阵列基板及制作方法、显示面板

技术领域

本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种阵列基板及制作方法、显示面板。

背景技术

随着显示技术的发展，显示面板已经广泛应用于人们的生活和工作中，在显示面板的设计中，阵列基板的布线设计尤为重要。

在现有技术中，阵列基板包括显示区和扇出区，显示区内平行且间隔设置多条数据线，扇出区内设有驱动芯片和扇出走线，扇出走线一端电连接数据线，另一端电连接驱动芯片；扇出走线排布密集，而数据线与驱动芯片的相对位置会影响连接两者的扇出走线的长度和延伸方向，导致在部分区域内，扇出走线阻挡后续膜层材料的流动，特别是较厚的有机绝缘材料，造成后续膜层薄厚不均，若材料粘附力较弱，还易发生脱落。

因此，亟需提供一种能够避免后续膜层薄厚不均的阵列基板的设计。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种阵列基板及制作方法、显示面板。

一方面，本发明提供了一种阵列基板，包括扇出区，所述扇出区包括第一区域；

衬底；

扇出走线，位于所述衬底的一侧，且位于所述扇出区，所述扇出走线包括位于所述第一区域的第一扇出走线，所述第一扇出走线沿第一方向延伸、第二方向排布，相邻两条所述第一扇出走线之间绝缘，所述第二方向与所述第一方向相交；

所述第一扇出走线包括第一子段和第二子段，沿第三方向上，所述第一子段至所述衬底的最大距离为d1，所述第二子段至所述衬底的最大距离为d2，d1＜d2，所述第三方向为垂直于所述衬底所在平面的方向；多个所述第一子段沿第四方向连续排布形成第一扩散区，所述第四方向分别与所述第一方向、所述第三方向相交；

所述第一扩散区包括绝缘材料，沿所述第四方向上，所述第一扩散区的长度大于等于预设距离。

另一方面，本发明提供了一种阵列基板的制作方法，包括：

提供衬底，所述衬底包括扇出区，所述扇出区包括第一区域；

在所述衬底的一侧形成扇出走线，所述扇出走线包括第一扇出走线，所述第一扇出走线在所述衬底的正投影位于所述第一区域内；所述第一扇出走线沿第一方向延伸、第二方向排布，相邻两条所述第一扇出走线之间绝缘，所述第二方向与所述第一方向相交；所述第一扇出走线包括第一子段和第二子段，沿第三方向上，所述第一子段至所述衬底的最大距离为d1，所述第二子段至所述衬底的最大距离为d2，d1＜d2，所述第三方向为垂直于所述衬底所在平面的方向；

多个所述第一子段沿第四方向连续排布形成第一扩散区，所述第四方向分别与所述第一方向、所述第三方向相交；沿所述第四方向上，所述第一扩散区的长度大于等于预设距离；

在所述扇出走线远离所述衬底的一侧涂布绝缘材料，部分所述绝缘材料向所述第一扩散区流动。

又一方面，本发明还提供了一种显示面板，包括上述阵列基板。

与现有技术相比，本发明提供的阵列基板，至少实现了如下的有益效果：

本发明提供的阵列基板包括扇出区，扇出区包括第一区域；扇出走线，位于衬底的一侧，且位于扇出区，扇出走线包括位于第一区域的第一扇出走线，第一扇出走线沿第一方向延伸、第二方向排布，相邻两条第一扇出走线之间绝缘，第二方向与第一方向相交；第一扇出走线包括第一子段和第二子段，沿第三方向上，第一子段至衬底的最大距离为d1，第二子段至衬底的最大距离为d2，d1＜d2，第三方向为垂直于衬底所在平面的方向，在扇出走线远离衬底的一侧涂覆绝缘材料时，堆积的绝缘材料会向低处流动，即能够从第二子段处流向第一子段；多个第一子段沿第四方向连续排布形成第一扩散区，第四方向分别与第一方向、第三方向相交，沿第四方向上，第一扩散区的长度大于等于预设距离，此时，第一扩散区相当于扩散通道，第一扩散区周围堆积的绝缘材料流入第一扩散区内，甚至会沿着第一扩散区的延伸方向流出第一区域，避免第一区域内绝缘材料堆积造成绝缘材料形成的绝缘层薄厚不均，还能避免绝缘材料形成的绝缘层容易脱落的问题。

当然，实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。

通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。

图1是现有技术提供的阵列基板的一种结构示意图；

图2是本发明提供的阵列基板的一种结构示意图；

图3是图2中第一区域的一种放大图；

图4是图3中A-A’向的一种剖面图；

图5是图2中第一区域的另一种放大图；

图6是图5中B-B’向的一种剖面图；

图7是图2中第一区域的又一种放大图；

图8是图2中第一区域的又一种放大图；

图9是图2中第一区域的又一种放大图；

图10是图2中第一区域的又一种放大图；

图11是本发明提供的阵列基板的制作方法的一种流程图；

图12是本发明提供的显示面板的一种结构示意图。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

为了解决阵列基板扇出走线远离衬底一侧绝缘层不均匀的问题，发明人对相关技术中的阵列基板进行了如下研究：

参照图1，图1是现有技术提供的阵列基板的一种结构示意图，现有技术中的阵列基板000’，包括：显示区1’和至少部分围绕显示区1’的扇出区2’；

衬底3’；

数据线4’，位于衬底3’的一侧，且位于显示区1’；

扇出走线5’，位于衬底3’的一侧，且位于扇出区2’；

驱动芯片6’，位于扇出区2’，扇出走线5’一端电连接数据线4’，另一端电连接驱动芯片6’；

可以理解的是，由于数据线4’与驱动芯片6’的相对位置关系的不同，会影响连接数据线4’与驱动芯片6’的扇出走线5’的延伸方向和长度，在图1中仅示意出阵列基板000’的一种布线设计，当然，并不限于此，在图1中仅示意出扇出走线5’的排布密度大，沿扇出区2’中心指向两侧的方向上，扇出走线5’的倾斜角度增大，在扇出走线5’远离衬底3’一侧涂覆绝缘材料以形成绝缘层时，由于扇出区2’边缘位置的扇出走线5’的延伸方向与竖直方向具有夹角，当沿竖直方向涂覆绝缘材料时，扇出区2’边缘位置的密集的扇出走线5’会阻挡绝缘材料的流动，导致扇出区2’边缘位置存在绝缘材料堆积的问题，使绝缘材料形成的绝缘层厚度不均匀，甚至容易剥落。

有鉴于此，本发明提出了一种阵列基板及制作方法、显示面板，关于本发明提供的一种阵列基板及制作方法、显示面板的具体实施例，下文将详细描述。

参照图2、图3和图4，图2是本发明提供的阵列基板的一种结构示意图，图3是图2中第一区域的一种放大图，图4是图3中A-A’向的一种剖面图，来说明本发明提供的阵列基板000的一种具体的实施例，包括：扇出区2，扇出区2包括第一区域21；

衬底3；

扇出走线5，位于衬底3的一侧，且位于扇出区2，扇出走线5包括位于第一区域21的第一扇出走线7，第一扇出走线7沿第一方向X延伸、第二方向Y排布，相邻两条第一扇出走线7之间绝缘，第二方向Y与第一方向X相交；

第一扇出走线7包括第一子段71和第二子段72，沿第三方向Z上，第一子段71至衬底3的最大距离为d1，第二子段72至衬底3的最大距离为d2，d1＜d2，第三方向Z为垂直于衬底3所在平面的方向；多个第一子段71沿第四方向U连续排布形成第一扩散区8，第四方向U分别与第一方向X、第三方向Z相交；

第一扩散区8包括绝缘材料，沿第四方向U上，第一扩散区8的长度大于等于预设距离。

需要说明的是，在图2和图3中，第一扇出走线7数量、延伸和排布方向仅为示意，当然，并不限于此，在图2和图3中仅示意出第一扇出走线7均沿第一方向X延伸，但并不限于此，也可以部分第一扇出走线7的延伸方向与第一方向X具有夹角，夹角小于等于2°，这部分第一扇出走线7的延伸方向与第一方向X近似平行，本实施例对此并不做具体的限定，在图4中，仅示意出第一子段71和第二子段72同层设置，沿第三方向Z上，衬底3与第一扇出走线7之间还包括其他膜层，其他膜层可以包括缓冲层、金属层等。

可以理解的是，由于扇出区2面积有限，扇出走线5在扇出区2排布密集，参照图3，当沿第七方向V涂覆绝缘材料时，由于第七方向V与第一方向X之间的夹角较大，密集排布的第一扇出走线7会阻挡绝缘材料的流动，导致绝缘材料在第一区域21堆积；在第一区域21内，设置第一子段71至衬底3的最大距离为d1，第二子段72至衬底3的最大距离为d2，d1＜d2，绝缘材料具有流动性，会向低处流动，故堆积的绝缘材料能够从第二子段72对应位置流向第一子段71对应位置；多个第一子段71沿第四方向U连续排布形成第一扩散区8，第一扩散区8即为扩散通道，扩散通道内对绝缘材料的流动的阻挡作用较小，甚至没有阻挡作用，堆积的绝缘材料汇集在扩散通道内，可沿扩散通道流出，能够有效改善第一区域21内绝缘材料堆积导致后续形成的绝缘层厚度不均的问题，使绝缘材料形成的绝缘层可靠性更高，避免绝缘材料形成的绝缘层脱落，其中，第四方向U可以与第二方向Y平行，第四方向U也可以与第二方向Y相交。沿第四方向U上，第一扩散区8的长度大于等于预设距离，具体的，沿第七方向V上，扇出区2的宽度为l1，沿第四方向U上，第一扩散区8的长度为l2，l2≥50％l1，当第一扩散区8具有一定长度，才能够将汇集在第一扩散区8的绝缘材料导出第一区域21，以改善绝缘材料形成的绝缘层的厚度不均的问题。

与现有技术相比，本实施例提供的阵列基板000，至少具有以下优点：

本发明提供的阵列基板000包括扇出区2，扇出区2包括第一区域21；扇出走线5，位于衬底3的一侧，且位于扇出区2，扇出走线5包括位于第一区域21的第一扇出走线7，第一扇出走线7沿第一方向X延伸、第二方向Y排布，相邻两条第一扇出走线7之间绝缘，第二方向Y与第一方向X相交；第一扇出走线7包括第一子段71和第二子段72，沿第三方向Z上，第一子段71至衬底3的最大距离为d1，第二子段72至衬底3的最大距离为d2，d1＜d2，第三方向Z为垂直于衬底3所在平面的方向，在扇出走线5远离衬底3的一侧涂覆绝缘材料时，堆积的绝缘材料会向低处流动，即能够从第二子段72处流向第一子段71；多个第一子段71沿第四方向U连续排布形成第一扩散区8，第四方向U分别与第一方向X、第三方向Z相交，沿第四方向U上，第一扩散区8的长度大于等于预设距离，此时，第一扩散区8相当于扩散通道，第一扩散区8周围堆积的绝缘材料流入第一扩散区8内，甚至会沿着第一扩散区8的延伸方向流出第一区域21，避免第一区域21内绝缘材料堆积造成绝缘材料形成的绝缘层薄厚不均，还能避免绝缘材料形成的绝缘层容易脱落的问题。

在一些可选的是实施例中，参照图2、图5和图6，图5是图2中第一区域的另一种放大图，图6是图5中B-B’向的一种剖面图，本实施例提供的阵列基板000还包括：

第一金属层10，位于衬底3的一侧，第一子段71位于第一金属层10；

第二金属层11，位于第一金属层10远离衬底3的一侧，第二子段72位于第二金属层11。

可以理解的是，参照图6，沿第三方向Z上，衬底3与第一金属层10之间还包括其它膜层，其它膜层包括绝缘层等，这里并不做具体，第一金属层10和第二金属层11之间绝缘，第一子段71位于第一金属层10，第二子段72位于第二金属层11，在一根第一扇出走线7中，相邻两个第二子段72之间具有缺口，降低第二金属层11的走线密度，从而降低第二金属层11的走线的阻挡作用，缺口处即第一子段71对应位置，多个第一子段71沿第四方向U连续排布形成第一扩散区8，即多个缺口沿第四方向U连续排布形成扩散通道，当第二金属层11远离衬底3一侧涂覆绝缘材料时，堆积的绝缘材料流向扩散通道内，再沿扩散通道流出第一区域21，以避免绝缘材料堆积导致绝缘材料形成的绝缘层凹凸不平，便于后续膜层的制作。

在一些可选的实施例中，继续参照图2、图5和图6，第一子段71和第二子段72通过过孔连接。

可以理解的是，图6中仅示意出第一子段71位于第一金属层10，第二子段72位于第二金属层11，通过设置过孔，能够实现不同膜层的走线的电连接，即第一子段71和第二子段72的电连接，通过过孔实现第一子段71和第二子段72的电连接更加直接，设计合理。

在一些可选的实施例中，参照图2、图7和图8，图7是图2中第一区域的又一种放大图，图8是图2中第一区域的又一种放大图，第一扇出走线7包括交替连接的第一子段71和第二子段72；

在第一区域21内，多个第一子段71沿第五方向T连续排布形成第二扩散区9，第五方向T分别与第一方向X、第三方向Z相交，且第五方向T与第四方向U平行或相交。

可以理解的是，在图7中仅示意出第五方向T与第四方向U平行，即第一扩散区8的延伸方向与第二扩散区9的延伸方向平行，当然，并不限于此，参照图8，也可以设置第五方向T与第四方向U相交，即第一扩散区8的延伸方向与第二扩散区9的延伸方向相交，第一扩散区8和第二扩散区9的延伸方向可根据实际需求进行设置，本实施例对此并不做具体的限制，扩散区的数量越多，即扩散通道的数量越多，能够将第一区域21堆积的绝缘材料更多地导出，使绝缘材料在扇出区2覆盖地更加均匀，避免绝缘材料形成的绝缘层表面不均匀且易脱落。

在一些可选的实施例中，继续参照图2和图7，沿第二方向Y上，第一扩散区8与第二扩散区9之间的最小间隔P大于20微米。

可以理解的是，沿第二方向Y上，第一扩散区8与第二扩散区9之间的最小间隔P大于20微米，第一扩散区8与第二扩散区9之间的最小间隔P能够容纳两个过孔，不会影响不同膜层的第一子段71和第二子段72的电连接，同时，扩散区的位置分布合理，能够极大限度地起到扩散通道的作用。

在一些可选的实施例中，参照图2和图9，图9是图2中第一区域的又一种放大图，本实施例提供的阵列基板000还包括显示区1，扇出区2部分围绕显示区1；

第二扩散区9位于第一扩散区8远离显示区1的一侧，第四方向U与第五方向T平行，沿第六方向R上，第一扩散区8与第二扩散区9错位，第六方向R与第四方向U垂直。

可以理解的是，在图9中仅示意出沿第四方向U上，第一扩散区8的长度与所述第二扩散区9的长度相等，当然，第一扩散区8的长度与第二扩散区9的长度也可以不等，或者第一扩散区8的延伸方向与第二扩散区9的延伸方向相交，并不限于此，当以第七方向V涂覆绝缘材料时，在第一区域21内，多根大角度倾斜的第一扇出走线7密集排布，相当于挡墙的作用，阻挡绝缘材料的流动，第二扩散区9位于第一扩散区8远离显示区1的一侧，沿第六方向R上，第一扩散区8与第二扩散区9错位，即两个长度较短的扩散通道错位设置，相当于在“挡墙”设置开口，也能够将堆积的绝缘材料导出，并且较短的扩散通道的排布方式更加灵活，第一扩散区8和第二扩散区9错开排布，沿第一扇出走线7的延伸方向上，绝缘材料扩散的更加均匀。

在一些可选的实施例中，参照图2和图10，图10是图2中第一区域的又一种放大图，本实施例提供的阵列基板000还包括显示区1，扇出区2部分围绕显示区1；

第二扩散区9位于第一扩散区8远离显示区1的一侧；

在第一扩散区8内，第一子段71沿第一方向X的长度为k1，在第二扩散区9内，第一子段71沿第一方向X的长度为k2，k1＜k2。

可以理解的是，由于第一扩散区8和第二扩散区9的作用是汇聚堆积的绝缘材料，并将绝缘材料导出第一区域21，且导出绝缘材料的方向为远离显示区1方向，第二扩散区9位于第一扩散区8远离显示区1的一侧，故沿第一方向X上，第二扩散区9的宽度大于第一扩散区8的宽度，第二扩散区9的宽度取决于第一子段71沿第一方向X上的长度，故设置k1＜k2，使沿第一方向X上，第二扩散区9的宽度大于第一扩散区8的宽度，更有利于向远离显示区1的一侧导出绝缘材料，避免绝缘材料形成的绝缘层存在薄厚不均的情况。

在一些可选的实施例中，继续参照图2和图5，在第一扩散区8内，第一子段71沿第一方向X上的长度相等。

可以理解的是，在图5中仅示意出第一区域21仅包括第一扩散区8，当然，并不限于此，在第一扩散区8内，第一子段71沿第一方向X上的长度相等，即第一扩散区8所形成的通道的宽度恒定，便于制作。

当然，在第一扩散区8内，第一子段71沿第一方向X上的长度不等也是可以的，参照图8，在第一扩散区8内，沿第四方向U上，第一子段71的长度不断减小，故形成的第一扩散区8在衬底3的正投影呈漏斗状，且越远离显示区1越外扩，便于将堆积在第一扩散区8内的绝缘材料向远离显示区1的方向导出，通过调整扩散区内的第一子段71的长度可以改变形成的扩散通道的宽度，本实施例对此并不做具体的限定，可根据实际需求进行选择。

在一些可选的实施例中，继续参照图2、图5和图6，沿第一方向X上，第一扩散区8的宽度Q大于等于10微米。

可以理解的是，沿第一方向X上，第一扩散区8的宽度Q越大，汇集和导出绝缘材料的效果就越好，扩散效果越强，若沿第一方向X上，第一扩散区8的宽度Q小于10微米，扩散作用会较差，当然，沿第一方向X上，第一扩散区8的宽度可根据实际需求进行设置，本实施例对此并不做具体的限制。

在一些可选的实施例中，继续参照图2和图5，第四方向U与绝缘材料的涂覆方向具有夹角θ，0°≤θ≤45°。

可以理解的是，绝缘材料的涂覆方向为第七方向V，在图5中仅示意出第七方向V的一种可能，在第一区域21内，多根大角度倾斜的第一扇出走线7密集排布，具有挡墙作用，阻挡绝缘材料的流动，在第一区域21内设置第一扩散区8，相当于在挡墙内开设通道，通道的延伸方向与绝缘材料的涂覆方向之间的夹角越小，对绝缘材料的阻挡作用更小，扩散效果更好，故第四方向U与绝缘材料的涂覆方向具有夹角θ，0°≤θ≤45，优选地，θ＝0°，当然，也可以设置θ＝5°、θ＝10°、θ＝15°、θ＝20°、θ＝25°、θ＝30°、θ＝35°、θ＝40°、θ＝45°，本实施例对此并不做具体的限制。

在一些可选的实施例中，参照图2、图5、图6和图11，图11是本发明提供的阵列基板的制作方法的一种流程图，本实施例提供一种具体的阵列基板000的制作方法，包括：

S1：提供衬底3，衬底3包括扇出区2，扇出区2包括第一区域21；

S2：在衬底3的一侧形成扇出走线5，扇出走线5包括第一扇出走线7，第一扇出走线7在衬底3的正投影位于第一区域21内；第一扇出走线7沿第一方向X延伸、第二方向Y排布，相邻两条第一扇出走线7之间绝缘，第二方向Y与第一方向X相交；第一扇出走线7包括第一子段71和第二子段72，沿第三方向Z上，第一子段71至衬底3的最大距离为d1，第二子段72至衬底3的最大距离为d2，d1＜d2，第三方向Z为垂直于衬底3所在平面的方向；

多个第一子段71沿第四方向U连续排布形成第一扩散区8，第四方向U分别与第一方向X、第三方向Z相交；沿第四方向U上，第一扩散区8的长度大于等于预设距离；

S3：在扇出走线5远离衬底3的一侧涂布绝缘材料，部分绝缘材料向第一扩散区8流动。

可以理解的是，在图6中仅示意出一种d1与d2的关系，在步骤S2中，由于绝缘材料具有流动性，d1＜d2，堆积的绝缘材料能够从第二子段72对应位置流向第一子段71对应位置，多个第一子段71沿第四方向U连续排布形成第一扩散区8，第一扩散区8即为扩散通道，扩散通道内对绝缘材料的流动的阻挡作用较小，甚至没有阻挡作用；在步骤S3中，在扇出走线5远离衬底3的一侧涂布绝缘材料时，绝缘材料会在扩散通道内扩散，以减少材料堆积，第二子段72位置堆积的材料也会流向扩散通道，沿扩散通道流出，能够有效改善第一区域21内绝缘材料堆积导致后续形成的绝缘层厚度不均的问题，使绝缘材料形成的绝缘层可靠性更高，避免绝缘材料形成的绝缘层脱落。

基于同一发明构思，参照图12，图12是本发明提供的显示面板的一种结构示意图，本发明还提供一种显示面板100，包括上述任一实施例提供的阵列基板000，显示面板100可以为液晶显示面板100，当然，并不限于此，本发明实施例提供的显示面板100，具有本发明实施例提供的阵列基板000的有益效果，具体可以参考上述各实施例对于阵列基板000的具体说明，本实施例在此不再赘述。

通过上述实施例可知，本发明提供的阵列基板，至少实现了如下的有益效果：

本发明提供的阵列基板包括扇出区，扇出区包括第一区域；扇出走线，位于衬底的一侧，且位于扇出区，扇出走线包括位于第一区域的第一扇出走线，第一扇出走线沿第一方向延伸、第二方向排布，相邻两条第一扇出走线之间绝缘，第二方向与第一方向相交；第一扇出走线包括第一子段和第二子段，沿第三方向上，第一子段至衬底的最大距离为d1，第二子段至衬底的最大距离为d2，d1＜d2，第三方向为垂直于衬底所在平面的方向，在扇出走线远离衬底的一侧涂覆绝缘材料时，堆积的绝缘材料会向低处流动，即能够从第二子段处流向第一子段；多个第一子段沿第四方向连续排布形成第一扩散区，第四方向分别与第一方向、第三方向相交，沿第四方向上，第一扩散区的长度大于等于预设距离，此时，第一扩散区相当于扩散通道，第一扩散区周围堆积的绝缘材料流入第一扩散区内，甚至会沿着第一扩散区的延伸方向流出第一区域，避免第一区域内绝缘材料堆积造成绝缘材料形成的绝缘层薄厚不均，还能避免绝缘材料形成的绝缘层容易脱落的问题。

虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。