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含胺化合物以及包括其的发光装置、电子设备和电子装置

文献发布时间：2024-04-18 19:58:21

相关申请的交叉引用

本申请要求于2022年5月25日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2022-0064239号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

实施方式涉及含胺化合物、包括其的发光装置、包括发光装置的电子设备和包括电子设备的电子装置。

背景技术

与无机发光装置相比，有机发光装置可具有宽视角、卓越的对比度和短响应时间。有机发光装置可包括第一电极、空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。从第一电极提供的空穴可通过空穴传输区朝着发射层移动。从第二电极提供的电子可通过电子传输区朝着发射层移动。载流子比如空穴和电子可在发射层中复合。通过载流子的复合可产生激子。随着激子从激发态跃迁至基态产生光。

应理解，该背景技术章节旨在部分提供用于理解该技术的有用的背景。然而，该背景技术章节也可包括在本文中公开的主题的对应有效申请日之前不被相关领域的技术人员已知或理解的一部分的想法、概念或认知。

发明内容

实施方式包括具有改善的空穴传输特点的含胺化合物，以及包括含胺化合物并且因此具有低驱动电压、高亮度、高发光效率和长寿命的发光装置。实施方式包括高质量电子设备和包括发光装置的电子装置。

另外的方面将部分在如下的描述中陈述，并且部分将从描述中是显而易见的，或可通过本公开的实施方式的实践而了解到。

根据实施方式，提供了可由式1至式3中的一个表示的含胺化合物。

[式1]

[式2]

[式3]

在式1至式3中，

a1至a3可各自独立地为选自0至5的整数；其中当a1为0时，由*-(L

b2和b4可各自独立地为选自0至3的整数，

b3可为选自0至6的整数，

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

各自未取代的或被下述取代的C

-Si(Q

其中Q

氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

各自未取代的或被氘、-F、氰基、C

*和*’各自指示与相邻原子的键合位点。

在实施方式中，含胺化合物可不包括咔唑基并且仅一个芴基可存在于含胺化合物中。

在实施方式中，R

在实施方式中，L

在实施方式中，Ar

在实施方式中，在式1至式3中，由

在实施方式中，R

在实施方式中，含胺化合物可为下面解释的化合物1至化合物217中的一种。

根据实施方式，提供了发光装置，发光装置可包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层；以及由式1表示的含胺化合物、由式2表示的含胺化合物、由式3表示的含胺化合物或其任何组合，其中式1至式3在本文中解释。

在实施方式中，夹层可进一步包括在第一电极和发射层之间的空穴传输区，以及在发射层和第二电极之间的电子传输区；空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合；并且电子传输区可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任何组合。

在实施方式中，夹层可包括由式1表示的含胺化合物、由式2表示的含胺化合物、由式3表示的含胺化合物或其任何组合。

在实施方式中，空穴传输区可包括由式1表示的含胺化合物、由式2表示的含胺化合物、由式3表示的含胺化合物或其任何组合。

在实施方式中，空穴传输层可包括由式1表示的含胺化合物、由式2表示的含胺化合物、由式3表示的含胺化合物或其任何组合；并且空穴传输层可直接接触发射层。

在实施方式中，发光装置可进一步包括在第一电极外侧的封盖层，其中封盖层可包括由式1表示的含胺化合物、由式2表示的含胺化合物、由式3表示的含胺化合物或其任何组合。

在实施方式中，发光装置可进一步包括在第一电极外侧的第一封盖层，和在第二封盖层外侧的第二电极，其中第一封盖层或第二封盖层可包括由式1表示的含胺化合物、由式2表示的含胺化合物、由式3表示的含胺化合物或其任何组合。

根据实施方式，提供了可包括发光装置的电子设备。

在实施方式中，电子设备可进一步包括：电连接至发光装置的薄膜晶体管；和滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任何组合。

根据实施方式，提供了可包括电子设备的电子装置，其中电子装置可为平板显示器、曲面显示器、计算机监视器、医疗监视器、电视、广告牌、室内灯、室外灯、信号灯、平视显示器、全透明显示器、部分透明显示器、柔性显示器、可卷曲显示器、可折叠显示器、可伸缩显示器、激光打印机、电话、便携式电话、平板个人计算机、平板手机电脑、个人数字助理(PDA)、可穿戴装置、膝上型计算机、数字相机、摄像机、取景器、微型显示器、三维(3D)显示器、虚拟现实显示器、增强现实显示器、车辆、具有拼接在一起的多个显示器的视频墙、剧院屏幕、体育场屏幕、光疗装置或招牌。

应理解，上面的实施方式仅以一般性和解释性的意义描述，而不是为了限制的目的，并且本公开不限于上述实施方式。

附图说明

通过参考所附附图详细地描述其实施方式，本公开的上面的和其他的方面以及特征将更显而易见，其中：

图1为根据实施方式的发光装置的示意性横截面图；

图2为根据实施方式的电子设备的示意性横截面图；

图3为根据另一实施方式的电子设备的示意性横截面图；

图4为根据实施方式的包括发光装置的电子装置的示意性透视图；

图5为根据实施方式的作为包括发光装置的电子装置的车辆的外部的示意性透视图；并且

图6A至图6C各自为阐释根据实施方式的车辆的内部的示意图。

具体实施方式

现将在下文参考其中示出了实施方式的所附附图更充分地描述本公开。然而，本公开可具体化为不同的形式并且不应解释为限于在本文中陈述的实施方式。相反，提供这些实施方式以便本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本公开的范围。

在附图中，为了易于描述和为了清楚起见，可放大元件的尺寸、厚度、比例和维度。相同的附图标记通篇指相同的元件。

在描述中，将理解，当元件(或区、层、部件等)称为“在”另一元件(或区、层、部件等)“上”，“连接至”或“联接至”另一元件(或区、层、部件等)时，其可直接在另一元件(或区、层、部件等)上，直接连接至或直接联接至另一元件(或区、层、部件等)，或在它们之间可存在一个或多个居间元件(或区、层、部件等)。在类似的意义上，当元件(或区、层、部件等)描述为“覆盖”另一元件(或区、层、部件等)时，其可直接覆盖另一元件(或区、层、部件等)，或在它们之间可存在一个或多个居间元件(或区、层、部件等)。

在描述中，当元件“直接在”另一元件“上”，“直接连接至”或“直接联接至”另一元件时，不存在居间元件。例如，“直接在……上”可意指设置两个层或两个元件而在它们之间没有另外的元件比如粘附元件。

如在本文中使用的，以单数形式使用的表述，比如“一个(a)”、“一个(an)”和“所述”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。

如在本文中使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何和所有组合。例如，“A和/或B”可理解为意指“A、B或A和B”。术语“和”和“或”可以连接意义或分隔意义使用并且可理解为等价于“和/或”。

在说明书和权利要求中，为了其含义和解释的目的，术语“……中的至少一个”旨在包括“选自由下述组成的组中至少一个：……”的含义。例如，“A、B和C中的至少一个”可理解为意指仅A、仅B、仅C或者A、B和C中的两个或更多个的任何组合，比如ABC、ACC、BC或CC。当在元件的列表之后时，术语“……中的至少一个”修饰元件的整个列表，并且不修饰列表的单个元件。

将理解，尽管术语第一、第二等可在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一元件。因此，在不背离本公开教导的情况下，第一元件可称为第二元件。类似地，在不背离本公开的范围的情况下，第二元件可称为第一元件。

为了易于描述，可在本文中使用空间相对术语“下面”、“之下”、“下”、“上方”或“上”等，以描述如附图中阐释的一个元件或组件与另一元件或组件之间的关系。将理解，除了附图中描绘的定向之外，空间相对术语旨在囊括使用或操作中的装置的不同定向。例如，在将附图中阐释的装置翻转的情况下，位于另一装置“下面”或“之下”的装置可放置在另一装置“上面”。相应地，阐释性术语“下面”可包括下位置和上位置二者。装置也可在其他方向上定向，并且因此可取决于定向而不同地解释空间相对术语。

如在本文中使用的，术语“约”或“近似”包括叙述的值并且意指考虑所讨论的测量以及与阐述的数量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)，在本领域普通技术人员确定的叙述的值的可接受的偏差范围以内。例如，“约”可意指在叙述的值的一个或多个标准偏差以内，或在叙述的值的±20％、±10％或±5％以内。

应理解，术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包含(includes)”、“包含(including)”、“具有(have)”、“具有(having)”、“含有(contains)”、“含有(containing)”等旨在指出本公开中存在叙述的特征、整数、步骤、操作、元件、组件或其任何组合，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件或其任何组合。

除非在本文中另外限定或暗示，否则使用的所有术语(包括技术术语和科技术语)具有与本公开所属领域的技术人员通常理解的相同含义。将进一步理解，术语，比如在常用的词典中限定的那些，应解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义并且不应以理想的或过于正式的意义解释除非在说明书中清楚地限定。

根据实施方式，发光装置可包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层；以及由式1表示的含胺化合物、由式2表示的含胺化合物、由式3表示的含胺化合物或其任何组合。式1至式3将在下面解释。

在实施方式中，第一电极可为阳极，并且第二电极可为阴极。在实施方式中，发射层可包括掺杂剂和主体，并且可发射光。掺杂剂和主体的细节在下面描述。

如在本文中使用的，术语“夹层”可指在发光装置的第一电极和第二电极之间的单个层和/或多个层。

在实施方式中，夹层可进一步包括在第一电极和发射层之间的空穴传输区，以及在发射层和第二电极之间的电子传输区。在实施方式中，空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合。在实施方式中，电子传输区可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任何组合。

例如，空穴传输区可包括设置在第一电极上的空穴注入层以及位于空穴注入层和发射层之间的空穴传输层。空穴注入层可具有单层结构或多层结构。空穴传输层可具有单层结构或多层结构。例如，空穴传输层可包括依次设置在空穴注入层上的第一空穴传输层、第二空穴传输层和第三空穴传输层。

例如，电子传输区可包括设置在发射层上的电子传输层以及位于电子传输层和第二电极之间的电子注入层。

在实施方式中，夹层可包括含胺化合物。例如，夹层可包括由式1表示的含胺化合物、由式2表示的含胺化合物、由式3表示的含胺化合物或其任何组合。

在实施方式中，空穴传输区可包括含胺化合物。例如，空穴传输区可包括由式1表示的含胺化合物、由式2表示的含胺化合物、由式3表示的含胺化合物或其任何组合。

在实施方式中，空穴传输层可包括含胺化合物，并且空穴传输层可直接接触发射层。例如，空穴传输层可包括由式1表示的含胺化合物、由式2表示的含胺化合物、由式3表示的含胺化合物或其任何组合。例如，空穴传输层可包括第一空穴传输层、第二空穴传输层和第三空穴传输层，并且第三空穴传输层可包括含胺化合物。在另一实施例中，第一空穴传输层和第三空穴传输层可各自包括含胺化合物。在又一实施例中，第一空穴传输层至第三空穴传输层可各自包括含胺化合物。

在实施方式中，发光装置可进一步包括在第一电极外侧的封盖层，并且封盖层可包括含胺化合物。

在实施方式中，发光装置可进一步包括在第一电极外侧的第一封盖层和在第二电极外侧的第二封盖层，并且第一封盖层或第二封盖层可包括含胺化合物。例如，第一封盖层或第二封盖层可包括由式1表示的含胺化合物、由式2表示的含胺化合物、由式3表示的含胺化合物或其任何组合。例如，含胺化合物可包括在依次布置的第一封盖层、第一电极和夹层当中的第一封盖层中。在另一实施例中，含胺化合物可包括在依次布置的夹层、第二电极和第二封盖层当中的第二封盖层中。第一封盖层和第二封盖层可各自包括含胺化合物。

根据实施方式，电子设备可包括发光装置。

在实施方式中，电子设备可进一步包括：电连接至发光装置的薄膜晶体管；和滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任何组合。例如，电子设备可包括发光装置、薄膜晶体管和滤色器。在另一实施例中，电子设备可包括发光装置、薄膜晶体管、滤色器和颜色转换层。

根据实施方式，电子装置可包括电子设备，并且电子装置可为平板显示器、曲面显示器、计算机监视器、医疗监视器、电视、广告牌、室内灯、室外灯、信号灯、平视显示器、全透明显示器、部分透明显示器、柔性显示器、可卷曲显示器、可折叠显示器、可伸缩显示器、激光打印机、电话、便携式电话、平板个人计算机、平板手机电脑、个人数字助理(PDA)、可穿戴装置、膝上型计算机、数字相机、摄像机、取景器、微型显示器、3D显示器、虚拟现实显示器、增强现实显示器、车辆、具有拼接在一起的多个显示器的视频墙、剧院屏幕、体育场屏幕、光疗装置或招牌。

在实施方式中，含胺化合物可由式1至式3中的一个表示：

[式1]

[式2]

[式3]

在式1至式3中，

a1至a3可各自独立地为选自0至5的整数，其中当a1为0时，由*-(L

b2和b4可各自独立地为选自0至3的整数，

b3可为选自0至6的整数，

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

各自未取代的或被下述取代的C

-Si(Q

其中Q

氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

各自未取代的或被氘、-F、氰基、C

*和*’各自指示与相邻原子的键合位点。

在实施方式中，含胺化合物可不包括咔唑基并且仅一个芴基可存在于含胺化合物中。

在实施方式中，R

在实施方式中，L

在式4-1至式4-3中，

d4可为选自0至4的整数，并且

*和*’各自指示与相邻原子的键合位点。

在实施方式中，Ar

在式5-1至式5-7中，

e5可为选自0至5的整数，

e7可为选自0至7的整数，并且

*指示与相邻原子的键合位点。

在实施方式中，Ar

在式6-1至式6-12中，

*指示与相邻原子的键合位点。

在实施方式中，在式1至式3中，由

在式A-1至式A-3中，

*指示与相邻原子的键合位点。

在实施方式中，R

在实施方式中，含胺化合物可为化合物1至化合物217中的一种：

在由式1至式3中的一个表示的含胺化合物中，Ar

[图1的描述]

图1为根据实施方式的发光装置10的示意性横截面图。发光装置10可包括第一电极110、夹层130和第二电极150。

下文，将参考图1描述根据实施方式的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。

[第一电极110]

在图1中，可在第一电极110下方和/或在第二电极150上进一步包括基板。在实施方式中，基板可为玻璃基板或塑料基板。在实施方式中，基板可为柔性基板。例如，柔性基板可包括具有卓越的耐热性和耐久性的塑料，比如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺或其任何组合。

可通过使用沉积或溅射方法将用于形成第一电极110的材料施加在基板上来形成第一电极110。当第一电极110为阳极时，用于形成第一电极110的材料可为利于空穴的注入的高功函材料。

第一电极110可为反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110为透射电极时，用于形成第一电极110的材料可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO

第一电极110可具有由单个层组成的结构或包括多个层的结构。例如，第一电极110可具有ITO/Ag/ITO的三层结构。

[夹层130]

夹层130可设置在第一电极110上。夹层130可包括发射层。

夹层130可进一步包括在第一电极110和发射层之间的空穴传输区以及在发射层和第二电极150之间的电子传输区。

除了各种有机材料之外，夹层130可进一步包括含金属化合物(比如有机金属化合物)或无机材料(比如量子点)等。

夹层130可包括堆叠在第一电极110和第二电极150之间的两个或更多个发射单元，以及位于两个或更多个发射单元之间的至少一个电荷生成层。当夹层130包括如上述的两个或更多个发射单元和至少一个电荷生成层时，发光装置10可为串联发光装置。

[夹层130中的空穴传输区]

空穴传输区可具有由(由单种材料组成的)单个层组成的单层结构，由包括多种不同材料的单个层组成的单层结构，或包括包含多种不同材料的多个层的多层结构。

空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合。

在实施方式中，空穴传输区可具有包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构，其中每个结构的层可按照其各自叙述的顺序从第一电极110堆叠，但是空穴传输区的结构不限于此。

空穴传输区可包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合：

[式201]

[式202]

在式201和式202中，

xa1至xa4可各自独立地为选自0至5的整数，

xa5可为选自1至10的整数，

na1可为选自1至4的整数。

在实施方式中，由式201表示的化合物和由式202表示的化合物可各自独立地包括由式CY201至式CY217表示的基团中的至少一个：

在式CY201至式CY217中，R

在实施方式中，在式CY201至式CY217中，环CY

在实施方式中，由式201表示的化合物和由式202表示的化合物可各自独立地包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个。

在实施方式中，由式201表示的化合物可包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个和由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。

在实施方式中，在式201中，xa1可为1，R

在实施方式中，由式201表示的化合物和由式202表示的化合物可各自不包括由式CY201至式CY203中的一个表示的基团。

在实施方式中，由式201表示的化合物和由式202表示的化合物可各自不包括由式CY201至式CY203中的一个表示的基团，并且可各自独立地包括由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。

在实施方式中，由式201表示的化合物和由式202表示的化合物可各自不包括由式CY201至式CY217中的一个表示的基团。

在实施方式中，空穴传输区可包括化合物HT1至化合物HT46中的一种、m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺TPD、螺NPB、甲基化的NPB、TAPC、HMTPD、4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)或其任何组合：

空穴传输区的厚度可在约

发射辅助层可根据从发射层发射的光的波长补偿光学共振距离，并且因此，可改善发光效率。电子阻挡层可防止电子从发射层泄漏到空穴传输区。可包括在空穴传输区中的材料可包括在发射辅助层和电子阻挡层中。

[p-掺杂剂]

除了这些材料之外，空穴传输区可进一步包括用于改善导电特性的电荷生成材料。电荷生成材料可均匀地或非均匀地分散在空穴传输区中(例如，以由电荷生成材料组成的单个层的形式)。

电荷生成材料可为，例如，p-掺杂剂。

例如，p-掺杂剂的最低未占分子轨道(LUMO)能级可等于或小于约-3.5eV。

在实施方式中，p-掺杂剂可包括醌衍生物、含氰基化合物、包括元素EL1和元素EL2的化合物或其任何组合。

醌衍生物的示例可包括TCNQ、F4-TCNQ等。

含氰基化合物的示例可包括HAT-CN和由式221表示的化合物：

[式221]

在式221中，

在包括元素EL1和元素EL2的化合物中，元素EL1可为金属、准金属或其任何组合，并且元素EL2可为非金属、准金属或其任何组合。

金属的示例可包括：碱金属(例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)等)；碱土金属(例如，铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)等)；过渡金属(例如，钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)等)；后过渡金属(例如，锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)等)；和镧系金属(例如，镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等)。

准金属的示例可包括硅(Si)、锑(Sb)和碲(Te)。

非金属的示例可包括氧(O)和卤素(例如，F、Cl、Br、I等)。

包括元素EL1和元素EL2的化合物的示例可包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物或金属碘化物)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物或准金属碘化物)、金属碲化物或其任何组合。

金属氧化物的示例可包括钨氧化物(例如，WO、W

金属卤化物的示例可包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和镧系金属卤化物。

碱金属卤化物的示例可包括LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI和CsI。

碱土金属卤化物的示例可包括BeF

过渡金属卤化物的示例可包括钛卤化物(例如，TiF

后过渡金属卤化物的示例可包括锌卤化物(例如，ZnF

镧系金属卤化物的示例可包括YbF、YbF

准金属卤化物的示例可包括锑卤化物(例如，SbCl

金属碲化物的示例可包括碱金属碲化物(例如，Li

[夹层130中的发射层]

当发光装置10为全色发光装置时，可根据子像素将发射层图案化为红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在实施方式中，发射层可具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或更多个层的堆叠结构，其中两个或更多个层可彼此接触或可彼此分开以发射白光。在实施方式中，发射层可包括红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的两种或更多种材料，其中两种或更多种材料在单个层中彼此混合，以发射白光。

发射层可包括主体和掺杂剂。掺杂剂可包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其任何组合。

基于100重量份的主体，发射层中掺杂剂的量可在约0.01重量份至约15重量份的范围内。

在实施方式中，发射层可包括量子点。

在实施方式中，发射层可包括延迟荧光材料。延迟荧光材料可用作发射层中的主体或掺杂剂。

发射层的厚度可在约

[主体]

在实施方式中，主体可包括由式301表示的化合物：

[式301]

[Ar

在式301中，

xb11可为1、2或3，

xb1可为选自0至5的整数，

xb21可为选自1至5的整数，并且

在实施方式中，在式301中，当xb11为2或更大时，两个或更多个Ar

在实施方式中，主体可包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其任何组合：

[式301-1]

[式301-2]

在式301-1和式301-2中，

环A

xb22和xb23可各自独立地为0、1或2，

xb2至xb4可各自独立地与在本文中参考xb1描述的相同，并且

在实施方式中，主体可包括碱土金属复合物、后过渡金属复合物或其任何组合。例如，主体可包括Be复合物(例如，化合物H55)、Mg复合物、Zn复合物或其任何组合。

在实施方式中，主体可包括化合物H1至化合物H128中的一种、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)、4,4’-双(N-咔唑基)-1,1’-联苯(CBP)、1,3-二(9-咔唑基)苯(mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)或其任何组合：

[磷光掺杂剂]

在实施方式中，磷光掺杂剂可包括至少一种过渡金属作为中心金属。

磷光掺杂剂可包括单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任何组合。

磷光掺杂剂可为电中性的。

在实施方式中，磷光掺杂剂可包括由式401表示的有机金属化合物：

[式401]

M(L

在式401中，

M可为过渡金属(例如，铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、金(Au)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)、铼(Re)或铥(Tm))，

[式402]

在式402中，

环A

xc11和xc12可各自独立地为选自0至10的整数，并且

式402中的*和*’各自指示与式401中的M的键合位点。

在实施方式中，在式402中，X

在实施方式中，在式401中，当xc1为2或更大时，两个或更多个L

在式401中，L

磷光掺杂剂可包括，例如，化合物PD1至化合物PD39中的一种或其任何组合：

[荧光掺杂剂]

荧光掺杂剂可包括含胺基化合物、含苯乙烯基化合物或其任何组合。

在实施方式中，荧光掺杂剂可包括由式501表示的化合物：

[式501]

在式501中，

xd1至xd3可各自独立地为0、1、2或3，并且

xd4可为1、2、3、4、5或6。

在实施方式中，在式501中，Ar

在实施方式中，在式501中，xd4可为2。

在实施方式中，荧光掺杂剂可包括化合物FD1至化合物FD37中的一种、DPVBi、DPAVBi或其任何组合：

[延迟荧光材料]

发射层可包括延迟荧光材料。

在说明书中，延迟荧光材料可选自能够基于延迟荧光发射机制而发射延迟荧光的化合物。

取决于发射层中包括的其他材料的类型，发射层中包括的延迟荧光材料可用作主体或掺杂剂。

在实施方式中，延迟荧光材料的三重态能级(eV)和延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差可在约0eV至约0.5eV的范围内。当延迟荧光材料的三重态能级(eV)和延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差满足上述范围时，可有效地发生延迟荧光材料从三重态至单重态的上转换，并且因此，可改善发光装置10的发光效率。

在实施方式中，延迟荧光材料可包括包含至少一个电子供体(例如，富π电子的C

延迟荧光材料的示例可包括化合物DF1至化合物DF14中的至少一种：

[量子点]

发射层可包括量子点。

在说明书中，量子点可为半导体化合物的晶体，并且可包括能够根据晶体的尺寸而发射各种发射波长的光的任何材料。

量子点的直径可在，例如，约1nm至约10nm的范围内。

可通过湿化学工艺、金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺、分子束外延(MBE)工艺或与其类似的任何工艺来合成量子点。

湿化学工艺为可包括将前体材料与有机溶剂混合并且使量子点颗粒晶体生长的方法。当晶体生长时，有机溶剂自然充当配位在量子点颗粒晶体的表面上的分散剂并且控制晶体的生长，以便可通过比气相沉积法(比如金属有机化学气相沉积工艺或分子束外延工艺)成本低并且容易进行的工艺来控制量子点颗粒晶体的生长。

量子点可包括第II-VI族半导体化合物、第III-V族半导体化合物、第III-VI族半导体化合物、第I-III-VI族半导体化合物、第IV-VI族半导体化合物、第IV族元素或化合物或其任何组合。

第II-VI族半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe或MgS；三元化合物，比如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe或MgZnS；四元化合物，比如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe；或其任何组合。

第III-V族半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs或InSb；三元化合物，比如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs或InPSb；四元化合物，比如GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb；或其任何组合。在实施方式中，第III-V族半导体化合物可进一步包括第II族元素。进一步包括第II族元素的第III-V族半导体化合物的示例可包括InZnP、InGaZnP、InAlZnP等。

第III-VI族半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如GaS、GaSe、Ga

第I-III-VI族半导体化合物的示例可包括：三元化合物，比如AgInS、AgInS

第IV-VI族半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe或PbTe；三元化合物，比如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe或SnPbTe；四元化合物，比如SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe；或其任何组合。

第IV族元素或化合物的示例可包括：单元素材料，比如Si或Ge；二元化合物，比如SiC或SiGe；或其任何组合。

多元素化合物(比如二元化合物、三元化合物和四元化合物)中包括的每种元素可以以均匀的浓度或以非均匀的浓度存在于颗粒中。

在实施方式中，量子点可具有其中量子点中的每种元素的浓度为均匀的单一结构，或量子点可具有核-壳结构。在实施方式中，在量子点具有核-壳结构的情况下，核中包括的材料和壳中包括的材料可彼此不同。

量子点的壳可用作防止核的化学变性以保持半导体特点的保护层，和/或可用作赋予量子点电泳特点的充电层。壳可为单个层或多个层。核和壳之间的界面可具有其中壳中存在的材料的浓度朝着核的中心减小的浓度梯度。

量子点的壳的示例可包括金属氧化物、准金属氧化物、非金属氧化物、半导体化合物或其任何组合。金属氧化物、准金属氧化物或非金属氧化物的示例可包括：二元化合物，比如SiO

半导体化合物的示例可包括，如在本文中描述的，第II-VI族半导体化合物、第III-V族半导体化合物、第III-VI族半导体化合物、第I-III-VI族半导体化合物、第IV-VI族半导体化合物或其任何组合。半导体化合物的示例可包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb或其任何组合。

量子点的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)可等于或小于约45nm。例如，量子点的发射波长光谱的FWHM可等于或小于约40nm。例如，量子点的发射波长光谱的FWHM可等于或小于约30nm。在这些范围内，可增加颜色纯度和/或颜色再现性。通过量子点发射的光可在所有方向上发射，使得可改善宽视角。

在实施方式中，量子点可为球形纳米颗粒、锥体纳米颗粒、多臂纳米颗粒、立方体纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米板的形式。

因为可通过控制量子点的尺寸来调整能带隙，所以可从量子点发射层获得具有各种波长带的光。相应地，通过使用不同尺寸的量子点，可实施发射各种波长的光的发光装置。在实施方式中，可选择量子点的尺寸以发射红光、绿光和/或蓝光。在实施方式中，量子点的尺寸可配置为通过各种颜色的光的组合来发射白光。

[夹层130中的电子传输区]

电子传输区可具有由(由单种材料组成的)单个层组成的单层结构，由包括多种不同材料的单个层组成的单层结构，或包括包含多种不同材料的多个层的多层结构。

电子传输区可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任何组合。

在实施方式中，电子传输区可具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中每个结构的层可按照其各自叙述的顺序从发射层堆叠，但是电子传输区的结构不限于此。

在实施方式中，电子传输区(例如，电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可包括无金属化合物，无金属化合物包括至少一个缺π电子的含氮C

在实施方式中，电子传输区可包括由式601表示的化合物：

[式601]

[Ar

在式601中，

xe11可为1、2或3，

xe1可为0、1、2、3、4或5，

xe21可为1、2、3、4或5，

在实施方式中，在式601中，当xe11为2或更大时，两个或更多个Ar

在实施方式中，在式601中，Ar

在实施方式中，电子传输区可包括由式601-1表示的化合物：

[式601-1]

在式601-1中，

xe611至xe613可各自独立地与在本文中参考xe1描述的相同，

在实施方式中，在式601和式601-1中，xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。

电子传输区可包括化合物ET1至化合物ET45中的一种、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、Alq

电子传输区的厚度可在约

除了上述材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可进一步包括含金属材料。

含金属材料可包括碱金属复合物、碱土金属复合物或其任何组合。碱金属复合物的金属离子可为Li离子、Na离子、K离子、Rb离子或Cs离子，并且碱土金属复合物的金属离子可为Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子或Ba离子。

与碱金属复合物的金属离子或碱土金属复合物的金属离子配位的配体可各自独立地包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟苯基噁二唑、羟苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任何组合。

例如，含金属材料可包括Li复合物。Li复合物可包括，例如，化合物ET-D1(Liq)或化合物ET-D2：

电子传输区可包括利于来自第二电极150的电子的注入的电子注入层。电子注入层可直接接触第二电极150。

电子注入层可具有由(由单种材料组成的)单个层组成的单层结构，由包括多种不同材料的单个层组成的单层结构，或包括包含多种不同材料的多个层的多层结构。

电子注入层可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任何组合。

碱金属可包括Li、Na、K、Rb、Cs或其任何组合。碱土金属可包括Mg、Ca、Sr、Ba或其任何组合。稀土金属可包括Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或其任何组合。

含碱金属化合物、含碱土金属化合物和含稀土金属化合物可为碱金属、碱土金属、稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)或碲化物或其任何组合。

含碱金属化合物可包括：碱金属氧化物，比如Li

碱金属复合物、碱土金属复合物和稀土金属复合物可包括：碱金属离子、碱土金属离子和稀土金属离子中的一种以及与金属离子键合的配体(例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟苯基噁二唑、羟苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任何组合)。

电子注入层可由如上述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任何组合组成。在实施方式中，电子注入层可进一步包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。

在实施方式中，电子注入层可由含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)组成；或电子注入层可由含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)和碱金属、碱土金属、稀土金属或其任何组合组成。例如，电子注入层可为KI:Yb共沉积层、RbI:Yb共沉积层或LiF:Yb共沉积层等。

当电子注入层进一步包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任何组合可均匀地或非均匀地分散在包括有机材料的基质中。

电子注入层的厚度可在约

[第二电极150]

第二电极150可设置在夹层130上。第二电极150可为作为电子注入电极的阴极。用于形成第二电极150的材料可为具有低功函的材料，比如金属、合金、电导性化合物或其任何组合。

第二电极150可包括Li、Ag、Mg、Al、Al-Li、Ca、Mg-In、Mg-Ag、Yb、Ag-Yb、ITO、IZO或其任何组合。第二电极150可为透射电极、半透射电极或反射电极。

第二电极150可具有单层结构或多层结构。

[封盖层]

发光装置10可包括位于第一电极110外侧的第一封盖层，和/或位于第二电极150外侧的第二封盖层。例如，发光装置10可具有其中第一封盖层、第一电极110、夹层130和第二电极150按照该叙述的顺序堆叠的结构，其中第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层按照该叙述的顺序堆叠的结构，或其中第一封盖层、第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层按照该叙述的顺序堆叠的结构。

例如，通过发光装置10的夹层130中的发射层生成的光可通过第一电极110(其可为半透射电极或透射电极)并且通过第一封盖层提取至外侧。例如，通过发光装置10的夹层130中的发射层生成的光可通过第二电极150(其可为半透射电极或透射电极)并且通过第二封盖层提取至外侧。

第一封盖层和第二封盖层可各自根据相长干涉的原理增加外部发射效率。相应地，增加了发光装置10的光提取效率，从而可改善发光装置10的发光效率。

第一封盖层和第二封盖层可各自包括(相对于约589nm的波长)具有等于或大于约1.6的折射率的材料。

第一封盖层和第二封盖层可各自独立地为包括有机材料的有机封盖层，包括无机材料的无机封盖层，或包括有机材料和无机材料的有机-无机复合材料封盖层。

第一封盖层和第二封盖层中的至少一层可各自独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属复合物、碱土金属复合物或其任何组合。在实施方式中，碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可任选地被包括O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或其任何组合的取代基取代。

在实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一层可各自独立地包括含胺基化合物。

例如，第一封盖层和第二封盖层中的至少一层可各自独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合。

在实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一层可各自独立地包括化合物HT28至化合物HT33中的一种、化合物CP1至化合物CP6中的一种、β-NPB或其任何组合：

[膜]

由式1至式3表示的含胺化合物中的至少一种可包括在各种膜中。相应地，另一方面提供了可包括由式1至式3表示的含胺化合物中的至少一种的膜。膜可为，例如，光学构件(或光控制装置)(例如，滤色器、颜色转换构件、封盖层、光提取效率增强层、选择性光吸收层、偏振层或含量子点层等)、阻光构件(例如，光反射层或光吸收层等)或保护构件(例如，绝缘层或介电层等)。

[电子设备]

发光装置可包括在各种电子设备中。在实施方式中，包括发光装置的电子设备可为发光设备或认证设备等。

除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可进一步包括滤色器、颜色转换层或者滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可位于从发光装置发射的光行进的至少一个方向上。在实施方式中，从发光装置发射的光可为蓝光或白光。发光装置可与在本文中描述的相同。在实施方式中，颜色转换层可包括量子点。量子点可为，例如，如在本文中描述的量子点。

电子设备可包括第一基板。第一基板可包括多个子像素，滤色器可包括分别对应于多个子像素的多个滤色器区域，并且颜色转换层可包括分别对应于多个子像素的多个颜色转换区域。

像素限定层可位于多个子像素之间以限定每个子像素。

滤色器可进一步包括多个滤色器区域和位于多个滤色器区域之间的多个遮光图案，并且颜色转换层可进一步包括多个颜色转换区域和位于多个颜色转换区域之间的多个遮光图案。

滤色器区域(或颜色转换区域)可包括发射第一颜色光的第一区域、发射第二颜色光的第二区域和发射第三颜色光的第三区域。第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可具有彼此不同的最大发射波长。例如，第一颜色光可为红光，第二颜色光可为绿光，并且第三颜色光可为蓝光。在实施方式中，滤色器区域(或颜色转换区域)可包括量子点。例如，第一区域可包括红色量子点，第二区域可包括绿色量子点，并且第三区域可不包括量子点。量子点可与本文中描述的相同。第一区域、第二区域和/或第三区域可各自包括散射体。

在实施方式中，发光装置可发射第一光，第一区域可吸收第一光以发射第一-第一颜色光，第二区域可吸收第一光以发射第二-第一颜色光，并且第三区域可吸收第一光以发射第三-第一颜色光。第一-第一颜色光、第二-第一颜色光和第三-第一颜色光可具有彼此不同的最大发射波长。例如，第一光可为蓝光，第一-第一颜色光可为红光，第二-第一颜色光可为绿光，并且第三-第一颜色光可为蓝光。

除了如在本文中描述的发光装置之外，电子设备可进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极和漏电极中的一个可电连接至发光装置的第一电极和第二电极中的一个。

薄膜晶体管可进一步包括栅电极或栅绝缘膜等。

有源层可包括晶体硅、非晶硅、有机半导体或氧化物半导体等。

电子设备可进一步包括用于密封发光装置的密封部分。密封部分可位于滤色器和/或颜色转换层与发光装置之间。密封部分可允许来自发光装置的光提取至外侧，并且可同时防止环境空气和水分渗透至发光装置中。密封部分可为包括透明玻璃基板或塑料基板的密封基板。密封部分可为包括有机层和/或无机层的薄膜封装层。当密封部分为薄膜封装层时，电子设备可为柔性的。

根据电子设备的用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种功能层可进一步包括在密封部分上。功能层的示例可包括触摸屏层和偏振层等。触摸屏层可为压敏触摸屏层、电容式触摸屏层或红外触摸屏层。认证设备可为，例如，通过使用活体(例如，指尖、瞳孔等)的生物识别信息来认证个体的生物识别认证设备。

除了如上述的发光装置之外，认证设备可进一步包括生物识别信息收集器。

电子设备可应用于各种显示器、光源、照明设备、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数字相机、电子记事薄、电子词典、电子游戏机、医疗工具(例如，电子温度计、血压计、血糖计、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种测量工具、仪表(例如，用于车辆、航空器和船只的仪表)和投影仪等。

[电子装置]

发光装置可包括在各种电子装置中。

在实施方式中，包括发光装置的电子装置可为平板显示器、曲面显示器、计算机监视器、医疗监视器、电视、广告牌、室内灯、室外灯、信号灯、平视显示器、全透明显示器、部分透明显示器、柔性显示器、可卷曲显示器、可折叠显示器、可伸缩显示器、激光打印机、电话、便携式电话、平板个人计算机、平板手机电脑、个人数字助理(PDA)、可穿戴装置、膝上型计算机、数字相机、摄像机、取景器、微型显示器、三维(3D)显示器、虚拟现实显示器、增强现实显示器、车辆、具有拼接在一起的多个显示器的视频墙、剧院屏幕、体育场屏幕、光疗装置或招牌。

发光装置具有卓越的发光效率和长寿命，使得包括发光装置的电子装置可具有比如高亮度、高分辨率和低功率消耗的特点。

[图2和图3的描述]

图2为根据实施方式的电子设备的示意性横截面图。

图2的电子设备可包括基板100、薄膜晶体管(TFT)、发光装置和密封发光装置的封装部分300。

基板100可为柔性基板、玻璃基板或金属基板。缓冲层210可位于基板100上。缓冲层210可防止穿过基板100的杂质的渗透。缓冲层210可在基板100上提供平坦的表面。

TFT可位于缓冲层210上。TFT可包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。

有源层220可包括无机半导体(比如硅或多晶硅)、有机半导体或氧化物半导体。有源层220可包括源区、漏区和沟道区。

用于使有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可位于有源层220上，并且栅电极240可位于栅绝缘膜230上。

夹层绝缘膜250可位于栅电极240上。夹层绝缘膜250可位于栅电极240和源电极260之间，以使栅电极240与源电极260绝缘，并且位于在栅电极240和漏电极270之间，以使栅电极240与漏电极270绝缘。

源电极260和漏电极270可位于夹层绝缘膜250上。夹层绝缘膜250和栅绝缘膜230可形成为暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可分别接触有源层220的源区和漏区的暴露部分。

TFT电连接至发光装置以驱动发光装置，并且被钝化层280覆盖和保护。钝化层280可包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其任何组合。发光装置提供在钝化层280上。发光装置可包括第一电极110、夹层130和第二电极150。

第一电极110可位于钝化层280上。钝化层280可不完全覆盖漏电极270。钝化层280可暴露漏电极270的一部分。第一电极110可电连接至漏电极270的暴露部分。

包括绝缘材料的像素限定层290可位于第一电极110上。像素限定层290可暴露第一电极110的一部分。夹层130可形成在第一电极110的暴露部分上。像素限定层290可为聚酰亚胺或聚丙烯酸有机膜。尽管在图2中未示出，但是夹层130的至少一些层可延伸超过像素限定层290的上部，而以公共层的形式提供。

第二电极150可位于夹层130上，并且封盖层170可进一步包括在第二电极150上。可形成封盖层170以覆盖第二电极150。

封装部分300可位于封盖层170上。封装部分300可位于发光装置上以保护发光装置免受水分和/或氧气的影响。封装部分300可包括：无机膜，包括硅氮化物(SiN

图3为根据另一实施方式的电子设备的示意性横截面图。

图3的电子设备与图2的电子设备的不同可至少在于遮光图案500和功能区400进一步包括在封装部分300上。功能区400可为滤色器区域、颜色转换区域，或滤色器区域和颜色转换区域的组合。在实施方式中，图3的电子设备中包括的发光装置可为串联发光装置。

[图4的描述]

图4为根据实施方式的包括发光装置的电子装置1的示意性透视图。

作为可显示视频或静止图像的装置的电子装置1，可为便携式电子装置(比如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动通信终端、电子数字助理、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航系统、超级移动个人计算机(UMPC))，或可为便携式电子装置的一部分以及各种产品(比如电视、膝上型计算机、监视器、广告牌或物联网(IOT)装置)。

在实施方式中，电子装置1可为便携式电子装置(比如智能手表、手表电话)，或可为便携式电子装置的一部分或可穿戴的装置(比如眼镜型显示器或头戴式显示器(HMD))。然而，实施方式不限于此。

例如，电子装置1可为车辆的仪表板、布置在车辆的中控台(center fascia)或仪表板上的中心信息显示器(CID)、代替车辆的侧视镜的车内镜显示器、布置在车辆的后座椅中用于娱乐的显示器或布置在车辆的前座椅的靠背上的显示器、安装在车辆的前面或投影在前窗玻璃上的平视显示器(HUD)或计算机生成的全息图增强现实平视显示器(CGH ARHUD)。为了方便解释，图4示出了其中电子装置1为智能电话的实施方式。

电子装置1可包括显示区域DA和在显示区域DA外侧的非显示区域NDA。显示装置1可通过显示区域DA中二维阵列的像素来实施图像。

作为不显示图像的区域的非显示区域NDA，可围绕显示区域DA。用于向布置在显示区域DA中的显示元件提供电信号或电力的驱动器可布置在非显示区域NDA中。作为可电连接电子元件或印刷电路板的区域的焊盘可布置在非显示区域NDA中。

电子装置1在x轴方向上和y轴方向上可具有不同的长度。在实施方式中，如图4中示出的，在x轴方向上的长度可小于在y轴方向上的长度。在另一实施方式中，在x轴方向上的长度和在y轴方向上的长度可相同。在又一实施方式中，在x轴方向上的长度可大于在y轴方向上的长度。

[图5和图6A至图6C的描述]

图5为根据实施方式的作为包括发光装置的电子装置的车辆1000的外部的示意性透视图。图6A至图6C各自为根据实施方式的车辆1000的内部的示意图。

参考图5、图6A、图6B和图6C，车辆1000可指将待运输的对象(比如人、物体或动物)从出发点移动至目的地的各种装置。车辆1000可为在道路或轨道上行驶的车辆、在海洋上或河流上移动的船只或在空气中飞行的飞机等。

车辆1000可在道路或轨道上行驶。车辆1000可根据至少一个车轮的旋转而在一个方向上移动。例如，车辆1000可为三轮或四轮车辆、工程机器、两轮车辆、机车、自行车和在轨道上运行的火车。

车辆1000可包括具有内部和外部的车身，以及作为车身之外的部分并且包括其中安装有用于驱动车辆所必须的机械设备的底盘。车身的外部可包括前面板、发动机盖、车顶面板、后盖、后备箱和提供在车门之间的边界处的支柱。车辆1000的底盘可包括发电装置、动力传输装置、驱动装置、转向装置、制动装置、悬架、变速器、燃料装置以及前轮、后轮、左轮和右轮。

车辆1000可包括侧窗玻璃1100、前窗玻璃1200、侧视镜1300、仪表盘1400、中控台1500、乘客座椅仪表板1600和显示装置2。

侧窗玻璃1100和前窗玻璃1200可由布置在侧窗玻璃1100和前窗玻璃1200之间的支柱分隔。

侧窗玻璃1100可安装在车辆1000的侧面。在实施方式中，侧窗玻璃1100可安装在车辆1000的车门中。可提供多个侧窗玻璃1100并且可面向彼此。在实施方式中，侧窗玻璃1100可包括第一侧窗玻璃1110和第二侧窗玻璃1120。在实施方式中，第一侧窗玻璃1110可布置为邻近仪表盘1400。第二侧窗玻璃1120可布置为邻近乘客座椅仪表板1600。

在实施方式中，侧窗玻璃1100可在x方向上或在与x方向相反的方向上彼此隔开。例如，第一侧窗玻璃1110和第二侧窗玻璃1120可在x方向上或在与x方向相反的方向上彼此隔开。连接侧窗玻璃1100的虚拟直线L可在x方向上或在与x方向相反的方向上延伸。例如，连接第一侧窗玻璃1110和第二侧窗玻璃1120的虚拟直线L可在x方向上或在与x方向相反的方向上延伸。

前窗玻璃1200可安装在车辆1000的前面上。前窗玻璃1200可位于面向彼此的侧窗玻璃1100之间。

侧视镜1300可提供车辆1000的后部的视图。侧视镜1300可安装在车身的外部上。在实施方式中，可提供多个侧视镜1300。侧视镜1300中的一个可位于第一侧窗玻璃1110的外侧上。侧视镜1300中的另一个可位于第二侧窗玻璃1120的外侧上。

仪表盘1400可位于方向盘前面。仪表盘1400可包括转速表、速度表、冷却剂温度表、油量表、转向信号指示灯、远光指示灯、警告灯、座椅安全带警告灯、里程表、行驶记录系统、自动换挡杆指示灯、车门打开警告灯、机油警告灯和/或燃料短缺警告灯。

中控台1500可包括具有用于调整音频装置、空调装置和座椅加热器的按钮的控制面板。中控台1500可位于仪表盘1400的一侧上。

乘客座椅仪表板1600可与仪表盘1400间隔开，中控台1500在乘客座椅仪表板1600和仪表盘1400之间。在实施方式中，仪表盘1400可布置为对应于驾驶员座椅(未示出)，并且乘客座椅仪表板1600可布置为对应于乘客座椅(未示出)。在实施方式中，仪表盘1400可邻近第一侧窗玻璃1110，并且乘客座椅仪表板1600可邻近第二侧窗玻璃1120。

在实施方式中，显示装置2可包括显示面板3，并且显示面板3可显示图像。显示装置2可位于车辆1000内侧。在实施方式中，显示装置2可位于面向彼此的侧窗玻璃1100之间。显示装置2可位于仪表盘1400、中控台1500和乘客座椅仪表板1600中的至少一个中。

显示装置2可包括有机发光显示器、无机发光显示器或量子点显示器等。下文，尽管包括根据实施方式的发光装置的有机发光显示器作为根据实施方式的显示装置2的示例，但是可使用如上述的各种显示装置作为实施方式。

参考图6A，显示装置2可布置在中控台1500中。在实施方式中，显示装置2可显示导航信息。在实施方式中，显示装置2可显示有关音频设置、视频设置或车辆设置的信息。

参考图6B，显示装置2可布置在仪表盘1400中。仪表盘1400可通过显示装置2示出驾驶信息等。因此，仪表盘1400可数字化实施驾驶信息。数字仪表盘1400可将车辆信息和驾驶信息显示为图像。例如，可通过数字信号来显示转速表的指针和仪表以及各种警告灯。

参考图6C，显示装置2可布置在乘客座椅仪表板1600中。显示装置2可嵌入乘客座椅仪表板1600中或位于乘客座椅仪表板1600上。在实施方式中，布置在乘客座椅仪表板1600上的显示装置2可显示关于仪表盘1400上显示的信息的图像和/或关于中控台1500上显示的信息的图像。在实施方式中，布置在乘客座椅仪表板1600中的显示装置2可显示与仪表盘1400上显示的信息相关的图像和/或与中控台1500上显示的信息相关的图像。在实施方式中，布置在乘客座椅仪表板1600中的显示装置2可显示与仪表盘1400上显示的信息和/或中控台1500上显示的信息不同的图像。

[制造方法]

空穴传输区中包括的各个层、发射层和电子传输区中包括的各个层可通过使用选自真空沉积、旋涂、浇铸、朗缪尔-布罗基特(LB)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像中的一种或多种适当的方法形成在某些区中。

当空穴传输区中包括的各个层、发射层和电子传输区中包括的各个层通过真空沉积形成时，取决于待形成的层中待包括的材料和待形成的层的结构，可在约100℃至约500℃的沉积温度下，约10

[术语的限定]

如在本文中使用的，术语“C

如在本文中使用的，术语“环状基团”可为C

如在本文中使用的，术语“富π电子的C

在实施方式中，

富π电子的C

缺π电子的含氮C

其中T1基团可为环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、环丁烯基、环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基、环己二烯基、环庚烯基、金刚烷基、降冰片烷基(或二环[2.2.1]庚烷基)、降冰片烯基、二环[1.1.1]戊烷基、二环[2.1.1]己烷基、二环[2.2.2]辛烷基或苯基，

T2基团可为呋喃基、噻吩基、1H-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2H-吡咯基、3H-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、吡咯烷基、咪唑烷基、二氢吡咯基、哌啶基、四氢吡啶基、二氢吡啶基、六氢嘧啶基、四氢嘧啶基、二氢嘧啶基、哌嗪基、四氢吡嗪基、二氢吡嗪基、四氢哒嗪基或二氢哒嗪基，

T3基团可为呋喃基、噻吩基、1H-吡咯基、噻咯基或硼杂环戊二烯基，并且

T4基团可为2H-吡咯基、3H-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基。

如在本文中使用的，术语“环状基团”、“C

单价C

二价C

如在本文中使用的，术语“C

在在本文中使用的，术语“C

如在本文中使用的，术语“C

当C

如在本文中使用的，术语“C

当C

如在本文中使用的，术语“单价非芳族稠合多环基团”可为具有两个或更多个彼此稠合的环，仅碳原子作为成环原子，并且在其整个分子结构中无芳香性的单价基团(例如，具有8至60个碳原子)。单价非芳族稠合多环基团的示例可包括茚基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、茚并菲基和茚并蒽基。

如在本文中使用的，术语“二价非芳族稠合多环基团”可为与上述单价非芳族稠合多环基团具有相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“单价非芳族稠合杂多环基团”可为具有两个或更多个彼此稠合的环，除了碳原子之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子并且在其整个分子结构中无芳香性的单价基团(例如，具有1至60个碳原子)。单价非芳族稠合杂多环基团的示例可包括吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和苯并噻吩并二苯并噻吩基。

如在本文中使用的，术语“二价非芳族稠合杂多环基团”可为与上述单价非芳族稠合杂多环基团具有相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C

在说明书中，基团“R

氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

各自未取代的或被下述取代的C

-Si(Q

在说明书中，Q

氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；各自未取代的或被氘、-F、氰基、C

如在本文中使用的，术语“杂原子”可为除碳原子和氢原子之外的任何原子。杂原子的示例可包括O、S、N、P、Si、B、Ge、Se或其任何组合。

如在本文中使用的，术语“第三行过渡金属”可包括Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt或Au等。

如在本文中使用的，术语“Ph”指苯基，如在本文中使用的，术语“Me”指甲基，如在本文中使用的，术语“Et”指乙基，如在本文中使用的，术语“tert-Bu”或“Bu

如在本文中使用的，术语“联苯基”可为“被苯基取代的苯基”。例如，“联苯基”可为具有C

如在本文中使用的，术语“三联苯基”可为“被联苯基取代的苯基”。例如，“三联苯基”可为具有被C

除非另外限定，否则如在本文中使用的，符号*和*’各自指与对应的式或部分中的相邻原子的键合位点。

在说明书中，术语“x轴”、“y轴”和“z轴”不限于笛卡尔坐标系或正交坐标系中的三个轴，并且可具有包括这些轴的更广泛的含义。例如，x轴、y轴和z轴可描述彼此正交的轴，或者可描述在彼此不正交的不同方向上的轴。

下文，将参考下述合成例和实施例详细地描述根据实施方式的化合物和根据实施方式的发光装置。如在描述合成例时使用的措辞“使用B代替A”意指使用相同摩尔当量的B代替A。

[实施例]

[合成例1：化合物1的合成]

中间体1-1的合成

在烧瓶中将1.60g(10mmol)的萘-2,3-二醇和4.18ml(30mmol)的三乙胺溶解在60mL的二氯甲烷(DCM)中，并且将3.36ml(20mmol)的三氟甲磺酸酸酐溶解在20mL的DCM中并且在0℃下缓慢添加至烧瓶，随后在室温下搅拌5小时。将40mL的水添加至反应溶液，并且用50mL的乙醚将混合物萃取三次。将收集的有机层用硫酸镁(MgSO

中间体1-2的合成

将4.24g(10.0mmol)的中间体1-1、1.10g(9.0mmol)的苯基硼酸、0.58g(0.5mmol)的Pd(PPh

中间体1-3的合成

将3.52g(10mmol)的中间体1-2、1.40g(15mmol)的苯胺、0.46g(0.5mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(Pd

化合物1的合成

将2.95g(10mmol)的中间体1-3、3.49g(10mmol)的2-溴-9,9-二甲基-5-苯基-9H-芴、0.46g(0.5mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(Pd

[合成例2：化合物2的合成]

以与用于合成化合物1基本上相同的方式合成化合物2，只是使用4-氨基联苯代替苯胺。通过MS/FAB和

[合成例3：化合物9的合成]

中间体9-1的合成

将1.44g(10mmol)的2-羟基萘溶解在20mL的DCM中，并且将1.78g(10mmol)的N-溴代琥珀亚胺溶解在20mL的DCM中并且在0℃下向其添加。将所得物在室温下搅拌5小时，并且将3g的Na

中间体9-2的合成

将2.23g(10mmol)的中间体9-1、1.46g(12mmol)的苯基硼酸、0.58g(0.5mmol)的Pd(PPh

中间体9-3的合成

在烧瓶中将2.34g(10mmol)的中间体9-2和4.18ml(30mmol)的三乙胺溶解在60mL的DCM中，并且将1.68ml(10mmol)的三氟甲磺酸酸酐溶解在20mL的DCM中并且在0℃下缓慢添加至烧瓶，随后在室温下搅拌5小时。将40mL的水添加至反应溶液，并且用50mL的乙醚将混合物萃取三次。将收集的有机层使用MgSO

中间体9-4的合成

将3.52g(10mmol)的中间体9-3、1.40g(15mmol)的苯胺、0.46g(0.5mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(Pd

化合物9的合成

将2.95g(10mmol)的中间体9-4、3.49g(10mmol)的2-溴-9,9-二甲基-5-苯基-9H-芴、0.46g(0.5mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(Pd

[合成例4：化合物10的合成]

以与用于合成化合物9基本上相同的方式合成化合物10，只是使用4-氨基联苯代替苯胺。通过MS/FAB和

[合成例5：化合物18的合成]

中间体18-1的合成

将3.33g(10mmol)的3-溴-1-碘萘、1.10g(9mmol)的苯基硼酸、0.58g(0.5mmol)的Pd(PPh

中间体18-2的合成

将2.82g(10mmol)的中间体18-1、2.54g(15mmol)的4-氨基联苯、0.46g(0.5mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(Pd

化合物18的合成

将3.71g(10mmol)的中间体18-2、3.49g(10mmol)的2-溴-9,9-二甲基-5-苯基-9H-芴、0.46g(0.5mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(Pd

[合成例6：化合物45的合成]

中间体45-1的合成

将3.08g(10mmol)的5-溴-2-氯-9,9-二甲基-9H-芴、2.18g(11mmol)的[1,1’-联苯]-4-基硼酸、0.58g(0.5mmol)的Pd(PPh

合成化合物45

将3.81g(10mmol)的中间体45-1、2.95g(10mmol)的中间体1-3、0.46g(0.5mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(Pd

[合成例7：化合物65的合成]

中间体65-1的合成

将3.52g(10mmol)的中间体1-2、1.56g(10mmol)的(4-氯苯基)硼酸、0.58g(0.5mmol)的Pd(PPh

中间体65-2的合成

将3.14g(10mmol)的中间体65-1、1.40g(15mmol)的苯胺、0.46g(0.5mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(Pd

化合物65的合成

将3.71g(10mmol)的中间体65-2、3.49g(10mmol)的2-溴-9,9-二甲基-5-苯基-9H-芴、0.46g(0.5mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(Pd

[合成例8：化合物73的合成]

以与用于合成化合物65基本上相同的方式合成化合物73，只是使用中间体9-3代替中间体1-2。通过MS/FAB和

[合成例9：化合物76的合成]

以与用于合成化合物73基本上相同的方式合成化合物76，只是使用2-氨基联苯代替苯胺。通过MS/FAB和

[合成例10：化合物85的合成]

中间体85-1的合成

将2.83g(10mmol)的中间体18-1、1.56g(10mmol)的(4-氯苯基)硼酸、0.58g(0.5mmol)的Pd(PPh

中间体85-2的合成

将3.14g(10mmol)的中间体85-1、2.15g(15mmol)的萘-2-胺、0.46g(0.5mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(Pd

化合物85的合成

将4.21g(10mmol)的中间体85-2、3.49g(10mmol)的2-溴-9,9-二甲基-5-苯基-9H-芴、0.46g(0.5mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(Pd

[合成例11：化合物166的合成]

中间体166-1的合成

将3.52g(10mmol)的中间体1-2、2.00g(10mmol)的(2-溴苯基)硼酸、0.58g(0.5mmol)的Pd(PPh

中间体166-2的合成

将3.58g(10mmol)的中间体166-1、2.54g(15mmol)的4-氨基联苯、0.46g(0.5mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(Pd

化合物166的合成

将4.47g(10mmol)的中间体166-2、3.49g(10mmol)的2-溴-9,9-二甲基-5-苯基-9H-芴、0.46g(0.5mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(Pd

[合成例12：化合物204的合成]

中间体204-1的合成

将3.52g(10mmol)的中间体9-3、2.63g(15mmol)的4-环己基苯胺、0.46g(0.5mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(Pd

化合物204的合成

将3.77g(10mmol)的中间体204-1、3.49g(10mmol)的2-溴-9,9-二甲基-5-苯基-9H-芴、0.46g(0.5mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(Pd

[合成例13：化合物209的合成]

中间体209-1的合成

将2.12g(10mmol)的二苯并[b,d]呋喃-4-基硼酸、1.72g(10mmol)的4-溴代苯胺、0.58g(0.5mmol)的Pd(PPh

中间体209-2的合成

将3.89g(15mmol)的中间体209-1、2.83g(10mmol)的中间体18-1、0.46g(0.5mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(Pd

化合物209的合成

将4.61g(10mmol)的中间体209-2、3.49g(10mmol)的2-溴-9,9-二甲基-5-苯基-9H-芴、0.46g(0.5mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(Pd

[合成例14：化合物210的合成]

中间体210-1的合成

将2.83g(10mmol)的中间体18-1、1.40g(15mmol)的苯胺、0.46g(0.5mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(Pd

化合物210的合成

将2.95g(10mmol)的中间体210-1、3.49g(10mmol)的2-溴-9,9-二甲基-6-苯基-9H-芴、0.46g(0.5mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(Pd

[合成例15：化合物211的合成]

以与用于合成化合物210基本上相同的方式合成化合物211，只是使用2-溴-9,9-二甲基-8-苯基-9H-芴代替2-溴-9,9-二甲基-6-苯基-9H-芴。通过MS/FAB和

[合成例16：化合物212的合成]

中间体212-1的合成

将2.83g(10mmol)的中间体18-1、1.56g(10mmol)的(4-氯苯基)硼酸、0.58g(0.5mmol)的Pd(PPh

中间体212-2的合成

将3.14g(10mmol)的中间体212-1、1.40g(15mmol)的苯胺、0.46g(0.5mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(Pd

化合物212的合成

将3.71g(10mmol)的中间体212-2、3.49g(10mmol)的2-溴-9,9-二甲基-6-苯基-9H-芴、0.46g(0.5mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(Pd

[合成例17：化合物213的合成]

以与用于合成化合物212基本上相同的方式合成化合物213，只是使用2-溴-9,9-二甲基-8-苯基-9H-芴代替2-溴-9,9-二甲基-6-苯基-9H-芴。通过MS/FAB和

[合成例18：化合物214的合成]

以与用于合成化合物210基本上相同的方式合成化合物214，只是使用4-氨基联苯代替苯胺。通过MS/FAB和

[合成例19：化合物215的合成]

以与用于合成化合物214基本上相同的方式合成化合物215，只是使用2-溴-9,9-二甲基-8-苯基-9H-芴代替2-溴-9,9-二甲基-6-苯基-9H-芴。通过MS/FAB和

[合成例20：化合物216的合成]

以与用于合成化合物9基本上相同的方式合成化合物216，只是使用2-溴-9,9-二甲基-6-苯基-9H-芴代替2-溴-9,9-二甲基-5-苯基-9H-芴。通过MS/FAB和

[合成例21：化合物217的合成]

以与用于合成化合物9基本上相同的方式合成化合物217，只是使用2-溴-9,9-二甲基-8-苯基-9H-芴代替2-溴-9,9-二甲基-5-苯基-9H-芴。通过MS/FAB和

实施例化合物的MS/FAB和

[表1]

比较例1

将在其上形成具有

将2-TNATA真空沉积在ITO阳极上以形成具有

将9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)和4,4’-双[2-(4-(N,N-二苯基氨基)苯基)乙烯基]联苯(DPAVBi)以98:2的重量比共沉积在空穴传输层上以形成具有

将Alq

比较例2至比较例7、实施例1至实施例12和实施例15至实施例23

以与比较例1中基本上相同的方式制造有机发光装置，只是在形成空穴传输层时使用表2中示出的化合物代替NPB。

实施例13

以与比较例1中基本上相同的方式制造有机发光装置，只是不使用NPB形成具有

实施例14

以与比较例1中基本上相同的方式制造有机发光装置，只是不使用NPB形成具有

评估例1

为了评估根据比较例1至比较例7和实施例1至实施例23制造的有机发光装置的特点，测量其驱动电压、亮度、发光效率和寿命，并且其结果示出在表2中。

使用源表(Keithley Instrument Inc.，2400系列)测量在50mA/cm

为评估亮度、发光效率和寿命，从电流电压表(Kethley SMU 236)供电，并且使用亮度计PR650进行测量。

[表2]

从表2中，确认与根据比较例1至比较例7的有机发光装置相比，根据实施例1至实施例23有机发光装置具有相对低或相当的驱动电压、高亮度、高发光效率和长寿命。

由式1至式3中的一个表示的含胺化合物可具有卓越的空穴传输特点。包括含胺化合物的发光装置可具有低驱动电压、高亮度、高发光效率和长寿命。可改善包括发光装置的电子设备和使用电子设备的电子装置的显示质量。

在本文中已经公开了实施方式，并且尽管采用了术语，但是仅仅以一般性和描述性含义使用和解释它们，并且不用于限制的目的。在一些情况下，如将对本领域普通技术人员显而易见的，结合实施方式描述的特征、特点和/或元件可单独使用或与结合其他实施方式描述的特征、特点和/或元件组合，除非以其他方式具体地指示。相应地，本领域普通技术人员将理解，在不背离如权利要求中陈述的本公开的精神和范围的情况下，可进行各种形式和细节上的改变。

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