用于硅片表面的图案化架构方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及用于硅片表面的图案化架构方法。

背景技术

半导体行业在追求涉及纳米级特征快速缩放的装置小型化方面面临许多挑战。这些问题包括引入复杂的制造步骤，诸如多个光刻步骤和高性能材料的集成。为了保持装置小型化的节奏，选择性沉积已显示出有效前景，因为它有可能通过简化集成方案来消除高成本的光刻步骤。

材料的选择性沉积可以多种方式实现。相对于另一个表面(例如，金属和电介质)，化学前驱物可以选择性地与一个表面反应。可调节诸如压力、基板温度、前驱物分压和/或气流之类的工艺参数以调节特定表面反应的化学动力学。另一种可能的方案涉及表面预处理，所述表面预处理可用于活化或去活化对引入的膜沉积前驱物感兴趣的表面。

为了实现下一代半导体装置的复杂图案化架构，由多个光刻和蚀刻步骤组成的传统自顶向下(top-down)方法导致成本高昂，并且面临技术节点缩放的挑战。在本领域中持续需要用于提高沉积选择性的方法。

自下而上的区域选择性原子层沉积(AS-ALD)已越来越多地用于实现具有纳米控制的图案化架构。但区域选择性原子层沉积存在的缺陷是：当沉积的ALD膜变得比用于钝化非生长表面的自组装单层厚时，ALD膜可能会侧向生长，即产生蘑菇状生长(mushrooming)的问题，从而降低选择性。

为解决选择性沉积过程中存在的“蘑菇状生长”问题，现有技术中有通过直接形成更厚的保护性自组装单层，该方法存在以下的问题：前驱物是以气相输送的，过厚的自组装单层会阻碍前驱体在所需沉积的区域的附着，从而造成选择性沉积膜不均匀。

因此，综上所述，本领域亟需一种新的提高沉积选择性的方法出现，避免区域选择性原子层沉积期间出现“蘑菇状生长”问题使沉积膜不均匀，进一步避免半导体性能的下降。

发明内容

为了解决上述半导体的复杂图案化架构技术问题，本发明提供了一种用于硅片表面的图案化架构方法。本发明通过将附着材料涂覆在硅片基底非沉积区域形成涂层，然后通过调节原子层沉积的温度，使之不低于300℃进行Al

本发明的具体技术方案为：

本发明提供了一种硅片表面的图案化架构方法，包括以下步骤：

步骤S1：提供一种附着材料；

步骤S2：将所述附着材料涂覆在硅片基底非沉积区域；

步骤S3：将原子层沉积腔的温度调节至不低于300℃，并将经过步骤S2处理后的硅片基底放入其中，使用原子层沉积技术进行Al

步骤S4：对硅片进行清洗，去除附着材料以及沉积于附着材料表面的Al

附着材料涂覆在硅片基底非沉积区域，在Al

作为本发明上述技术方案的优选，步骤S1中，所述附着材料为树脂，所述树脂在高温环境中放置后粘度变小。

进一步优选，所述树脂为环己烯改性聚酰亚胺树脂。

在硅片基底非沉积区域设置涂覆涂层时，可以防止在原子层沉积Al

为解决区域选择性原子层沉积的问题，本发明通过提供一种环己烯改性聚酰亚胺树脂，使之涂覆在硅片基底非沉积区域形成涂层，然后通过调节原子层沉积的温度，使之不低于300℃进行Al

本发明实现Al

作为本发明上述技术方案的优选，所述环己烯改性聚酰亚胺树脂的原料包括以下重量份的组分：

4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐 100份、4,4'-二氨基二苯甲烷 80~110份、马来酸酐20~40份、5-甲基糠胺20~50份。

本发明通过以4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐、4,4'-二氨基二苯甲烷为单体，制备聚酰亚胺树脂，通过马来酸酐在聚酰亚胺中引入取代烯烃、通过5-甲基糠胺引入共轭双烯，通过狄尔斯-阿尔德反应使得在聚酰亚胺树脂中引入环己烯结构，该环己烯结构在不低于300℃时会发生裂解开环，在完成沉积Al

进一步优选，按重量份计，所述环己烯改性聚酰亚胺树脂的原料还包括以下组分：

三乙胺 5~10份、醋酸酐 5~15份。

三乙胺作为制备环己烯改性聚酰亚胺树脂的催化剂，醋酸酐作为脱水剂。

作为本发明上述技术方案的优选，步骤S3中，将原子层沉积腔的温度调节至300~400℃。

沉积过程的温度影响环己烯结构的裂解及在树脂结构中的重排过程。将原子层沉积腔的温度优选为调节至300~400℃，该温度下能使环己烯结构的裂解，并利于取代烯烃、共轭双烯在树脂结构中重新排布，改变树脂的界面层结构。若沉积时温度小于300℃，环己烯结构难以裂解，无法进行后段结构重排的过程，树脂难以从硅片表面脱落；若沉积时温度大于400℃，降温后取代烯烃、共轭双烯难以重新环合，树脂与硅片的附着力仍然较强，难以从硅片表面脱落，同时，沉积得到的Al

作为本发明上述技术方案的优选，步骤S3中，Al

作为本发明上述技术方案的优选，Al

循环的次数、气体通入的时间通过影响环己烯改性聚酰亚胺树脂涂层在300~400℃环境下停留的时间，进而影响环己烯结构的裂解及在树脂结构中的重排过程。若环己烯改性聚酰亚胺树脂涂层停留的时间过短，环己烯结构裂解不完全，会影响取代烯烃、共轭双烯在树脂结构中重新排布，降温后树脂与硅片的附着力仍然较强，不易从硅片表面脱落。若停留的时间过长，树脂涂层长时间处于高温下，降温后取代烯烃、共轭双烯难以重新环合，树脂与硅片的附着力仍然较强，难以从硅片表面脱落。

作为优选，循环的次数为10~40次。

作为优选，每次循环中，三甲基铝通入的时间为3~7s。

作为优选，每次循环中， H

作为优选，每次通入氮气的通入流量为10~30L/min，通入时间为5~10s。

与现有技术相比，本发明具有以下技术效果：

附着材料涂覆在硅片基底非沉积区域，在Al

本发明通过将环己烯改性聚酰亚胺树脂涂覆在硅片基底非沉积区域形成涂层，然后通过调节原子层沉积的温度，使之不低于300℃进行Al

本发明通过环己烯改性聚酰亚胺树脂在硅片基底非沉积区域形成涂层，在沉积过程中，其作为涂层可以防止Al

本发明提供的选择性沉积方法在特定区域沉积得到的Al

附图说明

图1为本发明一种在硅片基底上选择性沉积的示意图；

图2为膜厚及其均匀性测试结果；

图3为实施例1至9树脂残留量结果

图4为对比例1至10树脂残留量结果。

图中标记为：1、沉积区域，2、非沉积区域。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明作进一步的描述。本领域普通技术人员在基于这些说明的情况下将能够实现本发明。此外，下述说明中涉及到的本发明的实施例通常仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。因此，基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。

实施例1

一种硅片表面的图案化架构方法，包括以下步骤S1~ S3：

步骤S1：制备环己烯改性聚酰亚胺树脂：

（1）按重量份计，取以下原料：4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐 100份、4,4'-二氨基二苯甲烷 90份、马来酸酐 30份、5-甲基糠胺40份、三乙胺8份、醋酸酐 10份、N,N-二甲基甲酰胺1000份。

（2）将4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐、4,4'-二氨基二苯甲烷混合于N,N-二甲基甲酰胺中，在25℃下进行初步反应，反应时间为5h，得到聚酰胺酸溶液。

（3）然后往聚酰胺酸溶液加入马来酸酐、5-甲基糠胺、醋酸酐、三乙胺，在25℃下再次反应，反应时间为8h，得到环己烯改性聚酰亚胺树脂。其中，聚酰亚胺的聚合度为100。

步骤S2：如图1所示，将硅片基底区分为沉积区域1以及非沉积区域2，沉积区域待沉积Al

步骤S3：将原子层沉积腔的温度调节至350℃，并将经过步骤S2处理后的硅片基底放入其中，然后向原子层沉积腔循环通入前驱体气体三甲基铝、前驱体气体H

其中，循环的次数为30次。每次循环中，三甲基铝通入的时间为5s，H

步骤S4：用离子水对硅片进行清洗处理，获得具有表面图案的硅片。

实施例2

一种硅片表面的图案化架构方法，包括以下步骤S1~ S3：

步骤S1：制备环己烯改性聚酰亚胺树脂：

（1）按重量份计，取以下原料：4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐 100份、4,4'-二氨基二苯甲烷 90份、马来酸酐 30份、5-甲基糠胺40份、三乙胺8份、醋酸酐 10份、N,N-二甲基甲酰胺1000份。

（2）将4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐、4,4'-二氨基二苯甲烷混合于N,N-二甲基甲酰胺中，在25℃下进行初步反应，反应时间为5h，得到聚酰胺酸溶液。

（3）然后往聚酰胺酸溶液加入马来酸酐、5-甲基糠胺、醋酸酐、三乙胺，在25℃下再次反应，反应时间为8h，得到环己烯改性聚酰亚胺树脂。其中，聚酰亚胺的聚合度为100。

步骤S2：如图1所示，将硅片基底区分为沉积区域1以及非沉积区域2，沉积区域待沉积Al

步骤S3：将原子层沉积腔的温度调节至300℃，并将经过步骤S2处理后的硅片基底放入其中，然后向原子层沉积腔循环通入前驱体气体三甲基铝、前驱体气体H

其中，循环的次数为30次。每次循环中，三甲基铝通入的时间为5s，H

步骤S4：用离子水对硅片进行清洗处理，获得具有表面图案的硅片。

实施例3

一种硅片表面的图案化架构方法，包括以下步骤S1~ S3：

步骤S1：制备环己烯改性聚酰亚胺树脂：

（1）按重量份计，取以下原料：4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐 100份、4,4'-二氨基二苯甲烷 90份、马来酸酐 30份、5-甲基糠胺40份、三乙胺8份、醋酸酐 10份、N,N-二甲基甲酰胺1000份。

（2）将4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐、4,4'-二氨基二苯甲烷混合于N,N-二甲基甲酰胺中，在25℃下进行初步反应，反应时间为5h，得到聚酰胺酸溶液。

（3）然后往聚酰胺酸溶液加入马来酸酐、5-甲基糠胺、醋酸酐、三乙胺，在25℃下再次反应，反应时间为8h，得到环己烯改性聚酰亚胺树脂。其中，聚酰亚胺的聚合度为100。

步骤S2：如图1所示，将硅片基底区分为沉积区域1以及非沉积区域2，沉积区域待沉积Al

步骤S3：将原子层沉积腔的温度调节至400℃，并将经过步骤S2处理后的硅片基底放入其中，然后向原子层沉积腔循环通入前驱体气体三甲基铝、前驱体气体H

其中，循环的次数为30次。每次循环中，三甲基铝通入的时间为5s，H

步骤S4：用离子水对硅片进行清洗处理，获得具有表面图案的硅片。

实施例4

一种硅片表面的图案化架构方法，包括以下步骤S1~ S3：

步骤S1：制备环己烯改性聚酰亚胺树脂：

（1）按重量份计，取以下原料：4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐 100份、4,4'-二氨基二苯甲烷 90份、马来酸酐 20份、5-甲基糠胺40份、三乙胺8份、醋酸酐 10份、N,N-二甲基甲酰胺1000份。

（2）将4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐、4,4'-二氨基二苯甲烷混合于N,N-二甲基甲酰胺中，在25℃下进行初步反应，反应时间为5h，得到聚酰胺酸溶液。

（3）然后往聚酰胺酸溶液加入马来酸酐、5-甲基糠胺、醋酸酐、三乙胺，在25℃下再次反应，反应时间为8h，得到环己烯改性聚酰亚胺树脂。其中，聚酰亚胺的聚合度为100。

步骤S2：如图1所示，将硅片基底区分为沉积区域1以及非沉积区域2，沉积区域待沉积Al

步骤S3：将原子层沉积腔的温度调节至350℃，并将经过步骤S2处理后的硅片基底放入其中，然后向原子层沉积腔循环通入前驱体气体三甲基铝、前驱体气体H

其中，循环的次数为30次。每次循环中，三甲基铝通入的时间为5s，H

步骤S4：用离子水对硅片进行清洗处理，获得具有表面图案的硅片。

实施例5

一种硅片表面的图案化架构方法，包括以下步骤S1~ S3：

步骤S1：制备环己烯改性聚酰亚胺树脂：

（1）按重量份计，取以下原料：4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐 100份、4,4'-二氨基二苯甲烷 90份、马来酸酐 40份、5-甲基糠胺40份、三乙胺8份、醋酸酐 10份、N,N-二甲基甲酰胺1000份。

（2）将4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐、4,4'-二氨基二苯甲烷混合于N,N-二甲基甲酰胺中，在25℃下进行初步反应，反应时间为5h，得到聚酰胺酸溶液。

（3）然后往聚酰胺酸溶液加入马来酸酐、5-甲基糠胺、醋酸酐、三乙胺，在25℃下再次反应，反应时间为8h，得到环己烯改性聚酰亚胺树脂。其中，聚酰亚胺的聚合度为100。

步骤S2：如图1所示，将硅片基底区分为沉积区域1以及非沉积区域2，沉积区域待沉积Al

步骤S3：将原子层沉积腔的温度调节至350℃，并将经过步骤S2处理后的硅片基底放入其中，然后向原子层沉积腔循环通入前驱体气体三甲基铝、前驱体气体H

其中，循环的次数为30次。每次循环中，三甲基铝通入的时间为5s，H

步骤S4：用离子水对硅片进行清洗处理，获得具有表面图案的硅片。

实施例6

一种硅片表面的图案化架构方法，包括以下步骤S1~ S3：

步骤S1：制备环己烯改性聚酰亚胺树脂：

（1）按重量份计，取以下原料：4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐 100份、4,4'-二氨基二苯甲烷 90份、马来酸酐 30份、5-甲基糠胺20份、三乙胺8份、醋酸酐 10份、N,N-二甲基甲酰胺1000份。

（2）将4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐、4,4'-二氨基二苯甲烷混合于N,N-二甲基甲酰胺中，在25℃下进行初步反应，反应时间为5h，得到聚酰胺酸溶液。

（3）然后往聚酰胺酸溶液加入马来酸酐、5-甲基糠胺、醋酸酐、三乙胺，在25℃下再次反应，反应时间为8h，得到环己烯改性聚酰亚胺树脂。其中，聚酰亚胺的聚合度为100。

步骤S2：如图1所示，将硅片基底区分为沉积区域1以及非沉积区域2，沉积区域待沉积Al

步骤S3：将原子层沉积腔的温度调节至350℃，并将经过步骤S2处理后的硅片基底放入其中，然后向原子层沉积腔循环通入前驱体气体三甲基铝、前驱体气体H

其中，循环的次数为30次。每次循环中，三甲基铝通入的时间为5s，H

步骤S4：用离子水对硅片进行清洗处理，获得具有表面图案的硅片。

实施例7

一种硅片表面的图案化架构方法，包括以下步骤S1~ S3：

步骤S1：制备环己烯改性聚酰亚胺树脂：

（1）按重量份计，取以下原料：4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐 100份、4,4'-二氨基二苯甲烷 90份、马来酸酐 30份、5-甲基糠胺50份、三乙胺8份、醋酸酐 10份、N,N-二甲基甲酰胺1000份。

（2）将4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐、4,4'-二氨基二苯甲烷混合于N,N-二甲基甲酰胺中，在25℃下进行初步反应，反应时间为5h，得到聚酰胺酸溶液。

（3）然后往聚酰胺酸溶液加入马来酸酐、5-甲基糠胺、醋酸酐、三乙胺，在25℃下再次反应，反应时间为8h，得到环己烯改性聚酰亚胺树脂。其中，聚酰亚胺的聚合度为100。

步骤S2：如图1所示，将硅片基底区分为沉积区域1以及非沉积区域2，沉积区域待沉积Al

步骤S3：将原子层沉积腔的温度调节至350℃，并将经过步骤S2处理后的硅片基底放入其中，然后向原子层沉积腔循环通入前驱体气体三甲基铝、前驱体气体H

其中，循环的次数为30次。每次循环中，三甲基铝通入的时间为5s，H

步骤S4：用离子水对硅片进行清洗处理，获得具有表面图案的硅片。

实施例8

一种硅片表面的图案化架构方法，包括以下步骤S1~ S3：

步骤S1：制备环己烯改性聚酰亚胺树脂：

（1）按重量份计，取以下原料：4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐 100份、4,4'-二氨基二苯甲烷 80份、马来酸酐30份、5-甲基糠胺40份、三乙胺 5份、醋酸酐 15份、N,N-二甲基甲酰胺800份。

（2）将4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐、4,4'-二氨基二苯甲烷混合于N,N-二甲基甲酰胺中，在25℃下进行初步反应，反应时间为5h，得到聚酰胺酸溶液。

（3）然后往聚酰胺酸溶液加入马来酸酐、5-甲基糠胺、醋酸酐、三乙胺，在25℃下再次反应，反应时间为8h，得到环己烯改性聚酰亚胺树脂。其中，聚酰亚胺的聚合度为100。

步骤S2：如图1所示，将硅片基底区分为沉积区域1以及非沉积区域2，沉积区域待沉积Al

步骤S3：将原子层沉积腔的温度调节至350℃，并将经过步骤S2处理后的硅片基底放入其中，然后向原子层沉积腔循环通入前驱体气体三甲基铝、前驱体气体H

其中，循环的次数为10次。每次循环中，三甲基铝通入的时间为7s，H

步骤S4：用离子水对硅片进行清洗处理，获得具有表面图案的硅片。

实施例9

一种硅片表面的图案化架构方法，包括以下步骤S1~ S3：

步骤S1：制备环己烯改性聚酰亚胺树脂：

（1）按重量份计，取以下原料：4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐 100份、4,4'-二氨基二苯甲烷 110份、马来酸酐 30份、5-甲基糠胺40份、三乙胺 10份、醋酸酐 5份、N,N-二甲基甲酰胺1200份。

（2）将4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐、4,4'-二氨基二苯甲烷混合于N,N-二甲基甲酰胺中，在25℃下进行初步反应，反应时间为5h，得到聚酰胺酸溶液。

（3）然后往聚酰胺酸溶液加入马来酸酐、5-甲基糠胺、醋酸酐、三乙胺，在25℃下再次反应，反应时间为8h，得到环己烯改性聚酰亚胺树脂。其中，聚酰亚胺的聚合度为100。

步骤S2：如图1所示，将硅片基底区分为沉积区域1以及非沉积区域2，沉积区域待沉积Al

步骤S3：将原子层沉积腔的温度调节至不低于300℃，并将经过步骤S2处理后的硅片基底放入其中，然后向原子层沉积腔循环通入前驱体气体三甲基铝、前驱体气体H

其中，循环的次数为40次。每次循环中，三甲基铝通入的时间为3s，H

步骤S4：用离子水对硅片进行清洗处理，获得具有表面图案的硅片。

对比例1

与实施例1的主要区别在于：步骤S3中，将原子层沉积腔的温度调节至250℃。

对比例2

与实施例1的主要区别在于：步骤S3中，将原子层沉积腔的温度调节至450℃。

对比例3

与实施例1的主要区别在于：步骤S3中，循环的次数为5次。

对比例4

与实施例1的主要区别在于：步骤S3中，循环的次数为45次。

对比例5

与实施例1的主要区别在于：步骤S1中，马来酸酐的份数为10份。

对比例6

与实施例1的主要区别在于：步骤S1中，马来酸酐的份数为50份。

对比例7

与实施例1的主要区别在于：步骤S1中，5-甲基糠胺的份数为10份。

对比例8

与实施例1的主要区别在于：步骤S1中，5-甲基糠胺的份数为60份。

对比例9

与实施例1的主要区别在于：步骤S1中，将原料二酐单体4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐替换为3,3',4,4'-联苯四酸二酐制备聚酰亚胺树脂。

对比例10

与实施例1的主要区别在于：步骤S1中，不加入5-甲基糠胺，改为使用糠胺在聚酰亚胺树脂中引入共轭双烯。

性能评价

（1）从实施例1至9以及对比例1至10沉积Al

片内均匀性=[(片内膜厚最大值-最小值)/(2×片内膜厚平均值)]×100%

测试结果见图2。

（2）从实施例1至9以及对比例1至10沉积Al

实施例1至9残留量结果见图3。

对比例1至10残留量结果见图4。

数据分析：

（1）由图2中结果可知：

①如实施例1至9的数据所示，本发明通过将环己烯改性聚酰亚胺树脂涂覆在硅片基底非沉积区域形成涂层，然后通过调节原子层沉积的温度，使之不低于300℃进行Al

②但对比例2均匀性显著变差。对比例2与实施例1的主要区别在于Al

③对比例4的均匀性较差。对比例4与实施例1的主要区别在于沉积循环的次数为45次，由此说明，沉积时循环次数过多，会影响薄膜沉积的均匀性。分析其原因可能为：在薄膜沉积后期前驱体气体较难在硅片表面的附着，进而影响均匀性。

（2）本实施例通过以4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐、4,4'-二氨基二苯甲烷为单体，制备聚酰亚胺树脂，通过马来酸酐在聚酰亚胺中引入取代烯烃、通过5-甲基糠胺引入共轭双烯，通过狄尔斯-阿尔德反应使得在聚酰亚胺树脂中引入环己烯结构，得到环己烯改性聚酰亚胺树脂，将之涂覆在硅片基底非沉积区域形成涂层。由图3、图4中结果可知：

①实施例1至9的树脂残留量较小，说明本发明以环己烯改性聚酰亚胺树脂涂覆在硅片基底非沉积区域形成涂层，易除去，且残留量小，进一步说明，以本发明提供的方法Al

②对比例1-2的树脂残留量较实施例1显著增大。对比例1-2与实施例1的主要区别在于沉积薄膜时的温度，其分别为250℃、450℃，由此说明，沉积时的温度过低或过高均会影响树脂的脱除。进一步分析其原因，通过马来酸酐在聚酰亚胺树脂中引入取代烯烃、通过5-甲基糠胺引入共轭双烯，基于狄尔斯-阿尔德反应，可以使得在聚酰亚胺树脂中引入环己烯结构得到环己烯改性聚酰亚胺树脂，该环己烯结构需要在一定温度条件下发生裂解开环，完成结构重排的过程改变树脂的界面层结构，使树脂易从硅片表面脱落。该温度条件优选为300~400℃。若沉积时温度小于300℃，环己烯结构难以裂解，无法进行结构重排的过程，树脂难以从硅片表面脱落，如对比例1数据所示，造成残留量显著增大；若沉积时温度大于400℃，降温后取代烯烃、共轭双烯难以重新环合，树脂与硅片的附着力仍然较强，难以从硅片表面脱落，如对比例2数据所示，造成残留量显著增大，同时，沉积得到的Al

③对比例3-4的树脂残留量较实施例1显著增大。对比例3-4与实施例1的主要区别在于沉积薄膜时循环通入前驱体气体的次数，分别为5次、45次，由此说明，循环次数过少或过多均会影响树脂的脱除。进一步分析其原因，循环的次数可能通过影响环己烯改性聚酰亚胺树脂涂层在300~400℃环境下停留的时间，进而影响环己烯结构的裂解及在树脂结构中的重排过程。若环己烯改性聚酰亚胺树脂涂层停留的时间过短，环己烯结构裂解不完全，会影响取代烯烃、共轭双烯在树脂结构中重新排布，降温后树脂与硅片的附着力仍然较强，不易从硅片表面脱落。若停留的时间过长，树脂涂层长时间处于高温下，降温后取代烯烃、共轭双烯难以重新环合，树脂与硅片的附着力仍然较强，难以从硅片表面脱落。

④对比例5-8的树脂残留量较实施例1有不同程度的增大。实施例4-7、对比例5-8通过调节引入的取代烯烃、共轭双烯的量，来观察树脂脱落的残留量，表征树脂脱除的难易程度。由对比例5-8与实施例1、实施例4-7对比分析可知，通过马来酸酐在聚酰亚胺中引入取代烯烃、通过5-甲基糠胺引入共轭双烯，通过狄尔斯-阿尔德反应使得在聚酰亚胺树脂中引入环己烯结构，马来酸酐、5-甲基糠胺的量需要在一定范围内，超出该范围，树脂残留量均会不同程度的增加。

⑤对比例9的树脂残留量较实施例1稍有增大。对比例9与实施例1的主要区别在于将原料二酐单体4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐替换为3,3',4,4'-联苯四酸二酐制备聚酰亚胺树脂。由此说明，以二酐单体4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐制备的环己烯聚酰亚胺树脂比3,3',4,4'-联苯四酸二酐制备的树脂，在高温处理后具有更优的易脱落性能。

⑥对比例10的树脂残留量较实施例1显著增大。对比例10与实施例1的主要区别在于不加入5-甲基糠胺、且改为使用糠胺在聚酰亚胺树脂中引入共轭双烯。由此说明，以5-甲基糠胺在聚酰亚胺树脂中引入共轭双烯进行狄尔斯-阿尔德反应引入环己烯结构，有利于经过高温处理后，重新环合前或过程中的结构重排，利于改变树脂的界面层结构使树脂易脱落。5-甲基糠胺与糠胺结构的差异在于呋喃环上的甲基，进一步分析5-甲基糠胺更利于重新环合前或过程中的结构重排的原因可能为，甲基构象的改变可能会促进结构的重排，经过原子沉积腔的高温环境后，会促进5-甲基糠胺中甲基构想的改变。因此，以5-甲基糠胺在聚酰亚胺树脂中引入共轭双烯，具有最终使得树脂易脱出的优势。

本发明中所用原料、设备，若无特别说明，均为本领域的常用原料、设备；本发明中所用方法，若无特别说明，均为本领域的常规方法。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例，并非对本发明作任何限制，凡是根据本发明技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效变换，均仍属于本发明技术方案的保护范围。