，所述分枝也可弯折、或自分枝进一步延伸出分枝。

另外，通过含有鳞片状粒子作为导电性填料，可提供包覆性优异的电磁波屏蔽构件。此处，鳞片状也包含薄片状、板状。导电性填料只要粒子整体为鳞片状即可，也可为椭圆状、圆状或在微粒子的周围存在切口等。鳞片状粒子存在马氏硬度变大的倾向，球状、树枝状粒子存在马氏硬度变低的倾向。另外，存在若导电性填料量变多，则马氏硬度变大的倾向。另外，硬化后的树脂的硬度越高，马氏硬度也变得越硬。

导电性填料可单独使用、或混合使用。例如可例示：鳞片状粒子与球状粒子的组合；鳞片状粒子与树枝状粒子的组合；鳞片状粒子与针状粒子的组合；鳞片状粒子、树枝状粒子及针状粒子的组合。也可在这些组合中进而并用纳米尺寸的球状粒子。

另外，通过并用树枝状粒子和/或针状粒子，可增多导电性填料彼此的接触点，并提升屏蔽特性。另外，通过并用树枝状粒子和/或针状粒子，可增加与粘合剂成分的接触面积，因此可提供高品质的电磁波屏蔽构件。

在热软化性树脂组合物层的固体成分(100质量％)中，导电性填料的含量优选为40质量％～85质量％，更优选为50质量％～80质量％。

相对于导电性接着剂层中的导电性填料100质量％，优选为含有50质量％以下的针状粒子和/或树枝状粒子。更优选为0.5质量％～40质量％，进而更优选为1质量％～35质量％，特别优选为1质量％～30质量％。通过含有50质量％以下，可提供耐擦伤性更优异的电磁波屏蔽构件。

鳞片状粒子的平均粒径D50优选为2μm～100μm。也可在鳞片状粒子混合纳米尺寸的导电性填料。

针状粒子的平均粒径D50优选为2μm～100μm，更优选为2μm～80μm。进而更优选为3μm～50μm，特别优选为5μm～20μm。树枝状粒子的平均粒径D50的优选的范围也同样地优选为2μm～100μm，更优选为2μm～80μm。进而更优选为3μm～50μm，特别优选为5μm～20μm。鳞片状粒子的平均粒径D50优选为2μm～100μm，更优选为2μm～80μm。进而更优选为3μm～50μm，特别优选为5μm～20μm。通过并用鳞片状粒子与树枝状粒子，而使表面光泽度最优选化，当将文字直接印刷于电磁波屏蔽层时，可提高印字可见性。

平均粒径D50的测定方法等如实施方式A1中所述那样。在构成导电性接着剂层的组合物中，也可含有实施方式A1中所述的添加剂(着色剂、阻燃剂、无机添加剂、润滑剂、抗结块剂等)。各添加剂的具体例与实施方式A1相同。

导电性接着剂层只要是导电性填料通过热压接而连续地接触并具有导电性的层即可，在热压接前的阶段也可不必具有导电性。导电性接着剂层可通过将含有所述导电性填料与粘合剂树脂前体的组合物混合搅拌，涂敷于脱模性基材上后进行干燥而形成。另外，也可通过直接涂敷于脱模性缓冲构件3并进行干燥的方法而形成。

在涂敷导电性接着剂层的涂液后，进行干燥而在脱模性基材上形成导电性接着剂层。干燥步骤优选为进行加热(例如，80℃～120℃)。就调整电磁波屏蔽构件的峰度的观点而言，优选为在涂敷涂液后、加热干燥前，在25℃(室温)、常压下进行1分钟～10分钟的干燥。加热干燥前的25℃(室温)下的干燥时间更优选为2分钟～6分钟。通过在加热干燥前设置在室温下进行干燥的工艺，可调整峰度的值。

使用图9的示意图对涂液的粘度与加热干燥前的25℃下的干燥时间给电磁波屏蔽构件1的峰度带来的影响进行说明。如所述图所示，为了在脱模性基材15上形成导电性接着剂层6而涂布涂液。可获得包含溶剂的干燥途中的导电性接着剂层6P。电磁波屏蔽用层叠体可通过与实施方式A1的电磁波屏蔽用层叠体相同的方法来制造。

[实施方式B2]

继而，对与实施方式B1不同的电子零件搭载基板的例子进行说明。实施方式B2的电子零件搭载基板在电磁波屏蔽构件包含两层的电磁波屏蔽层这一点上，与使用包含单层的电磁波屏蔽层的电磁波屏蔽构件的实施方式B1不同，其他基本的构成及制造方法与实施方式B1相同。而且，除使用实施方式B的电磁波屏蔽构件来代替实施方式A的电磁波屏蔽构件这一点、及另外记载的点以外，基本的构成及制造方法与实施方式A2相同。适宜省略重复的记载。

如图11所示，实施方式B2的电磁波屏蔽构件使用包含电磁波屏蔽用构件2a与脱模性缓冲构件3a的电磁波屏蔽用层叠体4a来形成，所述电磁波屏蔽用构件2a是包含第一导电性接着剂层6a1及第二导电性接着剂层6a2这两层的导电性接着剂层6a。通过将所述电磁波屏蔽用层叠体4a热压接，而将包含第一电磁波屏蔽层与第二电磁波屏蔽层的电磁波屏蔽构件包覆于搭载有电子零件30的基板20上。在作为所述两层的电磁波屏蔽层的层叠体的电磁波屏蔽构件中，将自表层侧进行测定时的压入弹性模量设为1GPa～10GPa。通过包含两层的电磁波屏蔽层，可提高电磁波屏蔽构件的设计自由度。例如，可例示设为电磁波反射层与电磁波吸收层的层叠体的形态。也可层叠三层以上的电磁波屏蔽层。

根据实施方式B2的电子零件搭载基板，通过使用包含两层的电磁波屏蔽层的电磁波屏蔽构件，可获得与实施方式B1相同的效果。另外，通过层叠两层的电磁波屏蔽层，可提高各层的设计自由度，因此具有容易提供对应于需求的电磁波屏蔽构件的优点。

[实施方式B3～实施方式B5]

实施方式B3～实施方式B5的电子零件搭载基板及其制造方法除使用实施方式B的电磁波屏蔽构件(包含实施方式B1、实施方式B2的记载)来代替实施方式A的电磁波屏蔽构件这一点以外，可引用所述实施方式A3～实施方式A5的说明。因此，省略实施方式B3～实施方式B5的电子零件搭载基板及其制造方法的说明。

[[实施方式C]]

以下，对实施方式C的电子零件搭载基板的具体例进行说明。

[实施方式C1]

＜电子零件搭载基板＞

实施方式C1的电子零件搭载基板使用所述实施方式C的电磁波屏蔽构件来代替所述实施方式A的电磁波屏蔽构件。实施方式C1的电子零件搭载基板及其制造方法除实施方式C1的电磁波屏蔽构件及另外记载的点以外，基本的构成及制造方法与实施方式A1相同。因此，适宜省略相同的说明。

作为实施方式C1的电子零件搭载基板的基本构成的适宜例，可例示所述图1～图10中所说明的实施方式A1的电子零件搭载基板的基本构成。以下，使用这些图对实施方式C1的特征部进行说明。

＜电磁波屏蔽构件＞

实施方式C1的电磁波屏蔽构件1如在实施方式A1中所说明那样，通过如下方式来获得：在搭载于基板20上的电子零件30的顶面载置电磁波屏蔽用层叠体后，通过热压接来包覆电子零件30及基板20。电磁波屏蔽构件1的包覆形态与实施方式A1相同，因此省略。

与实施方式A1同样地，实施方式C1的电磁波屏蔽构件1可使用电磁波屏蔽用层叠体来形成。而且，如图4所示，电磁波屏蔽用层叠体4包含电磁波屏蔽用构件2与脱模性缓冲构件3。与实施方式A1同样地，所述电磁波屏蔽用构件2包含单层的导电性接着剂层6。导电性接着剂层6通过热压接而与电子零件30及基板20接合来形成电磁波屏蔽层5。所述电磁波屏蔽层5作为电磁波屏蔽构件1发挥功能。

实施方式C1的电磁波屏蔽用构件2如在实施方式A1中所说明那样，也可由两层以上的导电性接着剂层的层叠体形成、或由导电性接着剂层与硬涂层的层叠体形成、或由绝缘性接着剂层与导电性接着剂层的层叠体形成等由其他层的层叠体形成。

在实施方式C1的电磁波屏蔽层5包含粘合剂树脂与导电性填料。电磁波屏蔽层5中的导电性填料连续地被接触并表现出导电性。就提高电磁波屏蔽性的观点而言，电磁波屏蔽层5的片电阻值优选为1Ω/□以下。

电磁波屏蔽构件1将其表层的依据JISB0601：2001所测定的均方根高度Rq设为0.05μm以上、未满0.3μm。均方根高度Rq是相当于与平均面的距离的标准偏差的参数，相当于高度的标准偏差，将沿着一个轴(x轴)的表面的高度变化设为Z(x)而由以下的数学式(2)表示。L为基准长度。

[数学式3]

本发明人等人反复努力研究的结果，发现作为电磁波屏蔽构件1的表层的接触界面的形状，将均方根高度Rq设为0.05μm以上、未满0.3μm的范围，由此针对冷热循环试验(-50℃～125℃)，可有效地防止电磁波屏蔽构件的裂纹，而可提供包覆性优异的电磁波屏蔽构件。因此，可提供可靠性高的电子零件搭载基板。本实施方式的电子零件搭载基板作为用于如下的电子机器的电子零件搭载基板(例如，搭载于汽车的电子零件搭载基板)特别适合，所述电子零件是在温度差大的严酷的环境下使用的电子零件。

在电子零件搭载基板的制造步骤中，有时进行如下的步骤：经由切割带而将电磁波屏蔽构件固定于切割台，一面维持所述状态一面自基板侧单片化成各制品。在此情况下，在步骤结束后将切割带与电磁波屏蔽构件剥离，但此时，有时在电磁波屏蔽构件与电子零件之间产生浮起(部分的密接不良)或剥离。根据本实施方式的电子零件搭载基板，通过将电磁波屏蔽构件的表层的均方根高度Rq设为0.05μm以上、未满0.3μm，对于所述问题也可发挥优异的效果。

根据本实施方式，具有耐冷热循环性、及单片化步骤后的与电子零件的密接性优异，且包覆性优异的电磁波屏蔽层，因此可提供可靠性高的电子零件搭载基板。

另外，电子零件搭载基板有时进行回流焊步骤等高温处理，但此时，存在电子零件搭载基板内的物质，例如焊料助熔剂的成分附着于电磁波屏蔽构件101上的情况。对于所述问题，通过将实施方式C1的电磁波屏蔽构件的表层的均方根高度Rq设为0.05μm以上、未满0.3μm，也可发挥更优异的效果。即，具有有效地防止电磁波屏蔽构件1上的物质的附着的效果。可认为其原因在于：使电磁波屏蔽构件1的表面的凹凸成为适当的凹凸，可有效地防止焊料助熔剂的成分等物质残留于凹凸面。

就针对所述冷热循环试验实现优异的包覆性的观点而言，实施方式C1的电磁波屏蔽构件的均方根高度Rq的优选的范围为0.05μm～0.29μm，更优选的范围为0.05μm～0.27μm，特别优选的范围为0.05μm～0.25μm。

实施方式C1的电磁波屏蔽构件1的表层的均方根斜率Rdq优选为设为0.05～0.4的范围，更优选为设为0.05～0.37，进而更优选为设为0.1～0.35。在本说明书中，均方根高度Rq与均方根斜率Rdq是依据JISB0601：2001进行测定所获得的值，且是指通过后述的实施例中记载的方法所求出的值。通过将均方根斜率Rdq设为0.05～0.4，可更有效地使防污性与裂纹成为良好。

均方根斜率Rdq是在基准长度中，局部斜率dz/dx的均方根，由以下的数学式(3)表示。

[数学式4]

Rdq可通过利用分析软件对由光学显微镜、激光显微镜、及电子显微镜的任一者所获得的表面形状进行处理来算出。Rdq是表达表面的凹凸的陡峭性的参数。作为表达表面的性状的参数，可使用算术平均高度Ra或最大高度Rz及最大高度Rq，但这些是仅表示凹凸的高度的参数，并不适合正确地表示表面的状态。

Rdq的数值越大，表面凹凸变得越陡峭。即，可通过Rdq的数值来判断表面凹凸陡峭性的程度。

实施方式C1的电磁波屏蔽构件1的表面的均方根高度Rq及均方根斜率Rdq可通过电磁波屏蔽用层叠体4中的电磁波屏蔽用构件2的制造步骤来调整。另外，可通过用于形成电磁波屏蔽构件1的热压接前的电磁波屏蔽用构件的组合物的成分及其调配量来调整。详细情况将后述。再者，本发明人等人反复研究后，已确认通过调配可作为电磁波屏蔽层发挥功能的量的导电性填料，均方根高度Rq及均方根斜率Rdq的值在回流焊处理前后实质上不变动，或即使变动，其变化量也小。已确认通过在后述的实施方式中公开的硬涂层等绝缘层中也调配无机填料，均方根高度Rq及均方根斜率Rdq的值在回流焊处理前后实质上不变动，或即使变动，其变化量也小。

实施方式C1的电磁波屏蔽构件1的表层的水接触角优选为设为90°～130°。通过设为所述范围，可更有效地抑制浮起，且更有效地抑制防污性。电磁波屏蔽构件的水接触角的更优选的范围为95°～125°，进而更优选的范围为100°～120°。可在形成电磁波屏蔽构件的组合物中，通过表面调整剂的添加量来调整电磁波屏蔽构件的水接触角的数值。存在随着电磁波屏蔽构件1的表面调整剂的添加量增加，水接触角的值变大的倾向。

＜电子零件搭载基板的制造方法＞

实施方式C1的电磁波屏蔽构件1的制造方法基本上与实施方式A1的电磁波屏蔽构件1的制造方法相同。将导电性接着剂层6的厚度设为可包覆于电子零件30的顶面及侧面及基板20的露出面，形成电磁波屏蔽层5的厚度。虽然可因使用的粘合剂树脂前体的流动性、或电子零件30间的距离及尺寸而变动，但通常优选为10μm～200μm左右，更优选为15μm～100μm左右，进而更优选为20μm～70μm左右。

在实施方式C1中，对使用切割带将电磁波屏蔽构件1固定于切割台，自基板20侧进行切割剪切的情况进行说明。所述方法适合于将焊球接合于基板20的外侧主面的情况。根据实施方式C1的电磁波屏蔽构件1，通过将电磁波屏蔽构件1的表层的均方根高度Rq设为0.05μm以上、未满0.3μm的范围，即便于在单片化步骤中利用切割带将电磁波屏蔽构件1侧固定的情况下，也可有效地防止电磁波屏蔽构件与电子零件的浮起(部分密接性不良)、剥离，而提供包覆性良好的电子零件搭载基板。

＜电磁波屏蔽用层叠体＞

实施方式C1的电磁波屏蔽用层叠体如在图4中所说明那样，包含电磁波屏蔽用构件2与脱模性缓冲构件3这两层。在实施方式C1中，电磁波屏蔽用构件2包含单层的导电性接着剂层6。导电性接着剂层6经过热压接步骤而与电子零件30或基板20接合，作为电磁波屏蔽层5发挥功能。

(导电性接着剂层)

导电性接着剂层6是由含有粘合剂树脂前体与导电性填料的树脂组合物形成的层。粘合剂树脂前体至少包含热软化性树脂。热软化性树脂可例示热塑性树脂、热硬化性树脂及光化射线硬化性树脂。热硬化性树脂及光化射线硬化性树脂通常具有反应性官能基。在使用热硬化性树脂的情况下，可并用硬化性化合物或热硬化助剂。另外，在使用光化射线硬化性树脂的情况下，可并用光聚合引发剂、增感剂等。就制造步骤的简便性而言，优选为在热压接时硬化的热硬化型。

另外，也可使用自交联性树脂或相互进行交联的多种树脂。另外，除这些树脂以外，也可混合热塑性树脂。树脂及硬化性化合物等调配成分分别可独立地单独使用、或并用多种。

再者，也可在导电性接着剂层6的阶段形成部分交联来成为B阶段(半硬化的状态)。例如，也可包含热硬化性树脂与硬化性化合物的一部分进行反应而半硬化的状态。

热软化性树脂的适宜例与实施方式A1相同。所述热软化性树脂作为热硬化性树脂，也可具有多个可用于利用加热的交联反应的官能基。官能基的具体例与实施方式A1相同。

硬化性化合物的适宜例及适宜的含量等与实施方式A1相同。另外，热塑性树脂的适宜例、粘着赋予树脂的适宜例等与实施方式A1相同。

进而，导电性填料可例示金属填料、导电性陶瓷粒子及这些的混合物，这些的具体例与实施方式A1相同。另外，镀银铜的银的适宜的含量也与实施方式A1相同。进而，在核壳型粒子的情况下，涂层对于芯部的包覆率的适宜范围也与实施方式A1相同。

作为导电性填料，也可使用电磁波吸收填料，作为具体例，可列举与实施方式A1相同的例子。

用于导电性接着剂层的导电性填料的形状可例示鳞片(flake)状粒子、树枝(dendrite)状粒子、针状粒子、板状粒子、葡萄状粒子、纤维状粒子、球状粒子，存在通过提高鳞片状粒子的比率，均方根高度Rq下降的倾向，且存在通过降低鳞片状粒子的比率，均方根高度Rq变高的倾向。就调整所期望的均方根高度Rq及均方根斜率Rdq的数值的观点而言，优选为含有针状粒子和/或树枝状粒子的导电性填料。

导电性填料可单独使用、或混合使用。在并用导电性填料的情况下，就获得所期望的均方根高度Rq，提供可靠性高的电磁波屏蔽构件的观点而言，适宜的是鳞片状粒子与树枝状粒子的组合，鳞片状粒子与针状粒子的组合，鳞片状粒子、树枝状粒子及针状粒子的组合。特别优选为鳞片状粒子与树枝状粒子的组合。此处，鳞片状粒子优选为厚度为0.2μm以下。

在热软化性树脂组合物层的固体成分(100质量％)中，导电性填料的含量优选为40质量％～85质量％，更优选为50质量％～80质量％。

相对于导电性接着剂层中的导电性填料100质量％，优选为将针状粒子和/或树枝状粒子设为30质量％以下。更优选为0.1质量％～20质量％，进而更优选为1质量％～20质量％，特别优选的范围为3质量％～16质量％。将均方根高度Rq调整成0.05μm以上、未满0.3μm的方法有各种方法，并无特别限定。例如，在层叠缓冲构件前，利用辊事先对电磁波屏蔽构件的表层、实施方式C1中导电性接着剂层6的表层进行按压处理，继而，使用缓冲构件的与电磁波屏蔽构件的表层接合的一侧的表面的均方根高度为所期望的Rq的缓冲构件，由此可容易地调整均方根高度Rq。

针状粒子的平均粒径D50优选为1μm～50μm，更优选为2μm～25μm。进而更优选为5μm～15μm。树枝状粒子的平均粒径D50的优选的范围优选为2μm～100μm，更优选为2μm～80μm。进而更优选为3μm～50μm，特别优选为5μm～20μm。鳞片状粒子的平均粒径D50优选为2μm～70μm，更优选为2μm～50μm。进而更优选为3μm～25μm，特别优选为5μm～15μm。

通过并用树枝状粒子和/或针状粒子与鳞片状粒子，可增多导电性填料彼此的接触点，并提升屏蔽特性。另外，通过并用树枝状粒子和/或针状粒子，可增加与粘合剂成分的接触面积，而提供可靠性高的电磁波屏蔽构件。

在构成导电性接着剂层的组合物中，也可含有着色剂、阻燃剂、无机添加剂、润滑剂、抗结块剂等。这些的具体例与实施方式A1相同。

导电性接着剂层只要是导电性填料通过热压接而连续地接触并具有导电性的层即可，在热压接前的阶段也可不必具有导电性。导电性接着剂层可通过将含有所述导电性填料与粘合剂树脂前体的组合物混合搅拌，涂敷于脱模性基材上后进行干燥而形成。另外，也可通过直接涂敷于脱模性缓冲构件3并进行干燥的方法而形成。

在涂敷导电性接着剂层的涂液后，进行干燥而在脱模性基材上形成导电性接着剂层。干燥步骤优选为进行加热(例如，80℃～120℃)。为了调整电磁波屏蔽构件的均方根高度Rq，优选为在涂敷涂液后、加热干燥前，在25℃(室温)、常压下进行1分钟～17分钟的干燥。加热干燥前的25℃(室温)下的干燥时间更优选为2分钟～14分钟。通过在加热干燥前设置在室温下进行干燥的工艺，可调整均方根高度Rq的值。

继而，对涂液的粘度与加热干燥前的25℃下的干燥时间给电磁波屏蔽构件1的均方根高度Rq及均方根斜率Rdq带来的影响进行说明。为了在脱模性基材上形成导电性接着剂层而涂布涂液。可获得包含溶剂的干燥途中的导电性接着剂层。

针对加热途中的导电性接着剂层，将25℃下的干燥时间设定得长，由此有意地延长溶剂的蒸发速度慢的状态，由此可促进粘合剂树脂前体的朝下方的下沉。另一方面，将25℃下的干燥时间设定得短，由此抑制粘合剂树脂前体的朝下方的下沉，在所述阶段进行加热干燥，由此导电性填料容易立起。另外，容易产生伴随溶剂的蒸发的发泡，成为表面皲裂的倾向。再者，25℃的温度设定为一例，当然可适宜设定。

所述涂液的固体成分优选为设为20％～30％。另外，为了调整电磁波屏蔽构件的均方根高度Rq，优选为将所述涂液的通过B型粘度计所测定的涂液粘度设为600MPa·s～1800MPa·s的范围。进而，为了调整电磁波屏蔽构件的均方根高度Rq，优选为将所述涂液的触变指数设为1.2～1.5。

均方根高度Rq及均方根斜率Rdq的值也根据用于形成导电性接着剂层的涂液的粘度而变化。存在涂液的粘度高会抑制导电性填料的流动性的倾向。因此，在粘度高的情况下，存在导电性填料不进行取向而成为无规的倾向。另一方面，在粘度低的情况下，存在鳞片状粒子以主面大概与基板面相向的方式进行取向的倾向。另外，若缩短25℃下的干燥时间来进行加热干燥，则在粘度高时存在由发泡所引起的表面皲裂变大的倾向，在粘度低时成为导电性填料容易在纵向上移动的倾向。如此，通过调整涂液的粘度及25℃下的干燥时间，可调整均方根高度Rq。

另外，电磁波屏蔽构件1的均方根高度Rq及均方根斜率Rdq也可通过树枝状粒子和/或针状粒子的粒径来调整。对树枝状粒子和/或针状粒子的粒径给电磁波屏蔽构件1的均方根高度Rq及均方根斜率Rdq带来的影响进行说明。为了在脱模性基材上形成导电性接着剂层6而涂布涂液，由此可获得干燥途中的导电性接着剂层。存在若作为导电性填料的一种的树枝状粒子的平均粒径D50小，则均方根高度Rq及均方根斜率Rdq的值下降的倾向，相反地，存在若树枝状粒子的平均粒径D50大，则均方根高度Rq及均方根斜率Rdq的值变大的倾向。另外，均方根斜率Rdq依存于针状粒子的形状。若针状粒子的粒径D50大，则Rdq变大。另外，若针状粒子的粒径D50小，则Rdq变小。

电磁波屏蔽构件1的均方根高度Rq及均方根斜率Rdq除利用所述工艺的调整方法以外，可通过在形成热压接前的电磁波屏蔽用构件2的组合物中，调整鳞片状的导电性填料与针状和/或树枝状的导电性填料的添加量比来调整。另外，电磁波屏蔽构件1的均方根高度Rq也可通过导电性填料的平均粒径D50及平均粒径D90来调整。

在实施方式C1中，电磁波屏蔽用构件2包含单层的导电性接着剂层6，因此将脱模性缓冲构件3接合于所述导电性接着剂层6上。接合方法有利用层叠的方法等。

脱模性基材是一面或两面具有脱模性的基材，且为150℃下的拉伸断裂应变未满50％的片材。脱模性基材的具体例等与实施方式A1相同。

另外，脱模性缓冲构件也可引用实施方式A1的记载。

[实施方式C2]

继而，对与实施方式C1不同的电子零件搭载基板的例子进行说明。实施方式C2的电子零件搭载基板在电磁波屏蔽构件包含两层的电磁波屏蔽层这一点上，与使用包含单层的电磁波屏蔽层的电磁波屏蔽构件的实施方式C1不同，其他基本的构成及制造方法与实施方式C1相同。而且，除使用实施方式C的电磁波屏蔽构件来代替实施方式A的电磁波屏蔽构件这一点、及另外记载的点以外，基本的构成及制造方法与实施方式A2相同。适宜省略重复的记载。

如图11所示，实施方式C2的电磁波屏蔽构件使用包含电磁波屏蔽用构件2a与脱模性缓冲构件3a的电磁波屏蔽用层叠体4a来形成，所述电磁波屏蔽用构件2a是包含第一导电性接着剂层6a1及第二导电性接着剂层6a2这两层的导电性接着剂层6a。通过将所述电磁波屏蔽用层叠体4a热压接，而将包含第一电磁波屏蔽层与第二电磁波屏蔽层的电磁波屏蔽构件包覆于搭载有电子零件30的基板20上。上层的第二导电性接着剂层6a2通过与实施方式C1相同的组成或步骤来制造，下层的第一导电性接着剂层6a1不受均方根高度Rq的范围限定，可设为对应于需求的设计。例如，可设为使用纤维状粒子、球状粒子等填料作为第一导电性接着剂层6a1中所含有的导电性填料的层。另外，也可设为将第一导电性接着剂层6a1作为异方导电性接着剂层，将第二导电性接着剂层6a2作为等方导电性接着剂层等的设计。另外，设为电磁波反射层与电磁波吸收层的层叠体的形态也优选。也可层叠三层以上的电磁波屏蔽层。

根据实施方式C2的电子零件搭载基板，通过使用包含两层的电磁波屏蔽层的电磁波屏蔽构件，可获得与实施方式C1相同的效果。另外，通过层叠两层的电磁波屏蔽层，可提高各层的设计自由度，因此具有容易提供对应于需求的电磁波屏蔽构件的优点。

[实施方式C3]

实施方式C3的电子零件搭载基板在电磁波屏蔽构件包含电磁波屏蔽层与硬涂层的层叠体这一点上，与使用包含单层的电磁波屏蔽层的电磁波屏蔽构件的实施方式C1不同，其他基本的构成及制造方法相同。

如图12所示，实施方式C3的电磁波屏蔽构件使用包含电磁波屏蔽用构件2b及脱模性缓冲构件3b的电磁波屏蔽用层叠体4b来形成，所述电磁波屏蔽用构件2b是一层的导电性接着剂层6b与绝缘性树脂层7b的层叠体。通过将所述电磁波屏蔽用层叠体4b热压接，可在搭载有电子零件的基板上获得包含由导电性接着剂层6b形成的电磁波屏蔽层、及由绝缘性树脂层7b形成的硬涂层的电磁波屏蔽构件。实施方式C3的电磁波屏蔽构件将自硬涂层侧进行测定时的均方根高度Rq设为0.05μm以上、未满0.3μm。

绝缘性树脂层7b是由含有粘合剂树脂前体与无机填料的树脂组合物形成的层。粘合剂树脂前体至少包含热软化性树脂。粘合剂树脂前体的例示及适宜例与实施方式A1中所述的电磁波屏蔽用构件的导电性接着剂层的组成相同。导电性接着剂层与绝缘性树脂层的粘合剂树脂前体可相同，也可不同。

无机填料与实施方式C1的导电性接着剂层不同，不具有导电性，但优选的无机填料的特性，例如形状、调配量、D50、D90等与导电性填料中所列举的例子相同。作为无机填料，例如可列举：二氧化硅(熔融二氧化硅、结晶性二氧化硅、非晶性二氧化硅)、氧化铍、氧化铝、氢氧化镁、硫酸钡、碳酸钙、氧化钛、氧化锌、三氧化锑、氧化锑、氧化镁、滑石、高岭石、云母、碱式碳酸镁、绢云母、蒙脱石、高岭石、膨土、高岭石、黏土、水滑石、硅灰石、硬硅钙石、氮化硅、氮化硼、氮化铝、磷酸氢钙、磷酸钙、玻璃鳞片、水合玻璃、钛酸钙、海泡石、硫酸镁、氢氧化铝、氢氧化锆、氢氧化钡、氢氧化钙、氧化钙、氧化锡、氧化铝、氧化锆、氧化钼、氧化镍、碳酸锌、碳酸镁、碳酸钡、硼酸锌、硼酸铝、硅酸钙、碳化硅、碳化钛、金刚石、石墨、石墨烯等无机化合物。

通过使用导热性填料作为无机填料，也可使硬涂层作为导热层发挥功能。可对应于用途，用作硬涂层、导热层(例如散热层)、或具有两者的功能的层。

用于绝缘性树脂层的粘合剂树脂前体的优选的调配成分及调配量的适宜例与实施方式C1的导电性接着剂层相同。另外，用于绝缘性树脂层的无机填料的优选的形状、优选的平均粒径D50等与实施方式C1的导电性填料相同。另外，可应用于热软化性树脂组合物、及热软化性树脂组合物层的添加剂可引用实施方式1C的记载。

根据实施方式C1的电子零件搭载基板，通过使用具有硬涂层的电磁波屏蔽构件，可提供除实施方式C1中所述的效果以外，因利用硬涂层包覆电磁波屏蔽层而具有更优异的耐久性的电磁波屏蔽构件。

[实施方式C4、实施方式C5]

实施方式C4及实施方式C5的电子零件搭载基板除使用实施方式C的电磁波屏蔽构件来代替实施方式A的电磁波屏蔽构这一点以外，可引用所述实施方式A4、实施方式A5的说明。

＜变形例＞

继而，对本实施方式的电子零件搭载基板等的变形例进行说明。但是，本发明并不限定于所述实施方式及变形例，只要与本发明的主旨一致，则其他实施方式也可属于本发明的范畴。另外，各实施方式及变形例可相互适宜地组合。

在实施方式A4、实施方式A5、实施方式B4、实施方式B5、实施方式C4、实施方式C5中，对使用包含绝缘性接着剂层、导电性接着剂层及脱模性缓冲构件的层叠体的电磁波屏蔽用层叠体的例子进行了说明，但也可如以下那样制造。即，在如图16A所示那样搭载有多个电子零件30的基板20上，首先如图16B所示那样形成绝缘包覆层9e。所述绝缘包覆层9e通过将包含绝缘性接着剂层的片材热压而获得。其后，通过使用包含导电性接着剂层6e及脱模性缓冲构件3e的层叠体的电磁波屏蔽用层叠体4e来形成电磁波屏蔽层5e(图16C、16D)。经过这些步骤，可获得形成有电磁波屏蔽构件的电子零件搭载基板55。再者，绝缘包覆层9e可例示涂布溶液树脂的方法及喷射溶液树脂的方法来代替将片材热压的方法。

在所述实施方式中，作为零件的一例，以电子零件为例进行了说明，但可将本发明应用于想要远离电磁波的所有零件。另外，零件的形状并不限定于矩形状，也包含角部为R形状的零件、零件的上表面与侧面形成的角度为锐角的零件、零件的上表面与侧面形成的角度为钝角的零件。另外，也包含在上表面具有凹凸形状的零件、电子零件的外表面成为球状等曲面的情况。另外，在所述实施方式中，在基板20形成有半切割槽25(参照图2)，但半切割槽25并非必需，也可将电磁波屏蔽构件载置并包覆于平坦的基板。此外，本发明的电子零件搭载基板例如也包含如下的情况：将对基板20进行全切割来单片化而成的搭载有电子零件的电子零件搭载基板载置于其他保持基材等。

另外，电磁波屏蔽用层叠体并不限定于所述实施方式的层叠形态。例如，也可在脱模性缓冲构件上层叠支撑基板。通过层叠支撑基板，可简易地防止热压接时的装置的污染。另外，通过支撑基板，具有电磁波屏蔽用层叠体的粘附步骤变得容易的优点。另外，电子零件不仅搭载于基板的一面，也可搭载于两面，而在各电子零件形成电磁波屏蔽构件。

根据本实施方式的电子零件搭载基板，对于凹凸结构的包覆性优异，因此可适宜地应用于个人计算机、移动设备或数字照相机等各种电子机器。

《实施例》

以下，通过实施例来更详细地说明本发明，但本发明并不限定于以下的实施例。另外，实施例中的“份”表示“质量份”，“％”表示“质量％”。另外，本发明中记载的值通过以下的方法来求出。

[[实施方式A]]

(试验基板1)

准备将经模压密封的电子零件(1cm×1cm)呈5×5个阵列状地搭载于包含环氧玻璃的基板上而成的基板。基板的厚度为0.3mm，模压密封厚度，即自基板上表面至模压密封材料的顶面为止的高度(零件高度)H为0.7mm。其后，紧跟作为零件彼此的间隙的槽进行半切割，而获得试验基板(参照图17)。将半切割槽深度设为0.8mm(基板20的切割槽深度为0.1mm)，将半切割槽宽度设为200μm。

(试验基板2、试验基板3)

除将半切割槽宽度变更成150μm以外，通过与试验基板1相同的方法来制作试验基板2。另外，除将半切割槽宽度变更成150μm，且将槽深度变更成1000μm以外，通过与试验基板相同的方法来制作试验基板3。

以下表示实施例中使用的材料。

·粘合剂树脂前体

树脂1：聚碳酸酯树脂(东洋化学(Toyochem)公司制造)

树脂2：苯氧基树脂(东洋化学公司制造)

硬化性化合物1：德科纳尔(Denacol)EX830(长濑化成(Nagase chemteX)公司制造)

硬化性化合物2：jERYX8000(三菱化学(Mitsubishi Chemical)公司制造)

硬化性化合物3：jER157S70(三菱化学公司制造)

·硬化促进剂：PZ-33(日本催化剂公司制造)

·导电性填料1：鳞片状银(平均粒径D50：11μm)(福田金属公司制造)

·导电性填料2：针状镀银铜(平均粒径D50：7.5μm)(福田金属公司制造)

·添加剂1：BYK322(毕克化学(BYK Chemie)公司制造)

·添加剂2：BYK337(毕克化学公司制造)

[实施例A1]

(导电性接着剂层的树脂组合物的制备)

如表1所示，将作为粘合剂树脂前体的20份(固体成分)的树脂1(聚碳酸酯树脂)、80份(固体成分)的树脂4(苯氧基树脂)、20份的硬化性化合物1(环氧树脂)、15份的硬化性化合物2(环氧树脂)、10份的硬化性化合物3(环氧树脂)，以及320份的导电性填料1(鳞片状银)，5份的导电性填料2(针状镀银铜)，1份的硬化促进剂，0.4份的添加剂1加入容器，以固体成分浓度成为25质量％的方式添加甲苯：异丙醇(质量比2：1)的混合溶剂，利用分散器搅拌10分钟，由此获得用于形成导电性接着剂层的树脂组合物。

(电磁波屏蔽用层叠体的制作)

使用刮刀，将所述树脂组合物以干燥厚度成为50μm的方式涂敷于脱模性基材。而且，在25℃下进行14分钟常温干燥后，在100℃下进行2分钟干燥，由此获得电磁波屏蔽用构件(导电性接着剂层)。其后，准备脱模性缓冲构件(CR1040，利用聚甲基戊烯夹入软质树脂层的两面的层构成(厚度150μm)，三井化学东赛璐(Mitsui Chemicals Tohcello)公司制造)，与电磁波屏蔽用构件进行层叠，由此在脱模性基材上获得实施例A1的电磁波屏蔽用层叠体。

[实施例A2～实施例A5、参考例A1]

除变更成表1的记载的组成以外，以与实施例A1相同的方式获得导电性接着剂层的树脂组合物、电磁波屏蔽用层叠体。

[实施例A6～实施例A10、参考例A2]

除变更成表1的记载的组成，并以固体成分浓度成为29质量％的方式添加甲苯：异丙醇(质量比2：1)的混合溶剂以外，以与实施例A1相同的方式获得导电性接着剂层的树脂组合物、电磁波屏蔽用层叠体。

＜峰度＞

准备实施例A1～实施例A10、参考例A1、参考例A2的电磁波屏蔽用层叠体，将其载置于厚度300μm的FR4基板，在170℃下，以8MPa的条件自脱模性缓冲构件侧朝面方向进行5分钟加热压接。其后剥下脱模性缓冲构件，在180℃下进行2小时的加热。其后，剥离脱模性缓冲构件而获得形成有电磁波屏蔽构件的试验片。

在所述试验片中，对剥离脱模性缓冲构件后的电磁波屏蔽构件的表面实施金属溅射处理。金属溅射处理条件是使用日本电子股份有限公司制溅射装置“智能涂布机(SmartCoater)”，将金用作靶材，将靶材与样品表面的间隔距离设为2cm，进行0.5分钟溅射。针对所获得的试样的金属溅射处理面，依据JISB0601：2001，使用激光显微镜(基恩斯(Keyence)(股份)公司制造(VK-X100))来求出峰度。测定条件是在形状测定模式中，将测定倍率设为1000倍来获取表面形状。针对所获得的表面形状图像，在分析应用软件的表面粗糙度测定中，选择全区域并将λs轮廓曲线滤波器设为2.5μm，将λc轮廓曲线滤波器设为0.8mm来测定峰度。在不同的5处进行所述测定，将测定值的平均值作为峰度的值。

再者，在电磁波屏蔽构件的峰度的测定中，当测定实际包覆于电子零件搭载基板上的电磁波屏蔽构件时，只要直接测定包覆于电子零件基板上的电磁波屏蔽构件即可。

＜涂液的粘度及触变指数＞

将所获得的导电性树脂组合物在25℃的水浴中静置30分钟后，利用“B型粘度计”(东机产业股份有限公司制造)测定转速6rpm的粘度(v1)及转速60rpm的粘度(v2)。将使(v1)除以(v2)所得的值作为触变指数。

＜热压接后的脱模性缓冲构件的半切割槽的剥离性评估＞

分别针对试验基板1～试验基板3，在8MPa、170℃的条件下，将各实施例及参考例的电磁波屏蔽用层叠体分别热压接5分钟，然后用手剥离脱模性缓冲构件。而且，以目视确认在电子零件彼此的间隙的槽破碎而残留的脱模性缓冲构件的残渣个数。评估基准如下所述。

+++：未看到残渣。

++：残渣为一个以上，未满三个。

+：残渣为三个以上，未满五个。

NG：残渣为五个以上、或在整个槽中残留有残渣的状态。

＜耐钢丝绒性＞

将切割成5cm×15cm的各实施例及参考例的电磁波屏蔽用层叠体分别载置于厚度125μm的聚酰亚胺膜(东丽·杜邦公司制造“卡普顿(Kapton)500H”)，在180℃下以2MPa的条件进行10分钟热压，然后在180℃下进行2小时固化，由此获得试验基板。其后，将脱模性缓冲构件剥离。继而，将电磁波屏蔽构件设置于学振式磨耗试验机(检测机产业(TesterSangyo)公司制造)，在负荷200gf、冲程120mm、往返速度30次/min的条件下，求出电磁波屏蔽构件磨耗直至聚酰亚胺膜露出为止的学振次数。评估基准如下所述。

+++：20,000次以上。

++：10,000次以上、未满20,000次。

+：5,000次以上、未满10,000次(实用水平)。

NG：未满5,000次。

将实施例A1～实施例A10及参考例A1、参考例A2的所述评估结果示于表1。

[表1]

如表1的例子所示，使用峰度未满1的参考例A1的电磁波屏蔽构件的电子零件搭载基板的耐钢丝绒性未达到合格水平。相对于此，已确认本发明的电子零件搭载基板的电磁波屏蔽性构件均达到合格水平，耐钢丝绒性优异。另外，峰度超过8的参考例A2的电磁波屏蔽构件的槽部的剥离性未达到合格水平。相对于此，已确认本发明的电子零件搭载基板的电磁波屏蔽性构件的热压接后的脱模性缓冲构件的槽部的剥离性均优异。

[[实施方式B]]

(试验基板)

通过与实施方式A的试验基板1相同的制作方法来获得实施方式B的试验基板。

以下表示实施例中使用的材料。

·粘合剂树脂前体

树脂1：氨基甲酸酯树脂(东洋化学公司制造)

树脂2：聚碳酸酯树脂(东洋化学公司制造)

树脂3：苯乙烯弹性体树脂(东洋化学公司制造)

树脂4：苯氧基树脂(东洋化学公司制造)

硬化性化合物1：德科纳尔(Denacol)EX830(长濑化成公司制造)

硬化性化合物2：jERYX8000(三菱化学公司制造)

硬化性化合物3：jER157S70(三菱化学公司制造)

·硬化促进剂：PZ-33(日本催化剂公司制造)

·导电性填料

导电性填料1：鳞片状银(平均粒径D50：11μm)(福田金属公司制造)

导电性填料2：针状镀银铜(平均粒径D50：7.5μm)(福田金属公司制造)

·添加剂

添加剂1：BYK322(毕克化学公司制造)

添加剂2：BYK337(毕克化学公司制造)

[实施例B1]

(导电性接着剂层的树脂组合物的制备)

如表2所示，将作为粘合剂树脂前体的70份(固体成分)的树脂1(氨基甲酸酯树脂)、30份(固体成分)的树脂2(聚碳酸酯树脂)、30份的硬化性化合物1(环氧树脂)、15份的硬化性化合物2(环氧树脂)，以及280份的导电性填料1(鳞片状银)，50份的导电性填料2(针状镀银铜)，1份的硬化促进剂，0.4份的添加剂1加入容器，以固体成分浓度成为35质量％的方式添加甲苯：异丙醇(质量比2：1)的混合溶剂，利用分散器搅拌10分钟，由此获得用于形成导电性接着剂层的树脂组合物。

(电磁波屏蔽用层叠体的制作)

使用刮刀，将所述树脂组合物以干燥厚度成为50μm的方式涂敷于脱模性基材。而且，在25℃下进行12分钟常温干燥后，在100℃下进行2分钟干燥，由此获得电磁波屏蔽用构件(导电性接着剂层)。其后，准备脱模性缓冲构件(CR1040，利用聚甲基戊烯夹入软质树脂层的两面的层构成(厚度150μm)，三井化学东赛璐公司制造)，与电磁波屏蔽用构件进行层叠，由此在脱模性基材上获得实施例B1的电磁波屏蔽用层叠体。

(电子零件搭载基板的试验片的制作)

继而，将所述脱模性基材上的电磁波屏蔽用层叠体切割成10cm×10cm，剥离脱模性基材后，以电磁波屏蔽用层叠体的导电性接着剂层面侧进行接触的方式，将所述电磁波屏蔽用层叠体载置并暂时粘附于所述试验基板(参照图17)。而且，在2MPa、180℃的条件下，自所述电磁波屏蔽用层叠体的上方对基板面进行2小时热压接。热压接后，将脱模性缓冲构件剥离，由此获得包覆有电磁波屏蔽构件的实施例1的电子零件搭载基板(试验片)。

[实施例B2～实施例B19、参考例B1、参考例B2]

除变更成表2、表3的记载的组成以外，以与实施例B1相同的方式获得各实施例及参考例的导电性接着剂层的树脂组合物、电磁波屏蔽用层叠体及电子零件搭载基板的试验片。

＜压入弹性模量＞

准备实施例B1～实施例B19、参考例B1、参考例B2的电磁波屏蔽用层叠体，将其载置于厚度300μm的FR4基板，在180℃下，以2MPa的条件自脱模性缓冲构件侧朝面方向进行2小时的加热。其后，剥离脱模性缓冲构件而获得形成有电磁波屏蔽构件的FR4基板的试验片。而且，通过以下的方法，自层叠有脱模性缓冲构件的一侧对压入弹性模量进行测定。

即，使用菲希尔示波器(Fischerscope)H100C(菲希尔仪器(FischerInstruments)公司制造)型硬度计，利用维氏压头(100φ的前端为球形的金刚石压头)，在25℃的恒温室内以试验力0.3N、试验力的保持时间20秒、试验力的附加所需时间5秒来进行测定。将随机地在5处对电磁波屏蔽构件的同一膜面重复测定所获得的值加以平均，而求出压入弹性模量。

再者，在电磁波屏蔽构件的压入弹性模量的测定中，也可测定实际包覆于电子零件搭载基板上的电磁波屏蔽构件。在此情况下，使维氏压头直接接触包覆于电子零件基板上的电磁波屏蔽构件来进行测定。在后述的峰度及水接触角中，也能够以相同的要领进行实际包覆于电子零件搭载基板上的电磁波屏蔽构件的测定。

＜峰度＞

通过与实施方式A中所说明的方法相同的方法来获得FR4基板的试验基板，并利用相同的方法来求出峰度。

＜水接触角＞

针对以与压入弹性模量的测定试样相同的方式制作的FR4基板的试验片，使用协和界面科学(股份)制造的“自动接触角计DM-501/分析软件FAMAS”对电磁波屏蔽层的表面测定电磁波屏蔽构件的水接触角。测定通过液适法来进行。

＜马氏硬度的测定＞

准备各实施例及参考例的电子零件搭载基板的试验片，依据国际标准化组织(International Organization for Standardization，ISO)14577-1，利用菲希尔示波器(Fischerscope)H100C(菲希尔仪器公司制造)型硬度计来测定马氏硬度。测定是针对电子零件30上的上表面，利用维氏压头(100φ的前端为球形的金刚石压头)，在25℃的恒温室内以试验力0.3N、试验力的保持时间20秒、试验力的附加所需时间5秒的条件来进行。将随机地在10处对同一硬化膜面重复测定所获得的值的平均值作为马氏硬度。再者，试验力对应于电磁波屏蔽层的厚度来调整。具体而言，以最大压入深度成为电磁波屏蔽构件的厚度的十分之一左右的方式调整试验力。

＜涂液的粘度及触变指数＞

通过与实施方式A中所说明的方法相同的方法，测定转速6rpm的粘度(v1)及转速60rpm的粘度(v2)。另外，通过相同的方法来求出触变指数。

＜全切割时的毛刺＞

在8Mpa、170℃的条件下，将各实施例及参考例的电磁波屏蔽用层叠体热压接于所述试验基板(呈5×5个阵列状地搭载有电子零件的基板)5分钟，然后用手剥离脱模性缓冲构件。其后，在180℃下进行2小时固化，由此获得包覆有电磁波屏蔽构件的试验样品。针对所获得的试验样品，使用激光显微镜，按以下的基准评估进行了单片化步骤(全切割)时的毛刺的产生状况。

+++：未确认到毛刺。

++：在25个经单片化的电子零件中，毛刺的产生未满两个。

+：在25个经单片化的电子零件中，毛刺的产生为两个以上、未满五个。

NG：在25个经单片化的电子零件中，毛刺的产生为五个以上。

＜带密接性＞

将切割成5cm×5cm的各实施例及参考例的电磁波屏蔽用层叠体分别载置于厚度300μm的FR4基板，在170℃下以8MPa的条件进行5分钟热压，然后在180℃下进行2小时固化，由此获得试验基板。继而，将脱模性缓冲构件剥离。其后，对所获得的试验基板实施130℃、湿度85％、0.23MPa的压力锅试验。将试验时间设为96小时，粘着带使用宽度18mm的米其邦(Nichiban)制造的粘着带。而且，依据JISK5600，使用横切引导件，在电磁波屏蔽构件制作25个间隔为1mm的栅格。其后，使粘着带压接于电磁波屏蔽构件的栅格部，以45°的角度一口气剥下带的端部来进行带密接试验。以下述的基准来判断电磁波屏蔽构件的栅格的状态(横切残存率)。

+++：表现出25/25的残存率。

++：表现出24/25的残存率。

+：表现出23/25的残存率。

NG：未满23/25的残存率。

＜热压接后的脱模性缓冲构件的半切割槽的剥离性评估＞

针对所述试验基板(半切割槽深度800μm，槽宽度200μm)，在8MPa、170℃的条件下，将各实施例及参考例的电磁波屏蔽用层叠体分别热压接5分钟，然后用手剥离脱模性缓冲构件。而且，以目视确认在电子零件彼此的间隙的槽破碎而残留的脱模性缓冲构件的残渣个数。评估基准如下所述。

+++：未看到残渣。

++：残渣为一个以上，未满三个。

+：残渣为三个以上，未满五个。

NG：残渣为五个以上、或在整个槽中残留有残渣的状态。

＜耐钢丝绒性＞

通过与实施方式A中所说明的方法相同的方法来获得试验基板，并利用相同的测定方法评估耐钢丝绒性。将评估基准也设为相同。

将实施例B1～实施例B19及参考例B1、参考例B2的所述评估结果示于表2、表3。

[表2]

[表3]

如表2、表3的例子所示，使用压入弹性模量未满1的参考例B1的电磁波屏蔽构件的电子零件搭载基板的全切割时的毛刺未达到合格水平。相对于此，可确认本发明的电子零件搭载基板的电磁波屏蔽性构件均达到合格水平，可抑制毛刺的产生。另外，使用压入弹性模量超过10GPa的参考例B2的电磁波屏蔽构件的电子零件搭载基板的PCT试验后的带密接性未达到合格水平。相对于此，已确认本发明的电子零件搭载基板的电磁波屏蔽性构件的PCT试验后的带密接性均为合格水平，耐PCT性优异。

图22中表示利用显微镜观察实施例B3的单片化后的电子零件搭载基板的侧面的图像。如所述图所示，未看到毛刺。另一方面，图23中表示利用显微镜观察实施例B1的单片化后的电子零件搭载基板的侧面的图像。如所述图所示，可看到毛刺的产生。

[[实施方式C]]

(试验基板1)

通过与实施方式A的试验基板1的制作方法相同的方法来获得试验基板。

以下表示实施例中使用的材料。

·粘合剂树脂前体

热硬化性树脂1：聚碳酸酯树脂(东洋化学公司制造)

热硬化性树脂2：苯氧基树脂(东洋化学公司制造)

硬化性化合物1：德科纳尔(Denacol)EX830(长濑化成公司制造)

硬化性化合物2：jERYX8000(三菱化学公司制造)

硬化性化合物3：jER157S70(三菱化学公司制造)

·硬化促进剂：PZ-33

·导电性填料1：鳞片状银(平均粒径D50：9.5μm，D90＝19μm，厚度0.1μm)

·导电性填料2：树枝状镀银铜(平均粒径D50：7.1μm，D90＝15.1μm)

·添加剂1：BYK337

[实施例C1]

(导电性接着剂层的树脂组合物的制备)

如表4所示，将作为粘合剂树脂前体的20份(固体成分)的热硬化性树脂1(聚碳酸酯树脂)、80份(固体成分)的热硬化性树脂2(苯氧基树脂)、20份的硬化性化合物1(环氧树脂)、15份的硬化性化合物2(环氧树脂)、10份的硬化性化合物3(环氧树脂)，以及365份的导电性填料1(鳞片状银)，5份的导电性填料2(树枝状镀银铜)，1份的硬化促进剂加入容器，以固体成分浓度成为23质量％的方式添加甲苯：异丙醇(质量比2：1)的混合溶剂，利用分散器搅拌10分钟，由此获得用于形成导电性接着剂层的树脂组合物。

(电磁波屏蔽用层叠体的制作)

通过与实施方式A相同的方法来获得实施例C1的电磁波屏蔽用层叠体。

(电子零件搭载基板的试验片的制作)

继而，将所述脱模性基材上的电磁波屏蔽用层叠体切割成10cm×10cm，剥离脱模性基材后，以电磁波屏蔽用层叠体的导电性接着剂层面侧进行接触的方式，将所述电磁波屏蔽用层叠体载置并暂时粘附于所述试验基板(参照图17)。而且，在2MPa、180℃的条件下，自所述电磁波屏蔽用层叠体的上方对基板面进行2小时热压接。热压接后，将脱模性缓冲构件剥离，由此获得包覆有电磁波屏蔽构件的实施例C1的电子零件搭载基板(试验片)。

[实施例C2～实施例C9、参考例C1]

除变更成表4的记载的组成以外，以与实施例C1相同的方式获得导电性接着剂层的树脂组合物、电磁波屏蔽用层叠体。

＜均方根高度Rq＞

准备实施例C1～实施例C9、参考例C1的电磁波屏蔽用层叠体，将其载置于厚度300μm的FR4基板，在170℃下，以8MPa的条件自脱模性缓冲构件侧朝面方向进行5分钟加热压接。其后，剥下脱模性缓冲构件并在180℃下进行2小时的加热，而获得形成有电磁波屏蔽构件的试验片。

在所述试验片中，对剥离脱模性缓冲构件后的电磁波屏蔽构件的表面实施金属溅射处理。金属溅射处理条件是使用日本电子股份有限公司制溅射装置“智能涂布机(SmartCoater)”，将金用作靶材，将靶材与样品表面的间隔距离设为2cm，进行0.5分钟溅射。针对所获得的试样的金属溅射处理面，依据JISB0601：2001，使用激光显微镜(基恩斯(股份)公司制造(VK-X100))来求出均方根高度Rq。测定条件是在形状测定模式中，将测定倍率设为1000倍来获取表面形状。针对所获得的表面形状图像，在分析应用软件的表面粗糙度测定中，选择全区域并将λs轮廓曲线滤波器设为2.5μm，将λc轮廓曲线滤波器设为0.8mm来测定均方根高度Rq。在不同的5处进行所述测定，将测定值的平均值作为均方根高度Rq的值。

再者，在电磁波屏蔽构件的均方根高度Rq的测定中，当测定实际包覆于电子零件搭载基板上的电磁波屏蔽构件时，只要直接测定包覆于电子零件基板上的电磁波屏蔽构件即可。

＜均方根斜率Rdq＞

使用Rq的测定中所获得的表面形状图像，在分析应用软件的线粗糙度测定中，在整个图像中均匀地画20条二点线，将λ0026s轮廓曲线滤波器设为2.5μm，将λc轮廓曲线滤波器设为0.8mm来测定均方根斜率Rdq。在不同的5处进行所述测定，将测定值的平均值作为均方根斜率Rdq的值。

＜水接触角＞

准备各实施例、参考例的电磁波屏蔽用层叠体，将其载置于厚度300μm的以与压入弹性模量的测定试样相同的方式制作的FR4基板的试验片，在180℃下，以2MPa的条件自脱模性缓冲构件侧朝面方向进行2小时的加热。其后，剥离脱模性缓冲构件而获得形成有电磁波屏蔽构件的FR4基板的试验片。而且，通过以下的方法，自层叠有脱模性缓冲构件的一侧对水接触角进行测定。即，针对电磁波屏蔽层的表面，使用协和界面科学(股份)制造的“自动接触角计DM-501/分析软件FAMAS”来测定电磁波屏蔽构件的水接触角。测定通过液适法来进行。

＜涂液的粘度及触变指数＞

通过与实施方式A中所说明的方法相同的方法，测定转速6rpm的粘度(v1)及转速60rpm的粘度(v2)。另外，通过相同的方法来求出触变指数。

＜带包覆性＞

将切割成5cm×5cm的各实施例及参考例的电磁波屏蔽用层叠体分别载置于厚度300μm的FR4基板，在170℃下以8MPa的条件进行5分钟热压，然后在180℃下进行2小时固化，由此获得试验基板。继而，将脱模性缓冲构件剥离。其后，针对所获得的试验基板，使电磁波屏蔽构件与切割带(UHP-110AT(紫外线(Ultraviolet，UV)型，基材为聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate，PET)，总厚度110μm(包含粘着层厚度10μm))，电化(Denka)公司制造)接着，自基板20的外侧表面进行切割剪切来进行电子零件搭载基板的单片化。单片化后，自电磁波屏蔽构件剥离切割带，利用光学显微镜(倍率200倍)观察电磁波屏蔽构件的状态并以下述的基准进行判断。

+++：外观无异常。

++：在每1cm

+：在每1cm

NG：在每1cm

＜防污性评估＞

将切割成5cm×15cm的各实施例及参考例的电磁波屏蔽用层叠体分别载置于厚度125μm的聚酰亚胺膜(东丽·杜邦公司制造“卡普顿(Kapton)500H”)，在180℃下以2MPa的条件进行10分钟热压，然后在180℃下进行2小时固化，由此获得试验基板。其后，将脱模性缓冲构件剥离。将作为疑似助熔剂的正辛酸涂布于电磁波屏蔽构件的顶面。其后，浸渍于将二氧杂环戊烷与异丙醇以8/2混合的清洗液并进行超声波清洗。清洗后，使用光学显微镜(倍率200倍)对防污性进行评估。评估基准如下所述。

+++：在3分钟的清洗后，无残渣。

++：在5分钟的清洗后，无残渣。

+：在5分钟的清洗后，在每1cm

NG：在5分钟的清洗后，在每1cm

＜冷热循环试验＞

准备将实施例C1的电子零件搭载基板(试验片)电磁波屏蔽构件包覆于图15中所示的试验基板而成的电子零件搭载基板(试验片)，使用三菱化学分析技术(MitsubishiChemical Analytech)制造的“罗莱斯塔(Loresta)GP”的BSP探针，测定包覆有电磁波屏蔽构件1的电子零件的两个顶面(图24中的箭头)间的初期连接电阻值。继而，投入冷热冲击装置(“TSE-11-A”，爱斯佩克(Espec)公司制造)，在高温曝晒：125℃、15分钟，低温曝晒：-50℃、15分钟的暴露条件下实施1000次交替暴露。其后，与初期同样地测定试样的连接电阻值。

冷热循环可靠性的评估基准如下所述。在3处进行测定，将其平均值作为测定值。

再者，当在最表面层叠有硬涂层等绝缘层时，在冷热循环试验后去除所述绝缘层的测定部位，使电磁波屏蔽层5露出来进行与所述相同的试验。在此情况下，在同一样品的其他地方，通过与所述相同的方法来去除绝缘层的测定部位后，求出冷热循环试验前的电磁波屏蔽层5的连接电阻值。

+++：(交替暴露后的连接电阻值)/(初期连接电阻值)未满1.5，极其良好。

++：(交替暴露后的连接电阻值)/(初期连接电阻值)为1.5以上、未满3.0，良好。

+：(交替暴露后的连接电阻值)/(初期连接电阻值)为3.0以上、未满5.0，可实用。

NG：(交替暴露后的连接电阻值)/(初期连接电阻值)为5.0以上。

将实施例C1～实施例C9及参考例C1的所述评估结果示于表4。

[表4]

如表4的例子所示，使用均方根高度Rq为0.3以上的参考例1的电磁波屏蔽构件的电子零件搭载基板的冷热循环试验未达到合格水平。相对于此，已确认本发明的电子零件搭载基板的电磁波屏蔽构件均达到合格水平，在冷热循环试验的严酷的条件下包覆性也优异。另外，已确认在单片化步骤中，可在电磁波屏蔽构件有效地防止浮起或剥离等包覆性不良。另外，已确认本发明的电子零件搭载基板的电磁波屏蔽性构件的防污性优异。

本申请主张以2018年12月18日提出申请的日本申请特愿2018-236541与日本申请特愿2018-236542、2019年3月28日提出申请的日本申请特愿2019-063673与日本申请特愿2019-063674、以及2019年12月5日提出申请的日本申请特愿2019-220612为基础的优先权，并将其公开的全部内容并入至本文中。

符号的说明

1：电磁波屏蔽构件

2：电磁波屏蔽用构件

3：脱模性缓冲构件

4：电磁波屏蔽用层叠体

5：电磁波屏蔽层

6：导电性接着剂层

6P：干燥途中的导电性接着剂层

7b：绝缘性树脂层

8c：绝缘性接着剂层

9c：绝缘包覆层

10：粘合剂树脂前体

11：导电性填料

12：树枝状粒子

15：脱模性基材

20：基板

21：电极

22：接地图案

23：内部通孔

24：焊球

25：半切割槽

30：电子零件

31：半导体芯片

32：模压树脂

33：接合线

40：按压基板

51、52：电子零件搭载基板