导航：首页> 有机化学〔2〕>包含式(I)化合物的有机电致发光器件和包含有机电致发光器件的有机电子器件

包含式(I)化合物的有机电致发光器件和包含有机电致发光器件的有机电子器件

文献发布时间：2024-04-18 19:59:31

技术领域

本发明涉及一种包含式(I)化合物的有机电致发光器件和包含所述有机电致发光器件的有机电子器件。

背景技术

作为自发光器件的有机电子器件，诸如有机发光二极管OLED，具有宽视角、优异的对比度、快速响应、高亮度、优异的工作电压特性和色彩再现性。典型的OLED包含依次层叠在基底上的阳极、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和阴极。在这方面，HTL、EML和ETL是由有机化合物形成的薄膜。

当将电压施加到阳极和阴极时，从阳极注入的空穴通过HTL移动到EML，并且从阴极注入的电子通过ETL移动到EML。空穴和电子在EML中重新组合以产生激子。当激子从激发态下降到基态时发光。空穴和电子的注入和流动应当平衡，使得具有上述结构的OLED具有优异的效率和/或长的寿命。

有机发光二极管的性能可受半导体层的特性的影响，并且其中可受也包含在半导体层中的金属络合物的特性的影响。

仍然需要通过改进包含在其中的化合物的特性来改进有机半导体材料、半导体层以及有机电致发光器件和包含有机电致发光器件的有机电子器件的性能，特别是实现改进的工作电压、改进的效率、改进的寿命和/或改进的电压随时间的稳定性。此外，与比较例相比，仍然需要改进LUMO能量、改进偶极矩和/或改进热性质，特别是改进高温下的热稳定性和/或加工性能。

发明内容

本发明的一个方面提供一种有机电致发光器件，有机电致发光器件包含阳极层、阴极层、有机半导体层、至少一个第一或多个电荷产生层、至少两个或多个发光单元，其中

-每个发光单元包含发光层；

-至少一个电荷产生层包含p型电荷产生层，

其中所述有机半导体层布置得比所述p型电荷产生层更靠近所述阳极层，并且

其中所述有机半导体层包含有机空穴传输材料和式(I)化合物，并且所述p型电荷产生层包含有机空穴传输材料和式(I)化合物：

其中R

并且

其中

应当注意的是，除非另有说明，在整个申请和权利要求中，任何R

在本说明书中，当未另外提供定义时，“部分氟化的”是指其中仅部分氢原子被氟原子代替的C

在本说明书中，当未另外提供定义时，“全氟化的”是指其中所有氢原子都被氟原子代替的C

在本说明书中，当未另外提供定义时，“取代的”是指被部分氟化或全氟化的C

在本说明书中，当未另外提供定义时，“烷基基团”是指饱和脂肪族烃基基团。烷基基团可以是C

烷基基团的具体实例可以是甲基基团、乙基基团、丙基基团、异丙基基团、丁基基团、异丁基基团、仲丁基基团、叔丁基基团、戊基基团、己基基团。

术语“稠合芳基环”或“缩合芳基环”理解为当两个芳基环共享至少两个公共的sp

术语“六元环”理解为是指由6个原子形成的环。“六元环”的成环原子可以结合到环外的其它原子，例如氢原子。

术语“五元环”理解为是指由5个原子形成的环。“五元环”的成环原子可以结合到环外的其它原子，例如氢原子。

在本说明书中，单键是指直接键。

术语“不含”、“不含有”、“不包含”不排除在沉积前化合物中可存在的杂质。杂质对本发明所实现的目的没有技术影响。

术语“接触夹入”是指三层的排列，其中中间层与两个相邻层直接接触。

术语“吸光层”和“光吸收层”同义使用。

术语“发光层”、“光发射层”和“发射层”同义使用。

术语“p型电荷产生层”和“p-CGL”同义使用。

术语“n型电荷产生层”和“n-CGL”同义使用。

术语“OLED”、“有机发光二极管”和“有机发光器件”同义使用。

术语“阳极”、“阳极层”和“阳极电极”同义使用。

术语“阴极”、“阴极层”和“阴极电极”同义使用。

在本说明书中，空穴特性是指当施加电场时，提供一个电子以形成空穴的能力，由于根据最高占据分子轨道(HOMO)能级的导电特性，在阳极中形成的空穴可以容易地注入发光层并在发光层中传输。

此外，电子特性是指当施加电场时，接受电子的能力，由于根据最低未占用分子轨道(LUMO)能级的导电特性，在阴极中形成的电子可以容易地注入发光层并在发光层中传输。

有益效果

已令人惊讶地发现，根据式(I)的本发明的有机化合物通过使器件在工作电压、效率和/或寿命方面，特别是在工作电压、效率和电压随时间的稳定性方面的各个方面优于本领域已知的有机电致发光器件而解决了本发明根本的问题。已进一步令人惊讶地发现，与比较例相比，式(I)化合物可以具有改进的LUMO能量、改进的偶极矩和/或改进的热性质，特别是在高温下的改进的热稳定性和/或加工性质。

在不受理论约束的条件下，当基于有机半导体层的总重量在权利要求的重量％范围内选择式(I)时，热性质可得到改进。因此，由TGA5％确定的热稳定性和由标准起始温度确定的挥发性可以在大规模生产所需的范围内。

已令人惊讶地发现，LUMO能量可在有效空穴注入和/或空穴产生所需的范围内。

有机电致发光器件

根据本发明的一个实施方案，所述有机电致发光器件包含阳极层、阴极层、有机半导体层、至少一个第一或多个电荷产生层、至少两个或多个发光单元，其中

-每个发光单元包含发光层；

-至少一个电荷产生层包含n型电荷产生层和p型电荷产生层，

其中所述有机半导体层布置得比所述p型电荷产生层更靠近所述阳极层，并且

其中所述有机半导体层包含有机空穴传输材料和式(I)化合物，并且所述p型电荷产生层包含有机空穴传输材料和式(I)化合物：

其中R

并且

其中

-每个发光单元包含发光层；

-至少一个电荷产生层包含p型电荷产生层，

其中所述有机半导体层布置得比所述p型电荷产生层更靠近所述阳极层，并且

其中所述有机半导体层包含有机空穴传输材料和式(I)化合物，并且所述p型电荷产生层包含有机空穴传输材料和式(I)化合物：

其中R

并且

其中

其中星号“*”表示结合位置；并且

其中所述有机半导体层和所述p型电荷产生层包含相同的根据式(I)的化合物。

本发明的一个方面提供一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包含阳极层、阴极层、有机半导体层、至少一个第一或多个电荷产生层、至少两个或多个发光单元，其中

-每个发光单元包含发光层；

-至少一个电荷产生层包含p型电荷产生层和至少一个n型电荷产生层，其中所述电荷产生层的所述n型电荷产生层和所述p型电荷产生层布置成直接接触；

其中所述有机半导体层布置得比所述p型电荷产生层更靠近所述阳极层，并且

其中所述有机半导体层包含有机空穴传输材料和式(I)化合物，并且所述p型电荷产生层包含有机空穴传输材料和式(I)化合物：

其中R

并且

其中

-每个发光单元包含发光层；

-至少一个电荷产生层包含p型电荷产生层，

其中所述有机半导体层布置得比所述p型电荷产生层更靠近所述阳极层，并且

其中所述有机半导体层包含有机空穴传输材料和式(I)化合物，并且所述p型电荷产生层包含有机空穴传输材料和式(I)化合物：

其中R

并且

其中

其中星号“*”表示结合位置；并且其中R

-每个发光单元包含发光层；

-至少一个电荷产生层包含p型电荷产生层，

其中所述有机半导体层布置得比所述p型电荷产生层更靠近所述阳极层，并且

其中所述有机半导体层包含有机空穴传输材料和式(I)化合物，并且所述p型电荷产生层包含有机空穴传输材料和式(I)化合物：

其中R

并且

其中

-每个发光单元包含发光层；

-至少一个电荷产生层包含p型电荷产生层，

其中所述有机半导体层布置得比所述p型电荷产生层更靠近所述阳极层，并且

其中所述有机半导体层包含有机空穴传输材料和式(I)化合物，并且所述p型电荷产生层包含有机空穴传输材料和式(I)化合物：

其中R

并且

其中

-每个发光单元包含发光层；

-至少一个电荷产生层包含p型电荷产生层，

其中所述有机半导体层布置得比所述p型电荷产生层更靠近所述阳极层，并且

其中所述有机半导体层包含有机空穴传输材料和式(I)化合物，并且所述p型电荷产生层包含有机空穴传输材料和式(I)化合物：

其中R

并且

其中

-每个发光单元包含发光层；

-至少一个电荷产生层包含p型电荷产生层，

其中所述有机半导体层布置得比所述p型电荷产生层更靠近所述阳极层，并且

其中所述有机半导体层包含有机空穴传输材料和式(I)化合物，并且所述p型电荷产生层包含有机空穴传输材料和式(I)化合物：

其中R

并且

其中

根据一个实施方案，其中所述有机半导体层和所述p型电荷产生层包含相同的根据式(I)的化合物。

根据一个实施方案，其中所述电荷产生层或每个电荷产生层包含n型电荷产生层和p型电荷产生层。

根据一个实施方案，R

式(IIc)

根据一个实施方案，其中式(I)化合物由式(IIc)表示：

其中X和Y为C(CN)

根据一个实施方案，其中式(I)化合物由式(IIc)表示：

其中

X和Y为C(CN)

根据一个实施方案，其中式(I)化合物由式(IIc)表示：

其中

根据一个实施方案，其中式(I)化合物由式(IIc)表示：

其中

根据一个实施方案，U

根据一个实施方案，其中R

选自B1至B47中相同的基团：

其中星号“*”表示结合位置。

根据一个实施方案，R

根据一个实施方案，其中式(I)的取代基R

-R

根据本发明的一个实施方案，其中式(I)化合物的R

表I

星号“*”表示R

根据本发明的一个实施方案，其中式(I)化合物的R

表II

星号“*”表示R

根据本发明的一个实施方案，其中式(I)化合物的R

表III

星号“*”表示R

根据本发明的一个实施方案，其中式(I)化合物的R

表IV

星号“*”表示R

根据本发明的一个实施方案，其中式(I)化合物的R

表V

星号“*”表示R

根据本发明的一个实施方案，其中式(I)化合物的R

表VI

星号“*”表示R

根据一个实施方案，其中式(I)化合物的R

表VII

根据本发明的一个实施方案，当利用程序包TURBOMOLE V6.5(TURBOMOLE GmbH,Litzenhardtstrasse 19,76135Karlsruhe，德国)，通过在气相中使用杂化泛函B3LYP和6-31G*基组计算时，所述式(I)化合物的计算的LUMO能级在如下范围内：≤-4.9eV至≥-5.75eV，≤-4.70eV至≥-5.75eV中，优选≤-4.80eV至≥-5.75eV，还优选≤-4.90eV至≥-5.75eV，还优选≤-5.00eV至≥-5.75eV，还优选≤-5.10eV至≥-5.75eV，更优选≤-5.15eV至≥-5.75eV，还更优选≤-5.25eV至≥-5.75eV或≤-5.20eV至≥-5.6eV。

根据一个实施方案，其中式(I)具有化学结构IId：

有机半导体层

根据一个实施方案，有机电致发光器件包含有机半导体层，其中有机半导体层包含式(I)化合物。根据一个实施方案，有机半导体层包含有机空穴传输材料和式(I)化合物。根据一个实施方案，所述有机电致发光器件包含至少一个有机半导体层，所述有机半导体层包含有机空穴传输材料和式(I)化合物。

根据本发明的一个实施方案，有机半导体层优选为空穴注入层。

根据一个实施方案，有机电致发光器件包含有机半导体层，其中有机半导体层包含根据式(I)、(IIa)、(IIb)、(IIc)和/或(IId)的化合物。

根据一个实施方案，当利用程序包TURBOMOLE V6.5(TURBOMOLE GmbH,Litzenhardtstrasse 19,76135Karlsruhe，德国)，通过在气相中使用杂化泛函B3LYP和6-31G*基组计算时，式(I)、(IIa)、(IIb)、(IIc)、(IId)的化合物可具有在如下范围内的LUMO：≥-6.00eV至≤-4.70eV，优选≥-5.90eV至≤-4.80eV，更优选≥-5.80eV至≤-4.90eV，更优选≥-5.70eV至≤-5.00eV，更优选≥-5.60eV至≤-5.10eV，更优选≥-5.60eV至≤-5.10eV，更优选≥-5.50eV至≤-5.10eV，优选≥-5.45eV至≤-5.10eV，所述LUMO能级以参考真空能级为零的绝对标度来表示。

在有机半导体层包含根据本发明的式(I)化合物的情况下，在整个本申请文本中，术语“式(I)化合物”还旨在包括组合物，其中所述组合物包含至少一种如上所述的根据本发明的化合物。

根据本发明的一个实施方案，有机半导体层和/或式(I)化合物是非发光性的。根据本发明的一个实施方案，有机半导体层、式(I)化合物和有机空穴传输材料是非发光性的。

根据一个实施方案，基于有机半导体层的总重量，式(I)化合物在有机半导体层的含量为≤99.9重量％，优选为≤99重量％，更优选为≤95重量％，更优选为≤90重量％，更优选为≤80重量％，更优选为≤70重量％，更优选为≤60重量％，更优选为≤50重量％，更优选为≤40重量％，更优选为≤30重量％，更优选为≤20重量％，更优选为≤10重量％，更优选为≤5重量％，更优选为≤3.0重量％，更优选为≤2.75重量％，更优选为≤2.5重量％，更优选为≤2.25重量％，最优选为≤2.0重量％，其中有机半导体层优选为空穴注入层。

根据本发明的一个实施方案，基于有机半导体层的总重量，式(I)化合物在有机半导体层的含量为≤99.9重量％，优选为≤99重量％，更优选为≤95重量％，更优选为≤90重量％，更优选为≤80重量％，更优选为≤70重量％，更优选为≤60重量％，更优选为≤50重量％，更优选为≤40重量％，更优选为≤30重量％，更优选为≤20重量％，更优选为≤10重量％，更优选为≤5重量％，更优选为≤3.0重量％，更优选为≤2.75重量％，更优选为≤2.5重量％，更优选为≤2.25重量％，最优选为≤2.0重量％。

在本说明书的上下文中，术语“基本上非发光性的”或“非发光性的”是指化合物或层对源自器件的可见发光光谱的贡献相对于可见发光光谱为小于10％，优选为小于5％。可见发光光谱是波长为约≥380nm至约≤780nm的发光光谱。

根据本发明的一个实施方案，所述至少一个有机半导体层还可包含至少一种有机空穴传输材料，也称为基质化合物、共价基质化合物或基本共价基质化合物。

有机空穴传输材料

有机半导体层还可包含也称为共价基质化合物或基本共价基质化合物的有机空穴传输材料。根据一个实施方案，有机空穴传输材料可以选自至少一种有机化合物。

根据一个实施方案，所述有机半导体层还包含有机空穴传输材料，其中所述有机空穴传输材料可以选自基本上由共价结合的C、H、O、N、S组成的有机化合物，所述有机化合物任选地另外包含共价结合的B、P、As和/或Se。

包含共价键碳-金属的有机金属化合物、包含有机配体和有机酸的金属盐的金属络合物是可用作有机空穴传输材料的有机化合物的其它实例。

在一个实施方案中，有机空穴传输材料缺少金属原子且其大部分骨架原子可以选自C、O、S、N。或者，有机空穴传输材料缺少金属原子且其大部分骨架原子可以选自C和N。

根据一个实施方案，有机空穴传输材料可具有≥400且≤2000g/mol的分子量Mw，优选≥450且≤1500g/mol的分子量Mw，还优选≥500且≤1000g/mol的分子量Mw，还优选≥550且≤900g/mol的分子量Mw，还优选≥600且≤800g/mol的分子量Mw。

优选地，有机空穴传输材料包含至少一个芳基胺部分或者二芳基胺部分或者三芳基胺部分。

优选地，有机空穴传输材料不含金属和/或离子键。

根据本发明的一个实施方案，基于有机半导体层的总重量，有机空穴传输材料在有机半导体层中的含量为≥0.1重量％，优选为≥1重量％，更优选为≥5重量％，更优选为≥10重量％，更优选为≥20重量％，更优选为≥30重量％，更优选为≥40重量％，更优选为≥50重量％，更优选为≥60重量％，更优选为≥70重量％，更优选为≥80重量％，更优选为≥90重量％，更优选为≥95重量％，更优选为≥97.0重量％，更优选为≥97.25重量％，更优选为≥97.5重量％，更优选为≥97.75重量％，最优选为≥98.0重量％。

式(VI)化合物或式(VII)化合物

根据本发明的另一个方面，所述至少一种有机空穴传输材料，也称为“基本共价基质化合物”，可以包含至少一种芳基胺化合物、二芳基胺化合物、三芳基胺化合物、式(VI)化合物或式(VII)化合物

其中：

其中Ar

其中R

根据一个实施方案，其中T

根据一个实施方案，其中Ar

其中

星号“*”表示结合位置。

根据一个实施方案，其中Ar

当在该范围内选择Ar

“式(VI)或式(VII)”的有机空穴传输材料也可称为“空穴传输化合物”。

根据一个实施方案，有机空穴传输材料包含至少一个萘基基团、咔唑基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团及/或取代的芴基基团，其中取代基独立地选自甲基、苯基或芴基。

根据所述电子器件的一个实施方案，其中式(VI)或式(VII)的有机空穴传输材料选自L1至L18：

发光单元

根据一个实施方案，其中发光单元包含至少一个空穴传输层、任选的至少一个电子阻挡层、至少一个发光层、任选的至少一个空穴阻挡层和至少一个电子传输层。

根据一个实施方案，其中发光单元包含至少一个空穴传输层、至少一个电子阻挡层、至少一个发光层、任选的至少一个空穴阻挡层和至少一个电子传输层。

根据一个实施方案，其中至少一个或多个发光单元各自包含至少一个空穴传输层、至少一个电子阻挡层、至少一个发光层、至少一个空穴阻挡层和至少一个电子传输层。

根据一个实施方案，其中各个发光单元各自包含至少一个空穴传输层、至少一个电子阻挡层、至少一个发光层、至少一个空穴阻挡层和至少一个电子传输层。

有机电致发光器件

本发明还涉及一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包含阳极层、阴极层和至少一个有机半导体层，其中所述至少一个有机半导体层布置在阳极层与阴极层之间，其中所述至少一个有机半导体层是根据本发明的有机半导体层。优选地，有机半导体层是空穴注入层。

根据有机电致发光器件的一个实施方案，其中阳极层包含至少第一阳极子层和第二阳极子层。

根据本发明的一个实施方案，其中所述有机电致发光器件还包含至少一个光活性层，其中所述至少一个光活性层布置在所述阳极层与所述阴极层之间，并且所述至少一个有机半导体层中的至少一个布置在所述阳极层与所述至少一个光活性层之间。

根据本发明的一个实施方案，其中所述有机半导体层是空穴注入层。

根据本发明的一个实施方案，空穴注入层与阳极层直接接触。

根据本发明的一个实施方案，空穴注入层与阳极层直接接触且阳极层与基底直接接触，其中基底选自玻璃基底、塑料基底、金属基底或背板。

根据本发明的一个实施方案，其中光活性层是发光层。

根据本发明的一个实施方案，其中所述有机电致发光器件是有机电子器件、有机发光二极管(OLED)、发光器件、薄膜晶体管、电池组、显示装置或有机光伏电池(OPV)。根据一个实施方案，其中有机电子器件包含电致发光器件、有机发光二极管(OLED)、发光器件、薄膜晶体管、电池组、显示装置或有机光伏电池(OPV)，优选有机发光二极管(OLED)。根据一个实施方案，有机电子器件优选为包含根据本发明的有机电致发光器件的显示装置。

根据本发明的一个实施方案，其中所述p型电荷产生层的组成选择与有机半导体层的相同。

根据本发明的一个实施方案，所述有机电致发光器件包含至少两个发光层，其中所述至少一个有机半导体层中的至少一个布置在所述第一发光层与所述第二发光层之间。

根据本发明的一个实施方案，所述有机电致发光器件优选为有机发光二极管。

根据本发明的一个实施方案，所述有机电致发光器件还包含基底。

根据本发明的一个实施方案，所述有机电致发光器件包含阳极层、阴极层、有机半导体层、至少一个第一或多个电荷产生层、至少两个或多个发光单元，其中每个发光单元包含发光层，并且电荷产生层包含p型电荷产生层，其中所述有机半导体层布置得比所述p型电荷产生层更靠近所述阳极层，并且其中所述有机半导体层包含有机空穴传输材料和式(I)化合物，并且所述p型电荷产生层包含有机空穴传输材料和式(I)化合物。

根据本发明的一个实施方案，所述有机电致发光器件包含阳极层、阴极层、有机半导体层、至少一个第一或多个电荷产生层、至少两个或多个发光单元，其中每个发光单元包含发光层，并且电荷产生层包含p型电荷产生层，其中所述有机半导体层布置得比所述p型电荷产生层更靠近所述阳极层，并且其中所述有机半导体层为空穴注入层，所述空穴注入层包含有机空穴传输材料和式(I)化合物，并且所述p型电荷产生层包含有机空穴传输材料和式(I)化合物。

根据一个实施方案，其中所述有机电致发光器件包含至少两个发光单元。根据一个实施方案，其中所述有机电致发光器件包含至少一个或多个发光单元，所述发光单元各自包含至少一个空穴传输层、至少一个电子阻挡层、至少一个发光层、至少一个空穴阻挡层和至少一个电子传输层。根据一个实施方案，其中所述有机电致发光器件包含第一发光单元和第二发光单元的至少两个发光单元，并且其中所述第一发光单元布置得比所述第二发光单元更靠近所述阳极，其中每个发光单元不含空穴注入层，并且其中所述半导体层为空穴注入层并且布置在所述阳极与所述第一发光单元之间。

根据有机电致发光器件的一个实施方案，其中所述至少两个发光单元和所述第一电荷产生层布置在所述阳极层与所述阴极层之间，其中所述第一电荷产生层布置在所述第一发光单元上，并且所述至少两个发光单元中的第一发光单元设置在所述半导体层上，其中所述半导体层优选为空穴注入层，并且所述第二发光单元设置在所述第一电荷产生层上。

根据有机电致发光器件的一个实施方案，其中所述有机电致发光器件包含至少三个发光单元。根据有机电致发光器件的一个实施方案，其中所述有机电致发光器件包含第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元的至少三个发光单元，并且其中所述第一发光单元布置得比所述第二发光单元更靠近所述阳极，其中所述第三发光单元布置得比所述第二发光单元更靠近所述阴极层，其中每个发光单元不含空穴注入层并且其中所述半导体层是空穴注入层并且布置在所述阳极与所述第一发光单元之间。

根据有机电致发光器件的一个实施方案，其中所述有机电致发光器件包含至少三个发光单元和至少两个电荷产生层，其中所述第一电荷产生层设置在一组相邻的两个发光单元之间并且所述第二电荷产生层设置在两个相邻的发光单元之间，其中在两个相邻的发光单元之间布置不多于一个的电荷产生层。

根据一个实施方案，其中所述有机电致发光器件包含至少四个发光单元。根据有机电致发光器件的一个实施方案，其中所述有机电致发光器件包含至少四个发光单元和至少三个电荷产生层，其中所述第一电荷产生层设置在一组相邻的两个发光单元之间，并且第二电荷产生层设置在两个相邻发光单元之间且第三电荷产生层设置在两个相邻的发光单元之间，其中在两个相邻的发光单元之间布置不多于一个的电荷产生层。

根据一个实施方案，其中所述有机电致发光器件包含：

-至少三个发光单元和至少两个电荷产生层，其中所述第一电荷产生层设置在所述第一发光单元上，并且所述第二电荷产生层设置在第二发光单元上，其中所述第一发光单元布置得更靠近阳极层，所述第三发光单元布置得更靠近阴极层并且所述第二发光单元布置在第一发光单元与第二发光单元之间；或

-至少四个发光单元和至少三个电荷产生层，其中所述第一电荷产生层设置在第一发光单元上，并且所述第二电荷产生层设置在第二发光单元上，所述第三电荷产生层设置在第三发光单元上，并且所述第四发光单元设置在所述第三电荷产生层上，其中所述第一发光单元布置得更靠近所述阳极层，所述第四发光单元布置得更靠近所述阴极层，所述第二发光单元和所述第三发光单元布置在所述第一发光单元与所述第四发光单元之间，其中所述第二发光单元布置得更靠近所述第一发光单元并且所述第三发光单元布置得更靠近所述第四发光单元。

根据一个实施方案，其中所述有机电致发光器件包含至少五个发光单元。根据一个实施方案，其中有机电致发光器件包含至少第六发光单元。

根据有机电致发光器件的一个实施方案，其中在相邻发光单元之间设置电荷产生层，优选地，在第一发光单元与第二发光单元之间设置第一电荷产生层，其中第一发光单元布置得比第二发光单元更靠近阳极。

根据有机电致发光器件的一个实施方案，其中电荷产生层包含n型电荷产生层和p型电荷产生层，优选地，电荷产生层的n型电荷产生层和p型电荷产生层布置成直接接触，还优选地，n型电荷产生层布置得比p型电荷产生层更靠近阳极层。

根据有机电致发光器件的一个实施方案，其中电子传输层与n-CGL直接接触，和/或p型电荷产生层与空穴传输层直接接触，和/或电子传输层与n-CGL直接接触且p型电荷产生与空穴传输层直接接触。

根据有机电致发光器件的一个实施方案，其中电子传输层不含金属掺杂剂，优选地，电子传输层不含金属掺杂剂，其中金属掺杂剂的金属具有氧化态0。

根据有机电致发光器件的一个实施方案，其中至少两个电荷产生层包含相同的式(I)化合物，优选至少三个电荷产生层包含相同的式(I)化合物，还优选四个电荷产生层包含相同的式(I)化合物，或所有电荷产生层都包含相同的式(I)化合物。

其它层

根据本发明，除了上面已经提到的层之外，有机电致发光器件还可以包含其它层。下面对各个层的示例性实施方案进行描述：

基底

基底可以是通常用于制造电子器件诸如有机发光二极管的任意基底。如果要通过基底发光，则基底应为透明或半透明的材料，例如玻璃基底或透明塑料基底。如果要通过顶面发光，则基底既可以是透明材料也可以是不透明的材料，例如玻璃基底、塑料基底、金属基底、硅基底或背板。

阳极层

可以通过沉积或溅射用于形成阳极层的材料来形成阳极层。用于形成阳极层的材料可以是高逸出功材料，从而有助于空穴注入。阳极材料也可以选自低逸出功材料(即铝)。阳极电极可以是透明或反射电极。可以使用透明的导电氧化物如氧化锡铟(ITO)、氧化铟锌(IZO)、二氧化锡(SnO

根据本发明的一个实施方案，阳极层包含第一阳极子层和第二阳极子层，其中

-第一阳极子层包含具有在≥4且≤6eV范围内的逸出功的第一金属，并且

-第二阳极子层包含透明导电氧化物；且

-第二阳极子层布置得更靠近空穴注入层。

根据本发明的一个实施方案，第一阳极子层的第一金属可以选自Ag、Mg、Al、Cr、Pt、Au、Pd、Ni、Nd、Ir，优选选自Ag、Au或Al，更优选Ag。

根据本发明的一个实施方案，第一阳极子层具有在5至200nm、或8至180nm、或8至150nm、或100至150nm范围内的厚度。

根据本发明的一个实施方案，通过真空热蒸发沉积第一金属来形成第一阳极子层。

应当理解，第一阳极层不是基底的一部分。

根据本发明的一个实施方案，第二阳极子层的透明导电氧化物选自氧化锡铟或氧化铟锌，更优选氧化锡铟。

根据本发明的一个实施方案，第二阳极子层可以具有在3至200nm、或3至180nm、或3至150nm、或3至20nm范围内的厚度。

根据本发明的一个实施方案，可通过溅射透明导电氧化物来形成第二阳极子层。

根据本发明的一个实施方案，所述有机电致发光器件的阳极层另外包含含有透明导电氧化物的第三阳极子层，其中所述第三阳极子层布置在所述基底与所述第一阳极子层之间。

根据本发明的一个实施方案，第三阳极子层包含透明氧化物，优选选自氧化锡铟或氧化铟锌，更优选氧化锡铟。

根据本发明的一个实施方案，第三阳极子层可以具有在3至200nm、或3至180nm、或3至150nm、或3至20nm范围内的厚度。

根据本发明的一个实施方案，可通过溅射透明导电氧化物来形成第三阳极子层。

应理解，第三阳极层不是基底的一部分。

根据本发明的一个实施方案，阳极层包含：包含Ag的第一阳极子层；包含透明导电氧化物、优选包含ITO的第二阳极子层；和包含透明导电氧化物、优选包含ITO的第三阳极子层；其中第一阳极子层布置在第二阳极子层与第三阳极子层之间。

空穴传输层

根据本发明的一个实施方案，有机电致发光器件包含空穴传输层，其中空穴传输层布置在空穴注入层与至少一个第一发光层之间。

根据本发明的一个实施方案，空穴传输层布置成与p型电荷产生层(p-CGL)直接接触。

根据有机电致发光器件的一个实施方案，其中空穴传输层布置成与p型电荷产生层直接接触，优选空穴传输层布置得比p型电荷产生层更靠近阴极。

可以通过真空沉积、旋涂、狭缝式模头涂布、印刷、流延、Langmuir-Blodgett(LB)沉积等在HIL上形成空穴传输层(HTL)。当通过真空沉积或旋涂来形成HTL时，沉积和涂布的条件可以类似于形成HIL的条件。然而，真空或溶液沉积的条件可以随用于形成HTL的化合物而变化。

HTL可以由通常用于形成HTL的任意化合物形成。例如在Yasuhiko Shirota和Hiroshi Kageyama,Chem.Rev.2007,107,953-1010中公开了能够适用的化合物并通过引用并入本文。可以用于形成HTL的化合物的实例是：咔唑衍生物，如N-苯基咔唑或聚乙烯基咔唑；联苯胺衍生物，如N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-联苯]-4,4'-二胺(TPD)或N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基联苯胺(α-NPD)；和三苯胺类化合物，如4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)。在这些化合物中，TCTA能够传输空穴并抑制激子扩散到EML中。

根据本发明的一个实施方案，空穴传输层可以包含如上所述的基本共价基质化合物。

根据本发明的一个实施方案，空穴传输层可以包含如上所述的式(VI)或(VII)的化合物。

根据本发明的一个实施方案，空穴注入层和空穴传输层包含如上所述相同的基本共价基质化合物。

根据本发明的一个实施方案，空穴注入层和空穴传输层包含如上所述相同的式(VI)或(VII)的化合物。

HTL的厚度可以在约5nm至约250nm、优选地约10nm至约200nm、更优选约20nm至约190nm、更优选约40nm至约180nm、更优选约60nm至约170nm、更优选约80nm至约160nm、更优选约100nm至约160nm、更优选约110nm至约140nm的范围内。

当HTL的厚度在该范围内时，HTL可以具有优异的空穴传输特性，而不会对驱动电压造成实质性的损害。

电子阻挡层

电子阻挡层(EBL)的功能是防止电子从发光层转移到空穴传输层，从而将电子限制在发光层。由此，改善了效率、工作电压和/或寿命。通常，电子阻挡层包含三芳基胺化合物。三芳基胺化合物的LUMO能级可比空穴传输层的LUMO能级更接近真空能级。与空穴传输层的HOMO能级相比，电子阻挡层可以具有更远离真空能级的HOMO能级。电子阻挡层的厚度可以在2至20nm之间选择。

如果电子阻挡层具有高三重态能级，则也可以将其描述为三重态控制层。

如果使用磷光绿色或蓝色发光层，则三重态控制层的功能是减少三重态的猝灭。由此，能够实现源自磷光发光层的更高的发光效率。三重态控制层选自三重态能级高于相邻发光层中的磷光发光体的三重态能级的三芳基胺化合物。在EP 2 722 908 A1中描述了用于三重态控制层的合适化合物，特别是三芳基胺化合物。

光活性层(PAL)

光活性层将电流转化为光子或将光子转化为电流。可以通过真空沉积、旋涂、狭缝式模头涂布、印刷、流延、LB沉积等在HTL上形成PAL。当通过真空沉积或旋涂来形成PAL时，沉积和涂布的条件可以类似于形成HIL的条件。然而，沉积和涂布的条件可以根据用于形成PAL的化合物而变化。可以规定，光活性层不包含根据式(I)的金属络合物。光活性层可以是发光层或吸光层。

发光层(EML)

可以通过真空沉积、旋涂、狭缝式模头涂布、印刷、流延、LB沉积等在HTL上形成EML。当使用真空沉积或旋涂形成EML时，沉积和涂布的条件可类似于形成HIL的条件。然而，沉积和涂布的条件可以根据用于形成EML的化合物而变化。

根据本发明的一个实施方案，发光层不包含式(I)化合物。

发光层(EML)可以由主体和发光体掺杂剂的组合来形成。主体的实例为Alq3、4,4'-N,N'-二咔唑-联苯(CBP)、聚(n-乙烯基咔唑)(PVK)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺(TCTA)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)、3-叔丁基-9,10-二-2-萘基蒽(TBADN)、二苯乙烯基芳亚基(DSA)和双(2-(2-羟基苯基)苯并噻唑酸)锌(Zn(BTZ)

发光体掺杂剂可以是磷光或荧光发光体。磷光发光体和经由热激活延迟荧光(TADF)机制发光的发光体因为它们的效率较高而可为优选的。发光体可以是小分子或聚合物。

红色发光体掺杂剂的实例是PtOEP、Ir(piq)3和Btp2Ir(acac)，但不限于此。这些化合物是磷光发光体，然而，也可以使用荧光红色发光体掺杂剂。

磷光绿色发光体掺杂剂的实例是Ir(ppy)3(ppy＝苯基吡啶)、Ir(ppy)2(acac)、Ir(mpyp)3。

磷光蓝色发光体掺杂剂的实例为：F2Irpic、(F2ppy)2Ir(tmd)和Ir(dfppz)3；以及三芴。荧光蓝色发光体掺杂剂的实例是4,4'-双(4-二苯基氨基苯乙烯基)联苯(DPAVBi)、2,5,8,11-四叔丁基苝(TBPe)。

基于100重量份的主体，发光体掺杂剂的量可以在约0.01至约50重量份的范围内。或者，发光层可以由发光聚合物组成。EML可以具有约10nm至约100nm、例如约20nm至约60nm的厚度。当EML的厚度在该范围内时，EML可以具有优异的发光，而不会对驱动电压造成实质性的损害。

空穴阻挡层(HBL)

可以通过使用真空沉积、旋涂、狭缝式模头涂布、印刷、流延、LB沉积等在EML上形成空穴阻挡层(HBL)，以防止空穴扩散到ETL中。当EML包含磷光掺杂剂时，HBL还可以具有三重态激子阻挡功能。

HBL也可以命名为辅助ETL或a-ETL。

当使用真空沉积或旋涂形成HBL时，沉积和涂布的条件可以类似于用于形成HIL的条件。然而，沉积和涂布的条件可以根据用于形成HBL的化合物而变化。可以使用通常用于形成HBL的任意化合物。用于形成HBL的化合物的实例包括

HBL的厚度可以在约5nm至约100nm、例如约10nm至约30nm的范围内。当HBL的厚度在该范围内时，HBL可以具有优异的空穴阻挡性质，而不会对驱动电压造成实质性的损害。

优选的HBL层材料为具有下式的AN-2：

AN-2命名为2-(3'-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-[1,1'-联苯]-3-基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪。

电子传输层(ETL)

根据本发明的有机电致发光器件还可以包含电子传输层(ETL)。

根据有机电致发光器件的一个实施方案，电子传输层(ETL)布置成与n型电荷产生层(n-CGL)直接接触。根据有机电致发光器件的一个实施方案，其中电子传输层包含电子传输基质材料。

电子传输基质材料可以选自吖嗪化合物，优选吡啶、嘧啶或三嗪化合物，最优选三嗪化合物。

电子传输基质材料可以选自：2-(1,1'-联苯]-4-基)-4-(9,9-二苯基-9H-芴-4-基)-6-苯基-1,3,5-三嗪、2-(3-(2,6-二甲基吡啶-3-基)-5-(菲-9-基)苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪、3'-(4-苯基-6-(螺[芴-9,9'-呫吨]-2'-基)-1,3,5-三嗪-2-基)-[1,1'-联苯]-4-腈和4'-(4-(4-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)萘-1-基)-[1,1’-联苯]-4-腈。

根据有机电致发光器件的一个实施方案，其中电子传输层包含电子传输基质材料和掺杂剂，优选金属有机掺杂剂。

根据有机电致发光器件的一个实施方案，其中电子传输层布置得比n型电荷产生层更靠近阳极。

根据本发明的另一个实施方案，电子传输层还可以包含吖嗪化合物，优选吡啶、嘧啶或三嗪化合物，最优选三嗪化合物。

在一个实施方案中，电子传输层可以还包含选自碱金属有机络合物的掺杂剂，优选LiQ。

ETL的厚度可以在约15nm至约50nm的范围内，例如在约20nm至约40nm的范围内。当ETL的厚度在该范围内时，ETL可以具有令人满意的电子注入特性，而不会对驱动电压造成实质性的损害。

根据本发明的另一个实施方案，有机电致发光器件可以还包含空穴阻挡层和电子传输层，其中空穴阻挡层和电子传输层包含吖嗪化合物。优选地，吖嗪化合物为吡啶、嘧啶或三嗪化合物，最优选吖嗪化合物为三嗪化合物。

电子注入层(EIL)

可以促进从阴极注入电子的任选的EIL可以形成在ETL上，优选直接在电子传输层上。形成EIL的材料的实例包括本领域已知的8-羟基喹啉锂(LiQ)、LiF、NaCl、CsF、Li

EIL的厚度可以在约0.1nm至约10nm的范围内，例如在约0.5nm至约9nm的范围内。当EIL的厚度在该范围内时，EIL可以具有令人满意的电子注入性质，而不会对驱动电压造成实质性的损害。

电荷产生层

根据本发明的有机电致发光器件还可以包含电荷产生层，其中本发明的有机半导体层是p型电荷产生层(p-CGL)，其中p型电荷产生层布置得更靠近阴极层。

电荷产生层还可以包含n型电荷产生层(n-CGL)，其中n型电荷产生层布置在p型电荷产生层与阳极层之间。

优选地，n型电荷产生层和p型电荷产生层布置成直接接触。

n型电荷产生层(n-CGL)可以包含金属掺杂剂或金属掺杂剂和主体材料。n型电荷产生层(n-CGL)优选包含金属掺杂剂和主体材料。

根据本发明的一个实施方案，主体材料是包含至少一个C

根据有机电致发光器件的一个实施方案，其中n-CGL的主体材料用作基质材料，使得金属掺杂剂嵌入该基质材料中。根据有机电致发光器件的一个实施方案，其中n-CGL的主体材料用作基质材料，使得金属掺杂剂嵌入该基质材料中并且其中该基质材料是电子传输基质材料。

根据有机电致发光器件的一个实施方案，其中所述n-CGL的主体材料用作基质材料，使得所述金属掺杂剂嵌入该基质材料中，并且其中所述主体材料是电子传输基质材料。

根据有机电致发光器件的一个实施方案，其中所述n-CGL的主体材料用作基质材料，使得所述金属掺杂剂嵌入该基质材料中，并且其中所述主体材料为电子传输基质材料，并且其中作为电子传输基质材料的n-CGL的主体材料与电子传输层的电子传输基质材料相同。

根据有机电致发光器件的一个实施方案，其中所述有机电致发光器件包含至少两个n-CGL和至少两个电子传输层，其中所述两个n-CGL的主体材料用作基质材料，使得所述金属掺杂剂嵌入该基质材料中，并且其中所述主体材料是电子传输基质材料，并且其中作为电子传输基质材料的两个n-CGL的主体材料与两个电子传输层的电子传输基质材料相同。根据有机电致发光器件的一个实施方案，其中所述有机电致发光器件包含至少三个n-CGL和至少三个电子传输层，其中所述三个n-CGL的主体材料用作基质材料，使得所述金属掺杂剂嵌入该基质材料中，并且其中主体材料是电子传输基质材料，并且其中作为电子传输基质材料的三个n-CGL的主体材料和三个电子传输层的电子传输基质材料相同。根据有机电致发光器件的一个实施方案，其中所述有机电致发光器件包含至少四个n-CGL和至少四个电子传输层，其中所述四个n-CGL的主体材料用作基质材料，使得所述金属掺杂剂嵌入该基质材料中，并且其中所述主体材料是电子传输基质材料，并且其中作为电子传输基质材料的四个n-CGL的主体材料和四个电子传输层的电子传输基质材料相同。

根据本发明的一个实施方案，所述至少一个C

根据本发明的一个实施方案，主体材料包含选自如下中的至少一种基团：吡啶、嘧啶、三嗪、咪唑、苯并咪唑、苯并

根据本发明的一个实施方案，主体材料包含：至少一个菲咯啉基团，优选两个菲咯啉基团；一个或多个吡啶基团；一个或多个嘧啶基团；一个或多个三嗪基团；一个或多个咪唑并[1,5-a]吡啶基团；或一个或多个氧化膦基团。

根据本发明的一个实施方案，有机电子传输基质化合物包含：至少一个菲咯啉基团，优选两个菲咯啉基团；一个或多个吡啶基团；一个或多个嘧啶基团；或一个或多个氧化膦基团。

根据本发明的一个实施方案，主体材料包含：至少一个菲咯啉基团，优选两个菲咯啉基团；吡啶基团；嘧啶基团；或氧化膦基团。

根据本发明的一个实施方案，主体材料基质化合物包含：至少一个菲咯啉基团，优选两个菲咯啉基团；一个或多个吡啶基团；一个或多个嘧啶基团；一个或多个三嗪基团。

根据本发明的一个实施方案，主体材料选自2,2'-(1,3-苯亚基)双[9-苯基-1,10-菲咯啉]、(3-(10-(3-(2,6-二苯基嘧啶-4-基)苯基)蒽-9-基)苯基)二甲基氧化膦、3-(3-(9,10-二苯基蒽-2-基)苯基)-1-(吡啶-2-基)咪唑并[1,5-a]吡啶、7-(3-(1,10-菲咯啉-2-基)苯基)二苯并[c,h]吖啶、7-(3-([2,2':6',2”-三联吡啶]-4'-基)苯基)二苯并[c,h]吖啶、4'-(4'-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)-[1,1'-联苯]-4-基)-2,2':6',2”-三联吡啶、4'-(4-(荧蒽-3-基)苯基)-2,2':6',2”-三联吡啶或3-(9,10-二-2-萘基-2-蒽基)苯基]二甲基氧化膦。

根据本发明的一个实施方案，主体材料包含至少一个菲咯啉基团，优选两个菲咯啉基团。

根据一个实施方案，ETL的电子传输材料与n-CGL基质材料不同。

根据有机电致发光器件的一个实施方案，其中所述n型电荷产生层包含金属掺杂剂，优选所述金属掺杂剂选自具有通过鲍林(Pauling)标度确定的≤1.4eV的电负性的金属或包含具有通过鲍林标度确定的≤1.4eV的电负性的金属的金属合金。根据本发明的一个实施方案，金属掺杂剂选自具有通过鲍林标度确定的≤1.35eV的电负性的金属或包含具有通过鲍林标度确定的≤1.35eV的电负性的金属的金属合金。还优选金属掺杂剂是选自Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Sm、Eu和Yb中的金属或包含选自Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Sr、Ba、Sm、Eu和Yb中的金属的金属合金。

根据本发明的一个实施方案，金属掺杂剂是选自Li、Na、K、Cs、Mg、Ca、Ba、Sm、Eu和Yb中的金属或包含选自Li、Na、K、Cs、Mg、Ca、Ba、Sm、Eu和Yb中的金属的金属合金。

根据本发明的一个实施方案，金属掺杂剂是选自Li、Mg和Yb中的金属或包含选自Li、Mg和Yb中的金属的金属合金。

根据本发明的一个实施方案，金属掺杂剂是选自Li和Yb中的金属或包含选自Li和Yb中的金属的金属合金。

根据本发明的一个实施方案，金属掺杂剂为Yb或包含选自Li和Yb中的金属的金属合金。

根据本发明的一个实施方案，金属掺杂剂为Yb。

n-CGL的厚度可在约0.5nm至约15nm的范围内，例如在约1nm至约10nm的范围内。当n-CGL的厚度在该范围内时，EIL可以具有令人满意的电子注入特性，而不会对驱动电压造成实质性的损失。

n-CGL，也称为n型电荷产生层，可以包含金属掺杂剂，其中金属掺杂剂选自碱金属、碱土金属或稀土金属。

n-CGL可以包含吖嗪化合物。根据优选实施方案，n-CGL可以包含吖嗪化合物和金属掺杂剂，其中金属掺杂剂选自碱金属、碱土金属或稀土金属。

根据本发明的一个实施方案，基于有机半导体层的总重量，金属掺杂剂在n型电荷产生层中的含量为≤99.9重量％，优选为≤99重量％，更优选为≤95重量％，更优选为≤90重量％，更优选为≤80重量％，更优选为≤70重量％，更优选为≤60重量％，更优选为≤50重量％，更优选为≤40重量％，更优选为≤30重量％，更优选为≤20重量％，更优选为≤10重量％，更优选为≤5重量％，更优选为≤3.0重量％，更优选为≤2.75重量％，更优选为≤2.5重量％，更优选为≤2.25重量％，最优选为≤2.0重量％。

根据本发明的一个实施方案，基于有机半导体层的总重量，有机电子传输材料在n型电荷产生层中的含量为≥0.1重量％，优选为≥1重量％，更优选为≥5重量％，更优选为≥10重量％，更优选为≥20重量％，更优选为≥30重量％，更优选为≥40重量％，更优选为≥50重量％，更优选为≥60重量％，更优选为≥70重量％，更优选为≥80重量％，更优选为≥90重量％，更优选为≥95重量％，更优选为≥97.0重量％，更优选为≥97.25重量％，更优选为≥97.5重量％，更优选为≥97.75重量％，最优选为≥98.0重量％。

根据有机电致发光器件的一个实施方案，其中p型电荷产生层包含有机空穴传输材料和式(I)化合物，优选p型电荷产生层和空穴注入层包含式(I)化合物，还优选p型电荷产生层和空穴注入层的式(I)化合物相同。

p型电荷产生层(p-CGL)和n型电荷产生层(n-CGL)布置成直接接触。

p型电荷产生层包含有机空穴传输材料和式(I)化合物。

根据有机电致发光器件的一个实施方案，其中所述有机空穴传输材料，也称为空穴传输材料，用作基质材料，使得所述p掺杂剂嵌入所述有机空穴传输材料中。

根据有机电致发光器件的一个实施方案，其中空穴传输层(HTL)与p-CGL直接接触。根据有机电致发光器件的一个实施方案，其中空穴传输层(HTL)与p-CGL直接接触，并且空穴注入层布置成与阳极层直接接触，其中对空穴注入层进行掺杂。

根据本发明的一个实施方案，基于有机半导体层的总重量，式(I)化合物在p型电荷产生层中的含量为≤99.9重量％，优选为≤99重量％，更优选为≤95重量％，更优选为≤90重量％，更优选为≤80重量％，更优选为≤70重量％，更优选为≤60重量％，更优选为≤50重量％，更优选为≤40重量％，更优选为≤30重量％，更优选为≤20重量％，更优选为≤10重量％，更优选为≤5重量％，更优选为≤3.0重量％，更优选为≤2.75重量％，更优选为≤2.5重量％，更优选为≤2.25重量％，最优选为≤2.0重量％。

根据本发明的一个实施方案，基于有机半导体层的总重量，有机空穴传输材料在p型电荷产生层中的含量为≥0.1重量％，优选为≥1重量％，更优选为≥5重量％，更优选为≥10重量％，更优选为≥20重量％，更优选为≥30重量％，更优选为≥40重量％，更优选为≥50重量％，更优选为≥60重量％，更优选为≥70重量％，更优选为≥80重量％，更优选为≥90重量％，更优选为≥95重量％，更优选为≥97.0重量％，更优选为≥97.25重量％，更优选为≥97.5重量％，更优选为≥97.75重量％，最优选为≥98.0重量％。

根据有机电致发光器件的一个实施方案，其中p-CGL可优选不进行掺杂。

基于p型电荷产生层的总重量，式(I)化合物在p型电荷产生层中的含量可以为≤99.9重量％，优选为≤99重量％，更优选为≤95重量％，更优选为≤90重量％，更优选为≤80重量％，更优选为≤70重量％，更优选为≤60重量％，更优选为≤50重量％，更优选为≤40重量％，更优选为≤30重量％，更优选为≤20重量％，更优选为≤10重量％，更优选为≤5重量％，更优选为≤3.0重量％，更优选为≤2.75重量％，更优选为≤2.5重量％，更优选为≤2.25重量％，最优选为≤2.0重量％，并且基于有机半导体层的总重量，式(I)化合物在有机半导体层中的含量可以为≤99.9重量％，优选为≤99重量％，更优选为≤95重量％，更优选为≤90重量％，更优选为≤80重量％，更优选为≤70重量％，更优选为≤60重量％，更优选为≤50重量％，更优选为≤40重量％，更优选为≤30重量％，更优选为≤20重量％，更优选为≤10重量％，更优选为≤5重量％，更优选为≤3.0重量％，更优选为≤2.75重量％，更优选为≤2.5重量％，更优选为≤2.25重量％，最优选为≤2.0重量％，其中有机半导体层优选为空穴注入层。

根据有机电致发光器件的一个实施方案，其中p型电荷产生层和空穴注入层包含相同的共价基质化合物。

阴极层

在ETL或任选的EIL上形成阴极层。阴极层可以由金属、合金、导电化合物或其混合物形成。阴极电极可以具有低逸出功。例如，阴极层可以由锂(Li)、镁(Mg)、铝(Al)、铝(Al)-锂(Li)、钙(Ca)、钡(Ba)、镱(Yb)、镁(Mg)-铟(In)、镁(Mg)-银(Ag)等形成。或者，阴极电极可以由诸如ITO或IZO的透明导电氧化物形成。

阴极层的厚度可以在约5nm至约1000nm的范围内，例如在约10nm至约100nm的范围内。当阴极层的厚度在约5nm至约50nm的范围内时，即使由金属或金属合金形成，阴极层也可以是透明或半透明的。

应当理解，阴极层不是电子注入层或电子传输层的一部分。

制造方法

根据本发明的另一方面，提供一种制造有机电致发光器件的方法，所述方法使用：

-至少一种沉积源，优选两种沉积源，更优选至少三种沉积源。

可以适合适的沉积方法包括：

-通过真空热蒸发进行沉积；

-通过溶液加工进行沉积，优选所述加工选自旋涂、印刷、流延；和/或

-狭缝式模头涂布。

根据本发明的各种实施方案，提供一种使用如下的方法：

-用于释放根据本发明的式(I)化合物的第一沉积源；和

-用于释放基本上共价的基质化合物的第二沉积源；

所述方法包括形成空穴注入层的步骤；由此对于有机发光二极管(OLED)：

-通过从第一沉积源释放根据本发明的式(I)化合物和从第二沉积源释放基本上共价的基质化合物来形成空穴注入层。

根据本发明的各种实施方案，所述方法还可以包括在阳极层上形成选自如下中的至少一个层：空穴传输层或空穴阻挡层以及在阳极层与第一电子传输层之间的发光层。

根据本发明的各种实施方案，所述方法还可以包括用于形成有机发光二极管(OLED)的步骤，其中

-在基底上形成阳极层；

-在阳极层上形成包含式(I)化合物的空穴注入层；

-在包含式(I)化合物的空穴注入层上形成空穴传输层；

-在空穴传输层上形成发光层；

-在发光层上形成电子传输层，任选地在发光层上形成空穴阻挡层；

-和最后形成阴极层；

-按所述顺序在第一阳极层与发光层之间形成任选的空穴阻挡层；

-在电子传输层与阴极层之间形成任选的电子注入层。

根据各种实施方案，OLED可以具有如下层结构，其中所述层具有如下顺序：

阳极层、包含根据本发明的式(I)化合物的空穴注入层、第一空穴传输层、第二空穴传输层、发光层、任选的空穴阻挡层、电子传输层、任选的电子注入层和阴极层。

根据本发明的另一个方面，提供一种电子器件，所述电子器件包含根据整个该申请中所述的任意实施方案的至少一种有机发光器件，优选地，所述电子器件包含在整个该申请中所述的一个实施方案中的有机发光二极管。更优选地，电子器件是显示装置。

下文中，结合实例对实施方案进行更详细地示例。然而，本发明不限于如下实例。现在将详细参考示例性方面。

附图说明

在所述实施方案中上述组件以及所要求保护的组件和根据本发明的使用的组件在其尺寸、形状、材料选择和技术概念方面不受任何特殊例外的限制，从而能够无限制地应用相关领域中已知的选择标准。

本发明的目的的其它细节、特性和优点在从属权利要求和如下各个附图说明中公开，所述各个附图以示例性方式显示了根据本发明的优选实施方案。然而，任何实施方案并不一定代表本发明的全部范围，因此参考权利要求和本文以解释本发明的范围。应当理解，上述一般性描述和下面的详细描述都仅是示例性的和解释性的，并且旨在对所要求保护的本发明做进一步解释。

图1是根据本发明的一个示例性实施方案的有机电致发光器件的示意性截面图。

图2是根据本发明的另一个示例性实施方案的层叠的有机电致发光器件的示意性截面图。

图3是根据本发明的另一个示例性实施方案的层叠的有机电致发光器件的示意性截面图。

下面将结合实例对附图进行更详细地示例。然而，本发明不限于如下附图。

在此，当第一元件是指形成或设置在第二元件“上”或“之上”时，第一元件能够直接设置在第二元件上，或者可在它们之间设置一个或多个其它元件。当第一元件是指“直接在第二元件上”或“直接在第二元件之上”形成或设置，在它们之间没有设置其它元件。

图1是根据本发明的一个示例性实施方案的有机电致发光器件100的示意性截面图。

参考图1，有机电致发光器件100包含基底110、阳极层120、包含式(IId)化合物的空穴注入层(HIL)130和第一发光单元140，所述第一发光单元140包含第一空穴传输层(HTL1)141、第一电子阻挡层(EBL1)142、第一发光层(EML1)143、第一空穴阻挡层(HBL1)144和第一电子传输层(ETL1)145。有机电致发光器件100还包含第一电荷产生层(CGL1)150，所述第一电荷产生层(CGL1)150包含第一n型电荷产生层(n-CGL1)151和第一p型电荷产生层(p-GCL1)152，其中第一p型电荷产生层(p-CGL1)152包含式(IId)化合物和有机空穴传输材料。有机电致发光器件100还包含第二发光单元240，所述第二发光单元240包含第二空穴传输层(HTL2)241、第二电子阻挡层(EBL2)242、第二发光层(EML2)243、第二空穴阻挡层(HBL2)244和第二电子传输层(ETL2)245。有机电致发光器件100还包含电子注入层(EIL)180、阴极层(CAT)190。

图2是根据本发明的另一个示例性实施方案的层叠的有机电致发光器件100的示意性截面图。图2与图1的不同之处在于，图1的有机电致发光器件100还包含设置在第二发光单元240上的第二电荷产生层(CGL2)250，所述第二电荷产生层(CGL2)250包含第二n型电荷产生层(n-CGL2)251和第二p型电荷产生层(p-GCL2)252，其中第二p型电荷产生层(p-CGL2)252还可任选地包含式(IId)化合物和有机空穴传输材料。其中图2的有机电致发光器件100与图1的其它不同之处在于，其还包含设置在第二电荷产生层(CGL2)250上的第三发光单元340，所述第三发光单元340包含第三空穴传输层(HTL3)341、第三电子阻挡层(EBL3)342、第三发光层(EML3)343、第三空穴阻挡层(HBL3)344和第三电子传输层(ETL3)345。

图3是根据本发明的另一个示例性实施方案的层叠的有机电致发光器件100的示意性截面图。图3与图2的不同之处在于，图2的有机电致发光器件100还包含设置在第三发光单元340上的第三电荷产生层(CGL3)350，所述第三电荷产生层(CGL3)350包含第三n型电荷产生层(n-CGL3)351和第三p型电荷产生层(p-GCL3)352，其中第三p型电荷产生层(p-CGL3)352还可任选地包含式(IId)化合物和有机空穴传输材料。其中图3的有机电致发光器件100与图2的其它不同之处在于，其还包含布置在第三电荷产生层(CGL3)350上的第四发光单元440，所述第四发光单元440包含第四空穴传输层(HTL4)441、第四电子阻挡层(EBL4)442、第四发光层(EML4)443、第四空穴阻挡层(HBL4)444和第四电子传输层(ETL4)445。

尽管在图1、图2和图3中未示出，但可以在阴极层190上进一步形成覆盖层和/或密封层，以密封有机电致发光器件100。此外，可以对其进行各种其它修改。

在下文中，将参考如下实例来详细描述本发明的一个或多个示例性实施方案。然而，这些实例并不旨在限制本发明的一个或多个示例性实施方案的目的和范围。

具体实施方式

此外，本发明还通过如下实例来说明，所述实例仅是示例性的而非限制性的。

式(I)化合物由式(IId)表示：

式(IId)可以按例如Tlach等人在Journal of Organic Chemistry 2011,76,8670中所描述的来制备。例如，根据化合物B13的合成，如下所示。

(IId)的合成：

步骤1：3,6-二氨基-2,5-二溴-1,4-苯醌(IM-1)

将500mL三口圆底烧瓶配备有加料漏斗和机械搅拌器，并装入42.9g(100mmol)四溴对苯醌和170mL 2-甲氧基乙酸乙酯。在加热至60℃的同时剧烈搅拌浆料。将混合物从热源和加料漏斗中去除，加料漏斗中装入43.3mL(300mmol)27％的NH

砖红色粉末

收率27.9g，94％。

步骤2：3,6-二氨基-2,5-二溴-1,4-对苯二酚(IM-2)

所有溶剂在使用前彻底脱气

向配备有大型搅拌棒的100mL圆底烧瓶中加入3.26g(11.0mmol)的3,6-二氨基-2,5-二溴-1,4-苯醌(3)、33mL乙醇和7mL蒸馏水。烧瓶装有加料漏斗，并在氩气气氛下搅拌加热至55℃。向加料漏斗中加入溶解在50mL蒸馏水中的4.78g(27.5mmol)的Na

棕褐色粉末，

收率3.07g，94％。

步骤3：制备4,8-二溴苯并二

将干燥的圆底烧瓶置于氩气气氛下，并加入1.37g(2.55mmol；5mol％)的Y(OTf)

通过从800mL醋酸中重结晶来进行纯化以得到白色针状物，

收率12.9g，收率80％(HPLC 90.3％)

mp>260℃；

步骤4：4,8-二(2,4-二(三氟甲基)苯基)苯并[1,2-d:4,5-d']二(

在惰性气体气氛下，在500ml三口圆底烧瓶中将二溴化物(5.00g，15.73mmol)、硼酸(16.23g，4当量，62.91mmol)和磷酸钾(53.41g，16当量，252mmol)悬浮在300ml干燥脱气甲苯中。随后，向混合物中添加Pd

收率：6.8g(74％，11.64mmol，HPLC 97.3％)

步骤5：4,8-二(2,4-二(三氟甲基)苯基)-2,6-二碘苯并[1,2-d:4,5-d']二(

在-25℃下在惰性气体气氛下向中间体4(3g，5.13mmol，1.0当量)在THF(60mL)中的溶液中添加TMPMgCl·LiCl在THF/甲苯(20.5mL，20.5mmol，4.0当量)中的1M溶液。在-20℃下搅拌反应2小时后，将碘(15.62g，61.6mmol，12当量)溶解在THF(40mL)中并通过注射器添加到反应中。30分钟后去除冷却浴，并在室温下搅拌反应过夜。加入Na

步骤6：2,2’-(4,8-双(2,4-双(三氟甲基)苯基)苯并[1,2-d:4,5-d’]双(

在0℃下在惰性气体气氛下向NaH(368mg，6.5当量，15.3mmol)在无水DMF(20mL)中的悬浮液中添加丙二腈(934mg，6当量，14.1mmol)在无水DMF(20mL)中的溶液。在0℃下将反应混合物搅拌10分钟，然后在室温下搅拌20分钟。作为固体添加中间体5(1.97g，1当量，2.36mmol)和Pd(PPh

步骤7：2,2’-(4,8-双(2,4-双(三氟甲基)苯基)苯并[1,2-d:4,5-d’]双(

在惰性气体气氛下于0℃下向中间体6(500mg，700μmol，1当量)在无水DCM(60mL)中的悬浮液中添加固体PIFA(317mg，740μmol，1.1当量)。在室温下搅拌混合物3天，然后将紫色反应混合物浓缩至约10mL。添加nHex(90mL)并过滤混合物。所得固体用DCM/nHex1:2(40mL)洗涤，以得到紫色固体(320mg，64％)的最终产物。

计算的HOMO和LUMO

HOMO和LUMO是使用程序包TURBOMOLE V6.5(TURBOMOLE GmbH,Litzenhardtstrasse 19,76135Karlsruhe，德国)计算的。通过在气相中应用杂化泛函B3LYP和6-31G*基组，确定分子结构的优化几何构型以及HOMO和LUMO能级。如果超过一种的构象是可行的，则选择具有最低总能量的构象。

熔点

根据上述TGA-DSC测量的DSC曲线或单独的DSC测量(Mettler Toledo DSC822e，在纯氮气流下在10K/分钟的加热速率下将样品从室温加热至完全熔化。将量为4至6mg的样品放入40μL带盖的Mettler Toledo铝盘中，在盖上打一个<1mm的孔)作为峰值温度来确定熔点(Tm)。

玻璃化转变温度

如在2010年3月发表的DIN EN ISO 11357中所述，在Mettler Toledo DSC 822e差示扫描量热计中在氮气下并使用10K/分钟的加热速率来测量玻璃化转变温度(Tg)。

热重分析

术语“TGA5％”表示在热重分析过程中发生5％重量损失时的温度，以℃为单位来测量。

TGA5％值可以通过在热重分析仪中在开放的100μL铝盘中以10K/分钟的加热速率在平衡区域中以20mL/分钟并且在烘箱区域中以30mL/分钟的氮气流股流速下对9至11mg样品进行加热来确定。

TGA5％值可以间接衡量化合物的挥发性和/或分解温度。在一级近似中，TGA5％值越高，化合物的挥发性越低和/或分解温度越高。

根据一个实施方案，式(I)化合物的TGA5％值在≥280℃且≤390℃、优选≥290℃且≤380℃、还优选≥295℃且≤370℃的范围内选择。

标准起始温度

标准起始温度(TRO)是通过将100mg化合物装载到VTE源中来确定的。作为VTE源，可以使用Kurt J.Lesker Company(www.Lesker.com)或CreaPhys GmbH(http://www.creaphys.com)提供的有机材料点源。在小于10

为了很好地控制有机化合物的蒸发速率，标准起始温度可以在185至280℃的范围内。如果标准起始温度低于185℃，则蒸发可能太快，因此难以控制。如果标准起始温度高于280℃，则蒸发速率可能太低，这可导致节拍时间低下，并且由于长时间接触高温，VTE源中的有机化合物可能发生分解。

标准起始温度是化合物挥发性的间接量度。标准起始温度越高，化合物的挥发性越低。

偶极矩

含N个原子的分子的偶极矩

其中q

制造OLED的一般程序

对于表VIII中的实施例2-1至2-3，将具有阳极层的玻璃基底切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，所述阳极层包含120nm Ag的第一阳极子层、8nm ITO的第二阳极子层和10nmITO的第三阳极子层，用水超声洗涤60分钟，然后用异丙醇超声洗涤20分钟。在氮气流股中去除液膜，然后进行等离子体处理，从而制备阳极层。所述等离子体处理在氮气气氛中或在包含98体积％的氮气和2体积％的氧气的气氛中进行。

然后，通过共沉积98重量％BH-2和2重量％ND-1的化合物在阳极层上形成厚度为10nm的空穴注入层(HIL)，或者作为比较例，通过单独沉积CNHAT在阳极层上形成厚度为3nm的空穴注入层(HIL)。

然后，通过沉积BH-2在HIL上形成厚度为27nm的第一空穴传输层(HTL1)。

然后，通过沉积N-([1,1'-联苯]-4-基)-9,9-二苯基-N-(4-(三苯基甲硅烷基)苯基)-9H-芴-2-胺，在HTL1上形成厚度为5nm的第一电子阻挡层(EBL1)。

然后，通过共沉积97体积％的H09(Sun Fine Chemicals，韩国)作为EML主体和3体积％的BD200(Sun Fine Chemicals，韩国)作为荧光蓝色掺杂剂，在EBL1上形成具有20nm厚度的第一发光层(EML1)。

然后，通过沉积2-(3'-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-[1,1'-联苯]-3-基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪，在第一发光层上形成厚度为5nm的第一电子传输层(ETL1)。

然后，通过共沉积99体积％的2,2'-(1,3-苯亚基)双[9-苯基-1,10-菲咯啉]和1体积％的Yb在ETL上形成厚度为10nm的n-CGL。

然后，通过共沉积基质化合物BH-2和式(I)化合物，在n-CGL上形成厚度为10nm的p-CGL。p-CGL、HTL以及发光单元的组成见表I。

然后，通过沉积BH-2在p-CGL上形成厚度为24nm的第二空穴传输层(HTL2)。

然后，通过沉积N-([1,1'-联苯]-4-基)-9,9-二苯基-N-(4-(三苯基甲硅烷基)苯基)-9H-芴-2-胺，在HTL2上形成厚度为5nm的第二电子阻挡层(EBL2)。

然后，通过共沉积97体积％的H09(Sun Fine Chemicals，韩国)作为EML主体和3体积％的BD200(Sun Fine Chemicals，韩国)作为荧光蓝色掺杂剂，在EBL2上形成厚度为20nm的第二发光层(EML2)。

然后，通过沉积2-(3'-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-[1,1'-联苯]-3-基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪，在EML2上形成厚度为5nm的空穴阻挡层(HBL)。

然后，通过以50:50重量％的比率共沉积4'-(4-(4-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)萘-1-基)-[1,1'-联苯]-4-腈和LiQ，在HBL上形成厚度为30nm的第二电子传输层(ETL2)。

然后，通过沉积Yb在ETL2上形成厚度为2nm的电子注入层(EIL)。

然后，通过在10

然后，通过沉积式BH-2的化合物，在阴极层上形成厚度为75nm的覆盖层。

通过用载玻片封装器件，对OLED叠层进行保护以免受环境条件的影响。由此形成空腔，所述空腔包含用于进一步保护的吸气材料。

表I

p-CGL、HTL和发光单元的组成

为了评估发明例相对于现有技术的性能，在20℃下测量电流效率。使用Keithley2635源测量单元，通过提供以V为单位的电压并测量流过被测器件的以mA为单位的电流来确定电流-电压特性。施加到器件的电压在0V至10V之间的范围内以0.1V为步长变化。同样，通过使用Instrument Systems CAS-140CT阵列光谱仪(已由Deutsche Akkreditierungsstelle(DAkkS)校准)对各个电压值测量以cd/m

在底部发光器件中，发光主要是朗伯型的并且以外量子效率(EQE)的百分比来量化。为了确定效率EQE(单位为％)，使用校准的光电二极管在10mA/cm

在顶部发光器件中，发光是前向的、非朗伯型的并且还高度依赖于微空腔。因此，与底部发光器件相比，效率EQE将更高。为了确定效率EQE(单位为％)，使用校准的光电二极管在10mA/cm

使用Keithley 2400源计在环境条件(20℃)和30mA/cm

使用校准的光电二极管测量器件的亮度。将寿命LT定义为直到器件的亮度降低到其初始值的97％为止的时间。

将工作电压的增量ΔU用作器件工作电压稳定性的量度。在LT测量期间，通过从50小时后的工作电压中减去器件开始运行1小时后的工作电压来确定这种增量。

ΔU＝[U(50小时)-U(1小时)]

ΔU值越小，工作电压稳定性越好。

本发明的技术效果

*n-CGL＝AN-3:Yb 1％，10nm；ETL＝AN-1:LiQ 50％

发明器件展示了比较器件(比较例1)约99.5％的工作电压。因此，发明器件的工作电压远低于比较器件(比较例1)的。

较低的工作电压对于有机电子器件、特别是移动器件的电池寿命可以是重要的。

与比较器件(比较例1)相比，发明器件的寿命高出约145％。因此，发明器件显示出比比较器件长得多的寿命。

与比较器件(比较例1)相比，发明器件(发明例1至4)展示了约68％的随时间的电压增量。因此，与比较器件相比，发明器件显示出低得多的随时间的电压增量。

较长的使用寿命和/或较低的随时间的电压升高可改进电子器件的长期稳定性。

上述详细实施方案中的元件和特征的特定组合仅是示例性的；还明确预期将这些教导与本文中的其它教导以及通过引用并入的专利/申请进行交换和替代。在不脱离所要求保护的本发明的主旨和范围的情况下，本领域技术人员可以想到本文中所描述的变化、修改和其它实施方案。因此，上述描述仅作为实例并不旨在限制。在权利要求中，词语“包含”不排除其它元件或步骤，并且不定冠词“一个”或“一种”不排除复数。在互不相同的从属权利要求中列举了特定措施的这一事实并不表示不能有利地使用这些措施的组合。权利要求及其等效方案限定了本发明的范围。此外，说明书和权利要求书所用的附图标记不限制所要求保护的本发明的范围。

完整全部详细技术资料下载