具有存储电容器的显示设备

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年12月31日提交的韩国专利申请第10-2021-0194724号的权益，该韩国专利申请如同在本文中完全阐述一样通过引用并入本文。

技术领域

本公开内容涉及在每个像素区中设置有存储电容器的显示设备。

背景技术

通常，显示设备向用户提供图像。例如，显示设备可以包括多个像素区。每个像素区可以实现特定颜色。例如，可以在每个像素区中设置发光装置。发光装置可以发射显示特定颜色的光。例如，发光装置可以包括设置在两个电极之间的发光层。

在每个像素区中可以设置电连接至发光装置的像素驱动电路。像素驱动电路可以根据栅极信号向发光装置供应与数据信号对应的驱动电流。例如，像素驱动电路可以包括至少一个薄膜晶体管。由像素驱动电路供应的驱动电流可以维持一帧。例如，像素驱动电路可以包括存储电容器。

每个像素区的发光装置和像素驱动电路可以由装置基板支承。例如，由每个像素的发光装置产生的光可以通过装置基板发射至外部。然而，在显示设备中，从每个像素区的发光装置发射的光可能被相应像素区的像素驱动电路阻挡。因此，在显示设备中，光提取效率可能降低。

发明内容

因此，本公开内容涉及基本上消除了由于相关技术的限制和缺点引起的一个或更多个问题的显示设备。

本公开内容的目的是提供能够提高光提取效率的显示设备。

本公开内容的其他优点、目的和特征将部分地在随后的描述中阐述，并且部分地对于本领域普通技术人员在研究以下内容时将变得明显，或者可以从本公开内容的实践中习得。本公开内容的目的和其他优点可以通过在书写的说明书和权利要求书以及附图中特定指出的结构来实现和获得。

为了实现这些目的和其他优点并且根据本公开内容的目的，如本文所体现和广泛描述的，提供了一种包括装置基板的显示设备。在装置基板上设置堤绝缘层。堤绝缘层限定发光区。发光装置设置在装置基板的发光区上。发光装置包括顺序堆叠的第一电极、发光层和第二电极。在装置基板与发光装置之间设置外涂层。外涂层包括沿发光区的边缘延伸的外涂倾斜表面(over-coat inclined surface)。在外涂层与堤绝缘层之间设置电容器电极。电容器电极覆盖外涂倾斜表面。在电容器电极与堤绝缘层之间设置电容器绝缘层。电容器绝缘层覆盖电容器电极。第一电极包括设置在电容器绝缘层与堤绝缘层之间的电容器区域。

外涂层的外涂倾斜表面可以具有正锥形状。

在装置基板与外涂层之间可以设置驱动薄膜晶体管。电容器电极可以电连接至驱动薄膜晶体管的栅极电极。

在驱动薄膜晶体管与外涂层之间可以设置下钝化层。电容器电极可以穿透下钝化层以连接至驱动薄膜晶体管的栅极电极。

第一电极可以在电容器电极的外侧处电连接至驱动薄膜晶体管的漏极电极。

电容器电极可以具有比第一电极高的反射率。

数据线可以设置在发光区外部。电容器电极可以与发光区的朝向数据线的一侧间隔开。

电容器电极的平面形状可以为

电容器电极可以包括第一导电层和第二导电层。第二导电层可以设置在第一导电层上。第二导电层可以具有比第一导电层高的反射率。

电容器电极的第二导电层可以设置在发光区外部。

电容器电极的第一导电层和电容器绝缘层可以延伸至发光区的内部。

发光区可以设置在电源电压供应线与数据线之间。第一导电层的一个端部可以与电源电压供应线交叠。第一导电层的另一端部可以与数据线交叠。

在发光装置上可以设置封装基板。封装基板的热导率可以高于装置基板的热导率。

附图说明

包括附图以提供对本公开内容的进一步理解并且附图被并入本申请并构成本申请的一部分，附图示出了本公开内容的实施方式，并且与说明书一起用于说明本公开内容的原理。在附图中：

图1是示意性地示出根据本公开内容的实施方式的显示设备的视图；

图2是示出根据本公开内容的实施方式的显示设备中的单位像素区的电路的视图；

图3是示出根据本公开内容的实施方式的显示设备中的单位像素区的平面形状的视图；

图4是沿图3的I-I'截取的视图；

图5是沿图3的II-II'截取的视图；

图6是沿图3的III-III'截取的视图；

图7至图9是示出根据本公开内容的另一实施方式的显示设备的视图。

具体实施方式

在下文中，通过以下参照示出了本公开内容的一些实施方式的附图的详细描述，将清楚地理解与本公开内容的实施方式的上述目的、技术配置和操作效果相关的细节。此处，提供本公开内容的实施方式以便使本公开内容的技术精神能够令人满意地传递给本领域技术人员，并且因此本公开内容可以以其他形式呈现，并且不限于下面所描述的实施方式。

另外，贯穿说明书，相同或极其相似的元件可以由相同的附图标记表示，并且在附图中，为了方便起见，层和区域的长度和厚度可能被夸大。将理解，当第一元件被称为在第二元件“上”时，尽管第一元件可以设置在第二元件上以便与第二元件接触，但是也可以在第一元件与第二元件之间置入第三元件。

此处，例如，诸如“第一”和“第二”的术语可以用于将任何一个元件与另一元件区分开。然而，在不脱离本公开内容的技术精神的情况下，可以根据本领域技术人员的方便来任意地命名第一元件和第二元件。

本公开内容的说明书中所使用的术语仅用于描述特定的实施方式，并不旨在限制本公开内容的范围。例如，除非上下文另有明确指示，否则以单数形式描述的元件旨在包括多个元件。此外，在本公开内容的说明书中，还应当理解的是术语“包括(comprise)”和“包含(include)”指定存在所述特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组合，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组合。

并且，除非使用“直接”，否则术语“连接”和“耦接”可以包括两个部件通过位于两个部件之间的一个或多个其他部件“连接”或“耦接”

除非另外定义，否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与示例实施方式所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解的是，诸如在常用词典中定义的那些术语的术语应当被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且除非在本文中明确地限定，否则将不被解释为具有理想或过分形式化的含义。

(实施方式)

图1是示意性地示出根据本公开内容的实施方式的显示设备的视图。图2是示出根据本公开内容的实施方式的显示设备中的单位像素区的电路的视图。

参照图1和图2，根据本公开内容的实施方式的显示设备可以包括显示面板DP、数据驱动器DD、栅极驱动器GD、时序控制器TC和电源单元PU。

显示面板DP可以生成提供给用户的图像。例如，显示面板DP可以包括设置有多个像素区PA的显示区AA和设置在显示区AA外部的边框区BZ。数据驱动器DD、栅极驱动器GD、时序控制器TC和电源单元PU可以通过信号线DL、GL、SL、PL和RL提供用于每个像素区PA的操作的信号。信号线DL、GL、SL、PL和RL可以包括数据线DL、栅极线GL、感测线SL、电源电压供应线PL和参考电压供应线RL。例如，数据驱动器DD可以通过数据线DL向每个像素区PA施加数据信号，并且栅极驱动器GD可以通过栅极线GL向每个像素区PA施加栅极信号。栅极驱动器GD可以通过感测线SL向每个像素区PA施加初始信号。电源单元PU可以通过电源电压供应线PL向每个像素区PA供应电源电压，并且通过参考电压供应线RL向每个像素区PA供应参考电压。时序控制器TC可以控制数据驱动器DD和栅极驱动器GD。例如，数据驱动器DD可以从时序控制器TC接收数字视频数据和源极时序控制信号，而栅极驱动器GD可以从时序控制器TC接收时钟信号、复位时钟信号和起始信号。数据驱动器DD、栅极驱动器GD、时序控制器TC和电源单元PU可以设置在显示面板DP外部。例如，信号线DL、GL、SL、PL和RL可以穿过显示面板DP的边框区BZ。

像素区PA中的每一个可以实现特定颜色。例如，像素区PA中的每一个可以包括像素驱动电路DC和电连接至像素驱动电路DC的发光装置300。像素驱动电路DC可以电连接至信号线GL、DL、SL、PL和RL。例如，像素驱动电路DC可以电连接至数据线DL中之一、栅极线GL中之一、感测线SL中之一、电源电压供应线PL中之一以及参考电压供应线RL中之一。像素驱动电路DC可以根据栅极信号在一帧内向发光装置300供应与数据信号对应的驱动电流。例如，像素驱动电路DC可以包括第一薄膜晶体管(TFT)T1、第二薄膜晶体管(TFT)T2、第三薄膜晶体管(TFT)T3和存储电容器Cst。

图3是示出根据本公开内容的实施方式的显示设备中的单位像素区的平面形状的视图。图4是沿图3的I-I'截取的视图。图5是沿图3的II-II'截取的视图。图6是沿图3的III-III'截取的视图。

参照图2至图6，第一薄膜晶体管T1可以包括第一半导体图案、第一栅极电极、第一源极电极和第一漏极电极217。第一薄膜晶体管T1可以根据栅极信号将数据信号传输至第二薄膜晶体管T2。例如，第一薄膜晶体管T1的第一栅极电极可以连接至栅极线GL中之一，并且第一薄膜晶体管T1的第一源极电极可以连接至数据线DL中之一。

第二薄膜晶体管T2可以包括第二半导体图案221、第二栅极电极223、第二源极电极225和第二漏极电极227。第二薄膜晶体管T2可以产生与数据信号对应的驱动电流。例如，第二薄膜晶体管T2的第二栅极电极223可以连接至第一薄膜晶体管T1的第一漏极电极217，并且第二薄膜晶体管T2的第二源极电极225可以连接至电源电压供应线PL中之一。发光装置300可以电连接至第二薄膜晶体管T2的第二漏极电极227。例如，第二薄膜晶体管T2可以是向发光装置300施加驱动电流的驱动薄膜晶体管。

第一半导体图案和第二半导体图案221可以包含半导体材料。例如，第一半导体图案和第二半导体图案221可以包含诸如IGZO的氧化物半导体。第二半导体图案221可以包含与第一半导体图案相同的材料。第二半导体图案221可以设置在与第一半导体图案相同的层上。例如，第二半导体图案221可以与第一半导体图案同时形成。

第一半导体图案和第二半导体图案221中的每一个可以包括源极区域、沟道区域和漏极区域。沟道区域可以设置在源极区域与漏极区域之间。源极区域和漏极区域可以具有低于沟道区域的电阻。例如，源极区域和漏极区域可以包括氧化物半导体的导电化区域(conductorized region)。沟道区域可以是氧化物半导体的可以不是导电化区域的区域。

第一栅极电极和第二栅极电极223可以包含导电材料。例如，第一栅极电极和第二栅极电极223可以包括诸如铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)和钨(W)的金属。第二栅极电极223可以包含与第一栅极电极相同的材料。第二栅极电极223可以设置在与第一栅极电极相同的层上。例如，第二栅极电极223可以与第一栅极电极同时形成。

第一栅极电极可以设置在第一半导体图案上。例如，第一栅极电极可以与第一半导体图案的沟道区域交叠。第二栅极电极223可以设置在第二半导体图案221上。例如，第二栅极电极223可以与第二半导体图案221的沟道区域交叠。第一栅极电极可以与第一半导体图案绝缘，并且第二栅极电极223可以与第二半导体图案221绝缘。例如，第一半导体图案的沟道区域可以具有与施加至第一栅极电极的电压对应的电导率，并且第二半导体图案221的沟道区域可以具有与施加至第二栅极电极223的电压对应的电导率。

第一源极电极、第一漏极电极217、第二源极电极225和第二漏极电极227可以包含导电材料。例如，第一源极电极、第一漏极电极217、第二源极电极225和第二漏极电极227可以包含诸如铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)和钨(W)的金属。第一漏极电极217可以包含与第一源极电极相同的材料。例如，第一漏极电极217可以设置在与第一源极电极相同的层上。第一漏极电极217可以与第一源极电极同时形成。第二漏极电极227可以包含与第二源极电极225相同的材料。例如，第二漏极电极227可以设置在与第二源极电极225相同的层上。第二漏极电极227可以与第二源极电极225同时形成。

第一源极电极和第一漏极电极217可以包含与第一栅极电极相同的材料。例如，第一源极电极和第一漏极电极217可以设置在与第一栅极电极相同的层上。第一源极电极和第一漏极电极217可以与第一栅极电极同时形成。第一源极电极和第一漏极电极217可以与第一栅极电极绝缘。例如，第一源极电极和第一漏极电极217可以与第一栅极电极间隔开。

第二源极电极225和第二漏极电极227可以包含与第二栅极电极223相同的材料。例如，第二源极电极225和第二漏极电极227可以设置在与第二栅极电极223相同的层上。第二源极电极225和第二漏极电极227可以与第二栅极电极223同时形成。第二源极电极225和第二漏极电极227可以与第二栅极电极223绝缘。例如，第二源极电极225和第二漏极电极227可以与第二栅极电极223间隔开。

第一源极电极可以电连接至第一半导体图案的源极区域。第一漏极电极217可以电连接至第一半导体图案的漏极区域。第二源极电极225可以电连接至第二半导体图案221的源极区域。第二漏极电极227可以电连接至第二半导体图案221的漏极区域。第二源极电极225和第二漏极电极227可以包含与第一源极电极和第一漏极电极217相同的材料。例如，第二源极电极225和第二漏极电极227可以设置在与第一源极电极和第一漏极电极217相同的层上。第二源极电极225和第二漏极电极227可以与第一源极电极和第一漏极电极217同时形成。第一源极电极、第一漏极电极217、第二源极电极225和第二漏极电极227可以彼此间隔开。

第三薄膜晶体管T3可以包括第三半导体图案、第三栅极电极、第三源极电极和第三漏极电极。第三薄膜晶体管T3可以根据初始信号复位存储电容器Cst。例如，第三薄膜晶体管T3的第三栅极电极可以电连接至感测线SL中之一，第三薄膜晶体管T3的第三源极电极可以连接至参考电压供应线RL中之一。

第三半导体图案可以包含半导体材料。例如，第三半导体图案可以包含诸如IGZO的氧化物半导体。第三半导体图案可以包含与第二半导体图案221相同的材料。第三半导体图案可以设置在与第二半导体图案221相同的层上。例如，第三半导体图案可以与第二半导体图案221同时形成。第三半导体图案可以具有与第二半导体图案221相同的结构。例如，第三半导体图案可以包括在源极区域与漏极区域之间的沟道区域。

第三栅极电极可以包含导电材料。例如，第三栅极电极可以包含诸如铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)和钨(W)的金属。第三栅极电极可以包含与第二栅极电极223相同的材料。第三栅极电极可以设置在与第二栅极电极223相同的层上。例如，第三栅极电极可以与第二栅极电极223同时形成。

第三栅极电极可以设置在第三半导体图案上。例如，第三栅极电极可以与第三半导体图案的沟道区域交叠。第三栅极电极可以与第三半导体图案绝缘。例如，第三半导体图案的沟道区域可以具有与施加至第三栅极电极的电压对应的电导率。

第三源极电极和第三漏极电极可以包含导电材料。第三漏极电极可以包含与第三源极电极相同的材料。第三漏极电极可以设置在与第三源极电极相同的层上。例如，第三漏极电极可以与第三源极电极同时形成。第三漏极电极可以包含与第二漏极电极227相同的材料。例如，第三源极电极和第三漏极电极可以与第二源极电极225和第二漏极电极227同时形成。第三源极电极和第三漏极电极可以包含与第三栅极电极相同的材料。第三源极电极和第三漏极电极可以与第一源极电极、第一漏极电极217、第二源极电极225和第二漏极电极227间隔开。第三源极电极可以电连接至第三半导体图案的源极区域。第三漏极电极可以电连接至第三半导体图案的漏极区域。

每个像素区PA的第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和第三薄膜晶体管T3可以设置在装置基板100上。装置基板100可以包含绝缘材料。装置基板100可以包含透明材料。例如，装置基板100可以包含玻璃或塑料。

在装置基板100上可以设置绝缘层110、120、130、140和160中至少之一以防止每个像素区PA的像素驱动电路DC与发光装置300之间的不必要的连接。例如，在装置基板100上可以设置装置缓冲层110、栅极绝缘层120、下钝化层130、外涂层140和堤绝缘层160。

装置缓冲层110可以包含绝缘材料。例如，装置缓冲层110可以包含诸如硅氧化物(SiO)和硅氮化物(SiN)的无机绝缘材料。装置缓冲层110可以包括多层结构。例如，装置缓冲层110可以具有由硅氮化物(SiN)制成的层和由硅氧化物(SiO)制成的层的堆叠结构。

装置缓冲层110可以设置在装置基板100与每个像素区PA的薄膜晶体管T1、T2和T3之间。装置缓冲层110可以防止在形成薄膜晶体管T1、T2和T3的过程中由于装置基板100造成的污染。例如，装置基板100的朝向每个像素区PA的薄膜晶体管T1、T2和T3的整个表面可以被装置缓冲层110覆盖。

在装置基板100与装置缓冲层110之间可以设置光阻挡图案105。光阻挡图案105可以防止由于外部光引起的每个像素区PA中的薄膜晶体管T1、T2和T3的特性变化。例如，每个薄膜晶体管T1、T2和T3的半导体图案221可以与光阻挡图案105交叠。光阻挡图案105可以包括能够吸收或反射光的材料。光阻挡图案105可以包含导电材料。例如，光阻挡图案105可以包含诸如铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)和钨(W)的金属。

栅极绝缘层120可以包含绝缘材料。例如，栅极绝缘层120可以包含诸如硅氧化物(SiO)和硅氮化物(SiN)的无机绝缘材料。栅极绝缘层120可以包含具有高介电常数的材料。例如，栅极绝缘层120可以包含诸如铪氧化物(HfO)的高K材料。栅极绝缘层120可以具有多层结构。

栅极绝缘层120可以设置在装置缓冲层110上。栅极绝缘层120可以在每个薄膜晶体管T1、T2和T3的半导体图案221与栅极电极223之间延伸。例如，栅极绝缘层120可以覆盖每个像素区PA的第一半导体图案、第二半导体图案221和第三半导体图案。每个像素区PA的第一栅极电极、第二栅极电极223和第三栅极电极可以设置在栅极绝缘层120上。例如，每个薄膜晶体管T1、T2和T3的栅极电极223可以通过栅极绝缘层120与对应的薄膜晶体管T1、T2和T3的半导体图案221绝缘。

每个像素区PA的第一源极电极、第一漏极电极217、第二源极电极225、第二漏极电极227、第三源极电极和第三漏极电极可以设置在栅极绝缘层120上。例如，每个像素区PA的栅极绝缘层120可以包括使第一半导体图案的源极区域露出的第一源极接触孔、使第一半导体图案的漏极区域露出的第一漏极接触孔、使第二半导体图案221的源极区域露出的第二源极接触孔、使第二半导体图案221的漏极区域露出的第二漏极接触孔、使第三半导体图案的源极区域露出的第三源极接触孔、以及使第三半导体图案的漏极区域露出的第三漏极接触孔。

下钝化层130可以包含绝缘材料。例如，下钝化层130可以包含诸如硅氧化物(SiO)和硅氮化物(SiN)的无机绝缘材料。下钝化层130可以设置在栅极绝缘层120上。下钝化层130可以防止由于外部冲击和湿气而引起的每个像素区PA中的薄膜晶体管T1、T2和T3的损坏。例如，每个薄膜晶体管T1、T2和T3的栅极电极223、源极电极225和漏极电极217和227可以被下钝化层130覆盖。下钝化层130可以沿每个薄膜晶体管T1、T2和T3的与装置基板100相对的表面延伸。例如，覆盖每个像素区PA的薄膜晶体管T1、T2和T3的下钝化层130可以与覆盖相邻像素区PA的薄膜晶体管T1、T2和T3的下钝化层130直接接触。

外涂层140可以包含绝缘材料。外涂层140可以包含与下钝化层130不同的材料。例如，外涂层140可以包含有机绝缘材料。外涂层140可以设置在下钝化层130上。外涂层140可以去除由于每个像素区PA的薄膜晶体管T1、T2和T3引起的厚度差异。例如，外涂层140的与装置基板100相对的上表面可以是平坦表面。

每个像素区PA的发光装置300可以设置在外涂层140的上表面上。发光装置300可以发射实现特定颜色的光。例如，发光装置300可以包括顺序堆叠在外涂层140的上表面上的第一电极310、发光层320和第二电极330。因此，在根据本公开内容的实施方式的显示设备中，可以防止由于从每个像素区PA的发光装置300发射的光的位置差异导致的特性偏差。

每个像素区PA的第一电极310、发光层320和第二电极330可以顺序堆叠在外涂层140的上表面上。例如，每个像素区PA的第一电极310可以通过穿透外涂层140的电极接触孔中之一电连接至对应像素区PA的第二薄膜晶体管T2。因此，在根据本公开内容的实施方式的显示设备中，可以防止由于通过装置基板100发射到外部的光的位置差异而引起的特性偏差。

第一电极310可以包含导电材料。第一电极310可以具有高透射率。例如，第一电极310可以是由诸如ITO和IZO的透明导电材料制成的透明电极。

每个像素区PA的第一电极310可以电连接至对应像素区PA的像素驱动电路DC。例如，每个像素区PA的第一电极310可以穿透栅极绝缘层120、下钝化层130和外涂层140。每个像素区PA的第一电极310可以间接连接至对应像素区PA的像素驱动电路DC。例如，每个像素区PA的第一电极310可以通过光阻挡图案105连接至对应像素区PA的第二漏极电极227。因此，在根据本公开内容的实施方式的显示设备中，可以提高每个像素区PA的配置的自由度。

发光层320可以产生具有与第一电极310与第二电极330之间的电压差对应的亮度的光。例如，发光层320可以包含具有发光材料的发光材料层(EML)。发光材料可以包含有机材料、无机材料或混合材料。例如，根据本公开内容的实施方式的显示设备可以是包含有机发光材料的有机发光显示设备。

发光层320可以具有多层结构。例如，发光层320还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中至少之一。因此，在根据本公开内容的实施方式的显示设备中，可以提高发光层320的发光效率。

第二电极330可以包含导电材料。第二电极330可以包含与第一电极310不同的材料。例如，第二电极330可以具有比第一电极310高的反射率。第二电极330的透射率可以低于第一电极310的透射率。例如，第二电极330可以包含诸如铝(Al)和银(Ag)的金属。因此，在根据本公开内容的实施方式的显示设备中，由每个像素区PA的发光层320产生的光可以通过对应像素区PA的第一电极310和装置基板100发射到外部。

堤绝缘层160可以包含绝缘材料。例如，堤绝缘层160可以包含有机绝缘材料。堤绝缘层160可以包含与外涂层140不同的材料。

堤绝缘层160可以设置在外涂层140上。每个发光装置300的第一电极310可以通过堤绝缘层160与相邻发光装置300的第一电极310绝缘。例如，堤绝缘层160可以覆盖每个像素区PA中的第一电极310的边缘。因此，在根据本公开内容的实施方式的显示设备中，每个像素区PA的发光装置300可以通过堤绝缘层160被独立控制。每个发光装置300的发光层320和第二电极330可以堆叠在对应第一电极310的由堤绝缘层160露出的部分上。例如，堤绝缘层160可以限定发光区EA。

由堤绝缘层160限定的每个像素区PA的发光区EA可以与对应像素区PA的像素驱动电路DC不交叠。例如，每个像素区PA的薄膜晶体管T1、T2和T3可以设置在对应像素区PA的发光区EA外部。因此，在根据本公开内容的实施方式的显示设备中，从每个像素区PA的发光装置300发射的光可以不被对应像素区PA的薄膜晶体管T1、T2和T3阻挡。

每个发光装置300的发光层320可以连接至相邻发光装置300的发光层320。例如，每个发光装置300的发光层320可以在堤绝缘层160上延伸。从每个像素区PA的发光装置300发射的光可以显示与从相邻像素区PA的发光装置300发射的光相同的颜色。例如，每个像素区PA的发光层320可以产生白光。

施加至每个发光装置300的第二电极330的电压可以与施加至相邻发光装置300的第二电极330的电压相同。例如，每个发光装置300的第二电极330可以电连接至相邻发光装置300的第二电极330。每个发光装置300的第二电极330可以包含与相邻发光装置300的第二电极330相同的材料。例如，每个发光装置300的第二电极330可以与相邻发光装置300的第二电极330同时形成。因此，在根据本公开内容的实施方式的显示设备中，可以简化形成每个发光装置300的第二电极330的过程。

信号线GL、DL、SL、PL和RL可以设置在装置基板100与每个像素区PA的发光装置300之间。例如，可以使用在每个像素区PA中形成薄膜晶体管T1、T2和T3的过程来形成信号线GL、DL、SL、PL和RL。栅极线GL和感测线SL可以与数据线DL、电源电压供应线PL和参考电压供应线RL相交。例如，栅极线GL和感测线SL可以设置在与数据线DL、电源电压供应线PL和参考电压供应线RL不同的层上。数据线DL可以设置在与电源电压供应线PL和参考电压供应线RL相同的层上。例如，数据线DL、电源电压供应线PL和参考电压供应线RL可以设置在与光阻挡图案105相同的层上，并且栅极线GL和感测线SL可以设置在与每个薄膜晶体管T1、T2和T3的栅极电极223相同的层上。栅极线GL和感测线SL可以包含与每个薄膜晶体管T1、T2和T3的栅极电极223相同的材料，并且数据线DL、电源电压供应线PL和参考电压供应线RL可以包含与光阻挡图案105相同的材料。例如，每个薄膜晶体管T1、T2和T3的栅极电极223可以与栅极线GL和感测线SL同时形成，并且数据线DL、电源电压供应线PL和参考电压供应线RL可以与光阻挡图案105同时形成。

外涂层140可以包括沿由堤绝缘层160限定的在每个像素区PA中的发光区EA的边缘延伸的外涂倾斜表面140s。例如，在外涂层140中可以形成沿每个像素区PA中的发光区EA边缘延伸的孔。外涂层140的外涂倾斜表面140s可以具有正锥形状。例如，外涂倾斜表面140s与发光区EA之间的直线距离可以随着外涂倾斜表面140s接近装置基板100而增加。

在每个像素区PA中在外涂层140的外涂倾斜表面140s上可以堆叠电容器电极240和电容器绝缘层150。电容器电极240可以包含导电材料。电容器电极240可以包含具有高反射率的材料。例如，电容器电极240可以包含诸如铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)和钨(W)的金属。电容器电极240可以设置在发光区EA外部。例如，电容器电极240可以设置在外涂层140与堤绝缘层160之间。

外涂层140的外涂倾斜表面140s可以被电容器电极240完全覆盖。因此，在根据本公开内容的实施方式的显示设备中，从每个像素区PA的发光装置300向在对应像素区PA中限定的发光区EA的外侧发射的光可以被电容器电极240反射到对应发光区EA的内侧。因此，在根据本公开内容的实施方式的显示设备中，可以提高光提取效率。并且，在根据本公开内容的实施方式的显示设备中，可以防止由从每个像素区PA发射的光与从相邻像素区PA发射的光的混合引起的颜色混合。

电容器绝缘层150可以包含绝缘材料。例如，电容器绝缘层150可以包含诸如硅氧化物(SiO)和硅氮化物(SiN)的无机绝缘材料。电容器绝缘层150可以包含具有高介电常数的材料。例如，电容器绝缘层150可以包含高K材料。

电容器绝缘层150可以覆盖电容器电极240。例如，电容器绝缘层150可以沿外涂层140的外涂倾斜表面140s延伸。电容器电极240的端部可以被电容器绝缘层150覆盖。电容器绝缘层150可以与发光区EA间隔开。例如，电容器绝缘层150可以被堤绝缘层160包围。

每个像素区PA的第一电极310可以包括与对应像素区PA的电容器电极240交叠的电容器区域310a。例如，每个像素区PA的第一电极310可以沿电容器绝缘层150的与装置基板100相对的表面延伸。每个像素区PA的第一电极310可以在电容器电极240的外部电连接至对应像素区PA的第二漏极电极227。例如，每个像素区PA的第一电极310可以通过穿过装置缓冲层110、栅极绝缘层120和下钝化层130的电极接触孔电连接至光阻挡图案105，并且每个像素区PA的电容器电极240和电容器绝缘层150可以设置在电极接触孔与对应像素区PA的发光区EA之间。

每个像素区PA中的电容器电极240、电容器绝缘层150和第一电极310的电容器区域310a可以构成对应像素区PA中的像素驱动电路DC的存储电容器Cst。也就是说，在根据本公开内容的实施方式的显示设备中，每个像素区PA中的第一电极310的一部分可以用作对应像素区PA中的存储电容器Cst的电极。因此，在根据本公开内容的实施方式的显示设备中，可以减小由每个像素区PA中的像素驱动电路DC所占的面积。并且，在根据本公开内容的实施方式的显示设备中，可以增大在每个像素区PA中限定的发光区EA。因此，在根据本公开内容的实施方式的显示设备中，可以增加在每个像素区PA中限定的发光区EA的尺寸。

在每个发光装置300的第二电极330上可以设置封装基板500。封装基板500可以防止由于外部冲击和湿气引起的发光装置300的损坏。例如，封装基板500可以包含具有特定硬度或更高硬度的材料。封装基板500可以包含具有相对高热导率的材料。例如，封装基板500可以包诸如铝(Al)、镍(Ni)和铁(Fe)的金属。封装基板500的热导率可以高于装置基板100的热导率。因此，在根据本公开内容的实施方式的显示设备中，由每个像素区PA的像素驱动电路DC和发光装置300产生的热可以通过封装基板500消散。因此，在根据本公开内容的实施方式的显示设备中，可以使发光层320的劣化最小化。

封装基板500可以附接在其中形成有发光装置300的装置基板100上。例如，在发光装置300与封装基板500之间的空间中可以设置封装元件400。封装元件400可以包含粘结剂材料。封装元件400可以包含绝缘材料。例如，封装元件400可以包含基于烯烃的材料。封装元件400可以具有相对低的水蒸气透过率(WVTR)。因此，在根据本公开内容的实施方式的显示设备中，可以防止外部湿气通过封装元件400渗透。

因此，在根据本公开内容的实施方式的显示设备中，设置在装置基板100与每个发光装置300之间的外涂层140可以包括沿在每个像素区PA中限定的发光区EA的边缘延伸的外涂倾斜表面140s，电容器电极240和覆盖电容器电极240的电容器绝缘层150可以堆叠在外涂层140的外涂倾斜表面140s上，并且每个像素区PA的第一电极310可以包括延伸到对应像素区PA中的电容器绝缘层150上的电容器区域310a。也就是说，在根据本公开内容的实施方式的显示设备中，每个像素区PA的存储电容器Cst可以由设置在外涂层140的外涂倾斜表面140s上的电容器电极240、覆盖电容器电极240的电容器绝缘层150、以及延伸到电容器绝缘层150上的第一电极310的电容器区域310a构成。因此，在根据本公开内容的实施方式的显示设备中，可以提高光提取效率，可以防止颜色混合，并且可以增加发光区的尺寸。因此，在根据本公开内容的实施方式的显示设备中，可以提高图像质量。

在根据本公开内容的实施方式的显示设备中，每个像素区PA的外涂倾斜表面140s可以不在对应像素区PA的发光区EA与数据线DL之间延伸。也就是说，在根据本公开内容的实施方式的显示设备中，每个像素区PA的电容器电极240可以不在对应像素区PA的发光区EA与数据线DL之间延伸。例如，电容器电极240可以与发光区EA的朝向数据线DL的一侧间隔开。因此，在根据本公开内容的实施方式的显示设备中，可以防止由于由数据线DL施加的数据信号引起的存储在每个像素区PA中的存储电容器Cst中的电压失真。因此，在根据本公开内容的实施方式的显示设备中，可以提高光提取效率并且可以防止颜色混合，而不会损坏图像。

在根据本公开内容的另一实施方式的显示设备中，像素区中的每一个可以使用滤色器实现特定颜色。例如，根据本公开内容的另一实施方式的显示设备可以包括设置在下钝化层130与外涂层140之间的滤色器。滤色器中的每一个可以与像素区PA中之一的发光装置300交叠。例如，每个像素区PA的滤色器可以设置在从对应像素区PA中的发光装置300发射的光的路径上。可以通过外涂层140去除由于每个像素区PA的滤色器引起的厚度差异。因此，在根据本公开内容的另一实施方式的显示设备中，可以简化用于实现各种颜色的图像的每个像素区PA的配置。

在根据本公开内容的另一实施方式的显示设备中，每个像素区PA的像素驱动电路DC还可以包括设置在对应像素区PA的薄膜晶体管T1、T2和T3之间的辅助电容器。因此，在根据本公开内容的另一实施方式的显示设备中，可以使在每个像素区PA中限定的发光区EA的尺寸最大化，并且每个像素区PA的像素驱动电路DC可以具有足够的存储容量。因此，在根据本公开内容的另一实施方式的显示设备中，可以有效提高图像质量。

描述了每个像素区PA的电容器电极240具有单层结构的根据本公开内容的实施方式的显示设备。然而，在根据本公开内容的另一实施方式的显示设备中，每个像素区PA的电容器电极240可以具有多层结构。例如，在根据本公开内容的另一实施方式的显示设备中，每个像素区PA的电容器电极240可以具有第一导电层241和第二导电层242的堆叠结构，如图7至图9所示。第二导电层242可以与第一导电层241直接接触。第一导电层241可以具有比第二导电层242高的透射率。例如，第一导电层241可以是由诸如ITO和IZO的透明导电材料制成的透明电极。第二导电层242可以具有比第一导电层241高的反射率。例如，第二导电层242可以包含金属。因此，在根据本公开内容的另一实施方式的显示设备中，可以提高电容器电极240的配置的自由度。

第一导电层241和电容器绝缘层150可以延伸至发光区EA的内部。第一导电层241和电容器绝缘层150可以完全跨过发光区EA。例如，第一导电层241的一个端部可以与电源电压供应线PL交叠，并且第一导电层241的另一端部可以与数据线DL交叠。因此，在根据本公开内容的另一实施方式的显示设备中，存储电容器可以通过第一导电层241、电容器绝缘层150和第一电极310形成在发光区EA中。也就是说，在根据本公开内容的另一实施方式的显示设备中，可以使每个像素区PA的亮度下降最小化，并且可以增加对应像素区PA中的像素驱动电路DC的存储容量。因此，在根据本公开内容的另一实施方式的显示设备中，可以有效提高发光效率和图像质量。

因此，根据本公开内容的实施方式的显示设备可以包括：设置在装置基板与发光装置之间的外涂层、设置在外涂层的一部分上的电容器电极、以及覆盖电容器电极的电容器绝缘层，其中，外涂层可以包括沿由堤绝缘层限定的发光区的边缘延伸的外涂倾斜表面，其中，电容器电极和电容器绝缘层可以设置在外涂倾斜表面上，并且其中，发光装置的第一电极可以包括电容器绝缘层与堤绝缘层之间的与电容器电极交叠的电容器区域。从而，在根据本公开内容的实施方式的显示设备中，可以提高每个像素区的光提取效率，并且可以防止颜色混合。