利用具有可控几何形状和组成的清洁衬底进行刻蚀支撑件清洁

本申请要求(1)于2018年11月9日提交的美国临时专利申请62/757,837，以及(2)于2019年10月9日提交的美国临时专利申请62/912,971的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及对用于保持光刻装置中的晶片、掩模版、掩模等的设备的清洁。

背景技术

光刻装置将期望的图案施加到诸如半导体材料的晶片之类的衬底上。图案化设备，诸如掩模或掩模版，可以被用于生成要形成在晶片的单个层上的电路图案。图案的转移通常通过成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来完成。通常，单个衬底将包含被连续图案化的邻近目标部分。

光刻装置包括支撑结构(例如，晶片台)，该支撑结构具有被配置为使用例如机械、真空、静电或其他夹持技术来保持晶片的工作表面。支撑结构包括被配置为支撑晶片的对应部分的突节。每个突节面向晶片的表面包括图案化的凸点的形成，图案化的凸点具有纳米级的尺寸。这些凸点在本文中被称为纳米凸点。纳米凸点限定了在晶片和突节之间的减小的接触表面积。减小的接触表面积减轻了晶片与突节之间的粘着效果，并且修改了在夹持过程期间的摩擦力。

晶片台及其整体的突节通常由Si:SiC复合陶瓷材料制成。晶片台表面可以包括大约10,000个突节，每个突节的直径大约为数百微米，高度大约为100微米。突节通常覆盖晶片台表面积的大约1％。

使用时，即使当存在纳米结构以避免这种粘附时，纳米凸点工作表面也可能粘附或“粘着”到衬底上。促成粘附的一种机制是工作表面(夹具表面)和先前的衬底之间的材料转移。这种材料污染以各种形式留在工作表面上，这些形式在本文中统称为颗粒。例如，当工作表面是掩模版夹具并且衬底是掩模版时，掩模版夹具可能从掩模版的图案化表面剥离铬，从而导致掩模版损坏。由于移位的金属堆积在夹具表面上，所以掩模版可能会粘住而无法卸载。

可以通过将工作表面从其操作环境中去除(移出)并使用化学物质通过溶解污染“湿法清洁”工作表面，来去除累积的污染。然而，期望避免这些步骤和随之而来的停机时间，并且期望能够原位清洁工作表面。

发明内容

以下给出了一个或多个实施例的简化概述，以便提供对实施例的基本理解。该概述不是所有预期实施例的详尽综述，并且无意于标识所有实施例的关键或重要元素，也不旨在限定任何或所有实施例的范围。其唯一的目的是作为稍后呈现的更详细的描述的前奏以简化的形式呈现一个或多个实施例的一些构思。

根据实施例的一个方面，使用工装(tooling)，以可控的方式原位清洁工作表面。该工装采用专用清洁衬底的形式，该清洁衬底具有带有部分涂层的受控的表面，以从有纹理的(纳米凸点)工作表面去除已转移的材料(金属污染)。导致污染(由于局部较高的接触力而引起的材料转移)的相同机制以可控的方式被用于清洁表面。

根据实施例的另一方面，清洁衬底被配置为使得在清洁衬底与工作表面之间存在有限的接触面积。这允许使用可能会粘住的清洁衬底。涂层厚度和几何形状(例如，由于涂层几何形状引起的凸起的角)可以被选择以促进剥离动作，而不是正交牵拉。利用待清洁表面的几何形状(例如，纳米凸点峰上的高局部接触负载)可以被用于迫使污染物穿过表面涂层，从而使可能对清洁有利的块状材料暴露出来，否则块状材料将无法使用，诸如，例如，通常禁止的材料(诸如铜或金)、产生表面氧化物的材料(例如铝和铬)或非真空兼容的材料(例如锌和镉)。通过限制被涂覆面积并使用不同的涂层材料，涂层可以被用于去除污染。

清洁衬底的使用可以导致以下更快的过程，该过程可以被执行为维护动作(工装/预防性维护)，而不必将工作表面移出其操作环境。清洁衬底上的清洁表面的几何形状可以适合于工作表面的各种形状和表面，例如具有同心环的清洁晶片。

下面将参照附图详细描述本发明的其他特征和优点以及本发明的各种实施例的结构和操作。注意，本发明不限于本文所描述的特定实施例。本文提出这种实施例仅出于说明性目的。基于本文所包含的教导，其他实施例对相关领域的技术人员将是显而易见的。

附图说明

结合在本说明书中并构成说明书一部分的附图图示了本发明，并且与说明书一起进一步用于解释本发明的原理并使相关领域的技术人员能够以制造和使用本发明。

图1示出了根据本发明实施例的光刻装置。

图2是突节的未按比例绘制图，该突节具有纳米尺度形貌的顶部。

图3A、3B和3C是根据实施例的一个方面的用于从工作表面去除污染物的颗粒的清洁衬底的使用的未按比例绘制图。

图4是根据实施例的一个方面的用于从工作表面去除污染物的过程的未按比例绘制图。

图5是根据实施例的一个方面的用于从工作表面去除污染物的过程的未按比例绘制图。

图6A、6B和6C是图示了根据实施例的一个方面的操作原理的图。

图7是图示了根据实施例的一个方面的用于从工作表面去除污染物的过程的流程图。

图8是图示了根据实施例的一个方面的用于从工作表面去除污染物的过程的流程图。

图9是根据实施例的一个方面的用于从工作表面去除污染物的颗粒的清洁衬底的未按比例绘制图。

图10是根据实施例的一个方面的用于从工作表面去除污染物的颗粒的清洁衬底的未按比例绘制图。

图11是根据实施例的一个方面的用于从工作表面去除污染物的颗粒的清洁衬底的未按比例绘制图。

从下面结合附图的详细描述中，本发明的特征和优点将变得更加明显，在附图中，类似的参考标记始终标识对应的元件。在附图中，类似的参考数字通常表示相同、功能相似和/或结构相似的元件。

具体实施方式

本说明书公开了结合了本发明的特征的一个或多个实施例。所公开的(多个)实施例仅例示了本发明。本发明的范围不限于所公开的(多个)实施例。本发明由随附权利要求书限定。

本说明书中描述的(多个)实施例以及在本说明书中对“一个实施例”、“实施例”，“示例实施例”等的提及表明所描述的(多个)实施例可以包括特定的特征、结构或特性，但是每个实施例可以不必包括该特定的特征、结构或特性。而且，这样的短语不一定指相同的实施方式。此外，当结合实施例描述特定的特征、结构或特性时，可以认为联系其他实施例来实现这种特征、结构或特性在本领域技术人员的认知范围内，无论是否有明确描述。

在随后的描述中以及在权利要求书中，可以使用术语“上”、“下”、“顶”、“底”“垂直”、“水平”以及类似术语。这些术语仅旨在示出相对定向，而不是相对于重力的任何定向。类似地，诸如左、右、前、后等术语仅旨在给出相对定向。

在更详细地描述实施例之前，有益的是提供可以实现本发明的实施例的示例环境。

参照图1，光刻系统100包括照射系统105。照射系统105包括产生脉冲光束110并将其引导到光刻曝光装置或扫描仪115的光源。扫描仪115包括图案化设备116，例如，在支撑结构117上的掩模或掩模版。图案化设备116承载被转移到束110的图案，以创建图案化束119，该图案化束119对晶片120上的微电子特征进行图案化。晶片120被放置在晶片台125上，晶片台125被构造为保持晶片120并连接到定位器，该定位器被配置为根据某些参数准确地定位晶片120。

光刻系统100可以使用具有在深紫外线(DUV)范围内的波长(例如，具有248纳米(nm)或193nm的波长)的光束110。被图案化在晶片120上的微电子特征的尺寸取决于光束110的波长，更低的波长阐述更小的最小特征大小。备选地，光刻系统100可以使用具有在光谱的极紫外(EUV)部分中的波长的光束110，例如，具有大约50nm或更小的波长的电磁辐射(有时也称为软X射线)，并且包括约13.5nm波长的光。即使可以理解使用该术语描述的辐射可能不在光谱的可见部分，但仍在此处和本文的其他地方使用术语“光”。生成EUV光的方法包括将目标材料从液态转变成等离子体态。目标材料优选地包括至少一种元素，例如氙、锂或锡，并且具有在EUV范围内的一个或多个发射线。在一种这样的方法中，通常称为激光产生等离子体(“LPP”)，可以通过使用激光束辐照具有所需线发射元素的目标材料来产生所需的等离子体。

扫描仪115包括具有例如一个或多个聚光透镜的光学布置和物镜布置。图案化设备116可沿一个或多个方向移动，诸如沿光束110的光轴或在垂直于光轴的平面上移动。物镜布置包括投影透镜，并且使从图案化设备116到晶片120上的光致抗蚀剂的图像转移能够发生。照射系统105调节光束110射在掩模上的角度范围。照射系统105还使光束110在掩模上的强度分布均匀化(使其均匀)。

除其他特征外，扫描仪115可以包括刻蚀控制器130、空调设备以及用于各种电气组件的电源。刻蚀控制器130控制如何在晶片120上印刷层。刻蚀控制器130包括存储诸如工艺方案之类的信息的存储器。工艺程序或方案确定晶片120上的曝光长度、所使用的掩模版以及影响曝光的其他因素。在刻蚀期间，光束110的多个脉冲照射晶片120的相同面积以构成照射剂量。

光刻系统100还优选地包括控制系统135。通常，控制系统135包括数字电子电路系统、计算机硬件、固件和软件中的一个或多个。控制系统135还包括可以是只读存储器和/或随机存取存储器的存储器。适用于有形地体现计算机程序指令和数据的存储设备包括所有形式的非易失性存储器，包括：例如，半导体存储器设备(诸如EPROM、EEPROM和闪速存储器设备)；磁盘(诸如内置硬盘和可移除盘)；磁光盘；以及CD-ROM盘。

支撑结构117以取决于图案化设备的定向、光刻装置的设计以及其他条件(诸如，例如图案化设备是否被保持在真空环境中)的方式保持图案化设备116。支撑结构117可以使用机械、真空、静电或其他夹持技术来保持图案化设备。支撑结构117可以是例如框架或桌台，其根据需要可以是固定的或可移动的。支撑结构117可以确保图案化设备116例如相对于投影系统处于期望位置。

术语“图案化设备”应该被广义地解释为指能够被用于在辐射束的横截面上赋予图案以在衬底的目标部分中创建图案的任何设备。赋予辐射束的图案可以对应于在诸如集成电路之类的目标部分中创建的设备中的特定功能层。

图案化设备可以是透射的或反射的。如此处所描绘的，图案化设备116是透射型的(例如，采用透射掩模)。图案化设备的示例包括掩模、可编程反射镜阵列和可编程LCD面板。掩模在光刻技术中是众所周知的，并且包括诸如二元、交替相移和衰减相移之类的掩模类型以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每个小反射镜可以单独倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。倾斜的反射镜在被反射镜矩阵反射的辐射束中赋予图案。

投影系统，像照射系统一样，可以包括各种类型的光学组件，诸如折射、反射、磁性、电磁、静电或其他类型的光学组件、或者它们的任意组合，以适合于所使用的暴露辐射或其他因素(诸如真空的使用)。由于气体可能吸收太多的辐射，因此可能希望将真空用于EUV辐射。因此可以借助于真空壁和真空泵向整个光束路径提供真空环境。

如所提及的，可以向晶片台提供有序的或无序的(随机的)突节阵列，并且可以向每个突节的顶表面(即，旨在与晶片接触的表面)提供纳米级结构的形貌，即具有大约一纳米或几十纳米的特征大小的结构。这在图2中被示出。图2示出了具有突节300的晶片台WT的顶表面。突节300的顶表面具有纳米尺度的形貌310。纳米尺度的形貌被示出为半球形凸点阵列，但是要理解，其他形状(诸如柱子)也可以使用。这些在本文都被称为纳米凸点。

如图3A所示，衬底300具有纳米凸点表面形式的工作表面，即，设置有纳米凸点阵列的表面。使清洁衬底320与衬底300横向对准。清洁衬底320的表面的面对工作表面的至少一部分设置有涂层330。涂层330可以由诸如铝之类的材料制成，该材料形成氧化铝的表面层340。在图3A中还可以看见的是污染物的颗粒350。颗粒350可以由例如铬制成，铬在从例如掩模版转移之后已经粘附到纳米凸点表面上。颗粒350的尺寸通常大约为五微米或更小。

在操作中，如图3B所示，将清洁衬底320抵靠衬底300的纳米凸点表面按压。备选地且等效地，将衬底300的纳米凸点表面抵靠清洁衬底320按压。可以用足够的力将这些表面按压在一起以使颗粒350穿透表面层340并与涂层330相接触。由于颗粒350穿透表面层340的机械动作以及对涂层330的材料的选择，颗粒350从纳米凸点表面脱落并且在使衬底300和清洁衬底320移动离开彼此时转移到涂层330，如图3C所示。

以上提出了一种可能的机制(机械捕获颗粒的表面层)，通过该机制，具有指定几何形状和组成的表面可以被用于去除污染。然而，没有必要让污染物“穿通”表面层。例如，在表面层下面的块状材料(例如铝)可以是相对易延展的，从而允许表面层(例如氧化铝)弯曲并顺应污染物以截留它。因此，表面层在键能方面可以是粘附的，并且表面层下面的块状材料可以允许表面层在颗粒周围弯曲，从而增加了接触的表面积，其效果单独或一起起作用以促进污染物的去除。

上面的描述主要是针对去除颗粒形式的污染物，但是污染也可以采取其他物理形式。例如，污染可以是单层(在其积累到足以被视为颗粒之前的污染)或污渍/残渣的形式。颗粒可以是使用的产物，也可以是制造过程中产生的多余残留物。本公开的教导可以被应用来促进所有这些类型的污染物的去除。

在所示的示例中，涂层330仅覆盖衬底320的一部分。如果涂层330覆盖与纳米凸点表面的整个面对面积，则可能的是涂层330不会完全释放。因此，对于某些应用而言，期望将纳米凸点表面的面积划分为子区域，并相继使用一系列具有互补图案的涂层的清洁衬底320来清洁纳米凸点表面。这在图4中进行了示出，其中具有纳米凸点阵列的工作表面400被细分为多个区域，例如区域410和区域420。为了清洁区域410中的表面400，使用具有涂层440的清洁衬底430。清洁衬底430在图中被示出为小于针对400的表面，但是要理解，表面400和清洁衬底430可以具有基本相同的横向尺寸。为了清洁面积420，使用具有涂层460的清洁衬底450，涂层460在与区域420相对应的区域中。可以使用另外的清洁衬底来清洁另外的区域。

如所提及的，该过程可以原位进行，例如，在DUV工具中，该过程可以被用于从掩模版平台去除铬。备选地，可以进行该过程以对零件进行初始测试。

关于涂层330的材料的选取，在一些应用的情况下，对于希望从工作表面拉开的材料而言，期望针对涂层330的材料具有与工作表面相比更高的键解离能。通过反应AB→A+B而断裂的键A-B的键解离能(焓变)被定义为在特定温度下的反应的标准态焓变。这意味着，在化学上，颗粒将倾向于优先于工作表面而粘附至涂层的材料。还期望的是，涂层的材料表现出低屈服强度，使得颗粒可以穿透涂层，屈服强度是产生特定量的塑性变形的应力。还期望的是，对于某些应用，涂层的材料具有高Hamaker常数，该Hamaker常数是测量两个表面(此处，颗粒的表面与穿过层340的涂层330的表面)之间的范德华引力的相对强度的材料常数。

如上所述，除了铝以外，涂层的候选材料还包括Ti、TiN、Si、SiN、Cr、CrN、CrO、CrNO、AlN、SiO、Ta、TaB、TaN、BO、BN、Cu、Au和Ag。涂层的厚度可以优选在约0.1nm至约1000nm的范围内，并且更优选在约20nm至约500nm的范围内。

图5示出了工作表面500被划分为子区域510和520的另一种布置。为了清洁区域510，使具有涂层540的清洁衬底530与工作表面500相对并抵靠工作表面500按压。为了清洁区域520，使具有涂层560的清洁衬底550与工作表面500相对并抵靠工作表面500按压。

根据实施例的一个方面，涂层的几何形状被选择以放大由夹具或卡盘提供的局部按压力。通常，夹具或卡盘能产生的力的尺寸受到限制。例如，在可以使用静电卡盘的EUV应用中，能产生的力的尺寸受到用于制造卡盘的绝缘体的介电击穿的限制。在可能使用真空卡盘的DUV侧，能产生的力的尺寸受到大气压和真空之间的压差的限制。然而，可以使用涂层的局部几何形状来创建比通常情况更高的局部夹持力。

图6A、6B和6C是图示了这些原理的图。图6A、6B和6C图示了在使用静电卡盘的EUV源的情况下的示例。夹具600包括四个电极610和有突节的表面620。清洁掩模版630具有导电涂层640，这对于实现静电夹持是必需的。清洁掩模版630还具有涂层650。在图6A中，夹具600和清洁掩模版630被定位成面对彼此。然后使静电夹具通电，从而使清洁掩模版630抵靠有突节的表面620被按压，如图6B所示。如上所述，由夹具600施加的总力受到用于制造夹具600的材料的介电强度的限制。然而，涂层650的几何形状和位置，使有突节的表面620的右侧突节在夹持期间经受更高的局部压缩力。而且，涂层650的横向范围在几何上受到限制，以促进涂层相对于突节的剥离动作。当去掉夹持力时，涂层650开始从界限清楚的位置剥离，如图6C所示。

图7是示出了使用如上所述的清洁衬底清洁工作表面的过程的流程图。在步骤S10中，将清洁衬底装载到平台上。例如，这可以是掩模版平台或晶片平台。在步骤S20中，将清洁衬底移动到与工作表面邻近的位置。在步骤S30中，将清洁衬底抵靠工作表面按压。在步骤S40中，将清洁衬底撤回不与工作表面接触。在步骤S50中，将清洁衬底移动到卸载位置。在步骤S60中，卸载清洁衬底。

图8示出了使用多个清洁衬底(涂层或其他清洁材料层，如基于聚酯的擦拭物等)清洁工作表面的过程。在步骤S100中，将清洁衬底的第一清洁衬底抵靠工作表面按压。在步骤110中，将第一清洁衬底从工作表面拉开。在步骤S120中，将下一清洁衬底抵靠工作表面按压。该下一清洁衬底具有与第一清洁衬底上的涂层的位置相比不同位置中的涂层，以清洁工作表面的不同区域。在步骤S130中，将下一清洁衬底从工作表面拉开。在步骤S140中，确定是否已经清洁了期望清洁的工作表面的所有区域。如果不是，则该过程返回到步骤S120。如果是，则该过程结束。

如上所述，由于在掩模版吹气期间更高的期望剥离力，材料转移到诸如掩模版夹具之类的支撑结构上导致掩模版粘着问题和随后的膜故障。纳米结构化表面的使用加剧了这些挑战。这可能至少部分是由于使用纳米结构化表面引起的接触压力的局部增加。

因此，定期清洁夹具是重要的，以防止与材料转移相关的问题恶化(例如，通过引起掩模版夹具上的膜破裂)。例如，已知的是使用铬蚀刻剂去除已经从掩模版转移到夹具的纳米结构化表面(例如放置在夹具上的膜的纳米结构化表面)的铬。这是一项人工服务动作，会使用户招致数小时的停机时间。前述内容描述了至少一种用于去除铬的原位技术。

根据实施例的另一方面，描述了原位转移材料去除的另一种系统和方法。如在以上示例中，所转移的材料是先前从掩模版重新定位到掩模版夹具的铬，但是要理解，所转移的材料可以是或包括其他材料。该系统和方法涉及使用专用工装掩模版，该掩模版具有由相对较软的材料(例如铝)制成的涂层，其莫氏(Mohs)硬度在大约2.5至3的范围内。虽然在下面的描述中使用铝作为示例，但是要理解，另一种类似的软材料也可以用于涂层。

可以在不使用溶剂的干模式下或在可以使用诸如异丙醇(IPA)之类的溶剂的湿模式下原位部署工装掩模版。在任一模式下，在工装掩模版和掩模版夹具之间引起相对横向运动，使得工装掩模版在掩模版夹具的表面上被擦洗以去除转移到夹具上的铬。软涂层有助于捕获铬污染，而相对运动则使铬污染移位并移离掩模版夹具表面，例如，移离纳米结构化掩模版夹具表面上的纳米凸点。对于原位应用，可以通过掩模版处理柄夹钳将工装掩模版保持固定，同时将掩模版平台夹具抵靠工装掩模版进行擦洗。

通常，工装掩模版的横向形状和尺寸可以被选择为与掩模版夹具表面的横向形状和大小尺寸大致相同。然而，对于一些应用，使用具有不同横向尺寸和形状的工装掩模版可能是有利的。例如，工装掩模版在平移方向上可以比夹具的面对表面短，以允许更大程度或范围的相对平移，即擦洗。

根据另一实施例，可以使用两个工装掩模版顺序地从夹具上去除转移的材料。第一工装掩模版被用于使已转移至掩模版夹具表面的材料移位并捕获一些移位的材料。第二工装掩模版被用于扫掉移位的但未被第一工装掩模版捕获的转移材料的颗粒。这些掩模版可以可选地设置有针对清洁流体(诸如IPA)的容器，以便能够在湿模式下操作。第二掩模版可以至少部分地被覆盖有一块用清洁溶液浸泡的材料(例如，洁净室擦拭物)，该材料附接在第二掩模版上，该材料将用于捕获任何松散的移位颗粒并将其滑动离开夹具。

因此，如图9所示，掩模版平台夹具700由掩模版平台710支撑。掩模版夹具700的面对掩模版的表面在所示的示例中具有纳米凸点形式的纳米结构，为了清楚起见，其大小在图中被放大了。如上所讨论的，该表面可能被来自掩模版的材料(诸如铬)污染，掩模版平台夹具先前已被用于固定该掩模版。为了去除该转移的材料，通过掩模版处理柄730将工装掩模版720保持在适当的位置。工装掩模版720包括例如由熔融硅石制成的衬底740。衬底740设置有涂层750，涂层750例如由软材料(诸如铝)制成。图左侧的垂直箭头指示由于从夹具所在面积抽真空而使掩模版夹具承受的夹持力。为了确保在这种夹持力下仍然可以进行擦洗，所抽真空的量要比普通掩模版夹持时的真空量低。夹具本质上是顺应性的，因此真空迫使夹具接触掩模版并依从其几何形状。图右侧的水平箭头指示横向移动掩模版平台710，同时使工装掩模版720保持固定以引起两者之间的相对运动，使得工装掩模版740有效地擦洗夹具700的上表面。掩模版也可以由低刚度材料(比如塑料)制成，以便也符合夹具组件的几何形状，该夹具组件可能具有预先存在的围绕平移轴的旋转倾斜。

如图10所示，在该图中，类似的附图标记指代相似的结构，不是向工装掩模版720提供熔融硅石的固体衬底，相反，衬底760可以设置有限定容器770的切口。容器770可以包含诸如异丙醇之类的清洁溶液。如图所示，容器770可以通过一系列通道800与涂层750的面对表面流体连通。清洁溶液可以借助于毛细作用通过通道800来输送。备选地，可以通过操作一个或多个阀810(图11)来输送清洁流体。阀810可以通过各种方式(包括机械、气动和电致动)来致动。图10也示出了工装掩模版罩790。在操作中，工装掩模版720被保持在适当的位置，而掩模版平台710被横向移动以引起相对的平移擦洗运动。相对平移运动可以是单向或双向的。同时，从容器770中分配清洁流体。

可以使用以下条款进一步描述实施例：

1.在用于生成在光刻中使用的辐射的系统中，装置包括：

夹持结构，包括工作表面；以及

用于从工作表面去除污染物的清洁衬底，该清洁衬底包括：

具有侧表面的基部；以及

在侧表面的至少一部分上的涂层。

2.根据条款1所述的装置，其中涂层包括表面层和块状材料。

3.根据条款1或条款2所述的装置，其中工作表面包括掩模版平台，并且清洁衬底包括清洁掩模版。

4.根据条款1或条款2所述的装置，其中工作表面包括晶片台，并且清洁衬底包括清洁晶片。

5.一种用于从包括第二材料的工作表面去除包括第一材料的污染物的颗粒的清洁衬底，该清洁衬底包括：

具有侧表面的基部；以及

在侧表面的至少一部分上的涂层，该涂层包括第三材料，其中在第一材料和第二材料之间的键的键解离能小于在第二材料和第三材料之间的键的键解离能。

6.根据条款5所述的清洁衬底，其中工作表面包括掩模版平台，并且清洁衬底包括清洁掩模版。

7.根据条款5所述的清洁衬底，其中工作表面包括晶片台，并且清洁衬底包括清洁晶片。

8.根据条款5所述的清洁衬底，其中第一材料包括硅。

9.根据条款8所述的清洁衬底，其中第二材料包括铬。

10.根据条款9所述的清洁衬底，其中第三材料包括铝。

11.根据条款5所述的清洁衬底，其中第三材料具有低屈服强度。

12.根据条款5所述的清洁衬底，其中第三材料具有高Hamaker常数。

13.一种从光刻工具中的夹持结构的工作表面去除污染物的方法，该方法包括以下步骤：

将清洁衬底抵靠工作表面按压，该清洁衬底包括具有侧表面的基部和在侧表面的至少一部分上的涂层；以及

将清洁衬底从工作表面移开，以从工作表面去除污染物。

14.根据条款13所述的方法，其中工作表面包括掩模版平台，并且清洁衬底包括清洁掩模版。

15.根据条款13所述的方法，其中工作表面包括晶片台，并且清洁衬底包括清洁晶片。

16.根据条款13所述的方法，其中移动步骤按照以下方式进行：引起涂层和工作表面之间的剥离动作。

17.一种从包括第二材料的工作表面去除包括第一材料的污染物的颗粒的方法，该方法包括以下步骤：

将清洁衬底抵靠工作表面按压，该清洁衬底包括具有侧表面的基部和在侧表面的至少一部分上的涂层，该涂层包括第三材料，其中在第一材料和第二材料之间的键的键解离能小于在第二材料和第三材料之间的键的键解离能，使得污染物从工作表面转移到涂层；以及

将清洁衬底从工作表面移开，以从工作表面去除污染物。

18.根据条款17所述的方法，其中工作表面包括掩模版平台，并且清洁衬底包括清洁掩模版。

19.根据条款17所述的方法，其中工作表面包括晶片台，并且清洁衬底包括清洁晶片。

20.根据条款17所述的方法，其中第一材料包括硅。

21.根据条款20所述的方法，其中第二材料包括铬。

22.根据条款21所述的方法，其中第三材料包括铝。

23.根据条款17所述的方法，其中第三材料具有低屈服强度。

24.根据条款17所述的方法，其中第三材料具有高Hamaker常数。

25.根据条款13或17所述的去除污染物的颗粒的方法，其中步骤被重复多次以从基本上整个工作表面去除污染物。

26.根据条款13或17所述的方法，其中工作表面位于真空腔中，并且其中该方法还包括以下步骤：

在按压步骤之前，将清洁衬底移动到与工作表面邻近的位置的步骤；以及

在移动步骤之后，将清洁衬底重新定位到可以卸载清洁衬底的位置的步骤。

27.一种从工作表面去除污染物的方法，该方法包括以下步骤：

(a)将第一清洁衬底抵靠工作表面的第一部分按压，该清洁衬底包括具有侧表面的基部和在侧表面的至少一部分上的第一涂层，清洁衬底具有与第一部分的尺寸和形状相对应的横向尺寸和形状，使得污染物从第一部分转移到第一涂层；

(b)将第一清洁衬底从工作表面移开，以从工作表面的第一部分去除污染物；

(c)将第二清洁衬底抵靠工作表面的第二部分按压，该第二清洁衬底包括具有侧表面的基部和在侧表面的至少一部分上的第二涂层，第二清洁衬底的横向尺寸和形状对应于第二部分的尺寸和形状，使得污染物从第二部分转移到第二涂层；以及

(d)将第二清洁衬底从工作表面移开，以从工作表面的第二部分去除污染物。

28.一种从包括第二材料的工作表面去除包括第一材料的污染物的颗粒的方法，该方法包括以下步骤：

(a)将第一清洁衬底抵靠工作表面的第一部分按压，该清洁衬底包括具有侧表面的基部和在侧表面的至少一部分上的第一涂层，清洁衬底具有与第一部分的尺寸和形状相对应的横向尺寸和形状，第一涂层包括第三材料，其中在第一材料和第二材料之间的键的键解离能小于在第二材料和第三材料之间的键的键解离能，使得污染物从第一部分转移到第一涂层；

(b)将第一清洁衬底从工作表面移开，以从工作表面的第一部分去除污染物；

(a)将第二清洁衬底抵靠工作表面的第二部分按压，该第二清洁衬底包括具有侧表面的基部和在侧表面的至少一部分上的第二涂层，第二清洁衬底具有与第二部分的尺寸和形状相对应的横向尺寸和形状，第二涂层包括第三材料，其中在第一材料和第二材料之间的键的键解离能小于在第二材料和第三材料之间的键的键解离能，使得污染物从第二部分转移到第二涂层；以及

(d)将第二清洁衬底从工作表面移开，以从工作表面的第二部分去除污染物。

29.根据条款28所述的去除污染物的颗粒的方法，其中步骤(a)到(d)被重复多次以从基本上整个工作表面去除污染物。

30.在用于生成在光刻中使用的辐射的系统中，装置包括：

夹持结构，包括工作表面；以及

用于从工作表面去除污染物的清洁衬底，该清洁衬底包括具有侧表面的基部和在侧表面的至少一部分上的涂层，该涂层包括莫氏(Mohs)硬度小于5的金属。

31.根据条款30所述的装置，其中工作表面包括掩模版平台，并且清洁衬底包括清洁掩模版。

32.根据条款30所述的装置，其中工作表面包括晶片台，并且清洁衬底包括清洁晶片。

33.在用于生成在光刻中使用的辐射的系统中，装置包括：

夹持结构，包括工作表面；以及

用于从工作表面去除污染物的清洁衬底，该清洁衬底包括：

具有表面的基部，

在表面的至少一部分上的涂层，该涂层包括莫氏(Mohs)硬度小于5的金属，

清洁衬底内的适于保持清洁流体的容器，以及

多个通道，被布置成使容器与涂层的外部流体连通。

34.用于从工作表面去除污染物的清洁衬底，该清洁衬底包括：

具有表面的基部，

在表面的至少一部分上的涂层，该涂层包括莫氏(Mohs)硬度小于5的金属；

清洁衬底内的适于保持清洁流体的容器；以及

多个通道，被布置成使容器与涂层的外部流体连通。

35.根据条款34所述的清洁衬底，其中工作表面包括掩模版平台，并且清洁衬底包括清洁掩模版。

36.根据条款34所述的清洁衬底，其中工作表面包括晶片台，并且清洁衬底包括清洁晶片。

37.一种从光刻工具中的夹持结构的工作表面去除污染物的方法，该方法包括以下步骤：

将清洁衬底抵靠工作表面按压，该清洁衬底包括具有侧表面的基部和在侧表面的至少一部分上的涂层；

引起清洁衬底和工作表面之间的相对平移运动；以及

将清洁衬底从工作表面移开。

38.根据条款37所述的方法，其中工作表面包括掩模版平台，并且清洁衬底包括清洁掩模版。

39.根据条款37所述的方法，其中工作表面包括晶片台，并且清洁衬底包括清洁晶片。

40.根据条款37所述的方法，还包括：在按压步骤之后，在清洁衬底和工作表面之间引入清洁流体的步骤。

41.一种从光刻工具中的夹持结构的工作表面去除污染物的方法，该方法包括以下步骤：

提供一块柔性材料，该柔性材料具有在其中吸附的湿化学蚀刻剂；

将这块柔性材料附接到清洁掩模版上；

将清洁掩模版与附接的这块柔性材料一起抵靠工作表面按压；以及

将清洁掩模版与附接的这块柔性材料一起从工作表面移开。

42.根据条款41的方法，在移动步骤之后，还包括以下步骤：

从清洁掩模版上去除这块柔性材料；

提供第二块柔性材料，该第二块柔性材料具有在其中吸附的漂洗剂；

将这第二块柔性材料附接到清洁掩模版上；以及

将清洁掩模版与附接的第二块柔性材料一起抵靠工作表面按压。

43.根据条款42所述的方法，还包括：在按压步骤之后，引起清洁掩模版和工作表面之间的相对运动的步骤。

44.根据条款41所述的方法，其中柔性材料包括聚酯材料。

45.根据条款43的方法，其中漂洗剂包括异丙醇。

46.根据条款43的方法，其中漂洗剂包括去离子水。

47.一种从工作表面去除污染物的颗粒的方法，该方法包括以下步骤：

将清洁衬底抵靠工作表面按压，该清洁衬底包括具有侧表面的基部和在侧表面的至少一部分上的涂层；

引起清洁衬底与工作表面之间的相对平移运动；以及

将清洁衬底从工作表面移开。

48.根据条款47所述的方法，其中工作表面包括掩模版平台，并且清洁衬底包括清洁掩模版。

49.根据条款47所述的方法，其中工作表面包括晶片台，并且清洁衬底包括清洁晶片。

50.根据条款47所述的方法，还包括：在按压步骤之后，在清洁衬底和工作表面之间引入清洁流体的步骤。

51.根据条款47所述的方法，其中将步骤重复多次以从基本上整个工作表面去除污染物。

52.根据条款47所述的方法，其中工作表面位于真空腔中，并且其中该方法还包括以下步骤：

在按压步骤之前，将清洁衬底移动到与工作表面邻近的位置的步骤；以及

在移动步骤之后，将清洁衬底重新定位到可以卸载清洁衬底的位置的步骤。

53.一种从工作表面去除污染物的方法，该方法包括以下步骤：

(a)将第一清洁衬底抵靠工作表面的第一部分按压，该清洁衬底包括具有侧表面的基部和在侧表面的至少一部分上的第一涂层，清洁衬底具有与第一部分的尺寸和形状相对应的横向尺寸和形状，使得污染物从第一部分转移到第一涂层；

(b)引起清洁衬底与工作表面之间的相对平移运动；

(c)将第一清洁衬底从工作表面移开，以从工作表面的第一部分去除污染物；

(d)将第二清洁衬底抵靠工作表面的第二部分按压，该第二清洁衬底包括具有侧表面的基部和在侧表面的至少一部分上的第二涂层，第二清洁衬底具有与第二部分的尺寸和形状相对应的横向尺寸和形状，使得污染物从第二部分转移到第二涂层；

(e)引起清洁衬底与工作表面之间的相对平移运动；以及

(f)将第二清洁衬底从工作表面移开，以从工作表面的第二部分去除污染物。

尽管在本文中可以具体参考光刻装置在IC的制造中的使用，但是应当理解，本文所述的光刻装置可以具有其他应用，诸如集成光学系统的制造、磁畴存储器、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等的引导和检测图案。本领域技术人员要了解，在这种替代应用的情况下，本文中术语“晶片”的任何使用可以分别被认为与更通用的术语“衬底”或“目标部分”同义。本文所指的衬底可以在曝光之前或之后例如在轨道(通常将抗蚀剂层施加到衬底并显影曝光出来的抗蚀剂的工具)、计量工具和/或检查工具中进行处理。在适用的情况下，本文的公开内容可以被应用于此类和其他衬底处理工具。此外，例如可以为了创建多层IC而对衬底进行不止一次的处理，因此本文所用的术语“衬底”也可以指已经包含多个处理过的层的衬底。

尽管上面已经描述了本发明的特定实施例，但是要了解，可以以不同于所描述的方式来实践本发明。上面的描述旨在是说明性的，而不是限制性的。因此，对于本领域的技术人员将显而易见的是，在不背离下面提出的权利要求书的范围的情况下，可以对所描述的本发明进行修改。

要了解，“具体实施方式”部分，而不是“发明内容”和“摘要”部分，旨在用于解释权利要求书。发明内容部分和摘要部分可以阐述发明人所设想的本发明的一个或多个但不是全部示例性实施例，因此，不旨在以任何方式限制本发明和所附权利要求书。

上面已经借助于图示了指定功能及其关系的实现的功能构建块描述了本发明。为了便于描述，在本文中已经任意定义了这些功能构建块的边界。只要适当执行指定的功能及其关系，就可以定义其他边界。

对特定实施例的前述描述将如此充分地揭示本发明的一般性质，以至于其他人可以在无过度实验的情况下通过应用本领域技术内的知识而容易地修改和/或适应于诸如特定实施例之类的各种应用，而不背离本发明的一般构思。因此，基于本文提出的教导和指导，这样的适应和修改旨在落入所公开实施例的等效物的含义和范围内。要理解，本文的措辞或术语是出于描述而非限制的目的，使得本说明书的术语或措辞将由技术人员根据教导和指导来解释。

因此，本发明的广度和范围不应该受任何上述示例性实施例的限制，而是应该只根据下面的权利要求书和它们的等效物来进行限定。