低折射率分子、材料和低折射率薄膜、发光器件
文献发布时间：2024-04-18 19:58:53
技术领域
本申请涉及发光二极管领域，尤其涉及发光二极管的功能层材料。
背景技术
有机发光二极管(OLED)和量子点发光二极管(QLED)是目前显示领域的前沿技术，都属于电致发光器件，其发光原理都是电子和空穴在发光层复合发光，具有相似的结构。上述两种发光二极管的阴极和阳极都可以作为出光侧，其中，阴极的材料一般为铝、镁、银、镱等金属或其合金，其折射率较高，与空气的折射率相差很大，这导致光从阴极向空气传播时，临界角比较小，容易发生全反射。
为了增加顶发射电致发光器件的出光率，本领域通常在半透阴极上增加一层较高折射率的材料形成高折射率层，以减少全反射。近年来技术人员又提出在高折射率层上增加一层低折射率的材料，可以进一步提高光利用率。然而，现有的低折射率分子大多为无机材料或者聚合物材料，如SiO
发明内容
本申请实施例提供了一种低折射率分子、材料和低折射率薄膜、发光器件，以解决现有的电致发光器件低折射率材料柔性差、无法蒸镀的技术问题。
第一方面，本申请实施例提供一种低折射率分子，所述低折射率分子为式(I)、式(II)、式(III)或式(IV)表示的分子中的一种：
其中，Q为取代或未取代的芳基或杂芳基；
所述W
在本申请的一些实施例中，所述低折射率分子为式(Ⅴ)、式(VI)、式(VII)或式(Ⅷ)表示的分子中的至少一种：
其中，Q
R
在本申请的一些实施例中，所述Q
在本申请的一些实施例中，R
在本申请的一些实施例中，所述R
在本申请的一些实施例中，Q在每次出现时，独立地选自式(IX)所表示的基团中的一种：
其中6个X各自独立地选自C、N中的一种；
Ar
n为区间[1，6]内的整数。
在本申请的一些实施例中，Ar
在本申请的一些实施例中，Ar
在本申请的一些实施例中，所述低折射率分子为如下分子中的一种：
第二方面，本申请实施例提供一种低折射率材料，所述低折射率材料包括第一方面任一实施例所述的低折射率分子中的至少一种。
第三方面，本申请实施例提供一种低折射率薄膜，所述低折射率薄膜的材料为第二方面任一实施例所述低折射率材料。
第四方面，本申请实施例提供一种发光器件，所述发光器件包括第三方面任一实施例所述的低折射率薄膜。
在本申请的一些实施例中，所述发光器件为有机发光二极管、量子点发光二极管中的一种。
在本申请的一些实施例中，所述发光器件包括：
阳极；
设置在所述阳极上的发光层；
设置在所述发光层上的阴极；
设置在所述阴极上的高折射率层；
设置在所述高折射率层上的所述低折射率薄膜。
本申请实施例提供的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点：
本申请实施例提供的低折射率分子，通过以降冰片结构为核心构建一系列低折射率分子，
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的发光器件的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
除非另有特别说明，本文使用的术语应理解为如本领域中通常所使用的含义。因此，除非另有定义，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属领域技术人员的一般理解相同的含义。若存在矛盾，本说明书优先。
除非另有特别说明，本申请中用到的各种原材料、试剂、仪器和设备等，均可通过市场购买得到或者可通过现有方法制备得到。
现有的电致发光器件存在低折射率材料柔性差、无法蒸镀的技术问题。
本申请实施例提供的技术方案为解决上述技术问题，总体思路如下：
第一方面，本申请实施例提供一种低折射率分子，所述低折射率分子为式(I)、式(II)、式(III)或式(IV)表示的分子中的一种：
其中，Q为取代或未取代的芳基或杂芳基；
所述W
当有机小分子形成透光的薄膜，有机小分子的极性与薄膜的折射率呈现一定的正相关性。
式(I)、式(II)、式(III)或式(IV)中出现了多个W
Q每次出现时独立地代表取代或未取代的芳基或杂芳基中的一种。
本申请以降冰片结构，即
以降冰片结构为核心的低折射率分子还具有较弱的结晶性，这有利于降低蒸镀工艺的温度。在较低的温度下有机小分子更稳定，不易发生化学变化，因此有机小分子结晶性弱有利于蒸镀工艺的实现。
本申请通过以降冰片结构为核心构建一系列低折射率分子，
在本申请的一些实施例中，所述低折射率分子为式(Ⅴ)、式(VI)、式(VII)或式(Ⅷ)表示的分子中的至少一种：
其中，Q
R
在降冰片结构上连接具有芳基的基团，有利于增加降冰片结构的稳定性，增加所述地折射率分子对蒸镀工艺的适用性。
在本申请的一些实施例中，所述Q
所述Q
在本申请的一些实施例中，R
R
在本申请的一些实施例中，所述R
所述R
在本申请的一些实施例中，Q在每次出现时，独立地选自式(IX)所表示的基团中的一种：
其中6个X各自独立地选自C、N中的一种；
Ar
n为区间[1，6]内的整数。
n的含义为取代数。容易理解，
容易理解，
容易理解，在本申请中，所述连接性基团指的是具有两个未成键电子的基团。所述非连接性基团是指具有一个未成键电子的基团。
式(IX)有可能仅包含一个芳香环，而不含有其它的芳香结构，即仅包含
在本申请的一些实施例中，Ar
容易理解，取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的硫醚基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基，可以为连接性基团，也可以为非连接性基团。
在本申请的一些实施例中，Ar
在本申请的一些实施例中，所述低折射率分子为如下分子中的一种：
第二方面，本申请实施例提供一种低折射率材料，所述低折射率材料包括第一方面任一实施例所述的低折射率分子中的至少一种。
容易理解，所述低折射率材料可以全部由所述低折射率分子组成，也可以由大部分所述低折射率分子和少量的其它添加剂组成。
本申请所述的低折射率材料是基于第一方面所述的低折射率分子来实现，所述低折射率材料的具体实施方式可参照第一方面的实施例以及本领域的公知常识，由于所述低折射率材料采用了第一方面实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
第三方面，本申请实施例提供一种低折射率薄膜，所述低折射率薄膜的材料为第二方面任一实施例所述低折射率材料。
本申请所述的低折射率薄膜是基于第二方面所述的低折射率材料来实现，所述低折射率薄膜的具体实施方式可参照第二方面的实施例以及本领域的公知常识，由于所述低折射率薄膜采用了第二方面实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
第四方面，本申请实施例提供一种发光器件，所述发光器件包括第三方面任一实施例所述的低折射率薄膜。
本申请所述的发光器件是基于第三方面所述的低折射率薄膜来实现，所述发光器件的具体实施方式可参照第三方面的实施例以及本领域的公知常识，由于所述发光器件采用了第三方面实施例的全部技术方案，因此至少具有第三方面实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
在本申请的一些实施例中，所述发光器件为有机发光二极管、量子点发光二极管中的一种。
请参考图1，本领域技术人员可以理解，有机发光二极管和量子点发光二极管均包括发光层6。
对于有机发光二极管，发光层6的材料为有机发光材料。有机发光材料为本领域已知的有机发光材料，例如，可以选自但不限于二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、发蓝色光的TBPe荧光材料、发绿色光的TTPA荧光材料、发橙色光的TBRb荧光材料、及发红色光的DBP荧光材料中的任意一种。
对于量子点发光二极管，发光层6的材料为量子点发光材料。量子点发光材料可以为本领域已知的发光量子点，例如，红色量子点、绿色量子点及蓝色量子点中的一种。量子点可以选自但不限于单一结构量子点以及核壳结构量子点中的至少一种。例如，量子点可以选自但不限于II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的一种或多种。作为示例，II-VI族化合物可以选自但不限于CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS；CdZnSeS、CdZnSeTe和CdZnSTe中的一种或多种；III-V族化合物可以选自但不限于InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP和InAlNP中的一种或多种；I-III-VI族化合物可以选自但不限于CuInS2。
在本申请的一些实施例中，请参考图1，所述发光器件包括：
阳极2；
设置在所述阳极上的发光层6；
设置在所述发光层上的阴极10；
设置在所述阴极上的所述低折射率薄膜。
本领域技术人员可以理解，发光器件一般还包括衬底。请参考图1，所述发光器件包括：
衬底1；
设置在所述衬底1上的阳极2；
设置在所述阳极2上的发光层6；
设置在所述发光层6上的阴极10；
设置在所述阴极10上的高折射率层11；
设置在所述高折射率层11上的所述低折射率薄膜。
本领域技术人员可以理解，本申请所述的低折射率薄膜一般适用于正置顶发射器件。
本领域技术人员可以理解，衬底1可以为透明的刚性或柔性材料，如玻璃、聚酰亚胺等，可实现刚性基板显示和柔性显示。
本领域技术人员可以理解，阳极2和阴极10的材料例如可以是金属、碳材料以及金属氧化物中的一种或多种，金属例如可以是Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca以及Mg中的一种或多种。碳材料例如可以是石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的一种或多种；金属氧化物可以是掺杂或非掺杂金属氧化物，包括ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的一种或多种，也包括掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极。
本领域技术人员可以理解，所述高折射率层11的材料可以选自双芳胺衍生化合物、单芳胺衍生化合物中的至少一种。
在本申请的一些实施例中，所述发光器件还包括空穴注入层3、空穴传输层4、电子传输层8、电子注入层9中的至少一种。
本领域技术人员可以理解，空穴注入层3的材料为本领域已知用于空穴注入层的材料，空穴注入层3的材料可以选自具有空穴注入能力的材料，包括但不限于是聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)(PEDOT)、聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰醌-二甲烷(F4-TCNQ)、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(HATCN)、聚酯碳酸铜(CuPc)、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的至少一种。
本领域技术人员可以理解，空穴传输层4的材料可以选自具有空穴传输能力的有机材料，包括但不限于是聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)、聚乙烯咔唑(PVK)、聚(N,N’-双(4-丁基苯基)-N,N’-双(苯基)联苯胺)(poly-TPD)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)(PFB)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCATA)、4,4’-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(TPD)、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(NPB)、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯以及C60中的一种或多种。空穴传输层的材料还可以选自具有空穴传输能力的无机材料，包括但不限于是掺杂或非掺杂的NiO、WO3、MoO3以及CuO中的一种或多种。
本领域技术人员可以理解，电子传输层包括电子传输材料，电子传输材料包括但不限于ZnO、TiO
本领域技术人员可以理解，电子注入层9材料包括Li
在本申请的一些实施例中，所述发光器件还包括空穴阻挡层7、电子阻挡层5中的至少一种。
本领域技术人员可以理解，电子阻挡层5具有空穴传输特性，可以为红色发光辅助层、绿色发光辅助层、蓝色发光辅助层，电子阻挡层5的材料可以为芳胺类或者咔唑类材料，如4,4-二(9-咔唑)联苯(CBP)、9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(PCzPA)等，电子阻挡层5的厚度可以为5～50nm。
本领域技术人员可以理解，空穴阻挡层7包括芳族杂环化合物、在杂环上具有氧化膦系的取代基的化合物中的至少一种，芳族杂环化合物例如可以是苯并咪唑衍生物、咪唑并吡啶衍生物、苯并咪唑并菲啶衍生物等咪唑衍生物，以及嘧啶衍生物、三嗪衍生物等嗪衍生物，还有喹啉衍生物、异喹啉衍生物、菲咯啉衍生物等包含含氮六元环结构的化合物，在杂环上具有氧化膦系的取代基的化合物例如可以是2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑](OXD-7)、3-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-5-(4-联苯基)-1,2,4-三唑(TAZ)、3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-联苯基)-1,2,4-三唑(p-EtTAZ)、红菲咯啉(BPhen)、溴甲酚紫(BCP)等。
下面结合具体实施例，进一步阐述本申请。应理解，这些实施例仅用于说明本申请而不用于限制本申请的范围。下列实施例中未注明具体条件的实验方法，通常按照国家标准测定。若没有相应的国家标准，则按照通用的国际标准、常规条件、或按照制造厂商所建议的条件进行。
实施例1
本实施例提供本申请中编号为1的化合物。
本实施例还提供所述化合物的制备方法，包括如下步骤：
在可见光照射下，在Ba(OH)2/95％EtOH溶剂混合物中，在四(三苯基膦)钯存在下，加入0.1mol的中间体14与0.22mol的中间体2，在80℃下进行反应。使用100W钨丝灯泡作为照射源，将反应瓶浸入水浴中隔绝钨丝灯泡的热量传递。反应完成后，冷却至室温，经硅藻土过滤得滤液。浓缩后加热，加入少量乙醇，静置至室温重结晶，抽滤并用乙醇淋洗得重结晶固体，得到中间体15。
随后，在可见光照射下，在Ba(OH)2/95％EtOH溶剂混合物中，在四(三苯基膦)钯存在下，加入0.1mol的中间体15与0.22mol的中间体14，在80℃下进行反应。使用100W钨丝灯泡作为照射源，将反应瓶浸入水浴中隔绝钨丝灯泡的热量传递。反应完成后，冷却至室温，经硅藻土过滤得滤液。浓缩后加热，加入少量乙醇，静置至室温重结晶，抽滤并用乙醇淋洗得重结晶固体，得到中间体16。
随后，在可见光照射下，在Ba(OH)2/95％EtOH溶剂混合物中，在四(三苯基膦)钯存在下，加入0.1mol的中间体16与0.22mol的中间体17，在80℃下进行反应。使用100W钨丝灯泡作为照射源，将反应瓶浸入水浴中隔绝钨丝灯泡的热量传递。反应完成后，冷却至室温，经硅藻土过滤得滤液。浓缩后加热，加入少量乙醇，静置至室温重结晶，抽滤并用乙醇淋洗得重结晶固体，得到中间体18。
随后，在可见光照射下，在Ba(OH)2/95％EtOH溶剂混合物中，在四(三苯基膦)钯存在下，加入0.1mol的中间体14与0.22mol的中间体4，在80℃下进行反应。使用100W钨丝灯泡作为照射源，将反应瓶浸入水浴中隔绝钨丝灯泡的热量传递。反应完成后，冷却至室温，经硅藻土过滤得滤液。浓缩后加热，加入少量乙醇，静置至室温重结晶，抽滤并用乙醇淋洗得重结晶固体，得到化合物1。
各中间体分子结构式如下：
对于得到的化合物6进行质谱和核磁共振测试，所得结果如下：
质谱m/z：1266.85，元素含量(％)：C88H116O2P2，C，83.37；H，9.22；O，2.52，P,4.89。
1H NMR(300MHz,DMSO)：7.69-7.7(8H),7.62(8H),7.51(4H),7.26(4H),2.09(2H),1.845(2H),1.79(8H)，1.545(8H),1.35(72H)。
实施例2
本实施例与实施例1的区别仅在于：
本实施例提供本申请中编号为2的化合物。
实施例3
本实施例与实施例1的区别仅在于：
本实施例提供本申请中编号为3的化合物。
实施例4
本实施例与实施例1的区别仅在于：
本实施例提供本申请中编号为4的化合物。
所述化合物的制备方法包括如下步骤：
在可见光照射下，在Ba(OH)
随后，在可见光照射下，在Ba(OH)
各中间体分子结构式如下：
对于得到的化合物4进行质谱和核磁共振测试，所得结果如下：
质谱m/z：842.56，元素含量(％)：C60H75OP，C，85.46；H，8.97；O,1.90；P，3.64。
1H NMR(300MHz,DMSO)：7.77(2H),7.69(4H),7.51(7H),7.25(6H),2.09(2H),1.845(2H),1.79(8H),1.545(8H),1.31(36H)。
请参考图1，本实施例还提供一种具有如下结构的发光器件：
衬底1/阳极2/空穴注入层3(10nm)/空穴传输层4(110nm)/电子阻挡层5(5nm)/发光层6(20nm)/空穴阻挡层7(5nm)/电子传输层8(30nm)/电子注入层9(1nm)/阴极10(13nm)/高折射率层11(50nm)/低折射率层12(50nm)
其中，衬底1的材料为聚酰亚胺，阳极2的材料为氧化铟锡(ITO)，空穴注入层3的材料为m-MTDATA、F4TCNQ以97：3的质量比混合的混合物，空穴传输层4的材料为m-MTDATA，电子阻挡层5的材料为CBP，发光层6的材料BH、BD以19：1的质量比混合的混合物，空穴阻挡层7的材料为TPBI，电子传输层8的材料为BCP与羟基喹啉锂(Liq)以1：1的质量比混合的混合物，电子注入层9的材料为Yb，阴极10的材料为银镁合金，高折射率层11的材料为CP1，低折射率层12的材料为所述编号为4的化合物。
本实施例所述的发光器件通过如下步骤制备：
将设有ITO的玻璃衬底1在清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在在丙酮-乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份；
把设有ITO的PI衬底置于真空腔内，抽真空至1×10
在空穴注入层3远离ITO的一侧蒸镀空穴传输材料，形成空穴传输层4；
在空穴传输层4远离空穴注入层3的一侧真空蒸镀电子阻挡层的材料，形成电子阻挡层5；
在电子阻挡层5远离空穴传输层4的一侧真空蒸镀发光层的材料，形成发光层6；
在发光层6远离电子阻挡层5的一侧真空蒸镀空穴阻挡层的材料，形成空穴阻挡层7；
在空穴阻挡层7远离发光层6的一侧真空蒸镀电子传输层的材料，形成电子传输层8。
在电子传输层8远离空穴阻挡层7的一侧真空蒸镀电子注入层的材料，形成电子注入层9。
在电子注入层9远离电子传输层8的一侧镀银镁合金形成阴极10；
在阴极10远离电子注入层9的一侧蒸镀高折射率层11的材料，形成高折射率层11；
在高折射率层11远离阴极10的一侧蒸镀低折射率层12的材料，形成低折射率层12。
实施例5
本实施例与实施例1的区别仅在于：
本实施例提供本申请中编号为5的化合物。
实施例6
本实施例与实施例4的区别仅在于：
本实施例提供本申请中编号为6的化合物。
发光器件中，低折射率层12的材料为所述编号为6的化合物。
所述化合物的制备方法包括如下步骤：
在可见光照射下，在Ba(OH)
随后，在可见光照射下，在Ba(OH)
各中间体分子结构式如下：
对于得到的化合物6进行质谱和核磁共振测试，所得结果如下：
质谱m/z：1124.85，元素含量(％)：C82H112Si，C，87.48；H，10.03；Si,2.49。
1H NMR(300MHz,DMSO)：7.55(2H),7.41(4H),7.38-7.39(8H),7.25(6H),2.09(2H),1.845(2H),1.79(8H)，1.545(8H),1.32(72H)。
实施例7
本实施例与实施例4的区别仅在于：
本实施例提供本申请中编号为7的化合物。
发光器件中，低折射率层12的材料为所述编号为7的化合物。
所述化合物的制备方法包括如下步骤：
在可见光照射下，在Ba(OH)
各中间体分子结构式如下：
对于得到的化合物6进行质谱和核磁共振测试，所得结果如下：
质谱m/z：663.55，元素含量(％)：C46H69N3，C，83.20；H，10.47；N，8.58；S,4.91。
1H NMR(300MHz,DMSO)：7.26(6H),2.62(2H),2.2(1H),2.08(2H),1.835(2H),1.80(1H),1.555(1H),1.36(27H),1.32(27H)。
实施例8
本实施例与实施例1的区别仅在于：
本实施例提供本申请中编号为8的化合物。
实施例9
本实施例与实施例4的区别仅在于：
本实施例提供本申请中编号为9的化合物。
发光器件中，低折射率层12的材料为所述编号为9的化合物。
所述化合物的制备方法包括如下步骤：
实施例4：化合物9
在可见光照射下，在Ba(OH)2/95％EtOH溶剂混合物中，在四(三苯基膦)钯存在下，加入0.1mol的中间体9与0.22mol的中间体2，在80℃下进行反应。使用100W钨丝灯泡作为照射源，将反应瓶浸入水浴中隔绝钨丝灯泡的热量传递。反应完成后，冷却至室温，经硅藻土过滤得滤液。浓缩后加热，加入少量乙醇，静置至室温重结晶，抽滤并用乙醇淋洗得重结晶固体，得到中间体10。
随后，在可见光照射下，在Ba(OH)2/95％EtOH溶剂混合物中，在四(三苯基膦)钯存在下，加入0.1mol的中间体10与0.22mol的中间体11，在80℃下进行反应。使用100W钨丝灯泡作为照射源，将反应瓶浸入水浴中隔绝钨丝灯泡的热量传递。反应完成后，冷却至室温，经硅藻土过滤得滤液。浓缩后加热，加入少量乙醇，静置至室温重结晶，抽滤并用乙醇淋洗得重结晶固体，得到化合物9。
各中间体分子结构式如下：
对于得到的化合物9进行质谱和核磁共振测试，所得结果如下：
质谱m/z：961.38，元素含量(％)：C62H85N6OP，C，77.46；H，8.91；N，8.74；O,1.66；P,3.22。
1H NMR(300MHz,DMSO)：7.76(1H),7.69(4H),7.62(2H),7.51(4H),2.09(2H),1.845(2H),1.79(8H),1.545(8H),1.35(36H),1.32(18H)。
实施例10
本实施例与实施例1的区别仅在于：
本实施例提供本申请中编号为10的化合物。
实施例11
本实施例与实施例4的区别仅在于：
本实施例提供本申请中编号为11的化合物。
发光器件中，低折射率层12的材料为所述编号为11的化合物。
所述化合物的制备方法包括如下步骤：
在可见光照射下，在Ba(OH)2/95％EtOH溶剂混合物中，在四(三苯基膦)钯存在下，加入0.1mol的中间体12与0.22mol的中间体2，在80℃下进行反应。使用100W钨丝灯泡作为照射源，将反应瓶浸入水浴中隔绝钨丝灯泡的热量传递，将反应瓶浸入水浴中以防止光热效应。反应完成后，冷却至室温，经硅藻土过滤得滤液。浓缩后加热，加入少量乙醇，静置至室温重结晶，抽滤并用乙醇淋洗得重结晶固体，得到中间体13。
随后，在可见光照射下，在Ba(OH)2/95％EtOH溶剂混合物中，在四(三苯基膦)钯存在下，加入0.1mol的中间体13与0.22mol的中间体11，在80℃下进行反应。使用100W钨丝灯泡作为照射源，将反应瓶浸入水浴中隔绝钨丝灯泡的热量传递。反应完成后，冷却至室温，经硅藻土过滤得滤液。浓缩后加热，加入少量乙醇，静置至室温重结晶，抽滤并用乙醇淋洗得重结晶固体，得到化合物11。
各中间体分子结构式如下：
对于得到的化合物11进行质谱和核磁共振测试，所得结果如下：
质谱m/z：1131.81，元素含量(％)：C76H106N6Si，C，80.65；H，9.44；N，7.43，Si,2.48。
1H NMR(300MHz,DMSO)：7.55(2H),7.41(4H),7.38-7.39(8H),2.09(2H),1.845(2H),1.79(8H)，1.545(8H),1.35(36H),1.32(36H)。
实施例12
本实施例与实施例1的区别仅在于：
本实施例提供本申请中编号为12的化合物。
对比例
本对比例提供一种发光器件，其与实施例4所述的发光器件的区别仅在于：
低折射率层12的材料为所述编号为LiF。
相关实验及效果数据：
将编号为1～12的化合物制备成薄膜，并分别测试其对于450nm光线的折射率，结果如表1。
表1
由表1容易发现，编号为1～12的化合物都表现出了低的折射率。
对实施例4、6、7、9、11中的发光器件进行外量子效率(EQE)和寿命测试，结果如表2.
表2
其中LT95@1000nit是指器件在初始亮度为1000nit下器件的衰减到950Nit亮度所需要的时间。这里寿命均是在放置21天之后测试。
由表2容易发现，实施例4、6、7、9、11的EQE普遍高于对比例，EQE的提高意味着出光率的提高。实施例4、6、7、9、11与对比例的区别仅在于低折射率层不同，这说明实施例4、6、7、9、11的EQE的提高正是由于采用了不同的材料制备低折射层，由于编号为1～12的化合物折射率均相近，因此有理由认为编号为1～12的化合物作为低折射层的材料，比现有的LiF更有利于EQE的提高。
实施例4、6、7、9、11的寿命普遍高于对比例，这可能是因为在同样达到1000nit的初始亮度的情况下，由于出光效率的不同，导致发光层材料损耗效率不同。
本申请的各种实施例可以以一个范围的形式存在；应当理解，以一范围形式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本申请范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。例如，应当认为从1到6的范围描述已经具体公开子范围，例如从1到3，从1到4，从1到5，从2到4，从2到6，从3到6等，以及所述范围内的单一数字，例如1、2、3、4、5及6，此不管范围为何皆适用。另外，每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。
在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”具体为附图中的图面方向。另外，在本申请说明书的描述中，术语“包括”“包含”等是指“包括但不限于”。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。在本文中，“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B的情况。对于用“和/或”描述的三项以上的关联对象的关联关系，表示这三个关联对象可以单独存在任意一项，或者其中任意至少两项同时存在，例如，对于A，和/或B，和/或C，可以表示单独存在A、B、C中的任意一项，或者同时存在其中的任意两项，或者同时存在其中三项。在本文中，“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“至少一种”、“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如，“a,b,或c中的至少一项(个)”，或，“a,b,和c中的至少一项(个)”，均可以表示：a,b,c,a-b(即a和b),a-c,b-c,或a-b-c，其中a,b,c分别可以是单个，也可以是多个。
以上所述仅是本申请的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所申请的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。