新型化合物及利用其的有机发光器件

技术领域

本申请主张基于2019年2月15日的韩国专利申请第10-2019-0017982号的优先权，包含该韩国专利申请的文献中公开的全部内容作为本说明书的一部分。

本发明涉及新型化合物及包含其的有机发光器件。

背景技术

通常情况下，有机发光现象是指利用有机物质将电能转换为光能的现象。利用有机发光现象的有机发光器件具有宽视角、优异的对比度、快速响应时间，亮度、驱动电压和响应速度特性优异，因此正在进行大量的研究。

有机发光器件通常具有包括阳极和阴极以及位于上述阳极与阴极之间的有机物层的结构。为了提高有机发光器件的效率和稳定性，上述有机物层大多情况下由分别利用不同的物质构成的多层结构形成，例如，可以由空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等形成。对于这样的有机发光器件的结构而言，如果在两电极之间施加电压，则空穴从阳极注入有机物层，电子从阴极注入有机物层，当所注入的空穴和电子相遇时会形成激子(exciton)，该激子重新跃迁至基态时就会发出光。

对用于如上所述的有机发光器件的有机物，持续要求开发新的材料。

[现有技术文献]

[专利文献]

(专利文献0001)韩国专利公开号第10-2000-0051826号

发明内容

技术课题

本发明涉及新型化合物及包含其的有机发光器件。

课题的解决方法

本发明提供由下述化学式1表示的化合物：

[化学式1]

在上述化学式1中，

L

Ar

Ar

在上述化学式2-1至2-3中，

X

Z

Z

n1为0至3的整数，

n2和n3各自为0至4的整数，

但是，n2为0时，Z

*表示与L

R

a、b和c各自为0至4的整数，

d为0至3的整数。

另外，本发明提供一种有机发光器件，其中，包括：第一电极；与上述第一电极对置而设置的第二电极；以及设置在上述第一电极与上述第二电极之间的1层以上的有机物层，上述有机物层中的1层以上包含由上述化学式1表示的化合物。

发明效果

由上述化学式1表示的化合物可以用作有机发光器件的有机物层的材料，在有机发光器件中能够实现效率的提高、低的驱动电压和/或寿命特性的提高。

附图说明

图1图示了由基板1、阳极2、空穴传输层3、发光层4、电子注入和传输层5、以及阴极6构成的有机发光器件的例子。

图2图示了由基板1、阳极2、空穴注入层7、空穴传输层3、空穴调节层8、发光层4、电子调节层9、电子注入和传输层5、以及阴极6构成的有机发光器件的例子。

具体实施方式

下面，为了帮助理解本发明而更详细地进行说明。

用语的定义

在本说明书中，

在本说明书中，“取代或未取代的”这一用语是指被选自氘；卤素基团；氰基；硝基；羟基；羰基；酯基；酰亚胺基；氨基；氧化膦基；烷氧基；芳氧基；烷基硫基(

在本说明书中，羰基的碳原子数没有特别限定，但优选碳原子数为1至40。具体而言，可以为如下结构的化合物，但并不限定于此。

在本说明书中，酯基中，酯基的氧可以被碳原子数1至25的直链、支链或环状的烷基、或者碳原子数6至25的芳基取代。具体而言，可以为下述结构式的化合物，但并不限定于此。

在本说明书中，酰亚胺基的碳原子数没有特别限定，但优选碳原子数为1至25。具体而言，可以为如下结构的化合物，但并不限定于此。

在本说明书中，甲硅烷基具体有三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基等，但并不限定于此。

在本说明书中，硼基具体有三甲基硼基、三乙基硼基、叔丁基二甲基硼基、三苯基硼基、苯基硼基等，但并不限定于此。

在本说明书中，作为卤素基团的例子，有氟、氯、溴或碘。

在本说明书中，上述烷基可以为直链或支链，碳原子数没有特别限定，但优选为1至40。根据一实施方式，上述烷基的碳原子数为1至20。根据另一实施方式，上述烷基的碳原子数为1至10。根据另一实施方式，上述烷基的碳原子数为1至6。作为烷基的具体例，有甲基、乙基、丙基、正丙基、异丙基、丁基、正丁基、异丁基、叔丁基、仲丁基、1-甲基-丁基、1-乙基-丁基、戊基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、己基、正己基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、庚基、正庚基、1-甲基己基、环戊基甲基、环己基甲基、辛基、正辛基、叔辛基、1-甲基庚基、2-乙基己基、2-丙基戊基、正壬基、2,2-二甲基庚基、1-乙基-丙基、1,1-二甲基-丙基、异己基、2-甲基戊基、4-甲基己基、5-甲基己基等，但并不限定于此。

在本说明书中，上述烯基可以为直链或支链，碳原子数没有特别限定，但优选为2至40。根据一实施方式，上述烯基的碳原子数为2至20。根据另一实施方式，上述烯基的碳原子数为2至10。根据另一实施方式，上述烯基的碳原子数为2至6。作为具体例，有乙烯基、1-丙烯基、异丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、3-甲基-1-丁烯基、1,3-丁二烯基、烯丙基、1-苯基乙烯-1-基、2-苯基乙烯-1-基、2,2-二苯基乙烯-1-基、2-苯基-2-(萘-1-基)乙烯-1-基、2,2-双(二苯-1-基)乙烯-1-基、茋基、苯乙烯基等，但并不限定于此。

在本说明书中，环烷基没有特别限定，但优选为碳原子数3至60的环烷基，根据一实施方式，上述环烷基的碳原子数为3至30。根据另一实施方式，上述环烷基的碳原子数为3至20。根据另一实施方式，上述环烷基的碳原子数为3至6。具体而言，有环丙基、环丁基、环戊基、3-甲基环戊基、2,3-二甲基环戊基、环己基、3-甲基环己基、4-甲基环己基、2,3-二甲基环己基、3,4,5-三甲基环己基、4-叔丁基环己基、环庚基、环辛基等，但并不限定于此。

在本说明书中，芳基没有特别限定，但优选为碳原子数6至60的芳基，可以为单环芳基或多环芳基。根据一实施方式，上述芳基的碳原子数为6至30。根据一实施方式，上述芳基的碳原子数为6至20。关于上述芳基，作为单环芳基，可以为苯基、联苯基、三联苯基等，但并不限定于此。作为上述多环芳基，可以为萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、

在本说明书中，芴基可以被取代，2个取代基可以彼此结合而形成螺结构。在上述芴基被取代的情况下，可以为

等。但并不限定于此。

在本说明书中，杂芳基是包含O、N、Si和S中的1个以上作为杂原子的杂芳基，碳原子数没有特别限定，但优选碳原子数为2至60。作为杂芳基的例子，有噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、

在本说明书中，芳烷基、芳烯基、烷基芳基、芳基胺基、芳基甲硅烷基中的芳基与上述芳基的例示相同。在本说明书中，芳烷基、烷基芳基、烷基胺基中的烷基与上述烷基的例示相同。在本说明书中，杂芳基胺中的杂芳基可以适用上述关于杂芳基的说明。在本说明书中，芳烯基中的烯基与上述烯基的例示相同。在本说明书中，亚芳基为2价基团，除此以外，可以适用上述关于芳基的说明。在本说明书中，亚杂芳基为2价基团，除此以外，可以适用上述关于杂芳基的说明。在本说明书中，烃环不是1价基团，而是2个取代基结合而成，除此以外，可以适用上述关于芳基或环烷基的说明。在本说明书中，杂环不是1价基团，而是2个取代基结合而成，除此以外，可以适用上述的关于杂芳基的说明。

化合物

另一方面，本发明提供由上述化学式1表示的9,9-二苯基-9H-芴胺系化合物。

由上述化学式1表示的胺系化合物除了包含9,9-二苯基-9H-芴基以外，还包含至少一个苯并呋喃基或苯并噻吩基作为取代基，从而可以实现采用其的有机发光器件的高效率、低驱动电压和长寿命等。并且，上述苯并呋喃基或苯并噻吩基取代基由上述化学式2-1至2-3中的任一个表示。这时，在上述化学式2-2中的n2为0且Z

由上述化学式1表示的化合物可以根据9,9-二苯基-9H-芴基与N原子的结合位置而由下述化合物中的任一个表示：

[化学式1A]

[化学式1B]

[化学式1C]

[化学式1D]

在上述化学式1A至1D中，

对于各取代基的说明与上述化学式1中的定义相同。

在上述化学式1中，优选地，L

更优选地，L

优选地，在上述化学式2-1至2-3中，Z

Z

更优选地，在上述化学式2-1至2-3中，Z

Z

例如，在上述化学式2-1中，n1为0时，Z

在上述化学式2-2中，n2为0时，Z

在上述化学式2-3中，n3为0时，Z

另外，优选地，在上述化学式2-1至2-3中，n1为1、2或3，n2和n3各自为1、2、3或4。这时，n1至n3为2以上时，括号内的结构彼此相同或不同。

优选地，Ar

更优选地，Ar

其中，上述芳基和杂芳基各自独立地未被取代，或者被选自C

最优选地，Ar

在上述基团中，

Y为O、S、CQ

R为氢或苯基。

优选地，在上述基团中，Y为O、S、C(甲基)

优选地，R

更优选地，R

优选地，上述化合物由下述化学式1-1至1-4中的任一个表示：

[化学式1-1]

[化学式1-2]

[化学式1-3]

[化学式1-4]

在上述化学式1-1至1-4中，

对于各取代基的说明与上述化学式1中的定义相同。

由上述化学式1表示的化合物的代表性的例子如下所示：

另一方面，作为一个例子，由上述化学式1表示的化合物可以通过如下述反应式1所示的制造方法进行制造。上述制造方法可以在后述的制造例中更具体化。

[反应式1]

在上述反应式1中，X各自独立地为卤素，优选为溴或氯，对于其余取代基的定义与上述说明相同。

上述步骤1-1是将SM2自由基导入到起始物质SM1的伯胺中而制造中间体化合物X(INT.X)的步骤，步骤1-2是将SM3自由基导入到中间体化合物X(INT.X)的仲胺中而制造作为叔胺化合物的由上述化学式1表示的化合物的步骤。上述步骤1-1和1-2全部利用布赫瓦尔德-哈特维希(Buchwald-Hartwig)反应而进行，它们优选在钯催化剂的存在下进行。这样的制造方法可以在后述的制造例中更具体化。

有机发光器件

另一方面，本发明提供包含由上述化学式1表示的化合物的有机发光器件。作为一个例子，本发明提供一种有机发光器件，其中，包括：第一电极；与上述第一电极对置而设置的第二电极；以及设置在上述第一电极与上述第二电极之间的1层以上的有机物层，上述有机物层中的1层以上包含由上述化学式1表示的化合物。

本发明的有机发光器件的有机物层可以由单层结构形成，还可以由层叠有2层以上的有机物层的多层结构形成。例如，本发明的有机发光器件可以具有包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等作为有机物层的结构。但是，有机发光器件的结构并不限定于此，可以包括更少数的有机层。

另外，上述有机物层可以包括空穴注入层、空穴传输层、或者同时进行空穴注入和传输的层，上述空穴注入层、空穴传输层、或者同时进行空穴注入和传输的层包含由上述化学式1表示的化合物。

另外，上述有机物层可以包括发光层，上述发光层包含由上述化学式1表示的化合物。

本发明的有机发光器件的有机物层可以由单层结构形成，还可以由层叠有2层以上的有机物层的多层结构形成。例如，本发明的有机发光器件可以具有除了发光层以外还包括上述第一电极与上述发光层之间的空穴注入层和空穴传输层、以及上述发光层与上述第二电极之间的电子传输层和电子注入层作为有机物层的结构。但是，有机发光器件的结构并不限定于此，可以包括更少数或多数的有机层。

另外，根据本发明的有机发光器件可以为上述第一电极为阳极、上述第二电极为阴极的、在基板上依次层叠有阳极、1层以上的有机物层和阴极的结构(正常型(normaltype))的有机发光器件。此外，根据本发明的有机发光器件可以为上述第一电极为阴极、上述第二电极为阳极的、在基板上依次层叠有阴极、1层以上的有机物层和阳极的逆向结构(倒置型(inverted type))的有机发光器件。例如，根据本发明的一实施例的有机发光器件的结构例示于图1和2。

图1图示了由基板1、阳极2、空穴传输层3、发光层4、电子注入和传输层5、以及阴极6构成的有机发光器件的例子。在如上所述的结构中，由上述化学式1表示的化合物可以包含在上述空穴传输层中。

图2图示了由基板1、阳极2、空穴注入层7、空穴传输层3、空穴调节层8、发光层4、电子调节层9、电子注入和传输层5、以及阴极6构成的有机发光器件的例子。在如上所述的结构中，由上述化学式1表示的化合物可以包含在上述空穴传输层、空穴调节层中，或者可以同时包含在上述空穴传输层和上述空穴调节层中。

根据本发明的有机发光器件除了上述有机物层中的1层以上包含由上述化学式1表示的化合物以外，可以利用该技术领域中已知的材料和方法进行制造。此外，上述有机发光器件包括复数个有机物层时，上述有机物层可以由相同的物质或不同的物质形成。

例如，根据本发明的有机发光器件可以通过在基板上依次层叠第一电极、有机物层和第二电极而制造。这时可以如下制造：利用溅射法(sputtering)或电子束蒸发法(e-beam evaporation)之类的PVD(physical Vapor Deposition：物理气相沉积)方法，在基板上蒸镀金属或具有导电性的金属氧化物或它们的合金而形成阳极，然后在该阳极上形成包括空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层的有机物层，之后在该有机物层上蒸镀可用作阴极的物质而制造。除了这种方法以外，也可以在基板上依次蒸镀阴极物质、有机物层、阳极物质而制造有机发光器件。

另外，由上述化学式1表示的化合物在制造有机发光器件时不仅可以利用真空蒸镀法，还可以利用溶液涂布法来形成有机物层。在这里，所谓溶液涂布法是指旋涂法、浸涂法、刮涂法、喷墨印刷法、丝网印刷法、喷雾法、辊涂法等，但不仅限于此。

除了这些方法以外，还可以在基板上依次蒸镀阴极物质、有机物层、阳极物质而制造有机发光器件(WO 2003/012890)。但是，制造方法并不限定于此。

作为一个例子，上述第一电极为阳极，上述第二电极为阴极，或者上述第一电极为阴极，上述第二电极为阳极。

作为上述阳极物质，通常为了使空穴能够顺利地向有机物层注入，优选为功函数大的物质。作为上述阳极物质的具体例，有钒、铬、铜、锌、金等金属或它们的合金；氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等金属氧化物；ZnO:Al或SnO

作为上述阴极物质，通常为了使电子容易地向有机物层注入，优选为功函数小的物质。作为上述阴极物质的具体例，有镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅等金属或它们的合金；LiF/Al或LiO

上述空穴注入层是注入来自电极的空穴的层，作为空穴注入物质，优选为如下化合物：具有传输空穴的能力，具有注入来自阳极的空穴的效果，具有对于发光层或发光材料的优异的空穴注入效果，防止发光层中生成的激子向电子注入层或电子注入材料迁移，而且薄膜形成能力优异的化合物。优选空穴注入物质的HOMO(最高占有分子轨道，highestoccupiedmolecular orbital)介于阳极物质的功函数与周围有机物层的HOMO之间。作为空穴注入物质的具体例，有金属卟啉(porphyrin)、低聚噻吩、芳基胺系有机物、六腈六氮杂苯并菲系有机物、喹吖啶酮(quinacridone)系有机物、苝(perylene)系有机物、蒽醌及聚苯胺和聚噻吩系导电性高分子等，但不仅限于此。

上述空穴传输层是接收来自空穴注入层的空穴并将空穴传输至发光层的层，作为空穴传输物质，是能够接收来自阳极或空穴注入层的空穴并将其转移至发光层的物质，对空穴的迁移率大的物质是合适的。作为上述空穴传输物质，使用由上述化学式1表示的化合物，或者可以使用芳基胺系有机物、导电性高分子、以及同时存在共轭部分和非共轭部分的嵌段共聚物等，但并不限定于此。

上述空穴调节层是指如下的层：其形成在上述空穴传输层上，优选与发光层相接而设置，通过调节空穴迁移率、防止电子的过度迁移而提高空穴-电子之间的结合几率，从而起到改善有机发光器件的效率的作用。上述空穴调节层包含空穴调节物质，作为这样的空穴调节物质的例子，可以使用由上述化学式1表示的化合物，或者可以使用芳基胺系有机物等，但并不限定于此。

上述发光物质是能够从空穴传输层和电子传输层分别接收空穴和电子并使它们结合而发出可见光区域的光的物质，优选对于荧光或磷光的量子效率高的物质。作为具体例，有8-羟基喹啉铝配合物(Alq

上述发光层可以如上所述包含主体材料和掺杂剂材料。主体材料还可以包含芳香族稠环衍生物或含杂环化合物等。具体而言，作为芳香族稠环衍生物，有蒽衍生物、芘衍生物、萘衍生物、并五苯衍生物、菲化生物、荧蒽化合物等，作为含杂环化合物，有咔唑衍生物、二苯并呋喃衍生物、梯型呋喃化合物

作为掺杂剂材料，有芳香族胺衍生物、苯乙烯基胺化合物、硼配合物、荧蒽化合物、金属配合物等。具体而言，芳香族胺衍生物是具有取代或未取代的芳基氨基的芳香族稠环衍生物，有具有芳基氨基的芘、蒽、

上述电子调节层是指如下的层：其形成在发光层上，优选与发光层相接而设置，通过调节电子迁移率、防止空穴的过度迁移而提高空穴-电子之间的结合几率，从而起到改善有机发光器件的效率的作用。上述电子调节层包含电子调节物质，作为这样的电子调节物质的例子，可以使用包含三嗪的吖嗪类衍生物、三唑衍生物、

上述电子注入和传输层是注入来自电极的电子并将接收的电子传输至发光层的、同时起到电子传输层和电子注入层作用的层，形成在上述发光层或上述空穴阻挡层上。作为这样的电子注入和传输物质，是能够良好地注入来自阴极的电子并将其转移至发光层的物质，对于电子的迁移率大的物质是合适的。作为具体的电子注入和传输物质的例子，有8-羟基喹啉的Al配合物、包含Alq

作为上述金属配位化合物，有8-羟基喹啉锂、双(8-羟基喹啉)锌、双(8-羟基喹啉)铜、双(8-羟基喹啉)锰、三(8-羟基喹啉)铝、三(2-甲基-8-羟基喹啉)铝、三(8-羟基喹啉)镓、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍、双(10-羟基苯并[h]喹啉)锌、双(2-甲基-8-喹啉)氯化镓、双(2-甲基-8-喹啉)(邻甲酚)镓、双(2-甲基-8-喹啉)(1-萘酚)铝、双(2-甲基-8-喹啉)(2-萘酚)镓等，但并不限定于此。

根据所使用的材料，根据本发明的有机发光器件可以为顶部发光型、底部发光型或双向发光型。

另外，由上述化学式1表示的化合物除了包含在有机发光器件中以外，还可以包含在有机太阳能电池或有机晶体管中。

由上述化学式1表示的化合物及包含其的有机发光器件的制造在下面的实施例中具体地进行说明。但是，下述实施例用于例示本发明，本发明的范围并不限定于此。

合成例1：取代基的制造

为了将由上述化学式2表示的取代基导入到由上述化学式1表示的化合物中，通过下述反应式2-1、2-2和2-3而分别制造了中间体化合物INT.(2-1)、INT.(2-2)和INT.(2-3)。

[反应式2-1]

在上述反应式2-1中，X为卤素，对于其余取代基的说明与上述说明相同。上述步骤2-1是通过铃木偶联反应导入连接基团，从而制造中间体化合物INT.(2-1)的步骤。这时，起始物质SM1(2-1)可以通过"Potent and selective non-benzodioxole-containingendothelin-A receptor antagonists(Journal of Medicinal Chemistry,1997,vol.40,#3,p.322-330)”和"Zeolite-catalyzed synthesis of 2,3-unsubstitutedbenzo[b]furans via the intramolecular cyclization of 2-aryloxyacetaldehydeacetals(Tetrahedron,2015,vol.71,#29,p.4835-4841)"等中的已知的方法进行制造，L

1)步骤2-1：中间体化合物INT.(2-1)的制造

将SM1(2-1)(1当量)和SM3(1.02当量)添加到四氢呋喃(过量)后，添加2M的碳酸钾水溶液(相对于THF，为30体积比)，加入四(三苯基膦)钯(2mol％)后，加热搅拌10小时。将温度降至常温，结束反应后，去除碳酸钾水溶液，进行层分离。去除溶剂后，进行真空蒸馏，用乙酸乙酯和己烷进行重结晶，从而得到了标题化合物。

[反应式2-2]

在上述反应式2-2中，X为卤素，对于其余取代基的说明与上述说明相同。上述步骤2-2a是将溴基团导入到起始物质SM1(2-2)中的步骤，上述步骤2-2b是通过铃木偶联反应导入连接基团，从而制造中间体化合物INT.(2-2)的步骤。但是，L

1)步骤2-2a：中间体化合物SM2(2-2)的制造

将SM1(2-2)(1当量)溶解于DMF(过量)后，将温度降至0摄氏度，温度稳定后，添加N-溴琥珀酰亚胺(1当量)。然后，将反应物加热至常温，搅拌1小时后，添加1N的HCl(过量)，结束反应。反应结束后，进行层分离，去除溶剂后，将残留物进行硅胶柱层析(乙酸乙酯/己烷1:15)，从而得到了标题化合物。

2)步骤2-2b：中间体化合物INT.(2-2)的制造

在上述步骤2-1中，作为起始物质，使用SM2(2-2)代替SM1(2-1)，除此以外，通过与上述步骤2-1相同的方法得到了标题化合物。

[反应式2-3]

在上述反应式2-3中，X为卤素，对于其余取代基的说明与上述说明相同。上述步骤2-3a是将溴基团导入到起始物质SM1(2-3)中的步骤，上述步骤2-3b是通过铃木偶联反应导入连接基团，从而制造中间体化合物INT.(2-3)的步骤。但是，L

1)步骤2-3a：中间体化合物SM2(2-3)的制造

将SM1(2-3)(1当量)溶解于THF(过量)后，将温度降至-78摄氏度后，滴加2.5M的n-BuLi(1当量)，搅拌3小时后，添加N-溴琥珀酰亚胺(1当量)。然后，将反应物加热至常温，搅拌10小时，添加1N的HCl(过量)，结束反应。反应结束后，进行层分离，去除溶剂后，将残留物进行硅胶柱层析(乙酸乙酯/己烷1:15)，从而制造了标题化合物。

2)步骤2-3b：中间体化合物INT.(2-3)的制造

在上述步骤2-1中，作为起始物质，使用SM2(2-3)代替SM1(2-1)，除此以外，通过与上述步骤2-1相同的方法得到了标题化合物。

使用上述反应式2-1至2-3的方法，得到了下述表1的中间体化合物，各自的收率和MS数据(data)如下所示。

[表1]

合成例2：由化学式1表示的化合物1至31的制造

通过下述反应式1制造了由上述化学式1表示的化合物。

[反应式1]

在上述反应式1中，X各自独立地为卤素，优选为溴或氯，对于其余取代基的定义与上述说明相同。具体的制造方法如下所示。

1)步骤1-1：中间体化合物INT.X(X1至X31)的制造

将SM1(1当量)和SM2(1.02当量)、叔丁醇钠(1.4当量)加入到二甲苯中，加热搅拌后回流，加入[双(三叔丁基膦)]钯(1mol％)。然后，将温度降至常温，结束反应后，利用四氢呋喃和乙酸乙酯进行重结晶，从而得到了下述表2的中间体化合物X1至X31，各自的收率和MS数据如下所示。

[表2]

2)步骤1-2：最终化合物1至31的制造

将中间体化合物INT.X(1当量)和SM3(1.02当量)、叔丁醇钠(1.4当量)加入到二甲苯中，加热搅拌后回流，加入[双(三叔丁基膦)]钯(1mol％)。然后，将温度降至常温，结束反应后，利用四氢呋喃和乙酸乙酯进行重结晶，从而得到了下述最终化合物1至化合物31，各自的收率和MS数据如表3中的记载。

[表3]

合成例3：由化学式1表示的化合物32的制造

通过下述反应式1'制造了取代基*-L

[反应式1']

在上述反应式1'中，X各自独立地为卤素，优选为溴或氯，对于其余取代基的定义与上述说明相同。具体而言，与上述步骤合成例2的步骤1-1同样进行，从而得到了上述最终化合物32，收率和MS数据如表4中的记载。

[表4]

实施例1：OLED的制造

将ITO(氧化铟锡)以

在这样准备的ITO透明电极上，将HI-1(六腈六氮杂苯并菲，hexanitrilehexaazatriphenylene)以

然后，在上述空穴调节层上，作为发光层，将主体BH1和掺杂剂BD1化合物(25:1)以

然后，将E1(ETL)化合物

在上述过程中，有机物的蒸镀速度维持

实施例2至12和比较例1至4

使用下述表5中记载的化合物代替空穴传输层中所使用的化合物1，除此以外，通过与上述实施例1相同的方法制造了有机发光器件。

上述实施例1至12和比较例1至4中所使用的化合物如下所示。

实验例1

对上述实施例1至12和比较例1至4中制造的有机发光器件施加电流时，测定了电压、效率、色坐标和寿命，将其结果示于下述表5。这时，T95是指亮度从初始亮度减少至95％所需的时间。

[表5]

如上述表5所示的那样，可以确认将本发明的化合物用作空穴传输层物质的有机发光器件通过空穴顺利地向发光层注入以及根据化学结构的有机发光器件的空穴和电子的平衡，从而与将比较例化合物用作空穴传输层物质的有机发光器件相比，在驱动电压、效率和寿命方面均显示出优异的特性。

实施例13：OLED的制造

将ITO(氧化铟锡)以

在这样准备的ITO透明电极上，将HI-1(六腈六氮杂苯并菲，hexanitrilehexaazatriphenylene)以

在上述空穴注入层上，将作为传输空穴的物质的HT1

然后，在上述空穴调节层上，作为发光层，将主体BH1和掺杂剂BD1化合物(25:1)以

然后，将E1(ETL)化合物

在上述过程中，有机物的蒸镀速度维持

实施例14至39和比较例5至8

使用下述表6中记载的化合物代替空穴传输层中所使用的化合物HT1和空穴调节层中所使用的化合物2，除此以外，通过与上述实施例13相同的方法制造了有机发光器件。

实验例2

对上述实施例13至39和比较例5至8中制造的有机发光器件施加电流时，测定了电压、效率、色坐标和寿命，将其结果示于下述表6。这时，T95是指亮度从初始亮度减少至95％所需的时间。

[表6]

如上述表6所示的那样，可以确认将本发明的化合物用作空穴调节层物质或同时用作空穴调节层物质和空穴传输层物质的有机发光器件通过空穴顺利地向发光层注入和根据化学结构的有机发光器件的空穴和电子的平衡，从而与使用比较例化合物的有机发光器件相比，在驱动电压、效率和寿命方面均显示出优异的特性。

[符号说明]

1：基板2：阳极

3：空穴传输层4：发光层

5：电子注入和传输层6：阴极

7：空穴注入层8：空穴调节层

9：电子调节层。