天线组件和电子设备

技术领域

本申请涉及通信技术领域，尤其涉及一种天线组件和电子设备。

背景技术

随着技术的发展，手机等具有通信功能电子设备的普及度越来越高，且功能越来越强大。电子设备中通常包括天线组件以实现电子设备的通信功能。如何在提高电子设备的通信质量的同时还能够促进电子设备的小型化，成为需要解决的技术问题。

发明内容

本申请提供了一种提高通信质量及利于整机小型化的天线组件及电子设备。

第一方面，本申请实施例提供一种天线组件，包括：

第一天线单元，用于产生多个第一谐振模式以收发第一频段的电磁波信号，所述第一天线单元包括第一辐射体；

第二天线单元，用于产生至少一个第二谐振模式以收发第二频段的电磁波信号，所述第一频段的最大值小于所述第二频段的最小值，所述第二天线单元包括第二辐射体，所述第二辐射体与所述第一辐射体之间形成第一缝隙，并通过所述第一缝隙与所述第一辐射体容性耦合；

其中，至少一个所述第一谐振模式的电磁波信号由所述第一辐射体与所述第二辐射体之间的容性耦合产生。

第二方面，本申请实施例还提供了一种电子设备，包括壳体及所述的天线组件，所述天线组件部分集成于所述壳体上；或者所述天线组件设于壳体内。

本申请实施例提供的天线组件，通过设计第一天线单元的第一辐射体与第二天线单元的第二辐射体之间形成第一缝隙，其中，第一天线单元用于收发相对较高频段的电磁波信号，第二天线单元用于收发相对较低频段的电磁波信号，一方面，使得天线组件工作时第一辐射体与第二辐射体能够容性耦合，以产生更多模式的电磁波信号，提高天线组件的带宽，另一方面，第一天线单元和第二天线单元的频段一中高一低，有效地提高第一天线单元与第二天线单元之间的隔离度，利于天线组件辐射所需频段的电磁波信号，由于第一天线单元和第二天线单元之间的辐射体实现了相互复用，实现多天线单元共体，所以天线组件在增加带宽的同时，还能够减小天线组件的整体体积，利于电子设备的整体小型化。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图；

图2是图1提供的电子设备的分解示意图；

图3是本申请实施例提供的一种天线组件的结构示意图；

图4是图3提供的第一种天线组件的电路结构示意图；

图5是图4提供的第一天线单元工作的几种谐振模式的回波损耗曲线图；

图6是本申请实施例提供的第一种第一调频滤波电路的结构示意图；

图7是本申请实施例提供的第二种第一调频滤波电路的结构示意图；

图8是本申请实施例提供的第三种第一调频滤波电路的结构示意图；

图9是本申请实施例提供的第四种第一调频滤波电路的结构示意图；

图10是本申请实施例提供的第五种第一调频滤波电路的结构示意图；

图11是本申请实施例提供的第六种第一调频滤波电路的结构示意图；

图12是本申请实施例提供的第七种第一调频滤波电路的结构示意图；

图13是本申请实施例提供的第八种第一调频滤波电路的结构示意图；

图14是图4提供的第二天线单元工作的几种谐振模式的回波损耗曲线图；

图15是图4提供的第三天线单元工作的几种谐振模式的回波损耗曲线图；

图16是图4提供的第一天线单元的等效电路图；

图17是图3提供的第二种天线组件的电路结构示意图；

图18是图4提供的第二天线单元的等效电路图；

图19是图3提供的第三种天线组件的电路结构示意图；

图20是图2中的中框的结构示意图；

图21是本申请实施例提供的第一种天线组件设于壳体上的结构示意图；

图22是本申请实施例提供的第二种天线组件设于壳体上的结构示意图；

图23是本申请实施例提供的第三种天线组件设于壳体上的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。本申请所列举的实施例之间可以适当的相互结合。

请参照图1，图1为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图。电子设备1000可以为电话、电视、平板电脑、手机、照相机、个人计算机、笔记本电脑、车载设备、耳机、手表、可穿戴设备、基站、车载雷达、客户前置设备(Customer Premise Equipment，CPE)等能够收发电磁波信号的设备。以电子设备1000为手机为例，为了便于描述，以电子设备1000处于第一视角为参照进行定义，电子设备1000的宽度方向定义为X向，电子设备1000的长度方向定义为Y向，电子设备1000的厚度方向定义为Z向。箭头所指示的方向为正向。

请参阅图2，电子设备1000包括天线组件100。天线组件100用于收发射频信号，以实现电子设备1000的通讯功能。天线组件100的至少部分器件设于电子设备1000的主板200上。可以理解的，电子设备1000还包括显示屏300、电池400、壳体500、摄像头、麦克风、受话器、扬声器、人脸识别模组、指纹识别模组等等能够实现手机的基本功能的器件，在本实施例中不再赘述。

请参阅图3，本申请实施例提供的天线组件100包括第一天线单元10、第二天线单元20、第三天线单元30及参考地极40。第一天线单元10用于产生多个第一谐振模式以收发第一频段的电磁波信号。第二天线单元20用于产生至少一个第二谐振模式以收发第二频段的电磁波信号。第三天线单元30用于产生多个第三谐振模式以收发第三频段的电磁波信号。其中，第一频段与第二频段为不同的频段。第三频段与第二频段为不同的频段。具体的，第一频段的最大值小于第二频段的最小值。例如，第一频段、第三频段皆为中高频段(Middle High Band，MHB)和超高频段(Ultra High Band，UHB)，第二频段为低频段(LowerBand，LB)。其中，低频段为低于1000MHz，中高频段为1000MHz-3000MHz，超高频段为3000MHz-10000Mhz。换言之，第一天线单元10、第二天线单元20、第三天线单元30为收发不同频段的天线单元，如此，天线组件100的带宽较大。

在一实施方式中，天线组件100包括第一天线单元10、第二天线单元20及参考地极40。

请参阅图4，第一天线单元10包括第一辐射体11、第一信号源12及第一调频滤波电路M1。

本申请对于第一辐射体11的形状不做具体的限定。第一辐射体11的形状包括但不限于条状、片状、杆状、线状、涂层、薄膜等。本实施例中，第一辐射体11为长条形。

请参阅图4，第一辐射体11包括相对设置的第一接地端G1及第一耦合端H1，以及设于第一接地端G1与第一耦合端H1之间的第一馈电点A。

第一接地端G1电连接参考地极40。参考地极40包括第一参考地极GND1。第一接地端G1电连接第一参考地极GND1。

第一调频滤波电路M1设于第一馈电点A与第一信号源12之间。具体的，第一信号源12电连接第一调频滤波电路M1的输入端，第一调频滤波电路M1的输出端电连接至第一辐射体11的第一馈电点A。第一信号源12用于产生激励信号(也称为射频信号)，第一调频滤波电路M1用于过滤第一信号源12传送的激励信号的杂波，得到中高频及超高频频段的激励信号，并将该中高频及超高频频段的激励信号传送至第一辐射体11，以使第一辐射体11收发第一频段的电磁波信号。

请参阅图4，第二天线单元20包括第二辐射体21、第二信号源22及第二调频滤波电路M2。

本申请对于第二辐射体21的形状不做具体的限定。第二辐射体21的形状包括但不限于条状、片状、杆状、涂层、薄膜等。本实施例中，第二辐射体21为长条形。

请参阅图4，第二辐射体21包括相对设置的第二耦合端H2及第三耦合端H3，以及设于第二耦合端H2及第三耦合端H3之间的第二馈电点C。

第二耦合端H2与第一耦合端H1之间间隔设置，形成第一缝隙101。换言之，第二辐射体21与第一辐射体11之间形成第一缝隙101。第一辐射体11与第二辐射体21之间通过第一缝隙101容性耦合。“容性耦合”是指，第一辐射体11与第二辐射体21之间产生电场，第一辐射体11的信号能够通过电场传递至第二辐射体21，第二辐射体21的信号能够通过电场传递至第一辐射体11，以使第一辐射体11与第二辐射体21即使在断开的状态下也能够实现电信号导通。

本申请对于第一缝隙101的尺寸不做具体的限定，本实施例中，第一缝隙101的尺寸小于或等于2mm，但不限于此尺寸，以便于第一辐射体11与第二辐射体21之间形成容性耦合。

本申请对于第一辐射体11、第二辐射体21的具体形成方式不做具体的限定。第一辐射体11为柔性电路板(Flexible Printed Circuit，FPC)天线辐射体或者为激光直接成型(Laser Direct Structuring，LDS)天线辐射体、或者为印刷直接成型(Print DirectStructuring，PDS)天线辐射体、或者为金属枝节等；所述第二辐射体21为FPC天线辐射体或者为LDS天线辐射体、或者为PDS天线辐射体、或者为金属枝节等。

具体的，第一辐射体11、第二辐射体21的材质皆为导电材质，具体的材质包括但不限于金属、透明导电氧化物(例如氧化铟锡ITO)、碳纳米管、石墨烯等等。本实施例中，第一辐射体11的材质为金属材质，例如，银、铜等。

第二调频滤波电路M2设于第二馈电点C与第二信号源22之间。具体的，第二信号源22电连接第二调频滤波电路M2的输入端，第二调频滤波电路M2的输出端电连接至第二辐射体21。第二信号源22用于产生激励信号，第二调频滤波电路M2用于过滤第二信号源22传送的激励信号的杂波，得到低频段的激励信号，并将该低频段的激励信号传送至第二辐射体21，以使第二辐射体21收发第二频段的电磁波信号。

当天线组件100应用于电子设备1000中时，第一信号源12、第二信号源22、第一调频滤波电路M1、第二调频滤波电路M2皆可设置在电子设备1000的主板200上。在本实施方式中，第一调频滤波电路M1及第二调频滤波电路M2的设置可是第一天线单元10及第二天线单元20收发不同频段的电磁波信号，从而提高第一天线单元10及第二天线单元20的隔离度。换而言之，第一调频滤波电路M1及第二调频滤波电路M2还可隔离第一天线单元10收发的电磁波信号及第二天线单元20收发的电磁波信号互不干扰。

第一天线单元10用于产生多个第一谐振模式。而且，至少一个第一谐振模式由第一辐射体11与第二辐射体21容性耦合产生。

请参阅图5，多个第一谐振模式至少包括第一子谐振模式a、第二子谐振模式b、第三子谐振模式c及第四子谐振模式d。需要说明的是，多个第一谐振模式还包括除上述列举出来的谐振模式之外的其他模式，以上的四种谐振模式仅仅是相对效率较高的模式。

其中，请参阅图5，第二子谐振模式b、第三子谐振模式c的电磁波皆由第一辐射体11和第二辐射体21耦合产生。第一子谐振模式a的频段、第二子谐振模式b的频段、第三子谐振模式c的频段及第四子谐振模式d的频段分别对应第一子频段、第二子频段、第三子频段及第四子频段。在一实施方式中，第一子频段为1900～2000MHz之间；第二子频段为2600～2700MHz之间；第三子频段为3800～3900MHz之间；第四子频段为4700～4800MHz之间。换言之，多个第一谐振模式的电磁波信号位于中高频段(1000MHz-3000MHz)和超高频段内(3000MHz-10000Mhz)。通过调节上述的谐振模式的谐振频点，可实现第一天线单元10对于中高频、超高频的全覆盖，及在所需频段得到较高的效率。

由上可知，当第一天线单元10不具有耦合天线单元时，第一天线单元10产生第一子谐振模式a和第四子谐振模式d。当第一天线单元10与第二天线单元20耦合时，第一天线单元10不仅仅产生第一子谐振模式a、第四子谐振模式d的电磁波模式，还产生第二子谐振模式b、第三子谐振模式c，如此，可知天线组件100的带宽增加。

由于第一辐射体11及第二辐射体21间隔设置且相互耦合，也即，第一辐射体11及第二辐射体21共口径。当天线组件100工作时，第一信号源12产生的第一激励信号可经由第一辐射体11耦合到第二辐射体21上。换而言之，第一天线单元10工作时不但可以利用第一辐射体11并且可以利用第二天线单元20中的第二辐射体21来收发电磁波信号，从而使得第一天线单元10可以工作在较宽的频段。同样地，第二辐射体21及第一辐射体11间隔设置且相互耦合，当天线组件100工作时，第二信号源22产生的第二激励信号也可经由第二辐射体21耦合到第一辐射体11上，换而言之，第二天线单元20工作时不但可以利用第二辐射体21并且还可以利用第一天线单元10中的第一辐射体11来收发电磁波信号，从而使得第二天线单元20可工作在较宽的频段。由于第二天线单元20工作时不但可利用第二辐射体21并且可利用第一辐射体11，第一天线单元10工作时不但可利用第一辐射体11还可利用第二辐射体21，不仅提高了天线组件100的辐射性能，还实现了辐射体的复用，也实现了空间的复用，有利于减小天线组件100的尺寸，利于减小电子设备1000的整体体积。

通过设计第一天线单元10的第一辐射体11与第二天线单元20与第二辐射体21之间形成第一缝隙101，其中，第一天线单元10用于收发相对较高频段的电磁波信号，第二天线单元20用于收发相对较低频段的电磁波信号，一方面，使得天线组件100工作时第一辐射体11与第二辐射体21能够容性耦合，以产生更多模式，提高天线组件100的带宽，另一方面，第一天线单元10和第二天线单元20的频段一中高一低，有效地提高第一天线单元10与第二天线单元20之间的隔离度，利于天线组件100辐射所需频段的电磁波信号，由于第一天线单元10和第二天线单元20之间的辐射体实现了相互复用，实现多天线单元共体，所以天线组件100在增加带宽的同时，还能够减小天线组件100的整体体积，利于电子设备1000的整体小型化。

相关技术中需要较多的天线单元或者需要增加辐射体的长度，才能支持到第一子谐振模式至第四子谐振模式，从而导致天线组件的体积较大。本申请实施例中的天线组件100中无需额外设置天线单元来支持第二子谐振模式b、第三子谐振模式c，因此，天线组件100的体积较小。设置额外的天线支持第二子谐振模式b以及设置额外的天线支持第三子谐振模式c还可导致天线组件100的成本较高；当天线组件100应用于电子设备1000中时增加了天线组件100与其他器件的堆叠难度。本申请实施例中天线组件100不需要额外设置天线来支持第二子谐振模式b、第三子谐振模式c，因此，天线组件100的成本较低；当天线组件100应用于电子设备1000中堆叠难度较低。此外，设置额外的天线支持第二子谐振模式b以及设置额外的天线支持第三子谐振模式c还可导致天线组件100的射频链路插损增加。本申请中天线组件100可减少射频链路插损。

第一天线单元10和第二天线单元20形成收发不同频段的电磁波的实施方式包括但不限于以下实施方式。

具体的，第一信号源12和第二信号源22可以为同一个信号源，也可以为不同的信号源。

在一种可能的实施方式中，第一信号源12和第二信号源22可以为同一个信号源。该同一个信号源分别朝向第一调频滤波电路M1和第二调频滤波电路M2发射激励信号，第一调频滤波电路M1为阻低频通中高超高频的滤波电路。第二调频滤波电路M2为阻中高超高频通低频的滤波电路。所以激励信号的中高超高频部分经第一调频滤波电路M1流向第一辐射体11，使得第一辐射体11收发第一频段的电磁波信号。激励信号的低频频部分经第二调频滤波电路M2流向第二辐射体21，以使第二辐射体21收发第二频段的电磁波信号。

在另一种可能的实施方式中，第一信号源12和第二信号源22为不同的信号源。第一信号源12和第二信号源22可集成为一个芯片或单独封装的芯片。第一信号源12用于产生第一激励信号，第一激励信号经由第一调频滤波电路M1加载在第一辐射体11上，以使得第一辐射体11收发第一频段的电磁波信号。第二信号源22用于产生第二激励信号，第二激励信号经由第二调频滤波电路M2加载在第二辐射体21上，以使得第二辐射体21收发第二频段的电磁波信号。

可以理解的，第一调频滤波电路M1包括但不限于串联和/或并联设置的电容、电感、电阻等，第一调频滤波电路M1可包括多个串联和/或并联的电容、电感、电阻形成的支路，及控制多个支路的通断的开关。通过控制不同开关的通断，可以调节第一调频滤波电路M1的选频参数(包括电阻值、电感值及电容值)，进而调节第一调频滤波电路M1的滤波范围，从而可使得第一天线单元10收发第一频段的电磁波信号。同样地，第二调频滤波电路M2包括但不限于串联和/或并联设置的电容、电感、电阻等，第二调频滤波电路M2可包括多个串联和/或并联的电容、电感、电阻形成的支路，及控制多个支路的通断的开关。通过控制不同开关的通断，可以调节第二调频滤波电路M2的选频参数(包括电阻值、电感值及电容值)，进而调节第二调频滤波电路M2的滤波范围，从而可使得第二天线单元20收发第二频段的电磁波信号。第一调频滤波电路M1及第二调频滤波电路M2也可称为匹配电路。

请一并参阅图6至图13，图6-图13分别为各个实施方式提供的第一调频滤波电路M1的示意图。第一调频滤波电路M1包括以下一种或多种电路。

请参阅图6，第一调频滤波电路M1包括电感L0与电容C0串联形成的带通电路。

请参阅图7第一调频滤波电路M1包括电感L0与电容C0并联形成的带阻电路。

请参阅图8第一调频滤波电路M1包括电感L0、第一电容C1、及第二电容C2。电感L0与第一电容C1并联，且第二电容C2电连接电感L0与第一电容C1电连接的节点。

请参阅图9，第一调频滤波电路M1包括电容C0、第一电感L1、及第二电感L2。电容C0与第一电感L1并联，且第二电感L2电连接电容C0与第一电感L1电连接的节点。

请参阅图10，第一调频滤波电路M1包括电感L0、第一电容C1、及第二电容C2。电感L0与第一电容C1串联，且第二电容C2的一端电连接电感L0未连接第一电容C1的第一端，第二电容C2的另一端电连接第一电容C1未连接电感L0的一端。

请参阅图11，第一调频滤波电路M1包括电容C0、第一电感L1、及第二电感L2。电容C0与第一电感L1串联，第二电感L2的一端电连接电容C0未连接第一电感L1的一端，第二电感L2的另一端电连接第一电感L1未连接电容C0的一端。

请参阅图12，第一调频滤波电路M1包括第一电容C1、第二电容C2、第一电感L1、及第二电感L2。第一电容C1与第一电感L1并联，第二电容C2与第二电感L2并联，且第二电容C2与第二电感L2并联形成的整体的一端电连接第一电容C1与第一电感L1并联形成的整体的一端。

请参阅图13，第一调频滤波电路M1包括第一电容C1、第二电容C2、第一电感L1、及第二电感L2，第一电容C1与第一电感L1串联形成第一单元111，第二电容C2与第二电感L2串联形成第二单元112，且第一单元111与第二单元112并联。

请参阅图14，第二天线单元20在工作时产生第二谐振模式。该第二谐振模式的电磁波信号的频段位于1000MHz以下，例如，500～1000MHz。通过调节上述的谐振模式的谐振频点，可实现第二天线单元20对于低频的全覆盖，及在所需频段得到较高的效率。如此，第二天线单元20可收发低频段的电磁波信号，例如，4G(也称Long Term Evolution，LTE)与5G(也称New Radio，NR)的所有低频段的电磁波信号。第二天线单元20和第一天线单元10同时工作时，可同时覆盖4G、5G所有低频段、中高频段、超高频段的电磁波信号，包括LTE-1/2/3/4/7/32/40/41，NR-1/3/7/40/41/77/78/79、Wi-Fi 2.4G、Wi-Fi 5G、GPS-L1、GPS-L5等，实现超宽带载波聚合(Carrier Aggregation，CA)及4G无线接入网与5G-NR的双连接(LTE NRDouble Connect，ENDC)组合。

进一步地，请参阅图4，天线组件100还包括第三天线单元30。第三天线单元30用于收发第三频段的电磁波信号。第三频段的最小值大于第二频段的最大值。可选的，第三频段等于第一频段；或者，第三频段与第一频段一部分重合，另一部分不重合；或者，第三频段与第一频段完全不重合，且第三频段的最小值大于第一频段的最大值；或者，第一频段与第三频段完全不重合，且第一频段的最小值大于第三频段的最大值。本实施例中，第一频段和第三频段的范围皆为1000～10000MHz。

请参阅图4，第三天线单元30包括第三信号源32、第三调频滤波电路M3及第三辐射体31。第三辐射体31设于第二辐射体21远离第一辐射体11的一侧，并与第二辐射体21之间形成第二缝隙102。第三辐射体31通过第二缝隙102与第二辐射体21容性耦合。

具体的，第三辐射体31包括设于两端的第四耦合端H4和第二接地端G2，以及设于第四耦合端H4和第二接地端G2之间的第三馈电点E。

参考地极40还包括第二参考地极GND2，第二接地端G2电连接第二参考地极GND2。

第四耦合端H4与第三耦合端H3之间形成第二缝隙102。其中，第三调频滤波电路M3的一端电连接第三馈电点E，第三调频滤波电路M3的另一端电连接第三信号源32。可选的，天线组件100应用于电子设备1000时，第三信号源32、第三调频滤波电路M3皆设于主板200上。可选的，第三信号源32与第一信号源12、第二信号源22为同一个信号源，或者，第三信号源32与第一信号源12、第二信号源22为不同的信号源。第三调频滤波电路M3用于过滤第三信号源32传送的射频信号的杂波，以使第三天线单元30收发第三频段的电磁波信号。

第三天线单元30用于产生多个第三谐振模式。至少一个第三谐振模式由第二辐射体21与第三辐射体31容性耦合产生。

请参阅图15，多个第三谐振模式至少包括第五子谐振模式e、第六子谐振模式f、第七子谐振模式g及第八子谐振模式h。需要说明的是，多个第三谐振模式还包括除上述列举出来的谐振模式之外的其他模式，以上的四种谐振模式仅仅是相对效率较高的模式。

其中，第六子谐振模式f、第七子谐振模式g皆由第三辐射体31和第二辐射体21耦合产生。第五子谐振模式e的频段、第六子谐振模式f的频段、第七子谐振模式g的频段及第八子谐振模式h的频段分别对应第五子频段、第六子频段、第七子频段及第八子频段。在一实施方式中，第五子频段为1900～2000MHz之间；第六子频段为2600～2700MHz之间；第七子频段为3800～3900MHz之间；第八子频段为4700～4800MHz之间。换言之，多个第三谐振模式位于中高频段(1000MHz-3000MHz)和超高频段内(3000MHz-10000Mhz)。通过调节上述的谐振模式的谐振频点，可实现第三天线单元30对于中高频、超高频的全覆盖，及在所需频段得到较高的效率。

可选的，第三天线单元30的结构与第一天线单元10的结构相同。第三天线单元30、第二天线单元20之间的容性耦合作用与第一天线单元10、第二天线单元20之间的容性耦合作用相同。如此可知，当天线组件100工作时，第三信号源32产生的第三激励信号可经由第三辐射体31耦合到第二辐射体21上。换而言之，第三天线单元30工作时不但可以利用第三辐射体31并且可以利用第二天线单元20中的第二辐射体21来收发电磁波信号，从而使得第三天线单元30在不额外增设辐射体的基础上增加其工作带宽。

由于第一天线单元10、第二天线单元20及第三天线单元30分别为收发中高超高频、低频、中高超高频，如此，第一天线单元10与第二天线单元20之间、第二天线单元20与第三天线单元30之间通过频段隔离，以避免相互之间的信号干扰，第一天线单元10与第三天线单元30之间通过物理间距隔离，以避免相互之间的信号干扰，以便于控制天线组件100收发所需频段的电磁波信号。

此外，第一天线单元10和第三天线单元30可以设于电子设备1000上的不同的方位或位置，以便于在不同的场景下进行切换，例如，在电子设备1000在横屏与竖屏之间切换时可切换第一天线单元10和第三天线单元30，或者，第一天线单元10被遮挡时切换至第三天线单元30，在第三天线单元30被遮挡时切换至第一天线单元10，以在不同的场景下皆可以具有较好的中高超高频的电磁波的收发。

本实施例以天线组件100具有第一天线单元10、第二天线单元20、第三天线单元30为例，实现4G、5G所有低频段、中高频段、超高频段的电磁波信号覆盖的调谐方式进行举例说明。

请参阅图4及图16，第二辐射体21包括第一耦合点C`。第一耦合点C`位于第二耦合端H2与第三耦合端H3之间。第一耦合点C`到第二辐射体21的端部的部分用于与其他相邻的辐射体耦合。

当第一耦合点C`设于靠近第二耦合端H2的位置时，第一耦合点C`与第二耦合端H2之间的第二辐射体21与第一辐射体11耦合。进一步的，第一耦合点C`与第二耦合端H2之间形成第一耦合段R1。第一耦合段R1用于与第一辐射体11进行容性耦合。第一耦合段R1的长度为1/4λ

当第一耦合点C`设于靠近第三耦合端H3的位置时，第一耦合点C`与第三耦合端H3之间的第二辐射体21与第三辐射体31耦合。第一耦合点C`与第三耦合端H3之间的第二辐射体21用于与第三辐射体31进行容性耦合第一耦合点C`与第三耦合端H3之间的长度为1/4λ

本申请实施例中，以第一耦合点C`为靠近第二耦合端H2为例进行举例说明，当然，以下第一耦合点C`的设置也适用于靠近第三耦合端H3的情况。

第一耦合点C`用于接地，如此，第一信号源12发射的第一激励信号经第一调频滤波电路M1的滤波后从第一馈电点A传送至第一辐射体11，激励信号在第一辐射体11上具有不同的作用方式，例如，第一激励信号从第一馈电点A朝向第一接地端G1作用，并在第一接地端G1入参考地极40，形成一条天线回路；第一激励信号从第一馈电点A朝向第一耦合端H1作用，经第一缝隙101耦合至第二耦合端H2与第一耦合点C`，并从第一耦合点C`入参考地极40，形成另一条耦合的天线回路。

具体的，第一天线单元10工作在第一接地端G1至第一耦合端H1的基模产生第一子谐振模式a。具体的，第一信号源12产生的第一激励信号作用于第一接地端G1与第二耦合端H2之间时产生第一子谐振模式a，在第一子谐振模式a对应的谐振频点具有较高的效率，进而提高电子设备1000在第一子谐振模式a对应的谐振频点处的通信质量。可以理解的，基模也是1/4波长模态，也是较为高效的谐振模态。第一天线单元10工作在第一接地端G1至第一耦合端H1的基模，第一接地端G1至第一耦合端H1之间的有效电长度为第一子谐振模式a对应的谐振频点对应的1/4波长。

请参阅图16及图17，第一天线单元10还包括第一调频电路T1。在一实施方式中，第一调频电路T1用于匹配调节，具体的，第一调频电路T1的一端电连接第一调频滤波电路M1，第一调频电路T1的另一端接地。在另一实施方式中，第一调频电路T1用于口径调节，具体的第一调频电路T1的一端电连接于第一接地端G1与第一馈电点A之间，第一调频电路T1的另一端接地。以上的两种连接方式，第一调频电路T1皆通过调节第一辐射体11的阻抗，用于调节第一子谐振模式a的谐振频点。

在一实施方式中，第一调频电路T1包括但不限于串联和/或并联设置的电容、电感、电阻等，第一调频电路T1可包括多个串联和/或并联的电容、电感、电阻形成的支路，及控制多个支路的通断的开关。通过控制不同开关的通断，可以调节第一调频电路T1的选频参数(包括电阻值、电感值及电容值)，进而对于第一辐射体11的阻抗进行调节，进而调节第一子谐振模式a的谐振频点。第一调频电路T1的具体结构可参考第一调频滤波电路M1的具体结构。

具体的，第一子谐振模式a对应的谐振频点位于1900～2000MHz之间。当电子设备1000需要收发1900～2000MHz之间的电磁波信号时，调节第一调频电路T1的调频参数(例如电阻值、电容值、电感值)，以使第一天线单元10工作在第一子谐振模式a。当电子设备1000需要收发1800～1900MHz之间的电磁波信号时，进一步调节第一调频电路T1的调频参数(例如电阻值、电容值、电感值)，以使第一子谐振模式a的谐振频点朝向低频段偏移。当电子设备1000需要收发2000～2100MHz之间的电磁波信号时，进一步调节第一调频电路T1的调频参数(例如电阻值、电容值、电感值)，以使第一子谐振模式a的谐振频点朝向高频段偏移。如此，通过调节第一调频电路T1的调频参数可实现第一天线单元10在较宽频段的频率覆盖。

本申请对于第一调频电路T1的具体结构不做具体的限定，对于其调节方式也不做具体的限定。

在另一实施方式中，第一调频电路T1包括但不限于可变电容。通过调节变电容的电容值，以调节第一调频电路T1的调频参数，进而调节第一辐射体11的阻抗，以调节第一子谐振模式a的谐振频点。

第一天线单元10工作在第一耦合段R1的基模时产生第二子谐振模式b。第二子谐振模式b的谐振频点大于第一子谐振模式a的谐振频点。具体的，第一信号源12产生的第一激励信号作用于第二耦合端H2与第一耦合点C`之间时产生第二子谐振模式b，在第二子谐振模式b对应的谐振频点具有较高的效率，进而提高电子设备1000在第二子谐振模式b对应的谐振频点处的通信质量。

请参阅图4及图16，第二天线单元20还包括第二调频电路M2`。第二调频电路M2`用于口径调节，具体的，第二调频电路M2`的一端电连接第一耦合点C`，第二调频电路M2`远离第一耦合点C`的一端用于接地。第二调频电路M2`通过调节第一耦合段R1的阻抗，以调节第二子谐振模式b的谐振频点。

在一实施方式中，第二调频电路M2`包括但不限于串联和/或并联设置的电容、电感、电阻等，第二调频电路M2`可包括多个串联和/或并联的电容、电感、电阻形成的支路，及控制多个支路的通断的开关。通过控制不同开关的通断，可以调节第二调频电路M2`的选频参数(包括电阻值、电感值及电容值)，进而对于第一耦合段R1的阻抗进行调节，进而使第一天线单元10收发第二子谐振模式b的谐振频点或附近谐振频点的电磁波信号。

具体的，第二子谐振模式b对应的谐振频点位于2600～2700MHz之间。当电子设备1000需要收发2600～2700MHz之间的电磁波信号时，调节第二调频电路M2`的调频参数(例如电阻值、电容值、电感值)，以使第一天线单元10工作在第二子谐振模式b。当电子设备1000需要收发2500～2600MHz之间的电磁波信号时，进一步调节第二调频电路M2`的调频参数(例如电阻值、电容值、电感值)，以使第二子谐振模式b的谐振频点朝向低频段偏移。当电子设备1000需要收发2700～2800MHz之间的电磁波信号时，进一步调节第二调频电路M2`的调频参数(例如电阻值、电容值、电感值)，以使第二子谐振模式b的谐振频点朝向高频段偏移。如此，通过调节第二调频电路M2`的调频参数可实现第一天线单元10在较宽频段的频率覆盖。

本申请对于第二调频电路M2`的具体结构不做具体的限定，对于其调节方式也不做具体的限定。

在另一实施方式中，第二调频电路M2`包括但不限于可变电容。通过调节变电容的电容值，以调节第二调频电路M2`的调频参数，进而调节第一耦合段R1的阻抗，以调节第二子谐振模式b的谐振频点。

第一天线单元10工作在第一馈电点A至第一耦合端H1的基模时产生第三子谐振模式c。第三子谐振模式c的谐振频点大于第二子谐振模式b的谐振频点。

具体的，第一信号源12产生的第一激励信号作用于第一馈电点A至第一耦合端H1之间时产生第三子谐振模式c，在第三子谐振模式c对应的谐振频点具有较高的收发效率，进而提高电子设备1000在第三子谐振模式c对应的谐振频点处的通信质量。

请参阅图4，第二辐射体21还包括第一调频点B。第一调频点B位于第二耦合端H2与第一耦合点C`之间。第二天线单元20还包括第三调频电路T2。在一实施方式中，第三调频电路T2用于口径调节，具体的，第三调频电路T2的一端电连接第一调频点B，第三调频电路T2的另一端接地。在另一实施方式中，第三调频电路T2用于匹配调节，具体的，第三调频电路T2的一端电连接第二调频电路M2`，第三调频电路T2的另一端接地。第三调频电路T2用于调节第二子谐振模式b的谐振频点和第三子谐振模式c的谐振频点。

第三调频电路T2通过调节第二耦合端H2与第一耦合点C`之间的部分第一辐射体11的阻抗，以调节第三子谐振模式c的谐振频点。

在一实施方式中，第三调频电路T2包括但不限于串联和/或并联设置的电容、电感、电阻等，第三调频电路T2可包括多个串联和/或并联的电容、电感、电阻形成的支路，及控制多个支路的通断的开关。通过控制不同开关的通断，可以调节第三调频电路T2的选频参数(包括电阻值、电感值及电容值)，进而对于第二耦合端H2与第一耦合点C`之间的部分第一辐射体11的阻抗进行调节，进而使第一天线单元10收发第三子谐振模式c的谐振频点或附近谐振频点的电磁波信号。

具体的，第三子谐振模式c对应的谐振频点位于3800～3900MHz之间。当电子设备1000需要收发3800～3900MHz之间的电磁波信号时，调节第三调频电路T2的调频参数(例如电阻值、电容值、电感值)，以使第一天线单元10工作在第三子谐振模式c。当电子设备1000需要收发3700～3800MHz之间的电磁波信号时，进一步调节第三调频电路T2的调频参数(例如电阻值、电容值、电感值)，以使第三子谐振模式c的谐振频点朝向低频段偏移。当电子设备1000需要收发3900～4000MHz之间的电磁波信号时，进一步调节第三调频电路T2的调频参数(例如电阻值、电容值、电感值)，以使第三子谐振模式c的谐振频点朝向高频段偏移。如此，通过调节第三调频电路T2的调频参数可实现第一天线单元10在较宽频段的频率覆盖。

本申请对于第三调频电路T2的具体结构不做具体的限定，对于其调节方式也不做具体的限定。

在另一实施方式中，第三调频电路T2包括但不限于可变电容。通过调节变电容的电容值，以调节第三调频电路T2的调频参数，进而调节第二耦合端H2与第一耦合点C`之间的部分第一辐射体11的阻抗，以调节第三子谐振模式c的谐振频点。

第一天线单元10工作在第一接地端G1至第一耦合端H1的3次模时产生第四子谐振模式d。

具体的，第一信号源12产生的第一激励信号作用于第一馈电点A至第一耦合端H1之间时还产生第四子谐振模式d，在第四子谐振模式d对应的谐振频点具有较高的收发效率，进而提高电子设备1000在第四子谐振模式d对应的谐振频点处的通信质量。第四子谐振模式d的谐振频点大于第三子谐振模式c的谐振频点。相类似地，第三调频电路T2可以调节第四子谐振模式d对应的谐振频点。

可选的，第二馈电点C为第一耦合点C`。第二调频电路M2`可为第二调频滤波电路M2。如此，将第一耦合点C`作为第二馈电点C，以使得第一耦合点C`既可以作为第二天线单元20的馈电还可以作为与第一天线单元10的耦合天线单元，增加了天线的结构紧凑性。当然，在其他实施方式中，第二馈电点C可设于第一耦合点C`与第三耦合端H3之间。

第二信号源22产生的第二激励信号经第二调频电路M2`滤波和调节之后作用于第一调频点B与第三耦合端H3之间，以产生第二谐振模式。

进一步地，请参阅图4及图18，第二辐射体21还包括第二调频点D。第二调频点D位于第二馈电点C与第三耦合端H3之间。第二天线单元20还包括第四调频电路T3。在一实施方式中，第四调频电路T3用于口径调节，具体的，第四调频电路T3的一端电连接第二调频点D，第四调频电路T3的另一端接地。

请参阅图19，在另一实施方式中，第二调频电路M2`的一端电连接第二调频电路M2`，第四调频电路T3的另一端接地。第四调频电路T3通过调节第一调频点B与第三耦合端H3之间的阻抗，用于调节第二谐振模式的谐振频点。

其中，第一调频点B与第三耦合端H3之间的长度可以约为第二频段的电磁波的波长的四分之一，以使第二天线单元20具有较高的辐射效率。

此外，第一调频点B接地、第一耦合点C`为第二馈电点C，以使第二天线单元20为倒F天线，该天线形式，通过调节第二馈电点C的位置可以方便地调节第二天线单元20的阻抗匹配。

在一实施方式中，第四调频电路T3包括但不限于串联和/或并联设置的电容、电感、电阻等，第四调频电路T3可包括多个串联和/或并联的电容、电感、电阻形成的支路，及控制多个支路的通断的开关。通过控制不同开关的通断，可以调节第四调频电路T3的选频参数(包括电阻值、电感值及电容值)，进而对于第一调频点B与第三耦合端H3之间的部分第二辐射体21的阻抗进行调节，进而使第二天线单元20收发第二谐振模式的谐振频点或附近谐振频点的电磁波信号。

在一实施方式中，请参阅图14，当电子设备1000需要收发700～750MHz之间的电磁波信号时，调节第四调频电路T3的调频参数(例如电阻值、电容值、电感值)，以使第二天线单元20工作在第二谐振模式。当电子设备1000需要收发500～600MHz之间的电磁波信号时，进一步调节第四调频电路T3的调频参数(例如电阻值、电容值、电感值)，以使第二振模式的谐振频点朝向低频段偏移。当电子设备1000需要收发800～900MHz之间的电磁波信号时，进一步调节第四调频电路T3的调频参数(例如电阻值、电容值、电感值)，以使第二谐振模式的谐振频点朝向高频段偏移。例如从图14中的模式1移动至模式2、模式3、模式4的位置。如此，通过调节第四调频电路T3的调频参数可实现第二天线单元20在较宽频段的频率覆盖。

本申请对于第四调频电路T3的具体结构不做具体的限定，对于其调节方式也不做具体的限定。

在另一实施方式中，第四调频电路T3包括但不限于可变电容。通过调节变电容的电容值，以调节第四调频电路T3的调频参数，进而调节第一调频点B与第三耦合端H3之间的部分第二辐射体21的阻抗，以调节第二谐振模式的谐振频点。

第二调频点D的位置为上述的第一耦合点C`靠近第三耦合端H3时所在的位置。所以，第二调频点D与第三耦合端H3之间形成第二耦合段R2。第二耦合段R2与第三辐射体31通过第二缝隙102进行耦合，以产生第六子谐振模式f、第七子谐振模式g。

由上述可知，通过设置调频电路及调频电路的参数进行调节，可使第一天线单元10在中高频段、超高频段进行全覆盖，使第二天线单元20在低频段进行全覆盖，使第三天线单元30在中高频段、超高频段进行全覆盖，如此，实现了天线组件100在低频段、中高频段及超高频段之间进行全覆盖，实现通信功能增强；天线单元之间的辐射体复用，可使得天线组件100的整体尺寸较小，促进整机的小型化。

在一实施方式中，请参阅图2及图20，天线组件100的部分集成于壳体500上，具体的，天线组件100的参考地极40、信号源、调频电路设于主板200上。第一辐射体11、第二辐射体21及第三辐射体31集成为壳体500的一部分。进一步地，壳体500包括中框501及电池盖502。其中，显示屏300、中框501及电池盖502依次盖合连接。第一辐射体11、第二辐射体21及第三辐射体31嵌设于中框501上，以形成中框501的一部分。可选的，请参阅图20及图21，中框501包括多段金属段503及间隔相邻两个金属段503之间的绝缘段504。多段金属段503形成第一辐射体11、第二辐射体21积第三辐射体31，第一辐射体11与第二辐射体21之间的绝缘段504填充第一缝隙101，第二辐射体21与第三辐射体31之间的绝缘段504填充第二缝隙102。或者，第一辐射体11、第二辐射体21及第三辐射体31嵌设于电池盖502上，以形成电池盖502的一部分。

在另一实施方式中，请参阅图22，天线组件100设于壳体500内。天线组件100的参考地极40、信号源、调频电路设于主板200上。第一辐射体11、第二辐射体21及第三辐射体31可成型于柔性电路板上并贴合于壳体500的内表面等位置。

请参阅图21，壳体500包括依次首尾相连的第一边51、第二边52、第三边53和第四边54。第一边51与第三边53相对设置。第二边52与第四边54相对设置。第一边51的长度小于第二边52的长度。相邻的两个边的连接处形成壳体500的拐角。进一步地，用户沿竖直方向握持电子设备1000时，第一边51为远离地面的边，第三边53为靠近地面的边。

在一实施方式中，请参阅图21，第一天线单元10和第二天线单元20的一部分设于第一边51，第二天线单元20的另一部分和第三天线单元30设于第二边52。具体的，第一辐射体11设于壳体500的第一边51或沿第一边51设置。第二辐射体21设于第一边51、第二边52及两者之间的拐角。第三辐射体31设于壳体500的第二边52或沿第二边52设置。

电子设备1000还包括控制器(未图示)。控制器用于在显示屏300处于竖屏显示状态或待测主体靠近第二边52时控制第一天线单元10的工作功率大于第三天线单元30的工作功率。具体的，显示屏300处于竖屏显示状态或用户沿竖直方向握持电子设备1000时，手指一般遮挡第二边52和第四边54，此时，控制器可控制设于第一边51的第一天线单元10主要收发中高频、超高频的电磁波，以避免设于第二边52的第三天线单元30被手指遮挡而无法收发中高频、超高频的电磁波，影响电子设备1000的中高频、超高频通信质量。

控制器还用于在显示屏300处于横屏显示状态时控制第三天线单元30的工作功率大于第一天线单元10的工作功率。具体的，显示屏300处于横屏显示状态或用户沿水平方向握持电子设备1000时，手指一般遮挡第一边51和第三边53，此时，控制器可控制设于第二边52的第三天线单元30主要收发中高频、超高频的电磁波，以避免设于第一边51的第一天线单元10被手指遮挡而无法收发中高频、超高频的电磁波，影响电子设备1000的中高频、超高频通信质量。

控制器还用于在待测主体靠近第一边51时控制第三天线单元30的工作功率大于第一天线单元10的工作功率。

具体的，当用户用电子设备1000打电话或电子设备1000靠近头时，控制器可控制设于第二边52的第三天线单元30主要收发中高频、超高频的电磁波，可降低人体头部附近的电磁波收发功率，进而降低人体对于电磁波的比吸收率。

在另一实施方式中，请参阅图23，第一天线单元10、第二天线单元20、第三天线单元30皆设于壳体500的同一边。

以上所述是本申请的部分实施方式。应当指出。对于本技术领域的普通技术人员来说。在不脱离本申请原理的前提下。还可以做出若干改进和润饰。这些改进和润饰也视为本申请的保护范围。